CN103154146A - 含荧光体片材、使用其的led发光装置及其制造方法 - Google Patents

含荧光体片材、使用其的led发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103154146A
CN103154146A CN2012800032425A CN201280003242A CN103154146A CN 103154146 A CN103154146 A CN 103154146A CN 2012800032425 A CN2012800032425 A CN 2012800032425A CN 201280003242 A CN201280003242 A CN 201280003242A CN 103154146 A CN103154146 A CN 103154146A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluor
sheet material
composition
led element
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012800032425A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103154146B (zh
Inventor
松村宣夫
井上武治郎
定国广宣
石田丰
川本一成
吉冈正裕
后藤哲哉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of CN103154146A publication Critical patent/CN103154146A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103154146B publication Critical patent/CN103154146B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/90—Methods of manufacture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • C08K5/5419—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond containing at least one Si—C bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/04—Polysiloxanes
    • C08J2383/07—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K2003/026—Phosphorus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供一种含荧光体片材，其在25℃下的储能模量为0.1MPa以上、100℃下的储能模量小于0.1MPa，其特征在于，含荧光体片材的树脂主成分是对含有特定组成的交联性有机硅组合物进行氢化硅烷化反应而得到的交联物，通过使用该含荧光体片材，提供一种形状加工性良好且具有高粘接力的荧光体片材作为贴合在LED芯片上作为波长转换层的荧光体片材。

Description

含荧光体片材、使用其的LED发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于转换LED芯片的发光波长的片材状的荧光材料。
背景技术
就发光二极管(LED，Light Emitting Diode)而言，在其发光效率显著提高的背景下，以低电力消耗、高寿命、外观设计性等为特长，不仅在用于液晶显示器(LCD)的背光源、或车辆的头灯等车载领域，而且在普通照明领域，其市场也正在急剧扩大。
LED的发光光谱依赖于形成LED芯片的半导体材料，因而其发光颜色受到限制。因此，为了使用LED得到用于LCD背光源、普通照明的白色光，而需要在LED芯片上配置适合于各芯片的荧光体，来转换发光波长。具体而言，提出了在发蓝色光的LED芯片上设置黄色荧光体的方法、在发蓝色光的LED芯片上设置红及绿的荧光体的方法、在发出紫外线的LED芯片上设置红、绿、蓝的荧光体的方法等。其中，从LED芯片的发光效率、成本方面考虑，目前最广泛采用在蓝色LED上设置黄色荧光体的方法、及在蓝色LED上设置红及绿的荧光体的方法。
作为在LED芯片上设置荧光体的具体方法之一，提出了在LED芯片上贴合含有荧光体的片材(以下称为荧光体片材)的方法(专利文献1～3)。该方法与一直以来进行实用化的将分散有荧光体的液态树脂分配(dispense)到LED芯片上将其固化的方法相比，从如下方面考虑是优异的：容易将一定量的荧光体配置到LED芯片上，且可以使最终得到的白色LED的颜色、亮度均匀。
专利文献1：日本特开2009-235368号公报
专利文献2：日本特开2010-123802号公报
专利文献3：专利2011-102004号公报
发明内容
就将荧光体片材贴合在LED芯片上的方法而言，如前所述，与使用液态荧光体树脂的方法相比，颜色、亮度稳定化，因而该方法是优异的方法，但该方法存在加工困难这样的问题。存在为了将荧光体片材单个片材化为LED芯片的尺寸的切断加工烦杂的担忧，另外，需要预先在与LED芯片上的电极部等相当的部分实施开孔加工等。因此，开发加工性优异的荧光体片材材料变得重要。
另一方面，必须赋予荧光体片材以用于贴合在LED芯片上的粘着性或粘接性。例如，在专利文献1中公开了对将荧光体分散在未固化的有机硅树脂(silicone resin)中而得到的片材材料进行成型，在贴合后使其热固化从而得到牢固的粘接的方法。但是，这里公开的方法中，在将荧光体片材中含有的树脂主成分形成为固化后的有机硅树脂后，难以获得粘接性，因此，贴合前的荧光体片材是未固化状态，是半固体状或柔软的固体状，高精度地进行切断、开孔加工非常困难。
另外，在专利文献2中，为了确保粘接性，而形成为含有荧光体的层、和不含荧光体的粘接层的2层结构，规定了固化前和固化后的分别的高温(150℃)弹性模量。通过形成为2层结构，功能分离了高浓度含有荧光体的层、和不含荧光体的粘接层，规定了各自的高温时的弹性模量，因此贴合性优异，但是，没有确定常温下的物性，没有考虑贴合前的开孔、切断这样的机械加工性。
进而，专利文献3中，公开了层合无机的荧光体板和粘接层而得到的复合片材，虽然公开了可通过切割而切断无机的荧光体板，但粘接层是有机硅(silicone)类弹性体，在室温下的机械加工性不明。
这样，尚未获得贴合前的加工性优异、且贴合时的粘接性也优异的荧光体片材。本发明的目的在于提供同时实现上述特性的荧光体片材。
本发明是一种含荧光体片材，其在25℃下的储能模量为0.1MPa以上、100℃下的储能模量小于0.1MPa，其特征在于，含荧光体片材的树脂主成分是对至少含有下述组成成分(A)～(D)的交联性有机硅(silicone)组合物进行氢化硅烷化反应而得到的交联物，所述组成成分(A)～(D)如下：
(A)平均单位式(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c表示的有机多分子硅醚(organopolysiloxane)，
(式中，R1为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基、或碳原子数2～6的链烯基，其中R1的65～75摩尔％为苯基，R1的10～20摩尔％为链烯基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，a、b、及c为满足0.5≤a≤0.6、0.4≤b≤0.5、0≤c≤0.1、且a+b＝1的数。)
(B)通式R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3表示的有机多分子硅醚，
(式中，R3为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基、或碳原子数2～6的链烯基，其中R3的40～70摩尔％为苯基，R3的至少1个为链烯基，m为5～50的整数。)
{相对于(A)成分100重量份为5～15重量份}
(C)通式(HR4 2SiO)2SiR4 2表示的有机三硅氧烷(organotrisiloxane)，
(式中，R4为苯基、或碳原子数1～6的烷基或环烷基，其中R4的30～70摩尔％为苯基。)
{本成分的含量为使得本成分中的键合于硅原子的氢原子相对于(A)成分中和(B)成分中的链烯基的总量的摩尔比为0.5～2的量}
及(D)氢化硅烷化反应用催化剂{本成分的量为促进(A)成分和(B)成分中的链烯基与(C)成分中的键合于硅原子的氢原子之间的氢化硅烷化反应所需的足够的量}
根据本发明，含有荧光体的树脂层在室温附近具有高的储能模量，因此，切断、开孔等机械加工性优异。另外，在高温下具有低的储能模量，因此，通过在高温下进行对LED元件的贴合而具有优异的粘接性。
附图说明
[图1]利用本发明的树脂层合片材进行的LED发光装置制造工序的第1例。
[图2]利用本发明的树脂层合片材进行的LED发光装置制造工序的第2例。
[图3]利用本发明的树脂层合片材进行的LED发光装置制造工序的第3例。
具体实施方式
本发明的含荧光体片材(以下，有时也简称为“荧光体片材”)从透明性方面考虑主要优选使用有机硅树脂、环氧树脂。进一步从耐热性方面考虑，特别优选使用有机硅树脂。
作为本发明中使用的有机硅树脂，优选固化型有机硅橡胶(silicone rubber)。可以使用一液型、二液型(三液型)中任一种液体构成。作为借助空气中的水分或催化剂而发生缩合反应的类型，固化型有机硅橡胶有脱醇型、脱肟型、脱乙酸型、脱羟胺型等，但优选借助催化剂而发生氢化硅烷化反应的类型的加成反应型。尤其是，从没有伴随固化反应的副产物，固化收缩小，容易通过加热来加快固化方面考虑，更优选加成反应型的有机硅橡胶。
加成反应型的有机硅橡胶例如利用含有键合于硅原子的链烯基的化合物、与具有键合于硅原子的氢原子的化合物的氢化硅烷化反应而形成。本发明中，通过使用有机硅树脂而可得到后述的特性，所述有机硅树脂为对含有下述组成成分(A)～(D)的交联性有机硅组合物(以下，称为“本组合物”)进行氢化硅烷化反应而得到的交联物。
优选使用至少含有如下组成成分的交联性有机硅组合物：
(A)平均单位式(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c表示的有机多分子硅醚
(式中，R1为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基、或碳原子数2～6的链烯基，其中R1的65～75摩尔％为苯基，R1的10～20摩尔％为链烯基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，a、b、及c为满足0.5≤a≤0.6、0.4≤b≤0.5、0≤c≤0.1、且a+b＝1的数。)
(B)通式R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3表示的有机多分子硅醚
(式中，R3为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基、或碳原子数2～6的链烯基，其中R3的40～70摩尔％为苯基，R3的至少1个为链烯基，m为5～50的整数。)
{相对于(A)成分100重量份为5～15重量份}
(C)通式(HR4 2SiO)2SiR4 2表示的有机三硅氧烷
(式中，R4为苯基、或碳原子数1～6的烷基或环烷基，其中R4的30～70摩尔％为苯基。)
{本成分的量为使得本成分中的键合于硅原子的氢原子相对于(A)成分中和(B)成分中的链烯基的总量的摩尔比为0.5～2的量}
及(D)氢化硅烷化反应用催化剂{本成分的量为促进(A)成分和(B)成分中的链烯基与(C)成分中的键合于硅原子的氢原子之间的氢化硅烷化反应所需的足够的量}
对于实施本发明有用的有机硅树脂为上述组成的有机硅树脂。(A)成分的通式中，a、b、及c的值被规定为可得到如下特性的范围：得到的交联物在室温下可得到充分的硬度，且高温下的软化足以实施本发明。(B)成分的通式中，苯基的含量小于上述范围的下限时，得到的交联物在高温下的软化不充分，另一方面，超过上述范围的上限时，得到的交联物失去透明性，其机械强度也降低。另外，式中，R3的至少1个为链烯基。这是因为：其不具有链烯基时，本成分不参加交联反应，有本成分从得到的交联物渗出(bleed out)的担忧。另外，式中，m为5～50的范围内的整数，上述范围是在维持所得的交联物的机械强度的同时保持处理操作性的范围。
本组合物中，(B)成分的含量在相对于(A)成分100重量份为5～15重量份的范围内。上述范围是为了获得所得的交联物在高温下充分软化的范围。
(C)成分的通式中，式中，R4为苯基、或碳原子数1～6的烷基或环烷基。作为R4的烷基，可举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、庚基。作为R4的环烷基，可举出环戊基、环庚基。需要说明的是，R4中，苯基的含量在30～70摩尔％的范围内。上述范围是能够获得所得的交联物在高温下充分软化、且保持透明性和机械强度的范围。
本组合物中，(C)成分的含量为使得本成分中的键合于硅原子的氢原子相对于(A)成分中及(B)成分中的链烯基的总量的摩尔比在0.5～2的范围内的量。上述范围是得到的交联物在室温下可得到充分的硬度的范围。
(D)成分是用于促进(A)成分及(B)成分中的链烯基与(C)成分中的键合于硅原子的氢原子之间的氢化硅烷化反应的氢化硅烷化反应用催化剂。作为(D)成分，可举出铂类催化剂、铑类催化剂、钯类催化剂，由于本组合物的固化可显著进行，所以优选铂类催化剂。作为该铂类催化剂，可举出铂微粉末、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂-链烯基硅氧烷络合物、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物，特别优选为铂-链烯基硅氧烷络合物。作为该链烯基硅氧烷，可举出1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷、上述链烯基硅氧烷的一部分甲基被乙基、苯基等取代的链烯基硅氧烷、上述链烯基硅氧烷的乙烯基被烯丙基、己烯基等取代的链烯基硅氧烷。尤其是，由于上述铂-链烯基硅氧烷络合物的稳定性良好，因而优选1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷。另外，由于可提高上述铂-链烯基硅氧烷络合物的稳定性，因而优选向该络合物中添加1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二烯丙基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二乙烯基-1，3-二甲基-1，3-二苯基二硅氧烷、1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四苯基二硅氧烷、1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷等链烯基硅氧烷或二甲基硅氧烷低聚物等有机硅氧烷低聚物，特别优选添加链烯基硅氧烷。
本组合物中，(D)成分的含量为促进(A)成分及(B)成分中的链烯基与(C)成分中的键合于硅原子的氢原子之间的氢化硅烷化反应所需的足够的量即可，没有特别限制，理想的是，相对于本组合物，优选本成分中的金属原子按质量单位计在0.01～500ppm的范围内，进一步优选在0.01～100ppm的范围内，特别优选在0.01～50ppm的范围内。上述范围是得到的组合物充分交联、且不发生着色等问题的范围。
本组合物至少含有上述的(A)成分～(D)成分，但也可含有乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇等炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3，5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷、1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四己烯基环四硅氧烷、苯并三唑等反应抑制剂作为其他的任意成分。对该反应抑制剂的含量没有限定，但相对于本组合物的重量，优选在1～5,000ppm的范围内。还可以通过调整反应抑制剂的含量，来调整得到的有机硅树脂的储能模量。
另外，还可以向本发明的含荧光体片材中添加作为添加剂的用于涂布膜稳定化的分散剂或均化剂(levelling agent)、作为片材表面的改性剂的硅烷偶联剂等粘接助剂等。另外，还可以向本发明的含荧光体片材中添加作为荧光体沉降抑制剂的氧化铝微粒、二氧化硅微粒、有机硅(silicone)微粒等。
本发明中必须使上述在树脂中分散荧光体的荧光体片材的储能模量为在25℃下为0.1MPa以上、在100℃下小于0.1MPa。优选在25℃下为0.3MPa以上，更优选为0.5MPa以上，进一步优选为0.7MPa以上，特别优选为1.0MPa以上。另外，优选在100℃下小于0.07MPa、更优选小于0.05MPa，进一步优选小于0.03MPa，特别优选小于0.01MPa。
此处所谓储能模量，是进行动态粘弹性测定时的储能模量。动态粘弹性是指，在对材料以某正弦频率施加剪切应变(Shear strain)时，在达到恒常状态时表现出剪切应力，将该剪切应力分解为应变与相位一致的成分(弹性的成分)、和应变与相位相差90°的成分(粘性的成分)，对材料的动态力学特性进行分析的方法。此处，相位与剪切应变一致的应力成分除以剪切应变而得到的量，为储能模量G’，由于其表示相对于各温度下的动态应变的材料的变形、追随，因而与材料的加工性、粘接性密切相关。
本发明中的荧光体片材的情况下，通过具有25℃下0.1MPa以上的储能模量，从而在进行室温(25℃)下的利用模冲进行的开孔加工、利用刃具进行的切断加工这样的施加快的剪切应力的加工时，在加工部分的周围无变形地片材被开孔或切断，因此，具有高的尺寸精度下的加工性。室温下储能模量的上限满足本发明的目的即可，没有特别限制，但考虑到降低与LED元件贴合后的应力应变的必要性，优选为1GPa以下。另外，通过使100℃下的储能模量小于0.1MPa，进行60℃～250℃下的加热贴合时，荧光体片材快速地变形并追随LED芯片表面的形状，可得到高的粘接力。如果是可在100℃下得到小于0.1MPa的储能模量的荧光体片材，则储能模量随着从室温开始提高温度而降低，即使在小于100℃时贴合性也随着温度上升变得良好，但为了得到实用的粘接性，优选为60℃以上。另外，通过以超过100℃加热上述荧光体片材而储能模量进一步降低，贴合性变得良好，但在超过250℃的温度下，通常容易发生树脂的热膨胀、热收缩或热分解的问题。因此，优选的加热贴合温度为60℃～250℃。100℃下的储能模量的下限满足本发明的目的即可，没有特别限制，但在向LED元件上进行加热贴合时流动性过高时，变得不能保持在贴合前通过切断或开孔而加工成的形状，因而优选为0.001MPa以上。
如果作为荧光体片材可得到上述的储能模量，则其中含有的树脂也可以为未固化或半固化状态的树脂，但考虑到如下所述的片材的处理性·保存性等时，优选所含有的树脂为固化后的树脂。树脂为未固化、或半固化状态时，在保存荧光体片材的保存期间固化反应在室温下进行，存在储能模量落在合适的范围以外的担忧。为了防止上述情况，优选树脂固化完成或固化进行至在室温下保存1个月左右的长期间时、储能模量不发生变化的程度。
荧光体吸收从LED芯片发出的蓝色光、紫色光、或紫外光并转换波长，发出红色、橙色、黄色、绿色、蓝色的区域的波长的与LED芯片的光不同的波长的光。由此，一部分从LED芯片发出的光、和一部分从荧光体发出的光混合，得到包含白色的多色系的LED。
上述那样的荧光体中，有发出绿色光的荧光体、发出蓝色光的荧光体、发出黄色光的荧光体、发出红色光的荧光体等多种荧光体。作为用于本发明的具体的荧光体，可举出有机荧光体、无机荧光体、荧光颜料、荧光染料等公知的荧光体。作为有机荧光体，可举出烯丙基磺酰胺(allyl sulfoamide)·三聚氰胺甲醛共缩合染色物、苝类荧光体等。从可长期使用方面考虑优选使用苝类荧光体。作为特别优选用于本发明的荧光物质，可举出无机荧光体。以下说明用于本发明的无机荧光体。
作为发出绿色光的荧光体，例如有SrAl2O4:Eu、Y2SiO5:Ce，Tb、MgAl11O19:Ce，Tb、Sr7Al12O25:Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1个以上)Ga2S4:Eu等。
作为发出蓝色光的荧光体，例如有Sr5(PO4)3Cl:Eu、(SrCaBa)5(PO4)3Cl:Eu、(BaCa)5(PO4)3Cl:Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一个以上)2B5O9Cl:Eu，Mn、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少一个以上)(PO4)6Cl2:Eu，Mn等。
作为发出绿色至黄色光的荧光体，有至少用铈活化过的钇·铝氧化物荧光体、至少用铈活化过的钇·钆·铝氧化物荧光体、至少用铈活化过的钇·铝·石榴石氧化物荧光体、及至少用铈活化过的钇·镓·铝氧化物荧光体等(所谓YAG类荧光体)。具体而言，可使用Ln3M5O12:R(Ln为选自Y、Gd、La中的至少1个以上。M包含Al、Ca的至少任一方。R为镧系。)、(Y1-xGax)3(Al1-yGay)5O12:R(R为选自Ce、Tb、Pr、Sm、Eu、Dy、Ho中的至少1个以上。0＜Rx＜0.5、0＜y＜0.5。)。
作为发出红色光的荧光体，例如有Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、Y2O3:Eu、Gd2O2S:Eu等。
另外，作为对应目前主流的蓝色LED发光的荧光体，可举出Y3(Al，Ga)5O12:Ce，(Y，Gd)3Al5O12:Ce，Lu3Al5O12:Ce，Y3Al5O12:Ce等YAG类荧光体、Tb3Al5O12:Ce等TAG类荧光体、(Ba，Sr)2SiO4:Eu类荧光体或Ca3Sc2Si3O12:Ce类荧光体、(Sr，Ba，Mg)2SiO4:Eu等硅酸盐类荧光体、(Ca，Sr)2Si5N8:Eu、(Ca，Sr)AlSiN3:Eu、CaSiAlN3:Eu等氮化物类荧光体、Cax(Si，Al)12(O，N)16:Eu等氮氧化物类荧光体，进而可举出(Ba，Sr，Ca)Si2O2N2:Eu类荧光体、Ca8MgSi4O16Cl2:Eu类荧光体、SrAl2O4:Eu，Sr4Al14O25:Eu等荧光体。
其中，从发光效率、亮度等方面考虑，优选使用YAG类荧光体、TAG类荧光体、硅酸盐类荧光体。
除了以上说明的之外，可以根据用途、目标发光颜色使用公知的荧光体。
对荧光体的粒子尺寸没有特别限制，但优选D50为0.05μm以上，更优选为3μm以上。另外，优选D50为30μm以下，更优选为20μm以下。此处，D50是指，在利用激光衍射散射式粒度分布测定法进行测定而得到的体积基准粒度分布中，从小粒径侧的通过部分累积为50％时的粒径。D50为上述范围时，荧光体片材中的荧光体的分散性良好，可得到稳定的发光。
本发明中，荧光体的含量优选为荧光体片材总体的53重量％以上，更优选为57重量％以上，进一步优选为60重量％。通过使荧光体片材中的荧光体含量为上述范围，可提高荧光体片材的耐光性。需要说明的是，对荧光体含量的上限没有特别规定，但从易于形成操作性优异的荧光体片材这样的观点考虑，优选为荧光体片材总体的95重量％以下，更优选为90重量％以下，进一步优选为85重量％以下，特别优选为80重量％以下。
如后文所详述，本发明的荧光体片材特别优选用于LED的表面被覆用途。此时，通过使荧光体片材中的荧光体的含量在上述范围，可得到显示优异的性能的LED发光装置。
本发明的荧光体片材的膜厚由荧光体含量和所期望的光学特性确定。如上所述，从操作性的观点考虑，荧光体含量存在限度，因此，膜厚优选为10μm以上。另外，本发明的荧光体片材的荧光体含量多，因此，即使在膜厚厚时，耐光性也优异。另一方面，从提高荧光体片材的光学特性·耐热性的观点考虑，荧光体片材的膜厚优选为1000μm以下，更优选为200μm以下，进一步优选为100μm以下。通过使荧光体片材的膜厚为1000μm以下，可降低由粘结树脂导致的光吸收、光散射，因此，形成光学优异的荧光体片材。
本发明的荧光体片材的膜厚是指，基于JIS K7130(1999)塑料-膜及片材-厚度测定方法中的利用机械扫描进行的厚度的测定方法A法测定的膜厚(平均膜厚)。
耐热性表示对在LED芯片内产生的热的耐性。耐热性可通过如下方法评价：比较在室温下使LED发光时和在高温下使LED发光时的亮度，测定高温下的亮度有何种程度的降低。
LED处于在小空间内产生大量的热的环境尤其是大功率LED的情况下，发热显著。上述发热引起荧光体的温度上升，导致LED的亮度下降。因此，如何高效地放出产生的热是重要的。本发明中，通过使片材膜厚在上述范围内，可得到耐热性优异的片材。另外，片材膜厚存在偏差时，导致各LED芯片的荧光体量不同，结果，发光光谱(色温、亮度、色度)产生偏差。因此，片材膜厚的偏差优选在±5％以内，进一步优选在±3％以内。需要说明的是，此处所谓膜厚偏差，如下得到：基于JIS K7130(1999)塑料-膜及片材-厚度测定方法中的利用机械扫描进行的厚度的测定方法A法测定膜厚，通过下式算出。
更具体而言，使用利用机械扫描进行的厚度的测定方法A法的测定条件，使用市售的接触式厚度计等测微计测定膜厚，计算得到的膜厚的最大值或最小值与平均膜厚之差，用该值除以平均膜厚，并用百分率表示，得到的值为膜厚偏差B(％)。
膜厚偏差B(％)＝{(最大膜厚偏离值*-平均膜厚)/平均膜厚}×100
*最大膜厚偏离值选择膜厚的最大值或最小值中与平均膜厚之差大的一方。
说明本发明的荧光体片材的制作方法。需要说明的是，以下仅为例举，荧光体片材的制作方法不限定于此。首先，作为荧光体片材形成用的涂布液，制作在树脂中分散荧光体所得的溶液(以下称为“片材制成用荧光体分散有机硅树脂”)。片材制成用荧光体分散有机硅树脂通过将荧光体和树脂混合而得到。当使用加成反应型有机硅树脂时，将含有键合于硅原子的链烯基的化合物、和具有键合于硅原子的氢原子的化合物混合时，即使在室温下有时也开始固化反应，因此，也可进一步向片材制成用荧光体分散有机硅树脂中配合乙炔化合物等氢化硅烷化反应阻滞剂，从而延长贮存期。另外，还可将作为添加剂的用于涂布膜稳定化的分散剂、均化剂、作为片材表面的改性剂的硅烷偶联剂等粘接助剂等混合在片材制成用荧光体分散有机硅树脂中。另外，还可将作为荧光体沉降抑制剂的氧化铝微粒、二氧化硅微粒、有机硅微粒等混合在片材制成用荧光体分散有机硅树脂中。
为了得到适当的流动性，根据需要，还可以添加溶剂而形成溶液。溶剂只要可调整流动状态的树脂的粘度即可，没有特别限制。可举出例如甲苯、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、己烷、丙酮、萜品醇等。
按照规定的组成调整上述成分后，用均化器、自转/公转搅拌机、三辊磨、球磨机、行星式球磨机、珠磨机等搅拌·混炼机混合分散至均质，由此得到片材制成用荧光体分散有机硅树脂。混合分散后、或混合分散的过程中，还优选在真空或减压条件下进行脱泡。
接下来，将片材制成用荧光体分散有机硅树脂涂布到基材上，并使其干燥。涂布可利用逆转辊涂布机、刮刀涂布机、狭缝模头涂布机(slit die coater)、直接槽辊涂布机、补偿槽辊涂布机、逆转辊涂布机、刮刀涂布机、吻合式涂布机、自然辊涂布机(natural rollcoater)、气刀涂布机、辊式刮刀涂布机(roll blade coater)、baribar辊式刮刀涂布机、双流涂布机(two stream coater)、棒式涂布机、线棒涂布机(wire bar coater)、涂敷器(applicator)、浸涂机、幕帘式涂布机、旋转涂布机、刮刀式涂布机等进行。为了得到荧光体片材膜厚的均匀性，优选用狭缝模头涂布机进行涂布。另外，本发明的荧光体片材还可以使用丝网印刷或凹版印刷、平版印刷等印刷法来制作。当使用印刷法时，特别优选使用丝网印刷。
片材的干燥可使用热风干燥机、红外线干燥机等通常的加热装置进行。片材的加热固化可使用热风干燥机、红外线干燥机等通常的加热装置。此时，加热固化条件通常为40～250℃下1分钟～5小时，优选为100℃～200℃下2分钟～3小时。
作为基材，没有特别限制，可使用公知的金属、膜、玻璃、陶瓷、纸等。具体而言，可举出铝(还包括铝合金)、锌、铜、铁等金属板或箔、乙酸纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩醛、芳族聚酰胺等塑料的膜、层合有上述塑料的纸、或被上述塑料涂覆过的纸、层合或蒸镀有上述金属的纸、层合或蒸镀有上述金属的塑料膜等。另外，当基材为金属板时，还可以对表面实施铬系或镍系等的镀覆处理或陶瓷处理。其中，从将含荧光体树脂片材贴合在LED元件时的密合性考虑，优选基材为柔软的膜状。另外，为了在处理膜状的基材时，没有断裂等的担忧，优选强度高的膜。从上述要求特性和经济性方面考虑，优选树脂膜，其中，从经济性、处理性方面考虑，优选PET膜。另外，当树脂的固化、将荧光体片材贴合在LED时需要200℃以上的高温时，从耐热性方面考虑，优选聚酰亚胺膜。从片材剥离的容易性方面考虑，还可以预先对基材表面进行脱模处理。
对基材的厚度没有特别限制，但作为下限，优选40μm以上，更优选60μm以上。另外，作为上限，优选5000μm以下，更优选3000μm以下。
本发明的荧光体片材作为波长转换层贴合至LED元件，被用作为发光装置。本发明中，在将片材贴合至LED元件时，加热进行贴合。加热温度优选为60℃以上250℃以下，更优选为60℃以上150℃以下。通过为60℃以上，容易进行为了增大室温与贴合温度下的弹性模量差的树脂设计。另外，通过为250℃以下，可减小基材及荧光体片材的热膨胀、热收缩，因此，可提高贴合的精度。尤其是，在预先对荧光体片材实施开孔加工、进行与LED元件上的规定部分的位置对准等情况下，贴合的位置精度是重要的。为了提高贴合的精度，更优选在150℃以下进行贴合。进而，为了提高本发明的LED发光装置的可靠性，优选在荧光体片材与LED元件之间没有应力应变。因此，理想的是使贴合温度在LED发光装置的工作温度附近、优选在工作温度的±20℃以内。LED发光装置在点亮时温度上升至80℃～130℃。因此，从使贴合温度与工作温度接近的意义上考虑，也优选贴合温度为60℃以上150℃以下。因此，在100℃下充分地低储能模量化地设计出的荧光体片材的特性是重要的。
作为贴合荧光体片材的方法，只要是可在所期望的温度下进行加热加压的装置即可利用现有的任意装置。如后所述，有将荧光体片材切断为单个片材，然后贴合在单个的LED元件上的方法；一并贴合在固定有切割前的LED元件的晶片(wafer)上，然后一并进行晶片的切割和荧光体片材的切断的方法，但在将荧光体片材分割为单个片材然后进行贴合的方法的情况下，可利用倒装焊接器。当一并贴合在晶片级(wafer level)的LED元件上时，利用具有100mm见方左右的加热部分的加热压接工具等进行贴合。无论在哪种情况下，均是在高温下使荧光体片材热熔接在LED元件上，然后放置冷却至室温，剥离基材。通过保持本发明这样的温度和弹性模量的关系，在热熔接后放置冷却至室温后的荧光体片材牢固地密合在LED元件上，并且可容易地从基材剥离。
说明对荧光体片材进行切断加工的方法。有在将荧光体片材贴合到LED元件之前预先切断为单个片材，贴合在单个的LED元件上的方法；和将荧光体片材贴合在晶片级的LED元件上，然后与晶片的切割同时地一并进行荧光体片材的切断的方法。在贴合前预先进行切断的情况，通过利用激光进行的加工、或利用刃具进行的切削将均匀形成的荧光体片材加工为规定的形状，进行分割。由于利用激光进行的加工赋予高能量，因而避免树脂的烧焦和荧光体的劣化非常困难，优选利用刃具进行的切削。为了在用刃具切断后提高加工性，荧光体片材的25℃下的储能模量为0.1MPa以上是非常重要的。作为利用刃具进行的切削方法，有压入单纯的刃具进行切削的方法、和利用旋转刃进行切削的方法，均可合适地使用。作为利用旋转刃进行切断的装置，可合适地利用被称为切割机(dicer)的用于将半导体基板切断(切割)为单个的芯片的装置。若使用切割机，通过设定旋转刃的厚度、条件设定，可精密地控制分割线的宽度，因此，与通过单纯的刃具的压入进行切断相比，可得到高的加工精度。
在对与基材层合的状态的荧光体片材进行切断时，可以与基材一起进行单个片材化，或也可将荧光体片材单个片材化，而不切断基材。或也可对基材进行引入不贯穿的割痕线的所谓半切断。将这样单个片材化得到的荧光体片材加热熔接在单个的LED芯片上。在将荧光体片材与基材一起单个片材化时的、单个片材化·LED元件贴合·切割的工序的一个例子示于图1。图1的工序中，包括将荧光体片材切断为单个片材的工序、及加热该被切断成单个片材的含荧光体片材并将其贴合在LED元件上的工序。图1的(a)是将与基材2层合的状态的本发明的荧光体片材1固定在临时固定片材3上的图。图1所示的工序中，荧光体片材1和基材2均进行单个片材化，因此，为了处理容易，而预先固定在临时固定片材3上。接下来，如(b)所示，将荧光体片材1和基材2切断，进行单个片材化。然后，如(c)所示，将经单个片材化的荧光体片材1和基材2、与被安装在安装基板5上的LED元件4进行位置对准，如(d)所示，利用加热压接工具进行压接。此时，为了不在荧光体片材1与LED元件4之间夹入空气，压接工序优选在真空下或减压下进行。在压接后放置冷却至室温，如(e)所示，剥离基材2。
另外，在保持基材连续地对荧光体片材进行单个片材化的情况下，可直接一并地热熔接在切割前的晶片级的LED元件上。将在保持基材连续地将荧光体片材单个片材化情况下的、单个片材化·LED元件贴合·切割的工序的一个例子示于图2。在图2的工序中，也包括将荧光体片材切断为单个片材的工序、及加热该被切断成单个片材的含荧光体片材并将其贴合在LED元件上的工序。在图2所示的工序的例子中，首先，在(b)所示的工序中将荧光体片材1单个片材化时，基材2未被单个片材化。虽然在图2的(b)中基材2完全未被切断，但只要基材2连续即可，部分切断也没有关系。然后，如(c)所示，将经单个片材化的荧光体片材1、与在表面形成有切割前的LED元件的晶片7相对，进行位置对准。在(d)所示的工序中，通过加热压接工具将荧光体片材1和在表面形成有切割前的LED元件的晶片7压接。此时，为了不在荧光体片材1与LED元件4之间夹入空气，压接工序优选在真空下或减压下进行。在压接后放置冷却至室温，如(e)所示，剥离基材2，然后，切割晶片将其单个化，如(f)所示，得到经单个化的带有荧光体片材的LED元件。
一并地将荧光体片材热熔接在切割前的晶片级的LED元件上时，可以在贴合后，与LED元件晶片的切割一起，对荧光体片材进行切断。晶片的切割可利用上述的切割机进行，切断时的转数或切断速度等条件被设定为最优的切断半导体晶片的条件，因此，难以设定为对于切断荧光体片材最合适的条件，但通过使用如本发明所述具备25℃下的高的弹性模量的荧光体片材，可合适地进行切断。在贴合荧光体片材和晶片后一并进行切割的情况下的工序的一个例子示于图3。在图3的工序中，包括加热荧光体片材将其一并地贴合在多个的LED元件上的工序、及将荧光体片材和LED元件一并切割的工序。图3的工序中，在不预先对本发明的荧光体片材1进行切断加工的情况下，如图3的(a)所示，使荧光体片材1的一侧与在表面形成有切割前的LED元件的晶片7相对，进行位置对准。然后，如(b)所示，通过加热压接工具将荧光体片材1和在表面形成有切割前的LED元件的晶片7压接。此时，为了不在荧光体片材1与LED元件4之间夹入空气，压接工序优选在真空下或减压下进行。在压接后放置冷却至室温，如(c)所示，将基材2剥离，然后，在切割晶片的同时，切断荧光体片材1将其单个片材化，如(d)所示，得到经单个化的带有荧光体片材的LED元件。
无论采用上述的图1～3中的哪一工序时，在将本发明的荧光体片材贴合在上面有电极的LED元件上时，为了除去电极部分的荧光体片材，优选在贴合荧光体片材之前，预先对该部分进行开孔加工(预先形成贯通孔)。开孔加工可合适地使用激光加工、模冲等公知的方法，但由于激光加工导致树脂的烧焦或荧光体的劣化，因此，更优选利用模进行的冲孔加工。在实施冲孔加工时，由于在将荧光体片材贴合在LED元件上之后不可能进行冲孔加工，所以必须在贴合前对荧光体片材实施冲孔加工。就利用模进行的冲孔加工而言，可根据贴合的LED元件的电极形状等而开任意的形状、尺寸的孔。对于孔的尺寸、形状来说，只要进行模的设计，即可形成为任意的尺寸、形状，但为了不减小发光面的面积，1mm见方左右的LED元件上的电极接合部分优选为500μm以下，孔与该尺寸一致，被形成为500μm以下。另外，进行引线接合(wire bonding)等的电极需要一定程度的尺寸，至少形成50μm左右的尺寸，因此，孔与该尺寸一致，为50μm左右。孔的尺寸过于大于电极时，发光面露出而发生漏光，LED发光装置的颜色特性降低。另外，过于小于电极时，引线接合时碰触引线(wire)而导致接合不良。因此，开孔加工需要以±10％以内的高精度加工50μm以上500μm以下这样小的孔，为了提高冲孔加工的精度，荧光体片材的25℃下的储能模量为0.1MPa以上也非常重要。
将实施过切断加工·开孔加工的荧光体片材与LED元件的规定部分进行位置对准并进行贴合时，需要具有光学位置对准(对齐，alignment)机构的贴合装置。此时，使荧光体片材与LED元件接近地进行位置对准不易操作，在实用上，多在使荧光体片材与LED元件轻微接触的状态下进行位置对准。此时，荧光体片材具有粘着性时，与LED元件接触地进行移动非常困难。如果是本发明的荧光体片材，如果在室温下进行位置对准，则没有粘着性，因此，容易进行使荧光体片材和LED元件轻微接触的位置对准。
使用贴合有通过本发明得到的荧光体片材的LED元件的照明装置，与以往的利用液态含荧光体树脂的分配、利用公知的荧光体片材进行的方法相比，可在LED元件上准确设置经加工的荧光体片材，因此，在LED上存在一定的荧光体，颜色、亮度的不均变得非常小。利用分配的方法中，供给液态树脂，形状由表面张力决定，因此不易形成一定的膜厚。另外，通过本发明的弹性模量范围的设计的荧光体片材，即使以高浓度填充荧光体，与以往的荧光体片材相比，也可以高精度进行加工，因此，可使荧光体片材的膜厚变薄。具体而言，利用本发明的情况下，可制造在LED元件上设置如下含荧光体层的装置，所述荧光体片材的膜厚为10～1000μm，中心的膜厚与中心至发光面端部的任意点画出的线段的中点处的膜厚之差在上述中心处的膜厚的±5％以内，更优选在±3％以内。此处，所谓LED元件上的中心点，由于LED元件发光面是矩形，因此以其对角线的交点作为中心，将从该中心向发光面端部画出的线段的中点作为中心与端部的中间地点。本发明中，可将该任意的中间地点与中心点的膜厚差控制在±5％。更优选可控制在±3％以内。
实施例
以下利用实施例具体地说明本发明。但本发明不受它们的限制。
<有机硅树脂>
用于配合有机硅树脂的成分
树脂主成分 (MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45(HO1/2)0.03(平均组成，相当于(A)成分。)
硬度调节剂 ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiMe2Vi(平均组成，相当于(B)成分。)
交联剂 (HMe2SiO)2SiPh2(相当于(C)成分。)
※其中，Me：甲基，Vi：乙烯基，Ph：苯基
反应抑制剂 1-乙炔基己醇
铂催化剂 铂(1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷)络合物1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷溶液
铂含量5重量％
用于实施例的有机硅树脂1及2如下制作：配合上述的用于配合有机硅树脂的成分，按照相当于本说明书中的“本组合物”的方式制作，有机硅树脂3及4利用市售品。
·有机硅树脂1
树脂主成分75重量份、硬度调节剂10重量份、交联剂25重量份、
反应抑制剂0.025重量份、铂催化剂0.01重量份
·有机硅树脂2
树脂主成分75重量份、硬度调节剂10重量份、交联剂25重量份、
反应抑制剂0.05重量份、铂催化剂0.01重量份
·有机硅树脂3
X-32-2528(信越化学工业)
·有机硅树脂4
KER6075(信越化学工业)。
<动态弹性模量测定>
测定装置：粘弹性测定装置ARES-G2(TA INSTRUMENTS制)
几何形状(Geometry)：平行圆板型(15mm)
应变：1％
角频率：1Hz
温度范围：25℃～140℃
升温速度：5℃/分钟
测定气氛：大气中。
<动态粘弹性测定的测定样品调节>
分别地将各有机硅树脂1～430重量份、与荧光体“NYAG-02”(Intematix公司制：掺杂Ce的YAG类荧光体、比重：4.8g/cm3、D50：7μm)70重量份混合而得到荧光体片材用树脂液，以“Cerapeel”BLK(东丽膜加工株式会社制)为基材，用狭缝模头涂布机进行涂布，形成厚度为100μm的膜。对有机硅树脂1～4分别进行该操作。有机硅1，2，4在成膜温度120℃下加热1小时。由于有机硅3是在半固化状态下使用的有机硅粘接剂，因此在120℃下加热10分钟。
层合8片得到的厚度100μm的膜，加热压接在100℃的热板上，制作800μm的经一体化的膜(片材)，切取为直径15mm作为测定样品。
各片材(含有荧光体70重量％)的室温(25℃)、100℃、140℃下的储能模量示于表1。
<粘接性试验>
在100℃下将层合在基材上的荧光体片材贴合在LED元件上，进行规定时间的压接后，恢复至室温，剥离基材，此时，将荧光体片材全部粘接在LED元件上而不残留在基材上的最小的时间作为可粘接时间。将在加热压接时间为1分钟以内时、荧光体片材全部粘接在LED元件上而不残留在基材上的情况作为粘接性良好，将即使进行1分钟以上的加热压接也不粘接在LED元件上或即使部分地粘接但也有一部分残留在基材上的情况作为粘接性不良。
(实施例1)
使用容积300ml的聚乙烯制容器，以有机硅树脂130重量％、作为荧光体的“NYAG-02”(Intematix公司制：掺杂Ce的YAG类荧光体、比重：4.8g/cm3、D50：7μm)70重量％的比率进行混合。
然后，使用行星式搅拌·脱泡装置“MAZERUSTAR KK-400”(KURABO制)，在1000rpm下进行20分钟搅拌·脱泡，得到片材制成用荧光体分散有机硅树脂。使用狭缝模头涂布机将片材制成用荧光体分散有机硅树脂涂布到作为基材的“Cerapeel”BLK(东丽膜加工株式会社制)上，在120℃下加热1小时，进行干燥，得到膜厚90μm、100mm见方的荧光体片材。然后，使用模冲装置(UHT公司制)对荧光体片材冲出直径200μm的孔。使用带有测长装置的显微镜对10个冲出的孔的直径进行检查，求出其尺寸的平均值，结果如表2所示，得到大致如设计那样的孔。接下来，利用切裁装置(UHT公司制GCUT)将荧光体片材单个片材化为1mm见方×10000个。将荧光体片材、基材一起切断，完全地单个片材化。切截面无毛边或缺损，为良好的形状，也未发生切断处的再附着等。在单个片材化得到的10000个中，任意地选择100个，选出其切断处良好的个数，评价切断加工性。
按照荧光体片材面与安装有蓝色LED芯片的基板的芯片表面接触的方式配置切裁为1mm见方的荧光体片材。使用小片接合(diebonding)装置(东丽ENGINEERING制)，将荧光体片材的孔与LED芯片的表面电极位置对准，从基材侧用100℃的加热头进行按压，进行粘接，此时的可粘接时间为10秒。将经10秒压接的试样恢复至室温后，剥离基材，此时荧光体片材完全地粘接在蓝色LED上，荧光体片材可以完全不残留在基材上地、完全地剥离，粘接性良好。在对LED芯片的表面电极进行引线接合时，可通过预先在荧光体片材上加工而得到的孔没有问题地进行接合。用透明树脂密封相同的带荧光体片材LED，制成10个，连接直流电源将其点亮，确认到10个全部点亮。用色彩照度计(Konica Minolta CL200A)测量全部10个样品的相关色温(CCT)，将其最大值和最小值之差作为色温偏差来进行评价。
切断同样地制作出的带荧光体片材LED元件，测定截面SEM，针对10个样片，测定LED元件发光面的中心点、与连接上述中心点与发光面端部的线段的中点的膜厚之差，求出该两点的膜厚差。将该膜厚差相对于中心点的膜厚的比例作为该样品的膜厚差(％)，算出10个样品的平均值。将该平均值作为偏差示于表2。需要说明的是，负值表示上述中点的膜厚比中心点的膜厚厚。
(实施例2)
代替有机硅树脂1，使用有机硅树脂2，与实施例1同样地，得到荧光体片材。与实施例1同样地，在荧光体片材上冲出直径200μm的孔，单个片材化为1mm见方。开孔加工性、切断加工性均与实施例1同样为良好。与实施例1同样地，将切裁为1mm见方的荧光体片材贴合在LED元件上，此时可粘接时间为5秒。另外，与实施例1同样地，进行LED点亮试验及荧光体片材膜厚的评价，结果示于表2。
(实施例3)
代替有机硅树脂1，使用有机硅树脂2，与实施例1同样地，得到荧光体片材。与实施例1同样地，在荧光体片材上冲出直径200μm的孔，开孔加工性良好。接下来，利用切裁装置(UHT公司制GCUT)将荧光体片材单个片材化为1mm见方。此时，可一边将荧光体片材完全地单个片材化，一边将基材半切断，以保持连续的状态进行加工。荧光体片材的切截面为没有毛边或缺损的良好的形状，也未发生切断处的再附着等。
按照荧光体片材面与未切割成单个的在表面上形成有蓝色LED元件的4英寸晶片的表面接触的方式配置将荧光体片材被单个片材化为1mm见方、基材被一体化的状态的100mm见方的荧光体片材。按照将经单个片材化的荧光体片材与各LED元件对齐、将加工孔与LED芯片的表面电极部分对齐的方式进行位置对准，从基材侧用100℃的加热板进行压接，此时，可粘接时间为15秒。将进行过15秒压接的试样恢复到室温，然后剥离基材，结果，荧光体片材完全地粘接在蓝色LED上，荧光体片材可以完全不残留在基材上地、完全地剥离，粘接性良好。
接下来，用切割装置(DISCO制)切割蓝色LED元件的晶片，对经单个片材化的LED芯片的表面电极进行引线接合时，可通过预先在荧光体片材上加工而得到的孔没有问题地进行接合。用透明树脂密封相同的带荧光体片材LED，制成10个，连接直流电源将其点亮，确认到10个全部点亮。用色彩照度计(Konica Minolta CL200A)测量10个样品的相关色温(CCT)，评价最大值和最小值之差。另外，与实施例1同样地进行荧光体片材膜厚的评价，结果示于表2。
(实施例4)
使用有机硅树脂1，与实施例1同样地，得到荧光体片材。与实施例1同样地，在荧光体片材上冲出直径200μm的孔，开孔加工性良好。按照荧光体片材面与未切割成单个的在表面形成有蓝色LED元件的4英寸晶片表面接触的方式配置100mm见方的荧光体片材。将荧光体片材的孔和LED芯片的表面电极位置对准，从基材侧用100℃的加热板进行压接，此时，可粘接时间为10秒。将进行过10秒压接的试样恢复到室温，然后剥离基材，结果，荧光体片材完全地粘接在蓝色LED上，荧光体片材可以完全不残留在基材上地、完全地剥离，粘接性良好。
接下来，用切割装置(DISCO制)从背面(与贴合荧光体片材的面相反的面)切割蓝色LED元件的晶片，一并地切割晶片和荧光体片材。切截面无毛边或缺损，为良好的形状，也未发生切断处的再附着等。
在对LED芯片的表面电极进行引线接合时，可通过预先在荧光体片材上加工而得到的孔没有问题地进行接合。用透明树脂密封相同的带荧光体片材LED，制成10个，连接直流电源将其点亮，确认到10个全部点亮。用色彩照度计(Konica Minolta CL200A)测量10个样品的相关色温(CCT)，评价最大值和最小值之差。另外，与实施例1同样地进行荧光体片材膜厚的评价，结果示于表2。
(比较例1)
代替有机硅树脂1，使用有机硅树脂2，制作片材制成用含荧光体的有机硅树脂，涂布到作为基材的“Cerapeel”BLK(东丽膜加工株式会社制)上，在120℃下加热10分钟，进行干燥，得到膜厚90μm、100mm见方的荧光体片材。与实施例1同样地，对荧光体片材冲出直径200μm的孔，由于有机硅树脂2的室温下的弹性模量过低而具有粘着性，因而附着在模上，由此，加工后的孔的直径平均值相对于设计大幅变小。与实施例1同样地，将荧光体片材单个片材化，但约一半发生再附着而未能断开。
仅使用可无问题地进行单个片材化而得到的荧光体片材，使用与实施例1同样的小片接合装置，在蓝色LED元件上进行100℃下10秒的热压接，剥离基材，在150℃下进行30分钟的热固化。恢复到室温，然后剥离基材，结果荧光体片材完全地粘接在蓝色LED上，荧光体片材可以完全不残留在基材上地、完全地剥离，粘接性良好。在对LED芯片的表面电极进行引线接合时，预先在荧光体片材上加工而得到的孔的尺寸小，一部分接合的引线与其接触。在引线接合后进行树脂密封，制成10个，连接直流电源，将其点亮，但10个中3个由于接合不良而未能点亮。增加样品的制作个数，得到10个正常点亮的带有荧光体片材的LED发光装置，用色彩照度计(KonicaMinolta CL200A)测量10个样品的相关色温(CCT)，评价最大值和最小值之差。另外，与实施例1同样地，进行荧光体片材膜厚的评价，结果示于表2。
(比较例2)
代替有机硅树脂1，使用有机硅树脂4，与实施例1同样地，得到荧光体片材。与实施例1同样地，在荧光体片材上冲出直径200μm的孔，单个片材化为1mm见方。开孔加工性、切断加工性与实施例1同样为良好的结果。按照荧光体片材面与安装有蓝色LED芯片的基板的芯片表面接触的方式配置切割为1mm见方的荧光体片材，使用小片接合装置(东丽ENGINEERING制)，将荧光体片材的孔与LED芯片的表面电极位置对准，从基底膜侧用100℃的加热头进行1分钟压接。恢复到室温后，剥离基底膜，荧光体片材与蓝色LED的粘接不完全，与基底膜一起从LED元件上剥离，不能进行作为LED元件的评价。
(比较例3)
代替有机硅树脂1，使用有机硅树脂4，与实施例1同样地，得到荧光体片材。用狭缝模头涂布机在其上涂布不含荧光体的有机硅树脂3，在120℃下加热10分钟，进行干燥，得到在膜厚90μm的荧光体片材上形成有膜厚10μm的粘接层的层合型的荧光体片材。
然后，用模冲装置(UHT公司制)在荧光体片材上冲出直径200μm的孔。用带有测长装置的显微镜对10个冲出的孔的直径进行检查，求出平均值，结果如表2所示，为平均值比设计稍小的尺寸，部分地观察到有机硅树脂3的溢出。接下来，利用切裁装置(UHT公司制GCUT)将树脂片材单个片材化为1mm见方×10000个，但约三分之一发生再附着而未能断开。
仅使用无问题地完成了单个片材化而得到的荧光体片材，使用与实施例1同样的小片接合装置，在蓝色LED元件上进行100℃下10秒的热压接，剥离基底膜，在150℃下进行30分钟的热固化。恢复到室温，然后剥离基底膜，结果荧光体片材完全地粘接在蓝色LED上，荧光体片材可以完全不残留在基底膜上地、完全地剥离。对LED芯片的表面电极进行引线接合，结果有机硅树脂3部分地溢出至预先在荧光体片材上加工而得到的孔，与接合的引线接触。在引线接合后进行树脂密封，制成10个，连接直流电源，将其点亮，但10个中有2个由于接合不良而未能点亮。增加样品的制作个数，得到10个正常点亮的带有荧光体片材的LED发光装置，用色彩照度计(Konica Minolta CL200A)测量10个样品的相关色温(CCT)，评价最大值和最小值之差。另外，与实施例1同样地，进行荧光体片材膜厚的评价，结果示于表2。
(比较例4)
使用容积300ml的聚乙烯制容器，以有机硅树脂190重量％、作为荧光体的“NYAG-02”(Intematix公司制：掺杂Ce的YAG类荧光体、比重：4.8g/cm3、D50：7μm)10重量％的比率进行混合。
然后，使用行星式搅拌·脱泡装置“MAZERUSTAR KK-400”(KURABO制)，在1000rpm下进行20分钟搅拌·脱泡，得到分配用荧光体分散有机硅树脂。
使用分配器，在安装有蓝色LED芯片、并完成了引线接合的基板的芯片表面上分配一定量的荧光体树脂，在150℃下进行1小时加热固化。制成10个用含荧光体树脂密封的LED，连接直流电源将其点亮，确认到10个全部点亮。用色彩照度计(Konica Minolta CL200A)测量全部10个样品的相关色温(CCT)，将其最大值和最小值之差作为色温偏差来进行评价。结果示于表2。需要说明的是，分配的含荧光体树脂形成为圆顶形状，因此中心点与中心点-端部中点处的膜厚差非常大。
Figure BPA00001701259300271
Figure BPA00001701259300281
符号说明
1 荧光体片材
2 基材
3 临时固定片材
4 LED元件
5 安装基板
6 加热压接工具
7 在表面形成有LED元件的晶片

Claims (11)

1.一种含荧光体片材，其在25℃下的储能模量为0.1MPa以上，100℃下的储能模量小于0.1MPa，其特征在于，含荧光体片材的树脂主成分是对至少含有下述组成成分(A)～(D)的交联性有机硅组合物进行氢化硅烷化反应而得到的交联物，所述组成成分(A)～(D)如下：
(A)平均单位式(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c表示的有机多分子硅醚，
式中，R1为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基、或碳原子数2～6的链烯基，其中R1的65～75摩尔％为苯基，R1的10～20摩尔％为链烯基，R2为氢原子或碳原子数1～6的烷基，a、b及c为满足0.5≤a≤0.6、0.4≤b≤0.5、0≤c≤0.1、且a+b＝1的数；
(B)通式R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3表示的有机多分子硅醚，式中，R3为苯基、碳原子数1～6的烷基或环烷基、或碳原子数2～6的链烯基，其中R3的40～70摩尔％为苯基，R3的至少1个为链烯基，m为5～50的整数，
所述(B)成分相对于(A)成分100重量份为5～15重量份；
(C)通式(HR4 2SiO)2SiR4 2表示的有机三硅氧烷，式中，R4为苯基、或碳原子数1～6的烷基或环烷基，其中R4的30～70摩尔％为苯基，
所述(C)成分的含量为使得(C)成分中的键合于硅原子的氢原子相对于(A)成分中和(B)成分中的链烯基的总量的摩尔比为0.5～2的量；以及
(D)氢化硅烷化反应用催化剂，所述(D)成分的含量为促进(A)成分和(B)成分中的链烯基与(C)成分中的键合于硅原子的氢原子之间的氢化硅烷化反应所需的足够的量。
2.如权利要求1所述的含荧光体片材，其中，荧光体含有率为53重量％以上。
3.如权利要求1或2所述的含荧光体片材，作为LED元件的波长转换层使用。
4.如权利要求1～3中任一项所述的含荧光体片材，其中形成有贯通孔。
5.一种层合体，是将权利要求1～4中任一项所述的含荧光体片材层合于在表面上形成有LED元件的半导体晶片上而得到的。
6.一种发光装置，是使用权利要求1～4中任一项所述的含荧光体片材得到的发光装置，其中，在LED元件上设有含荧光体层，所述荧光体层膜厚为10～1000μm，中心处的膜厚与从中心至发光面端部的任意点画出的线段的中点处的膜厚之差，在所述中心处的膜厚±5％以内。
7.一种发光装置的制造方法，其特征在于，至少包括加热权利要求1～4中任一项所述的含荧光体片材并将其贴合在LED元件的发光面上的工序。
8.如权利要求7所述的发光装置的制造方法，其特征在于，将所述含荧光体片材贴合在所述LED元件的发光面上的温度为60℃以上～250℃以下。
9.如权利要求7或8所述的发光装置的制造方法，其中，进一步包括将权利要求1～4中任一项所述的含荧光体片材切断成单个片材的工序，所述加热含荧光体片材并将其贴合在LED元件的发光面上的工序是加热所述被切断成单个片材的含荧光体片材并将其贴合在LED元件上的工序。
10.如权利要求7或8所述的发光装置的制造方法，其中，所述加热含荧光体片材并将其贴合在所述LED元件的发光面上的工序是加热所述含荧光体片材并将其一并贴合在多个LED元件上的工序，进而还包括一并进行所述含荧光体片材的切断和所述LED元件的切割的工序。
11.如权利要求7～10中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在将权利要求1～4中任一项所述的含荧光体片材贴合在LED元件上之前，对所述含荧光体片材实施开孔加工。
CN201280003242.5A 2011-06-16 2012-05-14 含荧光体片材、使用其的led发光装置及其制造方法 Active CN103154146B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-133955 2011-06-16
JP2011133955A JP5287935B2 (ja) 2011-06-16 2011-06-16 蛍光体含有シート、それを用いたｌｅｄ発光装置およびその製造方法
PCT/JP2012/062251 WO2012172901A1 (ja) 2011-06-16 2012-05-14 蛍光体含有シート、それを用いたｌｅｄ発光装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103154146A true CN103154146A (zh) 2013-06-12
CN103154146B CN103154146B (zh) 2014-12-03

Family

ID=47356896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280003242.5A Active CN103154146B (zh) 2011-06-16 2012-05-14 含荧光体片材、使用其的led发光装置及其制造方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8946983B2 (zh)
EP (1) EP2610314B1 (zh)
JP (1) JP5287935B2 (zh)
KR (1) KR101330593B1 (zh)
CN (1) CN103154146B (zh)
MY (1) MY166515A (zh)
SG (1) SG191709A1 (zh)
TW (1) TWI536614B (zh)
WO (1) WO2012172901A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104010813A (zh) * 2011-12-13 2014-08-27 东丽株式会社 层叠体及带波长转换层的发光二极管的制造方法
CN109411585A (zh) * 2018-09-30 2019-03-01 华南理工大学 一种具有转移荧光薄膜的白光led封装方法
CN110010746A (zh) * 2014-01-07 2019-07-12 亮锐控股有限公司 具有磷光体转换器的无胶发光器件
WO2019169867A1 (zh) * 2018-03-09 2019-09-12 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led封装方法及其产品
CN110312954A (zh) * 2017-02-23 2019-10-08 东丽株式会社 荧光体片材、使用其的led芯片及led封装件、led封装件的制造方法、以及包含led封装件的发光装置、背光模组及显示器
CN110869824A (zh) * 2017-07-28 2020-03-06 道康宁东丽株式会社 光学构件树脂片材、包括光学构件树脂片材的光学构件、层状体、或发光器件、以及用于制造光学构件树脂片材的方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5992666B2 (ja) * 2011-06-16 2016-09-14 東レ・ダウコーニング株式会社 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物
JP5862066B2 (ja) * 2011-06-16 2016-02-16 東レ株式会社 蛍光体含有シート、それを用いたｌｅｄ発光装置およびその製造方法
JP2013139547A (ja) * 2011-12-05 2013-07-18 Jsr Corp 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
JP2014139998A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
TWI653295B (zh) * 2014-02-04 2019-03-11 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物及光半導體裝置
TWI624510B (zh) * 2014-02-04 2018-05-21 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物及光半導體裝置
KR102328495B1 (ko) * 2014-02-27 2021-11-17 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 발광 디바이스를 형성하는 방법
KR101520743B1 (ko) * 2014-05-16 2015-05-18 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드 패키지 제조방법
US10224460B2 (en) 2014-06-18 2019-03-05 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
WO2017057454A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 東レ株式会社 発光装置の製造方法および表示装置の製造方法
KR102460162B1 (ko) 2015-11-30 2022-10-31 도레이 카부시키가이샤 수지 조성물, 그의 시트상 성형물, 및 그것을 사용한 발광 장치 및 그의 제조 방법
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US20190127531A1 (en) * 2016-04-22 2019-05-02 Dow Corning Toray Co., Ltd. Highly dielectric film, usages thereof, and manufacturing method therefor
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
JP6879211B2 (ja) 2016-10-04 2021-06-02 東レ株式会社 光源ユニット、ならびにそれを用いたディスプレイおよび照明装置
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
AU2018398050B2 (en) * 2017-12-27 2024-03-21 Sekisui Chemical Co., Ltd. Scaffolding material for stem cell cultures and stem cell culture method using same
JP2021021038A (ja) * 2019-07-30 2021-02-18 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、光半導体装置、および光半導体装置の製造方法
JP7325375B2 (ja) 2020-05-15 2023-08-14 信越化学工業株式会社 熱硬化性シリコーン組成物、シート、及びシリコーン硬化物
US20240038940A1 (en) * 2020-08-20 2024-02-01 Lg Electronics Inc. Transfer substrate used in manufacture of display apparatus, display apparatus, and manufacturing method for display apparatus
KR102486743B1 (ko) * 2021-01-21 2023-01-10 한국광기술원 고품질 형광체 플레이트 및 그의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101061589A (zh) * 2004-11-18 2007-10-24 3M创新有限公司 使用含硅密封剂制造发光装置的方法
US20080308828A1 (en) * 2007-04-10 2008-12-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor-containing adhesive silicone composition, composition sheet formed of the composition, and method of producing light emitting device using the sheet
CN101506309A (zh) * 2006-08-25 2009-08-12 陶氏康宁东丽株式会社 可固化的有机基聚硅氧烷组合物和半导体器件

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB814927A (en) * 1956-11-29 1959-06-17 Midland Silicones Ltd Solventless siloxane resins
US3944519A (en) * 1975-03-13 1976-03-16 Dow Corning Corporation Curable organopolysiloxane compositions
JPH086087B2 (ja) * 1988-02-09 1996-01-24 信越化学工業株式会社 電界発光素子
JP4132474B2 (ja) 1999-09-30 2008-08-13 ハリソン東芝ライティング株式会社 希ガス放電ランプおよび照明装置
JP4876426B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置
EP1883678B1 (en) * 2005-05-26 2008-10-08 Dow Corning Corporation Process and silicone encapsulant composition for molding small shapes
JP5392805B2 (ja) 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
DE102006026481A1 (de) 2006-06-07 2007-12-13 Siemens Ag Verfahren zum Anordnen einer Pulverschicht auf einem Substrat sowie Schichtaufbau mit mindestens einer Pulverschicht auf einem Substrat
JP5190993B2 (ja) 2008-11-20 2013-04-24 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP5294414B2 (ja) * 2009-08-21 2013-09-18 信越化学工業株式会社 オルガノポリシルメチレン組成物及びその硬化物
JP5397944B2 (ja) 2009-11-11 2014-01-22 日東電工株式会社 蛍光体含有複合シート
JP5340191B2 (ja) 2010-02-02 2013-11-13 日東電工株式会社 光半導体装置
JP5427709B2 (ja) 2010-06-29 2014-02-26 日東電工株式会社 蛍光体層転写シートおよび発光装置
JP2012052035A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、該組成物からなる光学素子封止材、及び該光学素子封止材の硬化物により光学素子が封止された半導体装置
JP5524017B2 (ja) * 2010-10-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
CN102464887B (zh) * 2010-11-18 2013-09-04 达兴材料股份有限公司 发光二极管元件用可硬化硅氧烷树脂组合物
CN103328575A (zh) * 2010-12-08 2013-09-25 道康宁公司 适合形成封装物的包含二氧化钛纳米粒子的硅氧烷组合物
EP2649114A1 (en) * 2010-12-08 2013-10-16 Dow Corning Corporation Siloxane compositions suitable for forming encapsulants
TWI435914B (zh) * 2010-12-31 2014-05-01 Eternal Chemical Co Ltd 可固化之有機聚矽氧烷組合物及其製法
JP5522111B2 (ja) * 2011-04-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101061589A (zh) * 2004-11-18 2007-10-24 3M创新有限公司 使用含硅密封剂制造发光装置的方法
CN101506309A (zh) * 2006-08-25 2009-08-12 陶氏康宁东丽株式会社 可固化的有机基聚硅氧烷组合物和半导体器件
US20080308828A1 (en) * 2007-04-10 2008-12-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor-containing adhesive silicone composition, composition sheet formed of the composition, and method of producing light emitting device using the sheet

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104010813A (zh) * 2011-12-13 2014-08-27 东丽株式会社 层叠体及带波长转换层的发光二极管的制造方法
CN104010813B (zh) * 2011-12-13 2016-08-24 东丽株式会社 层叠体及带波长转换层的发光二极管的制造方法
CN110010746A (zh) * 2014-01-07 2019-07-12 亮锐控股有限公司 具有磷光体转换器的无胶发光器件
CN110312954A (zh) * 2017-02-23 2019-10-08 东丽株式会社 荧光体片材、使用其的led芯片及led封装件、led封装件的制造方法、以及包含led封装件的发光装置、背光模组及显示器
CN110312954B (zh) * 2017-02-23 2021-10-22 东丽株式会社 荧光体片材、使用其的led芯片及led封装件、led封装件的制造方法、以及包含led封装件的发光装置、背光模组及显示器
CN110869824A (zh) * 2017-07-28 2020-03-06 道康宁东丽株式会社 光学构件树脂片材、包括光学构件树脂片材的光学构件、层状体、或发光器件、以及用于制造光学构件树脂片材的方法
WO2019169867A1 (zh) * 2018-03-09 2019-09-12 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 Led封装方法及其产品
CN109411585A (zh) * 2018-09-30 2019-03-01 华南理工大学 一种具有转移荧光薄膜的白光led封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2610314B1 (en) 2016-06-22
JP2013001791A (ja) 2013-01-07
JP5287935B2 (ja) 2013-09-11
MY166515A (en) 2018-07-05
US20140210338A1 (en) 2014-07-31
WO2012172901A1 (ja) 2012-12-20
EP2610314A4 (en) 2014-09-17
TW201301582A (zh) 2013-01-01
US8946983B2 (en) 2015-02-03
EP2610314A1 (en) 2013-07-03
SG191709A1 (en) 2013-09-30
TWI536614B (zh) 2016-06-01
CN103154146B (zh) 2014-12-03
KR101330593B1 (ko) 2013-11-18
KR20130079496A (ko) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103154146B (zh) 含荧光体片材、使用其的led发光装置及其制造方法
CN104321888B (zh) 树脂片材层合体及使用其的半导体发光元件的制造方法
CN104756265B (zh) 含荧光体树脂片材及发光装置
CN103153611B (zh) 树脂片材层合体、其制造方法及使用其的带有含荧光体树脂片材的led芯片的制造方法
CN103237846B (zh) 荧光体片材、使用了其的led及发光装置以及led的制造方法
TWI657599B (zh) 螢光體組成物、螢光體片、螢光體片積層體及使用它們的ｌｅｄ晶片、ｌｅｄ封裝及其製造方法
CN108351444A (zh) 荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法
KR102050103B1 (ko) 형광체 함유층과 형광체 비함유층을 갖는 열경화성 실리콘 수지 시트, 이를 사용하는 발광 장치의 제조 방법 및 상기 방법으로 얻어지는 발광 반도체 장치
CN104010813B (zh) 层叠体及带波长转换层的发光二极管的制造方法
CN106537618A (zh) 层叠体及使用其的发光装置的制造方法
CN103715344A (zh) 荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置
CN105637660B (zh) 层叠体及使用所述层叠体的发光装置的制造方法
JP2014116587A (ja) 蛍光体含有樹脂シート、これを用いたｌｅｄ素子およびその製造方法
CN101454912A (zh) 用于发光二极管的无机磷光体主体
CN108291090A (zh) 树脂组合物、其片状成型物、以及使用其得到的发光装置和其制造方法
WO2014155850A1 (ja) 光半導体装置の製造方法
WO2018216443A1 (ja) 固体シリコーン材料、それを用いてなる積層体および発光デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231127

Address after: Tokushima County, Japan

Patentee after: NICHIA Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: TORAY INDUSTRIES, Inc.