TWI693730B - 發光裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：將於基材膜上具有螢光體層的螢光體片材的螢光體層切成單片的步驟；對螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取經切成單片的螢光體層的步驟；以及將經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟，並且發光裝置的製造方法的特徵在於：熱處理或紫外線照射之前的室溫下的螢光體層與基材膜間的接著強度A、及熱處理或紫外線照射之後的室溫下的螢光體層與基材膜間的接著強度B為A=5.0N/cm以上
B=0.1N/cm以下。

Description

發光裝置的製造方法
本發明是有關於一種發光裝置的製造方法以及顯示裝置的製造方法。
發光二極體(Light Emitting Diode，LED)以其發光效率的顯著提高為背景，以低消耗電力、長壽命、創意性等作為特長而面向液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)的背光(backlight)、或於汽車的頭燈(head light)等汽車領域中急遽擴大市場。LED由於環境負荷亦低，故期待今後於普通照明領域中亦形成巨大的市場。
LED的發光光譜依存於形成LED晶片的半導體材料，故其發光色受限。因此，為了使用LED獲得LCD背光或面向普通照明的白色光，必須於LED晶片上設置與各晶片相對應的螢光體，將發光波長變換。具體而言提出有以下方法等：於發出藍色光的LED晶片上設置黃色螢光體的方法；於藍色LED晶片上設置紅色及綠色的螢光體的方法；於發出紫外線的LED晶片上設置紅色、綠色、藍色的螢光體的方法等。該些方法中，就LED晶片的發光效率或成本(cost)的方面而言，目前最廣泛地採用於藍色LED上設置黃色螢光體的方法、以及於藍色螢光體上設置紅色及綠色的螢光體的方法。
作為於LED晶片上設置螢光體的具體方法之一，提出有使用螢光體片材的方法，所述螢光體片材為螢光材料預先均勻地分佈而成的片狀的樹脂層（螢光體層）。該方法與目前已實用化的將分散有螢光體的液狀樹脂分配（dispense）於LED晶片上並進行硬化的方法相比較，容易將一定量的螢光體配置於LED晶片上，結果於可使所得的白色LED的顏色或亮度均勻的方面而言優異。
一般而言螢光體片材於基材膜上具有螢光體層，視需要於最上面具有保護膜。使用此種螢光體片材來製造LED發光裝置的情形的一個製造方法為：將保護膜剝離後，藉由切斷加工將螢光體層切成單片（singulation），藉由晶片安裝器（chip mounter）等拾取（pick up）經切成單片的螢光體層並貼附於LED晶片上（例如參照專利文獻1）。再者，於切斷加工時有時亦對螢光體片材實施開孔加工。
另外，作為其他方法，將多個LED一起埋設於片狀的螢光體層中（例如參照專利文獻2）。另外，其後為了將LED晶片切成單片，亦提出有藉由切割（dicing）將一起埋設後的帶螢光體層的LED切斷成單片的方法（例如參照專利文獻3）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-235368號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-123802號公報 [專利文獻3]日本專利特開2014-130918號公報
[發明所欲解決之課題] 於如專利文獻1所記載般將螢光體片材預先切成單片後與LED晶片貼合的方法中，於生產性的方面而言，重要的是切成單片的容易程度及其操作性。於此方面而言，於螢光體層與基材膜的接著強度不充分的情形時，有於切斷加工時螢光體層自基材膜剝離而飛散等問題。另外，反之於螢光體層與基材膜的接著強度過強的情形時，有於拾取經切成單片的螢光體層時無法拾取等問題。
另外，專利文獻2或專利文獻3中列舉的螢光體片材因重視LED晶片的嵌埋性，故螢光體層的柔軟性高，亦有於切斷加工等切成單片步驟、或開孔加工時螢光體層變形等問題。
如此，於提高生產性時，兼顧切斷加工性與拾取性成為課題。
鑒於該狀況，本發明的目的在於提供一種使用切斷加工性優異、且拾取性亦優異的螢光體片材的發光裝置的製造方法。另外，本發明的目的在於藉此而提高LED發光裝置的生產性。 [用以解決課題之手段]
本發明為一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：於在基材膜上具有螢光體層的螢光體片材中將所述螢光體層切成單片的步驟；對所述螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟，並且所述發光裝置的製造方法的特徵在於：所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為 A＝5.0 N/cm以上 B＝0.1 N/cm以下。 [發明的效果]
根據本發明的製造方法，可容易地進行螢光體層的切成單片等切斷加工，且拾取性優異，故可提高使用螢光體片材的發光裝置的生產性。
本發明是一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：於在基材膜上具有螢光體層的螢光體片材中將所述螢光體層切成單片的步驟；對所述螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟，並且所述發光裝置的製造方法的特徵在於：所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為 A＝5.0 N/cm以上 B＝0.1 N/cm以下。
圖1為表示本發明的發光裝置的製造方法中所用的螢光體片材的一例的示意剖面圖。螢光體片材6是於包含黏著層3及膜4的基材膜5之上形成含有螢光體1的螢光體層2而成。
亦可於螢光體層的上層及/或下層設置其他螢光體層、擴散層、透明層。
所謂透明層，為含有波長450 nm下的全光線透過率為90%以上的樹脂、且不含螢光體的層。透明層較佳為具有黏著性，以可不使用接著劑而貼附於LED晶片。進而，較佳為折射率為1.58以上。於將透明層貼附於折射率高的GaN或藍寶石等的LED晶片表面上的情形時，可降低折射率差而改善光擷取。因此，透明層較佳為設置於螢光體層的下層。
另外，所謂擴散層，是指含有樹脂及二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯等擴散材料的層。藉由設置擴散層，可減弱自LED晶片發出的光的指向性，擷取更具各向同性的光。因此，擴散層較佳為設置於螢光體層的上層。
於圖2中示出於螢光體層2的上層形成有擴散層7、於下層形成有透明層8的螢光體片材。
＜發光裝置的製造方法＞ 與製造發光裝置的方法有關的以下說明為一例，本發明不限於該些說明。
本發明的發光裝置的製造方法包括以下步驟：將螢光體片材的螢光體層切成單片的步驟；對所述經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟。
而且，所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為 A＝5.0 N/cm以上 B＝0.1 N/cm以下。 藉由該關係，切斷加工性與拾取性均變得更良好。
接著強度A對切斷加工性的影響大，若小於5.0 N/cm，則於切斷加工時螢光體層容易自基材膜剝離。於切斷加工性的方面而言，接著強度A更佳為10 N/cm以上。
接著強度B對拾取性的影響大，若超過0.1 N/cm，則於經切成單片的螢光體層的拾取時，容易產生螢光體層的破裂或缺損。於拾取性的方面而言，接著強度B更佳為0.05 N/cm以下。
關於用以使接著強度降低的熱處理條件，處理溫度較佳為60℃～200℃，更佳為80℃～160℃。處理時間較佳為5分鐘以上，更佳為10分鐘以上。另外，關於用以使接著強度降低的紫外線照射條件，以i射線換算計至少為100 mJ/cm2 的曝光，更佳為150 mJ/cm2 以上。
尤其於熱處理的情形時，較佳為於90℃下處理20分鐘後的接著強度B為所述範圍，於紫外線照射的情形時，較佳為進行以i射線換算計為200 mJ/cm2 的曝光後的接著強度B為所述範圍。
所謂本發明中的接著強度，是指藉由依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）C6471（1995）可撓性印刷配線板用覆銅積層板試驗方法中的銅箔的剝離強度的測定方法A的方法所測定的強度。於測定螢光體層與基材膜的接著強度的情形時，對基材膜自螢光體層的剝離強度進行測定。
具體而言，使用數位測力計（digital force gauge）「FGN-5B」（日本電產新寶（Nidec-Shimpo）公司製造）、電動式立式測力計測試支架（force gauge test stand）「FGS-50-VB-L（H）」（日本電產新寶（Nidec-Shimpo）公司製造）、90度剝離夾具「FGTT-12」（日本電產新寶（Nidec-Shimpo）公司製造）作為測定裝置，將雙面膠帶「NW-R15」（米其邦（Nichiban）公司製造）用於固定樣本（sample），對基材膜與螢光體層間的接著強度進行測定。
為了調整接著強度，首先螢光體層的黏著性變重要。螢光體層的黏著性是由所使用的樹脂的種類、螢光體的種類、螢光體的含量或製作螢光體層時的乾燥條件所決定。因此，於調整接著強度的情形時，必須選定與螢光體層的黏著性相適應的基材膜。
於圖3（a）～圖3（f）中示出發光裝置的製造方法的一實施形態。
（將螢光體層切成單片的步驟） 圖3（a）、圖3（b）為將螢光體層切成單片的步驟。以切成單片為目的而將螢光體層2切斷的方法並無特別限定，可使用利用模具的沖孔（punching）、利用雷射的加工、利用刀具的切削等方法。
此時，螢光體層2保持貼附於基材膜5上的狀態。利用雷射的加工因賦予高能量，故視照射條件不同而有時發生樹脂的燒焦或螢光體的劣化。利用刀具的切削因並無此種擔憂，故更佳。於圖3（a）中例示使用刀具9的切削。
利用刀具的切削方法有按壓簡單刀具進行切割的方法、及藉由旋轉刀進行切割的方法，均可較佳地使用。藉由旋轉刀進行切斷的裝置可較佳地利用被稱為切割機（dicer）的用於將半導體基板切斷（切割）成各個晶片的裝置。若使用切割機，則可藉由旋轉刀的厚度或條件設定而精密地控制分割線的寬度，故可獲得較藉由簡單刀具的按壓進行切斷的情況更高的加工精度。於任一情形時均可連同基材進行切成單片，或者亦可將螢光體層切成單片並且不切斷基材。或者，亦可較佳地使用切入不貫穿基材的切割線的所謂半切穿（half cut）。
切斷較佳為利用乾式裁切（dry cut）的切斷。所謂乾式裁切，為於切斷時不使用水等液體的切斷方法。例如可列舉利用湯姆生（Thompson）刀具的切斷等，但不限定於此。於螢光體層含有後述KSF螢光體（例如K2 SiF6 ：Mn）等般因與水反應而發光效率降低的螢光體的情形時，乾式裁切特別有效。
經切成單片的螢光體層的形狀並無特別限制，可列舉正方形、長方形、六邊形等多邊形、圓形、橢圓形等。該些形狀中較佳為正方形及長方形。
經切成單片的螢光體層較佳為至少一邊的長度為0.1 mm以上。於藉由刀具或旋轉刀進行切斷時，因存在刀具或旋轉刀自身的厚度，故有時對螢光體層施加應力而產生微小的裂縫。若欲以小於0.1 mm的尺寸將螢光體層切成單片，則有時於鄰接的分斷線間產生的微小裂縫相連，導致螢光體層斷裂。若接著強度A為5.0 N/cm以上、更佳為10 N/cm以上，且經切成單片的螢光體層的至少一邊的長度為0.1 mm以上，則可進行切斷加工而不會產生此種問題，故較佳。
另外，經切成單片的螢光體層較佳為至少一邊的長度為3 mm以下，更佳為0.3 mm以下。於自基材膜拾取經切成單片的螢光體層的步驟中使用筒夾（collet）等吸引夾具，但此時存在經切成單片的螢光體層的一部分自基材膜剝離、一部分接著於基材膜的瞬間。於該瞬間對螢光體層施加應力。該應力與經切成單片的螢光體層的大小成比例，經切成單片的螢光體的尺寸越大，越容易發生螢光體層的斷裂。若接著強度B為0.1 N/cm以下、更佳為0.05 N/cm以下，且經切成單片的螢光體層的至少一邊的長度為3 mm以下、更佳為0.3 mm以下，則可進行拾取而不會產生此種問題，故較佳。
螢光體層亦可於切成單片步驟之前後、或與切成單片同時實施開孔加工。開孔加工可較佳地使用雷射加工、模具沖孔等公知的方法，但雷射加工視照射條件不同而有時發生樹脂的燒焦或螢光體的劣化，故更佳為並無此種擔憂的利用模具的沖孔加工。
於實施沖孔加工的情形時，於將螢光體層貼附於LED晶片上後無法進行沖孔加工，故必須於貼附前實施沖孔加工。此時，螢光體層保持貼附於基材膜上的狀態。利用模具的沖孔加工可根據欲貼附的LED晶片的電極形狀等而開出任意形狀或大小的孔。
關於孔的大小或形狀，只要設計模具便可形成任意的大小或形狀。對於1 mm見方左右的LED晶片上的電極接合部分而言，為了不減小發光面的面積，例如於電極接合部分為圓形的情形時，其直徑理想的是200 μm以下，孔的大小較佳為與此相對應而以200 μm以下的直徑形成。另外，進行打線接合（wire bonding）等的電極需要某程度的大小，例如於電極部分為圓形的情形時至少其直徑成為50 μm左右的大小，故孔的大小較佳為與此相對應而其直徑為50 μm左右。
若孔的大小相較於電極而過大，則有時發光面露出而產生漏光，LED發光裝置的顏色特性降低。另外，若相較於電極而過小，則於打線接合時有時引線接觸而引起接合不良。因此，關於圖案加工，較佳為以±10%以內的高精度而加工50 μm以上且200 μm以下的小孔。
任一加工均是保持螢光體層貼附於基材膜上的狀態進行，故於加工時螢光體層自膜剝離的情況容易成問題。於此種加工時螢光體層不產生自基材膜剝離、於加工部分不產生破裂或缺損的情形時，可謂加工性良好。
以下，有時將於基材膜上貼附有經切成單片的螢光體層的狀態的螢光體片材稱為「切單片材」。
（對螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟） 圖3（c）為對螢光體層經切成單片的螢光體片材、即切單片材10進行熱處理或紫外線照射的步驟。於本發明的發光裝置的製造方法中，螢光體層與基材膜間的接著強度因熱處理或紫外線照射而降低，故可藉由該步驟而使螢光體層與基材膜的接著力降低。於進行紫外線照射的情形時，可自任何方向照射，但自基材膜側照射紫外線的情況下更有效。熱處理或紫外線照射的較佳條件如上文已述。
（拾取經切成單片的螢光體層的步驟） 圖3（d）為拾取經切成單片的螢光體層的步驟。於該步驟中，使用具備筒夾等吸引裝置的拾取裝置來拾取螢光體層。圖3（d）中例示筒夾11作為拾取裝置。
於本發明中，螢光體層與基材膜的接著力可改變，因此可容易地進行如下步驟：於基材膜上將螢光體層切成單片，並拾取經切成單片的螢光體層貼附至LED晶片上。於經切成單片的螢光體層容易自基材膜剝離、且所剝離的螢光體層中不產生破裂或缺損的情形時，可謂拾取性良好。
其中，較佳為使用如下筒夾作為吸引裝置，所述筒夾含有吸附保持切單片材10的面的開口面積率為30%以上且60%以下的多孔結構體、保持該多孔結構體的包含彈性體的保持體、及位於該保持體的內部且經由多孔結構體而吸引螢光體片材的吸引路。
多孔結構體較佳為具有網（mesh）狀的開口，例如使線徑15 μm的不鏽鋼製線（wire）於正交的兩個方向上交叉而製成織物狀，形成30 μm見方的開口。藉此於將螢光體層切成單片為0.5 mm見方以下的尺寸的情形時亦可拾取。
（將經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟） 圖3（e）為將經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片12上的步驟。搬送拾取有經切成單片的螢光體層的筒夾11，貼附於作為LED晶片12的與電極形成面為相反側的面的光擷取面上。
貼附時較佳為使用接著劑（未圖示），可使用公知的固晶（die bond）劑或接著劑，例如丙烯酸樹脂系、環氧樹脂系、胺基甲酸酯樹脂系、矽酮樹脂系、改質矽酮樹脂系、酚樹脂系、聚醯亞胺系、聚乙烯醇系、聚甲基丙烯酸酯樹脂系、三聚氰胺樹脂系、脲樹脂系的接著劑。於螢光體層具有黏著性的情形時亦可利用該螢光體層。
另外，將螢光體層加熱並進行貼附的方法亦較佳。於經半硬化的螢光體片材的情形時，較佳為利用由加熱所致的硬化。加熱條件較佳為於100℃以上且200℃以下的溫度下加熱1分鐘以上且1小時以下，更佳為於120℃以上且150℃以下的溫度下加熱5分鐘以上且30分鐘以下。
另外，於螢光體層於硬化後具有熱軟化性的情形時，亦可藉由熱融著而接著。
另外，若於大氣中進行將螢光體層加熱並貼附於LED晶片上的步驟，則有時於LED晶片與螢光體片材間混入氣泡。於混入有氣泡的情形時，光於氣泡-LED晶片及氣泡-螢光體層的界面上發生漫反射，由此自LED晶片的光擷取效率降低，結果導致所製造的發光裝置的亮度降低。
就防止此種氣泡的混入的觀點而言，較佳為於真空環境下進行將螢光體層加熱並進行貼附的步驟。所謂真空環境下，較佳為10 hPa以下，更佳為5 hPa以下，尤佳為1 hPa以下。加熱條件較佳為於40℃以上且200℃以下的溫度下加熱1秒鐘以上且5分鐘以下，更佳為於60℃以上且180℃以下的溫度下加熱2秒鐘以上且3分鐘以下，尤佳為於80℃以上且120℃以下的溫度下加熱10秒鐘以上且1分鐘以下。
（其後的步驟） 其後，利用公知的方法將LED晶片的電極與電路基板的配線電性連接，藉此可獲得發光裝置。於LED晶片於發光面側具有電極的情形時，將LED晶片以發光面朝上利用固晶材料等固定於電路基板上後，藉由打線接合將LED晶片上表面的電極與電路基板的配線連接。另外，於LED晶片為於發光面的相反面具有電極墊的覆晶型的情形時，使LED晶片的電極面與電路基板的配線相對，藉由總括接合而連接。
於螢光體層以半硬化狀態與LED晶片貼附的情形時，可於所述電性連接之前或之後的較佳時序（timing）進行硬化。例如於使覆晶型總括接合的情形時進行熱壓接的接合的情形時，亦可藉由該加熱而同時使螢光體層硬化。另外，於將連接LED晶片與電路基板而成的封裝（package）於更大的電路基板上進行表面封裝的情形時，亦可藉由回流焊來進行焊接同時使螢光體片材硬化。
於將螢光體層以經硬化的狀態與LED晶片貼附的情形時，無需於與LED晶片貼附後設置硬化過程。所謂將螢光體層以經硬化的狀態與LED晶片貼附的情形，例如為於經硬化的螢光體層上另具有接著層的情形、或於硬化後具有熱融著性的螢光體層的情形等。螢光體層亦可兼作LED晶片的密封劑，亦可如圖3（f）所示，進一步使用公知的矽酮樹脂等作為透光性密封材料15來將貼附有螢光體層的LED晶片密封。另外，亦可利用透光性密封材料將LED晶片密封後，於密封材料上貼附螢光體層而使用。
另外，於應用於面朝上（face-up）型的LED晶片的情形時，與上文所述同樣地將螢光體層切成單片後，貼附於LED晶片的光擷取面上。於螢光體層為半硬化狀態的情形時，於貼附後使螢光體層硬化。此處，對於面朝上型的LED晶片而言，於光擷取面上形成有至少一種電極，自該電極如後述般藉由打線接合等而取得導通。因此，螢光體層是以至少電極的一部分露出的方式貼附。當然，亦可僅貼附於光擷取部分。於該情形時，螢光體層能以電極的一部分露出的方式而圖案化。其後，將LED晶片的與光擷取面為相反側的面固定於電路基板上，藉由打線接合等公知的方法將LED晶片與電路基板加以電性連接，藉此可獲得發光裝置。
（其他實施形態） 於圖4（a）～圖4（f）中示出本發明的發光裝置的製造方法的其他實施形態。直至圖4（b）所示的步驟為止與直至圖3（b）所示的步驟為止相同。本實施形態中，其後包括如圖4（b-2）所示般將基材膜延伸的步驟。藉由將基材膜延伸，可於經切成單片的螢光體層間形成間隙。藉由如此般製作間隙，於拾取僅一個經切成單片的螢光體層的情形時，可更簡便地進行拾取。
此時，若以放射狀進行延伸，則以棋盤格狀形成間隙。圖5（a）為表示如圖3（b）或圖4（b）中所見般將螢光體層2切斷後的螢光體片材6的俯視圖的一例。螢光體層2是藉由分斷線16而被切成單片為矩形。另外，圖5（b）為將圖5（a）所示的螢光體片材的基材膜於縱向及橫向上延伸後的螢光體片材。藉由如圖5（b）般於螢光體層間具有大的間隙17，可僅可靠地拾取目標螢光體層，故更佳。
為了使拾取容易，間隙以大為佳。因此，基材的延伸度較佳為0.5以上，更佳為1以上，進而佳為1.5以上，尤佳為2以上。此處所謂延伸度為藉由下述計算式所算出的值。
[數1]
Figure 02_image001
另外，作為其他變形例，亦可對經封裝至基板上的狀態的LED晶片貼附經切成單片的螢光體層。
（螢光體片材） 本發明中所用的螢光體片材為於基材膜上具有螢光體層的片狀物。
（螢光體層） 本發明中所謂螢光體層，是指主要含有螢光體及樹脂的層。視需要亦可含有分散劑、交聯劑、光聚合起始劑、熱聚合起始劑、調平劑、觸變調整劑、塑化劑等成分。
螢光體層較佳為25℃下的儲存模量為0.1 MPa以上。藉此可容易地進行切成單片等切斷加工。更佳為1 MPa以上，進而佳為10 MPa以上，尤佳為100 Mpa以上。若小於0.1 MPa，則螢光體層的柔軟性過高，於切斷加工時產生流動等，故無法進行穩定的切斷加工。 另外，就預防於切斷加工時於螢光體層中產生破裂的觀點而言，較佳為25℃下的儲存模量為2000 MPa以下，更佳為1000MPa以下。
此處所謂儲存模量，是指藉由動態黏彈性測定所求出的儲存模量。所謂動態黏彈性，為於對材料以某正弦頻率施加剪切應變時，將達到恆常狀態的情形時所表現出的剪切應力分解成應變與相位一致的成分（彈性成分）、及應變與相位遲90°的成分（黏性成分），對材料的動態力學特性進行分析的方法。此處，將相位與剪切應變一致的應力成分除以剪切應變所得的值為儲存模量G'，表示各溫度下的針對動態應變的材料的變形、追隨，故與材料的加工性或接著性密切相關。
（樹脂） 螢光體層所含的樹脂為可使螢光體於內部均質地分散的樹脂，只要可形成螢光體層，則可為任意的樹脂。
具體可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，PET）改質聚丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂（PC）、環狀烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂（PET）、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂（PMMA）、聚丙烯樹脂（PP）、改質丙烯酸（辛格來（Singelee），鐘淵化學）、聚苯乙烯樹脂（PE）及丙烯腈-苯乙烯共聚物樹脂（AS）等。本發明中，就透明性的方面而言，可較佳地使用矽酮樹脂或環氧樹脂。進而就耐熱性的方面而言，可尤佳地使用矽酮樹脂。
本發明中所用的矽酮樹脂較佳為硬化型矽酮橡膠。可使用一液型、二液型（三液型）的任一種液構成。硬化型矽酮橡膠中，有作為藉由空氣中的水分或觸媒而發生縮合反應的類型的脫醇型、脫肟型、脫乙酸型、脫羥基胺型等。另外，有作為藉由觸媒而發生矽氫化反應的類型的加成反應型。可使用該些任一類型的硬化型矽酮橡膠。尤其就不存在伴隨著硬化反應的副產物且硬化收縮小的方面、容易藉由加熱而加快硬化的方面而言，加成反應型的矽酮橡膠更佳。
加成反應型的矽酮橡膠的一例是藉由含有鍵結於矽原子的烯基的化合物、與含有鍵結於矽原子的氫原子的化合物的矽氫化反應而形成。關於此種材料，可列舉：藉由乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、降冰片烯基三甲氧基矽烷、辛烯基三甲氧基矽烷等含有鍵結於矽原子的烯基的化合物，與甲基氫化聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-CO-甲基氫化聚矽氧烷、乙基氫化聚矽氧烷、甲基氫化聚矽氧烷-CO-甲基苯基聚矽氧烷等含有鍵結於矽原子的氫原子的化合物的矽氫化反應而形成的矽酮橡膠。另外，除此以外，例如亦可利用日本專利特開2010-159411號公報中記載般的公知的矽酮橡膠。
另外，作為市售品，亦可使用通常的LED用途的矽酮密封材料。具體例有東麗-道康寧（Toray-Dow corning）公司製造的OE-6630A/B、OE-6336A/B或信越化學工業股份有限公司製造的SCR-1012A/B、SCR-1016A/B等。
矽酮樹脂較佳為具有熱融著性。其原因在於：於所述螢光體層具有熱融著性的情形時，可將螢光體層加熱而貼附於LED晶片上。此處所謂熱融著性，為藉由加熱而軟化的性質，於螢光體片材具有熱融著性的情形時，於貼附於LED晶片上時無需使用接著劑，故可簡化步驟。所謂具有熱融著性的螢光體層，為25℃下的儲存模量為0.1 MPa以上、且100℃下的儲存模量小於0.1 MPa的螢光體片材。
具有熱融著性的矽酮樹脂的一例尤佳為使含有（A）～（D）的組成的交聯性矽酮組成物進行矽氫化反應而成的交聯物。該交聯物於60℃～250℃下儲存模量減小，藉由加熱而獲得高的接著力，故可較佳地用作無需接著劑的螢光體片材用的基質樹脂。 （A）平均單元式： (R1 2 SiO2/2 )a (R1 SiO3/2 )b (R2 O1/2 )c 所表示的有機聚矽氧烷， （式中，R1 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或碳原子數2～6的烯基，其中，R1 的65 mol%（莫耳百分比）～75 mol%為苯基，R1 的10 mol%～20 mol%為烯基，R2 為氫原子或碳原子數1～6的烷基，a、b及c為滿足0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1且a＋b＝1的數）； （B）通式： R3 3 SiO(R3 2 SiO)m SiR3 3 所表示的有機聚矽氧烷， （式中，R3 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或碳原子數2～6的烯基，其中，R3 的40 mol%～70 mol%為苯基，R3 的至少一個為烯基，m為5～50的整數）｛相對於（A）成分100重量份而為5重量份～15重量份｝； （C）通式： (HR4 2 SiO)2 SiR4 2 所表示的有機三矽氧烷， （式中，R4 為苯基、或碳原子數1～6的烷基或環烷基，其中，R4 的30 mol%～70 mol%為苯基） ｛該成分中的鍵結於矽原子的氫原子相對於（A）成分中與（B）成分中的烯基的合計量之莫耳比成為0.5～2的量｝；以及 （D）矽氫化反應用觸媒｛促進（A）成分及（B）成分中的烯基與（C）成分中的鍵結於矽原子的氫原子之矽氫化反應的充分的量｝。
（A）成分的通式中，a、b及c的值可獲得所得交聯物的室溫下的充分硬度，且可獲得高溫下的軟化。（B）成分的通式中，若苯基的含量小於所述範圍的下限，則所得交聯物的高溫下的軟化變得不充分，另一方面，若超過所述範圍的上限，則所得交聯物的透明性喪失，其機械強度亦降低。另外，式中，R3 的至少一個為烯基。其原因在於：若不含烯基，則有該成分未參與交聯反應，該成分自所得交聯物中滲出（bleed out）之虞。另外，式中，m為5～50的範圍內的整數，其為維持所得交聯物的機械強度並且保持操作作業性的範圍。
（B）成分的含量為相對於（A）成分100重量份而成為5重量份～15重量份的範圍內的量，且為用以獲得所得交聯物的高溫下的充分軟化的範圍。
（C）成分的通式中，式中，R4 為苯基、或碳原子數1～6的烷基或環烷基。R4 的烷基可例示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、庚基。R4 的環烷基可例示環戊基、環庚基。再者，R4 中，苯基的含量為30 mol%～70 mol%的範圍內。其為獲得所得交聯物的高溫下的充分軟化、且保持透明性及機械強度的範圍。
（C）成分的含量為該成分中的鍵結於矽原子的氫原子相對於（A）成分中及（B）成分中的烯基的合計量之莫耳比成為0.5～2的範圍內的量，其為獲得所得交聯物的室溫下的充分硬度的範圍。
（D）成分為用以促進（A）成分及（B）成分中的烯基與（C）成分中的鍵結於矽原子的氫原子的矽氫化反應的矽氫化反應用觸媒。（D）成分可例示鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒，就可顯著促進矽酮組成物的硬化的方面而言，較佳為鉑系觸媒。該鉑系觸媒可例示鉑微粉末、氯化鉑酸、氯化鉑酸的醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物，尤佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物。該烯基矽氧烷可例示：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷，該些烯基矽氧烷的一部分甲基經乙基、苯基等取代的烯基矽氧烷，該些烯基矽氧烷的乙烯基經烯丙基、己烯基等取代的烯基矽氧烷。尤其就該鉑-烯基矽氧烷錯合物的穩定性良好的方面而言，較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。另外，就可提高該鉑-烯基矽氧烷錯合物的穩定性的方面而言，較佳為於該錯合物中添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等烯基矽氧烷或二甲基矽氧烷寡聚物等有機矽氧烷寡聚物，尤其較佳為添加烯基矽氧烷。
（D）成分的含量只要為用以促進（A）成分及（B）成分中的烯基與（C）成分中的鍵結於矽原子的氫原子之矽氫化反應的充分的量，則並無特別限定，較佳為相對於矽酮組成物，該成分中的金屬原子以質量單位計而成為0.01 ppm～500 ppm的範圍內的量，進而佳為成為0.01 ppm～100 ppm的範圍內的量，尤佳為成為0.01 ppm～50 ppm的範圍內的量。其為所得的矽酮組成物充分交聯、且不產生著色等問題的範圍。
矽酮組成物至少包含所述（A）成分～（D）成分，亦可含有以下成分作為其他任意成分：乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇等炔烴醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷、苯并三唑等反應抑制劑。該反應抑制劑的含量並無限定，較佳為相對於矽酮組成物的重量而為1 ppm～5,000 ppm的範圍內。藉由調整反應抑制劑的含量，亦可調整所得交聯物的儲存模量。
（螢光體） 螢光體只要吸收自LED晶片釋出的光並對波長進行變換，釋出與LED晶片的光不同的波長的光，則並無限定。藉此，自LED晶片釋出的光的一部分與自螢光體釋出的光的一部分混合，獲得包含白色的多色系的LED。具體而言，藉由將藍色系LED與利用來自LED的光而發出黃色系的發光色的光的螢光體進行光學組合，可使用單一的LED晶片而發出白色系的光。
如上所述般的螢光體中，有發出綠色光的螢光體、發出藍色光的螢光體、發出黃色光的螢光體、發出紅色光的螢光體等各種螢光體。本發明中所用的具體螢光體可列舉無機螢光體、有機螢光體、螢光顏料、螢光染料等公知的螢光體。有機螢光體可列舉烯丙基磺醯胺-三聚氰胺甲醛共縮合染色物或苝系螢光體等，就可長期間使用的方面而言，可較佳地使用苝系螢光體。本發明中可尤佳地使用的螢光物質可列舉無機螢光體。以下對本發明中所用的無機螢光體進行記載。
發出綠色光的螢光體例如有SrAl2 O4 ：Eu、Y2 SiO5 ：Ce,Tb、MgAl11 O19 ：Ce,Tb、Sr7 Al12 O25 ：Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種以上)Ga2 S4 ：Eu、Si6-Z AlZ OZ N8-Z ：Eu（0＜Z＜4.2）等。
發出藍色光的螢光體例如有Sr5 (PO4 )3 Cl：Eu、(SrCaBa)5 (PO4 )3 Cl：Eu、(BaCa)5 (PO4 )3 Cl：Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種以上)2 B5 O9 Cl：Eu,Mn、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一種以上)(PO4 )6 Cl2 ：Eu,Mn等。
發出綠色至黃色光的螢光體有至少經鈰活化的釔鋁氧化物螢光體、至少經鈰活化的釔釓鋁氧化物螢光體、至少經鈰活化的釔鋁石榴石氧化物螢光體、及至少經鈰活化的釔鎵鋁氧化物螢光體等（所謂YAG系螢光體）。具體可使用Ln3 M5 O12 ：R（Ln為選自Y、Gd、La中的至少一種以上。M含有Al、Ca的至少任一者。R為鑭系）、(Y1-x Gax )3 (Al1-y Gay )5 O12 ：R（R為選自Ce、Tb、Pr、Sm、Eu、Dy、Ho中的至少一種以上。0＜x＜0.5，0＜y＜0.5）等。
發出紅色光的螢光體例如有Y2 O2 S：Eu、La2 O2 S：Eu、Y2 O3 ：Eu、Gd2 O2 S：Eu、K2 SiF6 ：Mn等。
另外，與目前主流的藍色LED相對應而發光的螢光體可列舉：Y3 (Al,Ga)5 O12 ：Ce、(Y,Gd)3 Al5 O12 ：Ce、Lu3 Al5 O12 ：Ce、Y3 Al5 O12 ：Ce等YAG系螢光體，Tb3 Al5 O12 ：Ce等TAG系螢光體，(Ba,Sr)2 SiO4 ：Eu系螢光體或Ca3 Sc2 Si3 O12 ：Ce系螢光體、(Sr,Ba,Mg)2 SiO4 ：Eu等矽酸鹽系螢光體，(Ca,Sr)2 Si5 N8 ：Eu、(Ca,Sr)AlSiN3 ：Eu、CaSiAlN3 ：Eu等氮化物系螢光體，Cax (Si,Al)12 (O,N)16 ：Eu等氮氧化物系螢光體，進而(Ba,Sr,Ca)Si2 O2 N2 ：Eu系螢光體、Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu系螢光體、SrAl2 O4 ：Eu、Sr4 Al14 O25 ：Eu、Si6-Z AlZ OZ N8-Z ：Eu（0＜Z＜4.2）等賽隆螢光體，通式A2 MF6 ：Mn（此處，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的組群中且至少包含Na及/或K的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的組群中的一種以上的四價元素）所表示的複氟化物螢光體等螢光體（KSF螢光體）。
該些螢光體中，就發光效率或亮度等方面而言，可較佳地使用YAG系螢光體、TAG系螢光體、矽酸鹽系螢光體。另外，β型賽隆螢光體、Mn活化複氟化物螢光體（所謂KSF螢光體）於廣色度範圍的方面而言較佳。KSF螢光體與β型賽隆螢光體等螢光體相比較硬度更低，於切割螢光體片材的面上不易出現毛邊，故尤佳。
除了所述以外，亦可根據用途或目標發光色而使用公知的螢光體。
螢光體可較佳地使用粒子狀者。螢光體的平均粒徑並無特別限制，較佳為D50為0.05 μm以上，更佳為3 μm以上。另外，較佳為D50為30 μm以下，更佳為20 μm以下。
本發明中所謂平均粒徑是指中值徑、即D50。螢光體層所含的螢光體的D50是利用以下方法來測定：對螢光體層剖面的由掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）所得的測定圖像進行圖像處理而求出粒徑分佈，於由此所得的體積基準粒度分佈中，將自小粒徑側起的通過成分累計50%的粒徑作為中值徑D50。於粒子為球形的情形時，將粒子直徑作為粒徑。於粒子並非球形的情形時，將最長徑的長度與最短徑的長度的平均值作為粒徑。若D50為所述範圍，則螢光體片材中的螢光體的分散性良好，可獲得穩定的發光。
本發明中，對螢光體的含量並無特別限制，就提高來自LED晶片的發光的波長變換效率的觀點而言，較佳為螢光體於螢光體層的總固體成分中所佔的比例為40重量%以上，更佳為50重量%以上，進而佳為60重量%以上，尤佳為65重量%以上。螢光體含量的上限並無特別規定，就容易製成作業性優異的螢光體層等觀點而言，較佳為螢光體層總體的95重量%以下，更佳為90重量%以下，進而佳為85重量%以下，尤佳為80重量%以下。
本發明的螢光體層中的螢光體含量可根據製作完成的螢光體層、或搭載有該螢光體層的LED發光裝置而求出。例如製作以樹脂包埋螢光體層並將其切斷、對剖面進行研磨而成的試樣，利用掃描式電子顯微鏡（SEM）對該露出的剖面進行觀測，藉此可明確地判別樹脂部分與螢光體粒子部分。可根據該剖面像的面積比而準確地測定螢光體粒子於螢光體層總體中所佔的體積比率。
於形成螢光體層的樹脂及螢光體的比重明確的情形時，藉由將體積比率除以各自的比重，可計算螢光體於螢光體層中所佔的重量比率。於樹脂或螢光體的組成不明的情形時，藉由利用高解析度的顯微紅外光譜或感應耦合電漿（Inductively Coupled Plasma，ICP）發光分析對螢光體層的剖面進行分析，可判別組成。若組成變明確，則能以相當程度的準確度來推定樹脂或螢光體的物質固有的比重，故可使用其而求出重量比率。
另外，於搭載有螢光體層的LED發光裝置的情形時，亦可藉由將LED發光裝置分解取出螢光體層部分，並利用相同的方法進行剖面觀察，而求出螢光體於螢光體層中所佔的重量比率。於根據此種方法而製作螢光體層時的添加比率不明的情形時，亦可藉由所述方法或其他公知的分析方法，根據製作完成的螢光體層及搭載有該螢光體層的LED發光裝置來確認螢光體層中的螢光體重量比率。
（矽酮微粒子） 螢光體層較佳為含有矽酮微粒子。藉由含有矽酮微粒子，可獲得不僅接著性或加工性而且膜厚均勻性亦良好的螢光體層。
螢光體層所含有的矽酮微粒子較佳為包含矽酮樹脂及/或矽酮橡膠的微粒子。尤其較佳為藉由以下方法所得的矽酮微粒子：將有機三烷氧基矽烷或有機二烷氧基矽烷、有機三乙醯氧基矽烷、有機二乙醯氧基矽烷、有機三肟矽烷、有機二肟矽烷等有機矽烷水解，繼而使其縮合。
有機三烷氧基矽烷可例示：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三正丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三正丁氧基矽烷、甲基三異丁氧基矽烷、甲基三-第二丁氧基矽烷、甲基三-第三丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、正丁基三丁氧基矽烷、異丁基三丁氧基矽烷、第二丁基三甲氧基矽烷、第三丁基三丁氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷等。
有機二烷氧基矽烷可例示：二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基異丁基甲基二甲氧基矽烷、N-乙基胺基異丁基甲基二乙氧基矽烷、(苯基胺基甲基)甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷等。
有機三乙醯氧基矽烷可例示：甲基三乙醯氧基矽烷、乙基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷等。
有機二乙醯氧基矽烷可例示：二甲基二乙醯氧基矽烷、甲基乙基二乙醯氧基矽烷、乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、乙烯基乙基二乙醯氧基矽烷等。
有機三肟矽烷可例示甲基三甲基乙基酮肟矽烷、乙烯基三甲基乙基酮肟矽烷，有機二肟矽烷可例示甲基乙基雙甲基乙基酮肟矽烷等。
此種粒子具體而言可藉由日本專利特開昭63-77940號公報中報告的方法、日本專利特開平6-248081號公報中報告的方法、日本專利特開2003-342370號公報中報告的方法、日本專利特開平4-88022號公報中報告的方法等而獲得。另外，以下方法亦已為人所知：將有機三烷氧基矽烷或有機二烷氧基矽烷、有機三乙醯氧基矽烷、有機二乙醯氧基矽烷、有機三肟矽烷、有機二肟矽烷等有機矽烷及/或其部分水解物添加至鹼性水溶液中，進行水解、縮合而獲得粒子的方法；或於水或酸性溶液中添加有機矽烷及/或其部分水解物，獲得該有機矽烷及/或其部分水解物的水解部分縮合物後，添加鹼進行縮合反應而獲得粒子的方法；以有機矽烷及/或其水解物為上層，以鹼或鹼與有機溶劑的混合液為下層，於該些層的界面上使該有機矽烷及/或其水解物進行水解、縮聚而獲得粒子的方法等，該些任一方法均可獲得本發明中所用的粒子。
該些方法中，較佳為使用藉由以下方法所得的矽酮粒子：於使有機矽烷及/或其部分水解物進行水解、縮合而製造球狀有機聚倍半矽氧烷微粒子時，於日本專利特開2003-342370號公報中報告般的反應溶液內添加高分子分散劑。
另外，亦可使用藉由以下方式所製造的矽酮粒子：於製造粒子時，使有機矽烷及/或其部分水解物進行水解、縮合，於在酸性水溶液中使於溶劑中作為保護膠體而發揮作用的高分子分散劑及鹽存在的狀態下，添加有機矽烷及/或其水解物而獲得水解物後，添加鹼進行縮合反應。
高分子分散劑為水溶性高分子，只要於溶劑中作為保護膠體而發揮作用，則合成高分子、天然高分子均可使用，具體可例示聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯啶酮等。高分子分散劑的添加方法可例示：預先添加至反應初液中的方法、與有機三烷氧基矽烷及/或其部分水解物同時添加的方法、於使有機三烷氧基矽烷及/或其部分水解物進行水解部分縮合後添加的方法，可選擇該些的任一方法。此處，相對於反應液容量1重量份，高分子分散劑的添加量較佳為5×10-7 重量份～10-2 重量份的範圍，若為該範圍則不易引起粒子彼此的凝聚。
矽酮微粒子所含的有機取代基較佳為甲基及苯基，可藉由該些取代基的含量來調整矽酮微粒子的折射率。於為了不使LED發光裝置的亮度降低而欲使通過作為黏合劑樹脂的矽酮樹脂的光不散射而加以使用的情形時，較佳為矽酮微粒子的折射率d1、與該矽酮微粒子及螢光體以外的成分的折射率d2之折射率差小。矽酮粒子的折射率d1、與矽酮粒子及螢光體以外的成分的折射率d2之折射率差較佳為小於0.10，進而佳為0.03以下。藉由將折射率控制於此種範圍內，而減少矽酮粒子與矽酮組成物的界面上的反射、散射，獲得高透明性、光透過率，不使LED發光裝置的亮度降低。
關於折射率的測定，可使用作為全反射法的阿貝（Abbe）折射計、浦夫立希（Pulfrich）折射計、液浸型折射計、液浸法、最小偏角法等，於矽酮組成物的折射率測定時，阿貝（Abbe）折射計有用，於矽酮粒子的折射率測定時，液浸法有用。
另外，關於用以控制所述折射率差的方法，可藉由改變構成矽酮粒子的原料之量比而進行調整。即，例如藉由調整作為原料的甲基三烷氧基矽烷與苯基三烷氧基矽烷的混合比，增加甲基的構成比，可實現接近1.4的低折射率化，反之，藉由增加苯基的構成比，可實現相對較高的折射率化。
本發明中，矽酮微粒子的平均粒徑是以中值徑（D50）來表示。該平均粒徑的下限較佳為0.1 μm以上，進而佳為0.5 μm以上。另外，上限較佳為2.0 μm以下，進而佳為1.0 μm以下。藉由使用此種矽酮微粒子，於使用狹縫模塗佈機（slit die coater）的情形時的噴出性優異，可獲得膜厚均勻性優異的螢光體層。另外，較佳為使用單分散且圓球狀的粒子。
本發明中，螢光體層所含的矽酮微粒子的平均粒徑即中值徑（D50）及粒度分佈可藉由SEM觀察來測定。對由SEM所得的測定圖像進行圖像處理而求出粒徑分佈，於由此所得的體積基準粒度分佈中，求出自小粒徑側起的通過成分累計50%的粒徑作為中值徑D50。於粒子為球形的情形時，將粒子直徑作為粒徑。於粒子並非球形的情形時，將最長徑的長度與最短徑的長度的平均值作為粒徑。
關於矽酮微粒子的含量，相對於樹脂100重量份，下限較佳為1重量份以上，進而佳為2重量份以上。另外，上限較佳為20重量份以下，進而佳為10重量份以下。藉由含有1重量份以上的矽酮微粒子，可獲得特別良好的螢光體分散穩定化效果，另一方面，藉由含有20重量份以下，不會使組成物的黏度過度地上升。
（其他成分） 螢光體層中，為了抑制常溫下的硬化而延長適用期（pot life），較佳為調配乙炔醇等矽氫化反應延遲劑作為其他成分。另外，亦可於不損及本發明的效果的範圍內，視需要調配氣相二氧化矽、玻璃粉末、石英粉末等微粒子，氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、氧化鋅等無機充填劑或顏料、阻燃劑、耐熱劑、抗氧化劑、分散劑、溶劑、矽烷偶合劑或鈦偶合劑等接著性賦予劑等。
尤其就螢光體層的表面平滑性的方面而言，較佳為含有低分子量的聚二甲基矽氧烷成分、矽油（silicone oil）等。相對於組成物總體，此種成分的含量較佳為100 ppm～2,000 ppm，進而佳為500 ppm～1,000 ppm。
（基材膜） 關於本發明中所用的基材膜，可使用熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B成為 A＝5.0 N/cm以上 B＝小於0.1 N/cm 般的基材膜。
本發明中，基材膜與螢光體層之間的接著強度必須藉由熱處理或紫外線照射而降低。作為用以實現此種特徵的方法，有對基材膜使用於表面上形成有黏著劑層的公知的膜的方法。此處，黏著劑層必須藉由熱處理或紫外線的照射而黏著力降低。
藉由在此種基材膜上形成螢光體層，於利用裁切（cutting）或切割（dicing）等的切成單片等切斷加工時，可保持一定的接著力以抑制螢光體層自基材膜的剝離。另一方面，於其後的螢光體片材的拾取步驟中，藉由預先利用熱處理或紫外線照射使接著力降低，可使拾取變容易。
只要為具有此種特性的基材膜，則對材質並無特別限制，可使用表面上形成有黏著劑層的公知的膜、塗佈紙等。該膜或塗佈紙的具體例可列舉：乙酸纖維素、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚乙烯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯基縮醛、芳香族聚醯胺、聚苯硫醚等塑膠的膜，層壓有塑膠（聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等）的紙，經塑膠塗佈的紙，層壓或蒸鍍有鋁（亦包括鋁合金）、鋅、銅、鐵等公知金屬的紙，或層壓或蒸鍍有此種公知金屬的塑膠膜等。
該些基材膜中，就經濟性、操作性的方面而言，合適的是PET膜、聚烯烴膜、聚氯乙烯膜等。進而就保存穩定性的方面而言，尤其合適的是不含塑化劑的膜。其原因在於，例如於膜中含有鄰苯二甲酸二酯系的低分子量的塑化劑作為塑化劑的情形時，有塑化劑滲透至螢光體層中故螢光體層軟化等問題。另外，於樹脂的硬化需要高溫的情形時，於耐熱性的方面而言較佳為聚醯亞胺膜。
基材膜的拉伸模量較佳為0.1 MPa以上，更佳為1 MPa以上。另外，基材膜的拉伸模量較佳為100 MPa以下，更佳為10 MPa以下。藉由在所述範圍內，可容易地延伸基材膜。藉由如圖4（b-2）所示般將基材膜延伸，可於螢光體層的單片圖案間形成間隙，故可容易地進行拾取。另外，基材膜較佳為延伸時發生塑性變形。
基材膜的拉伸斷裂點伸長率較佳為50%以上，更佳為100%以上。藉由拉伸斷裂點伸長率為50%以上，可使藉由延伸而形成的螢光體層的單片圖案間的間隙擴大，可更容易地進行拾取。
基材膜的膜厚並無特別限制，下限較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上。另外，上限較佳為1000 μm以下，更佳為500 μm以下。
關於形成黏著劑層的黏著材料，可使用藉由紫外線的照射而黏著力降低的紫外線硬化型黏著劑，例如可採用於丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑等通常的感壓性黏著劑中調配紫外線硬化性的單體成分或寡聚物成分而成的黏著劑等。
另外，亦可使用如下材料：藉由加熱而該材料中所含的成分發泡，由此與被接著物的接觸面積減小，結果與被接著物的接著力降低的材料。例如可採用於丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑等通常的感壓性黏著劑中調配熱發泡劑而成的黏著劑作為黏著劑層。熱發泡劑可列舉熱分解型發泡劑或膨脹石墨等。熱分解型發泡劑例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、疊氮類、偶氮系化合物、肼系化合物、半卡肼（semicarbazide）系化合物等。
另外，黏著劑層的厚度例如為10 μm以上，較佳為20 μm以上，且為500 μm以下，較佳為200 μm以下。
具有黏著劑層的基材膜不限定於該些基材膜，例如有電氣化學工業（股）製造的UHP系列、或日東電工（股）製造的瑞法（Revalpha）系列等。
另外，基材膜未必一定要為積層有黏著劑層的膜或塗佈紙，亦可使用包含單一層的基材膜。例如有藉由以下方式所製造的黏著性的膜：將含有丙烯酸酯共聚物聚合物、光起始劑及紫外線吸收劑的樹脂成形為片狀後，自片材的單面照射紫外線。藉由將紫外線的照射量設為適當量，可獲得經紫外線照射的面上因促進交聯反應故黏著力小、未經紫外線照射的面保持充分的黏著力的黏著性的膜。
＜螢光體片材的製作方法＞ 繼而，對螢光體片材的製作方法加以詳細說明。再者，以下為一例，螢光體片材的製作方法不限定於此。
製作螢光體片材的一個方法有將螢光體層直接塗佈於基材膜上的方法。該方法首先製作將螢光體分散於樹脂中的溶液（以下稱為「螢光體層製作用樹脂液」）作為螢光體層形成用的塗佈液。螢光體層製作用樹脂液是藉由將螢光體與樹脂於溶劑中混合而獲得。
於為了調整黏度而必須添加溶劑的情形時，只要可調整流動狀態的樹脂的黏度，則溶劑的種類並無特別限定。例如可列舉：甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、己烷、庚烷、環己烷、丙酮、松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚等。
將構成螢光體層所必需的成分、與視需要而添加的溶劑等成分以成為既定組成的方式調和後，利用均質機、自轉公轉型攪拌機、三輥磨機、球磨機、行星式球磨機、珠磨機等攪拌·混練機均質地混合分散，由此獲得螢光體層製作用樹脂液。亦可較佳地進行於混合分散後、或混合分散的過程中於真空或減壓條件下進行脫泡的操作。
繼而，將螢光體層製作用樹脂液塗佈於基材膜上，使其乾燥。塗佈可藉由反輥塗佈機（reverse roll coater）、刮刀塗佈機（blade coater）、狹縫模塗佈機、直接凹版塗佈機（direct gravure coater）、平版凹版塗佈機（offset gravure coater）、吻合式塗佈機（kiss coater）、網版印刷（screen print）、天然輥塗佈機（natural roll coater）、氣刀塗佈機（air knife coater）、輥式刮刀塗佈機（roll blade coater）、雙流塗佈機（two-stream coater）、棒式塗佈機（rod coater）、線棒塗佈機（wire bar coater）、敷料器（applicator）、浸漬塗佈機（dip coater）、簾幕式塗佈機（curtain coater）、旋轉塗佈機（spin coater）、刀片塗佈機（knife coater）等來進行。為了獲得螢光體層膜厚的均勻性，較佳為利用狹縫模塗佈機來進行塗佈。另外，螢光體層亦可使用網版印刷或凹版印刷、平版印刷等印刷法來製作。尤其可較佳地使用網版印刷。
螢光體層的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等通常的加熱裝置來進行。於螢光體層的加熱硬化時，可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等通常的加熱裝置。於該情形時，加熱硬化條件通常為40℃～250℃且1分鐘～5小時，較佳為100℃～200℃且2分鐘～3小時。
製作螢光體片材的另一方法有以下方法：於預先進行了剝離處理的基材膜上形成螢光體層後，將螢光體層自進行了剝離處理的基材膜上剝離，配置於其他基材膜上等。於為了達成目標接著強度A、接著強度B所必需的基材膜不耐受螢光體層的加熱硬化條件的情形時，可較佳地使用該方法。
＜發光裝置＞ 可利用本發明的方法製造的發光裝置並無特別限制，可廣泛地應用於電視、個人電腦（personal computer）、行動電話、遊戲機等中所用的顯示器的背光或汽車的頭燈等汽車領域、普通照明等。
＜顯示裝置的製造方法＞ 顯示裝置並無特別限制，可列舉液晶顯示器、信號機、電光佈告牌、投影儀（projector）等。可較佳地應用本發明的顯示裝置較佳為含有液晶面板及背光單元的顯示裝置。
液晶面板是如以下般製造。首先準備透明基材。於該透明基材的一個面上形成非導電性黑色矩陣（black matrix）的圖案，形成導電性黑色矩陣的圖案，形成電極線。繼而，依序形成紅色彩色濾光片、綠色彩色濾光片及藍色彩色濾光片，形成透明絕緣層。於透明基材的另一個面上形成導電性電極層及電極線。最後，於透明絕緣層上依序貼合液晶層及薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）基板。藉由以上步驟而製成液晶面板。
背光單元中有邊緣型及直下型。邊緣型背光是由發光裝置、反射板、導光板所構成。導光板與反射板是以相對向的形式而配置。導光板於端面具有使來自發光裝置的光入射的入射面，將自發光裝置入射至入射面中的光的行進方向變更為與發光裝置正交的方向。背光單元較佳為插入有稜鏡片或擴散板、稜鏡膜等光學膜而成。
直下型背光單元是於印刷電路板（printed circuit board，PCB）等基板上以既定的間隔排列多個發光裝置而成。較佳為以與PCB相對向的形式而配置有擴散板。
藉由在背光單元的光擷取面上配置液晶面板而製成顯示裝置。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明加以具體說明。然而，本發明不限定於該些實施例。
＜矽酮樹脂＞ 矽酮樹脂1：OE-6630A/B（東麗-道康寧（Toray-Dow corning）公司製造） 矽酮樹脂2：熱融著矽酮樹脂。
所謂熱融著矽酮樹脂，為使至少含有下述（A）～（D）的組成的交聯性矽酮組成物進行矽氫化反應而成的交聯物。 至少包含以下成分的交聯性矽酮組成物： （A）平均單元式： (R1 2 SiO2/2 )a (R1 SiO3/2 )b (R2 O1/2 )c 所表示的有機聚矽氧烷 （式中，R1 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或碳原子數2～6的烯基，其中，R1 的65 mol%～75 mol%為苯基，R1 的10 mol%～20 mol%為烯基，R2 為氫原子或碳原子數1～6的烷基，a、b及c為滿足0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1且a＋b＝1的數）； （B）通式： R3 3 SiO(R3 2 SiO)m SiR3 3 所表示的有機聚矽氧烷 （式中，R3 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或碳原子數2～6的烯基，其中，R3 的40 mol%～70 mol%為苯基，R3 的至少一個為乙烯基，m為5～50的整數）｛相對於（A）成分100重量份而為5重量份～15重量份｝； （C）通式： (HR4 2 SiO)2 SiR4 2 所表示的有機三矽氧烷 （式中，R4 為苯基、或碳原子數1～6的烷基或環烷基，其中，R4 的30 mol%～70 mol%為苯基）｛該成分中的鍵結於矽原子的氫原子相對於（A）成分中與（B）成分中的烯基的合計量之莫耳比成為0.5～2的量｝；以及（D）矽氫化反應用觸媒｛促進（A）成分及（B）成分中的烯基與（C）成分中的鍵結於矽原子的氫原子之矽氫化反應的充分的量｝。
＜螢光體＞ 螢光體1：NYAG-02（英特美（Intematix）公司製造：Ce活化的YAG系螢光體） 螢光體2：KSF螢光體（根本發光材料（Nemoto Lumi-Materials）股份有限公司製造）。
＜矽酮微粒子＞ 矽酮微粒子：製造方法如下 於2 L四口圓底燒瓶上安裝攪拌機、溫度計、環流管、滴液漏斗，於燒瓶中加入2 L的含有7 ppm的作為界面活性劑的聚醚改質矽氧烷「畢克（BYK）333」的2.5%的氨水，一面以300 rpm攪拌一面利用油浴進行升溫。於內溫達到50℃時，用30分鐘自滴液漏斗滴加200 g的甲基三甲氧基矽烷與苯基三甲氧基矽烷的混合物（23 mol%/77 mol%）。保持該溫度而進一步繼續攪拌60分鐘後，添加約5 g乙酸（特級試劑），攪拌混合後進行過濾。對過濾器上的生成粒子添加600 mL的水2次、200 mL的甲醇1次，進行過濾、清洗。取出過濾器上的濾餅（cake），粉碎後用10小時進行冷凍乾燥，藉此獲得40 g的白色粉末。對所得的粒子利用SEM進行觀察，結果為單分散球狀微粒子。藉由液浸法對該微粒子進行折射率測定，結果為1.54。藉由剖面穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope，TEM）對該粒子進行觀察，結果確認到其是粒子內為單一結構的粒子。
＜基材膜＞ PET膜1：「塞拉比（Cerapeel）」HP2（東麗（Toray）膜加工股份有限公司製造） PET膜2：「塞拉比（Cerapeel）」BX9（東麗（Toray）膜加工股份有限公司製造） 黏著膜1：NO.636095（日立麥克賽爾（Hitachi Maxell）股份有限公司製造） 黏著膜2：TRO-9520（馳卡沙貿易（Tsukasa Trading）股份有限公司製造） 黏著膜3：TRV214C（UV）（馳卡沙貿易（Tsukasa Trading）股份有限公司製造） 黏著膜4：TRV-9925（馳卡沙貿易（Tsukasa Trading）股份有限公司製造） 黏著膜5：UC3004M-80（古河電氣工業股份有限公司製造）。
＜拉伸模量及拉伸斷裂點伸長率的測定＞ 基材膜的拉伸模量及拉伸斷裂點伸長率的測定是如以下般實施。利用剃刀將各基材膜切斷而製作10片10 mm×60 mm（其中，抓捏部為兩端的5 mm）的尺寸的試片。試驗裝置是使用依據JIS-B-7721（2009）的拉伸試驗機滕喜龍（Tensilon）UTM-II-20（東洋鮑德溫（Toyo-Baldwin）（股）製造），將所述試片的兩端的5 mm安裝於試驗機的夾具（夾具間隔15 mm）上並固定，以50 mm/min（25℃、50%RH的環境下）的拉伸速度實施拉伸試驗。拉伸模量及拉伸斷裂點伸長率是依據JIS-K-7127（1999）而求出。
＜平均粒徑測定＞ 關於所合成的矽酮微粒子的平均粒徑測定，對各螢光體層樣本的剖面SEM進行測定並根據由此所得的圖像而算出。利用掃描式電子顯微鏡（日立高新技術（Hitachi High-technologies）高解析度場發射式掃描電子顯微鏡S-4800）對螢光體層的剖面進行觀察。使用分析軟體（圖像版本（Image version）6.2）對所得的圖像進行分析，求出粒徑分佈。此時，於粒子為球形的情形時，將粒子直徑作為粒徑。於粒子並非球形的情形時，將最長徑的長度與最短徑的長度的平均值作為粒徑。求出粒徑分佈中自小粒徑側起的通過成分累計50%的粒徑作為中值徑（D50）。
＜接著強度測定＞ 關於接著強度A、接著強度B，根據JIS C6471（1995）可撓性印刷配線板用覆銅積層板試驗方法中的銅箔的剝離強度的測定方法A，使用數位測力計「FGN-5B」（日本電產新寶（Nidec-Shimpo）公司製造）、電動式立式測力計測試支架「FGS-50-VB-L（H）」（日本電產新寶（Nidec-Shimpo）公司製造）、90度剝離夾具「FGTT-12」（日本電產新寶（Nidec-Shimpo）公司製造）作為測定裝置，將雙面膠帶「NW-R15」（米其邦（Nichiban）公司製造）用於固定樣本，對基材膜與螢光體層間的接著強度進行測定。
＜儲存模量的測定＞ 將所製作的螢光體層切下直徑15 mmf作為測定樣本，使用英弘精機股份有限公司製造的動態黏彈性測定裝置（哈克旋轉流變儀（HAAKE MARS）III）測定室溫（25℃）下的儲存模量。
＜加工性評價＞ 藉由裁切裝置（UHT公司製造的及卡特（GCUT））將所製作的螢光體片材裁切成大致正方形，分別製作400個具有一邊的大小為0.1 mm、0.3 mm、1 mm的螢光體層的切單片材。利用顯微鏡來確認於螢光體層的切斷面上可見毛邊或片材的缺損者、於切斷部位可見螢光體片材剖面的再附著者、以及螢光體層自基材膜剝離者的總數（以下稱為加工不良數）。加工不良數越少，表示加工性越優異。若評價為B以上，則可判斷為實用上無問題。 S：加工不良數為0個～20個           加工性非常優良。 A：加工不良數為21個～60個        加工性良好。 B：加工不良數為61個～120個       加工性於實用上無問題。 C：加工不良數為121個～240個     加工性差。 D：加工不良數為241個以上            加工性非常差。
＜拾取性評價＞ 對於100個經切成單片的螢光體層，利用拾取裝置（東麗工程（Toray Engineering）製造）進行拾取。拾取不良的發生數越少，表示拾取性越優異。此處所謂拾取不良，是指於拾取時經切成單片的螢光體層發生破裂或缺損、或者於欲拾取的螢光體層以外的部分發生剝離的個數的總數。若評價為B以上，則可判斷為實用上優異。 S：拾取不良數為0個～5個        拾取性非常優良。 A：拾取不良數為6個～15個     拾取性良好。 B：拾取不良數為16個～30個    拾取性於實用上無問題。 C：拾取不良數為31個～60個    拾取性差。 D：拾取不良數為61個以上        拾取性非常差。
＜螢光體片材的製作＞ 使用容積300 ml的聚乙烯製容器，將矽酮樹脂、螢光體、矽酮微粒子以既定的比率混合。其後，使用行星式攪拌·脫泡裝置「麥澤斯達（Mazerustar）KK-400「（倉敷紡織（KURABO）製造），以1000 rpm進行20分鐘攪拌、脫泡而獲得螢光體層製作用矽酮樹脂液。使用狹縫模塗佈機將螢光體層製作用螢光體分散矽酮樹脂液塗佈於PET膜2上，於120℃下保持既定時間而使其乾燥。繼而，視需要使用日合乾膜（Nichigo-Morton）製造的層壓機V160將螢光體層換貼於黏著膜的黏著層側。
該研究中所製作的螢光體層的組成如表1所示。
[表1]
Figure 105131327-A0304-0001
＜發光裝置的製造方法＞ 使用固晶（die bonding）裝置（東麗工程（Toray Engineering）製造），利用筒夾將經裁切成1 mm見方的螢光體層真空吸附並自基材剝離，向封裝有覆晶型藍色LED發光元件的基板搬送，於LED發光元件表面上對位並進行貼附。此時，於螢光體層具有熱融著性的情形時，一面於100℃下加熱一面對筒夾進行加壓，由此進行貼附。於螢光體層不具有熱融著性的情形時，於覆晶型藍色LED發光元件上預先塗佈接著劑，經由接著劑而貼附螢光體層。接著劑是使用矽酮樹脂1。製作利用透明樹脂將同一帶有螢光體片材的LED密封而成者，與直流電源相連接。
＜發光裝置的色度、全光束測定＞ 對所製作的發光裝置投入1 W的電力而使LED元件亮燈，使用全光束測定系統（HM-3000，大塚電子公司製造）來測定國際照明委員會（International Commission on Illumination，CIE）1931 XYZ表色系統的色度（x，y）及全光束（lm）。
（實施例1～實施例8）-螢光體片材的儲存模量比較- 以表2所示的乾燥時間利用所述方法來製作螢光體片材。再者，於利用層壓機的螢光體層的換貼時，於實施例1～實施例8中全部使用黏著膜1。
將各螢光體層自基材膜剝離，將一部分切下15 mmf而製成測定樣本，利用所述方法測定儲存模量。切取各螢光體片材的一部分，利用所述方法測定接著強度A。進而，切取各螢光體片材的一部分，使用艾萊科特-萊特（Electro-Lite）公司製造的紫外線照射器ELC-500照射300 mJ/cm2 的365 nm的紫外線後，利用所述方法測定接著強度B。
將各螢光體片材切取2 cm見方，使用裁切裝置（UHT公司製造的及卡特（GCUT））自螢光體層側切入，分別製作各400個將螢光體層切成單片為0.1 mm見方、0.3 mm見方、1 mm見方的螢光體片材（以下稱為切單片材）。此時，設定為刀貫穿螢光體層部分、但未貫穿基材膜部分的所謂半切穿。對各螢光體片材利用所述方法評價加工性。
繼而，使用如下螢光體片材利用所述方法進行拾取性評價，所述螢光體片材是使用艾萊科特-萊特（Electro-Lite）公司製造的紫外線照射器ELC-500對切單片材照射300 mJ/cm2 的365 nm的紫外線後，將螢光體層切成單片為1 mm見方而成。
將各螢光體片材的儲存模量、接著強度A、接著強度B、加工性評價結果、拾取性評價結果示於表2中。得知為了製作1 mm見方的切單片材，螢光體片材的儲存模量較佳為0.1 Mpa以上，更佳為1 Mpa以上，另外，較佳為2000 MPa以下。得知為了製作0.3 mm見方的切單片材，螢光體片材的儲存模量較佳為1 Mpa以上，更佳為100 Mpa以上，另外，較佳為1000 MPa以下。得知為了製作0.1 mm見方的切單片材，螢光體片材的儲存模量較佳為100 Mpa以上，另外，較佳為1000 MPa以下。
使用實施例4的螢光體片材來製作10個LED發光裝置，求出10個發光裝置的色度的平均值及全光束的平均值。發光裝置的色度、全光束評價結果是與後述實施例12、實施例13、實施例14一併示於表5中。
[表2]
Figure 105131327-A0304-0002
（實施例5、實施例9、比較例1～比較例4）-關於接著強度- 於實施例9中，將換貼螢光體層的黏著膜設定為黏著膜2，除此以外，利用與實施例5相同的操作來製作螢光體片材。
於比較例1中，基材膜使用PET膜1，且不換貼至黏著膜上，除此以外，利用與實施例5相同的操作來製作螢光體片材。
於比較例2中，除了不換貼至黏著膜上以外，利用與實施例5相同的操作來製作螢光體片材。
於比較例3中，將換貼螢光體層的黏著膜設定為黏著膜5，除此以外，利用與實施例5相同的操作來製作螢光體片材。
於比較例4中，利用與實施例5相同的操作來製作螢光體片材，將拾取性評價前的紫外線照射量設為50 mJ/cm2 ，除此以外，進行與實施例5相同的操作。
對所得的螢光體片材利用與實施例5相同的操作來進行接著強度A、接著強度B的測定及加工性評價、拾取性評價。結果如表3所示。再者，再次揭示實施例5的結果。關於比較例2，無法獲得用以進行拾取性評價的樣本。
得知接著強度A較佳為5.0 N/cm以上。尤其得知為了製作0.1 mm見方的切單片材，接著強度A更佳為10 N/cm以上。另外得知，接著強度B較佳為0.1 N/cm以下。 使用各實施例的螢光體片材來製作發光裝置，結果獲得了發光強度良好的發光裝置。
[表3]
Figure 105131327-A0304-0003
（實施例5、實施例10、實施例11）-關於延伸度的影響- 於實施例10及實施例11中，於拾取評價前將切單片材的基材膜以放射狀延伸，除此以外，進行與實施例5相同的操作。延伸度是藉由下述計算式而算出。
[數2]
Figure 02_image003
將基材的延伸度及拾取性評價結果示於表4中。得知延伸度較佳為0.5以上，更佳為1.0以上。
使用各實施例的螢光體片材來製作發光裝置，結果獲得了發光強度良好的發光裝置。
[表4]
Figure 105131327-A0304-0004
（實施例12、實施例13、實施例14）-含有微粒子的情形及熱融著樹脂的情形- 於實施例12及實施例13中，將螢光體層的組成設為表1所示的組成，除此以外，進行與實施例4相同的操作。
於實施例14中，於真空環境下進行貼附經切成單片的螢光體片材的步驟，除此以外，進行與實施例13相同的操作。
對各實施例製作10個LED發光裝置，求出10個發光裝置的色度的平均值及全光束的平均值。將結果示於表5中。再者，再次揭示實施例4的結果。
得知矽酮微粒子的有無對螢光體片材的加工性、拾取性並無影響。
得知藉由將螢光體片材加熱而貼附，全光束提昇，藉由在真空環境下進行貼附，全光束進一步提昇。
[表5]
Figure 105131327-A0304-0005
（實施例15、實施例16）-保存穩定性- 於實施例15中，將換貼螢光體層的黏著膜設定為黏著膜3，除此以外，利用與實施例4相同的操作來製作螢光體片材。
於實施例16中，將換貼螢光體層的黏著膜設為黏著膜4，除此以外，利用與實施例4相同的操作來製作螢光體片材。
對於實施例4、實施例15及實施例16中製作的螢光體片材，於剛製作後及保管6個月後進行儲存模量、接著強度A、接著強度B的測定及加工性評價、拾取性評價。結果如表6所示。
實施例15中製作的螢光體片材於保管6個月後，螢光體層的儲存模量明顯降低。其原因在於黏著膜所含的塑化劑滲出至螢光體層中。結果，加工性評價、拾取性評價亦變差。
[表6]
Figure 105131327-A0304-0006
（實施例17）-關於切成單片的尺寸對拾取的影響- 於實施例17中，使用將螢光體層切成單片為0.1 mm見方、0.3 mm見方、1 mm見方的螢光體片材來進行拾取評價，除此以外，進行與實施例10相同的操作。將結果示於表7中。得知藉由切成單片的尺寸為0.3 mm見方以下，拾取性提高。
[表7]
Figure 105131327-A0304-0007
1‧‧‧螢光體 2‧‧‧螢光體層 3‧‧‧黏著層 4‧‧‧膜 5‧‧‧黏著膜 6‧‧‧螢光體片材 7‧‧‧擴散層 8‧‧‧透明層 9‧‧‧刀具 10‧‧‧切單片材 11‧‧‧筒夾 12‧‧‧LED晶片 13‧‧‧反射器 14‧‧‧封裝基板 15‧‧‧透明密封材料 16‧‧‧分斷線 17‧‧‧間隙
圖1為表示本發明的發光裝置的製造方法中所用的螢光體片材的一例的示意剖面圖。 圖2為表示本發明的發光裝置的製造方法中所用的螢光體片材的一例的示意剖面圖。 圖3（a）～圖3（f）為表示藉由本發明來製造發光裝置的方法的一實施形態的步驟圖。 圖4（a）～圖4（f）為表示藉由本發明來製造發光裝置的方法的一實施形態的步驟圖。 圖5（a）、圖5（b）為表示藉由本發明來製造發光裝置的方法的一實施形態的步驟圖。
1:螢光體
2:螢光體層
3:黏著層
4:膜
5:黏著膜
6:螢光體片材

Claims (14)

  1. 一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：於在基材膜上具有螢光體層的螢光體片材中將所述螢光體層切成單片的步驟；對所述螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟；並且所述發光裝置的製造方法的特徵在於：所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為A=5.0N/cm以上B=0.1N/cm以下，且所述螢光體層的25℃下的儲存模量為100MPa以上且2000MPa以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置的製造方法，其中所述經切成單片的螢光體層的至少一邊的長度為0.1mm以上且0.3mm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置的製造方法，其中所述基材膜為不含塑化劑的基材膜。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置的製造方法，其中於將所述螢光體層切成單片的步驟之後包括將所述基材膜延伸的步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置的製造方法，其中於所述將基材膜延伸的步驟中，所述基材膜的延伸度為0.5以上。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置的製造方法，其中所述螢光體層的切成單片方法為利用乾式裁切的切斷。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置的製造方法，其中於將所述螢光體層貼附於所述LED晶片上的步驟中，將所述螢光體層加熱並進行貼附。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置的製造方法，其中於真空環境下進行將所述螢光體層加熱並進行貼附的步驟。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置的製造方法，其中螢光體於所述螢光體層的總固體成分中所佔的比例為60重量%以上且90重量%以下。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置的製造方法，其中所述螢光體層含有通式A2MF6：Mn(其中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的組群中且至少包含Na及/或K的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的組群中的一種以上的四價元素)所表示的複氟化物螢光體。
  11. 一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：於在基材膜上具有螢光體層的螢光體片材中將所述螢光體層切成單片的步驟；對所述螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層 的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟；並且所述發光裝置的製造方法的特徵在於：所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為A=5.0N/cm以上B=0.1N/cm以下，且所述基材膜為不含塑化劑的基材膜。
  12. 一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：於在基材膜上具有螢光體層的螢光體片材中將所述螢光體層切成單片的步驟；對所述螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟；並且所述發光裝置的製造方法的特徵在於：所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為A=5.0N/cm以上B=0.1N/cm以下，且於將所述螢光體層切成單片的步驟之後包括將所述基材膜延伸的步驟。
  13. 一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：於在基材膜上具有螢光體層的螢光體片材中將所述螢光體層切成單片的步驟；對所述螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟；並且所述發光裝置的製造方法的特徵在於：所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為A=5.0N/cm以上B=0.1N/cm以下，且所述螢光體層的切成單片方法為利用乾式裁切的切斷。
  14. 一種發光裝置的製造方法，其為包括以下步驟的製造方法：於在基材膜上具有螢光體層的螢光體片材中將所述螢光體層切成單片的步驟；對所述螢光體層經切成單片的螢光體片材進行熱處理或紫外線照射的步驟；拾取所述經切成單片的螢光體層的步驟；以及將所述經切成單片的螢光體層貼附於LED晶片上的步驟；並且所述發光裝置的製造方法的特徵在於：所述熱處理或紫外線照射之前的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度A、及所述熱處理或紫外線照射之後的室溫下的所述螢光體層與所述基材膜間的接著強度B為A=5.0N/cm以上 B=0.1N/cm以下，且所述螢光體層含有通式A2MF6：Mn(其中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的組群中且至少包含Na及/或K的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的組群中的一種以上的四價元素)所表示的複氟化物螢光體。
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