JP2011222852A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体素子2及び該光半導体素子2の上に直接積層されてなる封止材層1を有する光半導体装置において、前記封止材層1が光半導体素子2の上部には存在するが、側面には存在しない光半導体装置であって、前記封止材層1が蛍光体を含有し、該蛍光体の含有量が30〜80重量%であり、かつ、封止材層1の厚みが50μm以下であることを特徴とする光半導体装置。
【選択図】図1
Description
〔1〕 光半導体素子及び該光半導体素子の上に直接積層されてなる封止材層を有する光半導体装置において、前記封止材層が光半導体素子の上部には存在するが、側面には存在しない光半導体装置であって、前記封止材層が蛍光体を含有し、該蛍光体の含有量が30〜80重量%であり、かつ、封止材層の厚みが50μm以下であることを特徴とする光半導体装置、ならびに
〔2〕 蛍光体の含有量が30〜80重量%である封止材からなり、厚みが50μm以下である、前記〔1〕記載の光半導体装置に用いられる封止用シート
に関する。
100μm厚さのシートをサンプルとして、アイフェイズ社製の温度依存性・熱伝導率測定装置(ai-Phase)を用いて測定する。
<封止材層>
シリコーンエラストマー(旭化成ワッカーシリコーン社製、LR-7665)7gに、YAGを3g(蛍光体含有量:30重量%)加え、均一に攪拌分散し、液状の蛍光体含有樹脂を得た。得られた蛍光体含有樹脂を、アプリケーターを用いて50μmの厚みに塗工し、100℃で10分乾燥して、蛍光体含有樹脂シートを得た。
平板の基板上に実装された光半導体素子(波長域450nm、サイズ:1mm×1mm×高さ200μm)の上に、接着剤としてシリコーン樹脂(旭化成ワッカーシリコーン社製、WACKER SilGel612)を適量滴下し、その上に、裁断した蛍光体含有樹脂シート(サイズ:1mm×1mm×高さ45μm)を載置することにより、光半導体装置を得た。なお、接着剤の厚さは1μmであった。
封止材層における、シリコーンエラストマー(LR-7665)の量を6gに、YAGの量を4g(蛍光体含有量:40重量%)に、シート厚みを45μmに変更する以外は、実施例1と同様にして、光半導体装置を得た。
封止材層における、シリコーンエラストマー(LR-7665)の量を4gに、YAGの量を6g(蛍光体含有量:60重量%)に、シート厚みを15μmに変更する以外は、実施例1と同様にして、光半導体装置を得た。
<封止材層>
両末端シラノール型シリコーン樹脂100g、ビニルトリメトキシシラン0.77g、及び、(3-グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン0.14gを攪拌混合後、水酸化テトラメチルアンモニウムメタノール溶液(濃度10重量%)0.19mLを加え、室温(25℃)で1時間攪拌後、オルガノハイドロジェンシロキサン2.19g、及び白金−1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体(白金濃度2重量%)0.025mLを加えて得られたシリコーン樹脂組成物(VHS3)4gに、YAGを6g(蛍光体含有量:60重量%)加え、均一に攪拌分散し、液状の蛍光体含有樹脂を得た。得られた蛍光体含有樹脂を、アプリケーターを用いて15μmの厚みに塗工し、135℃で1分乾燥して、Bステージの蛍光体含有樹脂シートを得た。
実施例1と同様の光半導体素子上に直接、裁断したBステージの蛍光体含有樹脂シート(サイズ:1mm×1mm×高さ15μm)を載置し、130℃で10分加熱することにより、光半導体装置を得た。
封止材層における、シリコーンエラストマー(LR-7665)の量を2gに、YAGの量を8g(蛍光体含有量:80重量%)に、シート厚みを5μmに変更する以外は、実施例1と同様にして、光半導体装置を得た。
封止材層における、シリコーンエラストマー(LR-7665)の量を8.4gに、YAGの量を1.6g(蛍光体含有量:16重量%)に、シート厚みを100μmに変更する以外は、実施例1と同様にして、光半導体装置を得た。
封止材層における、シリコーンエラストマー(LR-7665)の量を8gに、YAGの量を2g(蛍光体含有量:20重量%)に、シート厚みを80μmに変更する以外は、実施例1と同様にして、光半導体装置を得た。
封止材層における、シリコーンエラストマー(LR-7665)の量を7.5gに、YAGの量を2.5g(蛍光体含有量:25重量%)に、シート厚みを60μmに変更する以外は、実施例1と同様にして、光半導体装置を得た。
<封止材層>
比較例1と同様にして蛍光体含有樹脂シートを得た。
蛍光体を含有しない以外は蛍光体含有樹脂シートと同様にして、シリコーンエラストマー(LR-7665)からなる樹脂シート(厚み20μm)を調製した。
実施例1と同様の光半導体素子の上に、接着剤のシリコーン樹脂(WACKER SilGel612、適量)、裁断したシリコーンエラストマー(LR-7665)からなる樹脂シート(1mm×1mm×高さ0.020mm)、接着剤のシリコーン樹脂(WACKER SilGel612、適量)、裁断した蛍光体含有樹脂シート(1mm×1mm×高さ0.100mm)を順に積載することにより、光半導体装置を得た。
封止材層における、シリコーンエラストマー(LR-7665)の量を4gに、YAGの量を6g(蛍光体含有量:60重量%)に、シート厚みを15μmに変更する以外は、比較例4と同様にして、光半導体装置を得た。
ヒートシンク(材質:銅)の上に、放熱用シリコーン(サンハヤト社製、SCH-30、熱伝導率0.96W/mK)を適量垂らし、その上に光半導体装置を固定し、点灯開始から10秒までは、100mA/秒で電流値を上げ、1Aに達してから3分後の封止材層の最高温度(℃)を測定する。なお、温度測定は、サーモグラフィ(チノー社製、CPA1000)を用いて、点灯中の光半導体装置の上方よりフォーカスを合わせて行う。封止材層の温度は150℃以下であれば好ましく、120℃以下であればより好ましい。
各光半導体装置を50mA又は1Aで点灯させ、その際の発光輝度(μW/cm2/nm)を全天輝度計測に従って測定する。なお、輝度測定には積分球を使用し、マルチ測光システム(大塚電子社製、MCPD-3000)を用いて行う。1Aで点灯させた場合の発光輝度は、10000(μW/cm2/nm)以上が好ましい。
光半導体装置に50mAの電流を流して、光半導体素子直上の色度をCIE色度指標(x、y)で表わした。
2 LEDチップ
3 基板
Claims (3)
- 光半導体素子及び該光半導体素子の上に直接積層されてなる封止材層を有する光半導体装置において、前記封止材層が光半導体素子の上部には存在するが、側面には存在しない光半導体装置であって、前記封止材層が蛍光体を含有し、該蛍光体の含有量が30〜80重量%であり、かつ、封止材層の厚みが50μm以下であることを特徴とする光半導体装置。
- 封止材層が、さらにシリカ粒子を含有してなる、請求項1記載の光半導体装置。
- 蛍光体の含有量が30〜80重量%である封止材からなり、厚みが50μm以下である、請求項1又は2記載の光半導体装置に用いられる封止用シート。
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