KR101330592B1 - 수지 시트 적층체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 ｌｅｄ칩의 제조 방법 - Google Patents

수지 시트 적층체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 ｌｅｄ칩의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

LED칩에 형광체 함유 수지 시트를 부착해서 얻어지는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩의 색이나 휘도의 균일성, 또한 그것의 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 향상시키기 위해서 기재 상에 형광체 함유 수지 시트가 설치된 수지 시트 적층체로 하고, 상기 형광체 함유 수지 시트가 복수의 구획으로 분할되어 있는 수지 시트 적층체로 한다.

Description

수지 시트 적층체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 ＬＥＤ칩의 제조 방법{RESIN SHEET LAMINATED BODY, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING LED CHIP WITH PHOSPHOR-CONTAINING RESIN SHEET USING SAME}
본 발명은 형광체를 함유하는 수지 시트가 기재 상에 설치된 수지 시트 적층체에 관한 것이다. 보다 상세하게는 LED칩의 발광 파장을 변환하기 위한 시트 형상의 형광 재료를 기판 상에 다수 배열한 수지 시트 적층체에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 그 발광 효율의 놀라운 향상을 배경으로 하여 낮은 소비 전력, 고수명, 의장성 등을 장점으로 해서 액정 디스플레이(LCD)의 백라이트용이나, 차의 헤드라이트 등의 차량 탑재 분야뿐만 아니라 일반 조명용으로도 급격하게 시장을 확대하고 있다.
LED의 발광 스펙트럼은 LED칩을 형성하는 반도체 재료에 의존하기 때문에 그 발광색은 한정되어 있다. 그 때문에 LED를 이용하여 LCD 백라이트나 일반 조명용의 백색광을 얻기 위해서는 LED칩 상에 각각의 칩에 적합한 형광체를 배치하여 발광 파장을 변환할 필요가 있다. 구체적으로는, 청색 발광하는 LED칩 상에 황색 형광체를 설치하는 방법, 청색 발광하는 LED칩 상에 적색 및 녹색의 형광체를 설치하는 방법, 자외선을 발하는 LED칩 상에 적색, 녹색, 청색의 형광체를 설치하는 방법 등이 제안되어 있다. 이들 중에서 LED칩의 발광 효율이나 비용의 면으로부터 청색 LED 상에 황색 형광체를 설치하는 방법, 및 청색 LED 상에 적색 및 녹색의 형광체를 설치하는 방법이 현재 가장 널리 채용되고 있다.
LED칩 상에 형광체를 설치하는 구체적인 방법의 하나로서, LED칩을 밀봉하기 위한 액상의 수지 중에 형광체를 분산시켜 두는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조). 그러나, 액상의 수지 중에서의 형광체의 분산이 불균일하면 LED칩마다 색편차가 발생한다. 또한, 액상 수지를 LED칩 형상으로 개별적으로 공급할 때에 분량을 일정하게 하는 것이 어렵고, 액상 수지의 경화 중에 두께에도 불균일이 생기기 쉽기 때문에 LED칩 형상으로 배치한 형광체의 양을 일정하게 하는 것이 어렵다.
그래서, 미리 형광 재료가 균일하게 분포된 시트 형상의 수지층을 사용하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3 및 특허문헌 4 참조). 미리 형광 재료가 균일하게 분산된 재료를 코팅에 의해 막 두께가 균일한 시트 형상으로 해 두고, 그것을 소편화(小片化)해서 LED칩에 접합함으로써 각 LED칩 상에 배치하는 형광체를 일정하게 할 수 있고, LED의 품질을 향상시킬 수 있다.
일본 특허 공개 평 5-152609호 공보 일본 특허 공개 평 7-99345호 공보 일본 특허 제 4146406호 공보 일본 특허 공개 2000-156528호 공보
LED가 백열 전구나 형광등을 대신해서 일반 조명 용도로 널리 적응되어 가기 위해서는 발광색의 색편차가 작은 것을 안정되게 공급해 갈 필요가 있다. 상술한 바와 같이, 미리 형광 재료를 균일하게 분산시키고 균일한 두께로 시트화하는 방법은 색편차를 억제하는 방법으로서 뛰어나지만, LED를 사용한 발광 소자의 제조 공정에 시트를 커팅하는 공정이나 접착제를 이용하여 시트와 LED칩을 접합하는 공정이 발생하여 제조 공정이 번잡하고 비용이 높은 것이 되는 문제가 있었다.
형광체 함유 수지를 미리 시트화했을 경우, 그것을 개별의 LED칩에 설치해야 한다. 예를 들면, 형광체 함유 수지 시트를 미리 개별의 LED칩에 설치하는 사이즈로 커팅해 둔 경우에는 1㎜ 정도의 개개의 조각으로 커팅한 형광체 함유 시트를 취급하는 것이 어려워진다. 또한, 각각의 개개의 조각을 1개씩 접착제를 사용해서 LED칩에 부착하는 작업은 정밀도를 요구하게 되어 생산 속도와 정확함을 양립시키는 것이 어렵다.
다른 방법으로서, 형광체 함유 수지 시트를 개개의 조각으로 커팅하지 않고 연속된 시트 형상인 채로 LED에 부착하는 방법이 있다. 그 경우, 개개의 조각의 LED칩을 시트 형상의 형광체 함유 수지 시트에 부착하는 경우와, LED측도 개개의 조각으로 나누기 전의 웨이퍼 형상인 채로 형광체 함유 수지 시트에 일괄적으로 부착하는 경우가 있다. 그러나, 어느쪽의 방법도 LED칩과 부착한 후에 형광체 함유 수지 시트를 커팅하기 위해서는 방법이 한정된다. 특히, 후자의 경우에는 LED의 웨이퍼를 절단하는 것과 동시에 형광체 함유 수지 시트를 절단하는 것이 곤란하다. 또한, LED칩에 부착한 후에 형광체 수지 시트를 절단하는 경우에는 절단 형상은 LED칩을 따른 형상이거나 또는 그것보다 큰 형상으로 한정된다. 그 때문에, LED칩의 일부를 형광체 함유 수지 시트로 덮고 일부를 노출시키고 싶은 경우, 예를 들면 전극 인출부 등을 형성하고 싶은 경우에는 그 부분만의 형광체 함유 수지 시트를 제거하는 것은 곤란하다.
발명자들은 LED칩에 형광체 함유 수지 시트를 부착한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩의 색이나 휘도의 균일성, 또한 그것의 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 예의 검토한 결과, 이것들을 전부 향상시키기 위해서는 형광체 함유 수지 시트의 가공 방법이나 형상이 매우 중요한 것임을 발견했다.
본 발명은 형광체 함유 수지 시트에 미리 소정의 형상을 부여해 둠으로써 형광체에 의해 색 변환되는 LED의 휘도, 색을 균일하게 하면서 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩으로서의 생산성을 높이는 것을 가능하게 하는 것이며, 구체적으로는 이하 중 어느 하나의 구성을 특징으로 하는 것이다.
(1) 기재 상에 형광체 함유 수지 시트가 설치된 수지 시트 적층체로서, 상기 형광체 함유 수지 시트가 복수의 구획으로 분할되어 있는 수지 시트 적층체.
(2) 상기 기재는 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수의 구획에 걸쳐서 면 방향으로 연속되어 있는 상기 (1)에 기재된 수지 시트 적층체.
(3) 상기 기재는 형광체 함유 수지 시트를 분할하는 경계 위치와 동일한 위치에 있어서 오목부를 갖고 있는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 수지 시트 적층체.
(4) 상기 기재와 상기 형광체 함유 수지 시트 사이에 이형제가 존재하는 상기 (1)∼(3) 어느 하나에 기재된 수지 시트 적층체.
(5) 상기 형광체 함유 수지 시트에 점착층이 적층되어 있는 상기 (1)∼(3) 어느 하나에 기재된 수지 시트 적층체.
(6) 상기 형광체 함유 수지 시트가 적층되어 있는 기재가 수지 필름인 상기 (1)∼(5) 어느 하나에 기재된 수지 시트 적층체.
(7) 상기 형광체 함유 수지 시트에 있어서의 상기 구획은 시트의 면 방향에 대하여 수직 방향으로부터 보았을 때의 형상이 규칙적인 반복 패턴으로 되어 있는 상기 (1)∼(6) 어느 하나에 기재된 수지 시트 적층체.
(8) 상기 형광체 함유 수지 시트가 LED의 발광면에 부착되는 것인 상기 (1)∼(7) 어느 하나에 기재된 수지 시트 적층체.
(9) 기재 상에 복수의 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트를 형성해서 수지 시트 적층체를 제조하는 방법으로서, 형광체 함유 수지 시트를 복수의 구획으로 분할하는 공정이 약액에 의한 에칭, 스크린 인쇄에 의한 패터닝, 금형에 의한 펀칭, 레이저에 의한 가공, 및 블레이드에 의한 절삭 중 적어도 하나의 방법에 의한 것인 상기 (1)∼(8) 어느 하나에 기재된 수지 시트 적층체의 제조 방법.
(10) 상기 (1)∼(8) 어느 하나에 기재된 수지 시트 적층체에 있어서의 분할된 형광체 함유 수지 시트에 LED칩의 발광면을 접합시키는 공정(A)과, 상기 LED칩의 발광면과 접합된 형광체 함유 수지 시트를 기재로부터 박리하는 공정(B)을 포함하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩의 제조 방법.
(11) 상기 공정(A)에 있어서는 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수의 구획의 배치에 대응하도록 배치된 복수개의 LED칩의 발광면을 일괄적으로 상기 형광체 함유 수지 시트에 접합시키는 상기 (10)에 기재된 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩의 제조 방법.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 휘도나 색이 균일한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩을 용이한 공정으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 제 1 예.
도 2는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 제 2 예.
도 3은 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 제 3 예.
도 4는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 제 4 예.
도 5는 본 발명의 수지 시트 적층체의 평면도의 제 1 예.
도 6은 본 발명의 수지 시트 적층체의 평면도의 제 2 예.
도 7은 본 발명의 수지 시트 적층체의 평면도의 제 3 예.
도 8은 본 발명의 수지 시트 적층체의 평면도의 제 4 예.
도 9는 본 발명의 수지 시트 적층체의 평면도의 제 5 예.
도 10은 본 발명의 수지 시트 적층체의 평면도의 제 6 예.
도 11은 본 발명에 의한 수지 시트 적층체를 제작하는 공정의 제 1 예.
도 12는 본 발명에 의한 수지 시트 적층체를 제작하는 공정의 제 2 예.
도 13은 본 발명에 의한 수지 시트 적층체를 제작하는 공정의 제 3 예.
도 14는 본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 LED칩에 탑재하는 방법의 제 1 예.
도 15는 본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 LED칩에 탑재하는 방법의 제 2 예.
도 16은 본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 LED칩에 탑재하는 방법의 제 3 예.
도 17은 본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 LED칩에 탑재하는 방법의 제 4 예.
(수지 시트 적층체의 기본 구성)
본 발명의 수지 시트 적층체는 기재 상에 형광체 함유 수지 시트가 설치된 수지 시트 적층체로서, 형광체 함유 수지 시트는 복수의 구획으로 분할되어 있다. 형광체 함유 수지 시트는 목적에 따라서 원하는 형상·치수·개수로 분할할 수 있다. 한편, 형광체 함유 수지 시트를 지지하는 기재는 형광체 함유 수지 시트의 복수의 구획에 걸쳐서 일체(면 방향으로 연속)이며, 형광체 함유 수지 시트는 개별적으로 뿔뿔이 흩어지는 것은 아니다.
본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서는 형광체가 균일하게 분산된 수지 시트가 미리 형성되어 있기 때문에 각각의 LED에 균일한 막 두께, 균일한 조성의 형광체 수지층을 형성할 수 있다. 또한, 수지 시트는 미리 원하는 형상으로 분할되어 있는 한편, 그것들은 기재로 연결되어 있으므로 용이하게 LED칩에 부착할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용함으로써 휘도나 색이 균일한 LED를 용이한 공정으로 제조할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서의 기재는 분할되어 있지 않은 것이 바람직하다. 여기에서, 본 명세서에 있어서 기재가 분할되어 있지 않다는 것은 기재가 완전하게는 분리되어 있지 않은 상태를 가리킨다. 즉, 기재에 절단선이 없는 경우는 물론이고, 부분적으로 관통되지 않은 절단선을 갖고 있는 경우나, 부분적으로 관통되는 균열선을 갖고 있지만 전체로서는 일체의 형상을 유지하고 있는 경우 등도 포함된다.
도 1∼도 4를 이용하여 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성을 단면도에 의해 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며, 본 발명의 수지 시트 적층체는 이것들에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 예이다. 분할되어 있지 않은 기재(1) 상에 소정의 형상으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)가 적층되어 있다.
도 2는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 제 2 예이다. 기재(1) 상에 소정의 형상으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)가 적층되어 있고, 기재(1)는 형광체 함유 수지층을 분할하는 경계 위치와 동일한 위치에 있어서 오목부를 갖고 있다. 또한, 여기에서 말하는 「동일한 위치」란 기재의 오목부가 형광체 함유 수지층의 경계와 ±10㎛의 정밀도로 일치하고 있는 것을 말한다. 또한, 이때 기재의 오목부는 기재가 일체인 한은 부분적으로는 기재를 관통하는 균열선으로 되어 있어도 좋고, 이것은 후술의 도 3∼도 4에 있어서의 구성에도 공통된다. 이러한 구성이면 형광체 함유 수지의 하나의 구획만을 박리할 때에 인접한 구획이 박리될 일이 없어지기 때문에 바람직하다. 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트를 구획별로 기재로부터 박리할 때에 기재에 이러한 오목부가 없으면, 구획이 매우 작을 때에는 인접한 구획도 동시에 박리될 우려가 있다. 한편, 기재를 관통하지 않는 깊이로 오목부가 형성되어 있으면 응력이 분산되어 인접한 구획에는 큰 박리력이 작용하지 않기 때문이다.
도 3은 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 제 3 예이다. 기재(1) 상에 소정의 형상으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)가 적층되어 있고, 기재(1)는 형광체 함유 수지층을 분할하는 경계 위치와 동일한 위치에 있어서 오목부를 갖고 있다. 여기에서 말하는 「동일한 위치」도 앞의 설명과 같은 의미이다. 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이에는 이형제(6)가 존재한다. 기재와 형광체 함유 수지 시트 사이에 이형제가 존재하는 구성은 본 발명의 바람직한 형태의 하나이며, 이에 따라 형광체 함유 수지 시트(2)를 LED칩에 부착할 때에 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)가 박리되는 것을 용이하게 할 수 있다. 형광체 함유 수지 시트(2)와 기재(1)의 조성에 따라서는 이형제가 존재하지 않더라도 용이하게 박리될 수 있는 경우도 있지만, 형광체 함유 수지 시트(2)가 기재(1)와 용이하게 박리될 수 없는 경우에 바람직하게 사용된다.
형광체 함유 수지 시트의 상하 적어도 한쪽에 점착층이 존재하는 구성은 본 발명의 더욱 바람직한 형태의 하나이다. 형광체 함유 수지 시트(2)가 점착성을 가지지 않거나, 또는 LED칩에 부착하기 위해서는 점착성이 충분하지 않을 경우에 점착층이 존재함으로써 형광체 함유 수지 시트와 LED칩의 접착력을 강화시킬 수 있기 때문이다.
도 4는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 제 4 예이다. 기재(1) 상에 소정의 형상으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)가 적층되어 있고, 기재(1)는 형광체 함유 수지층을 분할하는 경계 위치와 동일한 위치에 있어서 오목부를 갖고 있다. 여기에서 말하는 「동일한 위치」도 앞의 설명과 같은 의미이다. 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이에는 이형제(6)가 존재하고, 또한 형광체 함유 수지 시트(2) 상에는 점착층(7)이 존재한다. 후술의 도 14에서 설명되는 경우와 같이, 형광체 함유 수지 시트를 기재로부터 박리하기 전에 LED칩과 접합시킬 경우에 형광체 함유 수지 시트와 LED칩의 접착력을 강화시킬 수 있기 때문이다. 또한, 도 4의 변형예로서 이형제(6)가 존재하지 않는 형태라도 좋다.
이어서, 도 5∼도 10에 있어서 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성을 평면도에 의해 설명한다. 또한, 이들 평면도에 의해 나타내어진 구성은 위에서 단면도에 의해 설명한 구성 중 어느쪽의 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 이것들은 일례이며, 본 발명의 수지 시트 적층체는 이것들에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 본 발명에 의한 구성의 일례이며, 일체인 기재(1) 상에 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)가 적층된 수지 시트 적층체의 평면도이다. 형광체 함유 수지 시트(2)는 직사각형으로 분할되어 있고, 격자 형상으로 배열되어 있다.
형광체 함유 수지 시트(2)는 구획으로 분할하는 것 이외의 가공이 실시되어 있어도 관계없다. 도 6은 본 발명의 구성의 일례이며, 일체인 기재(1) 상에 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)가 적층되고, 그 형광체 함유 수지 시트(2)의 각 구획의 일부가 가공됨으로써 원하는 형상으로 된 수지 시트 적층체의 평면도이다. 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 일부분을 가공할 경우에는 그 가공 부분은 기재를 관통하고 있어도 관계없다.
도 7은 본 발명의 구성의 다른 일례이며, 일체인 기재(1) 상에 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)가 적층되고, 그 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 일부를 기재와 함께 펀칭한 관통 구멍(8)을 형성함으로써 원하는 형상으로 한 수지 시트 적층체의 평면도이다.
도 6 및 도 7과 같이, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 일부를 가공해서 원하는 형상으로 함으로써 LED칩을 부분적으로 형광체 함유 수지 시트로 덮고, 일부분을 노출시키는 것이 가능해진다. 예를 들면, LED칩의 발광면으로부터 나오는 광의 일부분을 형광체 함유 수지 시트를 통과시켜서 파장 변환하고, 다른 부분을 그 상태의 파장으로 인출하여 혼색함으로써 발광색을 조정하는 경우나, 또는 LED칩의 표면의 일부분에 전극 인출 부분을 형성하기 위해서 그 부분에는 형광체 함유 수지 시트로 덮고 싶지 않은 경우 등, 여러 가지 설계에 자유 자재로 대응할 수 있다.
또한, 기재 상에 배열된 형광체 함유 수지 시트의 구획은 직사각형일 필요는 없고, 도 8에 나타내는 바와 같은 육각형이나 그 이외의 다각형, 또한 원형 내지 타원형이라도 관계없다. 통상의 양산 공정에 있어서는 형광체 함유 수지 시트를 부착하는 LED 소자가 모두 같은 형상이므로, 형광체 함유 수지 시트의 구획도 모두 같은 형상의 구획이 일정한 반복 피치로 배열되어 있는 것이 바람직하다. 단, LED 소자의 설계에 따라서는 기재 상에 배열된 형광체 함유 수지 시트의 구획의 형상이 모두 같은 형상일 필요는 없고, 도 9에 나타내는 바와 같이 2종류의 형상의 반복 배열이라도 좋다. 형광체 함유 수지 시트를 부착하는 LED 소자의 발광면에 부분적으로 형광체 함유 수지 시트를 부착하지 않는 부분을 형성하기 위해서 발광면이 2구획으로 구분되어 있는 경우 등, 필요에 따라서 자유롭게 형상을 설계하는 것이 가능하다.
공업적인 양산 공정에 있어서, 형광체 함유 수지 시트의 구획은 시트의 면 방향에 대하여 수직 방향으로부터 보았을 때의 형상이 규칙적인 반복 패턴으로 되어 있는 것이 바람직하다. 도 5∼도 8에 나타낸 바와 같이 모두 같은 형상의 구획이 반복 배열되어 있는 것이나, 도 9에 나타내는 바와 같이 2개 내지 그 이상의 다른 형상의 구획의 조합 패턴이 반복 배열되어 있는 것은 규칙적인 반복 패턴으로 되어 있는 것의 일례이다. 또한, 소량 다품종 시작(試作) 등의 조건에 따라 LED 소자의 형상·설계가 다종에 걸쳐지는 경우 등은 그것에 따라 도 10에 나타내는 바와 같이 기재 상의 형광체 함유 수지 시트를 다종류의 다른 형상의 구획으로 가공해도 좋다.
(기재)
기재(1)로서는 공지의 금속, 필름, 유리, 세라믹, 종이 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는 알루미늄(알루미늄 합금도 포함함), 아연, 구리, 철 등의 금속판이나 박, 셀룰로오스아세테이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리비닐아세탈, 아라미드 등의 수지 필름, 플라스틱(폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 등)이 라미네이팅, 코팅된 종이, 상기와 같은 금속이 라미네이팅 또는 증착된 종이 또는 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 형광체 함유 수지 시트를 LED 소자에 부착할 때의 밀착성으로부터 기재는 유연한 필름 형상인 것이 바람직하고, 또한 필름 형상의 기재를 취급할 때에 파단 등의 우려가 없도록 강도가 높은 필름이 바람직하다. 그것들의 요구 특성이나 경제성의 면에서 수지 필름이 바람직하고, 그 중에서도 PET 필름이 특히 바람직하다. 수지의 경화에 200℃ 이상의 고온을 필요로 하는 경우에는 내열성의 면에서 폴리이미드 필름이 보다 바람직하다. 시트의 박리의 용이함으로부터, 기재는 미리 표면이 이형 처리되어 있어도 좋다. 또한, 기재가 금속판일 경우 표면에 크롬계나 니켈계 등의 도금 처리나 세라믹 처리되어 있어도 좋다.
기재의 막 두께는 특별하게 제한은 없지만, 하한으로서는 40㎛ 이상이 바람직하고, 60㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한으로서는 5000㎛ 이하가 바람직하고, 3000㎛ 이하가 보다 바람직하다.
(형광체 함유 수지 시트)
형광체 함유 수지 시트(2)의 성분으로서는 주로 수지와 형광체를 포함하는 것이면 특별하게 한정되지 않고 다양한 것을 사용하는 것이 가능하다. 필요에 따라 기타의 성분을 포함하고 있어도 좋다.
(형광체)
형광체는 LED칩으로부터 방출되는 광을 흡수해서 파장을 변환하고, LED칩의 광과 다른 파장의 광을 방출하는 것이다. 이에 따라, LED칩으로부터 방출되는 광의 일부와 형광체로부터 방출되는 광의 일부가 혼합하여 백색을 포함하는 다색계의 LED가 얻어진다. 구체적으로는, 청색계 LED에 LED로부터의 광에 의해 황색계의 발광색을 발광하는 형광체를 광학적으로 조합함으로써 단일의 LED칩을 이용하여 백색계를 발광시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 형광체에는 녹색으로 발광하는 형광체, 청색으로 발광하는 형광체, 황색으로 발광하는 형광체, 적색으로 발광하는 형광체 등 여러 가지 형광체가 있다. 본 발명에 사용되는 구체적인 형광체로서는 무기 형광체, 유기 형광체, 형광 안료, 형광 염료 등 공지의 형광체를 들 수 있다. 유기 형광체로서는 알릴술포아미드·멜라민포름알데히드 공축합(共縮合) 염색물이나 페릴렌계 형광체 등을 들 수 있고, 장기간 사용 가능한 점으로부터 페릴렌계 형광체가 바람직하게 사용된다. 본 발명에 특히 바람직하게 사용되는 형광 물질로서는 무기 형광체를 들 수 있다. 이하에 본 발명에 사용되는 무기 형광체에 대해서 기재한다.
녹색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 SrAl2O4:Eu, Y2SiO5:Ce,Tb, MgAl11O19:Ce,Tb, Sr7Al12O25:Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)Ga2S4:Eu 등이 있다.
청색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 Sr5(PO4)3Cl:Eu, (SrCaBa)5(PO4)3Cl:Eu, (BaCa)5(PO4)3Cl:Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)2B5O9Cl:Eu,Mn, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)(PO4)6Cl2:Eu,Mn 등이 있다.
녹색에서 황색으로 발광하는 형광체로서, 적어도 세륨에서 부활(賦活)된 이트륨·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·가돌리늄·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·알루미늄·가닛 산화물 형광체, 및 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·갈륨·알루미늄 산화물 형광체 등이 있다(소위 YAG계 형광체). 구체적으로는, Ln3M5O12:R(Ln은 Y, Gd, La로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. M은 Al, Ca 중 적어도 어느 한쪽을 포함한다. R은 란타노이드계이다), (Y1 - xGax)3(Al1 - yGay)5O12:R(R은 Ce, Tb, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. 0<Rx<0.5, 0<y<0.5이다)을 사용할 수 있다.
적색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 Y2O2S:Eu, La2O2S:Eu, Y2O3:Eu, Gd2O2S:Eu 등이 있다.
또한, 현재 주류의 청색 LED에 대응하여 발광하는 형광체로서는 Y3(Al, Ga)5O12:Ce, (Y, Gd)3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5O12:Ce 등의 YAG계 형광체, Tb3Al5O12:Ce 등의 TAG계 형광체, (Ba, Sr)2SiO4:Eu계 형광체나 Ca3Sc2Si3O12:Ce계 형광체, (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu 등의 실리케이트계 형광체, (Ca, Sr)2Si5N8:Eu, (Ca, Sr)AlSiN3:Eu, CaSiAlN3:Eu 등의 나이트라이드계 형광체, Cax(Si, Al)12(O, N)16:Eu 등의 옥시나이트라이드계 형광체, 또한 (Ba, Sr, Ca)Si2O2N2:Eu계 형광체, Ca8MgSi4O16Cl2:Eu계 형광체, SrAl2O4:Eu, Sr4Al14O25:Eu 등의 형광체를 들 수 있다.
이들 중에서는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 실리케이트계 형광체가 발광 효율이나 휘도 등의 점에서 바람직하게 사용된다.
상기 이외에도 용도나 목적으로 하는 발광색에 따라 공지의 형광체를 사용할 수 있다.
형광체의 입자 사이즈는 특별하게 제한은 없지만, D50이 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, D50이 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 여기에서 D50이란 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법에 의해 측정해서 얻어지는 체적 기준 입도 분포에 있어서, 소입경측으로부터의 통과분 적산이 50%가 될 때의 입자 지름을 말한다. D50이 상기 범위이면 시트 중의 형광체의 분산성이 양호해서 안정된 발광이 얻어진다.
(수지)
본 발명에 사용되는 형광체 함유 수지 시트에 있어서의 수지는 형광체를 내부에 함유시키는 수지이며, 최종적으로 시트를 형성한다. 따라서, 내부에 형광체를 균질하게 분산시키는 것이며, 시트 형성할 수 있는 것이면 어떠한 수지라도 관계없다. 구체적으로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리아릴레이트 수지, PET 변성 폴리아릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 환상 올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리메틸메타아크릴레이트 수지, 폴리프로필렌 수지, 변성 아크릴, 폴리스티렌 수지 및 아크릴니트릴·스티렌 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는 투명성의 면으로부터 실리콘 수지나 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다. 또한, 내열성의 면으로부터 실리콘 수지가 특히 바람직하게 사용된다.
이러한 실리콘 수지로서는 경화형 실리콘 고무가 바람직하다. 1액형, 2액형(3액형) 중 어느쪽의 액 구성을 사용해도 좋다. 경화형 실리콘 고무에는 공기 중의 수분 또는 촉매에 의해 축합 반응을 일으키는 타입으로서 탈알콜형, 탈옥심형, 탈아세트산형, 탈히드록실아민형 등이 있다. 또한, 촉매에 의해 히드로실릴화 반응을 일으키는 타입으로서 부가반응형이 있다. 이들 중 어느 타입의 경화형 실리콘 고무를 사용해도 좋다. 특히, 부가반응형의 실리콘 고무는 경화 반응에 따른 부생성물이 없고, 경화 수축이 작은 점, 가열에 의해 경화를 빠르게 하는 것이 용이한 점에서 보다 바람직하다.
부가반응형의 실리콘 고무는, 일례로서 규소원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소원자에 결합한 수소원자를 갖는 화합물의 히드로실릴화 반응에 의해 형성된다. 이러한 재료로서는 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 프로페닐트리메톡시실란, 노보넨일트리메톡시실란, 옥텐일트리메톡시실란 등의 규소원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 메틸하이드로젠폴리실록산, 디메틸폴리실록산-CO-메틸하이드로젠폴리실록산, 에틸하이드로젠폴리실록산, 메틸하이드로젠폴리실록산-CO-메틸페닐폴리실록산 등의 규소원자에 결합한 수소원자를 갖는 화합물의 히드로실릴화 반응에 의해 형성되는 것을 들 수 있다. 또한, 그 외에도 예를 들면 일본 특허 공개 2010-159411호 공보에 기재되어 있는 바와 같은 공지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 시판되고 있는 것으로서 일반적인 LED 용도의 실리콘 밀봉재를 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는 도레이·다우코닝사 제의 OE-6630A/B, OE-6336A/B나 신에쓰 가가꾸 고교 가부시키가이샤 제의 SCR-1012A/B, SCR-1016A/B 등이 있다.
(기타 성분)
형광체 함유 수지 시트에는 첨가제로서 도포막 안정화를 위한 분산제나 레벨링제, 시트 표면의 개질제로서 실란커플링제 등의 접착 보조제 등을 첨가하는 것도 가능하다. 또한, 형광체 침강 억제제로서 실리콘 미립자 등의 무기 입자를 첨가하는 것도 가능하다.
형광체 침강 억제용 실리콘 미립자는 평균 입경(D50)이 0.01㎛ 이상 5㎛ 미만인 것이 바람직하다. 0.01㎛ 이상이면 실리콘 미립자의 제조와 형광체 함유 수지 시트 중으로의 분산이 용이하다. 5㎛ 미만이면 형광체 함유 수지 시트의 투과율에 악영향을 주지 않는다.
(형광체 함유량)
형광체의 함유량은 형광체 함유 수지 시트 전체의 53중량% 이상인 것이 바람직하고, 60중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 형광체 함유 수지 시트 중의 형광체 함유량을 상기 범위로 함으로써 형광체 함유 수지 시트의 내광성을 높일 수 있다. 또한, 형광체 함유량의 상한은 특별하게 규정되지 않지만, 작업성이 뛰어난 시트를 작성하기 쉽다고 하는 관점으로부터 형광체 함유 수지 시트 전체의 95중량% 이하인 것이 바람직하고, 90중량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 85중량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 80중량% 이하인 것이 특히 바람직하다.
(형광체 함유 수지 시트의 막 두께)
형광체 함유 수지 시트의 내열성을 높이는 관점으로부터, 형광체 함유 수지 시트의 막 두께는 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 형광체를 53중량% 이상으로 함유하면서 충분한 막의 강도나 취급성을 확보하기 위해서는 10㎛ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 시트의 막 두께는 JIS K7130(1999) 플라스틱-필름 및 시트-두께 측정 방법에 있어서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 의거하여 측정되는 막 두께(평균 막 두께)를 말한다.
LED는 작은 공간에서 대량의 열이 발생하는 환경에 있고, 특히 하이파워 LED의 경우 발열이 현저하다. 이러한 발열에 의해 형광체의 온도가 상승함으로써 LED의 휘도가 저하된다. 따라서, 발생한 열을 어떻게 효율적으로 방열할지가 중요하다. 본 발명에 있어서는 형광체 함유 수지 시트의 막 두께를 상기 범위로 함으로써 내열성이 뛰어난 시트를 얻을 수 있다. 또한, 형광체 함유 수지 시트의 막 두께에 편차가 있으면 LED칩별로 형광체량에 차이가 발생하고, 결과적으로 발광 스펙트럼에 편차가 발생한다. 따라서, 형광체 함유 수지 시트의 막 두께의 편차는 바람직하게는 ±5% 이내, 더욱 바람직하게는 ±3% 이내이다.
또한, 여기에서 말하는 막 두께 편차란 JIS K7130(1999) 플라스틱-필름 및 시트-두께 측정 방법에 있어서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 의거하여 막 두께를 측정하여 하기에 나타내는 식으로 산출된다.
보다 구체적으로는, 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법의 측정 조건을 이용하여 시판되고 있는 접촉식 두께계 등의 마이크로미터를 사용해서 막 두께를 측정하고, 얻어진 막 두께의 최대값 또는 최소값과 평균 막 두께의 차를 계산하고, 이 값을 평균 막 두께로 나누어서 100분율로 나타낸 값이 막 두께 편차B(%)가 된다.
막 두께 편차B(%)=(최대 막 두께 편차값*-평균 막 두께)/평균 막 두께×100
*최대 막 두께 편차값은 최대값 또는 최소값에서 평균 막 두께와의 차가 가장 큰 것을 선택한다.
(수지 시트 적층체를 구성하는 그 밖의 재료)
이형제(6)의 재료에 대해서는 특별하게 제한은 없고, 일반적으로 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 범용적인 이형제로서는 왁스, 유동 파라핀, 실리콘계, 불소계 등의 이형제가 있지만, 통상 수지의 이형제로서는 실리콘계, 불소계의 것이 많이 사용되고, 본 발명에 있어서도 이것들을 적합하게 사용할 수 있다. 특히, 실리콘계의 것은 이형성이 높아 바람직하다. 이형제(6)의 재료 선정이나 기재 상으로의 도포량은 필요한 박리 강도에 따라 결정된다. 즉, 이형제의 종류, 양을 적정하게 선정함으로써 형광체 함유 수지 시트를 원하는 형상으로 가공할 때에는 기재로부터 박리되지 않고, 또한 형광체 함유 수지 시트를 LED칩에 부착할 때에는 신속하게 기재로부터 박리할 수 있다. 박리 강도는 동일한 이형제를 동일 양 사용한 경우에도 형광체 함유 수지 시트의 조성에 따라 다르므로 필요한 박리성을 얻기 위해서는 사용하는 형광체 함유 수지 시트별로 조정하는 것이 바람직하다.
점착층(7)의 재료로서는 특별하게 제한은 없지만, 일반적인 고무계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다. 어떤 것을 사용해도 좋지만, 내열성, 절연성, 투명성에 적합한 점착제로서는 실리콘계 점착제가 유용하다.
점착층(7)의 두께는 2㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 점착제의 종류 에 상관없이 2㎛ 이상이면 높은 점착 강도가 얻어진다. 200㎛ 이하임으로써 형광체 함유 수지 시트를 원하는 형상으로 가공할 때에 점착층(7)의 점착성이 문제를 일으키지 않고 가공할 수 있고, 또한 LED칩에 부착한 후에 광학적인 손실을 초래하지 않는다. 또한, LED칩 표면의 구조나 실장 전극 등의 돌기물을 매설할 필요가 있을 경우, 그것들의 구조는 통상 100㎛ 이하이므로 점착층(7)의 막 두께가 200㎛ 이하에서 충분한 매설성을 얻을 수 있다.
형광체 함유 수지 시트(2)에는 보호 필름이 설치되어 있어도 좋다. 보호 필름의 재료로서는 특별하게 제한은 없지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 셀로판 등을 들 수 있다. 또한, 보호 필름은 실리콘계나 불소계 등 공지의 이형제에 의해 이형 처리되어 있어도 좋다. 도 4와 같이 형광체 함유 수지 시트(2) 상에 점착층(7)이 존재할 경우에는 점착층(7) 상에 보호 필름을 설치할 수 있다.
(수지 시트 적층체의 제작 방법)
도 11∼도 13을 이용하여, 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조하는 방법을 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며 본 발명의 수지 시트 적층체의 제조 방법은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
도 11은 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조하는 방법의 일례이다. 기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)를 후술의 방법으로 적층한다. 이어서, 포토레지스트(3)를 적층하고 패턴 가공을 실시함으로써 방식(防蝕) 패턴을 형성하고, 그것을 마스크로 해서 형광체 함유 수지 시트를 용해하는 것이 가능한 약액에 의해 에칭을 실시하고, 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 분할한다. 포토레지스트로서는 시판하는 것을 이용할 수 있다.
도 12는 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조하기 위한 다른 방법의 일례이다. 기재(1) 상에 패턴이 형성된 스크린 인쇄판(4)을 겹치고, 거기에 형광체를 수지 용액에 분산시킨 페이스트를 스퀴지(Squeegee)(5)에 의해 충전해서 인쇄, 건조시킴으로써 원하는 형상으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)를 형성한다. 이 방법에서는 형광체 함유 수지층을 기재 상에 형성하는 것에 스크린 인쇄 등 패턴 형상으로 인쇄할 수 있는 방법을 사용하기 때문에, 직접적으로 원하는 패턴의 형광체 함유 수지 시트를 얻을 수 있다. 스크린 인쇄판은 형광체 함유 수지에 포함되는 용제에 내구성이 있는 것을 선택할 필요가 있다. 스테인레스 사(紗)에 고내약품성 수지에 의한 패턴이 실시된 것이 바람직하다.
도 13은 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조하기 위한 또 다른 방법의 일례이다. 기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)를 후술의 방법으로 형성한다. 그 후에 금형에 의한 펀칭, 레이저에 의한 가공, 또는 블레이드에 의한 절삭 중 어느 하나의 가공 방법에 의해 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 분할, 가공한다. 형광체 함유 수지 시트를 각각의 구획으로 분할할 때에는 기재가 일체화한 상태로 되도록, 적어도 일부에 있어서 기재를 관통하지 않는 것이 중요하고, 그것을 위한 방법으로서는 블레이드에 의한 절삭이 바람직하다. 블레이드에 의한 절삭 방법으로서는 단순한 블레이드(직선 형상의 블레이드)를 밀어넣어서 자르는 방법과, 회전 블레이드에 의해 자르는 방법이 있다. 회전 블레이드에 의해 자르는 장치로서는 다이서(dicer)라고 불리는, 반도체 기판을 개별의 칩으로 절단(다이싱)하는 것에 사용하는 장치를 바람직하게 이용할 수 있다. 다이서를 사용하면 회전 블레이드의 두께나 조건 설정에 따라 분할 라인의 폭을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 단순한 블레이드의 밀어넣기에 의한 절단보다 높은 가공 정밀도가 얻어진다.
어떤 블레이드를 사용하는 방법에 있어서나 매우 정밀한 블레이드의 위치 제어를 행하면 형광체 함유 수지 시트를 분할하면서 기재를 절단하지 않는 것이 가능하다. 그러나, 현실적으로는 항상 완전하게 동일한 깊이로 절개하는 것은 매우 곤란하다. 따라서, 절단 깊이(절개 깊이)가 약간 어긋났을 경우에 형광체 함유 수지 시트가 깔끔히 분할되지 않는 것을 막기 위해서, 절단 깊이는 기재를 부분적으로 자르는 깊이로 설정해 두는 것이 바람직하다. 따라서, 도 13의 방법으로 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조했을 경우에는, 사실상 대부분의 경우에 기재의 형광체 함유 수지 시트의 절단 위치와 동일한 위치에 기재를 관통하지 않는 오목부가 새겨진 것이 된다. 여기에서 말하는 「동일한 위치」는 앞에 설명한 「동일한 위치」와 같은 의미이다. 이 경우 오목부는 연속적 또는 단속적인 홈 형상으로 형성되는 경우가 많지만, 기재가 분단되지 않는 한에 있어서 오목부가 부분적으로는 기재를 관통하는 균열선으로 되어 있어도 관계없다.
상기 어떤 방법에 의해서도 바람직하게 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조할 수 있다. 그러나, 특히 바람직한 것은 도 13에서 나타낸 방법이다. 도 13에 나타낸 방법은 레지스트, 약액이나 판재를 형광체 함유 수지 시트(2)에 접촉시키는 것에 의한 시트 손상의 우려가 없으므로 균일한 형광체 함유 수지 시트를 얻는 것이 용이하다.
본 발명의 수지 시트 적층체의 제작 방법을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 이하는 일례이며 수지 시트 적층체의 제작 방법은 이것에 한정되지 않는다.
우선, 형광체 함유 수지 시트 형성용의 도포액으로서 형광체를 수지에 분산시킨 용액(이하 「시트 용액」이라고 함)을 제작한다. 시트 용액은 형광체와 수지를 적당한 용매 중에서 혼합함으로써 얻어진다. 부가반응형 실리콘 수지를 사용하는 경우에는 규소원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소원자에 결합한 수소원자를 갖는 화합물을 혼합하면 실온에서도 경화 반응이 시작되는 경우가 있으므로 아세틸렌 화합물 등의 히드로실릴화 반응 지연제를 시트 용액에 더 배합하여 포트 라이프를 연장하는 것도 가능하다. 또한, 첨가제로서 도포막 안정화를 위한 분산제나 레벨링제, 시트 표면의 개질제로서 실란커플링제 등의 접착 보조제 등을 시트 용액에 혼합하는 것도 가능하다. 또한, 형광체 침강 억제제로서 실리콘 미립자 등의 무기 입자를 시트 용액에 혼합하는 것도 가능하다.
용매는 유동 상태인 수지의 점도를 조정할 수 있는 것이면 특별하게 한정되지 않는다. 예를 들면, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 헥산, 아세톤 등을 들 수 있다.
이들 성분을 소정의 조성이 되도록 조합한 후, 호모지나이저, 자전형/공전형 교반기, 삼단롤밀, 볼밀, 유성식 볼밀, 비드밀 등의 교반·혼련기에 의해 균질하게 혼합 분산시킴으로써 시트 용액이 얻어진다. 혼합 분산 후, 또는 혼합 분산의 과정에서 진공 또는 감압 조건 하에서 탈포하는 것도 바람직하게 행해진다.
이어서, 시트 용액을 기재 상에 도포하고 건조시킨다. 도포는 리버스 롤 코터, 블레이드 코터, 슬릿 다이 코터, 다이렉트 그라비아 코터, 오프셋 그라비아 코터, 리버스 롤 코터, 블레이드 코터, 키스 코터, 스크린 인쇄, 내츄럴 롤 코터, 에어나이프 코터, 롤 블레이드 코터, 바리바(baribar) 롤 블레이드 코터, 투 스트림 코터, 로드 코터, 와이어 바 코터, 애플리케이터, 딥 코터, 커튼 코터, 스핀 코터, 나이프 코터 등에 의해 행할 수 있다. 시트 막 두께의 균일성을 얻기 위해서는 슬릿 다이 코터로 도포하는 것이 바람직하다. 또한, 스크린 인쇄나 그라비아 인쇄, 평판 인쇄 등의 인쇄법을 이용해서도 제작할 수도 있다. 특히, 스크린 인쇄가 바람직하게 사용된다.
시트의 건조는 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치를 이용하여 행할 수 있다. 시트의 가열 경화에는 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치가 사용된다. 이 경우, 가열 경화 조건은 통상 40∼250℃에서 1분∼5시간, 바람직하게는 100℃∼200℃에서 2분∼3시간이다.
계속해서, 상기한 바와 같이 기재 상에 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)는 도 11∼도 13에 나타낸 상술의 방법에 의해 소정의 형상과 구획으로 분할할 수 있다.
도 6이나 도 8∼도 10에 나타내는 바와 같이, 단순한 직사각형 이외의 형광체 함유 수지 시트의 분할 형상을 얻고 싶을 경우, 도 11 및 도 12에 나타낸 방법에서는 포토마스크 또는 스크린 판으로서 원하는 패턴의 것을 준비해 두기만 하면 된다. 도 13에 나타낸 방법의 경우에는 형광체 수지 시트를 개별의 구획으로 분할하는 가공의 전후로 레이저 가공 등에 의해 가공을 실시할 필요가 있다. 또한, 도 7에 나타낸 바와 같이 부분적으로 기재를 관통한 구멍 형상의 가공이 실시된 수지 시트 적층체를 얻을 경우에는 도 11∼도 13의 어느 경우라도 형광체 함유 분결 시트를 개별의 구획으로 분할하는 가공의 전후로 금형에 의한 펀칭 등에 의해 가공을 실시할 수 있다.
(형광체 함유 수지 시트와 LED칩의 접합)
도 14∼도 17에 의해, 본 발명의 수지 시트 적층체를 이용하여 형광체 함유 수지 시트를 LED칩에 접합시키는 공정을 설명한다. 도 14∼도 17은 모두 도 2의 구성의 수지 시트 적층체, 즉 형광체 함유 수지 시트의 표면, 이면의 어느쪽에도 이형제와 점착층을 갖지 않고, 기재에는 관통하지 않는 분할 라인이 실시되어 있는 구성을 예로서 설명하고 있다. 또한, 도 1, 도 3 및 도 4의 구성의 수지 시트 적층체를 이용해도 마찬가지의 공정에 의해 형광체 함유 수지 시트와 LED칩의 접합을 행할 수 있다. 또한, 도 14∼도 17에 있어서는 형광체 함유 수지 시트에 있어서의 부분적인 제거부나 관통 구멍의 존재가 특별하게 기재되어 있지 않지만, 도 6 및 도 7에 나타낸 부분적으로 제거되어 있는 형광체 함유 수지 시트를 이용하여 LED칩의 일부분이 형광체 함유 수지 시트에 덮여 있지 않은 것을 제조할 경우에도 마찬가지의 공정에 의해 LED칩과의 접합을 행할 수 있다.
도 14는 형광체 함유 수지 시트가 발광면에 설치된 LED칩을 제조하는 방법의 일례이며, 미리 개개의 조각으로 분할된 LED칩(9)을 본 발명의 수지 시트 적층체(11)에 있어서의 기재(1) 상에서 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)와 접합시키는 방법이다.
우선, LED칩(9)을 웨이퍼로부터 잘라내서 개개의 조각으로 분할한다. 이것을 칩 마운터 등을 이용하여 형광체 함유 수지 시트(2)의 분할된 1구획에 그 발광면을 접합시킨다. 예를 들면, 칩 마운터에 구비된 픽업 툴에 의해 개편화된 LED칩을 형광체 함유 수지 시트(2) 상의 소정의 위치로 반송하고, LED칩을 기재 상의 형광체 함유 수지 시트(2)의 분할된 1구획에 압박하고 압착해서 접합을 행한다. 이때, 필요에 따라 압착부를 가열해도 좋다. 그 후에 LED칩의 발광면과 접합된 형광체 함유 수지 시트를 기재로부터 박리한다. 이렇게 해서 형광체 함유 수지 시트가 표면에 설치된 LED칩을 얻을 수 있다.
도 14에 나타낸 방법과 같이, 우선 LED칩을 기재 상의 형광체 함유 수지 시트(2)에 부착하고나서 상기 형광체 함유 수지 시트(2)를 기재(1)로부터 박리하는 방법을 채용했을 경우, 형광체 함유 수지 시트(2)는 항상 기재(1) 및 LED칩(9) 중 적어도 한쪽에 지지되고 있다. 그 때문에, 형광체 함유 수지 시트 중의 형광체 함유량을 많게 해서 형광체 함유 수지 시트(2)의 강도가 낮아졌을 경우에도 프로세스 중에 형광체 함유 수지 시트가 손상될 우려가 없고, 높은 수율로 형광체 함유 수지 시트를 LED칩(9)에 부착할 수 있다. 이 방법의 경우에는 웨이퍼로부터 잘라낸 LED칩의 개개의 조각을 하나하나 취급할 필요가 있지만, 형광체 함유 수지 시트가 유연하고 비교적 강도가 낮아 개개의 조각으로 취급하는 것이 곤란한 것에 비교하면 웨이퍼로부터 잘라낸 LED칩의 개개의 조각은 비교적 강도가 높고 단단해서 변형되지 않으므로 취급은 현격히 용이하다.
도 15는 형광체 함유 수지 시트가 발광면에 설치된 LED칩을 제조하는 방법의 다른 일례이며, 분할된 형광체 함유 수지 시트의 배치에 대응하도록 배치된 복수개의 LED칩에 대하여 상기 분할된 형광체 함유 수지 시트를 일괄적으로 접합하는 방법의 일례이다. 이 예에서는 복수의 LED칩(9)을 취급이 용이하도록 면 방향으로 연속되어 있는 가고정 시트(10)에 원하는 피치로 그 발광면이 상측이 되도록 배치하고, 가고정 시트(10)에 배치된 LED칩 어레이(12)를 제작한다. 이어서, 이 가고정 시트 상의 LED칩(9)의 배치와, 기재(1) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 배치를 일치시켜서 이들을 일괄적으로 접합시킨다. 그 후에 LED칩(9)의 발광면과 접합된 형광체 함유 수지 시트(2)를 기재(1)로부터 박리한다. 이렇게 해서 형광체 함유 수지 시트가 표면에 설치된 형광체가 부착된 LED칩 어레이(13)를 얻을 수 있다.
도 15에 나타낸 방법은 복수개의 LED칩에 일괄적으로 형광체 함유 수지 시트를 부착하는 것이 가능하다. 또한, 가고정 시트(10)를 사용함으로써 임의의 피치로 LED칩을 배열할 수 있다. 즉, 실장 기판 상에 배열되어 있는 LED칩은 반드시 그 배열 피치가 빽빽하다고는 한정되지 않고, LED칩과 LED칩 사이의 간격이 클 경우가 있다. 그 경우, 거기에 일괄적으로 부착하기 위해서 배치를 맞춰서 형광체 함유 수지 시트를 분할 가공하면 수지 시트 적층체(11) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)의 간격은 커지고, 사용하지 않는 부분이 커지기 때문에 이용 효율이 나빠질 가능성이 있다. 그것에 대하여, 도 15의 방법은 가고정 시트 상의 LED칩의 배열을 빈틈없이 함으로써 형광체 함유 수지 시트의 이용 효율을 낮추지 않고 일괄적인 부착이 가능하게 된다.
도 16∼도 17은 도 15의 방법의 응용예이며, 분할된 형광체 함유 수지 시트의 배치에 대응하도록 배치된 복수개의 LED칩이 실장된 기판을 사용할 경우의 예이다.
도 16은 형광체 함유 수지 시트가 발광면에 설치된 LED칩을 제조하는 방법의 다른 일례이며, 기판 표면에 실장된 LED칩(9)과 형광체 함유 수지 시트(2)를 일괄적으로 접합시키는 방법이다. 이 방법에서는 범프(16)가 형성된 복수의 LED칩(9)이 실장 기판(14)에 상기 실장 기판(14)의 패드 전극(15)을 개재해서 표면 실장된 LED칩이 실장 완료된 기판(17)과, 기재(1) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)를 일괄적으로 접합시킨다. 그 후에 LED칩의 발광면과 접합된 형광체 함유 수지 시트를 기재(1)로부터 박리한다. 이렇게 해서 형광체 함유 수지 시트가 표면에 설치된 LED칩이 실장 완료된 기판(18)을 얻을 수 있다.
도 17은 형광체 함유 수지 시트가 발광면에 설치된 LED칩을 제조하는 방법의 다른 일례이며, 기판에 실장되어서 수지 밀봉된 복수의 LED칩(9)과 형광체 함유 수지 시트(2)를 일괄적으로 접합시키는 방법이다. 구체적으로는, LED칩(9)이 실장 기판의 오목부에 실장되어 밀봉 수지(19)로 포매(包埋)된 실장 기판(20)을 기재(1) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)와 일괄적으로 접합시킨다. 그 후에 LED칩의 발광면과 접합된 형광체 함유 수지 시트를 기재(1)로부터 박리한다. 이렇게 해서 형광체 함유 수지 시트가 표면에 설치된 LED칩이 실장 완료된 기판(21)을 얻을 수 있다.
또한, 도 17에서는 접합 후의 형광체 함유 수지 시트(2)가 접촉하고 있는 것은 밀봉 수지(19)지만, 실장 기판(20)에 있어서 밀봉 수지(19)측의 면은 LED칩의 발광면측이기 때문에, 본 명세서에서는 도 17과 같은 실시형태도 수지 시트 적층체와 LED칩의 발광면을 접합시키는 형태에 포함한다.
도 16∼도 17에 나타낸 방법의 경우, 가고정 시트를 필요로 하지 않고 기판에 실장된 LED칩에 대하여 직접 접합을 행할 수 있기 때문에, 공정의 보다 나은 단축이 가능하다.
1 : 기재 2 : 형광체 함유 수지 시트
3 : 포토레지스트 4 : 스크린 인쇄판
5 : 스퀴지 6 : 이형제
7 : 점착층 8 : 관통 구멍
9 : LED칩 10 : 가고정 시트
11 : 수지 시트 적층체
12 : 가고정 시트에 배치된 LED칩 어레이
13 : 형광체가 부착된 LED칩 어레이
14 : 실장 기판 15 : 패드 전극
16 : 범프 17 : LED칩이 실장 완료된 기판
18 : 형광체 함유 수지 시트가 표면에 설치된 LED칩이 실장 완료된 기판
19 : 밀봉 수지 20 : 실장 기판
21 : 형광체 함유 수지 시트가 표면에 설치된 LED칩이 실장 완료된 기판

Claims (11)

  1. 기재 상에 형광체 함유 수지 시트가 설치된 수지 시트 적층체로서: 상기 형광체 함유 수지 시트는 복수의 구획으로 분할되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재는 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수의 구획에 걸쳐서 면 방향으로 연속되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기재는 상기 형광체 함유 수지 시트를 분할하는 경계 위치와 동일한 위치에 있어서 오목부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기재와 상기 형광체 함유 수지 시트 사이에 이형제가 존재하는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체 함유 수지 시트에 점착층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체 함유 수지 시트가 적층되어 있는 기재는 수지 필름인 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체 함유 수지 시트에 있어서의 상기 구획은 시트의 면 방향에 대하여 수직 방향으로부터 보았을 때의 형상이 규칙적인 반복 패턴으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체 함유 수지 시트는 LED의 발광면에 부착된 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  9. 기재 상에 복수의 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트를 형성해서 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 수지 시트 적층체를 제조하는 방법으로서: 형광체 함유 수지 시트를 복수의 구획으로 분할하는 공정은 약액에 의한 에칭, 스크린 인쇄에 의한 패터닝, 금형에 의한 펀칭, 레이저에 의한 가공, 및 블레이드에 의한 절삭 중 적어도 하나의 방법에 의한 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체의 제조 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 수지 시트 적층체에 있어서의 분할된 형광체 함유 수지 시트에 LED칩의 발광면을 접합시키는 공정(A)과, 상기 LED칩의 발광면과 접합된 형광체 함유 수지 시트를 기재로부터 박리하는 공정(B)을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 공정(A)에 있어서는 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수의 구획의 배치에 대응하도록 배치된 복수개의 상기 LED칩의 발광면을 일괄적으로 상기 형광체 함유 수지 시트에 접합시키는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 LED칩의 제조 방법.
KR1020137006049A 2011-06-07 2012-04-24 수지 시트 적층체, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 ｌｅｄ칩의 제조 방법 KR101330592B1 (ko)

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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101922457B1 (ko) * 2012-06-28 2018-11-27 도레이 카부시키가이샤 수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법
JP2014192326A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
DE102013207564A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Element, optoelektronisches Bauelement und Druckschablone
DE102013104776A1 (de) 2013-05-08 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements, Wellenlängenkonversionselement und Bauelement aufweisend das Wellenlängenkonversionselement
KR101474265B1 (ko) * 2013-06-17 2014-12-18 한국생산기술연구원 경화성 수지를 이용한 형광층 제조방법 및 발광 다이오드 패키지 제조방법
DE102013211634A1 (de) 2013-06-20 2014-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements
DE102013214400A1 (de) * 2013-07-23 2015-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip
KR101503018B1 (ko) * 2013-08-20 2015-03-17 주식회사 프로텍 Led 칩용 형광 필름 픽업 장치
US9666771B2 (en) 2014-02-27 2017-05-30 Koninklijke Philips N.V. Method of forming a wavelength converted light emitting device
KR101520743B1 (ko) * 2014-05-16 2015-05-18 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드 패키지 제조방법
KR102145208B1 (ko) 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
CN105047800A (zh) * 2014-09-19 2015-11-11 秦水林 Led荧光粉胶片制作方法
FR3028672B1 (fr) * 2014-11-18 2018-01-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
KR101633872B1 (ko) * 2014-11-27 2016-06-28 한국광기술원 형광체 시트를 이용한 발광다이오드 소자 제조방법
WO2016144732A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-15 Koninklijke Philips N.V. Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (led) dies using a dicing tape, method to form a dicing tape, and dicing tape
DE102015105474A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung
JP2016222902A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 日東電工株式会社 蛍光体プレートの製造方法
WO2016194948A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 日東電工株式会社 蛍光体樹脂シートの製造方法
WO2016194947A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 日東電工株式会社 蛍光体樹脂シート、貼着光半導体素子およびその製造方法
TWI669836B (zh) * 2015-10-05 2019-08-21 行家光電股份有限公司 發光裝置的製造方法
US10193031B2 (en) * 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
JP6722480B2 (ja) * 2016-03-16 2020-07-15 デュポン帝人アドバンスドペーパー株式会社 アラミド紙とポリイミドフィルムの積層体及びその製造方法
JP6648660B2 (ja) 2016-09-21 2020-02-14 日亜化学工業株式会社 蛍光体含有部材及び蛍光体含有部材を備える発光装置
US10580932B2 (en) 2016-12-21 2020-03-03 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
US10014450B1 (en) * 2017-02-09 2018-07-03 Asm Technology Singapore Pte Ltd Method for manufacturing a light emitting diode device and the light emitting diode device so manufactured
JP2018155968A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日亜化学工業株式会社 透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法
CN107146838B (zh) * 2017-07-05 2019-02-26 深圳市彩立德照明光电科技有限公司 一种led器件的封装工艺及led器件
KR102354818B1 (ko) * 2017-07-28 2022-01-24 도레이 카부시키가이샤 색 변환 조성물, 색 변환 필름, 그리고 그것을 포함하는 광원 유닛, 디스플레이 및 조명
US11335835B2 (en) * 2017-12-20 2022-05-17 Lumileds Llc Converter fill for LED array
US11054112B2 (en) 2017-12-22 2021-07-06 Lumileds Llc Ceramic phosphor with lateral light barriers
JP7101785B2 (ja) 2017-12-22 2022-07-15 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光バリアを有する蛍光体
JP6912728B2 (ja) * 2018-03-06 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び光源装置
US10903266B2 (en) * 2018-12-31 2021-01-26 Lumileds Llc Ultra-smooth sidewall pixelated array LEDs
US10910433B2 (en) 2018-12-31 2021-02-02 Lumileds Llc Pixelated LED array with optical elements
CN110084596B (zh) * 2019-04-01 2023-02-10 杜晓楠 一种处理区块链混合共识的方法和装置
US11063191B2 (en) 2019-10-15 2021-07-13 Lumileds Llc Forming a multicolor phosphor-converted LED array
US11749786B2 (en) 2019-10-15 2023-09-05 Lumileds Llc Multicolor phosphor-converted LED array
CN114787997A (zh) * 2019-10-15 2022-07-22 亮锐有限责任公司 形成多色磷光体转换led阵列
TWI766234B (zh) * 2020-02-10 2022-06-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光二極體晶片封裝結構及其製作方法
US11322665B2 (en) 2020-05-14 2022-05-03 Lumileds Llc Adhesive film transfer coating and use in the manufacture of light emitting devices
CN115668520A (zh) * 2020-05-14 2023-01-31 亮锐有限责任公司 粘合膜转移涂层及其在制造光发射装置中的应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2009239022A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Lintec Corp 発光モジュール製造用シート、発光モジュール用シート、その製造方法及び発光モジュール
JP2010258281A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Nichia Corp 発光素子チップ組立体およびその製造方法
JP2011102004A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Nitto Denko Corp 蛍光体含有複合シート

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4146406B2 (ja) 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
DE102006026481A1 (de) * 2006-06-07 2007-12-13 Siemens Ag Verfahren zum Anordnen einer Pulverschicht auf einem Substrat sowie Schichtaufbau mit mindestens einer Pulverschicht auf einem Substrat
US7973327B2 (en) * 2008-09-02 2011-07-05 Bridgelux, Inc. Phosphor-converted LED
JP2010159411A (ja) 2008-12-12 2010-07-22 Nitto Denko Corp 半硬化状シリコーン樹脂シート
CN101452985A (zh) * 2008-12-31 2009-06-10 广东昭信光电科技有限公司 一种白光发光二极管器件的封装结构和方法
US8597963B2 (en) * 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
TWI411092B (en) * 2009-06-24 2013-10-01 Led package structure with external lateral cutting beveled edges and method for manufacturing the same
WO2011109442A2 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Oliver Steven D Led packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same
JP2011199193A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP2011228602A (ja) * 2010-04-23 2011-11-10 Toray Ind Inc Ｌｅｄ発光装置およびその製造方法
JP5427709B2 (ja) * 2010-06-29 2014-02-26 日東電工株式会社 蛍光体層転写シートおよび発光装置
KR101253586B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-11 삼성전자주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
JP5485112B2 (ja) * 2010-11-02 2014-05-07 信越化学工業株式会社 光半導体装置の製造方法
US9117979B2 (en) * 2010-12-13 2015-08-25 Toray Industries, Inc. Phosphor sheet, LED and light emitting device using the same and method for manufacturing LED

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2009239022A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Lintec Corp 発光モジュール製造用シート、発光モジュール用シート、その製造方法及び発光モジュール
JP2010258281A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Nichia Corp 発光素子チップ組立体およびその製造方法
JP2011102004A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Nitto Denko Corp 蛍光体含有複合シート

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