TW201728744A - 螢光體片、使用其的發光體、光源單元、顯示器及發光體的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種具備包含紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物螢光體及樹脂的螢光體層的螢光體片。該紅色螢光體為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物。 （通式）   A2MF6：Mn                         ¼（1）   （於通式（1）中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的群組、且包含Na及K的至少一者的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的群組中的一種以上的四價元素）。

Description

螢光體片、使用其的發光體、光源單元、顯示器及發光體的製造方法
本發明是有關於一種螢光體片、使用其的發光體、光源單元、顯示器及發光體的製造方法。
發光二極體（Light Emitting Diode，LED）是以提高其驚人的發光效率為背景，以低電力消耗、長壽命、設計性等為特長的適合液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD）的背光、或在車頭燈等的車載領域正急速地擴大市場。LED的環境負荷亦低，因此今後亦期待在一般照明領域形成巨大的市場。
LED的發光光譜是視形成LED晶片的半導體材料而定，因此其發光色受到限制。因此，為了使用LED來獲得適合LCD的背光或一般照明的白色光，需要於LED晶片上設置配合各自晶片的螢光體，而轉換發光波長。具體而言，提出有於發射藍色光的LED晶片（以下，適當稱為藍色LED晶片）上設置黃色螢光體的方法、於藍色LED晶片上設置紅色螢光體及綠色螢光體的方法、於發射紫外線的LED晶片上設置紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體的方法等。該些中，就LED晶片的發光效率或成本的方面而言，現在最廣泛採用於藍色LED晶片上設置黃色螢光體的方法及於藍色LED晶片上設置紅色螢光體及綠色螢光體的方法。
作為顯示器用途的LED等中所使用的螢光體，就擴大色彩再現範圍的觀點而言，理想的是發光峰值的半值寬度窄。專利文獻1中記載有如下方法：藉由使用作為發光峰值的半值寬度窄的紅色螢光體的Mn活化複合氟化物螢光體與作為黃色螢光體或綠色螢光體的Eu2+ 活化鹼土類矽氮化物螢光體而獲得白色發光。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-178574號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，使用如專利文獻1中記載的先前的螢光體的發光體中，難以使色彩再現性的提高與高光通量併存。本發明的目的在於解決所述問題點。 [解決課題的手段]
為了解決所述課題而達成目的，本發明的螢光體片的特徵在於：具備包含紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物（sialon）螢光體及樹脂的螢光體層，所述紅色螢光體為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物。 （通式）   A2 MF6 ：Mn              ¼（1）   （於通式（1）中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的群組、且包含Na及K的至少一者的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的群組中的一種以上的四價元素）
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述螢光體層包括包含所述紅色螢光體、所述β型矽鋁氮氧化物螢光體及所述樹脂的單層或多層，所述紅色螢光體、所述β型矽鋁氮氧化物螢光體及所述樹脂含有於同一層。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述樹脂的折射率為1.45以上、1.7以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述樹脂為矽酮樹脂。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述紅色螢光體於所述螢光體層的總固體成分中所佔的比例為20重量%以上、60重量%以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述紅色螢光體於所述螢光體層的總固體成分中所佔的比例與所述β型矽鋁氮氧化物螢光體於所述螢光體層的總固體成分中所佔的比例的合計為50重量%以上、90重量%以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述紅色螢光體的D50為10 μm以上、40 μm以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述紅色螢光體的D10為3 μm以上。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述紅色螢光體的（D90-D10）/D50為0.5以上、1.5以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述螢光體層中的孔隙率為0.1%以上、3%以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，於所述螢光體層中含有微粒子。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述微粒子為矽酮微粒子。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，於所述螢光體層上進而積層透明樹脂層。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述透明樹脂層中所含的樹脂的折射率為1.3以上、1.6以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述透明樹脂層中所含的樹脂的折射率為所述螢光體層中所含的樹脂的折射率以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述透明樹脂層含有微粒子。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述透明樹脂層中所含的微粒子為選自二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、矽酮微粒子中的一種以上。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述透明樹脂層於波長400 nm～800 nm下的最小透過率為80%以上。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，微粒子於所述透明樹脂層的總固體成分中所佔的比率為0.1重量%以上、30重量%以下。
另外，本發明的螢光體片的特徵在於：於所述發明中，所述透明樹脂層中所含的微粒子的平均粒徑為1 nm以上、1000 nm以下。
另外，本發明的發光體的製造方法的特徵在於包括：單片化步驟，將如所述發明的任一項所述的螢光體片加以單片化；拾取步驟，拾取經單片化的所述螢光體片；以及貼附步驟，將經單片化的所述螢光體片貼附於光源。
另外，本發明的發光體的特徵在於：具備如所述發明的任一項所述的螢光體片。
另外，本發明的光源單元的特徵在於：具備如所述發明的任一項所述的螢光體片。
另外，本發明的顯示器的特徵在於：具備如所述發明所述的光源單元。 [發明的效果]
根據本發明，起到可提供一種使色彩再現性的提高與高光通量併存的螢光體片的效果。具備本發明的螢光體片的發光體、光源單元及顯示器起到可使色彩再現性的提高與高亮度併存的效果。
以下，對本發明的螢光體片、使用其的發光體、光源單元、顯示器及發光體的製造方法的較佳的實施形態進行詳細說明。其中，本發明並不限定於以下的實施形態，可根據目的或用途進行各種變更來實施。
＜螢光體片＞ 本發明的實施形態的螢光體片為含有包含紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物螢光體及樹脂的螢光體層者。於該螢光體片中，紅色螢光體為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物。   A2 MF6 ：Mn              ¼（1）   於通式（1）中，A為選自由鋰（Li）、鈉（Na）、鉀（K）、銣（Rb）及銫（Cs）所組成的群組、且包含Na及K中的至少一者的一種以上的鹼金屬。M為選自由矽（Si）、鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉿（Hf）、鍺（Ge）及錫（Sn）所組成的群組中的一種以上的四價元素。
圖1A是表示本發明的實施形態的螢光體片的一例的側視圖。如圖1A所示，本發明的實施形態的螢光體片4於支撐體3上具備含有螢光體1與樹脂14的螢光體層2。螢光體層2為於樹脂14中含有多個螢光體1的層。螢光體層2含有通式（1）所表示的紅色螢光體與β型矽鋁氮氧化物螢光體作為螢光體1。例如如圖1A所示，螢光體層2形成於支撐體3上，而構成螢光體片4。
螢光體層2亦可為包含含有作為螢光體1的紅色螢光體及β型矽鋁氮氧化物螢光體與樹脂14的單層者。或者，螢光體層2亦可為包含含有螢光體1與樹脂14的多層者。於螢光體層2包含多層的情況下，含有作為螢光體1的紅色螢光體與樹脂14的第1螢光體層、和含有作為螢光體1的β型矽鋁氮氧化物螢光體與樹脂14的第2螢光體層亦可分別積層一層以上而構成螢光體層2的多層。較佳為，於構成螢光體層2的單層或多層的各層中，作為螢光體1的紅色螢光體及β型矽鋁氮氧化物螢光體與樹脂14含有於同一層。該情況是因以下所示的理由所致。
即便螢光體層2為包含紅色螢光體的層（第1螢光體層）與包含β型矽鋁氮氧化物螢光體的層（第2螢光體層）的積層體，亦可使色彩再現性的提高與高光通量併存，該螢光體層2中，需要各個分別控制各層的膜厚。因此，作為結果所得的螢光體片4的色度偏差會變大。相對於此，於螢光體層2中，作為螢光體1的紅色螢光體及β型矽鋁氮氧化物螢光體與樹脂14含有於同一層，藉此螢光體片4的色度偏差得到改善。
圖1B是表示本發明的實施形態的螢光體片的另一例的側視圖。如圖1B所示，螢光體片4亦可在形成於支撐體3上的螢光體層2上進而具備透明樹脂層5。於圖1B所示的螢光體片4中，透明樹脂層5例如形成於包含單層或多層的螢光體層2的上表面（與支撐體3為相反側的面）。藉由如所述般存在透明樹脂層5，螢光體片4的耐久性得到提高。
於本實施形態中，螢光體片4為具備單層或多層的螢光體層2者、或者為具備該螢光體層2與透明樹脂層5者，但就維持該片形狀及處理容易度等的觀點而言，通常處於由支撐體3支撐的狀態。即，本實施形態中，有時包含螢光體片4與支撐體3而稱為「螢光體片」。
＜螢光體層＞ 例如如圖1A、圖1B所示，螢光體層2是主要包含螢光體1與樹脂14的層。作為螢光體1，至少可列舉通式（1）所表示的紅色螢光體與β型矽鋁氮氧化物螢光體。
（紅色螢光體） 紅色螢光體是於波長590 nm～750 nm下具有發光峰值的螢光體。為了提高本發明的實施形態的螢光體片4的色彩再現性，需要於螢光體層2中包含作為所述通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物（A2 MF6 ：Mn）的紅色螢光體。該作為Mn活化複合氟化物的紅色螢光體被稱為「Mn活化複合氟化物錯合物螢光體」。以下，Mn活化複合氟化物錯合物螢光體適當簡稱為「紅色螢光體」。
Mn活化複合氟化物錯合物螢光體為將錳（Mn）作為活化劑、且將鹼金屬或鹼土金屬的氟化物錯合物鹽作為主晶的螢光體。於該Mn活化複合氟化物錯合物螢光體中，形成主晶的氟化物錯合物的配位中心較佳為四價金屬（Si、Ti、Zr、Hf、Ge、Sn），且配位於其周圍的氟原子的個數較佳為6。較佳的Mn活化複合氟化物錯合物螢光體為於通式（1）中，A為K（鉀）且M為Si（矽）者即K2 SiF6 ：Mn。其被稱為KSF螢光體。
紅色螢光體（即Mn活化複合氟化物錯合物螢光體）於螢光體層2的總固體成分中所佔的比例較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上。另外，該比例較佳為80重量%以下，更佳為60重量%以下。藉由該比例為較佳的下限值以上，螢光體片4的色彩再現範圍進一步改善。另一方面，藉由該比例為80重量%以下，螢光體片4的色度偏差得到改善，藉由該比例為60重量%以下，螢光體片4的色度偏差進一步改善。
作為螢光體1（參照圖1A）的紅色螢光體的D50較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上。另外，該紅色螢光體的D50較佳為40 μm以下，更佳為30 μm以下。藉由該紅色螢光體的D50為5 μm以上，可獲得高光通量的螢光體片4。藉由該紅色螢光體的D50為40 μm以下，螢光體片4的色度偏差得到改善。
另外，作為螢光體1的紅色螢光體的D10較佳為3 μm以上，更佳為5 μm以上。藉此，螢光體片4的耐久性得到改善。作為該紅色螢光體的D10的上限，並無特別限制，較佳為15 μm以下，更佳為12 μm以下。
進而，於作為螢光體1的紅色螢光體中，下述式（11）所表示的值x較佳為0.5以上、1.8以下，更佳為1.5以下。進而，作為該值x的上限值，較佳為1.50以下，更佳為1.4以下，進而更佳為1.35以下，尤佳為1以下。   x=（D90-D10）/D50 ¼（11）   值x為紅色螢光體的粒度分佈的指標。值x小是指成為耐久性降低的原因的小粒徑的紅色螢光體（例如KSF螢光體）少且成為色度偏差的原因的大粒徑的紅色螢光體（例如KSF螢光體）少。藉由值x為1.5以下，螢光體片4的耐久性及色度偏差進一步改善。
其中，若螢光體層2的紅色螢光體的粒度分佈過窄，則於螢光體片4中光難以散射。該情況下，在使用螢光體片4來組裝發光體時，產生被稱為黃環的不良情況。黃環是於自正面觀看發光體的情況下與於自斜向方向觀看發光體的情況下，看到不同色彩的現象。該黃環是光於螢光體層2中的散射少的情況下明顯看到的現象。就抑制黃環的觀點而言，值x較佳為0.5以上。
此處所述的D10、D50、D90是利用以下方法所測定的粒徑。例如，利用掃描型電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）對螢光體層2的剖面進行觀察，於所得的二維圖像中，計算與螢光體1的粒子的外緣相交於兩點的直線的該兩個交點之間的距離中成為最大的距離，並將其定義為粒子的各別的粒徑。於根據所觀察的所有粒子的各別的粒徑所求出的粒度分佈中，將自小粒徑側起的通過累計百分比10%的粒徑設為D10，將通過累計百分比50%的粒徑（平均粒徑）設為D50，將通過累計百分比90%的粒徑設為D90。
於將搭載有螢光體片4的LED發光體作為對象的情況下，可利用機械研磨法、切片機法、橫截面拋光機（Cross-section Polisher，CP）法及聚焦離子束（Focused Ion Beam，FIB）加工法中的任意方法對該螢光體片4進行研磨以可觀測螢光體層2的剖面，然後利用SEM對所得的剖面進行觀察而獲得二維圖像，根據該二維圖像來計算所述粒徑。
（β型矽鋁氮氧化物螢光體） β型矽鋁氮氧化物為β型氮化矽的固溶體，且為鋁（Al）取代固溶於β型氮化矽結晶的Si位置、氧（O）取代固溶於氮（N）位置者。β型矽鋁氮氧化物螢光體中所使用的β型矽鋁氮氧化物的單位晶胞（単位格子）中具有2式量的原子，因此，作為β型矽鋁氮氧化物的通式，可使用Si6-z Alz Oz N8-z 。於該通式中，z為超過0、小於4.2的值。於本實施形態的β型矽鋁氮氧化物螢光體中，β型矽鋁氮氧化物的固溶範圍非常廣，另外，（Si、Al）/（N、O）的莫耳比需要維持為3/4。β型矽鋁氮氧化物的一般製法為除氮化矽以外，亦加入氧化矽與氮化鋁、或氧化鋁與氮化鋁而進行加熱的方法。
β型矽鋁氮氧化物藉由於結晶結構內取用稀土類等的發光元素（Eu、Sr、Mn、Ce等），成為由來自紫外的藍色的光激發而顯示出波長520 nm～560 nm的綠色發光的β型矽鋁氮氧化物螢光體。其可較佳地用作白色LED等發光體的綠色發光成分。尤其，作為含有銪（Eu2+ ）的β型矽鋁氮氧化物螢光體的Eu2+ 活化β型矽鋁氮氧化物螢光體由於發光光譜非常尖銳，因此為適合於要求藍色、綠色、紅色的窄帶發光的圖像處理顯示裝置或液晶顯示器面板的背光光源的素材。
作為螢光體1（參照圖1A）的β型矽鋁氮氧化物螢光體的D50較佳為1 μm以上，更佳為10 μm以上。另外，該β型矽鋁氮氧化物螢光體的D50較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下。作為β型矽鋁氮氧化物螢光體的形狀，並無特別限制，可使用球狀、柱狀等各種形狀。此處所述的D50為利用與所述紅色螢光體的情況相同的方法所測定的粒徑。
就擴大色彩再現範圍的觀點而言，螢光體層2中的作為螢光體1的β型矽鋁氮氧化物螢光體的含量較佳為螢光體層2整體的3重量%以上，更佳為螢光體層2整體的5重量%以上。另外，該β型矽鋁氮氧化物螢光體的含量較佳為螢光體層2整體的50重量%以下，更佳為螢光體層2整體的40重量%以下。
另外，紅色螢光體於螢光體層2的總固體成分中所佔的比例與β型矽鋁氮氧化物螢光體於螢光體層2的總固體成分中所佔的比例的合計較佳為50重量%以上、90重量%以下。作為該些兩比例的合計的下限，更佳為65重量%以上，尤佳為70重量%以上。作為該些兩比例的合計的上限，更佳為85重量%以下，尤佳為80重量%以下。藉由該些兩比例的合計為50重量%以上，螢光體層2的放熱性得到提高，因此可抑制螢光體層2中所含有的螢光體1的蓄熱。其結果，可維持螢光體片4的高光通量。另外，藉由該些兩比例的合計為90重量%以下，螢光體片4的色度偏差得到改善。
於在螢光體層2中具有本發明的紅色螢光體及β型矽鋁氮氧化物螢光體作為螢光體1的螢光體片4中，螢光體層2中的孔隙率較佳為3%以下，更佳為2%以下，進而更佳為1%以下，尤佳為0.5%以下。其原因在於：螢光體層2中的孔隙率越小，來自螢光體層2的光的輸出效率得到提高，因此可獲得提供高光通量的發光體的螢光體片4。另外，關於該螢光體層2中的孔隙率，並不特別限制下限，較佳為0.1%以上。
此處所述的孔隙率為螢光體層2中的孔隙的比例。該孔隙率可利用以下方法進行測定。例如，利用機械研磨法、切片機法、CP（Cross-section Polisher）法及聚焦離子束（FIB）加工法中的任意方法對螢光體片4進行研磨以可觀測螢光體層2的剖面。其後，利用SEM對所得的剖面進行觀察而獲得二維圖像，根據該二維圖像來計算與螢光體層2的孔隙相當的面積，並利用該剖面的螢光體層2整體的面積除該所計算的孔隙的面積。藉此，獲得螢光體層2的孔隙率。
藉由將螢光體層2中所含有的紅色螢光體的D10及D50設為所述較佳的範圍，另外，藉由以作為該紅色螢光體的粒度分佈的指標的所述值x（參照式（11））變小的方式進行設置，螢光體層2的孔隙率處於變小的傾向。
（其他螢光體） 螢光體層2亦可進而含有所述螢光體1以外的螢光體。作為所述螢光體1以外的螢光體，例如可列舉：其他紅色螢光體、其他綠色螢光體、黃色螢光體、藍色螢光體等。於本實施形態中，綠色螢光體為於波長500 nm～560 nm下具有發光峰值的螢光體。黃色螢光體為於波長560 nm～590 nm下具有發光峰值的螢光體。藍色螢光體為於波長430 nm～500 nm下具有發光峰值的螢光體。
其他紅色螢光體為通式（1）所表示的紅色螢光體（Mn活化複合氟化物錯合物螢光體）以外者。作為此種其他紅色螢光體，例如可列舉：Y2 O2 S：Eu、La2 O2 S：Eu、Y2 O3 ：Eu、Gd2 O2 S：Eu等。
其他綠色螢光體為β型矽鋁氮氧化物螢光體以外者。作為此種其他綠色螢光體，例如可列舉：SrAl2 O4 ：Eu、Y2 SiO5 ：Ce, Tb、MgAl11 O19 ：Ce, Tb、Sr7 Al12 O25 ：Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一個以上的元素)Ga2 S4 ：Eu等。
作為黃色螢光體，例如至少由鈰所活化的釔×鋁氧化物螢光體、至少由鈰所活化的釔×釓×鋁氧化物螢光體及至少由鈰所活化的釔×鎵×鋁氧化物螢光體等。
作為藍色螢光體，例如可列舉：Sr5 (PO4 )3 Cl：Eu、(SrCaBa)5 (PO4 )3 Cl：Eu、(BaCa)5 (PO4 )3 Cl：Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一個以上的元素)2 B5 O9 Cl：Eu, Mn、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一個以上的元素)(PO4 )6 Cl2 ：Eu, Mn等。
另外，作為與現在主流的藍色LED對應地發光的螢光體，例如可列舉：Y3 (Al, Ga)5 O12 ：Ce、(Y, Gd)3 Al5 O12 ：Ce、Lu3 Al5 O12 ：Ce、Y3 Al5 O12 ：Ce等釔鋁石榴石（Yttrium Aluminum Garnet，YAG）系螢光體，Tb3 Al5 O12 ：Ce等鋱鋁石榴石（Terbium Aluminum Garnet，TAG）系螢光體，(Ba, Sr)2 SiO4 ：Eu系螢光體或Ca3 Sc2 Si3 O12 ：Ce系螢光體，(Sr, Ba, Mg)2 SiO4 ：Eu等矽酸鹽系螢光體，(Ca, Sr)2 Si5 N8 ：Eu、(Ca, Sr)AlSiN3 ：Eu、CaSiAlN3 ：Eu等氮化物系螢光體，Cay (Si, Al)12 (O, N)16 ：Eu等氮氧化物系螢光體，以及(Ba, Sr, Ca)Si2 O2 N2 ：Eu系螢光體，Ca8 MgSi4 O16 Cl2 ：Eu系螢光體，SrAl2 O4 ：Eu、Sr4 Al14 O25 ：Eu等螢光體。
（樹脂） 螢光體層2中所含的樹脂14的折射率為1.45以上、1.7以下。該樹脂14的折射率更佳為1.5以上，另外，更佳為1.65以下。藉由該樹脂14的折射率為1.45以上，與平均折射率為1.4前後的Mn活化複合氟化物錯合物螢光體（作為螢光體1的紅色螢光體）的折射率差變大，光於螢光體層2中容易散射。因此，光進入至螢光體層2直至放出的光程長度變長。由於光程長度變長，因此由LED晶片所放射的藍色光因螢光體層2中的螢光體1而容易進行色彩轉換，因此可減少用於顯現出所期望的色度的螢光體量。
另一方面，若該樹脂14的折射率超過1.7，則因光於螢光體層2中的過多的散射，而光程長度變長至所需以上。因此，由螢光體層2中的螢光體1所放射的發光光容易被螢光體1吸收，其結果，由發光體所放射的光的強度會降低。
樹脂14的材質是使螢光體（圖1A所示的螢光體1等）均質地分散於內部者，若為可形成螢光體層2者，則並無特別限制。作為此種樹脂14，例如可列舉：矽酮樹脂、環氧樹脂、聚芳酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET）改質聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環狀烯烴樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚丙烯樹脂、改質丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂及丙烯腈×苯乙烯共聚物樹脂等。該些中，就透明性的方面而言，較佳為矽酮樹脂或環氧樹脂。進而，就耐熱性的方面而言，特佳為矽酮樹脂。
關於作為本發明中所使用的樹脂14的一例的矽酮樹脂，較佳為硬化型矽酮樹脂。作為樹脂14而使用的硬化型矽酮樹脂亦可為一液型、二液型（三液型）的任一種液構成者。該硬化型矽酮樹脂中，作為因空氣中的水分或觸媒而引起縮合反應的類型，有脫醇型、脫肟型、脫乙酸型、脫羥基胺型等。另外，該硬化型矽酮樹脂中，作為因觸媒而引起矽氫化反應（hydrosilylation）的類型，有加成反應型。作為樹脂14，亦可使用該些中的任一種類型的硬化型矽酮樹脂。尤其，加成反應型的矽酮樹脂就無伴隨硬化反應的副產物、硬化收縮小的方面與容易藉由加熱而加快硬化的方面而言更佳。
作為樹脂14的一例的加成反應型的矽酮樹脂例如可藉由含有鍵結於矽原子的烯基的化合物與具有鍵結於矽原子的氫原子的化合物的矽氫化反應而形成。作為「含有鍵結於矽原子的烯基的化合物」，例如可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、降冰片烯基三甲氧基矽烷、辛烯基三甲氧基矽烷等。作為「具有鍵結於矽原子的氫原子的化合物」，例如可列舉：甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-CO-甲基氫聚矽氧烷、乙基氫聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷-CO-甲基苯基聚矽氧烷等。作為加成反應型的矽酮樹脂，可列舉藉由此種材料的矽氫化反應而形成者。另外，作為樹脂14，除此以外，例如亦可利用日本專利特開2010-159411號公報中所記載的公知者。
作為此種樹脂14，可為市售者，例如亦可使用一般的LED用途的矽酮密封材。作為其具體例，可列舉東麗·道康寧（Toray·Dow Corning）公司製造的OE-6630A/B、OE-6336A/B，或信越化學工業股份有限公司製造的SCR-1012A/B、SCR-1016A/B等。
另外，作為樹脂14的矽酮樹脂亦可為具有熱融合性者。其原因在於：於螢光體層2的樹脂14為具有熱融合性的矽酮樹脂的情況下，具備該螢光體層2的螢光體片4具有熱融合性，可對該具有熱融合性的螢光體片4進行加熱而貼附於LED晶片。此處所述的熱融合性是藉由加熱而軟化的性質。於螢光體片4具有熱融合性的情況下，於螢光體片4對LED晶片的貼附中無需使用接著劑，因此可簡化發光體等的製造步驟。於具有熱融合性的螢光體片4的螢光體層2中，於25℃下的貯存彈性模數為0.1 MPa以上，且於100℃下的貯存彈性模數小於0.1 MPa。
作為具有熱融合性的矽酮樹脂的一例，特佳為使包含以下所示的（A）成分～（D）成分的組成的交聯性矽酮組成物進行矽氫化反應而成的交聯物。該交聯物於60℃～250℃下貯存彈性模數減少，且可藉由加熱而獲得高接著力，因此可較佳地用作不需要接著劑的螢光體片4用的基質樹脂。
（A）成分為下述平均單元式（21）所表示的有機聚矽氧烷。   (R1 2 SiO2/2 )a (R1 SiO3/2 )b (R2 O1/2 )c ¼（21）   於平均單元式（21）中，R1 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或者碳原子數2～6的烯基。其中，R1 的65莫耳%～75莫耳%為苯基，R1 的10莫耳%～20莫耳%為烯基。R2 為氫原子或碳原子數1～6的烷基。a、b及c為滿足0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1、且a+b=1的數。
（B）成分為下述通式（2）所表示的有機聚矽氧烷。該有機聚矽氧烷為相對於（A）成分的100重量份而成為5重量份～15重量份的範圍內的含量者。   R3 3 SiO(R3 2 SiO)m SiR3 3 ¼（2）   於通式（2）中，R3 為苯基、碳原子數1～6的烷基或環烷基、或者碳原子數2～6的烯基。其中，R3 的40莫耳%～70莫耳%為苯基，且R3 的至少一個為烯基。m為5～50的範圍內的整數。
（C）成分為下述通式（3）所表示的有機三矽氧烷。該有機三矽氧烷為相對於（A）成分中的烯基與（B）成分中的烯基的合計而（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的莫耳比成為0.5～2的範圍內的量者。   (HR4 2 SiO)2 SiR4 2 ¼（3）   於通式（3）中，R4 為苯基、或者碳原子數1～6的烷基或環烷基。其中，R4 的30莫耳%～70莫耳%為苯基。
（D）成分為矽氫化反應用觸媒。該矽氫化反應用觸媒對於促進（A）成分中及（B）成分中的烯基與（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的矽氫化反應而言為充足量者。
於（A）成分的平均單元式（21）中，於a、b及c的值滿足所述條件的情況下，可獲得所得的交聯物於室溫下的充分的硬度，且可獲得該交聯物於高溫下的軟化。於（B）成分的通式（2）中，若苯基的含量小於所述範圍的下限，則所得的交聯物於高溫下的軟化不充分。另一方面，若苯基的含量超過所述範圍的上限，則所得的交聯物的透明性喪失，且其機械強度亦降低。另外，於通式（2）中，R3 的至少一個為烯基。其原因在於：若（B）成分不具有烯基，則（B）成分不會被取用至交聯反應中，而有（B）成分自所得的交聯物滲出之虞。另外，於通式（2）中，m為5～50的範圍內的整數。該m的數值範圍是可維持所得的交聯物的機械強度並且保持處理作業性的範圍。
（B）成分的含量為相對於（A）成分的100重量份而成為5重量份～15重量份的範圍內的量。該含量的範圍是為了獲得所得的交聯物於高溫下的充分的軟化的範圍。
於（C）成分的通式（3）中，R4 為苯基、或者碳原子數1～6的烷基或環烷基。作為R4 的烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、庚基。作為R4 的環烷基，可例示：環戊基、環庚基。再者，R4 內的苯基的含量為30莫耳%～70莫耳%的範圍內。該含量的範圍是可獲得所得的交聯物於高溫下的充分的軟化、且可確保該交聯物的透明性與機械強度的範圍。
（C）成分的含量為相對於（A）成分中的烯基與（B）成分中的烯基的合計而（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的莫耳比成為0.5～2的範圍內的量。該含量的範圍是可獲得所得的交聯物於室溫下的充分的硬度的範圍。
（D）成分為用以促進（A）成分中及（B）成分中的烯基與（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的矽氫化反應的矽氫化反應用觸媒。作為（D）成分，可例示：鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒。該些中，鉑系觸媒因可顯著促進矽酮組成物的硬化而較佳。作為該鉑系觸媒，可例示：鉑微粉末、氯鉑酸、氯鉑酸的醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物。尤其，該鉑系觸媒較佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物。作為該烯基矽氧烷，可例示：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、該些烯基矽氧烷的甲基的一部分經乙基、苯基等取代的烯基矽氧烷、該些烯基矽氧烷的乙烯基經烯丙基、己烯基等取代的烯基矽氧烷。尤其，1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷因該鉑-烯基矽氧烷錯合物的穩定性良好而較佳。
另外，因可使該鉑-烯基矽氧烷錯合物的穩定性提高，故於該錯合物中添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等烯基矽氧烷或二甲基矽氧烷寡聚物等有機矽氧烷寡聚物的情況較佳。尤其較佳為於該錯合物中添加烯基矽氧烷。
（D）成分的含量若對於促進（A）成分中及（B）成分中的烯基與（C）成分中的矽原子鍵結氫原子的矽氫化反應而言為充足量，則並無特別限定。較佳為，（D）成分的含量相對於矽酮組成物而為（D）成分中的金屬原子以質量單位計成為0.01 ppm～500 ppm的範圍內的量。進而，（D）成分的含量較佳為該金屬原子成為0.01 ppm～100 ppm的範圍內的量，尤其較佳為該金屬原子成為0.01 ppm～50 ppm的範圍內的量。該含量的範圍是為了使所得的矽酮組成物充分交聯且不會產生著色等問題的範圍。
另一方面，樹脂14於螢光體層2中的總固體成分中所佔的比例較佳為10重量%以上、60重量%以下。其原因在於：藉由將該樹脂14的比例設為所述範圍，可使螢光體片4的色彩再現性的提高與高耐久性併存。
樹脂14的折射率可藉由如下方式來測定：使用折射率×膜厚測定裝置「稜鏡耦合器MODEL2010/M」（麥特利空（Metricon）公司製造）來測定折射率測定樣本的折射率。折射率測定樣本可藉由如下方式而獲得：對樹脂14使用行星式攪拌脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」（倉敷紡績（Kurabo）公司製造），以1000 rpm攪拌、脫泡10分鐘，從而製作樹脂14的分散液，將5 cc的該分散液滴加於PET膜上後，利用烘箱於150℃下加熱1小時。
（微粒子） 本發明的實施形態的螢光體片4亦可以提高螢光體層2中的螢光體1對樹脂14的分散穩定性為目的而於螢光體層2中含有微粒子。作為該微粒子的例子，可列舉包含氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、矽酮、氧化鋯、氧化鈰、氮化鋁、碳化矽、氮化矽、鈦酸鋇等的微粒子。該些中，可單獨使用，亦可併用兩種以上。作為螢光體層2中所含有的微粒子，就容易獲取的觀點而言，較佳為二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、矽酮微粒子，就硬度低的觀點而言，特佳為矽酮微粒子。藉由該微粒子的硬度低，有在螢光體1的分散步驟中抑制紅色螢光體的破碎的效果，其結果，可獲得發光強度更高的螢光體片4。
作為矽酮微粒子的例子，尤其可列舉藉由如下方法而獲得的矽酮微粒子：將有機三烷氧基矽烷或有機二烷氧基矽烷、有機三乙醯氧基矽烷、有機二乙醯氧基矽烷、有機三肟矽烷、有機二肟矽烷等有機矽烷加以水解，繼而加以縮合。
作為有機三烷氧基矽烷，例如可列舉：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三-正丙氧基矽烷、甲基三-異丙氧基矽烷、甲基三-正丁氧基矽烷、甲基三-異丁氧基矽烷、甲基三-第二丁氧基矽烷、甲基三-第三丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、正丁基三丁氧基矽烷、異丁基三丁氧基矽烷、第二丁基三甲氧基矽烷、第三丁基三丁氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷等。
作為有機二烷氧基矽烷，例如可列舉：二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、3-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基異丁基甲基二甲氧基矽烷、N-乙基胺基異丁基甲基二乙氧基矽烷、(苯基胺基甲基)甲基二甲氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷等。
作為有機三乙醯氧基矽烷，例如可列舉：甲基三乙醯氧基矽烷、乙基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷等。作為有機二乙醯氧基矽烷，例如可列舉：二甲基二乙醯氧基矽烷、甲基乙基二乙醯氧基矽烷、乙烯基甲基二乙醯氧基矽烷、乙烯基乙基二乙醯氧基矽烷等。作為有機三肟矽烷，例如可列舉甲基三甲基乙基酮肟矽烷、乙烯基三甲基乙基酮肟矽烷等。作為有機二肟矽烷，例如可列舉甲基乙基雙甲基乙基酮肟矽烷等。
具體而言，此種微粒子（螢光體層2中所含有的微粒子）可藉由如下方法而獲得：日本專利特開昭63-77940號公報所報告的方法、日本專利特開平6-248081號公報所報告的方法、日本專利特開2003-342370號公報所報告的方法、日本專利特開平4-88022號公報所報告的方法等。另外，亦已知有如下方法：將有機三烷氧基矽烷或有機二烷氧基矽烷、有機三乙醯氧基矽烷、有機二乙醯氧基矽烷、有機三肟矽烷、有機二肟矽烷等有機矽烷及其部分水解物的至少一者添加於鹼性水溶液中，加以水解×縮合而獲得微粒子的方法；或將有機矽烷及其部分水解物的至少一者添加於水或酸性溶液中，獲得該有機矽烷及其部分水解物的至少一者的水解部分縮合物後，添加鹼而使縮合反應進行，從而獲得微粒子的方法；將有機矽烷及其水解物的至少一者設為上層，將鹼或鹼與有機溶媒的混合液設為下層，於該些的界面使該有機矽烷及其水解物的至少一者水解×縮聚而獲得微粒子的方法等。於該些任一種方法中，均可於本發明中獲得螢光體層2中所含有的微粒子。
該些中，在使有機矽烷及其部分水解物的至少一者水解×縮合而製造球狀有機聚倍半矽氧烷（polysilsesquioxane）微粒子時，較佳為使用藉由日本專利特開2003-342370號公報所報告的於反應溶液內添加高分子分散劑的方法而獲得的矽酮微粒子。
於本發明中，矽酮微粒子的平均粒徑是由D50表示。作為該平均粒徑的下限，較佳為0.05 μm以上，尤佳為0.1 μm以上。另外，作為該平均粒徑的上限，較佳為2.0 μm以下，尤佳為1.0 μm以下。藉由使用此種矽酮微粒子，可獲得使用狹縫模塗機時的噴出性優異且膜厚均一性優異的螢光體層2。另外，較佳為使用單分散且真球狀的矽酮微粒子。矽酮微粒子的平均粒徑（D50）可利用與所述作為螢光體1的紅色螢光體的平均粒徑相同的方法來求出。
微粒子於螢光體層2中的總固體成分中所佔的比例較佳為0.1重量%以上、10重量%以下。藉由該微粒子的比例為所述範圍內，可提高螢光體1於螢光體層2中（樹脂14中）的分散穩定性，其結果，可使螢光體片4的色彩再現性的提高與高光通量及高耐久性併存。
本發明的螢光體層2中的螢光體1、樹脂14及矽酮微粒子的各含量亦可根據已製作的螢光體層2或搭載有其的LED發光體來求出。例如，以規定樹脂包埋螢光體層2並切斷，製作研磨了剖面的試樣，利用掃描型電子顯微鏡（SEM）對其露出的剖面進行觀測，藉此可明確地判別螢光體層2中的螢光體1的粒子部分、矽酮微粒子的部分及樹脂14的部分。根據其剖面像的面積比，可正確地測定螢光體1（螢光體粒子）、矽酮微粒子及樹脂14分別於螢光體層2整體中所佔的體積比率。於形成螢光體層2的各成分的比重明確的情況下，藉由該些的各體積比率除以各個的比重，可計算螢光體1於螢光體層2中所佔的重量比率。於形成螢光體層2的各成分的組成並不明確的情況下，藉由利用高分解能的顯微紅外分光或IPC發光分析對螢光體層2的剖面進行分析，可判別該些的各成分的組成。若該些的各成分的組成變得明確，則可以相當程度的正確度推斷樹脂14或螢光體1的物質固有的比重，因此可使用其來求出所述重量比率。
（其他成分） 螢光體層2中，作為其他成分，為了抑制常溫下的硬化而延長適用期（port life），較佳為調配矽氫化反應延遲劑。作為矽氫化反應延遲劑，例如可列舉：3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、苯基丁炔醇、1-乙炔基-1-環己醇等具有碳-碳三鍵的醇衍生物，3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物，四甲基四乙烯基環四矽氧烷、四甲基四己烯基環四矽氧烷等含烯基的低分子量矽氧烷，甲基-三(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)矽烷、乙烯基-三(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)矽烷等含炔烴的矽烷等。
另外，螢光體層2中，於無損本發明的效果的範圍內，亦可視需要而調配氣相二氧化矽、玻璃粉末、石英粉末等微粒子，氧化鋅等無機填充劑，或顏料，難燃劑，耐熱劑，抗氧化劑，分散劑，溶劑，矽烷偶合劑或鈦偶合劑等接著性賦予劑等。
＜透明樹脂層＞ 透明樹脂層5（參照圖1B）為於波長450 nm下的全光線透過率為90%以上且不含螢光體1的樹脂層。透明樹脂層5例如如圖1B所示，積層於螢光體層2上。另外，透明樹脂層5於波長400 nm～800 nm下的最小透過率較佳為80%以上。此處所述的最小透過率為於波長400 nm～800 nm下的透光率中的最小的值。藉由該最小透過率為80%以上，螢光體片4容易使高光通量化與高耐久性併存。藉由於螢光體層2上存在透明樹脂層5，螢光體層2中的螢光體1（例如紅色螢光體等）的耐久性得到提高，其結果，作為螢光體片4的耐久性得到提高。
另外，透明樹脂層5亦可進而含有微粒子。藉由透明樹脂層5含有微粒子，透明樹脂層5的膜厚均一性得到提高，因此於後述的螢光體片4的拾取步驟中，可精度良好地拾取螢光體片4。透明樹脂層5的膜厚變得不均一的原因之一，有形成透明樹脂層5時的乾燥步驟中的樹脂的流動。於該乾燥步驟中，透明樹脂層5中所含的樹脂因加熱而黏度降低，因此變得容易流動。尤其，於透明樹脂層5中所含的樹脂為具有熱融合性的矽酮樹脂的情況下，該樹脂的黏度降低顯著，因此透明樹脂層5的膜厚容易變得不均一。於將具有熱融合性的矽酮樹脂用於透明樹脂層5的情況下，為了確保透明樹脂層5的膜厚的均一性，尤其重要的是透明樹脂層5含有微粒子。
透明樹脂層5的膜厚的均一性得到提高的情況亦有提高透明樹脂層5作為保護層的功能的效果。於局部地存在透明樹脂層5的膜厚薄的部分的情況下，該薄的部分無法作為保護層充分發揮功能，所得的發光體的耐久性劣化。根據本發明，可抑制此種事態。
（樹脂） 作為透明樹脂層5中所使用的樹脂，較佳為選自矽酮樹脂、氟樹脂、環氧樹脂、聚芳酯樹脂、PET改質聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環狀烯烴樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚丙烯樹脂、改質丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂及丙烯腈×苯乙烯共聚物樹脂中的一種以上的樹脂。其中，更佳為選自矽酮樹脂、氟樹脂、環氧樹脂中的一種以上的樹脂，就耐熱性的方面而言，特佳為矽酮樹脂。
於透明樹脂層5中所使用的樹脂為矽酮樹脂的情況下，該矽酮樹脂亦可為具有熱融合性者。藉由該矽酮樹脂具有熱融合性，於藉由後述的透明樹脂片法來形成透明樹脂層5的情況下，可將螢光體層2與透明樹脂層5牢固地接著。
（微粒子） 透明樹脂層5中所使用的微粒子較佳為可見光下的吸收或發光小者。作為該微粒子，例如可列舉：氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、矽酮、氧化鋯、氧化鈰、氮化鋁、碳化矽、氮化矽、鈦酸鋇等微粒子。該些中，就容易獲取的觀點而言，更佳為選自二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、矽酮微粒子中的一種以上的微粒子，就容易控制折射率或粒徑的觀點而言，特佳為矽酮微粒子。
藉由減小透明樹脂層5中的微粒子的粒徑且減小透明樹脂層5中的樹脂與微粒子的折射率差，可將透明樹脂層5於波長400 nm～800 nm下的最小透過率設為80%以上。
透明樹脂層5中所含的微粒子的平均粒徑較佳為1 nm以上，更佳為3 nm以上。另外，該微粒子的平均粒徑較佳為1000 nm以下，更佳為300 nm以下。藉由該微粒子的平均粒徑為較佳的下限值以上，可將微粒子穩定地分散於透明樹脂層5中。藉由該微粒子的平均粒徑為1000 nm以下，可抑制光於透明樹脂層5中的散射，因此可維持透明樹脂層5的高透光率。
此處所述的微粒子（透明樹脂層5中所含的微粒子）的平均粒徑是中值粒徑（D50）。該微粒子的平均粒徑可利用與所述作為螢光體1的紅色螢光體的平均粒徑相同的方法來求出。
微粒子於透明樹脂層5的總固體成分中所佔的比例較佳為0.1重量%以上，更佳為1重量%以上。另外，該微粒子的比例較佳為30重量%以下，更佳為10重量%以上。藉由該微粒子的比例為較佳的下限值以上，可抑制透明樹脂層5的膜厚的偏差。藉由該微粒子的比例為較佳的上限值以下，可維持透明樹脂層5的高透光率。
（其他特徵） 含有微粒子的透明樹脂層5的透光率可使用分光光度計來測定。例如，於使用日立製作所製造：U-4100分光光度計（Spectrophotometer）的情況下，以於該測定裝置中使用附屬的積分球的基本構成來測定透明樹脂層5的樣本的透光率。關於該透光率的測定條件，狹縫設為2 nm，掃描速度設為600 nm/min。
透明樹脂層5的透光率測定用的樣本（以下稱為「透過率測定樣本」）可藉由下述方法來製作。例如，將透明樹脂層5中所使用的樹脂及微粒子攪拌、脫泡，從而製作分散液，利用刮板塗佈機將該分散液塗佈於石英玻璃上後，利用烘箱於150℃下加熱1小時。可以所述方式製作透過率測定樣本。
透過率測定樣本的膜厚可藉由下述方法來測定。例如，預先利用測微計（micrometer）對石英玻璃的規定位置的厚度進行測定，並預先標記該所測定的位置。繼而，利用所述方法於該石英玻璃上形成透明樹脂層5的透過率測定樣本後，再次利用測微計對標記部分的厚度進行測定。自所得的厚度減去先前測定的石英玻璃的厚度，藉此可獲得該透過率測定樣本的膜厚。
透明樹脂層5中所含的樹脂與微粒子的折射率差較佳為0.5以下，更佳為0.3以下，特佳為0.1以下。透明樹脂層5中所含的樹脂的折射率較佳為1.3以上，較佳為1.6以下。藉由該樹脂的折射率為1.3以上，透明樹脂層5與螢光體層2的折射率差相對變小，因此可提高自螢光體層2向透明樹脂層5的光輸出效率。另外，藉由該樹脂的折射率為1.6以下，透明樹脂層5與空氣層的折射率差相對變小，因此可提高自透明樹脂層5向空氣層的光輸出效率。另外，就進一步提高光輸出效率的觀點而言，透明樹脂層5中所含的樹脂的折射率較佳為螢光體層2中所含的樹脂的折射率以下。
透明樹脂層5中所含的樹脂的折射率可藉由如下方式來測定：使用折射率×膜厚測定裝置「稜鏡耦合器MODEL2010/M」（麥特利空（Metricon）公司製造）來測定折射率測定樣本的折射率。折射率測定樣本可藉由如下方式而獲得：對該樹脂使用倉敷紡績（Kurabo）公司製造的行星式攪拌脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」，以1000 rpm攪拌、脫泡10分鐘，從而製作分散液，將5 cc的該分散液滴加於PET膜上後，利用烘箱於150℃下加熱1小時。
＜其他層＞ 本發明的實施形態的螢光體片4亦可於螢光體層2的上及下的至少一者上具備與螢光體層2不同的另一螢光體層或擴散層。該情況下，為了可不使用接著劑地貼附於LED晶片，形成於螢光體層2或另一螢光體層下（例如任一個螢光體層與LED晶片表面之間）的透明樹脂層較佳為具有熱融合性。於所述透明樹脂層貼附於折射率高的GaN或藍寶石等LED晶片表面的情況下，該LED晶片表面的折射率與位於任一個螢光體層下的透明樹脂層的折射率差越小，可越提高自該LED晶片表面向該透明樹脂層的光輸出效率。因此，該情況下，較佳為該透明樹脂層的折射率為1.56以上。
擴散層是包含規定的樹脂與二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯等擴散材的層。藉由形成擴散層，減弱發光光的定向性，可獲得進一步等向的發光光。因此，擴散層較佳為形成於螢光體層2的上層。
＜螢光體片的製作方法＞ 繼而，對本發明的實施形態的螢光體片4的製作方法進行詳細說明。再者，以下所說明的製作方法為一例，螢光體片4的製作方法並不限定於此。
作為製作螢光體片4的一個方法，有將螢光體層2直接塗佈於支撐體3上的方法。該方法中，首先，作為螢光體層2的形成用的塗佈液而製作將螢光體1分散於樹脂14中而成的溶液（以下稱為「螢光體層製作用樹脂液」）。螢光體層製作用樹脂液是藉由將螢光體1與樹脂14混合於溶媒中而獲得。
於為了調整黏度而需要添加溶媒的情況下，若為可調整流動狀態的樹脂14的黏度者，則溶媒的種類並不特別限定。作為該溶媒，例如可列舉：甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、己烷、庚烷、環己烷、丙酮、萜品醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙二醇二甲醚（glyme）、二乙二醇二甲醚（diglyme）、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等。
將構成螢光體層2所需要的成分與視需要所添加的溶媒等的成分以成為規定的組成的方式調配後，對該些成分的調配物利用均質機、自轉公轉型攪拌機、三輥、球磨機、行星式球磨機、珠磨機等攪拌·混練機均質地進行混合分散，藉此獲得螢光體層製作用樹脂液。亦較佳為於該混合分散後或於該混合分散的過程中，於真空或減壓條件下進行脫泡。
其中，與β型矽鋁氮氧化物螢光體等於高溫下進行煅燒而製造的螢光體相比較，作為螢光體1的Mn活化複合氟化物錯合物螢光體具有硬度低且脆的性質。因此，在利用攪拌×混練機等使Mn活化複合氟化物錯合物螢光體分散時，較佳為，以對Mn活化複合氟化物錯合物螢光體施加的衝擊盡可能小的方式設定分散條件，藉此抑制Mn活化複合氟化物錯合物螢光體的破碎。藉由抑制Mn活化複合氟化物錯合物螢光體的破碎，可獲得發光強度強的螢光體片4。
繼而，將以所述方式製作的螢光體層製作用樹脂液塗佈於支撐體3上並加以乾燥。藉此，對在支撐體3上所得的螢光體層2進行加熱硬化而製作。向支撐體3上塗佈螢光體層製作用樹脂液可利用逆輥塗佈機、刮板塗佈機、狹縫模塗機、直接凹版塗佈機、膠印凹版塗佈機、吻合式塗佈機、網版印刷、正向輥塗佈機（natural roll coater）、氣刀塗佈機、輥式刮板塗佈機、雙流塗佈機（two-stream coater）、棒塗機、線棒塗佈機、敷料器、浸漬塗佈機、簾幕塗佈機、旋塗機、刮刀塗佈機等來進行。為了獲得螢光體層2的膜厚的均一性，較佳為利用狹縫模塗機進行塗佈。另外，螢光體層2亦可使用網版印刷或凹版印刷、平版印刷等印刷法進行製作。尤其，較佳地使用網版印刷。
螢光體層製作用樹脂液的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置來進行。螢光體層2的加熱硬化中可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置。該情況下，加熱硬化條件通常為於40℃～250℃下進行1分鐘～5小時，較佳為於100℃～200℃下進行2分鐘～3小時。
藉由所述方法，可製作至少具備螢光體層2的螢光體片4。該螢光體片4如圖1A所例示，處於片單體由支撐體3支撐的狀態。
作為本發明中所使用的支撐體3，並無特別限制，例如可列舉：公知的金屬、樹脂膜、玻璃、陶瓷、紙、纖維素乙酸酯。該些中，就螢光體片4的製作的容易度或螢光體片4的單片化的容易度的方面而言，可較佳地使用玻璃或樹脂膜。尤其就將螢光體片4貼附於LED晶片時的密接性的方面而言，支撐體3較佳為柔軟的膜狀。另外，為了在對膜狀的支撐體3進行處理時無斷裂等的擔憂，作為支撐體3較佳為強度高的膜。就該些的要求特性或經濟性的方面而言，作為支撐體3較佳為樹脂膜。作為支撐體3而使用的樹脂膜中，就經濟性或處理性的方面而言，較佳為選自由聚對苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚丙烯、聚醯亞胺所組成的群組中的塑膠膜。另外，於在使螢光體層製作用樹脂液乾燥時或在將螢光體片4貼附於LED晶片時需要200℃以上的高溫的情況下，就耐熱性的方面而言，較佳為聚醯亞胺膜。就螢光體片4自支撐體3的剝離的容易度的方面而言，支撐體3的表面亦可預先經脫模處理。
另外，於螢光體片4的製作方法中，於將透明樹脂層5形成於螢光體層2上的情況下，作為透明樹脂層5的形成方法，有直接塗佈法與透明樹脂片法。直接塗佈法例如是將作為透明樹脂層5的製作用的利用透明樹脂溶媒進行了黏度調整的樹脂溶液（以下稱為「透明樹脂層製作用樹脂液」）直接塗佈於螢光體層2上，然後進行乾燥、加熱硬化處理的方法。
於直接塗佈法中，透明樹脂層製作用樹脂液的塗佈可使用與螢光體層2的製作（螢光體層製作用樹脂液的塗佈）相同的方法，為了獲得透明樹脂層5的膜厚的均一性，較佳為利用狹縫模塗機塗佈透明樹脂層製作用樹脂液。透明樹脂層製作用樹脂液的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置來進行。藉由該乾燥而形成的透明樹脂層5的加熱硬化中，可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置。該情況下，加熱硬化條件通常為於40℃～250℃下進行1分鐘～5小時，較佳為於100℃～200℃下進行2分鐘～3小時。
透明樹脂片法是如下方法：製作透明樹脂片，並將螢光體片4的螢光體層2側與所製作的透明樹脂片的透明樹脂層5側貼合，藉此於螢光體層2上形成透明樹脂層5。透明樹脂片可藉由與所述具備螢光體層2的螢光體片4相同的方法來製作。即，代替「螢光體層製作用樹脂液」而使用「透明樹脂層製作用樹脂液」，進行與所述螢光體片4的製作方法相同的方法，於規定的支撐體（例如與支撐體3相同者）上形成透明樹脂層5，藉此可製作透明樹脂片。
於藉由透明樹脂片法而於螢光體層2上形成透明樹脂層5的情況下，需要螢光體層2及透明樹脂層5中的至少一層的樹脂為半硬化的狀態。藉由至少一層的樹脂為半硬化的狀態，可將螢光體層2與透明樹脂層5接著。於該透明樹脂片法中，更佳為至少透明樹脂層5的樹脂為半硬化，特佳為螢光體層2的樹脂14及透明樹脂層5的樹脂這兩者為半硬化的狀態。
螢光體層2與透明樹脂層5的貼合較佳為進行加熱而貼合。藉由加熱，螢光體層2及透明樹脂層5的各樹脂的黏度下降，因此可將螢光體層2與透明樹脂層5牢固地貼合。為了充分降低該貼合時的各樹脂的黏度，作為加熱條件，較佳為40℃以上，更佳為60℃以上，特佳為80℃以上。另外，若貼合時的各樹脂的溫度過高，則於螢光體層2與透明樹脂層5進行接著前，半硬化狀態的樹脂（例如透明樹脂層5的樹脂）會硬化，因此螢光體層2與透明樹脂層5會變得難以接著。就抑制該貼合時的熱硬化的觀點而言，作為加熱條件，較佳為200℃以下，更佳為170℃以下，特佳為150℃以下。
另外，於在螢光體層2與透明樹脂層5貼合時擠入氣泡的情況下，於氣泡與螢光體層2的界面和氣泡與透明樹脂層5的界面中，光進行漫反射。藉此，自螢光體片4的光輸出效率降低，作為結果，使用該螢光體片4所製造的發光體的亮度會降低。就防止此種氣泡的擠入的觀點而言，螢光體層2與透明樹脂層5的貼合較佳為於真空環境下進行。真空環境下是壓力為規定值以下的環境。該真空環境下的壓力為100 hPa以下，更佳為10 hPa以下，尤佳為5 hPa以下，特佳為1 hPa以下。
（使用螢光體片的發光體的製造方法） 對本發明的實施形態的發光體的製造方法（使用螢光體片4的發光體的製造方法）進行說明。圖2是表示使用本發明的實施形態的螢光體片的發光體的製造方法的一例的步驟圖。再者，以下的說明是一例，本發明的實施形態的發光體的製造方法並不限定於以下所說明者。
使用螢光體片4的發光體的製造方法大致包括三個步驟。第一步驟是將螢光體片4加以單片化的單片化步驟。第二步驟是拾取經單片化的螢光體片4的拾取步驟。第三步驟是將所拾取的螢光體片4（藉由單片化步驟而經單片化者）貼附於光源的貼附步驟。另外，該發光體的製造方法亦可視需要而包括其他步驟。
以下，列舉如下情況為例，參照圖2並且對本發明的實施形態的發光體的製造方法進行說明，所述情況為：螢光體片4設為包含形成於支撐體3上的螢光體層2者，將作為該螢光體片4的螢光體層2加以單片化，並貼附於作為光源的一例的LED晶片。
（單片化步驟） 於單片化步驟中，螢光體片4的單片化可藉由利用模具的沖孔、利用雷射的加工、切割（dicing）或切分等方法來進行。此時，作為螢光體片4的螢光體層2可為半硬化狀態，亦可預先硬化。利用雷射的加工對螢光體層2賦予高能量，因此非常難以避免螢光體層2的樹脂（例如圖1A所示的樹脂14）的燒焦或螢光體（例如圖1A所示的螢光體1）的劣化。因此，作為螢光體片4的單片化的方法，理想的是利用刀具的切削或切斷。
例如如圖2所示，作為螢光體片4的螢光體層2處於由支撐體3支撐的狀態。於單片化步驟中，支撐體3上的螢光體層2是藉由刀具6而切斷（狀態S1）。藉此，該螢光體層2被單片化為多個而加工成單片化螢光體層7（狀態S2）。此時，單片化螢光體層7貼附於支撐體3。
刀具6例如為旋轉刀。作為藉由旋轉刀將螢光體層2切斷的裝置，可較佳地利用被稱為切片機（dicer）的、用以將半導體基板切斷（切割）成各別的晶片的裝置。若使用切片機，則可藉由旋轉刀的厚度或條件設定來精密地控制螢光體層2的分割線的寬度，因此，相較於利用簡單的刀具的壓入的螢光體層2的切斷，可獲得更高的加工精度。於該些任意的切斷方法的情況下，螢光體層2可連同支撐體3一起單片化。或者，亦可螢光體層2單片化並且支撐體3不進行切斷。此時，較佳為對支撐體3進行切入不貫通的切入線的所謂半切（half cut）。
於單片化步驟中，螢光體層2的切斷較佳為利用乾式切片的切斷。乾式切片是在切斷時不使用水等液體的切斷方法。螢光體層2於單片化步驟中的切斷並不限定於此，例如可列舉利用湯姆遜刀的切斷等。於螢光體層2包含如K2 SiF6 ：Mn等般的藉由與水進行反應而發光效率降低的螢光體的情況下，尤其有效的是乾式切片。
於單片化步驟的前後或與單片化步驟同時對螢光體片4實施螢光體層2的開孔加工。作為該開孔加工，可較佳地使用雷射加工、利用模具的沖孔等公知的方法，但雷射加工會引起螢光體層2的樹脂的燒焦或螢光體的劣化，因此更理想的是利用模具的沖孔加工。
（拾取步驟） 藉由所述單片化步驟而單片化的螢光體片4可藉由作為單片化步驟的下一步驟的拾取步驟而拾取。例如如圖2所示，單片化螢光體層7處於貼附於支撐體3上的狀態。於拾取步驟中，單片化螢光體層7藉由具備筒夾8等吸引裝置的拾取裝置（未圖示）而自支撐體3剝離並被拾取（狀態S3）。
（貼附步驟） 藉由所述拾取步驟而拾取的單片化螢光體層7（經單片化的螢光體片4的一例）可藉由作為拾取步驟的下一步驟的貼附步驟而貼附於光源。例如如圖2所示，單片化螢光體層7處於藉由筒夾8而拾取的狀態。筒夾8與單片化螢光體層7一起被搬送至安裝於基板11的LED晶片9（光源的一例）的位置，藉此使LED晶片9的光輸出面與單片化螢光體層7的接著面（例如下表面）對向。繼而，筒夾8將單片化螢光體層7的接著面按壓貼附於LED晶片9的光輸出面（狀態S4）。此時，亦可於基板11上的LED晶片9的周圍形成反射器10。
單片化螢光體層7與LED晶片9於貼附步驟中的貼附中，較佳為使用接著劑（未圖示）。作為該接著劑，可使用公知的黏晶劑或接著劑。例如可使用丙烯酸樹脂系、環氧樹脂系、胺基甲酸酯樹脂系、矽酮樹脂系、改質矽酮樹脂系、酚樹脂系、聚醯亞胺系、聚乙烯醇系、聚甲基丙烯酸樹脂系、三聚氰胺樹脂系、脲樹脂系的接著劑。於螢光體層2具有黏著性的情況下，亦可利用該黏著性將單片化螢光體層7與LED晶片9貼附。
另外，於貼附步驟為將單片螢光體層7加熱而貼附於LED晶片9的步驟的情況下，若於大氣中進行該貼附步驟，則有時於LED晶片9與單片化螢光體層7之間擠入氣泡。於擠入氣泡的情況下，於氣泡與LED晶片9的界面和氣泡與單片化螢光體層7的界面中，光進行漫反射。藉此，自LED晶片9的光輸出效率降低，作為結果，使用螢光體片4所製造的發光體（例如圖2所示的發光體13）的亮度會降低。就防止此種氣泡的擠入的觀點而言，該貼附步驟較佳為於真空環境下進行。
（其他步驟） 所述發光體的製造方法中，作為其他步驟，亦可進而包括將LED晶片9與作為電路基板的一例的基板11電性連接的連接步驟。於該連接步驟中，LED晶片9的電極與基板11的配線可利用公知的方法進行電性連接。藉此，可獲得發光體13。於LED晶片9在光輸出面側具有電極的情況下，LED晶片9的上表面的電極與基板11的配線藉由打線接合而連接。另外，於LED晶片9為在發光面的相反面具有電極墊的倒裝晶片（flip chip）類型的情況下，使LED晶片9的電極面與基板11的配線對向，該些藉由統一接合而連接。該情況下，基板11與LED晶片9的連接亦可於經單片化的螢光體片4（例如單片化螢光體層7）的貼附前進行。
於單片螢光體層7以半硬化狀態與LED晶片9貼附的情況下，可於所述連接步驟之前或後述的較佳的時序使單片螢光體層7硬化。例如，於進行應將倒裝晶片類型的LED晶片9統一接合於基板11的熱壓接的接合的情況下，亦可藉由該加熱而同時使單片化螢光體層7硬化。另外，於將連接有LED晶片9與基板11的封裝體表面安裝於更大的電路基板上的情況下，亦可與利用回焊進行焊接的同時使單片化螢光體層7硬化。
於單片化螢光體層7以經硬化的狀態與LED晶片9貼附的情況下，於將單片化螢光體層7與LED晶片9貼附後，無須設置單片化螢光體層7的硬化過程。單片化螢光體層7以經硬化的狀態與LED晶片9貼附的情況例如是：於經硬化的單片化螢光體層7上形成另一接著層的情況、或單片化螢光體層7於硬化後具有熱融合性的情況等。
另外，所述發光體的製造方法中，作為其他步驟，亦可進而包括進行貼附步驟後的將LED晶片9密封的密封步驟。例如如圖2所示，於密封步驟中，透明密封材12以覆蓋貼附單片化螢光體層7後的LED晶片9的方式注入至基板11上（詳細而言為反射器10的內側）。藉此，該LED晶片9藉由透明密封材12而密封（狀態S5）。以所述方式製作圖2所示的發光體13。作為透明密封材12，就透明性或耐熱性的觀點而言，可較佳地使用矽酮樹脂。
如上所述般參照圖2並且進行了說明的發光體的製造方法中，例示了螢光體片4包含支撐體3上的螢光體層2的情況，但該發光體的製造方法並不限定於此。即，該發光體的製造方法中所使用的螢光體片4亦可為包含螢光體層2者，亦可為如圖1B所例示的包含螢光體層2與透明樹脂層5的積層體者，還可為進而具備所述擴散層等其他層者。例如，於螢光體片4為具備螢光體層2及透明樹脂層5者的情況下，單片化步驟中，支撐體3上的螢光體層2及透明樹脂層5一起進行單片化。拾取步驟中，螢光體層2及透明樹脂層5的經單片化的積層體自支撐體3被拾取。貼附步驟中，該被拾取的積層體（經單片化者）貼附於LED晶片9的光輸出面。
＜發光體、光源單元、顯示器＞ 本發明的實施形態的發光體具備所述螢光體片4。例如，圖2所示的發光體13於LED晶片9的光輸出面上具備作為螢光體片4的單片化螢光體層7。此種發光體可廣泛應用於車載的頭燈、電視機或智慧型手機的背光、照明等。於本發明中，螢光體片4及使用其的發光體對於色彩再現性的提高而言優異且具有高光通量、高耐久性，因此較佳為應用於背光等光源單元。
本發明的實施形態的光源單元具備所述螢光體片4。該光源單元中亦包含具備發光體者，所述發光體具有螢光體片4。此種光源單元可應用於電視機用、智慧型手機用、平板型電腦用、遊戲機器用的顯示器。
本發明的實施形態的顯示器具備具有所述螢光體片4的光源單元。該顯示器中，亦包含具備光源單元者，所述光源單元具有本發明的發光體（使用螢光體片4所製作的發光體）。作為此種顯示器，例如可列舉液晶顯示器等。
＜色彩再現範圍測定＞ 將使用螢光體片4所製作的發光體用作液晶顯示器的背光時的液晶顯示器的色彩再現範圍可以數位電影推進聯盟（Digital Cinema Initiative，DCI）比進行評價。DCI比是將DCI（Digital Cinema Initiative）標準中的DCI色度區域的面積設為基準（100%）時的、色度區域的面積比。DCI比可以下述順序進行測定。
首先，於所製作的發光體上載置利用公知的方法所製作的使紅色光透過的彩色濾光片，對該發光體投入1 W的電力而使該發光體點燈，使用總光通量測定系統（HM-3000、大塚電子公司製造）對發光光的色度進行測定。同樣地，對於在該發光體上載置使綠色光透過的彩色濾光片的情況與在該發光體上載置使藍色光透過的彩色濾光片的情況，分別測定發光光的色度。藉由利用DCI色度區域的面積除將所得的三個色度設為頂點的三角形的面積，可計算DCI比。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明。其中，本發明並不限定於該些。
＜矽酮樹脂＞ 矽酮樹脂T11為OE-6351A/B（東麗·道康寧（Toray·Dow Corning）公司製造）。矽酮樹脂T11的折射率為1.41。矽酮樹脂T12為KER6075LV A/B（信越化學工業公司製造）。矽酮樹脂T12的折射率為1.45。矽酮樹脂T13為XE14-C2860（邁圖高新材料（Momentive Performance Materials）公司製造）。矽酮樹脂T13的折射率為1.50。矽酮樹脂T14為OE6630 A/B（東麗·道康寧（Toray·Dow Corning）股份有限公司製造）。矽酮樹脂T14的折射率為1.53。
矽酮樹脂T15是藉由將下述75重量份的（E）成分、10重量份的（F）成分、25重量份的（G）成分、0.025重量份的反應抑制劑、0.01重量份的鉑觸媒加以混合而獲得。使用矽酮樹脂T15所製作的透明樹脂片於25℃下的貯存彈性模數為1 MPa，且於100℃下的貯存彈性模數為0.01 MPa，顯現出良好的熱融合性。矽酮樹脂T15的折射率為1.56。
於矽酮樹脂T15中，（E）成分為(MeViSiO2/2 )0.25 (Ph2 SiO2/2 )0.3 (PhSiO3/2 )0.45 (HO1/2 )0.03 。（F）成分為ViMe2 SiO(MePhSiO)17.5 SiMe2 Vi。（G）成分為(HMe2 SiO)2 SiPh2 。其中，Me為甲基，Vi為乙烯基，Ph為苯基。另外，反應抑制劑為1-乙炔基己醇。鉑觸媒為鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液。該溶液的鉑含量為5重量%
矽酮樹脂T16是藉由下述製備法而獲得。矽酮樹脂T16的折射率為1.60。
矽酮樹脂T16的製備法中，於反應容器中，投入1-萘基三甲氧基矽烷（892.8 g）及1,3-二乙烯基-1,3-二苯基二甲基二矽氧烷（372.0 g），預先混合後，投入三氟甲磺酸（6.15 g），於攪拌下，投入水（213.84 g），進行2小時加熱回流。其後，進行加熱常壓蒸餾去除直至成為85℃。繼而，投入甲苯（435.6 g）、氫氧化鉀（3.28 g），進行加熱常壓蒸餾去除直至反應溫度成為120℃，並於該溫度下反應6小時。其後，冷卻至室溫，投入乙酸（3.524 g），進行中和。將所生成的鹽過濾分離後，自所得的透明的溶液中將低沸點物加熱減壓蒸餾去除，從而獲得957.4 g的平均單元式：(MePhViSiO1/2 )0.40 (NaphSiO3/2 )0.60 所表示的有機聚矽氧烷樹脂P1。
另外，於反應容器中，投入1-萘基三甲氧基矽烷（50 g），進行加熱熔融後，添加三氟甲磺酸（0.06 g）。繼而，一邊加熱至45℃～50℃一邊滴加乙酸（9.3 g）。滴加結束後，於50℃下加熱攪拌30分鐘。對低沸點物進行加熱常壓蒸餾去除直至反應溫度成為80℃。其後，冷卻至室溫，滴加1,3,3-四甲基二矽氧烷（4.4 g），進行加熱直至反應溫度成為45℃。繼而，於45℃～50℃下滴加乙酸（18 g）。滴加結束後，於50℃下加熱攪拌30分鐘。一邊藉由空冷或水冷而將溫度保持為60℃以下，一邊滴加乙酸酐（15.5 g），滴加結束後，於50℃下進行30分鐘加熱攪拌。繼而，投入甲苯與水，重覆進行攪拌、靜置及下層抽取，並進行水洗。確認到下層的pH值為7後，自作為上層的甲苯層中將低沸點物加熱減壓蒸餾去除，從而獲得43 g的平均單元式：(HMe2 SiO1/2 )0.60 (NaphSiO3/2 )0.40 所表示的、無色透明液狀的有機聚矽氧烷P2。
將52.0質量份的有機聚矽氧烷樹脂P1、30.0質量份的有機聚矽氧烷P2、14.0質量份的式：HMe2 SiOPh2 SiOSiMe2 H所表示的有機三矽氧烷及0.25質量份的鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物的1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷的溶液（作為鉑而含有0.1質量%的溶液）加以混合，從而製備硬化性矽酮組成物。
矽酮樹脂T17是藉由下述製備法而獲得。矽酮樹脂T17的折射率為1.65。
矽酮樹脂T17的製備法中，將甲基三甲氧基矽烷（16.6 g）、苯基三甲氧基矽烷（56.2 g）、數量平均粒徑15 nm的「奧普特萊克（Optolake）TR-527」（商品名、觸媒化成工業（股份）製造 組成：氧化鈦粒子20重量%、甲醇80重量%）（194 g）、丙二醇單甲醚乙酸酯（126.9 g）加入至反應容器中，於該溶液中，一邊攪拌一邊以反應溫度不超過40℃的方式滴加水（21.9 g）及磷酸（0.36 g）。滴加後，於燒瓶中安裝蒸餾裝置，將所得的溶液於浴溫105℃下加熱攪拌2.5小時，將因水解而生成的甲醇蒸餾去除並且進行反應。其後，將該溶液於浴溫115℃下進而加熱攪拌2小時後，冷卻至室溫，從而獲得經聚矽氧烷接枝化的氧化鈦粒子。
繼而，於該所得的氧化鈦粒子（50.00 g）中混合矽酮樹脂T14（8.00 g），使用行星式攪拌×脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」（倉敷紡績（Kurabo）公司製造），以1000 rpm攪拌×脫泡20分鐘，藉此，製作矽酮樹脂T17。進行折射率測定的結果，矽酮樹脂T17的平均折射率為1.65。
矽酮樹脂T18是藉由下述製備法而獲得。矽酮樹脂T18的折射率為1.70。
矽酮樹脂T18的製備法中，於與所述矽酮樹脂T17的製備法同樣地經聚矽氧烷接枝化的氧化鈦粒子（60.0 g）中混合矽酮樹脂T14（3.0 g），使用行星式攪拌×脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」（倉敷紡績（Kurabo）製造），以1000 rpm攪拌×脫泡20分鐘。藉此，製作矽酮樹脂T18。進行折射率測定的結果，矽酮樹脂T18的折射率為1.70。
＜氟樹脂＞ 氟樹脂T21為AF2400S（三井×杜邦氟化學（Du Pont-Mitsui Fluorochemicals）公司製造）。氟樹脂T21的折射率為1.30。氟樹脂T22為CTX-800（CT-solv180溶液）（旭硝子公司製造）。氟樹脂T22的折射率為1.35。
＜螢光體＞ 綠色螢光體為GR-MW540K（電化（DENKA）股份有限公司製造）的β型矽鋁氮氧化物螢光體。黃色螢光體為NYAG-02（英特美（Intematix）公司製造）的摻雜Ce的YAG螢光體。紅色螢光體T1為KSF螢光體樣本A（根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）股份有限公司製造）。紅色螢光體T2為KSF螢光體樣本B（根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）股份有限公司製造）。紅色螢光體T3為KSF螢光體樣本C（根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）股份有限公司製造）。紅色螢光體T4為KSF螢光體樣本D（根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）股份有限公司製造）。紅色螢光體T5為KSF螢光體樣本E（根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）股份有限公司製造）。紅色螢光體T6為KSF螢光體樣本F（根本特殊材料（Nemoto·Lumi-Materials）股份有限公司製造）。
本實施例中所使用的紅色螢光體T1～紅色螢光體T6的D10、D50及D90是利用以下方法進行測定。該測定結果示於表1。表1中亦示出以所測定的D10、D50及D90為基本並基於所述式（11）而計算的值x。
紅色螢光體T1～紅色螢光體T6的D10、D50及D90的測定方法中，如後述般製作螢光體片（例如圖1A、圖1B所示的螢光體片4），利用SEM對該螢光體層的剖面進行觀察，於所得的二維圖像中，計算與粒子的外緣相交於兩點的直線的該兩個交點之間的距離中成為最大的距離，並將其定義為粒子的各別的粒徑。於根據所觀察的所有粒子的各別的粒徑所求出的粒度分佈中，將自小粒徑側起的通過累計百分比10%的粒徑設為D10，將通過累計百分比50%的粒徑設為D50，將通過累計百分比90%的粒徑設為D90。
[表1]
＜基材膜＞ 基材膜是本發明的螢光體片的支撐體（例如圖1A、圖1B所示的支撐體3）的一例。於本實施例中，基材膜設為PET膜。該PET膜為「塞拉皮爾（Cerapeel）」BX9（東麗膜（Toray film）加工（股份）製造），其膜厚為50 μm。
＜矽酮微粒子＞ 矽酮微粒子是藉由以下製造方法而獲得。
矽酮微粒子的製造方法中，於2 L四口圓底燒瓶中安裝攪拌機、溫度計、回流管、滴加漏斗，於該燒瓶中加入含10000 ppm的作為界面活性劑的聚醚改質矽氧烷「BYK333」的2.5%氨水（2 L），以300 rpm進行攪拌並且藉由油浴而升溫。在內溫到達50℃時，自滴加漏斗歷經30分鐘滴加甲基三甲氧基矽烷與苯基三甲氧基矽烷的混合物（22/78 mol%）（200 g）。於維持該溫度下，進而持續攪拌60分鐘後，添加乙酸（試藥特級）（約5 g），攪拌混合後，進行過濾。於過濾器上的生成粒子中添加兩次水（600 mL）、一次甲醇（200 mL），進行過濾、清洗。藉由取出過濾器上的濾餅，粉碎後，歷經10小時進行凍結乾燥，從而獲得作為矽酮微粒子的白色粉末（40 g）。
所得的矽酮微粒子利用SEM進行觀察，結果可確認到為單分散球狀微粒子。根據所得的SEM圖像來計算該矽酮微粒子的平均粒徑，結果為50 nm。藉由浸液法來測定該矽酮微粒子的折射率，結果為1.54。利用剖面TEM對該矽酮微粒子進行觀察，結果可確認到粒子內為單一結構的微粒子。
＜二氧化矽微粒子＞ 二氧化矽微粒子T31為艾羅西爾（Aerosil）200（日本艾羅西爾（股份）製造）。二氧化矽微粒子T31的平均粒徑為12 nm。二氧化矽微粒子T31的折射率為1.46。二氧化矽微粒子T32為「阿德瑪娜瑙（Admanano）」YA050C（阿德瑪科技（Admatechs）（股份）製造）。二氧化矽微粒子T32的平均粒徑為50 nm。二氧化矽微粒子T32的折射率為1.46。二氧化矽微粒子T33為「阿德瑪娜瑙（Admanano）」YA100C（阿德瑪科技（Admatechs）（股份）製造）。二氧化矽微粒子T33的平均粒徑為100 nm。二氧化矽微粒子T33的折射率為1.46。二氧化矽微粒子T34為「阿德瑪法音（Admafine）」SO-E1（阿德瑪科技（Admatechs）（股份）製造）。二氧化矽微粒子T34的平均粒徑為250 nm。二氧化矽微粒子T34的折射率為1.46。二氧化矽微粒子T35為HPS-1000（東亞合成（股份）製造）。二氧化矽微粒子T35的平均粒徑為1000 nm。二氧化矽微粒子T35的折射率為1.46。二氧化矽微粒子T36為「阿德瑪法音（Admafine）」SO-E5（阿德瑪科技（Admatechs）（股份）製造）。二氧化矽微粒子T36的平均粒徑為1500 nm。二氧化矽微粒子T36的折射率為1.46。
＜氧化鋁微粒子＞ 氧化鋁微粒子為艾羅西德（Aeroxide）AluC（日本艾羅西爾（股份）製造）。該氧化鋁微粒子的平均粒徑為12 nm。該氧化鋁微粒子的折射率為1.77。
＜氧化鈦微粒子＞ 氧化鈦微粒子為MT-01（帝化（Tayca）股份有限公司製造）。該氧化鈦微粒子的平均粒徑為10 nm。該氧化鈦微粒子的折射率為2.50。
＜螢光體片的製作＞ 本實施例的螢光體片的製作中，於容積300 mL的聚乙烯製容器中以規定的比率混合矽酮樹脂、矽酮微粒子、紅色螢光體、綠色螢光體。進而，添加8 wt%的作為溶媒的甲苯，使用行星式攪拌×脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」（倉敷紡績（Kurabo）製造），以1000 rpm攪拌×脫泡，從而獲得螢光體層製作用樹脂液。其後，使用狹縫模塗機，將螢光體層製作用樹脂液塗佈於PET膜上，並於130℃下乾燥30分鐘，藉此製作螢光體層，從而獲得螢光體片。
＜螢光體層的膜厚測定＞ 本實施例的螢光體層的膜厚測定中，預先利用測微計對製作螢光體層的PET膜的規定位置的厚度進行測定，並進行標記。繼而，於該PET膜上製作螢光體層，其後，再次利用測微計對標記部分的厚度進行測定。自所得的厚度減去先前測定的PET膜的厚度，藉此獲得該螢光體層的膜厚。於本實施例中，膜厚是以10 mm間隔測定棋盤格子狀25點，並將該些的平均值設為螢光體層的膜厚。
＜利用直接塗佈法的透明樹脂層的形成＞ 本實施例的利用直接塗佈法的透明樹脂層的形成中，於容積300 mL的聚乙烯製容器中以規定的比率混合矽酮樹脂或氟樹脂、微粒子。進而，添加5 wt%的作為溶媒的甲苯，其後，使用行星式攪拌×脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」（倉敷紡績（Kurabo）製造），以1000 rpm攪拌×脫泡20分鐘，從而獲得透明樹脂層製作用樹脂液。繼而，使用狹縫模塗機，將透明樹脂層製作用樹脂液塗佈於螢光體層上，並於130℃下乾燥30分鐘，藉此於該螢光體層上形成透明樹脂層。其結果，獲得於螢光體層上具備透明樹脂層的螢光體片。以下，「於螢光體層上具備透明樹脂層的螢光體片」被適當稱為「帶有透明樹脂層的螢光體片」。
＜利用透明樹脂片法的透明樹脂層的形成＞ 本實施例的利用透明樹脂片法的透明樹脂層的形成中，使用狹縫模塗機，將透明樹脂層製作用樹脂液塗佈於PET膜上，並於130℃下乾燥30分鐘，藉此獲得透明樹脂片。繼而，藉由使用日光材料（Nikko-Materials）股份有限公司製造的真空層壓機V130對螢光體片的螢光體層與透明樹脂片的透明樹脂層於1 hPa的真空環境下於100℃進行30秒加熱壓接而加以貼合。其後，剝離透明樹脂片側的PET膜，藉此，於該螢光體層上形成透明樹脂層。其結果，獲得帶有透明樹脂層的螢光體片。
＜透明樹脂層的膜厚測定＞ 本實施例的透明樹脂層的膜厚測定中，預先利用測微計對製作透明樹脂層的螢光體片的規定位置的厚度進行測定，並進行標記。繼而，於該螢光體片上形成透明樹脂層，其後，再次利用測微計對標記部分的厚度進行測定。自所得的厚度減去先前測定的厚度，藉此獲得該透明樹脂層的膜厚。於本實施例中，膜厚是以10 mm間隔測定棋盤格子狀25點。根據該測定結果來計算各個樣本的平均值及膜厚偏差（=最大膜厚-最小膜厚）。
＜孔隙率測定＞ 本實施例的孔隙率測定中，藉由聚焦離子束（FIB）加工法來切斷螢光體片，並藉由SEM對螢光體層的剖面進行觀察。針對每一個螢光體片觀察20個部位的剖面，並計算與所得的20枚二維圖像的孔隙相當的剖面積的合計。藉由利用該些20枚二維圖像的剖面積的合計除與該孔隙相當的剖面積的合計，從而獲得該螢光體層的孔隙率。
＜發光體的製造方法＞ 本實施例的發光體的製造方法中，藉由切分裝置（UHT公司製造的GCUT）對以所述方式所製作的螢光體片或帶有透明樹脂層的螢光體片（1 cm見方）進行切分，藉此，製作100個1 mm見方的單片。於本實施例中，單片是將螢光體片或帶有透明樹脂層的螢光體片加以單片化而成者。繼而，使用晶粒接合裝置（東麗工程（Toray Engineering）製造），利用筒夾對1 mm見方的單片（螢光體層等）進行真空吸附而自基材膜剝離。將該單片的螢光體層對位貼合於安裝有倒裝晶片型的藍色LED晶片且於該藍色LED晶片的周圍形成有反射器的LED封裝體的藍色LED晶片表面。此時，於該藍色LED晶片上預先塗佈接著劑，並經由該接著劑貼附螢光體層。該接著劑中使用矽酮樹脂T15。以所述方式製作具備螢光體片或帶有透明樹脂層的螢光體片的發光體。
＜色度、總光通量測定＞ 本實施例的色度及總光通量的測定中，對以所述方式所製作的發光體投入1 W的電力而使該發光體的LED晶片點燈，使用總光通量測定系統（HM-3000、大塚電子公司製造）對國際照明委員會（International Commission on Illumination，CIE）1931 XYZ表色系統的色度（Cx、Cy）及總光通量（lm）進行測定。本實施例中，針對各螢光體片，分別製作10個發光體（具備LED晶片者），並求出該些10個發光體的色度的平均值與作為色度偏差的指標的色度Cx的標准偏差（σ）。
＜總光通量保持率測定＞ 本實施例的總光通量保持率的測定中，對將各螢光體片搭載於藍色LED晶片的發光體投入1 W的電力而使該藍色LED晶片點燈，將該點燈狀態的發光體（藍色LED晶片）於溫度85℃、濕度85%的條件下放置，並測定經過300小時後的總光通量。藉由基於下述式計算總光通量保持率來評價發光體及該螢光體片的耐久性。總光通量保持率越高，則表示耐久性越優異。   總光通量保持率（%）=（經過300小時後的總光通量/試驗開始後不久的總光通量）×100
＜色彩再現範圍測定＞ 本實施例的色彩再現範圍的測定中，於以所述方式所製作的發光體上載置利用公知的方法所製作的使紅色光透過的彩色濾光片，並測定發光光的色度。同樣地，對於在該發光體上載置使綠色光透過的彩色濾光片的情況與在該發光體上載置使藍色光透過的彩色濾光片的情況，分別測定發光光的色度。藉由利用DCI色度區域的面積除將所得的三個色度設為頂點的三角形的面積，可計算DCI比。DCI比越高，色彩再現性越良好。
＜折射率測定＞ 本實施例的折射率的測定中，使用折射率×膜厚測定裝置「稜鏡耦合器MODEL2010/M」（麥特利空（Metricon）公司製造）來測定折射率測定樣本的折射率，藉此，測定矽酮樹脂及氟樹脂硬化物的折射率。
＜折射率測定樣本製作＞ 本實施例的折射率測定樣本的製作中，對螢光體片中所含有的樹脂使用行星式攪拌脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」（倉敷紡績（Kurabo）公司製造），以1000 rpm攪拌、脫泡10分鐘，從而製作該樹脂的分散液。將5 cc的該分散液滴加於PET膜上後，利用烘箱於150℃下加熱1小時，藉此，製作平均折射率測定樣本作為折射率測定樣本。
＜透過率測定＞ 於本實施例的透過率測定中，含有微粒子的透明樹脂層的透光率是藉由如下方式而獲得：以於分光光度計（U-4100分光光度計（Spectrophotometer）（日立製作所製造））中使用附屬的積分球的基本構成來測定透過率測定樣本的透光率。透過率測定樣本使用各實施例中所製作者。關於該透光率的測定條件，狹縫設為2 nm，掃描速度設為600 nm/min。另外，於所得的測定結果中，波長400 nm～800 nm下的透光率中的最小值設為最小透過率。
＜透過率測定樣本的製作＞ 本實施例的透過率測定樣本的製作中，將透明樹脂層中所使用的矽酮樹脂及微粒子混合於容積300 mL的聚苯乙烯製容器中，使用行星式攪拌脫泡裝置「瑪澤魯斯特（Mazerustar）-KK-400」（倉敷紡績（Kurabo）公司製造），以1000 rpm攪拌、脫泡10分鐘，從而製作分散液。藉由刮板塗佈機將該分散液塗佈於石英玻璃上後，利用烘箱於150℃下加熱1小時。以所述方式而針對各實施例製作透過率測定樣本。
＜透過率測定樣本的膜厚測定＞ 本實施例的透過率測定樣本的膜厚測定中，預先利用測微計對石英玻璃的規定位置的厚度進行測定，並標記該所測定的位置。繼而，於該石英玻璃上形成透明樹脂層的透過率測定樣本後，再次利用測微計對標記部分的厚度進行測定。自所得的厚度減去先前測定的石英玻璃的厚度，藉此獲得該透過率測定樣本的膜厚。膜厚是以10 mm間隔測定棋盤格子狀25點，並將該些的平均值設為透過率測定樣本的膜厚。
（實施例1～實施例6）-螢光體的粒徑的影響- 實施例1～實施例6中，製作具備表2所示的組成的螢光體層的螢光體片，藉由所述方法來測定孔隙率。另外，使用實施例1～實施例6的各個中所得的螢光體片來製作發光體（發光裝置），藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。該些的測定結果示於表3。參照表2、表3而得知：於使用本發明的螢光體片的情況下，實施例1～實施例6的任一者均可獲得色彩再現性優異且高光通量的發光體。另外，可知：如表1所示的紅色螢光體T2～紅色螢光體T6的D50般，若紅色螢光體的D50為10 μm以上，則總光通量進一步提高，如表1所示的紅色螢光體T3～紅色螢光體T6的D10般，若紅色螢光體的D10為5 μm以上，則總光通量保持率進一步提高。另外發現如下傾向：如表1所示的紅色螢光體T1～紅色螢光體T6的D10及D50般，紅色螢光體的D10及D50越大，螢光體片的孔隙率越小。
[表2]
[表3]
（實施例7～實施例13）-螢光體的濃度的影響- 實施例7～實施例13中，製作具備表4所示的組成的螢光體層的螢光體片，藉由所述方法來測定孔隙率。另外，使用實施例7～實施例13的各個中所得的螢光體片來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。該些的測定結果示於表5。再者，表4再次揭示實施例6的組成，表5再次揭示實施例6的結果。根據表4、表5，可知：紅色螢光體T6及綠色螢光體等螢光體的濃度越高，總光通量保持率越進一步提高。
[表4]
[表5]
（實施例14～實施例17）-矽酮微粒子的效果- 實施例14～實施例17中，製作具備表6所示的組成的螢光體層的螢光體片，藉由所述方法來測定孔隙率。另外，使用實施例14～實施例17的各個中所得的螢光體片來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。該些的測定結果示於表7。根據表6、表7，可知：藉由含有矽酮微粒子，色度偏差（σ（Cx））進一步改善。
[表6]
[表7]
（實施例18）-紅色螢光體層與綠色螢光體層的二層品- 實施例18中，以矽酮樹脂T15為50 wt%且紅色螢光體T6為50 wt%的組成來製作螢光體片。同樣地，以矽酮樹脂T15為50 wt%且綠色螢光體為50 wt%的組成來製作螢光體片。使用真空層壓機V130（日光材料（Nikko-Materials）股份有限公司製造）來貼合該些所得的兩枚螢光體片的螢光體層側，藉此，製作積層有包含紅色螢光體的螢光體層與包含綠色螢光體的層的螢光體片，藉由所述方法來測定孔隙率。另外，使用該所得的螢光體片來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。該些的測定結果示於表8。根據表8，可知：實施例18中，雖可使色彩再現性的提高與高光通量併存，但色度偏差變大。
[表8]
（實施例19～實施例25）-螢光體層的樹脂的折射率的影響- 實施例19～實施例25中，製作具備表9所示的組成的螢光體層的螢光體片。另外，實施例19～實施例25的各個中所製作的螢光體片的螢光體層的膜厚是藉由所述方法來測定。另外，對於實施例10的螢光體片，亦測定螢光體層的膜厚。進而，使用實施例19～實施例25的各個中所製作的螢光體片來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、色彩再現範圍。該些的測定結果示於表10。再者，表9再次揭示實施例10的組成，表10再次揭示實施例10的測定結果。
參照表9、表10而得知：即便螢光體層的樹脂的折射率越高，紅色螢光體T6、綠色螢光體的填充率越低，亦可獲得相同色度的發光體。另外，於該樹脂的折射率為1.56的情況下，總光通量成為極大值。認為其原因在於：藉由螢光體層的樹脂與空氣層的折射率差變大，光的輸出效率降低。
[表9]
[表10]
（實施例26～實施例36）-關於透明樹脂層的折射率的影響- 實施例26～實施例32及實施例34～實施例36中，使用狹縫模塗機將透明樹脂層製作用樹脂液塗佈於實施例6中所製作的螢光體片上，使該透明樹脂層製作用樹脂液於130℃下乾燥30分鐘，藉此製作於螢光體層上具有透明樹脂層的螢光體片。實施例33中，使用矽酮樹脂T15，藉由所述方法來製作透明樹脂片，並將螢光體層與透明樹脂層加以貼合，藉此製作於螢光體層上具有透明樹脂層的螢光體片。利用所述方法來測定實施例26～實施例36的各個中所製作的螢光體片的透明樹脂層的膜厚。另外，藉由將實施例26～實施例36的各個中所製作的帶有透明樹脂層的螢光體片的螢光體層側貼附於LED晶片上來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。實施例26～實施例36的各個中用於透明樹脂層製作用樹脂液的製作中的樹脂的種類及實施例26～實施例36的測定結果示於表11。
根據表11，可知：藉由設置透明樹脂層，總光通量保持率得到提高。另外，可知：於透明樹脂層中所含的樹脂的折射率為螢光體層中所含的樹脂的折射率以下的情況下，總光通量得到提高。
[表11]
（實施例37～實施例42）-微粒子的折射率- 實施例37～實施例42中，製作表12所示的組成的透明樹脂層製作用樹脂液。繼而，於實施例10中所製作的螢光體片上塗佈實施例37～實施例42的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液，並使該透明樹脂層製作用樹脂液於130℃下乾燥30分鐘，藉此製作於螢光體層上具有透明樹脂層的螢光體片。
實施例37～實施例42的各個中所製作的螢光體片的透明樹脂層的膜厚是藉由所述方法來測定。繼而，藉由將實施例37～實施例42的各個中所製作的帶有透明樹脂層的螢光體片的螢光體層側貼附於LED晶片上來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。另外，使用實施例37～實施例42的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液來製作厚度100 μm的透過率測定樣本，藉由所述方法來測定透明樹脂層的透光率。實施例37～實施例42的各個中的透明樹脂層的樹脂與微粒子的折射率差及該些的測定結果示於表13。
參照表12、表13而得知：獲得如下結果，即，透明樹脂層中的樹脂的折射率與微粒子的折射率的差越小，透明樹脂層的最小透過率越高，總光通量越高。另外，可知：藉由於透明樹脂層中添加微粒子，透明樹脂層的膜厚偏差得到抑制。進而，根據實施例37及實施例38的結果，可知：於使用顯示良好的熱融合性的矽酮樹脂T15的情況下，透明樹脂層的膜厚偏差變得特別大。
[表12]
[表13]
（實施例43～實施例47）-二氧化矽微粒子的添加量- 實施例43～實施例47中，製作表14所示的組成的透明樹脂層製作用樹脂液。繼而，於實施例10中所製作的螢光體片上塗佈實施例43～實施例47的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液，並使該透明樹脂層製作用樹脂液於130℃下乾燥30分鐘，藉此製作於螢光體層上具有透明樹脂層的螢光體片。
實施例43～實施例47的各個中所製作的螢光體片的透明樹脂層的膜厚是藉由所述方法來測定。繼而，藉由將實施例43～實施例47的各個中所製作的帶有透明樹脂層的螢光體片的螢光體層側貼附於LED晶片上來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。另外，使用實施例43～實施例47的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液來製作厚度100 μm的透過率測定樣本，藉由所述方法來測定透明樹脂層的透光率。實施例43～實施例47的各個中的透明樹脂層的樹脂與微粒子的折射率差及該些的測定結果示於表15。再者，表14再次揭示實施例38、實施例39的組成，表15再次揭示實施例38、實施例39的結果。
參照表14、表15，可知：就最小透過率的觀點而言，二氧化矽微粒子T31的含量較佳為30重量%以下，更佳為10重量%以下。另外，可知：就抑制透明樹脂層的膜厚偏差的觀點而言，二氧化矽微粒子T31的含量較佳為0.1重量%以上，更佳為1重量%以上。
[表14]
[表15]
（實施例48～實施例52）-氧化鋁微粒子的添加量- 實施例48～實施例52中，製作表16所示的組成的透明樹脂層製作用樹脂液。繼而，於實施例10中所製作的螢光體片上塗佈實施例48～實施例52的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液，並使該透明樹脂層製作用樹脂液於130℃下乾燥30分鐘，藉此製作於螢光體層上具有透明樹脂層的螢光體片。
實施例48～實施例52的各個中所製作的螢光體片的透明樹脂層的膜厚是藉由所述方法來測定。繼而，藉由將實施例48～實施例52的各個中所製作的帶有透明樹脂層的螢光體片的螢光體層側貼附於LED晶片上來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。另外，使用實施例48～實施例52的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液來製作厚度100 μm的透過率測定樣本，藉由所述方法來測定透明樹脂層的透光率。實施例48～實施例52的各個中的透明樹脂層的樹脂與微粒子的折射率差及該些的測定結果示於表17。再者，表16再次揭示實施例38、實施例41的組成，表17再次揭示實施例38、實施例41的結果。
參照表16、表17，可知：就最小透過率的觀點而言，氧化鋁微粒子的含量較佳為30重量%以下，更佳為10重量%以下。另外，可知：就抑制透明樹脂層的膜厚偏差的觀點而言，氧化鋁微粒子的含量較佳為0.1重量%以上，更佳為1重量%以上。
[表16]
[表17]
（實施例53～實施例57）-矽酮微粒子的添加量- 實施例53～實施例57中，製作表18所示的組成的透明樹脂層製作用樹脂液。繼而，於實施例10中所製作的螢光體片上塗佈實施例53～實施例57的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液，並使該透明樹脂層製作用樹脂液於130℃下乾燥30分鐘，藉此製作於螢光體層上具有透明樹脂層的螢光體片。
實施例53～實施例57的各個中所製作的螢光體片的透明樹脂層的膜厚是藉由所述方法來測定。繼而，藉由將實施例53～實施例57的各個中所製作的帶有透明樹脂層的螢光體片的螢光體層側貼附於LED晶片上來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。另外，使用實施例53～實施例57的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液來製作厚度100 μm的透過率測定樣本，藉由所述方法來測定透明樹脂層的透光率。實施例53～實施例57的各個中的透明樹脂層的樹脂與微粒子的折射率差及該些的測定結果示於表19。再者，表18再次揭示實施例38、實施例40的組成，表19再次揭示實施例38、實施例40的結果。
根據表18、表19，可知：即便矽酮微粒子的含量為50重量%，最小透過率亦可維持為80%以上。另外，可知：就抑制透明樹脂層的膜厚偏差的觀點而言，矽酮微粒子的含量較佳為0.1重量%以上，更佳為1重量%以上。
[表18]
[表19]
（實施例58～實施例62）-微粒子的粒徑- 實施例58～實施例62中，製作表20所示的組成的透明樹脂層製作用樹脂液。繼而，於實施例10中所製作的螢光體片上塗佈實施例58～實施例62的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液，並使該透明樹脂層製作用樹脂液於130℃下乾燥30分鐘，藉此製作於螢光體層上具有透明樹脂層的螢光體片。
實施例58～實施例62的各個中所製作的螢光體片的透明樹脂層的膜厚是藉由所述方法來測定。繼而，藉由將實施例58～實施例62的各個中所製作的帶有透明樹脂層的螢光體片的螢光體層側貼附於LED晶片上來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。另外，使用實施例58～實施例62的各個中所製作的透明樹脂層製作用樹脂液來製作厚度100 μm的透過率測定樣本，藉由所述方法來測定透明樹脂層的透光率。實施例58～實施例62的各個中的透明樹脂層的樹脂與微粒子的折射率差及該些的測定結果示於表21。再者，表20再次揭示實施例38、實施例39的組成，表21再次揭示實施例38、實施例39的結果。根據表20、表21，可知：微粒子的粒徑越小，最小透過率越高，透明樹脂層的膜厚偏差亦越得到抑制。
[表20]
[表21]
（比較例） 相對於實施例1～實施例62的比較例中，以矽酮樹脂T15為40 wt%且黃色螢光體（YAG系黃色螢光體）為60 wt%的組成來製作螢光體片，藉由所述方法來測定孔隙率。另外，使用所得的螢光體片來製作發光體，藉由所述方法來測定色度、總光通量、總光通量保持率、色彩再現範圍。該些的測定結果示於表22。根據表22，可知：於使用YAG系黃色螢光體的情況下，色彩再現範圍為70%，且液晶顯示器用背光為不適合者。
[表22] [產業上之可利用性]
如以上所述般，本發明的螢光體片、使用其的發光體、光源單元、顯示器及發光體的製造方法適用於使色彩再現性的提高與高光通量併存的螢光體片、使用其的發光體、光源單元、顯示器及發光體的製造方法。
1‧‧‧螢光體
2‧‧‧螢光體層
3‧‧‧支撐體
4‧‧‧螢光體片
5‧‧‧透明樹脂層
6‧‧‧刀具
7‧‧‧單片化螢光體層
8‧‧‧筒夾
9‧‧‧LED晶片
10‧‧‧反射器
11‧‧‧基板
12‧‧‧透明密封材
13‧‧‧發光體
14‧‧‧樹脂
圖1A是表示本發明的實施形態的螢光體片的一例的側視圖。 圖1B是表示本發明的實施形態的螢光體片的另一例的側視圖。 圖2是表示使用本發明的實施形態的螢光體片的發光體的製造方法的一例的步驟圖。
無

Claims (24)

  1. 一種螢光體片，其特徵在於： 具備包含紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物螢光體及樹脂的螢光體層， 所述紅色螢光體為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物， （通式）   A2 MF6 ：Mn              ¼（1）   於通式（1）中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的群組、且包含Na及K的至少一者的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的群組中的一種以上的四價元素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的螢光體片，其中， 所述螢光體層包括包含所述紅色螢光體、所述β型矽鋁氮氧化物螢光體及所述樹脂的單層或多層， 所述紅色螢光體、所述β型矽鋁氮氧化物螢光體及所述樹脂含有於同一層。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述樹脂的折射率為1.45以上、1.7以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述樹脂為矽酮樹脂。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述紅色螢光體於所述螢光體層的總固體成分中所佔的比例為20重量%以上、60重量%以下。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述紅色螢光體於所述螢光體層的總固體成分中所佔的比例與所述β型矽鋁氮氧化物螢光體於所述螢光體層的總固體成分中所佔的比例的合計為50重量%以上、90重量%以下。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述紅色螢光體的D50為10 μm以上、40 μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述紅色螢光體的D10為3 μm以上。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述紅色螢光體的（D90-D10）/D50為0.5以上、1.5以下。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述螢光體層中的孔隙率為0.1%以上、3%以下。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，所述螢光體層含有微粒子。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的螢光體片，其中，所述微粒子為矽酮微粒子。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的螢光體片，其中，於所述螢光體層上進而積層透明樹脂層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的螢光體片，其中，所述透明樹脂層中所含的樹脂的折射率為1.3以上、1.6以下。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的螢光體片，其中，所述透明樹脂層中所含的樹脂的折射率為所述螢光體層中所含的樹脂的折射率以下。
  16. 如申請專利範圍第13項所述的螢光體片，其中，所述透明樹脂層含有微粒子。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的螢光體片，其中，所述透明樹脂層中所含的微粒子為選自二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、矽酮微粒子中的一種以上。
  18. 如申請專利範圍第13項所述的螢光體片，其中，所述透明樹脂層於波長400 nm～800 nm下的最小透過率為80%以上。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的螢光體片，其中，微粒子於所述透明樹脂層的總固體成分中所佔的比率為0.1重量%以上、30重量%以下。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的螢光體片，其中，所述透明樹脂層中所含的微粒子的平均粒子徑為1 nm以上、1000 nm以下。
  21. 一種發光體的製造方法，其特徵在於包括： 單片化步驟，將具備螢光體層的螢光體片加以單片化，所述螢光體層包含作為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物的紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物螢光體及樹脂； 拾取步驟，拾取經單片化的所述螢光體片；以及 貼附步驟，將經單片化的所述螢光體片貼附於光源， （通式）   A2 MF6 ：Mn              ¼（1）   於通式（1）中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的群組、且包含Na及K的至少一者的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的群組中的一種以上的四價元素。
  22. 一種發光體，其特徵在於： 具備具有螢光體層的螢光體片，所述螢光體層包含作為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物的紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物螢光體及樹脂， （通式）   A2 MF6 ：Mn              ¼（1）   於通式（1）中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的群組、且包含Na及K的至少一者的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的群組中的一種以上的四價元素。
  23. 一種光源單元，其特徵在於： 具備具有螢光體層的螢光體片，所述螢光體層包含作為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物的紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物螢光體及樹脂， （通式）   A2 MF6 ：Mn              ¼（1）   於通式（1）中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的群組、且包含Na及K的至少一者的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的群組中的一種以上的四價元素。
  24. 一種顯示器，其特徵在於： 包括具備螢光體片的光源單元，所述螢光體片具有包含作為通式（1）所表示的Mn活化複合氟化物的紅色螢光體、β型矽鋁氮氧化物螢光體及樹脂的螢光體層， （通式）   A2 MF6 ：Mn              ¼（1）   於通式（1）中，A為選自由Li、Na、K、Rb及Cs所組成的群組、且包含Na及K的至少一者的一種以上的鹼金屬，M為選自由Si、Ti、Zr、Hf、Ge及Sn所組成的群組中的一種以上的四價元素。
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