JP5287935B2 - 蛍光体含有シート、それを用いたled発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(A)平均単位式:
(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c
(式中、R1はフェニル基、炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基、または炭素原子数2〜6のアルケニル基であり、ただし、R1の65〜75モル%はフェニルであり、R1の10〜20モル%はアルケニル基であり、R2は水素原子または炭素原子数1〜6のアルキル基であり、a、b、およびcは、0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1、かつa+b=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一般式:
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(式中、R3はフェニル基、炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基、または炭素原子数2〜6のアルケニル基であり、ただし、R3の40〜70モル%はフェニルであり、R3の少なくとも1個はアルケニル基であり、mは5〜50の整数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン{(A)成分100重量部に対して5〜15重量部}
(C)一般式:
(HR4 2SiO)2SiR4 2
(式中、R4はフェニル基、または炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、ただし、R4の30〜70モル%はフェニルである。)
で表されるオルガノトリシロキサン{(A)成分中と(B)成分中のアルケニル基の合計に対する本成分中のケイ素原子結合水素原子のモル比が0.5〜2となる量}、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒{(A)成分と(B)成分中のアルケニル基と(C)成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するに十分な量}
(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c
(式中、R1はフェニル基、炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基、または炭素原子数2〜6のアルケニル基であり、ただし、R1の65〜75モル%はフェニルであり、R1の10〜20モル%はアルケニル基であり、R2は水素原子または炭素原子数1〜6のアルキル基であり、a、b、およびcは、0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1、かつa+b=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一般式:
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(式中、R3はフェニル基、炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基、または炭素原子数2〜6のアルケニル基であり、ただし、R3の40〜70モル%はフェニルであり、R3の少なくとも1個はアルケニル基であり、mは5〜50の整数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン{(A)成分100重量部に対して5〜15重量部}
(C)一般式:
(HR4 2SiO)2SiR4 2
(式中、R4はフェニル基、または炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、ただし、R4の30〜70モル%はフェニルである。)
で表されるオルガノトリシロキサン{(A)成分中と(B)成分中のアルケニル基の合計に対する本成分中のケイ素原子結合水素原子のモル比が0.5〜2となる量}、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒{(A)成分と(B)成分中のアルケニル基と(C)成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するに十分な量}
*最大膜厚ズレ値は最大値あるいは最小値で平均膜厚との差が最も大きいものを選択する。
シリコーン樹脂を配合するための成分
樹脂主成分 (MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45(HO1/2)0.03 (平均組成、(A)成分に該当する。)
硬度調整剤 ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiMe2Vi (平均組成、(B)成分に該当する。)
架橋剤 (HMe2SiO)2SiPh2 ((C)成分に該当する。)
※ただしMe:メチル基、Vi:ビニル基、Ph:フェニル基
反応抑制剤 1−エチニルヘキサノール
白金触媒 白金(1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン)錯体 1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン溶液
白金含有量5重量%
実施例に用いたシリコーン樹脂1および2は、上記のシリコーン樹脂を配合するための成分を配合して本明細書における「本組成物」に該当するように作製し、シリコーン樹脂3及び4は市販品を利用した。
・シリコーン樹脂1
樹脂主成分75重量部、硬度調整剤10重量部、架橋剤25重量部、
反応抑制剤0.025重量部、白金触媒0.01重量部
・シリコーン樹脂2
樹脂主成分75重量部、硬度調整剤10重量部、架橋剤25重量部、
反応抑制剤0.05重量部、白金触媒0.01重量部
・シリコーン樹脂3
X−32−2528(信越化学工業)
・シリコーン樹脂4
KER6075(信越化学工業)。
測定装置 :粘弾性測定装置ARES−G2(TAインスツルメンツ製)
ジオメトリー:平行円板型(15mm)
ひずみ :1%
角周波数 :1Hz
温度範囲 :25℃〜140℃
昇温速度 :5℃/分
測定雰囲気 :大気中。
シリコーン樹脂1〜4それぞれを30重量部、蛍光体“NYAG−02”(Intematix社製:CeドープのYAG系蛍光体、比重:4.8g/cm3、D50:7μm)を70重量部で混合した蛍光体シート用樹脂液を、“セラピール”BLK(東レフィルム加工株式会社製)を基材として、スリットダイコーターで塗布して厚さ100μmの膜を成膜した。この作業をシリコーン樹脂1〜4のそれぞれについて行った。成膜温度はシリコーン1,2,4は120℃で1時間。シリコーン3は、半硬化状態で使用するシリコーン接着剤であるので120℃で10分加熱した。
基材に積層した蛍光体シートを、LED素子に100℃で貼り付けて所定の時間圧着後に、室温に戻し、基材を剥がしたとき、蛍光体シートが全てLED素子に接着して基材上に残らない最小の時間を接着可能時間とした。加熱圧着時間が1分以内で蛍光体シートが全てLED素子に接着して基材上に残らないものを接着性良好とし、1分以上加熱圧着してもLED素子上に接着しないかあるいは部分的に接着しても一部が基材上に残るような場合は、接着性不良とした。
容積300mlのポリエチレン製容器を用いて、シリコーン樹脂1を30重量%、蛍光体として“NYAG−02”(Intematix社製:CeドープのYAG系蛍光体、比重:4.8g/cm3、D50:7μm)を70重量%の比率で混合した。
シリコーン樹脂1の代わりにシリコーン樹脂2を用いて実施例1と同様にして蛍光体シートを得た。実施例1と同様にして蛍光体シートに直径200μmの孔を打ち抜き、1mm角に個片化した。孔開け加工性、切断加工性はいずれも実施例1と同様に良好であった。実施例1と同様にして1mm角にカットした蛍光体シートをLED素子へ貼り付けたところ、接着可能時間は5秒であった。また、実施例1と同様にしてLED点灯試験および蛍光体シート膜厚の評価を行い、結果を表2に示した。
シリコーン樹脂1の代わりにシリコーン樹脂2を用いて実施例1と同様にして蛍光体シートを得た。実施例1と同様にして蛍光体シートに直径200μmの孔を打ち抜いたところ、孔開け加工性は良好であった。次に、蛍光体シートをカッティング装置(UHT社製GCUT)により1mm角に個片化した。このときに、蛍光体シートは完全に個片化しながら、基材はハーフカットとし、連続したままの状態に加工した。蛍光体シートの切断面はバリや欠けが無い良好な形状であり、切断箇所の再付着なども発生しなかった。
シリコーン樹脂1を用いて実施例1と同様にして蛍光体シートを得た。実施例1と同様にして蛍光体シートに直径200μmの孔を打ち抜いたところ、孔開け加工性は良好であった。 100mm角の蛍光体シートを、個片にダイシングしていない青色LED素子4インチウェハ表面に蛍光体シート面が接触するように配置した。蛍光体シートの孔とLEDチップの表面電極を位置合わせして、基材側から100℃の加熱プレートで圧着したところ、接着可能時間は10秒であった。10秒間圧着させた試料を室温に戻した後、基材を剥がしたところ、蛍光体シートは青色LED上に完全に接着し、基材には蛍光体シートが全く残ること無くきれいに剥がすことができ、接着性は良好であった。
シリコーン樹脂1の代わりにシリコーン樹脂3を用いて、シート作成用蛍光体含有シリコーン樹脂を作製し、基材として“セラピール”BLK(東レフィルム加工株式会社製)上に塗布し、120℃で10分加熱、乾燥して膜厚90μm、100mm角の蛍光体シートを得た。実施例1と同様にして蛍光体シートに直径200μmの孔を打ち抜いたところ、シリコーン樹脂2の室温での弾性率が低すぎて粘着性を有するために金型に付着し、これにより加工後の孔の直径平均値は設計に対して大幅に小さくなった。実施例1と同様にして蛍光体シートを個片化したが、約半数が再付着して切り離すことができなかった。
シリコーン樹脂1の代わりにシリコーン樹脂4を用いて実施例1と同様に蛍光体シートを得た。実施例1と同様にして蛍光体シートに直径200μmの孔を打ち抜き、1mm角に個片化した。孔開け加工性、切断加工性は、実施例1と同様に良好な結果であった。1mm角にカットした蛍光体シートを、青色LEDチップが実装された基板のチップ表面に蛍光体シート面が接触するように配置し、ダイボンディング装置(東レエンジニアリング製)を用いて、蛍光体シートの孔とLEDチップの表面電極を位置合わせして、ベースフィルム側から100℃の加熱ヘッドで1分圧着させた。室温に戻した後、ベースフィルムを剥がしたところ、蛍光体シートは青色LEDとの接着が不完全で、ベースフィルムと共にLED素子上から剥がれてしまい、LED素子としての評価は不可能であった。
シリコーン樹脂1の代わりにシリコーン樹脂4を用いて実施例1と同様に蛍光体シートを得た。その上に蛍光体を含まないシリコーン樹脂3をスリットダイコーターで塗布し、120℃で10分加熱、乾燥し、膜厚90μmの蛍光体シートの上に、膜厚10μmの接着層を形成した積層型の蛍光体シートを得た。
容積300mlのポリエチレン製容器を用いて、シリコーン樹脂1を90重量%、蛍光体として“NYAG−02”(Intematix社製:CeドープのYAG系蛍光体、比重:4.8g/cm3、D50:7μm)を10重量%の比率で混合した。
2 基材
3 仮固定シート
4 LED素子
5 実装基板
6 加熱圧着ツール
7 LED素子を表面に形成したウェハ
Claims (11)
- 25℃での貯蔵弾性率が0.1MPa以上であり、100℃での貯蔵弾性率が0.1MPa未満である蛍光体含有シートであって、蛍光体含有シートの樹脂が少なくとも下記の(A)〜(D)の組成を含む架橋性シリコーン組成物をヒドロシリル化反応してなる架橋物であることを特徴とする蛍光体含有シート。
(A)平均単位式:
(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c
(式中、R 1 はフェニル基、炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基、または炭素原子数2〜6のアルケニル基であり、ただし、R1の65〜75モル%はフェニルであり、R1の10〜20モル%はアルケニル基であり、R2は水素原子または炭素原子数1〜6のアルキル基であり、a、b、およびcは、0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1、かつa+b=1を満たす数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン、
(B)一般式:
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(式中、R3はフェニル基、炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基、または炭素原子数2〜6のアルケニル基であり、ただし、R3の40〜70モル%はフェニルであり、R3の少なくとも1個はアルケニル基であり、mは5〜50の整数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン{(A)成分100重量部に対して5〜15重量部}
(C)一般式:
(HR4 2SiO)2SiR4 2
(式中、R4はフェニル基、または炭素原子数1〜6のアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、ただし、R4の30〜70モル%はフェニルである。)
で表されるオルガノトリシロキサン{(A)成分中と(B)成分中のアルケニル基の合計に対する本成分中のケイ素原子結合水素原子のモル比が0.5〜2となる量}、および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒{(A)成分と(B)成分中のアルケニル基と(C)成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するに十分な量} - 蛍光体含有率が53重量%以上である請求項1記載の蛍光体含有シート。
- LED素子の波長変換層として用いられる請求項1または2記載の蛍光体含有シート。
- 貫通孔が形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の蛍光体含有シート。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の蛍光体含有シートを、LED素子を表面に形成した半導体ウェハに積層した積層体。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の蛍光体含有シートを用いて得られる発光装置であって、LED素子上に、膜厚10〜1000μmであって、中心における膜厚と、中心から発光面端部の任意の点に引いた線分の中点での膜厚の差が、前記中心における膜厚±5%以内である蛍光体含有層が設けられた発光装置。
- 少なくとも、LED素子の発光面に、請求項1〜4のいずれかに記載の蛍光体含有シートを、加熱して貼り付ける工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
- 貼り付ける温度が60℃以上250℃以下であることを特徴とする請求項7に記載の発光装置の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の蛍光体含有シートを個片に切断する工程、および該個片に切断された蛍光体含有シートを加熱してLED素子に貼り付ける工程を含む請求項7または8記載の発光装置の製造方法。
- 複数のLED素子に、請求項1〜4のいずれかに記載の蛍光体含有シートを、加熱して一括して貼り付ける工程、および蛍光体含有シートとLED素子を一括ダイシングする工程を含む請求項7または8記載の発光装置の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の蛍光体含有シートをLED素子に貼り付ける前に、蛍光体含有シートに孔開け加工を施すことを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
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| CN201280003242.5A CN103154146B (zh) | 2011-06-16 | 2012-05-14 | 含荧光体片材、使用其的led发光装置及其制造方法 |
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