CN108351444B - 荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种荧光体片，其具有包含红色荧光体、β型塞隆荧光体和树脂的荧光体层。该红色荧光体为通式（1）表示的Mn活化复合氟化物。（通式）A2MF6:Mn……（1）（通式（1）中，A为选自由Li、Na、K、Rb和Cs组成的组、并且包含Na和K中的至少1种的1种以上的碱金属，M为选自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn组成的组中的1种以上的4价元素）。
Description
技术领域
本发明涉及荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法。
背景技术
对于发光二极管（LED，Light Emitting Diode）而言，以其发光效率的显著提高为背景，以低电力消耗、长寿命、美观性等为特长，在液晶显示器（LCD、Liquid CrystalDisplay）的背光源领域、车的前照灯等车载领域中，市场急剧扩大。由于LED的环境负担也低，因此期待今后在普通照明领域中也形成巨大的市场。
由于LED的发射光谱取决于形成LED芯片的半导体材料，因此其发光色受到限制。因此，为了使用LED得到用于LCD的背光源、普通照明的白色光，需要在LED芯片上设置与各种芯片对应的荧光体来转换发光波长。具体而言，提出了在发蓝色光的LED芯片（以下适当地称为蓝色LED芯片）上设置黄色荧光体的方法、在蓝色LED芯片上设置红色荧光体及绿色荧光体的方法、在发出紫外线的LED芯片上设置红色荧光体、绿色荧光体及蓝色荧光体的方法等。这些中，从LED芯片的发光效率、成本方面考虑，在蓝色LED芯片上设置黄色荧光体的方法、及在蓝色LED芯片上设置红色荧光体及绿色荧光体的方法目前被最广泛采用。
作为显示器用途的LED等中可使用的荧光体，从扩大颜色再现范围这样的观点考虑，期望发光峰的半峰宽窄。专利文献1中记载了通过使用作为发光峰的半峰宽窄的红色荧光体的Mn活化复合氟化物荧光体和作为黄色荧光体或绿色荧光体的Eu2+活化碱土类硅氮化物荧光体从而得到白色发光的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-178574号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
然而，对于使用了如专利文献1中记载的以往的荧光体的发光体而言，难以同时实现颜色再现性的提高和高光通量。本发明的目的在于解决这样的问题。
用于解决课题的手段
为了解决上述的课题，达成目的，本发明的荧光体片的特征在于，其具有包含红色荧光体、β型塞隆荧光体和树脂的荧光体层，前述红色荧光体为通式（1）表示的Mn活化复合氟化物。
（通式）
A2MF6:Mn ……（1）
（通式（1）中，A为选自由Li、Na、K、Rb和Cs组成的组、并且包含Na和K中的至少1种的1种以上的碱金属，M为选自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn组成的组中的1种以上的4价元素。）。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述荧光体层由包含前述红色荧光体、前述β型塞隆荧光体和前述树脂的单一层或多层形成，前述红色荧光体、前述β型塞隆荧光体及前述树脂被包含在同一层中。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述树脂的折射率为1.45以上、1.7以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述树脂为有机硅树脂。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述红色荧光体在前述荧光体层中的全部固态成分中所占的比例为20重量%以上、60重量%以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述红色荧光体在前述荧光体层中的全部固态成分中所占的比例与前述β型塞隆荧光体在前述荧光体层中的全部固态成分中所占的比例的总和为50重量%以上、90重量%以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述红色荧光体的D50为10μm以上、40μm以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述红色荧光体的D10为3μm以上。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述红色荧光体的（D90-D10）/D50为0.5以上、1.5以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述荧光体层中的空隙率为0.1%以上、3%以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，在前述荧光体层中含有微粒。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述微粒为硅氧烷微粒。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，在前述荧光体层上进一步层叠有透明树脂层。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述透明树脂层中包含的树脂的折射率为1.3以上、1.6以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述透明树脂层中包含的树脂的折射率不大于前述荧光体层中包含的树脂的折射率。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述透明树脂层含有微粒。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述透明树脂层中包含的微粒为选自二氧化硅微粒、氧化铝微粒、硅氧烷微粒中的1种以上。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述透明树脂层的波长400nm～800nm处的最小透过率为80%以上。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，微粒在前述透明树脂层中的全部固态成分中所占的比例为0.1重量%以上、30重量%以下。
另外，对于本发明涉及的荧光体片而言，其特征在于，在上述的发明中，前述透明树脂层中包含的微粒的平均粒径为1nm以上、1000nm以下。
另外，本发明涉及的发光体的制造方法的特征在于，包括下述工序：将上述的发明中任一项所述的荧光体片单片化的单片化工序，拾取单片化了的前述荧光体片的拾取工序，和将单片化了的前述荧光体片贴合于光源的贴合工序。
另外，本发明涉及的发光体的特征在于，具有上述的发明中任一项所述的荧光体片。
另外，本发明涉及的光源单元的特征在于，具有上述的发明中任一项所述的荧光体片。
另外，本发明涉及的显示器的特征在于，具有上述的发明所述的光源单元。
发明的效果
通过本发明，起到可提供同时实现颜色再现性的提高和高光通量的荧光体片这样的效果。具有本发明涉及的荧光体片的发光体、光源单元及显示器发挥能同时实现颜色再现性的提高和高亮度这样的效果。
附图说明
[图1A] 图1A为表示本发明的实施方式涉及的荧光体片的一例的侧面图。
[图1B] 图1B为表示本发明的实施方式涉及的荧光体片的另一例的侧面图。
[图2] 图2为表示使用了本发明的实施方式涉及的荧光体片的发光体的制造方法的一例的工序图。
具体实施方式
以下，详细说明本发明涉及的荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法的优选的实施方式。但是，本发明不限于以下的实施方式，可根据目的、用途进行各种变更来实施。
＜荧光体片＞
本发明的实施方式涉及的荧光体片含有包含红色荧光体、β型塞隆荧光体及树脂的荧光体层。该荧光体片中，红色荧光体为通式（1）表示的Mn活化复合氟化物。
A2MF6:Mn ……（1）
通式（1）中，A为选自由锂（Li）、钠（Na）、钾（K）、铷（Rb）及铯（Cs）组成的组、并且包含Na和K中的至少1种的1种以上的碱金属。M为选自由硅（Si）、钛（Ti）、锆（Zr）、铪（Hf）、锗（Ge）及锡（Sn）组成的组中的1种以上的4价元素。
图1A为表示本发明的实施方式涉及的荧光体片的一例的侧面图。如图1A所示，本发明的实施方式涉及的荧光体片4在支持体3之上具有含有荧光体1和树脂14的荧光体层2。荧光体层2是在树脂14中含有多个荧光体1的层。荧光体层2含有通式（1）表示的红色荧光体和β型塞隆荧光体作为荧光体1。例如，如图1A所示，荧光体层2形成在支持体3之上，构成荧光体片4。
荧光体层2可以是由含有作为荧光体1的红色荧光体及β型塞隆荧光体和树脂14的单一层形成的层。或者，荧光体层2也可以是由含有荧光体1和树脂14的多层形成的层。荧光体层2由多层形成时，可以层叠分别为1层以上的含有作为荧光体1的红色荧光体和树脂14的第1荧光体层、和含有作为荧光体1的β型塞隆荧光体和树脂14的第2荧光体层从而构成荧光体层2的多层。优选的是，在构成荧光体层2的单一层或多层的各层中，作为荧光体1的红色荧光体及β型塞隆荧光体和树脂14被包含在同一层中。这是基于如下所示的理由。
荧光体层2即使为包含红色荧光体的层（第1荧光体层）与包含β型塞隆荧光体的层（第2荧光体层）的层叠体，也能同时实现颜色再现性的提高和高光通量，但对于该荧光体层2而言，需要分别单独地控制各层的膜厚。因此，结果，得到的荧光体片4的色度偏差变大。与此相对，通过在荧光体层2中使作为荧光体1的红色荧光体及β型塞隆荧光体与树脂14被包含在同一层中，使荧光体片4的色度偏差改善。
图1B为表示本发明的实施方式涉及的荧光体片的另一例的侧面图。图1B所示，荧光体片4可以在形成于支持体3之上的荧光体层2之上还具有透明树脂层5。图1B所示的荧光体片4中，透明树脂层5例如形成在由单一层或多层形成的荧光体层2的上面（与支持体3为相反侧的面）。通过如上所述地具有透明树脂层5，荧光体片4的耐久性提高。
本实施方式中，荧光体片4具有单一层或多层的荧光体层2，或者，具有该荧光体层2和透明树脂层5，从维持所述的片形状及处理容易性等观点考虑，通常，处于被支持体3支持的状态。即，本实施方式中，有时包含荧光体片4和支持体3在内一并称为“荧光体片”。
＜荧光体层＞
例如如图1A、1B所示，荧光体层2是主要包含荧光体1和树脂14的层。作为荧光体1，至少可举出通式（1）表示的红色荧光体和β型塞隆荧光体。
（红色荧光体）
所谓红色荧光体，是在590nm～750nm的波长处具有发光峰的荧光体。对于本发明的实施方式涉及的荧光体片4而言，为了提高其颜色再现性，需要在荧光体层2中包含作为上述的通式（1）表示的Mn活化复合氟化物（A2MF6:Mn）的红色荧光体。可将所述的作为Mn活化复合氟化物的红色荧光体称为“Mn活化复合氟化物络合物荧光体”。以下，可将Mn活化复合氟化物络合物荧光体适当地简记为“红色荧光体”。
所谓Mn活化复合氟化物络合物荧光体，是指以锰（Mn）为活化剂、以碱金属或碱土金属的氟化物络合物盐为母体结晶的荧光体。该Mn活化复合氟化物络合物荧光体中，形成母体结晶的氟化物络合物的配位中心优选为4价金属（Si、Ti、Zr、Hf、Ge、Sn），在其周围配位的氟原子的数目优选为6。优选的Mn活化复合氟化物络合物荧光体是A为K（钾）、M为Si（硅）的通式（1）表示的化合物，即，K2SiF6:Mn。可将其称为KSF荧光体。
荧光体层2中的红色荧光体（即Mn活化复合氟化物络合物荧光体）在全部固态成分中所占的比例优选为10重量%以上，更优选为20重量%以上。另外，该比例优选为80重量%以下，更优选为60重量%以下。通过使该比例为优选的下限值以上，可进一步改善荧光体片4的颜色再现范围。另一方面，通过使该比例为80重量%以下，可改善荧光体片4的色度偏差，通过使该比例为60重量%以下，可进一步改善荧光体片4的色度偏差。
作为荧光体1（参照图1A）的红色荧光体的D50优选为5μm以上，更优选为10μm以上。另外，该红色荧光体的D50优选为40μm以下，更优选为30μm以下。通过使该红色荧光体的D50为5μm以上，可得到高光通量的荧光体片4。通过使该红色荧光体的D50为40μm以下，可改善荧光体片4的色度偏差。
另外，作为荧光体1的红色荧光体的D10优选为3μm以上，更优选为5μm以上。由此，可改善荧光体片4的耐久性。作为该红色荧光体的D10的上限，没有特别限制，优选为15μm以下，更优选为12μm以下。
此外，作为荧光体1的红色荧光体中，下述的式（11）表示的值x优选为0.5以上、1.8以下，更优选为1.5以下。进而，作为该值x的上限值，优选为1.50以下，更优选为1.4以下，更进一步优选为1.35以下，进一步优选为1以下。
x=（D90-D10）/D50 ……（11）
值x是红色荧光体的粒度分布的指标。值x小时，表示成为耐久性降低的原因的小粒径的红色荧光体（例如KSF荧光体）少，并且，成为色度偏差的原因的大粒径的红色荧光体（例如KSF荧光体）少。通过使值x为1.5以下，从而进一步改善荧光体片4的耐久性及色度偏差。
但是，若荧光体层2中的红色荧光体的粒度分布过窄，则光变得不易在荧光体片4中散射。这种情况下，使用荧光体片4组装发光体时，发生被称为黄环（イエローリング）的不良情况。所谓黄环，是指下述现象：从正面观察发光体时与从倾斜方向观察发光体时，观察到颜色不同。该黄环是在荧光体层2中的光的散射少的情况下能被显著观察到的现象。从抑制黄环的观点考虑，值x优选为0.5以上。
此处所谓D10、D50、D90，是利用以下的方法测定的粒径。例如，用SEM观察荧光体层2的截面，在得到的二维图像中，算出与荧光体1的粒子的外缘有2点相交的直线的该2个交点间的距离中最大的距离，将其定义为粒子的单个的粒径。在由观察的全部粒子的单个的粒径求出的粒度分布中，将从小粒径侧起始的累积百分比（
）10%的粒径记为D10，将累积百分比50%的粒径（平均粒径）记为D50，将累积百分比90%的粒径记为D90。
在以搭载荧光体片4的LED发光体为对象时，可利用机械研磨法、切片法、CP法（Cross-section Polisher，截面抛光法）及聚焦离子束（FIB）加工法中的任意方法，对该荧光体片4进行研磨，以使得能观察荧光体层2的截面，然后用SEM观察得到的截面，由得到的二维图像算出上述的粒径。
（β型塞隆荧光体）
所谓β型塞隆荧光体是β型氮化硅的固溶体，是铝（Al）在β型氮化硅结晶的Si位置置换固溶，氧（O）在β型氮化硅结晶的氮（N）位置置换固溶而得到的产物。由于在β型塞隆荧光体中使用的β型塞隆的晶胞（单位晶格）中有2种式量的原子，因此，作为β型塞隆的通式，可使用Si6-zAlzOzN8-z。该通式中，z为大于0且小于4.2的值。本实施方式中的β型塞隆荧光体中，β型塞隆的固溶范围非常广泛，另外，（Si、Al）/（N、O）的摩尔比需要维持为3/4。β型塞隆的通常的制法是下述方法：除了氮化硅以外，添加氧化硅和氮化铝，或添加氧化铝和氮化铝，进行加热。
对于β型塞隆而言，通过向结晶结构内引入稀土类等发光元素（Eu、Sr、Mn、Ce等），从而成为用紫外至蓝色的光激发而呈现波长520nm～560nm的绿色发光的β型塞隆荧光体。其可优选作为白色LED等发光体的绿色发光成分使用。尤其是，作为含有铕（Eu2+）的β型塞隆荧光体的Eu2+活化β型塞隆荧光体由于发射光谱非常尖锐，因而是适于要求蓝色、绿色、红色的窄带发光的图像处理显示装置或液晶显示器面板的背光光源的原材料。
作为荧光体1（参照图1A）的β型塞隆荧光体的D50优选为1μm以上，更优选为10μm以上。另外，该β型塞隆荧光体的D50优选为100μm以下，更优选为50μm以下。作为β型塞隆荧光体的形状，没有特别限制，可使用球状、柱状等各种形状。此处所谓D50，是指利用与上述的红色荧光体的情况同样的方法测定的粒径。
从扩大颜色再现范围这样的观点考虑，荧光体层2中的作为荧光体1的β型塞隆荧光体的含量优选为荧光体层2整体的3重量%以上，更优选为荧光体层2整体的5重量%以上。另外，该β型塞隆荧光体的含量优选为荧光体层2整体的50重量%以下，更优选为荧光体层2整体的40重量%以下。
另外，荧光体层2中的红色荧光体在全部固态成分中所占的比例与β型塞隆荧光体在全部固态成分中所占的比例的总和优选为50重量%以上、90重量%以下。作为这两种比例的总和的下限，更优选为65重量%以上，进一步优选为70重量%以上。作为这两种比例的总和的上限，更优选为85重量%以下，进一步优选为80重量%以下。通过使这两种比例的总和为50重量%以上，使荧光体层2的放热性提高，因此，可抑制在荧光体层2中含有的荧光体1的蓄热。结果，可维持荧光体片4的高光通量。另外，通过使这两种比例的总和为90重量%以下，从而使荧光体片4的色度偏差改善。
本发明中的在荧光体层2中具有红色荧光体及β型塞隆荧光体作为荧光体1的荧光体片4中，荧光体层2中的空隙率优选为3%以下，更优选为2%以下，更进一步优选为1%以下，进一步优选为0.5%以下。其原因在于，荧光体层2中的空隙率越小，从荧光体层2中提取光的效率越提高，因此，可得到提供高光通量的发光体的荧光体片4。另外，对于该荧光体层2中的空隙率而言，对下限没有特别限制，优选为0.1%以上。
此处所谓空隙率，是荧光体层2中的空隙的比例。该空隙率可利用以下的方法测定。例如，利用机械研磨法、切片法、CP法（Cross-section Polisher）及聚焦离子束（FIB）加工法中的任意方法，对荧光体片4进行研磨，以使得能观察荧光体层2的截面。然后，用SEM观察得到的截面，由得到的二维图像算出与荧光体层2的空隙相当的面积，将所述的算出的空隙的面积除以该截面中的荧光体层2整体的面积。由此，得到荧光体层2的空隙率。
通过使荧光体层2中含有的红色荧光体的D10及D50为上述的优选的范围，另外，通过使作为该红色荧光体的粒度分布的指标的上述的值x（参照式（11））变小，有使荧光体层2的空隙率变小的倾向。
（其他荧光体）
荧光体层2可以进一步含有上述的荧光体1以外的荧光体。作为上述的荧光体1以外的荧光体，可举出例如其他红色荧光体、其他绿色荧光体、黄色荧光体、蓝色荧光体等。本实施方式中，所谓绿色荧光体，是指在500nm～560nm波长处具有发光峰的荧光体。所谓黄色荧光体，是指在560nm～590nm波长处具有发光峰的荧光体。所谓蓝色荧光体，是指在430nm～500nm波长处具有发光峰的荧光体。
其他红色荧光体是通式（1）表示的红色荧光体（Mn活化复合氟化物络合物荧光体）以外的红色荧光体。作为这样的其他红色荧光体，可举出例如Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、Y2O3:Eu、Gd2O2S:Eu等。
其他绿色荧光体是β型塞隆荧光体以外的绿色荧光体。作为这样的其他绿色荧光体，可举出例如SrAl2O4:Eu、Y2SiO5:Ce，Tb、MgAl11O19:Ce，Tb、Sr7Al12O25:Eu、（Mg、Ca、Sr、Ba中至少1种以上的元素）Ga2S4:Eu等。
作为黄色荧光体，可举出例如至少用铈活化的钇・铝氧化物荧光体、至少用铈活化的钇・钆・铝氧化物荧光体和至少用铈活化的钇・镓・铝氧化物荧光体等。
作为蓝色荧光体，可举出例如Sr5（PO4）3Cl:Eu、（SrCaBa）5（PO4）3Cl:Eu、（BaCa）5（PO4）3Cl:Eu、（Mg、Ca、Sr、Ba中至少1种以上的元素）2B5O9Cl:Eu，Mn、（Mg、Ca、Sr、Ba中至少1种以上的元素）（PO4）6Cl2:Eu，Mn等。
另外，作为与现在主流的蓝色LED对应而发光的荧光体，可举出例如Y3（Al，Ga）5O12:Ce、（Y，Gd）3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce、Y3Al5O12:Ce等YAG系荧光体、Tb3Al5O12:Ce等TAG系荧光体、（Ba，Sr）2SiO4:Eu系荧光体、Ca3Sc2Si3O12:Ce系荧光体、（Sr，Ba，Mg）2SiO4:Eu等硅酸盐系荧光体、（Ca，Sr）2Si5N8:Eu、（Ca，Sr）AlSiN3:Eu、CaSiAlN3:Eu等氮化物系荧光体、Cay（Si，Al）12（O，N）16:Eu等氮氧化物系荧光体、以及（Ba，Sr，Ca）Si2O2N2:Eu系荧光体、Ca8MgSi4O16Cl2:Eu系荧光体、SrAl2O4:Eu、Sr4Al14O25:Eu等荧光体。
（树脂）
荧光体层2中包含的树脂14的折射率为1.45以上、1.7以下。该树脂14的折射率更优选为1.5以上，另外，更优选为1.65以下。通过使该树脂14的折射率为1.45以上，从而使与平均折射率为1.4左右的Mn活化复合氟化物络合物荧光体（作为荧光体1的红色荧光体）的折射率差变大，光变得容易在荧光体层2中散射。因此，从光进入荧光体层2至光离开荧光体层2的光程长变长。通过使光程长变长，从LED芯片发射的蓝色光将会容易通过荧光体层2中的荧光体1而被转换颜色，因此，可减少用于呈现所期望的色度的荧光体量。
另一方面，该树脂14的折射率大于1.7时，光在荧光体层2中过度散射，光程长超出必要地变长。因此，从荧光体层2中的荧光体1发射的发射光将会容易被荧光体1吸收，结果导致从发光体发射的光的强度降低。
对于树脂14的材质而言，只要是能使荧光体（图1A所示的荧光体1等）在内部均匀分散、且能形成荧光体层2的树脂即可，没有特别限制。作为这样的树脂14，可举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚芳酯树脂、PET改性聚芳酯树脂、聚碳酸酯树脂、环状烯烃树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚丙烯树脂、改性丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂及丙烯腈・苯乙烯共聚物树脂等。这些中，从透明性方面考虑，优选有机硅树脂、环氧树脂。此外，从耐热性方面考虑，特别优选有机硅树脂。
关于作为本发明中使用的树脂14的一例的有机硅树脂，优选固化型有机硅树脂。作为树脂14使用的固化型有机硅树脂可以是一液型、二液型（三液型）中的任意的液体构成的固化型有机硅树脂。对于该固化型有机硅树脂而言，作为通过空气中的水分或催化剂而发生缩合反应的类型，包括脱醇型、脱肟型、脱乙酸型、脱羟基胺型等。另外，对于该固化型有机硅树脂而言，作为通过催化剂而发生氢化硅烷化反应的类型，有加成反应型。作为树脂14，可使用上述中任意类型的固化型有机硅树脂。尤其是，从不存在伴随固化反应的副产物，固化收缩小方面和容易通过加热来加速固化方面考虑，更优选加成反应型的有机硅树脂。
作为树脂14的一例的加成反应型的有机硅树脂，例如可通过含有键合于硅原子的烯基的化合物与具有键合于硅原子的氢原子的化合物的氢化硅烷化反应而形成。作为“含有键合于硅原子的烯基的化合物”，可举出例如乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷、降冰片烯基三甲氧基硅烷、辛烯基三甲氧基硅烷等。作为“具有键合于硅原子的氢原子的化合物”，可举出例如甲基氢聚硅氧烷、二甲基聚硅氧烷-CO-甲基氢聚硅氧烷、乙基氢聚硅氧烷、甲基氢聚硅氧烷-CO-甲基苯基聚硅氧烷等。作为加成反应型的有机硅树脂，可举出通过这样的材料的氢化硅烷化反应而形成的有机硅树脂。另外，作为树脂14，还可利用例如日本特开2010-159411号公报中记载的那样的公知的树脂。
作为这样的树脂14，可举出市售的树脂，例如，也可使用通常的LED用途的硅氧烷密封材料。作为其具体例，可举出东レ・ダウコーニング公司制的OE-6630A/B、OE-6336A/B、信越化学工业株式会社制的SCR-1012A/B、SCR-1016A/B等。
另外，作为树脂14的有机硅树脂可以是具有热熔粘性的有机硅树脂。其原因在于，荧光体层2的树脂14为具有热熔粘性的有机硅树脂时，具有该荧光体层2的荧光体片4将会具有热熔粘性，可对该具有热熔粘性的荧光体片4进行加热而贴合于LED芯片。此处所谓热熔粘性，是指通过加热而发生软化的性质。荧光体片4具有热熔粘性时，不需要使用粘接剂来进行荧光体片4与LED芯片的贴合，因此，可使发光体等的制造工序简略化。对于具有热熔粘性的荧光体片4的荧光体层2而言，25℃时的储能模量为0.1MPa以上，并且100℃时的储能模量小于0.1MPa。
作为具有热熔粘性的有机硅树脂的一例，特别优选为使包含如下所示的（A）成分～（D）成分的组成的交联性硅氧烷组合物进行氢化硅烷化反应而形成的交联物。该交联物于60℃～250℃储能模量减少，通过加热而可得到高粘接力，因此，可优选作为不需要粘接剂的荧光体片4用的基体树脂使用。
（A）成分为下述的平均单元式（21）表示的有机聚硅氧烷。
(R1 2SiO2/2)a（R1SiO3/2)b(R2O1/2)c ……（21）
平均单元式（21）中，R1为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基或碳原子数2～6的烯基。其中，R1的65摩尔%～75摩尔%为苯基，R1的10摩尔%～20摩尔%为烯基。R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基。a、b及c为满足0.5≤a≤0.6、0.4≤b≤0.5、0≤c≤0.1、并且a＋b=1的数。
（B）成分为下述的通式（2）表示的有机聚硅氧烷。该有机聚硅氧烷的含量为：使相对于（A）成分的100重量份成为5～15重量份的范围内的量。
R3 3SiO（R3 2SiO）mSiR3 3 ……（2）
通式（2）中，R3为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基或碳原子数2～6的烯基。其中，R3的40摩尔%～70摩尔%为苯基，R3中的至少1个为烯基。m为5～50的范围内的整数。
（C）成分为下述的通式（3）表示的有机三硅氧烷。该有机三硅氧烷的含量为：使（C）成分中的键合于硅原子的氢原子相对于（A）成分中的烯基与（B）成分中的烯基的总和的摩尔比为0.5～2的范围内的量。
（HR4 2SiO）2SiR4 2 ……（3）
通式（3）中，R4为苯基、或碳原子数1～6的烷基或环烷基。其中，R4的30摩尔%～70摩尔%为苯基。
（D）成分为氢化硅烷化反应用催化剂。该氢化硅烷化反应用催化剂的含量为：足以促进（A）成分中及（B）成分中的烯基与（C）成分中的键合于硅原子的氢原子的氢化硅烷化反应的量。
（A）成分的平均单元式（21）中a、b及c的值满足上述条件时，得到的交联物在室温下具有充分的硬度，并且，可使该交联物在高温下软化。（B）成分的通式（2）中，苯基的含量低于上述范围的下限时，得到的交联物在高温下的软化不充分。另一方面，苯基的含量高于上述范围的上限时，得到的交联物丧失透明性，其机械强度也降低。另外，通式（2）中，R3中的至少1个为烯基。这是因为，（B）成分不具有烯基时，可能发生下述情况：（B）成分不会被引入交联反应中，（B）成分从得到的交联物中渗出（bleed out）。另外，通式（2）中，m为5～50的范围内的整数。该m的数值范围为不仅维持得到的交联物的机械强度还可保持处理作业性的范围。
（B）成分的含量为：相对于（A）成分的100重量份为5～15重量份的范围内的量。上述的含量的范围是用于使得到的交联物在高温下充分软化的范围。
（C）成分的通式（3）中，R4为苯基或碳原子数1～6的烷基或环烷基。作为R4的烷基，可例举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、庚基。作为R4的环烷基，可例举环戊基、环庚基。需要说明的是，R4中，苯基的含量为30摩尔%～70摩尔%的范围内。上述的含量的范围是使得到的交联物在高温下充分软化、并且可保持该交联物的透明性和机械强度的范围。
（C）成分的含量为：相对于（A）成分中的烯基与（B）成分中的烯基的总和，（C）成分中的键合于硅原子的氢原子的摩尔比为0.5～2的范围内的量。上述的含量的范围是使得到的交联物在室温下具有充分的硬度的范围。
（D）成分为用于促进（A）成分中及（B）成分中的烯基与（C）成分中的键合于硅原子的氢原子的氢化硅烷化反应的氢化硅烷化反应用催化剂。作为（D）成分，可例举铂系催化剂、铑系催化剂、钯系催化剂。这些中，从能显著促进硅氧烷组合物的固化方面考虑，优选铂系催化剂。作为该铂系催化剂，可例举铂微粉末、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂-烯基硅氧烷络合物、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物。尤其是，该铂系催化剂优选为铂-烯基硅氧烷络合物。作为该烯基硅氧烷，可例举1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷、用乙基、苯基等取代这些烯基硅氧烷的甲基的一部分而得到的烯基硅氧烷、用烯丙基、己烯基等取代这些烯基硅氧烷的乙烯基而得到的烯基硅氧烷。尤其是，从该铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性良好方面考虑，优选1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。
另外，从能提高该铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性方面考虑，优选向该络合物添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等烯基硅氧烷、二甲基硅氧烷低聚物等有机硅氧烷低聚物。尤其是，优选向该络合物添加烯基硅氧烷。
（D）成分的含量没有特别限制，为足以促进（A）成分中及（B）成分中的烯基与（C）成分中的键合于硅原子的氢原子的氢化硅烷化反应的量即可。优选（D）成分的含量为相对于硅氧烷组合物而言（D）成分中的金属原子以质量单位计成为0.01ppm～500ppm的范围内的量。此外，（D）成分的含量优选为该金属原子成为0.01ppm～100ppm的范围内的量，特别优选为该金属原子成为0.01ppm～50ppm的范围内的量。上述的含量的范围为得到的硅氧烷组合物充分交联，并且不发生着色等问题的范围。
另一方面，荧光体层2中的树脂14在全部固态成分中所占的比例优选为10重量%以上、60重量%以下。其原因在于，通过使该树脂14的比例为上述的范围，能同时实现荧光体片4的颜色再现性的提高和高耐久性。
树脂14的折射率可通过使用折射率・膜厚测定装置“プリズムカプラMODEL2010/M”（メトリコン公司制），测定折射率测定样品的折射率来进行测定。折射率测定样品可通过下述方式得到：使用行星式搅拌脱泡装置“マゼルスターKK-400”（クラボウ公司制），以1000rpm对树脂14进行10分钟搅拌，进行脱泡，制作树脂14的分散液，滴加5cc该分散液至PET膜上，然后用烘箱于150℃进行1小时加热。
（微粒）
对于本发明的实施方式涉及的荧光体片4而言，为了提高荧光体层2中的荧光体1在树脂14中的分散稳定性，可在荧光体层2中含有微粒。作为该微粒的例子，可举出由二氧化钛、二氧化硅、氧化铝、硅氧烷、氧化锆、氧化铈、氮化铝、碳化硅、氮化硅、钛酸钡等构成的微粒。它们可以单独使用，也可并用2种以上。作为在荧光体层2中含有的微粒，从容易入手这样的观点考虑，优选二氧化硅微粒、氧化铝微粒、硅氧烷微粒，从硬度低这样的观点考虑，特别优选硅氧烷微粒。由于上述微粒的硬度低，因而具有在荧光体1的分散工序中抑制红色荧光体破碎的效果，结果，可得到发光强度更高的荧光体片4。
作为硅氧烷微粒的例子，尤其是，可举出利用将有机三烷氧基硅烷、有机二烷氧基硅烷、有机三乙酰氧基硅烷、有机二乙酰氧基硅烷、有机三肟硅烷、有机二肟硅烷等有机硅烷水解、接着使其进行缩合的方法得到的硅氧烷微粒。
作为有机三烷氧基硅烷，可举出例如甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、甲基三正丁氧基硅烷、甲基三异丁氧基硅烷、甲基三仲丁氧基硅烷、甲基三叔丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、异丙基三甲氧基硅烷、正丁基三丁氧基硅烷、异丁基三丁氧基硅烷、仲丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三丁氧基硅烷、N-β（氨基乙基）γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷等。
作为有机二烷氧基硅烷，可举出例如二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、甲基乙基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-（2-氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-（2-氨基乙基）-3-氨基异丁基甲基二甲氧基硅烷、N-乙基氨基异丁基甲基二乙氧基硅烷、（苯基氨基甲基）甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷等。
作为有机三乙酰氧基硅烷，可举出例如甲基三乙酰氧基硅烷、乙基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷等。作为有机二乙酰氧基硅烷，可举出例如二甲基二乙酰氧基硅烷、甲基乙基二乙酰氧基硅烷、乙烯基甲基二乙酰氧基硅烷、乙烯基乙基二乙酰氧基硅烷等。作为有机三肟硅烷，可举出例如甲基三甲基乙基酮肟硅烷、乙烯基三甲基乙基酮肟硅烷等。作为有机二肟硅烷，可举出例如甲基乙基双甲基乙基酮肟硅烷等。
这样的微粒（荧光体层2中含有的微粒）具体可通过日本特开昭63-77940号公报中报道的方法、日本特开平6-248081号公报中报道的方法、日本特开2003-342370号公报中报道的方法、日本特开平4-88022号公报中报道的方法等得到。另外，下述方法也是已知的：将有机三烷氧基硅烷、有机二烷氧基硅烷、有机三乙酰氧基硅烷、有机二乙酰氧基硅烷、有机三肟硅烷、有机二肟硅烷等有机硅烷及其部分水解物中的至少1种添加至碱水溶液中，进行水解・缩合，从而得到微粒的方法；向水或酸性溶液中添加有机硅烷及其部分水解物中的至少1种，得到该有机硅烷及其部分水解物中的至少1种水解部分缩合物，然后添加碱，进行缩合反应，从而得到微粒的方法；将有机硅烷及其水解物中的至少1种置于上层，将碱或碱与有机溶剂的混合液置于下层，在它们的界面处使该有机硅烷及其水解物中的至少1种进行水解・缩聚，从而得到微粒的方法；等。这些中的任意方法中，均可得到本发明中在荧光体层2中含有的微粒。
这些中，在使有机硅烷及其部分水解物中的至少1种水解・缩合，来制造球状有机聚倍半硅氧烷微粒时，优选使用通过日本特开2003-342370号公报中报道的那样的向反应溶液内添加高分子分散剂的方法得到的硅氧烷微粒。
本发明中，硅氧烷微粒的平均粒径由D50表示。作为该平均粒径的下限，优选为0.05μm以上，进一步优选为0.1μm以上。另外，作为该平均粒径的上限，优选为2.0μm以下，进一步优选为1.0μm以下。通过使用这样的硅氧烷微粒，从而使使用狭缝模头涂布机时的吐出性优异，可得到膜厚均匀性优异的荧光体层2。另外，优选通过单分散使用真球状的硅氧烷微粒。硅氧烷微粒的平均粒径（D50）可利用与上述的作为荧光体1的红色荧光体的平均粒径同样的方法求出。
荧光体层2中的微粒在全部固态成分中所占的比例优选为0.1重量%以上、10重量%以下。通过该微粒的比例为上述的范围内，可提高荧光体1在荧光体层2中（树脂14中）的分散稳定性，结果，可同时实现荧光体片4的颜色再现性的提高和高光通量及高耐久性。
本发明中的荧光体层2中的荧光体1、树脂14及硅氧烷微粒的各含量也可由制作完成的荧光体层2、搭载有其的LED发光体求出。例如，用规定的树脂包埋荧光体层2，将其切断，对截面进行研磨而制作试样，用扫描型电子显微镜（SEM）对其露出的截面进行观测，由此，能明确地判别荧光体层2中的荧光体1的粒子部分、硅氧烷微粒的部分及树脂14的部分。能由该截面图像的面积比正确地测定荧光体1（荧光体粒子）、硅氧烷微粒及树脂14在荧光体层2整体中所占的各体积比率。形成荧光体层2的各成分的比重明确时，可通过将上述的各体积比率除以各自的比重，来计算荧光体1在荧光体层2中所占的重量比率。形成荧光体层2的各成分的组成不明确时，可通过用高分辨率的显微红外分光、IPC发光分析对荧光体层2的截面进行分析，来判别上述各成分的组成。若上述各成分的组成变得明确，则能以相当程度的准确性来推定树脂14、荧光体1的物质固有的比重，因此，可使用其求出上述的重量比率。
（其他成分）
为了抑制常温下的固化，延长贮存期，作为其他成分，优选在荧光体层2中配混氢化硅烷化反应延迟剂。作为氢化硅烷化反应延迟剂，可举出例如3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、苯基丁炔醇、1-乙炔基-1-环己醇等具有碳-碳三键的醇衍生物、3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、四甲基四己烯基环四硅氧烷等含有烯基的低分子量硅氧烷、甲基-三（3-甲基-1-丁炔-3-氧基）硅烷、乙烯基-三（3-甲基-1-丁炔-3-氧基）硅烷等含有炔烃的硅烷等。
另外，根据需要，可在不损害本发明的效果的范围，在荧光体层2中配混热解法二氧化硅、玻璃粉末、石英粉末等微粒、氧化锌等无机填充剂、颜料、阻燃剂、耐热剂、抗氧化剂、分散剂、溶剂、硅烷偶联剂、钛偶联剂等粘接性赋予剂等。
＜透明树脂层＞
透明树脂层5（参照图1B）的波长450nm处的总光线透过率为90%以上，为不包含荧光体1的树脂层。例如图1B所示那样，透明树脂层5可层叠在荧光体层2之上。另外，透明树脂层5的波长400nm～800nm处的最小透过率优选为80%以上。此处所谓最小透过率，是指波长400nm～800nm处的透光率中最小的值。通过使该最小透过率为80%以上，荧光体片4将会容易同时实现高光通量化和高耐久性。通过在荧光体层2之上具有透明树脂层5，从而使荧光体层2中的荧光体1（例如红色荧光体等）的耐久性提高，结果，使荧光体片4的耐久性提高。
另外，透明树脂层5可以进一步含有微粒。通过使透明树脂层5含有微粒，从而使透明树脂层5的膜厚均匀性提高，因此，在后述的荧光体片4的拾取工序中，可高精度地拾取荧光体片4。透明树脂层5的膜厚变得不均匀的原因之一包括：形成透明树脂层5时的干燥工序中的树脂的流动。该干燥工序中，透明树脂层5中包含的树脂因加热而粘度降低，因而变得容易流动。尤其是，透明树脂层5中包含的树脂为具有热熔粘性的有机硅树脂时，上述的树脂的粘度降低显著，因此，透明树脂层5的膜厚容易变得不均匀。将具有热熔粘性的有机硅树脂用于透明树脂层5时，为了保持透明树脂层5的膜厚的均匀性，使透明树脂层5含有微粒特别重要。
透明树脂层5的膜厚的均匀性提高还具有提高透明树脂层5的作为保护层的功能的效果。在局部地存在透明树脂层5的膜厚薄的部分的情况下，所述的薄的部分无法作为保护层充分发挥功能，因此，得到的发光体的耐久性差。通过本发明，可抑制这样的情况。
（树脂）
作为透明树脂层5中使用的树脂，优选为选自有机硅树脂、氟树脂、环氧树脂、聚芳酯树脂、PET改性聚芳酯树脂、聚碳酸酯树脂、环状烯烃树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚丙烯树脂、改性丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂及丙烯腈・苯乙烯共聚物树脂中的1种以上的树脂。其中，更优选为选自有机硅树脂、氟树脂、环氧树脂中的1种以上的树脂，从耐热性方面考虑，特别优选为有机硅树脂。
透明树脂层5中使用的树脂为有机硅树脂时，该有机硅树脂可以是具有热熔粘性的有机硅树脂。通过使该有机硅树脂具有热熔粘性，从而在利用后述的透明树脂片法形成透明树脂层5时，能将荧光体层2与透明树脂层5牢固地粘接。
（微粒）
透明树脂层5中使用的微粒优选对可见光的吸收、发光少。作为该微粒，可举出例如二氧化钛、二氧化硅、氧化铝、硅氧烷、氧化锆、氧化铈、氮化铝、碳化硅、氮化硅、钛酸钡等微粒。这些中，从容易入手这样的观点考虑，更优选选自二氧化硅微粒、氧化铝微粒、硅氧烷微粒中的1种以上的微粒，从容易控制折射率、粒径这样的观点考虑，特别优选硅氧烷微粒。
通过缩小透明树脂层5中的微粒的粒径、并且减小透明树脂层5中的树脂与微粒的折射率差，可使透明树脂层5的波长400nm～800nm处的最小透过率为80%以上。
透明树脂层5中包含的微粒的平均粒径优选为1nm以上，更优选为3nm以上。另外，该微粒的平均粒径优选为1000nm以下，更优选为300nm以下。通过使该微粒的平均粒径为优选的下限值以上，能将微粒稳定地分散于透明树脂层5中。通过使该微粒的平均粒径为1000nm以下，可抑制透明树脂层5中的光的散射，因此，可维持透明树脂层5的高透光率。
此处所谓微粒（透明树脂层5中包含的微粒）的平均粒径，是指中值粒径（D50）。该微粒的平均粒径可利用与上述的作为荧光体1的红色荧光体的平均粒径同样的方法求出。
透明树脂层5中的微粒在全部固态成分中所占的比例优选为0.1重量%以上，更优选为1重量%以上。另外，该微粒的比例优选为30重量%以下，更优选为10重量%以上。通过使该微粒的比例为优选的下限值以上，可抑制透明树脂层5的膜厚的偏差。通过使该微粒的比例为优选的上限值以下，可维持透明树脂层5的高透光率。
（其他特征）
含有微粒的透明树脂层5的透光率可利用分光光度计测定。例如，在使用日立制作所制:U-4100 Spectrophotomater的情况下，可通过使用了该测定装置所附带的积分球的基本构成测定透明树脂层5的样品的透光率。关于该透光率的测定条件，使狭缝为2nm，使扫描速度为600nm/分钟。
透明树脂层5的透光率测定用的样品（以下称为“透过率测定样品”）可利用下述的方法制作。例如，对透明树脂层5中使用的树脂及微粒进行搅拌、脱泡，制作分散液，用刮刀涂布机将该分散液涂布于石英玻璃上，然后，利用烘箱，于150℃进行1小时加热。如上所述地操作，可制作透过率测定样品。
透过率测定样品的膜厚可利用下述的方法测定。例如，预先用测微计（micrometer）测定石英玻璃的规定位置的厚度，预先标记所述的测定的位置。接着，利用上述的方法在该石英玻璃上形成透明树脂层5的透过率测定样品，然后，再次用测微计测定标记部分的厚度。通过从得到的厚度减去之前测定的石英玻璃的厚度，从而可得到该透过率测定样品的膜厚。
透明树脂层5中包含的树脂与微粒的折射率差优选为0.5以下，更优选为0.3以下，特别优选为0.1以下。透明树脂层5中包含的树脂的折射率优选为1.3以上，优选为1.6以下。通过使该树脂的折射率为1.3以上，从而使透明树脂层5与荧光体层2的折射率差变得较小，因此，可提高从荧光体层2向透明树脂层5的光提取效率。另外，通过使该树脂的折射率为1.6以下，从而使透明树脂层5与空气层的折射率差变得较小，因此，可提高从透明树脂层5向空气层的光提取效率。另外，从进一步提高光提取效率这样的观点考虑，透明树脂层5中包含的树脂的折射率优选不大于荧光体层2中包含的树脂的折射率。
透明树脂层5中包含的树脂的折射率可通过使用折射率・膜厚测定装置“プリズムカプラMODEL2010/M”（メトリコン公司制），测定折射率测定样品的折射率来进行测定。折射率测定样品可通过下述方式得到：使用クラボウ公司制行星式搅拌脱泡装置“マゼルスターKK-400”，以1000rpm对该树脂进行10分钟搅拌，进行脱泡，制作分散液，滴加5cc该分散液至PET膜上，然后用烘箱于150℃进行1小时加热。
＜其他层＞
本发明的实施方式涉及的荧光体片4可以在荧光体层2之上及之下的至少一方具有与荧光体层2不同的其他的荧光体层、扩散层。这种情况下，对于在荧光体层2或其他荧光体层之下（例如，任一荧光体层与LED芯片表面之间）形成的透明树脂层而言，为了能不使用粘接剂地贴合于LED芯片，优选具有热熔粘性。在折射率高的GaN、蓝宝石等LED芯片表面上贴合上述的透明树脂层时，该LED芯片表面的折射率与位于任一荧光体层之下的透明树脂层的折射率差越小，越能提高从该LED芯片表面向该透明树脂层的光提取效率。因此，这种情况下，该透明树脂层的折射率优选为1.56以上。
所谓扩散层，是包含规定的树脂、和二氧化硅、二氧化钛、氧化锆等扩散材料的层。通过形成扩散层，可减弱发射光的指向性，可得到各向同性更强的发射光。因此，扩散层优选形成在荧光体层2的上层。
＜荧光体片的制作方法＞
接着，详细说明本发明的实施方式涉及的荧光体片4的制作方法。需要说明的是，以下说明的制作方法是一个例子，荧光体片4的制作方法不受其限制。
作为制作荧光体片4的一种方法，有将荧光体层2直接涂布于支持体3上的方法。该方法中，首先，作为用于形成荧光体层2的涂布液，制作将荧光体1分散于树脂14中而得到的溶液（以下称为“荧光体层制作用树脂液”）。荧光体层制作用树脂液可通过在溶剂中混合荧光体1和树脂14而得到。
为了调节粘度而需要添加溶剂时，对于溶剂的种类没有特别限制，只要是能调节流动状态的树脂14的粘度的溶剂即可。作为该溶剂，可举出例如甲苯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、己烷、庚烷、环己烷、丙酮、萜品醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯等。
以成为规定的组成的方式调配构成荧光体层2所需要的成分和根据需要而添加的溶剂等成分后，用均化器、自转公转型搅拌机、三辊研磨机、球磨机、行星式球磨机、珠磨机等搅拌・混炼机将上述成分的调配物均匀地混合分散，由此，可得到荧光体层制作用树脂液。在上述的混合分散后或上述的混合分散的过程中，还优选在真空或减压条件下进行脱泡。
但是，作为荧光体1的Mn活化复合氟化物络合物荧光体与β型塞隆荧光体等在高温下烧成而制造的荧光体相比，具有硬度低、脆这样的性质。因此，在用搅拌・混炼机等使Mn活化复合氟化物络合物荧光体分散时，优选的是，通过以施加至Mn活化复合氟化物络合物荧光体的冲击尽可能变小的方式设定分散条件，从而抑制Mn活化复合氟化物络合物荧光体的破碎。通过抑制Mn活化复合氟化物络合物荧光体的破碎，可得到发光强度强的荧光体片4。
接着，将如上所述地制作的荧光体层制作用树脂液涂布于支持体3上，使其干燥。对由此在支持体3上得到的荧光体层2进行加热固化而进行制作。荧光体层制作用树脂液向支持体3上的涂布可通过逆转辊涂布机、刮刀涂布机、狭缝模头涂布机、直接凹版涂布机、胶印凹版涂布机、吻合涂布机、丝网印刷、自然辊涂布机、气刀涂布机、辊式刮刀涂布机、双流涂布机、棒式涂布机、线棒涂布机、涂敷器、浸涂机、帘式涂布机、旋涂机、刮刀式涂布机等进行。为了得到荧光体层2的膜厚的均匀性，优选用狭缝模头涂布机进行涂布。另外，荧光体层2也可利用丝网印刷、凹版印刷、平版印刷等印刷法来制作。特别优选使用丝网印刷。
荧光体层制作用树脂液的干燥可使用热风干燥机、红外线干燥机等常规的加热装置进行。对于荧光体层2的加热固化而言，可使用热风干燥机、红外线干燥机等常规的加热装置。这种情况下，加热固化条件通常为40℃～250℃下1分钟～5小时，优选为100℃～200℃下2分钟～3小时。
通过上述的方法，可制作至少具有荧光体层2的荧光体片4。对于该荧光体片4而言，如图1A所例示，作为单一的片而成为被支持体3支持的状态。
作为本发明中使用的支持体3，没有特别限制，可举出例如公知的金属、树脂膜、玻璃、陶瓷、纸、纤维素乙酸酯。这些中，从荧光体片4的制作的容易性、荧光体片4的单片化的容易性考虑，可优选使用玻璃、树脂膜。尤其是，从将荧光体片4贴合于LED芯片时的密合性考虑，支持体3优选为柔软的膜状。另外，为了在对膜状的支持体3进行处理时不会发生断裂等，优选将强度高的膜作为支持体3。从这些要求特性、经济性方面考虑，优选将树脂膜作为支持体3。在可作为支持体3使用的树脂膜中，从经济性、处理性方面考虑，优选选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚丙烯、聚酰亚胺组成的组中的塑料膜。另外，在使荧光体层制作用树脂液干燥时或将荧光体片4贴合于LED芯片时，需要200℃以上的高温的情况下，从耐热性方面考虑，优选聚酰亚胺膜。从将荧光体片4从支持体3剥离的容易性考虑，可以预先对支持体3的表面进行脱模处理。
另外，荧光体片4的制作方法中，在荧光体层2上形成透明树脂层5时，作为透明树脂层5的形成方法，有直接涂布法和透明树脂片法。所谓直接涂布法，例如是指将用于制作透明树脂层5的利用透明树脂溶剂调节了粘度的树脂溶液（以下称为“透明树脂层制作用树脂液”）直接涂布于荧光体层2上，然后进行干燥、加热固化处理的方法。
直接涂布法中，透明树脂层制作用树脂液的涂布可利用与荧光体层2的制作（荧光体层制作用树脂液的涂布）同样的方法，为了得到透明树脂层5的膜厚的均匀性，优选用狭缝模头涂布机涂布透明树脂层制作用树脂液。透明树脂层制作用树脂液的干燥可利用热风干燥机、红外线干燥机等常规的加热装置进行。对于通过上述干燥而形成的透明树脂层5的加热固化而言，可使用热风干燥机、红外线干燥机等常规的加热装置。这种情况下，加热固化条件通常为40℃～250℃下1分钟～5小时，优选为100℃～200℃下2分钟～3小时。
所谓透明树脂片法，是指下述方法：制作透明树脂片，将荧光体片4的荧光体层2侧与制作的透明树脂片的透明树脂层5侧贴合，由此，在荧光体层2上形成透明树脂层5。透明树脂片可利用与上述的具有荧光体层2的荧光体片4同样的方法制作。即，使用“透明树脂层制作用树脂液”代替“荧光体层制作用树脂液”，进行与上述的荧光体片4的制作方法同样的方法，在规定的支持体（例如与支持体3同样的支持体）上形成透明树脂层5，由此，可制作透明树脂片。
利用透明树脂片法在荧光体层2上形成透明树脂层5时，需要使荧光体层2及透明树脂层5中至少一方的层的树脂为半固化的状态。通过使至少一方的层的树脂为半固化的状态，从而可将荧光体层2与透明树脂层5粘接。该透明树脂片法中，更优选至少透明树脂层5的树脂为半固化，特别优选荧光体层2的树脂14及透明树脂层5的树脂这两方为半固化的状态。
荧光体层2与透明树脂层5的贴合优选进行加热而进行贴合。通过进行加热，荧光体层2及透明树脂层5的各树脂的粘度降低，因此，可将荧光体层2与透明树脂层5牢固地贴合。为了充分降低上述贴合时的各树脂的粘度，作为加热条件，优选为40℃以上，更优选为60℃以上，特别优选为80℃以上。另外，贴合时的各树脂的温度过高时，在荧光体层2与透明树脂层5粘接之前，半固化状态的树脂（例如透明树脂层5的树脂）发生固化，因此，荧光体层2与透明树脂层5变得难以粘接。从抑制上述贴合时的热固化这样的观点考虑，作为加热条件，优选为200℃以下，更优选为170℃以下，特别优选为150℃以下。
另外，在荧光体层2与透明树脂层5贴合时引入气泡的情况下，在气泡与荧光体层2的界面、和气泡与透明树脂层5的界面处，光发生漫反射。由此，从荧光体片4中提取光的效率降低，作为结果，导致使用该荧光体片4制造的发光体的亮度降低。从防止这样的气泡的引入这样的观点考虑，荧光体层2与透明树脂层5的贴合优选在真空气氛下进行。所谓真空气氛下，是指压力为规定值以下的气氛。该真空气氛下的压力为100hPa以下，更优选为10hPa以下，进一步优选为5hPa以下，特别优选为1hPa以下。
（使用荧光体片的发光体的制造方法）
对本发明的实施方式涉及的发光体的制造方法（使用了荧光体片4的发光体的制造方法）进行说明。图2为表示本发明的实施方式涉及的使用了荧光体片的发光体的制造方法的一例的工序图。需要说明的是，以下的说明是一个例子，本发明的实施方式涉及的发光体的制造方法不限于以下说明的方法。
使用了荧光体片4的发光体的制造方法大体包括3个工序。第1工序是将荧光体片4单片化的单片化工序。第2工序是拾取单片化了的荧光体片4的拾取工序。第3工序为将拾取的荧光体片4（经单片化工序单片化了的荧光体片4）贴合于光源的贴合工序。另外，该发光体的制造方法根据需要可包括其他工序。
以下，将荧光体片4视为由形成于支持体3上的荧光体层2形成的结构，举出将作为该荧光体片4的荧光体层2单片化、并贴合于作为光源的一例的LED芯片的情况作为例子，参照图2对本发明的实施方式涉及的发光体的制造方法进行说明。
（单片化工序）
单片化工序中，荧光体片4的单片化可通过利用模具进行的冲裁、利用激光进行的加工、切片（dicing）、切割（cutting）等方法进行。此时，作为荧光体片4的荧光体层2可以为半固化状态，也可以预先被固化。对于利用激光进行的加工而言，由于可向荧光体层2赋予高能量，因此，避免荧光体层2的树脂（例如如图1A所示的树脂14）的烧焦、荧光体（例如如图1A所示的荧光体1）的劣化是非常困难的。因此，作为荧光体片4的单片化的方法，期望为利用刃具进行的切削或切断。
例如如图2所示那样，作为荧光体片4的荧光体层2处于被支持体3支持的状态。单片化工序中，支持体3上的荧光体层2被刃具6切断（状态S1）。由此，该荧光体层2被单片化而成为多片，被加工成单片化荧光体层7（状态S2）。此时，单片化荧光体层7保持被贴合于支持体3的状态。
刃具6例如为旋转刀。作为通过旋转刀来切断荧光体层2的装置，可优选利用被称为切片机（dicer）的用于将半导体基板切断（切片）成单个的芯片的装置。若使用切片机，则通过旋转刀的厚度、条件设定，可精密地控制荧光体层2的分割线的宽度，因此，与利用单纯的刃具的压入进行的荧光体层2的切断相比，可得到高的加工精度。在上述任意切断方法的情况下，均可将荧光体层2与支持体3一同单片化。或者，也可以将荧光体层2单片化、但不切断支持体3。此时，优选对支持体3进行形成不贯通的切割线的所谓半切割（half cut）。
单片化工序中，荧光体层2的切断优选为基于干式切割（dry cut）的切断。所谓干式切割，是指在切断时不使用水等液体的切断方法。单片化工序中的荧光体层2的切断不限于此，可举出例如基于汤姆逊刀的切断等。荧光体层2包含如K2SiF6:Mn等那样通过与水反应而使发光效率降低的荧光体时，干式切割特别有效。
对于荧光体片4而言，可在单片化工序的前后，或与单片化工序同时，实施荧光体层2的开孔加工。作为该开孔加工，可优选使用激光加工、利用模具进行的冲裁等公知的方法，但由于激光加工引起荧光体层2的树脂的烧焦、荧光体的劣化，因此，更优选利用模具进行的冲裁加工。
（拾取工序）
经上述的单片化工序单片化了的荧光体片4通过作为单片化工序的下一工序的拾取工序而被拾取。例如，如图2所示，单片化荧光体层7处于被贴合于支持体3上的状态。拾取工序中，单片化荧光体层7通过具有筒夹（collet）8等吸引装置的拾取装置（未图示），被从支持体3剥离而被拾取（状态S3）。
（贴合工序）
通过上述的拾取工序而被拾取的单片化荧光体层7（单片化了的荧光体片4的一例）通过作为拾取工序的下一工序的贴合工序而被贴合于光源。例如如图2所示，单片化荧光体层7处于通过筒夹8而被拾取的状态。筒夹8与单片化荧光体层7一同被搬运至被安装于基板11的LED芯片9（光源的一例）的位置，由此，使LED芯片9的光提取面与单片化荧光体层7的粘接面（例如下面）相对。接下来，筒夹8向LED芯片9的光提取面按压单片化荧光体层7的粘接面而进行贴合（状态S4）。此时，可在基板11上的LED芯片9的周围形成有反射器（リフレクター）10。
贴合工序中的单片化荧光体层7与LED芯片9的贴合优选使用粘接剂（未图示）。作为该粘接剂，可使用公知的小片接合剂（die bond agent）、粘接剂。可使用例如丙烯酸树脂系、环氧树脂系、聚氨酯树脂系、有机硅树脂系、改性有机硅树脂系、酚醛树脂系、聚酰亚胺系、聚乙烯醇系、聚甲基丙烯酸酯树脂系、三聚氰胺树脂系、脲树脂系的粘接剂。荧光体层2具有粘合性时，可利用该粘合性，将单片化荧光体层7与LED芯片9贴合。
另外，贴合工序为对单片荧光体层7进行加热而贴合于LED芯片9的工序时，若在大气中进行该贴合工序，则有时在LED芯片9与单片化荧光体层7之间引入气泡。在引入气泡的情况下，在气泡与LED芯片9的界面、和气泡与单片化荧光体层7的界面处光发生漫反射。由此，从LED芯片9提取光的效率降低，作为结果，导致使用荧光体片4制造的发光体（例如如图2所示的发光体13）的亮度降低。从防止这样的气泡的引入这样的观点考虑，该贴合工序优选在真空气氛下进行。
（其他工序）
上述的发光体的制造方法中，作为其他工序，可以进一步包括将LED芯片9与作为电路基板的一例的基板11电连接的连接工序。该连接工序中，利用公知的方法将LED芯片9的电极与基板11的布线电连接。由此，可得到发光体13。LED芯片9在光提取面侧具有电极的情况下，LED芯片9的上面的电极与基板11的布线可通过引线接合（wire bonding）连接。另外，LED芯片9为在发光面的相反面具有电极垫的倒装芯片类型的情况下，使LED芯片9的电极面与基板11的布线相对，它们可通过一并接合来连接。这种情况下，基板11与LED芯片9的连接可在单片化了的荧光体片4（例如单片化荧光体层7）的贴合前进行。
在单片荧光体层7在半固化状态下与LED芯片9贴合的情况下，可在上述的连接工序之前或之后的合适的时机，使单片荧光体层7固化。例如，在为了将倒装芯片类型的LED芯片9一并接合于基板11而进行热压接的接合的情况下，可通过该加热同时使单片化荧光体层7固化。另外，在将连接有LED芯片9和基板11的封装在较大的电路基板上进行表面安装的情况下，若利用回流焊（半田リフロー）进行焊接，则可同时使单片化荧光体层7固化。
在单片化荧光体层7在已固化的状态下与LED芯片9贴合的情况下，在将单片化荧光体层7与LED芯片9贴合后，不需要设置单片化荧光体层7的固化过程。所谓的单片化荧光体层7在已固化的状态下与LED芯片9贴合的情况，例如是指：在已固化的单片化荧光体层7上另行形成粘接层的情况、单片化荧光体层7在固化后具有热熔粘性的情况等。
另外，上述的发光体的制造方法中，作为其他工序，可以进一步包括将进行贴合工序后的LED芯片9密封的密封工序。例如如图2所示，在密封工序中，以覆盖贴合了单片化荧光体层7后的LED芯片9的方式，将透明密封材料12注入至基板11上（详细而言为反射器10的内侧）。由此，该LED芯片9通过透明密封材料12而被密封（状态S5）。如上所述地操作，可制作如图2所示的发光体13。作为透明密封材料12，从透明性、耐热性的观点考虑，可优选使用有机硅树脂。
如上所述参照图2而说明的发光体的制造方法中，示例了荧光体片4由支持体3上的荧光体层2形成的情况，但该发光体的制造方法不限于此。即，该发光体的制造方法中使用的荧光体片4可以是由荧光体层2形成的产物，也可以是如图1B中例示的由荧光体层2与透明树脂层5的层叠体形成的产物，也可以是进一步具有上述的扩散层等其他层的产物。例如，荧光体片4为具有荧光体层2及透明树脂层5的产物的情况下，在单片化工序中，支持体3上的荧光体层2及透明树脂层5均被单片化。拾取工序中，将荧光体层2和透明树脂层5的单片化了的层叠体从支持体3拾取。贴合工序中，所述的拾取了的层叠体（单片化了的层叠体）被贴合于LED芯片9的光提取面。
＜发光体、光源单元、显示器＞
本发明的实施方式涉及的发光体具有上述的荧光体片4。例如，图2所示的发光体13在LED芯片9的光提取面上具有作为荧光体片4的单片化荧光体层7。这样的发光体可广泛应用于车载的前照灯、电视机、智能手机的背光源、照明等。本发明中，荧光体片4及使用了其的发光体的颜色再现性的提高优异，具有高光通量、高耐久性，因此，优选应用于背光源等光源单元。
本发明的实施方式涉及的光源单元具有上述的荧光体片4。该光源单元还包括具备具有荧光体片4的发光体的光源单元。这样的光源单元可应用于电视机用、智能手机用、平板型计算机用、游戏机器用的显示器。
本发明的实施方式涉及的显示器具备具有上述的荧光体片4的光源单元。该显示器还包括具备具有本发明中的发光体（使用荧光体片4制作的发光体）的光源单元的显示器。作为这样的显示器，可举出例如液晶显示器等。
＜颜色再现范围测定＞
将使用荧光体片4制作的发光体作为液晶显示器的背光源使用时的液晶显示器的颜色再现范围可通过DCI比进行评价。所谓DCI比，是指将DCI（Digital CinemaInitiative）标准涉及的DCI色度区域的面积作为基准（100%）时的色度区域中的面积比。DCI比可按照下述的步骤测定。
首先，在制作的发光体上，放置利用公知的方法制作的使红色光透过的滤色片，向该发光体投入1W的电力，将该发光体点亮，使用总光通量测定系统（HM-3000，大冢电子公司制）测定发射光的色度。同样地，对于在该发光体上放置使绿色光透过的滤色片的情况和放置使蓝色光透过的滤色片的情况，分别测定发射光的色度。通过将以得到的3个色度为顶点的三角形的面积除以DCI色度区域的面积，从而可算出DCI比。
实施例
以下，通过实施例具体说明本发明。但是，本发明不受它们的限制。
＜有机硅树脂＞
有机硅树脂T11为OE-6351A/B（东レ・ダウコーニング公司制）。有机硅树脂T11的折射率为1.41。有机硅树脂T12为KER6075LV A/B（信越化学工业公司制）。有机硅树脂T12的折射率为1.45。有机硅树脂T13为XE14-C2860（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアル公司制）。有机硅树脂T13的折射率为1.50。有机硅树脂T14为OE6630 A/B（东レ・ダウコーニング株式会社制）。有机硅树脂T14的折射率为1.53。
有机硅树脂T15通过混合下述的（E）成分75重量份、（F）成分10重量份、（G）成分25重量份、反应抑制剂0.025重量份、铂催化剂0.01重量份而得到。使用有机硅树脂T15制作的透明树脂片的25℃时的储能模量为1Mpa，100℃时的储能模量为0.01MPa，显示良好的热熔粘性。有机硅树脂T15的折射率为1.56。
有机硅树脂T15中，（E）成分为（MeViSiO2/2）0.25（Ph2SiO2/2）0.3（PhSiO3/2）0.45（HO1/2）0.03。（F）成分为ViMe2SiO（MePhSiO）17.5SiMe2Vi。（G）成分为（HMe2SiO）2SiPh2。其中，Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基。另外，反应抑制剂为1-乙炔基己醇。铂催化剂为铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷溶液。该溶液的铂含量为5重量%。
有机硅树脂T16通过下述的制备方法得到。有机硅树脂T16的折射率为1.60。
有机硅树脂T16的制备方法中，向反应容器中投入1-萘基三甲氧基硅烷（892.8g）及1,3-二乙烯基-1,3-二苯基二甲基二硅氧烷（372.0g），预先混合后，投入三氟甲磺酸（6.15g），在搅拌下投入水（213.84g），进行2小时加热回流。然后，进行加热常压馏去直至成为85℃。接下来，投入甲苯（435.6g）、氢氧化钾（3.28g），进行加热常压馏去直至反应温度成为120℃，在该温度下进行6小时反应。然后，冷却至室温，投入乙酸（3.524g），进行中和。滤出生成的盐，然后，从得到的透明的溶液中加热减压馏去低沸点物，得到平均单元式：（MePhViSiO1/2）0.40（NaphSiO3/2）0.60表示的有机聚硅氧烷树脂P1 957.4g。
另外，向反应容器中投入1-萘基三甲氧基硅烷（50g），使其加热熔融，然后添加三氟甲磺酸（0.06g）。接下来，一边加热至45℃～50℃，一边滴加乙酸（9.3g）。滴加结束后，于50℃进行30分钟加热搅拌。将低沸点物加热常压馏去直至反应温度成为80℃。然后，冷却至室温，滴加1,3,3-四甲基二硅氧烷（4.4g），进行加热直至反应温度成为45℃。接下来，于45℃～50℃滴加乙酸（18g）。滴加结束后，于50℃进行30分钟加热搅拌。一边通过空气冷却或水冷将温度保持为60℃以下，一边滴加乙酸酐（15.5g），滴加结束后，于50℃进行30分钟加热搅拌。接着，投入甲苯和水，反复进行搅拌、静置及抽出下层，进行水洗。确认了下层的pH为7后，从作为上层的甲苯层中将低沸点物加热减压馏去，得到平均单元式：(HMe2SiO1/2)0.60（NaphSiO3/2）0.40表示的无色透明液态的有机聚硅氧烷P2 43g。
将有机聚硅氧烷树脂P1 52.0质量份、有机聚硅氧烷P2 30.0质量份、式：HMe2SiOPh2SiOSiMe2H表示的有机三硅氧烷 14.0质量份、及铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物的1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷的溶液（以铂计含有0.1质量%的溶液）0.25质量份混合，制备固化性硅氧烷组合物。
有机硅树脂T17通过下述的制备方法得到。有机硅树脂T17的折射率为1.65。
有机硅树脂T17的制备方法中，将甲基三甲氧基硅烷（16.6g）、苯基三甲氧基硅烷（56.2g）、数均粒径15nm的”オプトレイクTR-527”（商品名，触媒化成工业（株）制，组成：二氧化钛粒子20重量%，甲醇80重量%）（194g）、丙二醇单甲基醚乙酸酯（126.9g）装入到反应容器中，一边搅拌一边向该溶液中滴加水（21.9g）及磷酸（0.36g），使得反应温度不超过40℃。滴加后，在烧瓶上安装蒸馏装置，以105℃的浴温对得到的溶液进行2.5小时加热搅拌，一边将通过水解而生成的甲醇馏去一边使其反应。然后，于115℃的浴温对该溶液进一步进行2小时加热搅拌，然后冷却至室温，得到经聚硅氧烷接枝了的二氧化钛粒子。
接着，在上述得到的二氧化钛粒子（50.00g）中混合有机硅树脂T14（8.00g），使用行星式搅拌・脱泡装置“マゼルスターKK-400”（クラボウ公司制），以1000rpm进行20分钟搅拌・脱泡，由此，制作有机硅树脂T17。进行折射率测定，结果，有机硅树脂T17的平均折射率为1.65。
有机硅树脂T18通过下述的制备方法得到。有机硅树脂T18的折射率为1.70。
有机硅树脂T18的制备方法中，与上述的有机硅树脂T17的制备方法同样地，在经聚硅氧烷接枝了的二氧化钛粒子（60.0g）中混合有机硅树脂T14（3.0g），使用行星式搅拌・脱泡装置“マゼルスターKK-400”（クラボウ制），以1000rpm进行20分钟搅拌・脱泡。由此，制作有机硅树脂T18。进行折射率测定，结果，有机硅树脂T18的折射率为1.70。
＜氟树脂＞
氟树脂T21为AF2400S（三井・デュポンフロロケミカル公司制）。氟树脂T21的折射率为1.30。氟树脂T22为CTX-800（CT-solv180溶液）（旭硝子公司制）。氟树脂T22的折射率为1.35。
＜荧光体＞
绿色荧光体为称为GR-MW540K（デンカ株式会社制）的β型塞隆荧光体。黄色荧光体为称为NYAG-02（Intematix公司制）的Ce掺杂YAG荧光体。红色荧光体T1为KSF荧光体样品A（株式会社ネモト・ルミマテリアル制）。红色荧光体T2为KSF荧光体样品B（株式会社ネモト・ルミマテリアル制）。红色荧光体T3为KSF荧光体样品C（株式会社ネモト・ルミマテリアル制）。红色荧光体T4为KSF荧光体样品D（株式会社ネモト・ルミマテリアル制）。红色荧光体T5为KSF荧光体样品E（株式会社ネモト・ルミマテリアル制）。红色荧光体T6为KSF荧光体样品F（株式会社ネモト・ルミマテリアル制）。
本实施例中使用的红色荧光体T1～T6的D10、D50及D90利用以下的方法测定。该测定结果示于表1。表1中还示出基于测得的D10、D50及D90、基于上述的式（11）算出的值x。
红色荧光体T1～T6的D10、D50及D90的测定方法中，如后文所述，制作荧光体片（例如图1A、1B所示的荧光体片4），用SEM观察该荧光体层的截面，在得到的二维图像中，算出与粒子的外缘有2点相交的直线的该2个交点间的距离中最大的距离，将其定义为粒子的单个的粒径。在由观察的全部粒子的单个的粒径求出的粒度分布中，将从小粒径侧起始的累积百分比10%的粒径记为D10，将累积百分比50%的粒径记为D50，将累积百分比90%的粒径记为D90。
[表1]
＜基材膜＞
基材膜为本发明中的荧光体片的支持体（例如图1A、1B所示的支持体3）的一例。本实施例中，使基材膜为PET膜。该PET膜为“セラピール”BX9（东レフィルム加工（株）制），其膜厚为50μm。
＜硅氧烷微粒＞
硅氧烷微粒通过以下的制造方法得到。
硅氧烷微粒的制造方法中，在2L四口圆底烧瓶上安装搅拌机、温度计、回流管、滴液漏斗，向该烧瓶中装入包含10000ppm作为表面活性剂的聚醚改性硅氧烷“BYK333”的2.5%的氨水（2L），一边以300rpm进行搅拌，一边通过油浴进行升温。在内温达到50℃时，经30分钟从滴液漏斗滴加甲基三甲氧基硅烷与苯基三甲氧基硅烷的混合物（22/78mol%）（200g）。保持该温度，进一步持续搅拌60分钟，然后添加乙酸（试剂特级）（约5g），进行搅拌混合，然后进行过滤。向过滤器上的生成粒子添加水（600mL）2次、甲醇（200mL）1次，进行过滤、洗涤。取出过滤器上的滤饼，粉碎后，经10小时进行冷冻干燥，由此，以硅氧烷微粒形式得到白色粉末（40g）。
用SEM观察得到的硅氧烷微粒，确认了为单分散球状微粒。由得到的SEM图像算出该硅氧烷微粒的平均粒径，结果为50nm。利用液浸法测定该硅氧烷微粒的折射率，结果为1.54。用截面TEM观察该硅氧烷微粒，结果，确认了是粒子内为单一结构的微粒。
＜二氧化硅微粒＞
二氧化硅微粒T31为Aerosil200（日本アエロジル（株）制）。二氧化硅微粒T31的平均粒径为12nm。二氧化硅微粒T31的折射率为1.46。二氧化硅微粒T32为“アドマナノ”YA050C（アドマテックス（株）制）。二氧化硅微粒T32的平均粒径为50nm。二氧化硅微粒T32的折射率为1.46。二氧化硅微粒T33为“アドマナノ”YA100C（アドマテックス（株）制）。二氧化硅微粒T33的平均粒径为100nm。二氧化硅微粒T33的折射率为1.46。二氧化硅微粒T34为“アドマファイン”SO-E1（アドマテックス（株）制）。二氧化硅微粒T34的平均粒径为250nm。二氧化硅微粒T34的折射率为1.46。二氧化硅微粒T35为HPS-1000（东亚合成（株）制）。二氧化硅微粒T35的平均粒径为1000nm。二氧化硅微粒T35的折射率为1.46。二氧化硅微粒T36为“アドマファイン”SO-E5（アドマテックス（株）制）。二氧化硅微粒T36的平均粒径为1500nm。二氧化硅微粒T36的折射率为1.46。
＜氧化铝微粒＞
氧化铝微粒为Aeroxide AluC（日本アエロジル（株）制）。该氧化铝微粒的平均粒径为12nm。该氧化铝微粒的折射率为1.77。
＜二氧化钛微粒＞
二氧化钛微粒为MT-01（テイカ株式会社制）。该二氧化钛微粒的平均粒径为10nm。该二氧化钛微粒的折射率为2.50。
＜荧光体片的制作＞
在本实施例中的荧光体片的制作中，在容积为300mL的聚乙烯制容器中，以规定的比率混合有机硅树脂、硅氧烷微粒、红色荧光体、绿色荧光体。进而，添加甲苯8wt%作为溶剂，使用行星式搅拌・脱泡装置“マゼルスターKK-400”（クラボウ制），以1000rpm进行搅拌・脱泡，得到荧光体层制作用树脂液。然后，使用狭缝模头涂布机，将荧光体层制作用树脂液涂布于PET膜上，于130℃进行30分钟干燥，由此，制作荧光体层，得到荧光体片。
＜荧光体层的膜厚测定＞
本实施例中的荧光体层的膜厚测定中，预先用测微计测定制作荧光体层的PET膜的规定位置的厚度，进行标记。接下来，在该PET膜上制作荧光体层，然后，再次用测微计测定标记部分的厚度。通过从得到的厚度减去之前预先测定的PET膜的厚度，从而得到该荧光体层的膜厚。本实施例中，以10mm间隔，以棋盘格状，测定25点的膜厚，将它们的平均值作为荧光体层的膜厚。
＜基于直接涂布法的透明树脂层的形成＞
本实施例中的基于直接涂布法的透明树脂层的形成中，在容积为300mL的聚乙烯制容器中，以规定的比率混合有机硅树脂或氟树脂、微粒。进而，添加甲苯5wt%作为溶剂，然后，使用行星式搅拌・脱泡装置“マゼルスターKK-400”（クラボウ制），以1000rpm进行20分钟搅拌・脱泡，得到透明树脂层制作用树脂液。接下来，使用狭缝模头涂布机，将透明树脂层制作用树脂液涂布于荧光体层上，于130℃进行30分钟干燥，由此，在该荧光体层上形成透明树脂层。结果，得到在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。以下，可将“在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片”适当地称为“带有透明树脂层的荧光体片”。
＜基于透明树脂片法的透明树脂层的形成＞
本实施例中的基于透明树脂片法的透明树脂层的形成中，使用狭缝模头涂布机，将透明树脂层制作用树脂液涂布于PET膜上，于130℃进行30分钟干燥，由此，得到透明树脂片。接下来，使用ニッコー・マテリアルズ株式会社制的真空层压机V130，通过在1hPa的真空气氛下于100℃对荧光体片的荧光体层与透明树脂片的透明树脂层进行30秒加热压接来进行贴合。然后，将透明树脂片侧的PET膜剥离，由此，在该荧光体层上形成透明树脂层。结果，得到带有透明树脂层的荧光体片。
＜透明树脂层的膜厚测定＞
本实施例中的透明树脂层的膜厚测定中，预先用测微计测定制作透明树脂层的荧光体片的规定位置的厚度，进行标记。接下来，在该荧光体片上形成透明树脂层，然后，再次用测微计测定标记部分的厚度。通过从得到的厚度减去之前预先测定的厚度，从而得到该透明树脂层的膜厚。本实施例中，以10mm间隔以棋盘格状测定25点的膜厚。由该测定结果算出各样品的平均值及膜厚偏差（=最大膜厚-最小膜厚）。
＜空隙率测定＞
本实施例中的空隙率测定中，利用聚焦离子束（FIB）加工法切断荧光体片，利用SEM观察荧光体层的截面。对于1个荧光体片观察20处的截面，算出与得到的20个二维图像的空隙相当的截面积的总和。将所述的与空隙相当的截面积的总和除以这20个二维图像的截面积的总和，从而得到该荧光体层的空隙率。
＜发光体的制造方法＞
本实施例中的发光体的制造方法中，利用切割装置（UHT公司制GCUT）切割如上所述地制作的荧光体片或带有透明树脂层的荧光体片（1cm见方），由此，制作1mm见方的单个片100个。本实施例中，单个片是将荧光体片或带有透明树脂层的荧光体片单片化而得到的产物。接下来，使用小片接合（die bonding）装置（东レエンジニアリング制），用筒夹真空吸附1mm见方的单个片（荧光体层等），将其从基材膜剥离。将该单个片的荧光体层对准安装有倒装芯片型的蓝色LED芯片、并且在该蓝色LED芯片的周围形成有反射器的LED封装的蓝色LED芯片表面的位置而进行贴合。此时，预先在该蓝色LED芯片上涂布粘接剂，通过该粘接剂贴合荧光体层。作为该粘接剂，使用有机硅树脂T15。如上所述地操作，制作具有荧光体片或带有透明树脂层的荧光体片的发光体。
＜色度、总光通量测定＞
本实施例中的色度及总光通量的测定中，向如上所述地制作的发光体中投入1W的电力，点亮该发光体的LED芯片，使用总光通量测定系统（HM-3000，大冢电子公司制）测定CIE1931 XYZ表色系统的色度（Cx，Cy）及总光通量（lm）。本实施例中，对于各荧光体片分别地制作10个发光体（具有LED芯片的发光体），求出这10个发光体的色度的平均值和作为色度偏差的指标的色度Cx的标准偏差（σ）。
＜总光通量保持率测定＞
本实施例中的总光通量保持率的测定中，向在蓝色LED芯片上搭载各荧光体片而成的发光体投入1W的电力，将该蓝色LED芯片点亮，在温度为85℃、湿度为85%的条件下放置上述的点亮状态的发光体（蓝色LED芯片），测定经过300小时后的总光通量。基于下述的式算出总光通量保持率，由此，对发光体及其荧光体片的耐久性进行评价。总光通量保持率越高，表示耐久性越优异。
总光通量保持率（%）=（经过300小时后的总光通量/试验刚开始后的总光通量）×100。
＜颜色再现范围测定＞
本实施例中的颜色再现范围的测定中，在如上所述地制作的发光体上放置利用公知的方法制作的使红色光透过的滤色片，测定发射光的色度。同样地，对于在该发光体上放置使绿色光透过的滤色片的情况和放置使蓝色光透过的滤色片的情况，分别测定发射光的色度。通过将以得到的3个色度为顶点的三角形的面积除以DCI色度区域的面积，从而算出DCI比。DCI比越高，颜色再现性越良好。
＜折射率测定＞
本实施例中的折射率的测定中，使用折射率・膜厚测定装置“プリズムカプラMODEL2010/M”（メトリコン公司制），测定折射率测定样品的折射率，由此，测定有机硅树脂及氟树脂固化物的折射率。
＜折射率测定样品制作＞
本实施例中的折射率测定样品的制作中，使用行星式搅拌脱泡装置“マゼルスターKK-400”（クラボウ公司制），以1000rpm对荧光体片中含有的树脂进行10分钟搅拌，进行脱泡，制作该树脂的分散液。滴加5cc该分散液至PET膜上，然后用烘箱于150℃进行1小时加热，由此，作为折射率测定样品，制作平均折射率测定样品。
＜透过率测定＞
本实施例中的透过率测定中，含有微粒的透明树脂层的透光率通过使用分光光度计（U-4100 Spectrophotomater（日立制作所制））所附带的积分球的基本构成测定透过率测定样品的透光率从而得到。透过率测定样品使用在各实施例中制作的制品。对于该透光率的测定条件，使狭缝为2nm，使扫描速度为600nm/分钟。另外，在得到的测定结果中，将波长400nm～800nm处的透光率中最小的值作为最小透过率。
＜透过率测定样品的制作＞
在本实施例中的透过率测定样品的制作中，在容积300mL的聚乙烯制容器中混合透明树脂层中使用的有机硅树脂及微粒，使用行星式搅拌脱泡装置“マゼルスターKK-400”（クラボウ公司制），以1000rpm进行10分钟搅拌，进行脱泡，制作分散液。利用刮刀涂布机将该分散液涂布于石英玻璃上，然后利用烘箱于150℃进行1小时加热。如上所述地操作，对于各实施例制作透过率测定样品。
＜透过率测定样品的膜厚测定＞
本实施例中的透过率测定样品的膜厚测定中，预先用测微计测定石英玻璃的规定位置的厚度，对所述的测定的位置进行标记。接下来，在该石英玻璃上形成透明树脂层的透过率测定样品，然后，再次用测微计测定标记部分的厚度。通过从得到的厚度减去之前预先测定的石英玻璃的厚度，从而得到该透过率测定样品的膜厚。以10mm间隔以棋盘格状测定25点的膜厚，将它们的平均值作为透过率测定样品的膜厚。
（实施例1～6）-荧光体的粒径带来的影响-
实施例1～6中，制作具有表2所示的组成的荧光体层的荧光体片，利用上述的方法测定空隙率。另外，使用实施例1～6中分别得到的荧光体片制作发光体（发光装置），利用上述的方法，测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。这些测定结果示于表3。参照表2、3可知，在使用本发明涉及的荧光体片的情况下，实施例1～6均可得到颜色再现性优异、高光通量的发光体。另外可知，如表1所示的红色荧光体T2～T6的D50那样，红色荧光体的D50为10μm以上时，总光通量进一步提高，如表1所示的红色荧光体T3～T6的D10那样，红色荧光体的D10为5μm以上时，总光通量保持率进一步提高。另外，观察到下述倾向：如表1所示的红色荧光体T1～T6的D10及D50那样，红色荧光体的D10及D50越大，荧光体片的空隙率变得越小。
[表2]
[表3]
（实施例7～13）-荧光体的浓度带来的影响-
实施例7～13中，制作具有表4所示的组成的荧光体层的荧光体片，利用上述的方法测定空隙率。另外，使用实施例7～13中分别得到的荧光体片来制作发光体，利用上述的方法，测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。这些测定结果示于表5。需要说明的是，表4再次记载实施例6的组成，表5再次记载实施例6的结果。由表4、5可知，红色荧光体T6及绿色荧光体等荧光体的浓度越高，总光通量保持率越提高。
[表4]
[表5]
（实施例14～17）-硅氧烷微粒的效果-
实施例14～17中，制作具有表6所示的组成的荧光体层的荧光体片，利用上述的方法测定空隙率。另外，使用实施例14～17中分别得到的荧光体片制作发光体，利用上述的方法，测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。这些测定结果示于表7。由表6、7可知，通过含有硅氧烷微粒，色度偏差（σ（Cx））进一步改善。
[表6]
[表7]
（实施例18）-红色荧光体层与绿色荧光体层的二层物-
实施例18中，以有机硅树脂T15为50wt%、红色荧光体T6为50wt%的组成制作荧光体片。同样地，以有机硅树脂T15为50wt%、绿色荧光体为50wt%的组成制作荧光体片。使用真空层压机V130（ニッコー・マテリアルズ株式会社制）将上述得到的2片荧光体片的荧光体层侧贴合，由此制作包含红色荧光体的荧光体层和包含绿色荧光体的层层叠而成的荧光体片，利用上述的方法测定空隙率。另外，使用上述得到的荧光体片制作发光体，利用上述的方法，测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。这些测定结果示于表8。由表8可知，实施例18中，可同时实现颜色再现性的提高和高光通量，色度偏差变大。
[表8]
（实施例19～25）-荧光体层的树脂的折射率的影响-
实施例19～25中，制作具有表9所示的组成的荧光体层的荧光体片。另外，实施例19～25中分别制作的荧光体片的荧光体层的膜厚利用上述的方法测定。另外，对于实施例10的荧光体片也测定了荧光体层的膜厚。进而，使用实施例19～25中分别制作的荧光体片制作发光体，利用上述的方法测定色度、总光通量、颜色再现范围。这些测定结果示于表10。需要说明的是，表9再次记载实施例10的组成，表10再次记载实施例10的测定结果。
参照表9、10可知，荧光体层的树脂的折射率越高，越会发生下述情况：即使红色荧光体T6、绿色荧光体的填充率降低，也能得到相同色度的发光体。另外，该树脂的折射率为1.56时，总光通量成为极大值。认为这是因为，通过使荧光体层的树脂与空气层的折射率差变大，从而使光的提取效率降低。
[表9]
[表10]
（实施例26～36）-关于透明树脂层的折射率的影响-
实施例26～32及实施例34～36中，使用狭缝模头涂布机，将透明树脂层制作用树脂液涂布于实施例6中制作的荧光体片上，于130℃使该透明树脂层制作用树脂液进行30分钟干燥，由此，制作在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。实施例33中，使用有机硅树脂T15利用上述的方法制作透明树脂片，将荧光体层与透明树脂层贴合，由此，制作在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。利用上述的方法测定实施例26～36中分别制作的荧光体片的透明树脂层的膜厚。另外，通过将实施例26～36中分别制作的带有透明树脂层的荧光体片的荧光体层侧贴合于LED芯片上，从而制作发光体，利用上述的方法测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。实施例26～36各自中的透明树脂层制作用树脂液的制作中使用的树脂的种类及实施例26～36中的测定结果示于表11。
由表11可知，通过设置透明树脂层，总光通量保持率提高。另外可知，透明树脂层中包含的树脂的折射率不大于荧光体层中包含的树脂的折射率时，总光通量提高。
[表11]
（实施例37～42）-微粒的折射率-
实施例37～42中，制作表12所示的组成的透明树脂层制作用树脂液。接着，将实施例37～42中分别制作的透明树脂层制作用树脂液涂布于实施例10中制作的荧光体片上，于130℃对该透明树脂层制作用树脂液进行30分钟干燥，由此，制作在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。
实施例37～42中分别制作的荧光体片的透明树脂层的膜厚利用上述的方法测定。接着，通过将实施例37～42中分别制作的带有透明树脂层的荧光体片的荧光体层侧贴合于LED芯片上，从而制作发光体，利用上述的方法，测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。另外，使用实施例37～42中分别制作的透明树脂层制作用树脂液，制作厚度100μm的透过率测定样品，利用上述的方法，测定透明树脂层的透光率。实施例37～42各自中的透明树脂层的树脂与微粒的折射率差及这些测定结果示于表13。
参照表12、13可知，得到了下述这样的结果：透明树脂层中的树脂的折射率与微粒的折射率之差越小，透明树脂层的最小透过率越高，总光通量越高。另外可知，通过在透明树脂层中添加微粒，透明树脂层的膜厚偏差被抑制。此外，由实施例37及实施例38的结果可知，在使用显示良好的热熔粘性的有机硅树脂T15的情况下，透明树脂层的膜厚偏差尤其变大。
[表12]
[表13]
（实施例43～47）-二氧化硅微粒的添加量-
实施例43～47中，制作表14所示的组成的透明树脂层制作用树脂液。接着，将实施例43～47中分别制作的透明树脂层制作用树脂液涂布于实施例10中制作的荧光体片上，于130℃对该透明树脂层制作用树脂液进行30分钟干燥，由此，制作在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。
实施例43～47中分别制作的荧光体片的透明树脂层的膜厚利用上述的方法测定。接着，通过将实施例43～47中分别制作的带有透明树脂层的荧光体片的荧光体层侧贴合于LED芯片上，从而制作发光体，利用上述的方法测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。另外，使用实施例43～47中分别制作的透明树脂层制作用树脂液，制作厚度100μm的透过率测定样品，利用上述的方法，测定透明树脂层的透光率。实施例43～47各自中的透明树脂层的树脂与微粒的折射率差、及这些测定结果示于表15。需要说明的是，表14再次记载实施例38、39的组成，表15再次记载实施例38、39的结果。
参照表14、15可知，从最小透过率的观点考虑，二氧化硅微粒T31的含量优选为30重量%以下，更优选为10重量%以下。另外可知，从抑制透明树脂层的膜厚偏差这样的观点考虑，二氧化硅微粒T31的含量优选为0.1重量%以上，更优选为1重量%以上。
[表14]
[表15]
（实施例48～52）-氧化铝微粒的添加量-
实施例48～52中，制作表16所示的组成的透明树脂层制作用树脂液。接着，将实施例48～52中分别制作的透明树脂层制作用树脂液涂布于实施例10中制作的荧光体片上，于130℃对该透明树脂层制作用树脂液进行30分钟干燥，由此，制作在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。
实施例48～52中分别制作的荧光体片的透明树脂层的膜厚利用上述的方法测定。接着，通过将实施例48～52中分别制作的带有透明树脂层的荧光体片的荧光体层侧贴合于LED芯片上，从而制作发光体，利用上述的方法测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。另外，使用实施例48～52中分别制作的透明树脂层制作用树脂液，制作厚度100μm的透过率测定样品，利用上述的方法，测定透明树脂层的透光率。实施例48～52各自中的透明树脂层的树脂与微粒的折射率差、及这些测定结果示于表17。需要说明的是，表16再次记载实施例38、41的组成，表17再次记载实施例38、41的结果。
参照表16、17可知，从最小透过率的观点考虑，氧化铝微粒的含量优选为30重量%以下，更优选为10重量%以下。另外，从抑制透明树脂层的膜厚偏差这样的观点考虑，氧化铝微粒的含量优选为0.1重量%以上，更优选为1重量%以上。
[表16]
[表17]
（实施例53～57）-硅氧烷微粒的添加量-
实施例53～57中，制作表18所示的组成的透明树脂层制作用树脂液。接着，将实施例53～57中分别制作的透明树脂层制作用树脂液涂布于实施例10中制作的荧光体片上，于130℃对该透明树脂层制作用树脂液进行30分钟干燥，由此，制作在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。
实施例53～57中分别制作的荧光体片的透明树脂层的膜厚利用上述的方法测定。接着，通过将实施例53～57中分别制作的带有透明树脂层的荧光体片的荧光体层侧贴合于LED芯片上，从而制作发光体，利用上述的方法测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。另外，使用实施例53～57中分别制作的透明树脂层制作用树脂液，制作厚度100μm的透过率测定样品，利用上述的方法，测定透明树脂层的透光率。实施例53～57各自中的透明树脂层的树脂与微粒的折射率差、及这些测定结果示于表19。需要说明的是，表18再次记载实施例38、40的组成，表19再次记载实施例38、40的结果。
由表18、19可知，即使硅氧烷微粒的含量为50重量%，也能维持最小透过率为80%以上。另外，从抑制透明树脂层的膜厚偏差这样的观点考虑，硅氧烷微粒的含量优选为0.1重量%以上，更优选为1重量%以上。
[表18]
[表19]
（实施例58～62）-微粒的粒径-
实施例58～62中，制作表20所示的组成的透明树脂层制作用树脂液。接着，将实施例58～62中分别制作的透明树脂层制作用树脂液涂布于实施例10中制作的荧光体片上，于130℃对该透明树脂层制作用树脂液进行30分钟干燥，由此，制作在荧光体层上具有透明树脂层的荧光体片。
实施例58～62中分别制作的荧光体片的透明树脂层的膜厚利用上述的方法测定。接着，通过将实施例58～62中分别制作的带有透明树脂层的荧光体片的荧光体层侧贴合于LED芯片上，从而制作发光体，利用上述的方法测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。另外，使用实施例58～62中分别制作的透明树脂层制作用树脂液，制作厚度100μm的透过率测定样品，利用上述的方法，测定透明树脂层的透光率。实施例58～62各自中的透明树脂层的树脂与微粒的折射率差及这些测定结果示于表21。需要说明的是，表20再次记载实施例38、39的组成，表21再次记载实施例38、39的结果。由表20、21可知，微粒的粒径越小，最小透过率越高，还可抑制透明树脂层的膜厚偏差。
[表20]
[表21]
（比较例）
针对实施例1～62的比较例中，以有机硅树脂T15为40wt%、黄色荧光体（YAG系黄色荧光体）为60wt%的组成，制作荧光体片，利用上述的方法测定空隙率。另外，使用得到的荧光体片来制作发光体，利用上述的方法测定色度、总光通量、总光通量保持率、颜色再现范围。这些测定结果示于表22。由表22可知，在使用了YAG系黄色荧光体的情况下，颜色再现范围为70%，是不适合作为液晶显示器用背光源的制品。
[表22]
产业上的可利用性
如上所述，本发明涉及的荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法适合于同时实现颜色再现性的提高和高光通量的荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法。
附图标记说明
1 荧光体
2 荧光体层
3 支持体
4 荧光体片
5 透明树脂层
6 刃具
7 单片化荧光体层
8 筒夹
9 LED芯片
10 反射器
11 基板
12 透明密封材料
13 发光体
14 树脂。
Claims (23)
1.荧光体片，其特征在于，其具有包含红色荧光体、β型塞隆荧光体和树脂的荧光体层，
所述红色荧光体为通式（1）表示的Mn活化复合氟化物，所述红色荧光体的D10为5μm以上，
（通式）
A2MF6:Mn……（1）
通式（1）中，A为选自由Li、Na、K、Rb和Cs组成的组、并且包含Na和K中的至少1种的1种以上的碱金属，M为选自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn组成的组中的1种以上的4价元素。
2.如权利要求1所述的荧光体片，其特征在于，所述荧光体层由包含所述红色荧光体、所述β型塞隆荧光体和所述树脂的单一层或多层形成，
所述红色荧光体、所述β型塞隆荧光体和所述树脂被包含在同一层中。
3.如权利要求1或2所述的荧光体片，其特征在于，所述树脂的折射率为1.45以上、1.7以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述树脂为有机硅树脂。
5.如权利要求1～4中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述红色荧光体在所述荧光体层中的全部固态成分中所占的比例为20重量%以上、60重量%以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述红色荧光体在所述荧光体层中的全部固态成分中所占的比例与所述β型塞隆荧光体在所述荧光体层中的全部固态成分中所占的比例的总和为50重量%以上、90重量%以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述红色荧光体的D50为10μm以上、40μm以下。
8.如权利要求1～7中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述红色荧光体的（D90-D10）/D50为0.5以上、1.5以下。
9.如权利要求1～8中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述荧光体层中的空隙率为0.1%以上、3%以下。
10.如权利要求1～9中任一项所述的荧光体片，其特征在于，在所述荧光体层中含有微粒。
11.如权利要求10所述的荧光体片，其特征在于，所述微粒为硅氧烷微粒。
12.如权利要求1～11中任一项所述的荧光体片，其特征在于，在所述荧光体层上进一步层叠有透明树脂层。
13.如权利要求12所述的荧光体片，其特征在于，所述透明树脂层中包含的树脂的折射率为1.3以上、1.6以下。
14.如权利要求13所述的荧光体片，其特征在于，所述透明树脂层中包含的树脂的折射率不大于所述荧光体层中包含的树脂的折射率。
15.如权利要求12～14中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述透明树脂层含有微粒。
16.如权利要求15所述的荧光体片，其特征在于，所述透明树脂层中包含的微粒为选自二氧化硅微粒、氧化铝微粒、硅氧烷微粒中的1种以上。
17.如权利要求12～16中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述透明树脂层的波长400nm～800nm处的最小透过率为80%以上。
18.如权利要求15、16、引用权利要求15的权利要求17中任一项所述的荧光体片，其特征在于，微粒在所述透明树脂层中的全部固态成分中所占的比例为0.1重量%以上、30重量%以下。
19.如权利要求15、16、引用权利要求15的权利要求17、权利要求18中任一项所述的荧光体片，其特征在于，所述透明树脂层中包含的微粒的平均粒径为1nm以上、1000nm以下。
20.发光体的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
将权利要求1～19中任一项所述的荧光体片单片化的单片化工序，
拾取单片化了的所述荧光体片的拾取工序，
将单片化了的所述荧光体片贴合于光源的贴合工序。
21.发光体，其特征在于，具有权利要求1～19中任一项所述的荧光体片。
22.光源单元，其特征在于，具有权利要求1～19中任一项所述的荧光体片。
23.显示器，其特征在于，具有权利要求22所述的光源单元。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231204 Address after: The Japanese city of Tokushima County Anand Patentee after: NICHIA Corp. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: TORAY INDUSTRIES, Inc. |
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