JP6655785B2 - 樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 - Google Patents
樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6655785B2 JP6655785B2 JP2015046350A JP2015046350A JP6655785B2 JP 6655785 B2 JP6655785 B2 JP 6655785B2 JP 2015046350 A JP2015046350 A JP 2015046350A JP 2015046350 A JP2015046350 A JP 2015046350A JP 6655785 B2 JP6655785 B2 JP 6655785B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resin composition
- resin
- light source
- organic functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 117
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 64
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 41
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 24
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 119
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 119
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 75
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 59
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 44
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 22
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 17
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 16
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 15
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 12
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 12
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 12
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 10
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 10
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 10
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 8
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 6
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 3
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 3
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N Ferrous sulfide Chemical compound [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical group C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012933 diacyl peroxide Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005045 1,10-phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNBMZFHIYRDKNS-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-1-phenylethanone Chemical compound COC(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 LNBMZFHIYRDKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Natural products CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Natural products CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WDZULFANRYMTQB-UHFFFAOYSA-N CN(CCCO)[O]#C Chemical compound CN(CCCO)[O]#C WDZULFANRYMTQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282693 Cercopithecidae Species 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910001586 aluminite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N dibenzoylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 150000002432 hydroperoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JRSJRHKJPOJTMS-MDZDMXLPSA-N trimethoxy-[(e)-2-phenylethenyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)\C=C\C1=CC=CC=C1 JRSJRHKJPOJTMS-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
- C08G65/02—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from cyclic ethers by opening of the heterocyclic ring
- C08G65/04—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from cyclic ethers by opening of the heterocyclic ring from cyclic ethers only
- C08G65/22—Cyclic ethers having at least one atom other than carbon and hydrogen outside the ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
金属アルコキシドとは、アルコールのヒドロキシル基の水素をある金属に置き換えたものである。
図2は、実施の形態1に係る半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態1の半導体装置は、少なくともダイパッド部12Aと外部端子12Bとを有するリードフレーム12と、ペースト材料11と、光源用半導体素子10と、光源用半導体素子10と外部端子12Bとを接続する金属ワイヤ15と、放熱板14と、放熱板14とダイパッド部12Aとを接着する接着材13と、少なくとも光源用半導体素子10を被覆する樹脂組成物16(樹脂組成物)と、封止樹脂17を備えている。
樹脂組成物16は、少なくとも1種類以上の金属アルコキシドの重合により形成された重合体であり、ゾルゲル法で作製された重合体である。さらに、金属アルコキシドの少なくとも1種類には、反応性有機官能基が含有される。
(1)原料
樹脂組成物16の原料としては、少なくとも1種類の反応性有機官能基を有する第1アルコキシシランを出発原料とする。樹脂組成物16は、シロキサン骨格を基本とした樹脂組成物であり、シロキサン骨格中のシリコン原子に結合した反応性有機官能基同士もまた反応し重合した硬化体である。
まず、第1アルコキシシランとして、グリシドキシプロピルトリメトキシシランを低濃度の塩基性触媒の存在下で、グリシドキシ基同士を開環重合させ、オリゴマー(化学式(4))とする。
上記の様にして得られたゾル溶液を、予めリードフレーム12(図2)に搭載された光源用半導体素子10に塗布し、大気中で乾燥させる。塗布後、液体は空気中の水に触れることとなり、ゾル溶液中のアルコキシ基の加水分解とそれによって生じるシラノール同士の脱水縮合反応を進行させることにより、ゾルがゲルとなり、樹脂組成物16となる。
<第1金属アルコキシド>
ここで、第1金属アルコキシドは、反応性有機官能基を有するという観点から、XpYqZ r M(OR1)l(OR2)m(OR3)nにより表される金属アルコキシドであり、以下のものがよい。
p、q、r、l、m、nが整数、p+q+r、l+m+nがそれぞれ1〜3の整数であり、p+q+r+l+m+n=4、Mとしては、金属原子であり、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、スズなどが考えられる。これら金属のアルコキシ基がついたものは、ゾルゲル反応の制御がし易いといった観点で好適である。
X、Y、Zのうち少なくとも1つは、オリゴマーを形成できるという観点から反応性有機官能基であり、たとえば、グリシドキシプロピル基や、エポキシシクロヘキシル基などの環状エーテル含有構造、および、その誘導体含有基、スチリル基、ビニル基、アルキニル基やこれら2重結合または3重結合含有構造の誘導体やそれらの含有基、チオールプロピル基、アミノプロピル基などとすることができる。また、X、Y、Zのうち反応性有機官能基でないものは、限定するものではないが、例えば炭素数が1〜10の炭化水素基とすることができる。炭素数が11より大きい官能基では、立体障害が大きくなり重合によりオリゴマーや金属酸化物骨格が形成される際に重合が阻害され、重合体の形成が困難となるためである。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、フェニル基およびその誘導体、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、やこれらの環状構造を含めた異性体の炭化水素基等が挙げられる。
光反応、熱反応あるいはそれらの組合せなど反応誘起方法を適宜選択することが出来る。
スチリル基、ビニル基およびその誘導体の場合、ラジカル重合により樹脂組成物22中にポリオレフィン構造を形成することができる。
チオールプロピル基やアミノプロピル基の場合、グリシドキシプロピル基と併用することにより、グリシドキシプロピル基の重合を促進させることができる。
ここで、第2金属アルコキシドとしては、p、q、r、l、m、nがいずれも整数であり、且つp+q+rおよびl+m+nがいずれも1〜3の整数であり、かつp+q+r+l+m+n=4として、EpFqGr M(OR1)l(OR2)m(OR3)nにより表され、Mとしては、金属原子であり、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、スズである金属アルコキシドであるか、もしくは、第1金属アルコキシドと同じでも良い。
アルコキシ基は、第1金属アルコキシドから形成されたオリゴマーと金属酸化物骨格を形成するために必要であり、R1、R2,R3は上記と同様の炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。E,F,Gとしては、限定するものではないが、炭素数が1〜10の炭化水素基とすることができる。炭素数が11より大きい官能基では、立体障害が大きくなり重合により樹脂組成物が形成される際に重合が阻害され、重合体の形成が困難となるためである。また、第1金属アルコキシドから形成されるオリゴマーを溶解または膨潤させやすくするために、化学的に安定であるという観点から、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、フェニル基およびその誘導体、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、や環状構造を含めたこれらの異性体の炭化水素基等とすることができる。化学的に安定でない官能基の場合、官能基同士が反応し、第2金属アルコキシシランもまたオリゴマーとなってしまい、第1金属アルコキシドから形成されるオリゴマーを溶解または膨潤させることが困難となる。
実施の形態1の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能である。図3(a)から図3(e)は、実施の形態1の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
第1金属アルコキシドとして、反応性有機官能基としてグリシドキシ基を有し、金属がシリコンであるグリシドキシプロピルトリメトキシシラン30gと、アミン触媒1gとの混合溶液を作製する。密閉系において、24時間室温で放置し、グリシドキシプロピル基同士の重合を促進させ、オリゴマーとした。
室温でオリゴマー22gに、第2金属アルコキシドとしてジメチルジエトキシシラン17.7gとフェニルトリメトキシシラン12.2gの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
図3(a)のように、リードフレーム12のダイパッド部12A上にペースト材料11を、適当量塗布し、さらにペースト材料11上に光源用半導体素子10を搭載する。ペースト材料11の塗布には、ディスペンサーを、光源用半導体素子10の搭載には、ダイボンダーを使用することが可能である。
上記ゾル溶液を、少なくとも光源用半導体素子10の表面に適量滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらにシラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
次に、図3(e)では、図3(d)の構造物を、適当な温度に加熱した封止金型内に設置し、エポキシ系の封止樹脂17を、構造物の周辺に押圧充填させ、硬化させる。
また、以上の効果により、光源用半導体素子が樹脂組成物16で被覆されない場合よりも光源用半導体素子を長寿命に保護することができる。気温85℃、湿度85%において600Vの駆動電圧を印加し続けた場合、樹脂組成物16がない場合には450時間まで短絡電流が発生しないが、樹脂組成物16で保護した本実施例では少なくとも1200時間以上短絡電流が発生しない。
以下で上記一形態の樹脂組成物16を評価した。
(1)透過率
実施の形態1において作製した上記ゾルをガラス基板上で硬化させ、500μm厚みとした。このものの透過率スペクトルを図4に示す。図4で、横軸は光の波長で、縦軸は透過率である。波長が450nmから700nmでの可視域で、ゾルの透過率は、99.8%以上であった。ゾルの透明度は、高い。ゾルは、透明性が必要な用途でも使用できる。ゾルは、以下で示すLEDの封止材にも使用できる。
実施の形態1において作製した上記ゾルをガラス基板上で硬化させた。500μm厚みとした樹脂組成物16の表面のFT−IR(Fourier Transform Infrared Spectroscopyの略、フーリエ変換赤外分光法)の測定をした。その結果を図5に示す。図5では、横軸が赤外線の波数、縦軸が吸光度である。実施例は、実施の形態1において作製した樹脂組成物16、比較例は、グリシドキシプロピルトリメトキシシランを予めオリゴマーとせず、フェニルトリメトキシシランとジメチルジエトキシシランと実施例と同量混合し、酢酸0.2mlを添加し、熱硬化させたものである。
図6に試験用の銅基板50の平面図を示す。実施の形態1において作製したゾルを銅基板50上の銀メッキ面51に、塗布物52として塗布し、硬化させた。最大厚みは、約500μmとした。これを、実施例とした。
図9は、実施の形態2に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。
成されることができる。
実施の形態2の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能である。樹脂組成物16とその製法は、本発明の実施の形態1と同様とすることが出来る。
まずは、反応性有機官能基を有するアルコキシシランからオリゴマーを調整し、次にこれに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。
実施の形態1と同様である。
室温でオリゴマー22gに第2金属アルコキシドとしてジメチルジエトキシシラン17.8gを添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
まず、図10(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して、ダイボンドとそれに続くペースト材料の硬化により搭載する(図10(b))。
ゾル溶液を、蛍光体を含有する封止樹脂19の上部の大気と露出した箇所に滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらに、シラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。結果として、上記(1)のオリゴマーの調製において形成された反応性有機官能基同士の重合鎖とシロキサン骨格が混在した全体として架橋点密度が高い3次元ネットワークポリマー構造からなる樹脂組成物16によって蛍光体を含有する封止樹脂19が被覆されることとなる(図10(e))。
また、以上の効果により、蛍光体を含有する封止樹脂19の表面が、樹脂組成物16で被覆されない場合よりも、発光強度を長寿命に維持することができる。気温85℃、湿度85%において点灯させた場合、樹脂組成物16で封止樹脂が被覆されない場合(従来例)には、発光強度が90%維持される時間が1200時間である。一方、本実施形態では、2000時間維持される。
図11は、実施の形態3に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態2と異なる点は、図9の樹脂組成物16と蛍光体を含有する封止樹脂19との代わりに、蛍光体を含有した樹脂組成物21が樹脂容器20の凹部を充填している点と、と、反応性有機官能基含有のアルコキシシランがエポキシシクロヘキシルメチルジメトキシシランである点と、第2アルコキシシランの構成の点である。その他は実施の形態2と同様である。実施の形態2と同じところは説明を略する。
実施の形態3の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能である。樹脂組成物21とその製法は本発明の実施の形態1と同様とすることが出来る。図12(a)から図12(d)は、実施の形態3の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
まずは、樹脂組成物21の製法を説明する。第1アルコキシランである、反応性有機官能基を有するアルコキシシランからオリゴマーを調整し、次に、これに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。
具体的な製法を以下に述べる。
反応性有機官能基としてグリシドキシ基を有するエポキシシクロヘキシルメチルジメトキシラン30gとアミン触媒1gの混合溶液を作製する。密閉系において、96時間室温で放置し、エポキシシクロヘキシル基同士の重合を促進させ、オリゴマーとした。反応性有機官能基としては、他にグリシドキシプロピル基などの環状エーテルおよびその誘導体含有基、スチリル基、ビニル基、アルキニル基やこれら2重結合または3重結合含有構造の誘導体やそれらの含有基、チオールプロピル基、アミノプロピル基などとすることが出来、2種類以上の組合せでも良い。
チオールプロピル基やアミノプロピル基の場合には、グリシドキシプロピル基と併用することにより、グリシドキシプロピル基の重合を促進させることができるのでよい。
室温でオリゴマー22gに第2金属アルコキシドしてフェニルトリメトキシシラン29.9gの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
このようにして得られたゾル溶液中に蛍光体を添加し分散する。分散には回転式攪拌翼やマグネチックスターラなどの方法で分散させることができる。蛍光体の分散性を高めるために揮発性の有機溶媒を添加してもよく、蛍光体をゾル溶液に配合した蛍光体ペーストを調整する。
5%より小さいと蛍光体の量が十分でなく、所望の発光色を得るのが難しい。
50%より大きいと、光源の光を遮蔽してしまい、光量が減少する。
青色蛍光体としては、発光ピーク波長範囲が、420nm以上470nm以下の範囲にあるものを選択することができ、例えば(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6(Cl,F)2:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6(Cl,F)2:Eu、(Ca,Sr,Ba)MgAl10O17:Eu、(Ba,Ca,Mg,Sr)2SiO4:Eu、(Ba,Ca,Sr)3MgSi2O8:Euが好ましく、(Ba,Sr)MgAl10O17:Eu、(Ca,Sr,Ba)10(PO4)6(Cl,F)2:Eu、Ba3MgSi2O8:Euがより好ましい。
緑色蛍光体としては、発光ピーク波長範囲が、500nm以上535nm以下の範囲にあるものを選択することができ、例えばβ型サイアロン、(Sr,Ba)2SiO4:Eu、Y3(Al,Ga)5O12:Ce、CaSc2O4:Ce、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce、(Ba,Sr)3Si6O12:N2:Eu、SrGa2S4:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mnなどとすることができる。
黄色蛍光体としては、発光ピーク波長が、530nm以上580nm以下の範囲にあるものを選択することができ、例えばY3Al5O12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、(Sr,Ca,Ba,Mg)2SiO4:Eu、(Ca,Sr)Si2N2O2:Eu、(La,Y,Gd,Lu)3(Si,Ge)6N11:Ceなどとすることができる。
橙色ないし赤色蛍光体としては、発光ピーク波長が、570nm以上680nm以下の
範囲にあるものを選択することができ、例えば(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si(N,O)2:Eu、(Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O)3:Eu、(Sr,Ba)3SiO5:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、(La,Y)2O2S:Eu、Eu(ジベンゾイルメタン)3・1,10−フェナントロリン錯体等のβ−ジケトン系Eu錯体、カルボン酸系Eu錯体、K2SiF6:Mnが好ましく、(Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8:Eu、(Sr,Ca)AlSi(N,O):Eu、(La,Y)2O2S:Eu、K2SiF6:Mnがより好ましい。
尚、本実施形態では、青色励起によって、白色を得るという観点から黄色蛍光体であるY3Al5O12:Ceを選択し、ゾル溶液10gに対して蛍光体を2.5g配合している。
まず、図12(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して配置し、ペースト材料の硬化により搭載する(図12(b))。光源用半導体素子10の各電極と、リード部12C、12Dとを、それぞれ、金属ワイヤ15を用い、ワイヤボンディング手法によりそれぞれ接続する(図12(c))。
蛍光体ペーストを樹脂容器20の凹部にディスペンサーなど公知の滴下装置を使用し、滴下し、充填、その後硬化させる。滴下されたペースト内において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらに、チタノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
以上の製造プロセスにより、光源用半導体装置において、封止樹脂がガスバリア性の高い樹脂組成物21で形成され、水や腐食性ガスの拡散による侵入が抑制され、これらによる素子破壊や、リード部12C、12Dや樹脂容器20の凹部における銀メッキの変色が抑制された信頼性の高い長寿命の光源用半導体装置とすることができる。
図13は、実施の形態4に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態2と異なる点は、樹脂組成物22に無機充填材が配合されており、無機充填材が配合された樹脂組成物22が、樹脂容器20の凹部を充填された蛍光体を含有する封止樹脂19を保護している点と、第2アルコキシシランの構成の点であり、その他は実施の形態2と同様である。実施の形態2と同じところは説明を略する。
さらに、樹脂組成物22には屈折率が近い無機充填材が配合されている。
出発物質とし、無機充填材を含有した樹脂組成物22が、蛍光体を含有する封止樹脂19上に配置されていれば良い。このような構成とすることにより、水や腐蝕性ガスの蛍光体を含有する封止樹脂19中への侵入を抑制することが出来、特に腐食性ガスが硫化水素などの硫化ガスである場合、リード部12C、12Dの銀メッキ箇所や樹脂容器20の凹部表面の銀メッキの変色が抑制され、長寿命の発光半導体装置とすることが出来る。また、樹脂組成物22には無機充填材が配合されていることにより、後述する樹脂組成物22の脱水縮合時における収縮に起因するクラックなどを抑制することができ、さらにガスバリア性の高い硬化膜とすることができる。
実施の形態4の製造プロセスとしては、例えば次に説明するような工法が可能であり、樹脂組成物22とその製法は、本発明の実施の形態2と同様とすることが出来る。図14(a)から図14(e)は、実施の形態4の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
まずは、樹脂組成物22の製法を説明する。反応性有機官能基を有するアルコキシシランからオリゴマーを調整し、次にこれに第2アルコキシシランを添加し、ゾル溶液を調整する。さらに本実施形態ではゾル溶液に樹脂組成物22と屈折率の近いフィラーを配合する。
・ オリゴマーの調製
第1金属アルコキシドとして、反応性有機官能基としてグリシドキシ基を有し、金属がシリコンであるグリシドキシプロピルトリメトキシシラン30gとアミン触媒1gの混合溶液を作製する。密閉系において、24時間室温で放置し、グリシドキシプロピル基同士の重合を促進させ、オリゴマーとした。金属アルコキシドとしては限定するものではなく、金属原子としては他に、チタン原子、アルミニウム原子などでもよく、反応性有機官能基としては、他にエポキシシクロヘキシル基などの環状エーテルおよびその誘導体含有基、スチリル基、ビニル基、アルキニル基やこれら2重結合または3重結合含有構造の誘導体やそれらの含有基、チオールプロピル基、アミノプロピル基などとすることが出来、2種類以上の組合せでも良い。
室温でオリゴマー22gに第2金属アルコキシドとしてジメチルジエトキシシラン17.7gとフェニルトリメトキシシラン12.2gの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
樹脂組成物22には強度付与、あるいは後の反応である脱水縮合時の収縮によるクラック防止のためにフィラーが含有されており、フィラーを含有させる場合には、上記のようにして得られたゾル溶液中にフィラーを添加し、回転式攪拌翼やマグネチックスターラなど方法で分散させることができる。充填材としては、後述するように透明性を損なわないため樹脂組成物22と屈折率が近いものとしてシリカフィラーとすることができ、溶融シリカや破砕フィラーなどとすることが出来る。
100μmより大きいと、沈降が激しく均一に分散することが困難となる。
まず、図14(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して、ダイボンドとそれに続くペースと材料の硬化により搭載する(図14(b))。光源用半導体素子10の各電極と、リード部12C、12Dとを、それぞれ、金属ワイヤ15を用い、ワイヤボンディング手法によりそれぞれ接続する(図14(c))。
充填材が配合されたゾル溶液を蛍光体を含有する封止樹脂19の上部、大気と露出した箇所に滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解されシラノール基となり、さらにシラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
また以上の効果により、蛍光体を含有する封止樹脂19の表面が樹脂組成物22で被覆されない場合よりも発光強度を長寿命に維持することができる。気温85℃、湿度85%において点灯させた場合、樹脂組成物22で封止樹脂が被覆されない場合には、発光強度が90%維持される時間が1200時間であるのに対し、本実施形態では、1500時間維持される。
図15は、実施の形態5に係る光源用半導体装置の構造を示す断面図である。実施の形態2と異なる点は、樹脂組成物23の出発原料の少なくとも一つである反応性有機官能基を有するアルコキシシランにおける反応性有機官能基が、ラジカル重合性官能基である点と、第2アルコキシシランの構成の点であり、その他は実施の形態2と同様である。実施の形態2と同じところは説明を略する。
実施の形態5の製造プロセスとしては、例えば、次に説明するような工法が可能である。樹脂組成物23とその製法は、本発明の実施の形態1、2と同様とすることが出来る。図16(a)から図16(e)は、実施の形態5の組立プロセスを表す各工程の断面図である。
反応性有機官能基としてスチリル基を有するスチリルトリメトキシシラン(化学式(5))30gと重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド0.1gの混合溶液を作製した。その後、紫外線を約1分間照射し、スチリル基同士のラジカル重合を促進させ、オリゴマー(化学式(6))とした。
室温でオリゴマー22gに第2アルコキシシランとしてジメチルジエトキシシラン17.7gとフェニルトリメトキシシラン12.2gとの混合物を添加し、密閉系において24時間放置し、ゾル溶液とする。
まず、図16(a)のように白色樹脂の射出成型により、銀メッキされたリード部12C、12Dを一体化したリードフレームに凹部を有する樹脂容器20を形成する。次に樹脂容器20の凹部底面において、光源用半導体素子10を、カソード用のリード部12D上に、ペースト材料11を介して、方法でダイボンドとそれに続くペースと材料の硬化により搭載する(図16(b))。光源用半導体素子10の各電極と、リード部12C、12Dとを、金属ワイヤ15を用い、ワイヤボンディング手法によりそれぞれ接続する(図16(c))。
充填材が配合されたゾル溶液を、封止樹脂19の上部、大気と露出した箇所に滴下し、大気中において少なくとも1時間以上放置し硬化させる。滴下されたゾル溶液において、原料であるアルコキシシラン由来のアルコキシ基が大気中の水分子により加水分解され、シラノール基となる。さらに、シラノール基同士の脱水縮合により、シロキサン骨格が形成される。
また、以上の効果により、実施の形態5の構造では、蛍光体を含有する封止樹脂19の表面が樹脂組成物23で被覆されない構造よりも、発光強度を長寿命に維持することができる。気温85℃、湿度85%において点灯させた場合、樹脂組成物23で封止樹脂19が被覆されない場合には、発光強度が90%維持される時間が1200時間である。一方、本実施の形態5では、1300時間以上維持される。
導体装置として広く使用される。
11 ペースト材料
12 リードフレーム
12A ダイパッド部
12B 外部端子
12C リード部
12D リード部
13 接着材
14 放熱板
15 金属ワイヤ
16、21,22,23 樹脂組成物
17 封止樹脂
19 封止樹脂
20 樹脂容器
50 銅基板
51 銀メッキ面
52 塗布物
55 バイアル瓶
56 硫化水素
57 塩酸
58 硫化鉄
100 基板
101 光源用半導体素子
102 樹脂体
103 板ガラス
104 シリコーン樹脂
109 封止樹脂
Claims (7)
- 反応性有機官能基を有する第1金属アルコキシドの前記反応性有機官能基を重合させる重合工程と、
前記重合でゲル状態となったものを、少なくとも1種類以上の第2金属アルコキシドで膨潤させ、ゾルゲル反応させるゾルゲル工程と、
を含む樹脂組成物の製造方法。 - 前記重合工程では、前記第1金属アルコキシドと触媒のみを混合する請求項1記載の樹脂組成物の製造方法。
- 前記重合工程は、密閉系で行われる請求項1または2記載の樹脂組成物の製造方法。
- 前記触媒は、アミン触媒である請求項2または3記載の樹脂組成物の製造方法。
- 前記反応性有機官能基が、グリシドキシプロピル基を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物の製造方法。
- 前記反応性有機官能基が、エポキシシクロヘキシル基を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の含む樹脂組成物の製造方法。
- 半導体素子を、
前記請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の製造方法で、製造された樹脂組成物で、半導体素子を覆う、半導体素子の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015046350A JP6655785B2 (ja) | 2014-04-17 | 2015-03-09 | 樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 |
CN201510172788.9A CN105038233B (zh) | 2014-04-17 | 2015-04-13 | 树脂组合物及其制造方法 |
US14/686,954 US9644057B2 (en) | 2014-04-17 | 2015-04-15 | Resin composition and method for manufacturing the same |
TW104112208A TWI670311B (zh) | 2014-04-17 | 2015-04-16 | 樹脂組成物及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014085171 | 2014-04-17 | ||
JP2014085171 | 2014-04-17 | ||
JP2015046350A JP6655785B2 (ja) | 2014-04-17 | 2015-03-09 | 樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015212360A JP2015212360A (ja) | 2015-11-26 |
JP6655785B2 true JP6655785B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=54321446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015046350A Active JP6655785B2 (ja) | 2014-04-17 | 2015-03-09 | 樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9644057B2 (ja) |
JP (1) | JP6655785B2 (ja) |
CN (1) | CN105038233B (ja) |
TW (1) | TWI670311B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6459880B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
WO2017094832A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 東レ株式会社 | 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法 |
DE112017002058B4 (de) * | 2016-04-18 | 2023-10-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
DE102016115921B9 (de) * | 2016-08-26 | 2024-02-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
CN107037042A (zh) * | 2016-10-19 | 2017-08-11 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种腐蚀监测涂层 |
WO2019039541A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 国立大学法人京都大学 | 低密度ゲル体とその製造方法 |
US10727379B2 (en) * | 2018-02-16 | 2020-07-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Methods for producing a conversion element and an optoelectronic component |
US11349051B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device and method of producing an optoelectronic device |
DE102022133937A1 (de) | 2022-12-19 | 2024-06-20 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Elektrisches oder elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung eines solchen Bauelements |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003313233A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Toyota Motor Corp | ゾルゲル法による有機無機複合体の製造方法 |
US6784025B2 (en) * | 2002-11-20 | 2004-08-31 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Semiconductor package with a die attach adhesive having silane functionality |
US7288283B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-10-30 | Guardian Industries, Corp. | UV-absorbing coatings and methods of making the same |
US9125968B2 (en) * | 2005-03-30 | 2015-09-08 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Polymeric/ceramic composite materials for use in medical devices |
EP1787712A1 (de) * | 2005-11-17 | 2007-05-23 | Sika Technology AG | Mischvorrichtung für Flüssigkeiten |
CN101432331A (zh) * | 2006-04-26 | 2009-05-13 | 积水化学工业株式会社 | 光半导体用热固化性组合物、光半导体元件用固晶材料、光半导体元件用底填材料、光半导体元件用密封剂及光半导体元件 |
US20090088547A1 (en) * | 2006-10-17 | 2009-04-02 | Rpo Pty Limited | Process for producing polysiloxanes and use of the same |
DE102008000584A1 (de) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Kompositpartikeln |
JP2011108899A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
DE112011101961T5 (de) * | 2010-06-08 | 2013-03-21 | Dic Corporation | Dichtungsmaterial, Solarzellenmodul und Leuchtdiode |
CN103249473B (zh) * | 2010-12-07 | 2016-01-13 | 东丽株式会社 | 复合半透膜及其制造方法 |
US10450221B2 (en) * | 2011-02-24 | 2019-10-22 | Owens-Brockway Glass Container Inc. | Hybrid sol-gel coated glass containers |
JP5623952B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-11-12 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池用ポリマーシート及びその製造方法、太陽電池用バックシート、並びに太陽電池モジュール |
JP2012241059A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 熱硬化性樹脂組成物、半導体デバイス用部材、及びそれを用いた半導体デバイス |
JP5987580B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2016-09-07 | 三菱化学株式会社 | 硬化性ポリシロキサン組成物の製造方法 |
JP5661657B2 (ja) | 2012-01-16 | 2015-01-28 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物、蛍光体含有波長変換フィルム、及びそれらの硬化物 |
JP6034369B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-11-30 | 積水化学工業株式会社 | 積層体 |
JP2014051090A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-03-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 積層体 |
CN103275322B (zh) * | 2013-06-05 | 2015-07-15 | 东莞理工学院 | 一种聚硅氧烷及其催化合成方法 |
CN103319716B (zh) * | 2013-06-17 | 2016-06-29 | 青岛福凯橡塑新材料有限公司 | 硅树脂及其制备方法 |
JP2015207572A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュールとその製造方法 |
JP2015207648A (ja) * | 2014-04-21 | 2015-11-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
-
2015
- 2015-03-09 JP JP2015046350A patent/JP6655785B2/ja active Active
- 2015-04-13 CN CN201510172788.9A patent/CN105038233B/zh active Active
- 2015-04-15 US US14/686,954 patent/US9644057B2/en active Active
- 2015-04-16 TW TW104112208A patent/TWI670311B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105038233B (zh) | 2020-06-23 |
JP2015212360A (ja) | 2015-11-26 |
US20150299465A1 (en) | 2015-10-22 |
CN105038233A (zh) | 2015-11-11 |
US9644057B2 (en) | 2017-05-09 |
TW201546139A (zh) | 2015-12-16 |
TWI670311B (zh) | 2019-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6655785B2 (ja) | 樹脂組成物およびその製造方法並びに半導体装置 | |
JP6213585B2 (ja) | 半導体デバイス用部材、及び半導体発光デバイス | |
EP2043165B1 (en) | Illuminating device | |
JP5424843B2 (ja) | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 | |
JP5744386B2 (ja) | 光半導体封止材 | |
US8425271B2 (en) | Phosphor position in light emitting diodes | |
JP5340191B2 (ja) | 光半導体装置 | |
TWI598230B (zh) | 具有含磷光體層與不含磷光體層之可熱固化的矽氧樹脂片,利用彼製造發光裝置的方法以及由此方法製得的發光半導體裝置 | |
WO2011111293A1 (ja) | Led封止樹脂体、led装置およびled装置の製造方法 | |
JP2010283244A (ja) | 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 | |
US20130241390A1 (en) | Metal-containing encapsulant compositions and methods | |
JP2011129901A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2008078638A (ja) | 半導体デバイス用部材、並びに半導体デバイス用部材形成液及び半導体デバイス用部材の製造方法、並びに、それを用いた半導体発光デバイス、半導体デバイス用部材形成液、及び蛍光体組成物 | |
JP2011082339A (ja) | 光半導体封止用キット | |
JP2009224754A (ja) | 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 | |
KR101859393B1 (ko) | 경화형 폴리오르가노실록산 조성물, 봉지재, 및 광학기기 | |
US20130241404A1 (en) | Encapsulant compositions and methods for lighting devices | |
KR101905834B1 (ko) | 에폭시 수지 조성물 및 발광장치 | |
TWI814986B (zh) | 晶圓級光半導體裝置用樹脂組成物,及使用該組成物之晶圓級光半導體裝置 | |
JP2011222852A (ja) | 光半導体装置 | |
JP5435728B2 (ja) | 光半導体封止体 | |
KR101605616B1 (ko) | 희토류 금속 산화물 입자를 포함하는 적색 led 패키지 | |
KR101571974B1 (ko) | 희토류 금속 산화물 입자를 포함하는 녹색 led 패키지 | |
KR101585772B1 (ko) | 희토류 금속 산화물 입자를 포함하는 청색 led 패키지 | |
KR101608597B1 (ko) | 희토류 금속 산화물 입자를 포함하는 형광체 막, 이것을 이용하는 led 장치, 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20160523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171226 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180529 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20190116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200115 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6655785 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |