JP6655785B2 - 樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents

樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 Download PDF

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Description

本発明は、ガスバリア性の高く透明で、かつ、簡便に作製できる樹脂組成物と、その製造方法並びに半導体装置に関するものである。
近年、LED(発光ダイオード)などの光源半導体装置は、さらなる高密度化、高出力化が求められている。そのため、光源半導体装置への負荷電圧は、増大する傾向にある。負荷電圧の増大にともなって、光源半導体装置を封止する樹脂部分は温度が上がる。結果、周囲の水やガス、光源半導体装置を封止する樹脂部分へ、拡散浸透により侵入しやすくなる。このため、マイグレーションやメッキ部分の腐蝕、頻発する。光源用半導体素子の信頼性の低下、問題視されている。
このため、光源用半導体素子が実装されたパッケージの放熱構造設計、重要になっている。また、LEDでは、光源用半導体素子の信頼性低下だけが問題ではない。光源用半導体素子周辺の銀メッキで形成されている反射板部分は、侵入した硫化ガスにより変色る。結果、発光効率が下がるという問題が生じる。
このような問題を解決する構造として、特許文献1では、図1の断面図で示すLEDパッケージをガラスで保護した構造体が提案されている。
すなわち、構造体は、基板100と、基板100に搭載された光源用半導体素子101と、光源用半導体素子101を覆う封止樹脂109と、光源用半導体素子101と封止樹脂109を保持する樹脂体102と、からなる。さらに、構造体には、封止樹脂109の上部に板ガラス103と、板ガラス103の上部に蛍光体を含有したシリコーン樹脂104とがある。
このような構造体では、板ガラス103によって、水やガスの封止樹脂109への侵入を抑制することができる。
特許文献2では、封止樹脂109は、ポリジオルガノシロキサンとポリジメチルシロキサンとを、ガリウム化合物を用いて縮合させた化合物からなる硬化性ポリシロキサン組成物である。この組成物により、構造体のガスバリア性を高めている。
特許文献3では、封止樹脂109として、ラダー構造含有ハイドロジェンポリオルガノシロキサン、を含有するシリコーン樹脂を用い、構造体を保護する。
特許文献4では、封止樹脂109として、グリシドキシ基を有するシロキサンとグリシドキシ化合物からなる樹脂組成物を用い、構造体を保護する。
特開2011−108899号公報 特開2013−091778号公報 特開2013−144757号公報 特開2012−241059号公報
しかし、特開2011−108899号公報の図1では、板ガラス103に蛍光体含有樹脂を塗布する工程、それをパッケージ成型体に搭載する工程が必要であり、板ガラス103を使用することによる製造コストの増大につながる。
また、特開2013−091778号公報、特開2013−144757号公報、特開2012−241059号公報の封止樹脂109の骨格は、シロキサン構造のみで構成されたものである。このため、構造体は、十分なガスバリア性を有さない。また、封止樹脂109は、基板100との密着性なども十分でなく、剥離の発生と、それに伴い十分なガスバリア性を維持できなくなり、信頼性の低下につながる。
本願の課題は、透明性が高く、ガスバリア性が高く、密着性の高い樹脂組成物を提供することである。また、少ない構成物を用いて、常温で簡便に、上記保護膜を製造する方法を提供することである。さらに、上記樹脂組成物を用いた半導体装置を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る樹脂組成物は、反応性有機官能基を有する第1金属アルコキシドが反応性有機官能基の重合により形成されたオリゴマーと、少なくとも1種類以上の第2金属アルコキシドと、オリゴマーと第2金属アルコシキドとから形成されたシロキサン骨格と、を含む樹脂組成物を用いる。
ここで、樹脂組成物の原料の1つは、少なくとも1種類の反応性有機官能基を有するアルコキシシランの液体において、反応性有機官能基のみを予め重合させたオリゴマーを用いることができる。
反応性有機官能基としては、例えばグリシドキシプロピル基とし、アルコキシシラン液体にアミンなどの触媒を適宜添加することでオリゴマーとすることができる。
さらに、オリゴマーを、オリゴマーの原料と同一アルコキシシランに、または、その他のアルコキシシランに、溶解または膨潤させて、ゾル溶液とする。ゾル溶液を熱や光、大気中の水との接触といった適当な方法で硬化させることで透明性、ガスバリア性の高い樹脂組成物とすることができる。
ここで、アルコシシランとは、アルコールのヒドロキシル基の水素をケイ素に置き換えたものである。
金属アルコキシドとは、アルコールのヒドロキシル基の水素をある金属に置き換えたものである。
本発明の一態様に係る半導体装置の場合にはこの樹脂組成物による保護膜によって、搭載された光源用半導体素子が保護された基板を樹脂で封止することにより、光源用半導体素子が樹脂を通して拡散侵入してくる水や硫化ガスから保護された信頼性の高い半導体装置とすることができる。
本発明の一態様に係る樹脂組成物は、反応性有機官能基を有する金属アルコキシドを少なくとも一種類原料とした反応性有機官能基同士の重合からなる骨格構造と、アルコキシ基の重合からなる骨格構造と、からなる架橋密度の高い重合体である。
この結果、透明性が高く、ガスバリア性が高く、密着性の高い樹脂組成物を提供できる。また、少ない構成物を用いて、常温で簡便に、上記樹脂組成物を製造する方法を提供することができる。この樹脂組成物を使用した半導体装置は、長寿命の光源用半導体装置となる。
従来例の断面図 実施の形態1の半導体装置の断面図 (a)〜(c)実施の形態1の製造プロセスの組立工程の各工程の断面図 実施の形態1の樹脂組成物の透過率を示す図 実施の形態1の樹脂組成物と比較例の樹脂組成物のFT−IRを示す図 実施の形態1での試験試料の平面図 実施の形態1での硫化水素暴露試験の状態を示す断面図 実施の形態1の硫化水素暴露試験の結果を示す図 実施の形態2の光源用半導体装置の断面図 (a)〜(c)実施の形態2の製造プロセスの組立工程を表す各工程の断面図 実施の形態3の光源用半導体装置の断面図 (a)〜(d)実施の形態3の製造プロセスの組立工程を表す各工程の断面図 実施の形態4の光源用半導体装置の断面図 (a)〜(e)実施の形態4の製造プロセスの組立工程を表す各工程の断面図 実施の形態5の光源用半導体装置断面図 (a)〜(e)実施の形態5の製造プロセスの組立工程を表す各工程の断面図
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。各実施の形態は一形態であり、本願発明は、各実施の形態に限定されない。
(実施の形態1)
図2は、実施の形態1に係る半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態1の半導体装置は、少なくともダイパッド部12Aと外部端子12Bとを有するリードフレーム12と、ペースト材料11と、光源用半導体素子10と、光源用半導体素子10と外部端子12Bとを接続する金属ワイヤ15と、放熱板14と、放熱板14とダイパッド部12Aとを接着する接着材13と、少なくとも光源用半導体素子10を被覆する樹脂組成物16(樹脂組成物)と、封止樹脂17を備えている。
リードフレーム12は、ダイパッド部12Aと外部端子12Bとからなる。銅などの熱伝導性および電気伝導性に優れた材料からなる。ダイパッド部12Aに光源用半導体素子10がペースト材料11を介して搭載されている。
封止樹脂17は、たとえば、主成分としてオルトクレゾールノボラック型のエポキシと、硬化剤としてフェノール樹脂と、硬化促進剤やカーボンブラックなどの顔料とが含まれる。また、封止樹脂17は、無機充填剤の濃度が70重量部から90重量部程度配合された熱硬化性エポキシ樹脂を用いることができる。
放熱板14を構成する材質としては、特に、金属やセラミック、グラファイトやダイヤモンドなどの炭素素材などとすることができる。
接着材13は、シート状熱硬化性接着剤または液状熱硬化性接着剤である。たとえば、接着材13は、主成分としてオルトクレゾールノボラック型のエポキシと、硬化剤として酸無水物と、硬化促進剤とを含む。また、無機充填剤の濃度が50重量部から90重量部程度配合された熱硬化性エポキシ樹脂を用いることもできる。
光源用半導体素子10を被覆している樹脂組成物16の詳細を以下に述べる。
<樹脂組成物16>
樹脂組成物16は、少なくとも1種類以上の金属アルコキシドの重合により形成された重合体であり、ゾルゲル法で作製された重合体である。さらに、金属アルコキシドの少なくとも1種類には、反応性有機官能基が含有される。
ここで反応性有機官能基とは、熱や光によってアニオン重合、カチオン重合、ラジカル重合などを経て、連鎖的に重合する性質を有するものである。
金属アルコキシド由来のヒドロキシル基同士の脱水縮合による架橋に加えて、反応性有機官能基同士も重合反応している。全体として架橋点密度が高い3次元ネットワークポリマー構造を形成している。
このため、空気が透過することができず、本実施例においては光源用半導体素子を水や腐蝕性ガスから保護することができる。また、樹脂組成物16の屈折率は1.4〜1.5程度であり、透明性も高く、光源用半導体装置に適用することも出来る。構造としては、金属アルコキシドがアルコキシシランであり、アルコキシ基数が3の場合を一形態として説明する。
樹脂組成物16の好ましい例は、反応性有機官能基を有する第1金属アルコキシドが反応性有機官能基の重合により形成されたオリゴマーと、少なくとも1種類以上の第2金属アルコキシドと、オリゴマーと第2金属アルコシキドとから形成されたシロキサン骨格と、を含む樹脂組成物である。
1つの例として、化学式(1)で表される反応性有機官能基Yを有する第1アルコキシシランを出発物質として生成された化学式(2)で表される重合物と、第2アルコキシシランと、重合物と第2アルコキシランとで形成されたシロキサン骨格形成と、により形成される樹脂組成物である。Y’はYの重合後の構造、Rはアルキル基である。
Figure 0006655785
Figure 0006655785
<樹脂組成物16の製法>
(1)原料
樹脂組成物16の原料としては、少なくとも1種類の反応性有機官能基を有する第1アルコキシシランを出発原料とする。樹脂組成物16は、シロキサン骨格を基本とした樹脂組成物であり、シロキサン骨格中のシリコン原子に結合した反応性有機官能基同士もまた反応し重合した硬化体である。
出発原料として、非反応性有機官能基を有するアルコキシシランを含めてもよい。樹脂組成物16は、アルコキシシランのシリコン原子に結合した反応性有機官能基の反応と、それに続くアルコキシ基の加水分解と脱水縮合とにより、液相中でのゾル−ゲル法によって形成される。
反応性有機官能基としては、光や熱などにより重合反応するものであれば限定するものではなく、複数種類の反応性有機官能基の組合せでもよい。
しかし、実施の形態1では、一形態として、反応性有機官能基が、グリシドキシプロピル基(化学式(3))であり、アルコキシ基がメトキシ基であるグリシドキシプロピルトリメトキシシランとしている。
Figure 0006655785
(2)オリゴマー化とゾル溶液の調整
まず、第1アルコシシランとして、グリシドキシプロピルトリメトキシシランを低濃度の塩基性触媒の存在下で、グリシドキシ基同士を開環重合させ、オリゴマー(化学式(4))とする。
Figure 0006655785
次に、オリゴマーに、第2アルコキシシランを添加する。オリゴマーがゲル状態となっている場合には第2アルコキシシランに膨潤させることで膨潤液とする。加水分解を促進するため酸性触媒を添加してもよい。上記手法により調整した液体をゾル溶液とする。
(3)塗布と硬化
上記の様にして得られたゾル溶液を、予めリードフレーム12(図2)に搭載された光源用半導体素子10に塗布し、大気中で乾燥させる。塗布後、液体は空気中の水に触れることとなり、ゾル溶液中のアルコキシ基の加水分解とそれによって生じるシラノール同士の脱水縮合反応を進行させることにより、ゾルがゲルとなり、樹脂組成物16となる。
<第1金属アルコキシド>
ここで、第1金属アルコキシドは、反応性有機官能基を有するという観点から、X M(OR1)(OR2)(OR3)により表される金属アルコキシドであり、以下のものがよい。
p、q、r、l、m、nが整数、p+q+r、l+m+nがそれぞれ1〜3の整数であり、p+q+r+l+m+n=4、Mとしては、金属原子であり、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、スズなどが考えられる。これら金属のアルコキシ基がついたものは、ゾルゲル反応の制御がし易いといった観点で好適である。
X、Y、Zのうち少なくとも1つは、オリゴマーを形成できるという観点から反応性有機官能基であり、たとえば、グリシドキシプロピル基や、エポキシシクロヘキシル基などの環状エーテル含有構造、および、その誘導体含有基、スチリル基ビニル基、アルキニル基やこれら2重結合または3重結合含有構造の誘導体やそれらの含有基、チオールプロピル基、アミノプロピル基などとすることができる。また、X、Y、Zのうち反応性有機官能基でないものは、限定するものではないが、例えば炭素数が1〜10の炭化水素基とすることができる。炭素数が11より大きい官能基では、立体障害が大きくなり重合によりオリゴマーや金属酸化物骨格が形成される際に重合が阻害され、重合体の形成が困難となるためである。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、フェニル基およびその誘導体、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、やこれらの環状構造を含めた異性体の炭化水素基等が挙げられる。
光反応、熱反応あるいはそれらの組合せなど反応誘起方法を適宜選択することが出来る。
また、これらの官能基の2種類以上を併用しても良い。特に、チオールプロピル基やアミノプロピル基は、グリシドキシプロピル基を重合させることができることから、グリシドキシプロピル基と好適に混合し用いることができる。
樹脂組成物16の重合は、以下の場合に分けて説明する。
アルコキシシランの場合、そのアルコキシ基の加水分解により生成するシラノール基同士の脱水縮合によって行われる。しかし、アルコキシシランの分子にこれらの官能基が結合していると、シラノール基同士の脱水縮合とは別に、これらの官能基が重合することで最終的に形成される樹脂組成物16の架橋密度が高くなることとなり、酸素や水、硫化水素に代表される腐食性ガスといった分子が透過しにくい樹脂組成物となる。
グリシドキシプロピル基の場合、加熱や例えば、アミンなどの適当な触媒の添加により3員環の開環重合でポリエーテル構造を形成することが出来る。
スチリル基ビニル基およびその誘導体の場合、ラジカル重合により樹脂組成物22中にポリオレフィン構造を形成することができる。
チオールプロピル基やアミノプロピル基の場合、グリシドキシプロピル基と併用することにより、グリシドキシプロピル基の重合を促進させることができる。
R1、R2,R3は、金属酸化物骨格を形成できるという観点から炭素数1〜5のアルキル基とすることができ、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、やこれらの異性体基等が挙げられる。中でも加水分解が容易に起こり、反応を制御し易いという観点からメチル基及びエチル基が好ましい。
<第2金属アルコキシド
ここで、第2金属アルコキシドとしては、p、q、r、l、m、nがいずれも整数であり、且つp+q+rおよびl+m+nがいずれも1〜3の整数であり、かつp+q+r+l+m+n=4として、E (OR1)(OR2)(OR3)により表され、Mとしては、金属原子であり、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、スズである金属アルコキシドであるか、もしくは、第1金属アルコキシドと同じでも良い。
アルコキシ基は、第1金属アルコキシドから形成されたオリゴマーと金属酸化物骨格を形成するために必要であり、R1、R2,R3は上記と同様の炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。E,F,Gとしては、限定するものではないが、炭素数が1〜10の炭化水素基とすることができる。炭素数が11より大きい官能基では、立体障害が大きくなり重合により樹脂組成物が形成される際に重合が阻害され、重合体の形成が困難となるためである。また、第1金属アルコキシドから形成されるオリゴマーを溶解または膨潤させやすくするために、化学的に安定であるという観点から、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、フェニル基およびその誘導体、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、や環状構造を含めたこれらの異性体の炭化水素基等とすることができる。化学的に安定でない官能基の場合、官能基同士が反応し、第2金属アルコキシシランもまたオリゴマーとなってしまい、第1金属アルコキシドから形成されるオリゴマーを溶解または膨潤させることが困難となる。
また第2金属アルコキシドとしては、2種類以上の上記条件を満たす金属アルコキドの混合物であってもよい。
<半導体装置の製造方法>
実施の形態1の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能である。図3(a)から図3(e)は、実施の形態1の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
まずは、第1アルコキシランである反応性有機官能基を有するアルコキシシランから、オリゴマーを調整し、次にこれに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。
具体的な製法を以下に述べる。
(1)オリゴマーの調製
第1金属アルコキシドとして、反応性有機官能基としてグリシドキシ基を有し、金属がシリコンであるグリシドキシプロピルトリメトキシシラン30gと、アミン触媒1gとの混合溶液を作製する。密閉系において、24時間室温で放置し、グリシドキシプロピル基同士の重合を促進させ、オリゴマーとした。
金属アルコキシドとしては限定するものではなく、金属原子としては他に、チタン原子、アルミニウム原子などでもよい。反応性有機官能基としては、他にエポキシシクロヘキシル基などの環状エーテル含有構造およびその誘導体含有基、スチリル基ビニル基、アルキニル基やこれら2重結合または3重結合構造およびその誘導体含有基、チオールプロピル基、アミノプロピル基などとすることが出来、2種類以上の組合せでも良い。
スチリル基ビニル基およびその誘導体の場合には、ラジカル重合により樹脂組成物22中にポリオレフィン構造やアクリル樹脂構造を形成することができるのでよい。
チオールプロピル基やアミノプロピル基の場合には、グリシドキシプロピル基と併用することにより、グリシドキシプロピル基の重合を促進させることができるのでよい。
アミン触媒は、グリシドキシ基を開環重合させることのできるものであれば限定するものではなく、たとえば、鎖状脂肪族アミンとして、アルキルアミン類、例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンジエチルアミノプロピルアミン、環状脂肪族アミンとして、N−アミノエチルピペラジン、メンセンジアミン芳香族アミンとして、m−キシレンジアミンメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどとすることができる。
(2)ゾル溶液の調製
室温でオリゴマー22gに、第2金属アルコキシドとしてジメチルジエトキシシラン17.7gとフェニルトリメトキシシラン12.2gの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
(3)部材の組立
図3(a)のように、リードフレーム12のダイパッド部12A上にペースト材料11を、適当量塗布し、さらにペースト材料11上に光源用半導体素子10を搭載する。ペースト材料11の塗布には、ディスペンサーを、光源用半導体素子10の搭載には、ダイボンダーを使用することが可能である。
その後、図3(b)のように光源用半導体素子10とリードフレーム12の外部端子12Bとを金属ワイヤ15を使用し電気的かつ機械的に接合する。金属ワイヤ15の接続にはワイヤボンダを使用することができる。
さらに、図3(c)のようにリードフレーム12において、光源用半導体素子10の搭載面とは反対の面にシート状の接着材13を介して、放熱板14を密着させておく。
(4)樹脂組成物16の形成
上記ゾル溶液を、少なくとも光源用半導体素子10の表面に適量滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらにシラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
結果として、上記(1)オリゴマーの調製において形成された反応性有機官能基同士の重合鎖とシロキサン骨格が混在した全体として架橋点密度が高い3次元ネットワークポリマー構造からなる樹脂組成物16によって光源用半導体素子10が被覆されることとなる(図3(d))。
(5)樹脂封止
次に、図3(e)では、図3(d)の構造物を、適当な温度に加熱した封止金型内に設置し、エポキシ系の封止樹脂17を、構造物の周辺に押圧充填させ、硬化させる。
以上の製造プロセスにより、光源用半導体素子10がガスバリア性の高い樹脂組成物16で被覆され、封止樹脂17中を拡散し侵入してきた水や腐食性ガスから保護される。これにより、光源用半導体素子の破壊は抑制され、信頼性の高い長寿命の半導体装置となる。
(効果)
また、以上の効果により、光源用半導体素子が樹脂組成物16で被覆されない場合よりも光源用半導体素子を長寿命に保護することができる。気温85℃、湿度85%において600Vの駆動電圧を印加し続けた場合、樹脂組成物16がない場合には450時間まで短絡電流が発生しないが、樹脂組成物16で保護した本実施例では少なくとも1200時間以上短絡電流が発生しない。
<樹脂組成物16の評価>
以下で上記一形態の樹脂組成物16を評価した。
(1)透過率
実施の形態1において作製した上記ゾルをガラス基板上で硬化させ、500μm厚みとした。このものの透過率スペクトルを図4に示す。図4で、横軸は光の波長で、縦軸は透過率である。波長が450nmから700nmでの可視域で、ゾルの透過率は、99.8%以上であった。ゾルの透明度は、高い。ゾルは、透明性が必要な用途でも使用できる。ゾルは、以下で示すLEDの封止材にも使用できる。
(2)FT−IR
実施の形態1において作製した上記ゾルをガラス基板上で硬化させた。500μm厚みとした樹脂組成物16の表面のFT−IR(Fourier Transform Infrared Spectroscopyの略、フーリエ変換赤外分光法)の測定をした。その結果を図5に示す。図5では、横軸が赤外線の波数、縦軸が吸光度である。実施例は、実施の形態1において作製した樹脂組成物16、比較例は、グリシドキシプロピルトリメトキシシランを予めオリゴマーとせず、フェニルトリメトキシシランとジメチルジエトキシシランと実施例と同量混合し、酢酸0.2mlを添加し、熱硬化させたものである。
実施例では、グリシドキシ基中の環状エーテルに相当する912cm−1の吸光が減少し、環状エーテルが開環していることがわかる。
(3)硫化水素暴露試験
図6に試験用の銅基板50の平面図を示す。実施の形態1において作製したゾルを銅基板50上の銀メッキ面51に、塗布物52として塗布し、硬化させた。最大厚みは、約500μmとした。これを、実施例とした。
また、同様の銀メッキ面51に一般的に使用されている2液混合型のフェニル変性シリコーン樹脂を塗布物52として塗布し硬化させた。最大厚みを約500μmとしたものを用意した。これを、比較例とした。
図7に、試験状態を示す断面図を示す。図7のように内径約31mmのバイアル瓶55に硫化鉄58の8.5gと12規定の塩酸57の2.5mlを注入し、発生する硫化水素56に、銅基板50を暴露させる。実施例、比較例の塗布物52が硫化水素56に暴露される。36時間後の銀メッキ面51を観察した。結果を図8に示す。比較例と実施例との銀メッキ面51の状態が、初期と36時間後で示されている。
比較例では、樹脂に被覆された銀メッキ面51であっても硫化水素56による変色が観られるが、実施例では銀メッキ面51の変色が観られず、実施例の樹脂では硫化水素に対する優れたガスバリア性が確認された。
(実施の形態2)
図9は、実施の形態2に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。
実施の形態1と異なる点は、光源用半導体装置いわゆるLEDにおいて、樹脂組成物16が蛍光体を含有する封止樹脂19を保護している点と、第2アルコキシシランの構成の点であり、その他は実施の形態1と同様である。実施の形態1と同じところは説明を略する。
実施の形態2の半導体装置では、少なくともリード部12Cとリード部12Dとを有するリードフレーム12と、凹部を有する樹脂容器20と、樹脂容器20の内側に配置され且つ、リード部12Dに、接着材により固定された光源用半導体素子10と、光源用半導体素子10とリード部12Cとリード部12Dとを電気的に接続する金属ワイヤ15と、光源用半導体素子10を覆う蛍光体を含有する封止樹脂19と、封止樹脂19が大気と接触しないように封止樹脂19を被覆している樹脂組成物16と、を備えている。
光源用半導体素子10は、樹脂容器20の凹部底面に位置する箇所においてリード部12D上に、ペースト材料11で接着され搭載されており、さらに、金属ワイヤ15を介して、各電極が、リード部12C、12Dに、それぞれ接続されている。
光源用半導体素子10は、LEDなどの発光素子である。光源用半導体素子10は、サファイア基板の上に形成されたAlNからなるシード層と、シード層上に形成される下地層と、GaNを主体とする積層半導体層とを備えたものである。光源用半導体素子10の発光波長領域は、430nm以上500nm以下である。
リードフレーム12は、銅などの熱伝導性および電気伝導性に優れた材料からなり、表面には銀メッキが施されることによって銀メッキ層が形成されている。従って、樹脂容器20の凹部の底面において、リード部12C、リード部12Dにおいて少なくとも一部銀メッキ層が露出していることになる。なお、銀メッキ層は、公知の銀メッキ法によって形
成されることができる。
リード部12C、リード部12Dは、光源用半導体素子10を表面実装に対応させるため、図9に示すように、リード部12C、リード部12Dが折り曲げられている。折り曲げ方向は、それぞれ、樹脂容器20の裏側である。折り曲げられたリードフレーム12の先端(リード部12C、リード部12D)が樹脂容器20の裏側に配置されている。
樹脂容器20は、例えば、白色顔料が配合されたアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリウレタン、ABS樹脂、液晶ポリマー、ポリアセタール樹脂、エポキシ樹脂といった熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂である。
樹脂容器20は、リード部12C、12Dを担持する形で成型することにより形成される。
中でもポリアミドや液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ナイロンを好適に使用することができる。
また、樹脂容器20を形成する樹脂は、白色顔料が配合されており、さらに白色顔料の含有率、粒径等が調整され可視光の光反射率が85%以上98%以下となるようにされている。
光反射率が85%より小さいと、素子からの発光を十分に反射させることが出来ず輝度が劣る。
光反射率が98%より大きくするためには、白色顔料をさらに多く添加する必要があり、白色顔料同士の凝集が発生する。このため、樹脂容器の成形が難しくなる。
白色顔料としては、例えば、亜鉛華、鉛白、リトポン、チタニア(酸化チタン)、酸化アルミニウム、沈降性硫酸バリウム及びバライト粉などを使用することができる。
特に、白色顔料としては、屈折率が高く、また、光吸収率が低いという観点から酸化チタンを好適に用いることができる。さらに、光源用半導体素子10からの発光を効率よく利用するため、凹部の表面には銀メッキが施されていても良い。
蛍光体を含有する封止樹脂19としては、可視領域において透明な樹脂を使用することができる。例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、等が挙げられる。これらの中でも、耐光性、耐熱性の観点からシリコーン樹脂を好適に使用することができる。
実施の形態2では、反応性有機官能基を有する金属アルコキシドを少なくとも1種類、出発物質とした樹脂組成物16が、蛍光体を含有した封止樹脂19上に配置されていれば良い。樹脂組成物16には、蛍光体を含有していても良いし、していなくても良い。このような構成とすることにより、水や腐蝕性ガスが、封止樹脂19中への侵入することを抑制する。特に、腐食性ガスが硫化水素などの硫化ガスである場合、リードフレーム12の銀メッキ箇所や樹脂容器20の凹部表面の銀メッキの変色が抑制され、長寿命の発光半導体装置とすることが出来る。
<光源用半導体装置の製造方法>
実施の形態2の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能である。樹脂組成物16とその製法は、本発明の実施の形態1と同様とすることが出来る。
図10(a)から図10(e)は、実施の形態2の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
<樹脂組成物16>
まずは、反応性有機官能基を有するアルコキシシランからオリゴマーを調整し、次にこれに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。
具体的な製法を以下に述べる。
・ オリゴマーの調製
実施の形態1と同様である。
(2)ゾル溶液の調製
室温でオリゴマー22gに第2金属アルコキシドとしてジメチルジエトキシシラン17.8gを添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
実施の形態1と異なり、第2金属アルコキシドをジメチルジエトキシシランのみとすることにより、ゾル溶液が低粘度化し、塗布した際に被塗布物への均一な濡れ広がりを大きくすることができる。
ジメチルジエトキシシランの他にも第2金属アルコキシドとして、1分子あたりのアルコキシ基の数が3より小さいものを使用することにより、第1金属アルコキシドから形成されたオリゴマーのアルコキシ基と、第2金属アルコキシドのアルコキシ基との相互作用を小さくすることにより、ゾル溶液の低粘度化が可能である。第2金属アルコキシドは2種類併用してもよい。
(3)部材の組立
まず、図10(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して、ダイボンドとそれに続くペースト材料の硬化により搭載する(図10(b))。
光源用半導体素子10の各電極を、リード部12C、12Dへ、金属ワイヤ15を用い、ワイヤボンディング手法によりそれぞれ接続する(図10(c))。
次に、樹脂容器20の凹部に、蛍光体と未硬化状態の封止樹脂の混合物であるペースト材料をディスペンサーにより適量充填した。その後、ペースト材料11を加熱により硬化させて蛍光体を含有する封止樹脂19とした(図10(d))。
(4)樹脂組成物16の形成
ゾル溶液を、蛍光体を含有する封止樹脂19の上部の大気と露出した箇所に滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらに、シラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。結果として、上記(1)のオリゴマーの調製において形成された反応性有機官能基同士の重合鎖とシロキサン骨格が混在した全体として架橋点密度が高い3次元ネットワークポリマー構造からなる樹脂組成物16によって蛍光体を含有する封止樹脂19が被覆されることとなる(図10(e))。
以上の製造プロセスにより、光源用半導体装置の封止樹脂19がガスバリア性の高い樹脂組成物16で被覆される。結果、封止樹脂19中を拡散し侵入してきた水や腐食性ガスから保護され、これらによる素子破壊や、リード部12C、12Dや樹脂容器20の凹部における銀メッキの変色が抑制され、信頼性の高い長寿命の光源用半導体装置とすることができる。
<効果>
また、以上の効果により、蛍光体を含有する封止樹脂19の表面が、樹脂組成物16で被覆されない場合よりも、発光強度を長寿命に維持することができる。気温85℃、湿度85%において点灯させた場合、樹脂組成物16で封止樹脂が被覆されない場合(従来例)には、発光強度が90%維持される時間が1200時間である。一方、本実施形態では、2000時間維持される。
(実施の形態3)
図11は、実施の形態3に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態2と異なる点は、図9の樹脂組成物16と蛍光体を含有する封止樹脂19との代わりに、蛍光体を含有した樹脂組成物21が樹脂容器20の凹部を充填している点と、と、反応性有機官能基含有のアルコキシシランがエポキシシクロヘキシルメチルジメトキシシランである点と、第2アルコキシシランの構成の点である。その他は実施の形態2と同様である。実施の形態2と同じところは説明を略する。
実施の形態3の半導体装置では、少なくともリード部12C、12Dを有するリードフレーム12と、凹部を有する樹脂容器20と、樹脂容器20の内側に配置され且つ、リード部12Dに、ダイボンド材により搭載された光源用半導体素子10と、光源用半導体素子10とリード部12C、12Dを電気的に接続する金属ワイヤ15と、蛍光体が配合された樹脂組成物21を備えている。
実施の形態3では、反応性有機官能基を有するアルコキシシランを少なくとも1種類、出発物質とした樹脂組成物21が蛍光体を含有し、樹脂容器20の凹部を充填している。このような構成とすることにより、水や腐蝕性ガスの侵入を抑制することができる。
特に腐食性ガスが硫化水素などの硫化ガスである場合、リード部12C、12Dの銀メッキ箇所や樹脂容器20の凹部表面の銀メッキの変色が抑制され、長寿命の発光半導体装置とすることが出来る。
実施の形態2では、蛍光体を含有する封止樹脂19上を、樹脂組成物16が被覆している。一方、本実施形態3では、ガスバリア性の高い樹脂組成物21を蛍光体含有樹脂として使用しているので、さらに高いガスバリア性となり、より長寿命の光源用半導体装置とすることができる。
<光源用半導体装置の製造方法>
実施の形態3の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能である。樹脂組成物21とその製法は本発明の実施の形態1と同様とすることが出来る。図12(a)から図12(d)は、実施の形態3の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
<樹脂組成物21>
まずは、樹脂組成物21の製法を説明する。第1アルコキシランである、反応性有機官能基を有するアルコキシシランからオリゴマーを調整し、次に、これに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。
具体的な製法を以下に述べる。
(1)オリゴマーの調製
反応性有機官能基としてグリシドキシ基を有するエポキシシクロヘキシルメチルジメトキシラン30gとアミン触媒1gの混合溶液を作製する。密閉系において、96時間室温で放置し、エポキシシクロヘキシル基同士の重合を促進させ、オリゴマーとした。反応性有機官能基としては、他にグリシドキシプロピル基などの環状エーテルおよびその誘導体含有基、スチリル基ビニル基、アルキニル基やこれら2重結合または3重結合含有構造の誘導体やそれらの含有基、チオールプロピル基、アミノプロピル基などとすることが出来、2種類以上の組合せでも良い。
スチリル基ビニル基およびその誘導体の場合には、ラジカル重合により樹脂組成物中にポリオレフィン構造を形成することができるのでよい。
チオールプロピル基やアミノプロピル基の場合には、グリシドキシプロピル基と併用することにより、グリシドキシプロピル基の重合を促進させることができるのでよい。
アミン触媒は、グリシドキシ基を開環重合させることのできるものであれば限定するものではなく、たとえば、鎖状脂肪族アミンとして、アルキルアミン類、例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンジエチルアミノプロピルアミン、環状脂肪族アミンとして、N−アミノエチルピペラジン、メンセンジアミン芳香族アミンとして、m−キシレンジアミンメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどとすることができる。
(2)ゾルの調製
室温でオリゴマー22gに第2金属アルコキシドしてフェニルトリメトキシシラン29.9gの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
(3)蛍光体の配合
このようにして得られたゾル溶液中に蛍光体を添加し分散する。分散には回転式攪拌翼やマグネチックスターラなどの方法で分散させることができる。蛍光体の分散性を高めるために揮発性の有機溶媒を添加してもよく、蛍光体をゾル溶液に配合した蛍光体ペーストを調整する。
蛍光体としては、限定されるものではなく、半導体発光素子の発する光に直接的または間接的に励起され、異なる波長の光を発する物質であればよく、さらに無機系蛍光体、有機系蛍光体について限定するものではない。
例えば、以下に例示するような核発光波長を有する蛍光体を少なくとも1種類使用することが出来、2種類以上を併用してもよい。種類と配合量を適宜調整することにより、所望の発光色を得ることが可能である。
蛍光体の配合量としては、ゾル溶液の重量に対して5%以上50%以下とすることができる。
5%より小さいと蛍光体の量が十分でなく、所望の発光色を得るのが難しい。
50%より大きいと、光源の光を遮蔽してしまい、光量が減少する。
また、白色光を得る場合には、本実施形態の場合、発光波長領域が概ね430nm以上500nm以下の青色であるので、青色を吸収し、黄色蛍光を発するという観点から黄色蛍光体を選択することが望ましい。
<青色蛍光体>
青色蛍光体としては、発光ピーク波長範囲が、420nm以上470nm以下の範囲にあるものを選択することができ、例えば(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO(Cl,F):Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO(Cl,F):Eu、(Ca,Sr,Ba)MgAl1017:Eu、(Ba,Ca,Mg,Sr)SiO:Eu、(Ba,Ca,Sr)MgSi:Euが好ましく、(Ba,Sr)MgAl1017:Eu、(Ca,Sr,Ba)10(PO(Cl,F):Eu、BaMgSi:Euがより好ましい。
<緑色蛍光体>
緑色蛍光体としては、発光ピーク波長範囲が、500nm以上535nm以下の範囲にあるものを選択することができ、例えばβ型サイアロン、(Sr,Ba)SiO:Eu、Y(Al,Ga)12:Ce、CaSc:Ce、Ca(Sc,Mg)Si12:Ce、(Ba,Sr)Si12:N:Eu、SrGa:Eu、BaMgAl1017:Eu,Mnなどとすることができる。
<黄色蛍光体>
黄色蛍光体としては、発光ピーク波長が、530nm以上580nm以下の範囲にあるものを選択することができ、例えばYAl12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、(Sr,Ca,Ba,Mg)SiO:Eu、(Ca,Sr)Si:Eu、(La,Y,Gd,Lu)(Si,Ge)11:Ceなどとすることができる。
<橙色ないし赤色蛍光体>
橙色ないし赤色蛍光体としては、発光ピーク波長が、570nm以上680nm以下の
範囲にあるものを選択することができ、例えば(Ca,Sr,Ba)Si(N,O):Eu、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O):Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O):Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、(La,Y)S:Eu、Eu(ジベンゾイルメタン)・1,10−フェナントロリン錯体等のβ−ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、KSiF:Mnが好ましく、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O):Eu、(Sr,Ca)AlSi(N,O):Eu、(La,Y)S:Eu、KSiF:Mnがより好ましい。
また、橙色蛍光体としては、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si5(N,O):Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O):Ceが好ましい。
尚、本実施形態では、青色励起によって、白色を得るという観点から黄色蛍光体であるYAl12:Ceを選択し、ゾル溶液10gに対して蛍光体を2.5g配合している。
(4)部材の組立
まず、図12(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して配置し、ペースト材料の硬化により搭載する(図12(b))。光源用半導体素子10の各電極と、リード部12C、12Dとを、それぞれ、金属ワイヤ15を用い、ワイヤボンディング手法によりそれぞれ接続する(図12(c))。
(5)蛍光体ペーストの充填
蛍光体ペーストを樹脂容器20の凹部にディスペンサーなど公知の滴下装置を使用し、滴下し、充填、その後硬化させる。滴下されたペースト内において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらに、チタノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
結果として、上記(1)オリゴマーの調製において形成された反応性有機官能基同士の重合鎖と、シロキサン骨格とが混在し、全体として架橋点密度が高い3次元ネットワークポリマー構造となる。且つ、蛍光体が配合されている樹脂組成物21によって、樹脂容器の凹部が充填されることとなる(図12(d))。
<効果>
以上の製造プロセスにより、光源用半導体装置において、封止樹脂がガスバリア性の高い樹脂組成物21で形成され、水や腐食性ガスの拡散による侵入が抑制され、これらによる素子破壊や、リード部12C、12Dや樹脂容器20の凹部における銀メッキの変色が抑制された信頼性の高い長寿命の光源用半導体装置とすることができる。
また以上の効果により、ガスバリア性の高い樹脂でない場合と比較して、光源用半導体素子10の発光強度は、長寿命に維持される。気温85℃、湿度85%において点灯させた時、光源用半導体素子10がガスバリア性の高い封止樹脂で被覆されない場合には、発光強度が90%維持される時間は、1200時間である。一方、本実施形態の構造で維持される時間は、2500時間である。
(実施の形態4)
図13は、実施の形態4に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態2と異なる点は、樹脂組成物22に無機充填材が配合されており、無機充填材が配合された樹脂組成物22が、樹脂容器20の凹部を充填された蛍光体を含有する封止樹脂19を保護している点と、第2アルコキシシランの構成の点であり、その他は実施の形態2と同様である。実施の形態2と同じところは説明を略する。
実施の形態4の半導体装置では、少なくともリード部12C、12Dを有するリードフレーム12と、凹部を有する樹脂容器20と、樹脂容器20の内側に配置され且つリード部12Dにダイボンド材搭載された光源用半導体素子10と、光源用半導体素子10と、リード部12C、リード部12Dと、電気的に接続する金属ワイヤ15と、蛍光体を含有する封止樹脂19と、大気との接触を妨げるように配置され被覆している樹脂組成物22を備えている。
さらに、樹脂組成物22には屈折率が近い無機充填材が配合されている。
実施の形態4では、反応性有機官能基を有するアルコキシシランを少なくとも1種類、
出発物質とし、無機充填材を含有した樹脂組成物22が、蛍光体を含有する封止樹脂19上に配置されていれば良い。このような構成とすることにより、水や腐蝕性ガスの蛍光体を含有する封止樹脂19中への侵入を抑制することが出来、特に腐食性ガスが硫化水素などの硫化ガスである場合、リード部12C、12Dの銀メッキ箇所や樹脂容器20の凹部表面の銀メッキの変色が抑制され、長寿命の発光半導体装置とすることが出来る。また、樹脂組成物22には無機充填材が配合されていることにより、後述する樹脂組成物22の脱水縮合時における収縮に起因するクラックなどを抑制することができ、さらにガスバリア性の高い硬化膜とすることができる。
<光源用半導体装置の製造方法>
実施の形態4の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能であり、樹脂組成物22とその製法は、本発明の実施の形態2と同様とすることが出来る。図14(a)から図14(e)は、実施の形態4の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
<樹脂組成物22の製法>
まずは、樹脂組成物22の製法を説明する。反応性有機官能基を有するアルコキシシランからオリゴマーを調整し、次にこれに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。さらに本実施形態ではゾル溶液に樹脂組成物22と屈折率の近いフィラーを配合する。
具体的な製法を以下に述べる。
・ オリゴマーの調製
第1金属アルコキシドとして、反応性有機官能基としてグリシドキシ基を有し、金属がシリコンであるグリシドキシプロピルトリメトキシシラン30gとアミン触媒1gの混合溶液を作製する。密閉系において、24時間室温で放置し、グリシドキシプロピル基同士の重合を促進させ、オリゴマーとした。金属アルコキシドとしては限定するものではなく、金属原子としては他に、チタン原子、アルミニウム原子などでもよく、反応性有機官能基としては、他にエポキシシクロヘキシル基などの環状エーテルおよびその誘導体含有基、スチリル基ビニル基、アルキニル基やこれら2重結合または3重結合含有構造の誘導体やそれらの含有基、チールプロピル基、アミノプロピル基などとすることが出来、2種類以上の組合せでも良い。
スチリル基ビニル基およびその誘導体の場合にはラジカル重合により樹脂組成物中にポリオレフィン構造を形成することができるのでよい。チオールプロピル基やアミノプロピル基の場合には、グリシドキシプロピル基と併用することにより、グリシドキシプロピル基の重合を促進させることができるのでよい。
アミン触媒は、グリシドキシ基を開環重合させることのできるものであれば限定するものではなく、たとえば、鎖状脂肪族アミンとしてアルキルアミン類、例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンジエチルアミノプロピルアミン、環状脂肪族アミンとして、N−アミノエチルピペラジン、メンセンジアミン、芳香族アミンとして、m−キシレンジアミンメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどとすることができる。

(2)ゾルの調製
室温でオリゴマー22gに第2金属アルコキシドとしてジメチルジエトキシシラン17.7gとフェニルトリメトキシシラン12.2gの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
(3)フィラーの添加
樹脂組成物22には強度付与、あるいは後の反応である脱水縮合時の収縮によるクラック防止のためにフィラーが含有されており、フィラーを含有させる場合には、上記のようにして得られたゾル溶液中にフィラーを添加し、回転式攪拌翼やマグネチックスターラなど方法で分散させることができる。充填材としては、後述するように透明性を損なわないため樹脂組成物22と屈折率が近いものとしてシリカフィラーとすることができ、溶融シリカや破砕フィラーなどとすることが出来る。
また、シリカフィラー表面をアルコキシシランで処理することは、その処理された表面と樹脂組成物22と相溶性が向上し、フィラー同士の凝集が抑制されるという点でさらに好ましい。フィラーの平均粒径としては、0.2μm以上100μm以下とすることが出来る。
2μmよりも小さいと、凝集し易くなり均一分散し難くなるため白濁などがおこる。
100μmより大きいと、沈降が激しく均一に分散することが困難となる。
フィラーの屈折率は、分散させた後に透明性が確保される必要から樹脂組成物22の屈折率と近いという観点から1.3以上1.6以下とすることができ、1.4以上1.5以下が透明性が向上しさらに望ましい。
また、充填材の添加量としては、上記で調整したゾルの重量に対して、その重量が1%以上70%以下とすることができ、さらに好ましくは2%以上、50%以下とすることができる。
1%より小さいと、硬化後の樹脂組成物22としての強度が十分でなくなる。70%より大きい場合には、凝集し易くなり透明性を維持するのが困難となる。2%以上の場合、ガスバリア性が向上するという観点でさらに好ましい。50%より小さい場合、分散性を維持させ易く透明とし易いためさらに好ましい。
また、フィラーとしては、屈折率が樹脂組成物22と近く、1.3以上1.6以上であれば限定するものではなく、シリカフィラー以外にも例えばアルミナイト、フッ化ソーダ、フッ化カルシウム、フッ化ランタン、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、無水シリカ、フッ石、カオリン、タルク、セリサイト、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ビニル樹脂などを使用することができる。
フィラーの分散性を高めるために揮発性の有機溶媒を添加してもよく、フィラーのゾル溶液を調整する。本実施形態では、樹脂組成物22と屈折率が近く透明性が維持されやすいといった観点から屈折率が1.47、平均粒径が200nmの溶融球状シリカフィラーを配合しており、その配合比はゾル溶液10gに対して溶融球状シリカフィラーが2.5gである。
(4)部材の組立
まず、図14(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して、ダイボンドとそれに続くペースと材料の硬化により搭載する(図14(b))。光源用半導体素子10の各電極と、リード部12C、12Dとを、それぞれ、金属ワイヤ15を用い、ワイヤボンディング手法によりそれぞれ接続する(図14(c))。
次に、樹脂容器20の凹部に、蛍光体と未硬化状態の封止樹脂の混合物であるペースト材料をディスペンサーにより適量充填した。その後、ペースト材料を加熱により硬化させて蛍光体を含有する封止樹脂19とした(図14(d))。
(5)樹脂組成物22の形成
充填材が配合されたゾル溶液を蛍光体を含有する封止樹脂19の上部、大気と露出した箇所に滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらにシラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
結果として、上記(1)のプロセスによって形成された反応性有機官能基同士の重合鎖とシロキサン骨格が混在した全体として架橋点密度が高い3次元ネットワークポリマー構造からなり、さらに配合されたシリカフィラーにより、脱水縮合による収縮が抑制され、クラックが起こりにくい樹脂組成物22によって蛍光体を含有する封止樹脂19が被覆されることとなる(図14(e))。
以上の製造プロセスにより、光源用半導体装置において、樹脂組成物22からなる封止樹脂に無機充填材が配合され、クラックが起こりにくく、且つ架橋点密度の高く従ってガスバリア性の高い樹脂組成物22で被覆され、水や腐蝕性ガスの拡散による侵入が抑制され、これらによる素子破壊や、リード部12C、12Dや樹脂容器20の凹部における銀メッキの変色が抑制された信頼性の高い長寿命の光源用半導体装置とすることができる。
(効果)
また以上の効果により、蛍光体を含有する封止樹脂19の表面が樹脂組成物22で被覆されない場合よりも発光強度を長寿命に維持することができる。気温85℃、湿度85%において点灯させた場合、樹脂組成物22で封止樹脂が被覆されない場合には、発光強度が90%維持される時間が1200時間であるのに対し、本実施形態では、1500時間維持される。
(実施の形態5)
図15は、実施の形態5に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態2と異なる点は、樹脂組成物23の出発原料の少なくとも一つである反応性有機官能基を有するアルコキシシランにおける反応性有機官能基が、ラジカル重合性官能基である点と、第2アルコキシシランの構成の点であり、その他は実施の形態2と同様である。実施の形態2と同じところは説明を略する。
実施の形態5の半導体装置では、少なくともリード部12C、12Dを有するリードフレーム12と、凹部を有する樹脂容器20と、樹脂容器20の内側に配置され且つ、リード部12Dに、ダイボンド材で搭載された光源用半導体素子10と、光源用半導体素子10、リード部12C、リード部12Dを電気的に接続する金属ワイヤ15と、蛍光体を含有する封止樹脂19と大気との接触を妨げるように配置され、被覆している樹脂組成物23と、を備えている。
実施の形態5では、反応性有機官能基を有するアルコキシシランを少なくとも1種類、出発物質とする。この時、反応性有機官能基が、ラジカル重合性有機官能基であり、樹脂組成物23を作製する際に、予めラジカル重合有機官能基を例えば紫外線などで硬化させてオリゴマーとする。これを同一または異なるアルコキシシラン液体に膨潤させ、ゾル溶液にする。このゾル溶液のゾルゲル反応による樹脂組成物23が、蛍光体を含有する封止樹脂19上に配置されていれば良い。
ここで、ラジカル重合性有機官能基とは、熱や紫外線の照射によりラジカル重合開始剤などにより開始するラジカル反応により重合することのできる有機官能基であり、例えばビニル基を有する(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリロイルアミノ基、ビニルアリール基、ビニルエーテル基、ビニルオキシカルボニル基等とすることができる。
このような構成とすることにより、水や腐蝕性ガスの蛍光体を含有する封止樹脂19中への侵入を抑制することができる。
特に腐食性ガスが硫化水素などの硫化ガスである場合、リード部12C、リード部12Dの銀メッキ箇所や樹脂容器20の凹部表面の銀メッキの変色が抑制され、長寿命の発光半導体装置とすることが出来る。
また、樹脂組成物23を作製するプロセスにおけるオリゴマーを作製する際には、紫外線などを照射することで迅速に作製することができ、生産性高く、ガスバリア性の高い硬化膜とすることができる。
<光源用半導体装置の製造方法>
実施の形態5の製造プロセスとしては、例えば、次に説明するような工法が可能である。樹脂組成物23とその製法は、本発明の実施の形態1、2と同様とすることが出来る。図16(a)から図16(e)は、実施の形態5の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
まずは、樹脂組成物23の製法を説明する。反応性有機官能基を有するアルコキシシランからオリゴマーを調整し、次にこれに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。
具体的な製法を以下に述べる。
(1)オリゴマーの調製
反応性有機官能基としてスチリル基を有するスチリルトリメトキシシラン(化学式(5))30gと重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド0.1gの混合溶液を作製した。その後、紫外線を約1分間照射し、スチリル基同士のラジカル重合を促進させ、オリゴマー(化学式(6))とした。
反応性有機官能基としてはラジカル重合が可能なものであれば限定するものではない。他のラジカル重合性官能基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリロイルアミノ基、ビニルアリール基、ビニルエーテル基、ビニルオキシカルボニル基等のラジカル重合性基を1分子内に1つ以上有する化合物等を挙げることができ、2種類以上の組合せでも良い。
Figure 0006655785
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本実施形態において重合開始剤は添加してもよく、添加しなくともよい。
重合開始剤としては、熱重合開始剤、光重合開始剤などのラジカル重合を誘起するものを使用することができる。
熱重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物(アゾ系ラジカル重合開始剤)などが挙げられる。有機過酸化物としては、ケトンパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類(過酸化ベンゾイルなど)、パーカーボネート類、ハイドロパーオキシド類、パーオキシケタール類、アルキルパーエステル類などが例示される。アゾ化合物としては、例えば、アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、2,2’−アゾビス(イソ酪酸)ジメチルなどが挙げられる。
これらの中でも、有機過酸化物、特にラジカル重合性樹脂組成物を硬化させる際に気泡が発生しないという観点から過酸化ベンゾイル等のジアシルパーオキシド類などのパーオキシド系ラジカル重合開始剤を好適に使用することができる。
光重合開始剤としては、例えば、ジメトキシアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンジルジメチルケトン、アセトフェノンベンジル、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ジフェニルジサルファイ、ジメトキシフェニルアセトフェノン等を挙げることができ、2種以上を併用してもよい。
ラジカル重合性樹脂組成物に重合開始剤を添加する場合、その添加量としては、ラジカル重合性樹脂組成物中のラジカル重合性化合物(ラジカル重合性樹脂と他のラジカル重合性化合物の総重量)に対して0.01〜50重量%程度、好ましくは0.1〜20重量%程度である。
(2)ゾルの調製
室温でオリゴマー22gに第2アルコキシシランとしてジメチルジエトキシシラン17.7gとフェニルトリメトキシシラン12.2gとの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
(3)部材の組立
まず、図16(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して、方法でダイボンドとそれに続くペースと材料の硬化により搭載する(図16(b))。光源用半導体素子10の各電極と、リード部12C、12Dとを、金属ワイヤ15を用い、ワイヤボンディング手法によりそれぞれ接続する(図16(c))。
次に、樹脂容器20の凹部に、蛍光体と未硬化状態の封止樹脂の混合物であるペースト材料をディスペンサーにより適量充填した。その後、ペースト材料を加熱により硬化させて蛍光体を含有する封止樹脂19とした(図16(d))。
(4)樹脂組成物23の形成
充填材が配合されたゾル溶液を、封止樹脂19の上部、大気と露出した箇所に滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解され、シラノール基となる。さらに、シラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
結果として、上記(1)のプロセスによって形成された反応性有機官能基同士のラジカル重合鎖とシロキサン骨格が混在した全体として架橋点密度が高い3次元ネットワークポリマー構造からなる樹脂組成物23によって蛍光体を含有する封止樹脂19が被覆されることとなる(図16(e))。
以上の製造プロセスにより、光源用半導体装置において、ラジカル重合性官能基のラジカル重合鎖とシロキサン骨格が混在するため架橋点密度の高く従ってガスバリア性の高い樹脂組成物23で被覆される。結果、水や腐蝕性ガスの拡散による侵入が抑制され、これらによる素子破壊や、リード部12C、12Dや樹脂容器20の凹部における銀メッキの変色が抑制された信頼性の高い長寿命の光源用半導体装置とすることができる。
<効果>
また、以上の効果により、実施の形態5の構造では、蛍光体を含有する封止樹脂19の表面が樹脂組成物23で被覆されない構造よりも、発光強度を長寿命に維持することができる。気温85℃、湿度85%において点灯させた場合、樹脂組成物23で封止樹脂19が被覆されない場合には、発光強度が90%維持される時間が1200時間である。一方、本実施の形態5では、1300時間以上維持される。
なお、実施の形態1から5は組み合わせることができる。光源用半導体素子10は、光源用半導体素子だけでなく、半導体素子でもよい。
以上説明したように、本発明の保護膜とそれを使用した半導体装置は、信頼性の高い半
導体装置として広く使用される。
10 光源用半導体素子
11 ペースト材料
12 リードフレーム
12A ダイパッド部
12B 外部端子
12C リード部
12D リード部
13 接着材
14 放熱板
15 金属ワイヤ
16、21,22,23 樹脂組成物
17 封止樹脂
19 封止樹脂
20 樹脂容器
50 銅基板
51 銀メッキ面
52 塗布物
55 バイアル瓶
56 硫化水素
57 塩酸
58 硫化鉄
100 基板
101 光源用半導体素子
102 樹脂体
103 板ガラス
104 シリコーン樹脂
109 封止樹脂

Claims (7)

  1. 反応性有機官能基を有する第1金属アルコキシドの前記反応性有機官能基を重合させる重合工程と、
    前記重合でゲル状態となったものを、少なくとも1種類以上の第2金属アルコキシド膨潤させ、ゾルゲル反応させるゾルゲル工程と、
    を含む樹脂組成物の製造方法。
  2. 前記重合工程では、前記第1金属アルコキシドと触媒のみを混合する請求項1記載の樹脂組成物の製造方法。
  3. 前記重合工程は、密閉系で行われる請求項1または2記載の樹脂組成物の製造方法。
  4. 前記触媒は、アミン触媒である請求項2または3記載の樹脂組成物の製造方法。
  5. 前記反応性有機官能基が、グリシドキシプロピル基を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物の製造方法。
  6. 前記反応性有機官能基が、エポキシシクロヘキシル基を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の含む樹脂組成物の製造方法。
  7. 半導体素子を、
    前記請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の製造方法で、製造された樹脂組成物で、半導体素子を覆う、半導体素子の製造方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6459880B2 (ja) * 2015-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2017094832A1 (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 東レ株式会社 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法
DE112017002058B4 (de) * 2016-04-18 2023-10-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102016115921B9 (de) * 2016-08-26 2024-02-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN107037042A (zh) * 2016-10-19 2017-08-11 中国石油化工股份有限公司 一种腐蚀监测涂层
WO2019039541A1 (ja) * 2017-08-25 2019-02-28 国立大学法人京都大学 低密度ゲル体とその製造方法
US10727379B2 (en) * 2018-02-16 2020-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Methods for producing a conversion element and an optoelectronic component
US11349051B2 (en) 2019-05-10 2022-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device and method of producing an optoelectronic device
DE102022133937A1 (de) 2022-12-19 2024-06-20 Innovative Sensor Technology Ist Ag Elektrisches oder elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung eines solchen Bauelements

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003313233A (ja) * 2002-04-26 2003-11-06 Toyota Motor Corp ゾルゲル法による有機無機複合体の製造方法
US6784025B2 (en) * 2002-11-20 2004-08-31 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Semiconductor package with a die attach adhesive having silane functionality
US7288283B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-30 Guardian Industries, Corp. UV-absorbing coatings and methods of making the same
US9125968B2 (en) * 2005-03-30 2015-09-08 Boston Scientific Scimed, Inc. Polymeric/ceramic composite materials for use in medical devices
EP1787712A1 (de) * 2005-11-17 2007-05-23 Sika Technology AG Mischvorrichtung für Flüssigkeiten
CN101432331A (zh) * 2006-04-26 2009-05-13 积水化学工业株式会社 光半导体用热固化性组合物、光半导体元件用固晶材料、光半导体元件用底填材料、光半导体元件用密封剂及光半导体元件
US20090088547A1 (en) * 2006-10-17 2009-04-02 Rpo Pty Limited Process for producing polysiloxanes and use of the same
DE102008000584A1 (de) * 2008-03-10 2009-09-17 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Kompositpartikeln
JP2011108899A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
DE112011101961T5 (de) * 2010-06-08 2013-03-21 Dic Corporation Dichtungsmaterial, Solarzellenmodul und Leuchtdiode
CN103249473B (zh) * 2010-12-07 2016-01-13 东丽株式会社 复合半透膜及其制造方法
US10450221B2 (en) * 2011-02-24 2019-10-22 Owens-Brockway Glass Container Inc. Hybrid sol-gel coated glass containers
JP5623952B2 (ja) * 2011-03-25 2014-11-12 富士フイルム株式会社 太陽電池用ポリマーシート及びその製造方法、太陽電池用バックシート、並びに太陽電池モジュール
JP2012241059A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Mitsubishi Chemicals Corp 熱硬化性樹脂組成物、半導体デバイス用部材、及びそれを用いた半導体デバイス
JP5987580B2 (ja) * 2011-10-03 2016-09-07 三菱化学株式会社 硬化性ポリシロキサン組成物の製造方法
JP5661657B2 (ja) 2012-01-16 2015-01-28 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、蛍光体含有波長変換フィルム、及びそれらの硬化物
JP6034369B2 (ja) * 2012-03-29 2016-11-30 積水化学工業株式会社 積層体
JP2014051090A (ja) * 2012-08-09 2014-03-20 Sekisui Chem Co Ltd 積層体
CN103275322B (zh) * 2013-06-05 2015-07-15 东莞理工学院 一种聚硅氧烷及其催化合成方法
CN103319716B (zh) * 2013-06-17 2016-06-29 青岛福凯橡塑新材料有限公司 硅树脂及其制备方法
JP2015207572A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池モジュールとその製造方法
JP2015207648A (ja) * 2014-04-21 2015-11-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池モジュール

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