JP2000156528A - 発光素子 - Google Patents

発光素子

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JP2000156528A JP10329194A JP32919498A JP2000156528A JP 2000156528 A JP2000156528 A JP 2000156528A JP 10329194 A JP10329194 A JP 10329194A JP 32919498 A JP32919498 A JP 32919498A JP 2000156528 A JP2000156528 A JP 2000156528A
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resin
fluorescent material
led chip
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Atsushi Okazaki
淳 岡崎
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ＬＥＤチップの発光波長を蛍光材
料により変換する発光素子において、作製が容易で低コ
ストで均一な発光が得られる発光素子を提供することを
目的とする。 【解決手段】 ＬＥＤチップ１が凹部に収納されて成
り、ＬＥＤチップ１の発光波長を蛍光材料により変換す
る面実装型の発光素子において、ＬＥＤチップ１周囲に
透光性樹脂２を封入し硬化させた後、硬化させた透光性
樹脂２上に蛍光材料を含有する樹脂３を封入し硬化して
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤチップの発
光波長を蛍光材料により変換する発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色や紫外光の発光を行うＬＥＤチップ
の発光波長を蛍光材料により、白色等に変換する発光素
子が、各種装置の表示部の照明や一般的な照明等に応用
することを目的として開発されている。
【０００３】そのようなタイプの従来の発光素子として
は、特開平５−１５２６０９号公報や特開平７−９９３
４５号公報に記載されるようなものがある。ここで、特
開平７−９９３４５号公報に記載された発光素子につい
て、図７を参照して説明する。図７において、１０１は
ＬＥＤチップ、１０２は透光性樹脂、１０３’は蛍光材
料、１０３は蛍光材料１０３’を含有する樹脂、１０８
はリードフレーム、１００はリードフレーム１０８のＬ
ＥＤチップ１０１搭載部に形成されたカップである。
【０００４】図７に示すように、この発光素子は、リー
ドフレーム１０８に形成されたカップ１００にＬＥＤ１
０１を搭載し、そのカップ１００内部を蛍光材料１０
３’を含有する樹脂１０３により充填し、その樹脂１０
３を硬化させた後、その周囲を１０２は透光性樹脂によ
り包囲するように封止して構成されるものである。
【０００５】また、他の従来の発光素子として、特開平
１０−２００１６５号公報に記載されるようなものもあ
る。ここで、特開平１０−２００１６５号公報に記載さ
れた発光素子について、図８を参照して説明する。図８
において、１１１はＬＥＤチップ、１１２は封止部１１
２ａとレンズ部１１２ｂとから成る樹脂封止体、１１３
は蛍光材料を含有する透光性樹脂材料から成る蛍光カバ
ー、１１７はリード細線、１１８はリードフレームであ
る。
【０００６】図８に示すように、この発光素子は、リー
ドフレーム１１８にＬＥＤ１１１を搭載してリード細線
１１７によりリードフレーム１１８に配線し、これを樹
脂封止体１１２により樹脂封止した後、蛍光材料を含有
させた樹脂材料を樹脂成形、または樹脂封止体１１２に
噴霧又は塗布して蛍光カバー１１３が樹脂封止体１１２
を包囲するように形成されて構成されるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の技術では、下記のような課題がある。まず、図７
を用いて説明した特開平７−９９３４５号公報に記載の
ものでは、未硬化の液状樹脂に蛍光材料１０３’を混合
してＬＥＤチップ１０１の周囲に滴下するようにしてリ
ードフレーム１０８のカップ１００内部に注入してか
ら、樹脂１０３を熱硬化等により硬化させるが、その硬
化に数時間を要し、その硬化中に比重の重い蛍光材料１
０３’が沈降してしまう。そのような蛍光材料１０３’
の沈降が起こると、カップ１００底面近傍に蛍光材料１
０３’が多く分布することになる。すると、ＬＥＤチッ
プ１０１の上面方向に発光した光と、ＬＥＤチップ１０
１の側面方向に発光した光とで、通過する蛍光材料１０
３’の量が異なることになる。
【０００８】このことにより、そのような発光素子から
発光される光に色むらを生じてしまう。例えば、ＬＥＤ
チップ１０１の発光色が青色で、蛍光材料が青色を黄色
に変換するものであると、ＬＥＤチップ１０１の上面方
向に発せられた光は青色が強い光となり、ＬＥＤチップ
１０１の側面方向に発せられた光は黄色が強い光となる
ような色むらを生じる。
【０００９】さらに、ＬＥＤチップの発光部は通常上面
方向になるように搭載され、このような蛍光材料の沈降
が発生すると、ＬＥＤチップの発光量の多い方向に蛍光
材料があまり分布しないことになり、蛍光材料による波
長変換効果が充分に得られない。
【００１０】そこで、これを改善するために、蛍光材料
１０３’の添加量を増加させることも考えられるが、蛍
光材料１０３’による吸収も増大してしまうため、発光
素子から発せられる全体の光量が低下してしまう。ま
た、蛍光材料は高価であるため、コストの増大も引き起
こしてしまう。
【００１１】以上のように、特開平７−９９３４５号公
報に記載のものでは、樹脂１０３の硬化時における蛍光
材料１０３’の沈降により、発光の色むらが発生し、蛍
光材料による波長変換効果を充分に得ることができなか
った。
【００１２】一方、図８を用いて説明した特開平１０−
２００１６５号公報に記載のものでは、蛍光材料を含有
させた樹脂材料を樹脂成形、または樹脂封止体１１２に
噴霧又は塗布して、蛍光カバー１１３を樹脂封止体１１
２を包囲するように形成するものである。この蛍光カバ
ー１１３を、蛍光材料を含有させた樹脂材料を樹脂成形
した場合には、その成形後に蛍光カバー１１３を樹脂封
止体１１２に覆いかぶせるように被着するため、それら
の間に空気層が形成されてしまう。そこで、それらの間
を透光性の接着剤で充填する必要がある。しかしなが
ら、このような形状のものを空気層を全く形成しないよ
うに、接着剤で接着するのは困難である。
【００１３】また、蛍光材料を含有させた樹脂材料を樹
脂封止体１１２に噴霧又は塗布して硬化させて、蛍光カ
バー１１３を形成する場合には、樹脂材料の噴霧むら又
は塗布むらが発生してしまう。したがって、それを防止
して、均一な蛍光カバー１１３を形成するためには、高
価な蛍光材料が多く必要となり、コスト増大の招いてい
た。
【００１４】なお、上記のような課題は、面実装型（チ
ップ部品タイプ）の発光素子に適用した場合にも、同様
のものが予想されるものである。
【００１５】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、ＬＥＤチップの発光波長を
蛍光材料により変換する発光素子において、作製が容易
で低コストで均一な発光が得られる発光素子を提供する
ことを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明では、ＬＥＤチップが凹部に
収納されて成り、ＬＥＤチップの発光波長を蛍光材料に
より変換する面実装型の発光素子において、ＬＥＤチッ
プ周囲に透光性樹脂が封入され硬化された後、その硬化
された透光性樹脂上に蛍光材料を含有する樹脂が封入さ
れ硬化されて構成されることとしている。
【００１７】請求項１に記載の発明によれば、面実装型
の発光素子において、ＬＥＤチップ周囲に透光性樹脂を
封入、硬化後、その硬化された透光性樹脂上に蛍光材料
を含有する樹脂を封入、硬化して構成しているので、Ｌ
ＥＤチップの発光強度が強い上面方向でほぼ均一に蛍光
材料を分布させることができ、発光素子の発光色の色む
らを防止すると共に、蛍光材料による波長変換の効率を
向上させることが可能となる。したがって、高価な蛍光
材料の使用量の低減が図れ、低コストの発光素子を実現
することができる。なお、この発光素子の発光色の色む
ら防止は、ＬＥＤチップの発光面側に、ほぼ均一の厚み
の蛍光材料を含有する層を形成できるので、ＬＥＤチッ
プから発せられた光がその蛍光材料含有層を通過すると
き、蛍光材料含有層のどの通過箇所でもほぼ同じ距離
（ほぼ蛍光材料含有層の厚さに相当）だけ通過すること
になり、蛍光材料含有層における色変換の程度がほぼ同
じで、ほぼ均一な発光色を得ることが可能となるという
ものである。
【００１８】さらに、請求項２に記載の発明では、請求
項１に記載の発光素子において、ＬＥＤ周囲に封入され
硬化される透光性樹脂がドーム状に形成され、そのドー
ム状に形成された透光性樹脂の周囲に前記蛍光材料を含
有する樹脂が封入され硬化されて構成されることとして
いる。
【００１９】請求項２に記載の発明によれば、ＬＥＤチ
ップ周囲に封入され硬化される透光性樹脂をドーム状に
形成しているので、その形状によるレンズ効果を得るこ
とができ、光の利用効率を向上させることができる。な
お、ＬＥＤチップ周囲に封入され硬化される透光性樹脂
としては、チクソトロピー（揺変性）を示す樹脂材料を
用いれば、容易にドーム状に形成することができる。チ
クソトロピーとは、ゲルがかき回したり振ったりするこ
とによってゾルに変わり、それを放置すると再びゲルに
戻る性質のことである。したがって、チクソトロピー
（揺変性）を示す樹脂材料のゾル状のものを、ＬＥＤチ
ップ周囲にドーム状の形状となるように滴下すると、ゲ
ル状態となってその形状が維持され、その樹脂を硬化す
れば、容易にドーム形状を形成することができる。すな
わち、チクソトロピー（揺変性）を示す樹脂材料を用い
ると、硬化前の液状の樹脂をＬＥＤチップ周囲に滴下す
れば、熱硬化等によって硬化させるまで、その形状を保
つことができ、容易にドーム形状の形成が可能となると
いうものである。
【００２０】また、請求項３に記載の発明では、基板上
にＬＥＤチップが配置されて成り、ＬＥＤチップの発光
波長を蛍光材料により変換する面実装型の発光素子にお
いて、ＬＥＤチップ周囲に透光性樹脂が一次成型された
後、その一次成型された透光性樹脂上に蛍光材料を含有
する樹脂が形成されて構成されることとしている。
【００２１】請求項３に記載の発明によれば、面実装型
の発光素子において、ＬＥＤチップ周囲に透光性樹脂を
一次成型した後、その一次成型された透光性樹脂上に蛍
光材料を含有する樹脂を形成して構成しているので、Ｌ
ＥＤチップの発光強度が強い上面方向でほぼ均一に蛍光
材料を分布させることができ、発光素子の発光色の色む
らを防止すると共に、蛍光材料による波長変換の効率を
向上させることが可能となる。したがって、高価な蛍光
材料の使用量の低減が図れ、低コストの発光素子を実現
することができる。なお、この発光素子の発光色の色む
ら防止は、ＬＥＤチップの発光面側に、ほぼ均一の厚み
の蛍光材料を含有する層を形成できるので、ＬＥＤチッ
プから発せられた光がその蛍光材料含有層を通過すると
き、蛍光材料含有層のどの通過箇所でもほぼ同じ距離
（ほぼ蛍光材料含有層の厚さに相当）だけ通過すること
になり、蛍光材料含有層における色変換の程度がほぼ同
じで、ほぼ均一な発光色を得ることが可能となるという
ものである。
【００２２】さらに、請求項４に記載の発明では、請求
項３に記載の発光素子において、ＬＥＤ周囲に一次成型
される透光性樹脂がドーム状に形成され、そのドーム状
に形成された透光性樹脂の周囲に蛍光材料を含有する樹
脂が形成されて構成されることとしている。
【００２３】請求項４に記載の発明によれば、ＬＥＤ周
囲に一次成型される透光性樹脂をドーム状に形成いるの
で、その形状によるレンズ効果を得ることができ、光の
利用効率を向上させることができる。なお、ＬＥＤ周囲
に封入され硬化される透光性樹脂をドーム状に形成する
には、トランスファーモールド成型法により、容易に形
成することができる。
【００２４】また、請求項５に記載の発明では、請求項
３に記載の発光素子において、ＬＥＤチップ周囲に一次
成型される透光性樹脂の上面が凹形状に形成され、その
透光性樹脂の上面の凹形状の部分に、蛍光材料を含有す
る樹脂が滴下され硬化されて構成されることとしてい
る。
【００２５】請求項５に記載の発明によれば、ＬＥＤチ
ップ周囲に一次成型される透光性樹脂の上面に凹形状を
形成し、その透光性樹脂の上面の凹形状の部分に、蛍光
材料を含有する樹脂を滴下、硬化して構成しているの
で、透光性樹脂上面の凹形状の部分に、蛍光材料を含有
する樹脂を滴下するようにしているので、トランスファ
ーモールド成型法を用いなくとも形成可能であり他の製
造プロセスを採用することができ、また、蛍光材料を含
有する樹脂として、比較的粘性の低いものも用いること
ができ、樹脂材料選定の幅を広げることができ、様々な
樹脂材料が使用可能となる。
【００２６】また、請求項６に記載の発明では、請求項
３に記載の発光素子において、蛍光材料を含有する樹脂
がシート状に形成され、そのシート状蛍光材料含有樹脂
がＬＥＤチップ周囲に一次成型される透光性樹脂の上面
に接着されて構成されることとしている。
【００２７】請求項６に記載の発明によれば、蛍光材料
を含有する樹脂をシート状に形成し、そのシート状蛍光
材料含有樹脂をＬＥＤチップ周囲に一次成型される透光
性樹脂の上面に接着して構成しているので、均一に蛍光
材料が分布したシート状樹脂を予め作製しておくことに
より、より蛍光材料による波長変換効果を高効率に得る
ことができる。
【００２８】また、請求項７に記載の発明では、ＬＥＤ
チップにリードフレームが配線されて成り、ＬＥＤチッ
プの発光波長を蛍光材料により変換するリードフレーム
型の発光素子において、蛍光材料を含有する樹脂により
ＬＥＤチップを収納可能な成型体が形成され、その成形
体内部にリードフレームに実装されたＬＥＤチップが収
納され、成形体内部の間隙に透光性樹脂が注入されて硬
化されて構成されることとしている。
【００２９】請求項７に記載の発明によれば、リードフ
レーム型の発光素子において、蛍光材料を含有する樹脂
によりＬＥＤチップを収納可能な成型体を形成し、その
成形体内部にリードフレームに実装されたＬＥＤチップ
を収納して、成形体内部の間隙に透光性樹脂を注入、硬
化して構成しているので、均一に蛍光材料が分布した成
型体を予め作製しておくことにより、その成形体と後に
注入、硬化させる透光性樹脂との間に空気層を形成する
ことなく、発光素子の発光色の色むらを防止すると共
に、蛍光材料による波長変換の効率を向上させることが
可能な発光素子を容易に作製することができる。なお、
この発光素子の発光色の色むら防止は、ＬＥＤチップの
発光面側に、ほぼ均一の厚みの蛍光材料を含有する層を
形成できるので、ＬＥＤチップから発せられた光がその
蛍光材料含有層を通過するとき、蛍光材料含有層のどの
通過箇所でもほぼ同じ距離（ほぼ蛍光材料含有層の厚さ
に相当）だけ通過することになり、蛍光材料含有層にお
ける色変換の程度がほぼ同じで、ほぼ均一な発光色を得
ることが可能となるというものである。
【００３０】したがって、上記の特開平１０−２００１
６５号公報に記載の従来のもののように、蛍光カバー１
１３と樹脂封止体１１２との間に透光性の接着剤を充填
するような必要がなくなり、接着剤の原材料費コストの
低減ばかりでなく、製造プロセスの簡略化により、高品
質でコストの低減をできる発光素子を実現することがで
きる。また、上記の特開平１０−２００１６５号公報に
記載の従来のもののように、蛍光材料を含有させた樹脂
材料を樹脂封止体１１２に噴霧又は塗布して硬化させて
蛍光カバー１１３を形成することもないので、それの形
成時の蛍光材料の分布むらを生じず、かつ蛍光材料を多
量に必要せず、低コストかつ高品質の発光素子を実現で
きる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。第１の実施形態につい
て、要部断面図である図１を用いて説明する。
【００３２】第１の実施形態の発光素子は、図１に示す
ように、配線部６が形成された基板部５と、基板部５上
で金属細線７により配線されるＬＥＤチップ１と、ＬＥ
Ｄチップ１の周囲を囲み基板部５と共に凹部を形成する
と共にＬＥＤチップ１の上方向への光出力を増大させる
ために光反射性樹脂から成る光反射部４と、ＬＥＤチッ
プ１周囲に封入され硬化させて成る透光性樹脂２と、透
光性樹脂２の硬化後その透光性樹脂２に封入され硬化さ
れて成り蛍光材料を含有する樹脂３とから構成されるも
のである。なお、本実施形態の発光素子は、配線部６が
図１に示すような立体配線と成っており、面実装型、即
ちチップ型部品タイプの発光素子として構成されている
ものである。
【００３３】本実施形態の発光素子の製造は、配線部６
が形成された基板部５上に、ＬＥＤチップ１搭載部の周
囲を囲むように光反射部４が形成されたものを作製す
る。そして、その基板部５と光反射部４とにより形成さ
れる凹部底面にＬＥＤチップ１を配置し、配線部６に金
属細線７を用いて配線を施し、ＬＥＤチップ１の搭載を
行う。次に、基板部５と光反射部４とにより形成される
凹部内部のＬＥＤチップ１周囲に、エポキシ系樹脂やシ
リコン系樹脂等の透光性樹脂２を封入し、硬化させる。
その後、硬化した透光性樹脂２上面全体を覆うように、
蛍光材料含有樹脂３を均一になるように封入し、硬化さ
せる。
【００３４】なお、蛍光材料含有樹脂３に用いる樹脂材
料としては、透光性樹脂２と同様のエポキシ系樹脂やシ
リコン系樹脂等の透光性樹脂材料を用いることができ
る。また、透光性樹脂２の硬化後、凹部を形成する光反
射部４の上面が、透光性樹脂２の上面より高くなるよう
にしておけば、光反射部４により樹脂材料のもれを防止
することができるので、蛍光材料含有樹脂３に粘性の低
い樹脂材料を用いることができ、様々な材料を選択でき
ると共に、粘性の低い樹脂材料を滴下するなどして封入
でき、設計の自由度が向上すると共に製造プロセスにお
いても有効なものである。
【００３５】以上のようにして、図１に示すような本実
施形態の発光素子を容易に作製することができる。
【００３６】本実施形態によれば、面実装型の発光素子
において、ＬＥＤチップ１周囲に透光性樹脂２を封入、
硬化後、その硬化された透光性樹脂１上に蛍光材料含有
樹脂３を封入、硬化して構成しているので、ＬＥＤチッ
プ１の発光強度が強い上面方向でほぼ均一に蛍光材料を
分布させることができ、発光素子の発光色の色むらを防
止すると共に、蛍光材料による波長変換の効率を向上さ
せることが可能となる。
【００３７】なお、この発光素子の発光色の色むらを防
止は、ＬＥＤチップ１から放出される光が、どの角度又
はどの方向においても、波長変換材料（蛍光材料）中を
ほぼ同じ距離通過することになるので、変換される色合
いがほぼ同じものとなり、色むらを生じないというもの
である。
【００３８】さらに、ＬＥＤチップ１の周囲で凹部を形
成する部分として、光反射性樹脂から成り、形状が上方
に開口部が広がるような光反射部４を採用しているの
で、より光出力を増大させることができ、ＬＥＤチップ
１からの発光をより高効率に利用することができる。
【００３９】また、ＬＥＤチップ１から蛍光材料含有樹
脂３までの距離をほぼ均一にできるので、発光素子を多
数配列させるようなアレイ状のものでも、各素子間での
発色のばらつきを防止することができる。
【００４０】第２の実施形態について、要部断面図であ
る図２を用いて説明する。
【００４１】第２の実施形態の発光素子において、上記
第１の実施形態と異なる点は、ＬＥＤチップ１周囲に封
入され硬化させて成る透光性樹脂２’をドーム状に形成
し、蛍光材料含有樹脂３’の形状もそれに対応して変化
していることであり、その他については上記第１の実施
形態とほぼ同様のものである。
【００４２】本実施形態の発光素子の製造は、上記第１
の実施形態と同様にして、ＬＥＤチップ１の搭載を行っ
た後、基板部５と光反射部４とにより形成される凹部内
部のＬＥＤチップ１周囲に、チクソトロピー（揺変性）
を示す樹脂材料から成る透光性樹脂２’をドーム形状に
なるように滴下し、その形状が保持される時間内に硬化
させる。その後、硬化した透光性樹脂２’上面全体を覆
うように、蛍光材料含有樹脂３’を封入し、硬化させ
る。
【００４３】なお、蛍光材料含有樹脂３’に用いる樹脂
材料としては、上記第１の実施形態と同様、エポキシ系
樹脂やシリコン系樹脂等の透光性樹脂材料を用いること
ができる。また、透光性樹脂２’の硬化後、凹部を形成
する光反射部４の上面が、透光性樹脂２’のドーム形状
頂点部分より高くなるようにしておけば、光反射部４に
より樹脂材料のもれを防止することができるので、蛍光
材料含有樹脂３’に粘性の低い樹脂材料を用いることが
でき、様々な材料を選択できると共に、粘性の低い樹脂
材料を滴下するなどして封入でき、設計の自由度が向上
すると共に製造プロセスにおいても有効なものである。
【００４４】また、透光性樹脂２’に用いるチクソトロ
ピー（揺変性）を示す樹脂材料として、例えば、シリコ
ン系樹脂やエポキシ系樹脂等の透光性樹脂材料で、チク
ソトロピーを示すものであれば使用することができる。
【００４５】以上のようにして、図２に示すような本実
施形態の発光素子を容易に作製することができる。
【００４６】本実施形態によれば、ＬＥＤチップ１周囲
に封入され硬化される透光性樹脂２’をドーム状に形成
しているので、その形状によるレンズ効果を得ることが
でき、光の利用効率をより向上させることができる。な
お、ＬＥＤチップ１周囲に封入され硬化される透光性樹
脂２’して、チクソトロピー（揺変性）を示す樹脂材料
を用いているので、容易にドーム状に形成することがで
きる。
【００４７】また、上記第１の実施形態と同様に、発光
素子の発光色の色むらを防止すると共に、蛍光材料によ
る波長変換の効率を向上させることが可能となる。な
お、この発光素子の発光色の色むらを防止は、上記第１
の実施形態と同様、ＬＥＤチップ１から放出される光
が、どの角度又はどの方向においても、波長変換材料
（蛍光材料）中をほぼ同じ距離通過することになるの
で、変換される色合いがほぼ同じものとなり、色むらを
生じないというものである。
【００４８】第３の実施形態について、要部断面図であ
る図３を用いて説明する。
【００４９】第３の実施形態の発光素子は、図３に示す
ように、プリント配線基板等の基板１５と、基板１５上
で金属細線７により配線されるＬＥＤチップ１と、ＬＥ
Ｄチップ１の周囲に一次成型されて成る透光性樹脂１２
と、一次成型された透光性樹脂１２上に形成されて成り
蛍光材料を含有する樹脂１３とから構成されるものであ
る。なお、本実施形態の発光素子は、図４に示すよう
に、基板１５の配線部（図示なし）にＬＥＤチップ１が
配線されて成っており、面実装型、即ちチップ型部品タ
イプの発光素子として構成されているものである。
【００５０】本実施形態の発光素子の製造は、基板部１
５上にＬＥＤチップ１を配置し、金属細線７を用いて配
線を施し、ＬＥＤチップ１の搭載を行う。次に、基板１
５上のＬＥＤチップ１周囲に、エポキシ系樹脂やシリコ
ン系樹脂等の透光性樹脂１２をトランスファーモールド
成型法によりドーム状になるように形成する。その後、
透光性樹脂１２の周囲の露出部全面を覆うように、蛍光
材料含有樹脂１３をトランスファーモールド成型法によ
り形成する。
【００５１】なお、蛍光材料含有樹脂１３に用いる樹脂
材料としては、透光性樹脂１２と同様のエポキシ系樹脂
やシリコン系樹脂等の透光性樹脂材料を用いることがで
きる。以上のようにして、図３に示すような本実施形態
の発光素子を容易に作製することができる。
【００５２】本実施形態によれば、面実装型の発光素子
において、ＬＥＤチップ１周囲に透光性樹脂１２を一次
成型した後、その一次成型された透光性樹脂１２上に蛍
光材料含有樹脂１３を形成して構成しているので、ＬＥ
Ｄチップ１の発光強度が強い上面方向でほぼ均一に蛍光
材料を分布させることができ、発光素子の発光色の色む
らを防止すると共に、蛍光材料による波長変換の効率を
向上させることが可能となる。
【００５３】なお、この発光素子の発光色の色むらを防
止は、ＬＥＤチップ１から放出される光が、どの角度又
はどの方向においても、波長変換材料（蛍光材料）中を
ほぼ同じ距離通過することになるので、変換される色合
いがほぼ同じものとなり、色むらを生じないというもの
である。
【００５４】さらに、ＬＥＤチップ１から蛍光材料含有
樹脂１３までの距離をほぼ均一にできるので、発光素子
を多数配列させるようなアレイ状のものでも、各素子間
での発色のばらつきを防止することができる。
【００５５】第４の実施形態について、要部断面図であ
る図４を用いて説明する。
【００５６】第４の実施形態の発光素子において、上記
第３の実施形態と異なる点は、ＬＥＤチップ１の周囲に
一次成型されて成る透光性樹脂１２’を、その上面が凹
形状となるように形成し、蛍光材料含有樹脂１３’の形
状がその透光性樹脂１２’の上面が凹形状を埋めるよう
な形状に形成されていることであり、その他については
上記第３の実施形態とほぼ同様のものである。
【００５７】本実施形態の発光素子の製造は、上記第３
の実施形態と同様にして、ＬＥＤチップ１の搭載を行っ
た後、エポキシ系樹脂やシリコン系樹脂等の透光性樹脂
１２’をトランスファーモールド成型法により、上面に
凹形状を有するように形成する。その後、透光性樹脂１
２上面の凹形状部分に、蛍光材料含有樹脂１３を滴下し
て硬化する。
【００５８】なお、蛍光材料含有樹脂１３’に用いる樹
脂材料としては、透光性樹脂１２’と同様のエポキシ系
樹脂やシリコン系樹脂等の透光性樹脂材料を用いること
ができる。以上のようにして、図４に示すような本実施
形態の発光素子を容易に作製することができる。
【００５９】本実施形態によれば、ＬＥＤチップ１周囲
に一次成型される透光性樹脂１２’の上面に凹形状を形
成し、その透光性樹脂１２’の上面の凹形状の部分に、
蛍光材料含有樹脂１３’を滴下、硬化して構成している
ので、透光性樹脂上面の凹形状の部分に、蛍光材料を含
有する樹脂を滴下するようにしているので、トランスフ
ァーモールド成型法を用いなくとも形成可能であり他の
製造プロセスを採用することができ、また、蛍光材料を
含有する樹脂として、比較的粘性の低いものも用いるこ
とができ、樹脂材料選定の幅を広げることができ、様々
な樹脂材料が使用可能となる。
【００６０】また、上記第３の実施形態と同様に、発光
素子の発光色の色むらを防止すると共に、蛍光材料によ
る波長変換の効率を向上させることが可能となる。
【００６１】なお、この発光素子の発光色の色むらを防
止は、上記第３の実施形態と同様、ＬＥＤチップ１から
放出される光が、どの角度又はどの方向においても、波
長変換材料（蛍光材料）中をほぼ同じ距離通過すること
になるので、変換される色合いがほぼ同じものとなり、
色むらを生じないというものである。
【００６２】第５の実施形態について、要部断面図であ
る図５を用いて説明する。
【００６３】第５の実施形態の発光素子において、上記
第３の実施形態と異なる点は、ＬＥＤチップ１の周囲に
一次成型されて成る透光性樹脂１２''を、その上面がほ
ぼ平面状となるように形成し、その上面に、シート状に
形成された蛍光材料含有樹脂１３''を透光性接着剤等に
より接着して形成していることであり、その他について
は上記第３の実施形態とほぼ同様のものである。
【００６４】本実施形態の発光素子の製造は、上記第３
の実施形態と同様にして、ＬＥＤチップ１の搭載を行っ
た後、エポキシ系樹脂やシリコン系樹脂等の透光性樹脂
１２''をトランスファーモールド成型法により、上面が
ほぼ平面状になるように形成する。そして、予めシート
状に形成した蛍光材料含有樹脂１３''を、透光性樹脂１
２''の上面に、透光性接着剤等により接着する。
【００６５】なお、蛍光材料含有樹脂１３''に用いる樹
脂材料としては、透光性樹脂１２''と同様のエポキシ系
樹脂やシリコン系樹脂等の透光性樹脂材料を用いること
ができる。以上のようにして、図５に示すような本実施
形態の発光素子を容易に作製することができる。
【００６６】本実施形態によれば、蛍光材料含有樹脂１
３''をシート状に形成し、そのシート状蛍光材料含有樹
脂１３''をＬＥＤチップ１周囲に一次成型された透光性
樹脂１２''の上面に接着して構成しているので、均一に
蛍光材料が分布したシート状樹脂１３''を予め作製して
おくことにより、より蛍光材料による波長変換効果を高
効率に得ることができる。
【００６７】また、上記第３の実施形態と同様に、発光
素子の発光色の色むらを防止すると共に、蛍光材料によ
る波長変換の効率を向上させることが可能となる。な
お、この発光素子の発光色の色むらを防止は、上記第３
の実施形態と同様、ＬＥＤチップ１から放出される光
が、どの角度又はどの方向においても、波長変換材料
（蛍光材料）中をほぼ同じ距離通過することになるの
で、変換される色合いがほぼ同じものとなり、色むらを
生じないというものである。
【００６８】第６の実施形態について、要部断面図であ
る図６を用いて説明する。
【００６９】第６の実施形態の発光素子は、図６に示す
ように、蛍光材料を含有する樹脂から成る成型体２３
と、リードフレーム８と、リードフレーム８に配線実装
させるＬＥＤチップ１と、リードフレーム８に実装され
たＬＥＤチップ１が蛍光材料含有成型体２３内部に収納
された状態で注入され硬化されて成る透光性樹脂２２と
から構成されるものである。なお、本実施形態の発光素
子は、図６に示すように、ＬＥＤチップ１がリードフレ
ーム８に実装され、そのリードフレーム８のリード部が
外部に引き出されたようなリードフレーム型の発光素子
として構成されているものである。
【００７０】本実施形態の発光素子の製造は、リードフ
レーム８のＬＥＤチップ１搭載部にＬＥＤチップ１を配
置して、金属細線７を用いてリードフレーム８に配線を
施し、ＬＥＤチップ１の実装を行う。また、蛍光材料を
含有する樹脂を用いて、インジェクション成型法によ
り、ドーム状で内部が空洞状の蛍光材料含有成型体２３
を形成する。次に、リードフレーム８に実装されたＬＥ
Ｄチップ１が蛍光材料含有成型体２３の空胴内部に収納
されるような状態に保持し、その内部にエポキシ系樹脂
やシリコン系樹脂等の透光性樹脂２２を注入し、硬化さ
せる。
【００７１】なお、蛍光材料含有成型体２３に用いる樹
脂材料としては、透光性樹脂２２と同様のエポキシ系樹
脂やシリコン系樹脂等の透光性樹脂材料を用いることが
できる。以上のようにして、図６に示すような本実施形
態の発光素子を容易に作製することができる。
【００７２】本実施形態によれば、リードフレーム型の
発光素子において、蛍光材料含有成型体２３を形成し、
その成形体２３内部にリードフレームに実装されたＬＥ
Ｄチップ１を収納して、成形体２３内部の間隙に透光性
樹脂２２を注入、硬化して構成しているので、均一に蛍
光材料が分布した成型体２３を予め作製しておくことに
より、その成形体２３と後に注入、硬化させる透光性樹
脂２２との間に空気層を形成することなく、発光素子の
発光色の色むらを防止すると共に、蛍光材料による波長
変換の効率を向上させることが可能な発光素子を容易に
作製することができる。
【００７３】なお、この発光素子の発光色の色むらを防
止は、ＬＥＤチップ１から放出される光が、どの角度又
はどの方向においても、波長変換材料（蛍光材料）中を
ほぼ同じ距離通過することになるので、変換される色合
いがほぼ同じものとなり、色むらを生じないというもの
である。
【００７４】また、本実施形態では、図６に示すような
レンズ部を有するドーム状としているので、その形状に
よるレンズ効果を得ることができ、光の利用効率をより
向上させることができる。
【００７５】なお、いずれの実施形態においても、ＬＥ
Ｄチップ１の発光部が上面方向になるように配置したも
のである（但し、第６の実施形態においては、図７の図
面下方向）。
【００７６】上記のいずれの実施形態についても、ＬＥ
Ｄチップ１として青色発光のものを用い、蛍光材料とし
て青色を黄色に波長変換するものを用いて構成した結
果、色むらのない良好な白色発光を得ることができた。
【００７７】また、第１の実施形態（図１）又は第２の
実施形態（図２）のものでは、透光性樹脂２又は透光性
樹脂２’の硬化後に、ＬＥＤチップ１の発光波長を測定
し、その波長に応じて、蛍光材料含有樹脂３又は蛍光材
料含有樹脂３’の蛍光材料の含有量を調整することによ
り、より安定した波長の発光を得ることができ、本実施
形態の場合、良好でばらつきのない白色光を得ることが
できた。
【００７８】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、面実装型の発光素子において、ＬＥＤチップ周
囲に透光性樹脂を封入、硬化後、その硬化された透光性
樹脂上に蛍光材料を含有する樹脂を封入、硬化して構成
しているので、ＬＥＤチップの発光強度が強い上面方向
でほぼ均一に蛍光材料を分布させることができ、発光素
子の発光色の色むらを防止すると共に、蛍光材料による
波長変換の効率を向上させることが可能となる。したが
って、高価な蛍光材料の使用量の低減が図れ、低コスト
の発光素子を実現することができる。
【００７９】さらに、請求項２に記載の発明によれば、
ＬＥＤチップ周囲に封入され硬化される透光性樹脂をド
ーム状に形成しているので、その形状によるレンズ効果
を得ることができ、光の利用効率を向上させることがで
きる。
【００８０】また、請求項３に記載の発明によれば、面
実装型の発光素子において、ＬＥＤチップ周囲に透光性
樹脂を一次成型した後、その一次成型された透光性樹脂
上に蛍光材料を含有する樹脂を形成して構成しているの
で、ＬＥＤチップの発光強度が強い上面方向でほぼ均一
に蛍光材料を分布させることができ、発光素子の発光色
の色むらを防止すると共に、蛍光材料による波長変換の
効率を向上させることが可能となる。したがって、高価
な蛍光材料の使用量の低減が図れ、低コストの発光素子
を実現することができる。
【００８１】さらに、請求項４に記載の発明によれば、
ＬＥＤ周囲に一次成型される透光性樹脂をドーム状に形
成いるので、その形状によるレンズ効果を得ることがで
き、光の利用効率を向上させることができる。
【００８２】また、請求項５に記載の発明によれば、Ｌ
ＥＤチップ周囲に一次成型される透光性樹脂の上面に凹
形状を形成し、その透光性樹脂の上面の凹形状の部分
に、蛍光材料を含有する樹脂を滴下、硬化して構成して
いるので、透光性樹脂上面の凹形状の部分に、蛍光材料
を含有する樹脂を滴下するようにしているので、トラン
スファーモールド成型法を用いなくとも形成可能であり
他の製造プロセスを採用することができ、また、蛍光材
料を含有する樹脂として、比較的粘性の低いものも用い
ることができ、樹脂材料選定の幅を広げることができ、
様々な樹脂材料が使用可能となる。
【００８３】また、請求項６に記載の発明によれば、蛍
光材料を含有する樹脂をシート状に形成し、そのシート
状蛍光材料含有樹脂をＬＥＤチップ周囲に一次成型され
る透光性樹脂の上面に接着して構成しているので、均一
に蛍光材料が分布したシート状樹脂を予め作製しておく
ことにより、より蛍光材料による波長変換効果を高効率
に得ることができる。
【００８４】また、請求項７に記載の発明によれば、リ
ードフレーム型の発光素子において、蛍光材料を含有す
る樹脂によりＬＥＤチップを収納可能な成型体を形成
し、その成形体内部にリードフレームに実装されたＬＥ
Ｄチップを収納して、成形体内部の間隙に透光性樹脂を
注入、硬化して構成しているので、均一に蛍光材料が分
布した成型体を予め作製しておくことにより、その成形
体と後に注入、硬化させる透光性樹脂との間に空気層を
形成することなく、発光素子の発光色の色むらを防止す
ると共に、蛍光材料による波長変換の効率を向上させる
ことが可能な発光素子を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の発光素子の概略構造
を示す要部断面図である。
【図２】第２の実施形態の発光素子の概略構造を示す要
部断面図である。
【図３】第３の実施形態の発光素子の概略構造を示す要
部断面図である。
【図４】第４の実施形態の発光素子の概略構造を示す要
部断面図である。
【図５】第５の実施形態の発光素子の概略構造を示す要
部断面図である。
【図６】第６の実施形態の発光素子の概略構造を示す要
部断面図である。
【図７】従来の発光素子の概略構造を示す要部断面図で
ある。
【図８】従来の発光素子の概略構造を示す要部断面図で
ある。
【符号の説明】
１ ＬＥＤチップ ２，２’，１２，１２’，１２''，２２ 透光性樹脂 ３，３’，１３，１３’，１３''，２３ 蛍光材料含有
樹脂 ４ 光反射部 ５ 基板部 ６ 配線部 ７ 金属細線 ８ リードフレーム １５ 基板 ２３ 蛍光材料含有成型体

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＬＥＤチップが凹部に収納されて成り、
    ＬＥＤチップの発光波長を蛍光材料により変換する面実
    装型の発光素子において、 ＬＥＤチップ周囲に透光性樹脂が封入され硬化された
    後、該硬化された透光性樹脂上に蛍光材料を含有する樹
    脂が封入され硬化されて構成されることを特徴とする発
    光素子。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の発光素子において、 前記ＬＥＤ周囲に封入され硬化される透光性樹脂がドー
    ム状に形成され、該ドーム状に形成された透光性樹脂の
    周囲に前記蛍光材料を含有する樹脂が封入され硬化され
    て構成されることを特徴とする発光素子。
  3. 【請求項３】 基板上にＬＥＤチップが配置されて成
    り、ＬＥＤチップの発光波長を蛍光材料により変換する
    面実装型の発光素子において、 ＬＥＤチップ周囲に透光性樹脂が一次成型された後、該
    一次成型された透光性樹脂上に蛍光材料を含有する樹脂
    が形成されて構成されることを特徴とする発光素子。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の発光素子において、 前記ＬＥＤチップ周囲に一次成型される透光性樹脂がド
    ーム状に形成され、該ドーム状に形成された透光性樹脂
    の周囲に前記蛍光材料を含有する樹脂が形成されて構成
    されることを特徴とする発光素子。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載の発光素子において、 前記ＬＥＤチップ周囲に一次成型される透光性樹脂の上
    面が凹形状に形成され、該透光性樹脂の上面の凹形状の
    部分に、前記蛍光材料を含有する樹脂が滴下され硬化さ
    れて構成されることを特徴とする発光素子。
  6. 【請求項６】 請求項３に記載の発光素子において、 前記蛍光材料を含有する樹脂がシート状に形成され、該
    シート状蛍光材料含有樹脂が前記ＬＥＤチップ周囲に一
    次成型される透光性樹脂の上面に接着されて構成されこ
    とを特徴とする発光素子。
  7. 【請求項７】 ＬＥＤチップにリードフレームが配線さ
    れて成り、ＬＥＤチップの発光波長を蛍光材料により変
    換するリードフレーム型の発光素子において、 蛍光材料を含有する樹脂によりＬＥＤチップを収納可能
    な成型体が形成され、該成形体内部にリードフレームに
    実装されたＬＥＤチップが収納され、前記成形体内部の
    間隙に透光性樹脂が注入されて硬化されて構成されるこ
    とを特徴とする発光素子。
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Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358370A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料と半導体発光装置及びその製造方法
JP2002185046A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
JP2002241586A (ja) * 2001-02-19 2002-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法
JP2002252376A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2004095969A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Stanley Electric Co Ltd 波長変換素子
JP2005039104A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2005268431A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2005268323A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光装置
JP2006013426A (ja) * 2004-01-28 2006-01-12 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
US7026661B2 (en) 2001-06-11 2006-04-11 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
WO2006067885A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Kyocera Corporation 発光装置および照明装置
JP2006237264A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2006270120A (ja) * 2003-12-19 2006-10-05 Kyocera Corp 発光ダイオード装置
JP2006295230A (ja) * 2004-01-28 2006-10-26 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006303140A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法
EP1737050A1 (en) * 2004-03-24 2006-12-27 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illuminating device
KR100721962B1 (ko) * 2005-09-21 2007-05-25 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2007142413A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ｌｅｄパッケージ
JP2007180069A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp レンズ付発光ダイオード装置及びレンズ付発光ダイオード製造方法
KR100748707B1 (ko) * 2005-09-16 2007-08-13 서울반도체 주식회사 발광 소자의 제조 방법
JP2007220737A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
JP2007531317A (ja) * 2004-03-31 2007-11-01 クリー　インコーポレイテッド 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法
JP2007300069A (ja) * 2006-04-04 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
JPWO2005091386A1 (ja) * 2004-03-24 2008-02-07 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP2008034536A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2008187212A (ja) * 2008-05-07 2008-08-14 Sharp Corp 面実装型発光素子
JP2008227042A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源装置
EP1993151A2 (en) * 2007-05-18 2008-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and method of manufacturing the same
EP2312625A2 (en) 2009-10-07 2011-04-20 Nitto Denko Corporation Optical-semiconductor encapsulating material
EP2317547A1 (en) 2009-10-07 2011-05-04 Nitto Denko Corporation Kit for optical semiconductor encapsulation
JP2011258658A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2012049508A (ja) * 2010-07-27 2012-03-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法
JP2012114149A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Nitto Denko Corp 封止成型方法
WO2012081411A1 (ja) * 2010-12-13 2012-06-21 東レ株式会社 蛍光体シート、これを用いたｌｅｄおよび発光装置ならびにｌｅｄの製造方法
WO2012169289A1 (ja) 2011-06-07 2012-12-13 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法
KR101309758B1 (ko) * 2006-12-28 2013-09-23 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 램프 및 그것을 제조하는 방법
JPWO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2014-06-30 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JP2014160811A (ja) * 2013-01-22 2014-09-04 Kyocera Corp 発光装置
TWI483435B (zh) * 2010-11-29 2015-05-01 Epistar Corp 發光裝置
KR20150065504A (ko) * 2013-12-05 2015-06-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9193833B2 (en) 2010-02-19 2015-11-24 Toray Industries, Inc. Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, LED package, light-emitting device, and process for production of LED-mounted substrate
JP2016106431A (ja) * 2011-11-17 2016-06-16 ルーメンス カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2018032692A (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
JP2020074490A (ja) * 2014-05-21 2020-05-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2022176574A1 (ja) * 2021-02-16 2022-08-25 スタンレー電気株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、光源装置及び灯具

Cited By (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358370A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料と半導体発光装置及びその製造方法
JP2002185046A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
US6869813B2 (en) 2000-12-19 2005-03-22 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and process of manufacturing the same
JP2002241586A (ja) * 2001-02-19 2002-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法
JP2002252376A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4673986B2 (ja) * 2001-02-23 2011-04-20 星和電機株式会社 表面実装方発光ダイオードの製造方法
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
US7026661B2 (en) 2001-06-11 2006-04-11 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004095969A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Stanley Electric Co Ltd 波長変換素子
JP2005039104A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP4606000B2 (ja) * 2003-07-17 2011-01-05 三洋電機株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006270120A (ja) * 2003-12-19 2006-10-05 Kyocera Corp 発光ダイオード装置
JP2006013426A (ja) * 2004-01-28 2006-01-12 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006295230A (ja) * 2004-01-28 2006-10-26 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2005268323A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光装置
JP4543712B2 (ja) * 2004-03-17 2010-09-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2005268431A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JPWO2005091386A1 (ja) * 2004-03-24 2008-02-07 東芝ライテック株式会社 照明装置
EP1737050A1 (en) * 2004-03-24 2006-12-27 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illuminating device
JPWO2005091387A1 (ja) * 2004-03-24 2008-02-07 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
JP5083503B2 (ja) * 2004-03-24 2012-11-28 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
EP1737050A4 (en) * 2004-03-24 2014-03-12 Toshiba Lighting & Technology LIGHT SOURCE AND LIGHTING DEVICE
US20120037931A1 (en) * 2004-03-31 2012-02-16 Michael Leung Semiconductor light emitting devices including an optically transmissive element and methods for packaging the same
US8039859B2 (en) 2004-03-31 2011-10-18 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including an optically transmissive element
JP2007531317A (ja) * 2004-03-31 2007-11-01 クリー　インコーポレイテッド 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法
TWI413272B (zh) * 2004-03-31 2013-10-21 Cree Inc 包含一發光轉換元件之半導體發光裝置及其封裝方法
WO2006067885A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Kyocera Corporation 発光装置および照明装置
US8106584B2 (en) 2004-12-24 2012-01-31 Kyocera Corporation Light emitting device and illumination apparatus
JP2006237264A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
US8029152B2 (en) 2005-03-24 2011-10-04 Kyocera Corporation Package for light-emitting device, light-emitting apparatus, and illuminating apparatus
WO2006101174A1 (ja) * 2005-03-24 2006-09-28 Kyocera Corporation 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2006303140A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法
KR100748707B1 (ko) * 2005-09-16 2007-08-13 서울반도체 주식회사 발광 소자의 제조 방법
KR100721962B1 (ko) * 2005-09-21 2007-05-25 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2007142413A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ｌｅｄパッケージ
JP2007180069A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp レンズ付発光ダイオード装置及びレンズ付発光ダイオード製造方法
JP2007220737A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
JP2007300069A (ja) * 2006-04-04 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
JP2008034536A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101309758B1 (ko) * 2006-12-28 2013-09-23 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 램프 및 그것을 제조하는 방법
JP2008227042A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光源装置
JP2008288409A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Toshiba Corp 発光装置およびその製造方法
EP1993151A2 (en) * 2007-05-18 2008-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and method of manufacturing the same
US8419497B2 (en) 2007-05-18 2013-04-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2008187212A (ja) * 2008-05-07 2008-08-14 Sharp Corp 面実装型発光素子
EP2312625A2 (en) 2009-10-07 2011-04-20 Nitto Denko Corporation Optical-semiconductor encapsulating material
EP2317547A1 (en) 2009-10-07 2011-05-04 Nitto Denko Corporation Kit for optical semiconductor encapsulation
US9193833B2 (en) 2010-02-19 2015-11-24 Toray Industries, Inc. Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, LED package, light-emitting device, and process for production of LED-mounted substrate
US9246065B2 (en) 2010-06-07 2016-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP2011258658A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2012049508A (ja) * 2010-07-27 2012-03-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法
JP2012114149A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Nitto Denko Corp 封止成型方法
TWI483435B (zh) * 2010-11-29 2015-05-01 Epistar Corp 發光裝置
US9117979B2 (en) 2010-12-13 2015-08-25 Toray Industries, Inc. Phosphor sheet, LED and light emitting device using the same and method for manufacturing LED
JP5953750B2 (ja) * 2010-12-13 2016-07-20 東レ株式会社 蛍光体シート、これを用いたｌｅｄおよび発光装置ならびにｌｅｄの製造方法
WO2012081411A1 (ja) * 2010-12-13 2012-06-21 東レ株式会社 蛍光体シート、これを用いたｌｅｄおよび発光装置ならびにｌｅｄの製造方法
KR20130143059A (ko) 2010-12-13 2013-12-30 도레이 카부시키가이샤 형광체 시트, 이것을 사용한 ｌｅｄ 및 발광 장치, 그리고 ｌｅｄ의 제조 방법
CN103237846A (zh) * 2010-12-13 2013-08-07 东丽株式会社 荧光体片材、使用了其的led及发光装置以及led的制造方法
JP5814947B2 (ja) * 2011-01-20 2015-11-17 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
US9144118B2 (en) 2011-01-20 2015-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, lighting device, display device, and method for manufacturing light-emitting device
JPWO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2014-06-30 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
KR101330592B1 (ko) * 2011-06-07 2013-11-18 도레이 카부시키가이샤 수지 시트 적층체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 ｌｅｄ칩의 제조 방법
JP5110229B1 (ja) * 2011-06-07 2012-12-26 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法
WO2012169289A1 (ja) 2011-06-07 2012-12-13 東レ株式会社 樹脂シート積層体、その製造方法およびそれを用いた蛍光体含有樹脂シート付きｌｅｄチップの製造方法
JP2016106431A (ja) * 2011-11-17 2016-06-16 ルーメンス カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
CN108565329A (zh) * 2011-11-17 2018-09-21 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
USRE47444E1 (en) 2011-11-17 2019-06-18 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit comprising the same
JP2014160811A (ja) * 2013-01-22 2014-09-04 Kyocera Corp 発光装置
KR20150065504A (ko) * 2013-12-05 2015-06-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102119762B1 (ko) 2013-12-05 2020-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2020074490A (ja) * 2014-05-21 2020-05-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018032692A (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
WO2022176574A1 (ja) * 2021-02-16 2022-08-25 スタンレー電気株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、光源装置及び灯具

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