JP2018155968A - 透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡易な透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】透光性部材の製造方法は、蛍光体を実質的に含まない第1層と、蛍光体を含有する第2層とが積層された透光性シートを配置した支持体1を準備する工程と、ブレードによる切削によって支持体1上において空隙により前記第1層が離間されて形成された蛍光体非含有部50Aと前記第2層が離間されて形成された蛍光体含有部50Bとが積層された複数の透光性部材50を前記透光性シートから形成する工程とを含む。
【選択図】図2A

Description

本開示は、透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法に関する。
発光装置に用いられる透光性部材として、例えばキャリア上に配置された光学シートを分割することで製造することが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特表2011−511325号公報
本開示に係る実施形態は、簡易な透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法の提供を課題とする。
本開示の実施形態に係る透光性部材の製造方法は、蛍光体を実質的に含まない第1層と、蛍光体を含有する第2層とが積層された透光性シートを配置した支持体を準備する工程と、ブレードによる切削によって前記支持体上において空隙により前記第1層が離間されて形成された蛍光体非含有部と前記第2層が離間されて形成された蛍光体含有部とが積層された複数の透光性部材を前記透光性シートから形成する工程とを含むこととした。
本開示の実施形態に係る透光性部材の製造方法は、表面の凹凸が小さい第1層と、表面の凹凸が前記第1層よりも大きい蛍光体を含有する第2層とが積層された透光性シートを配置した支持体を準備する工程と、ブレードによる切削によって前記支持体上において空隙により前記第1層が離間されて形成された蛍光体非含有部と前記第2層が離間されて形成された蛍光体含有部とが積層された複数の透光性部材を前記透光性シートから形成する工程とを含むこととした。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、前記透光性部材の製造方法で製造された透光性部材を、発光素子上に搭載する工程を含むこととした。
本開示の実施形態によれば、透光性部材を簡易に製造することができる。また、発光装置を簡易に製造することができる。
本実施形態に係る透光性シートを模式的に示す斜視図である。 本実施形態に係る透光性シートの図1AにおけるIB−IB線での断面図である。 本実施形態に係る透光性部材を模式的に示す斜視図である。 本実施形態に係る透光性部材の図2AにおけるIIB−IIB線での断面図である。 本実施形態に係る透光性部材の製造方法において透光性シートを切削する切削装置を示す模式図である。 図3AのブレードのA部を拡大して示す模式図である。 ブレードの模式図である。 切削屑が排出された状態の透光性部材を示す図である。 切削屑が堆積した状態の透光性部材を示す図である。 本実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。 本実施形態に係る発光装置の図6AにおけるVIB−VIB線での断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造に使用する基板の一例を模式的に示す平面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法の第S1工程を模式的に示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法の第S2工程を模式的に示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法の第S3工程を模式的に示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法の第S4工程を模式的に示す断面図である。 本実施形態に係る発光装置の製造方法の第S5工程を模式的に示す断面図である。
以下、実施形態に係る透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一若しくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。
≪透光性部材の製造方法≫
まず、本実施形態に係る透光性部材の製造方法について、図1Aから図3Bを用いて説明する。透光性部材の製造方法は、透光性シート8を配置した支持体1を準備する第1工程と、支持体1上においてブレード84による切削によって透光性シート8から複数の透光性部材50を形成する第2工程とを含む。
(第1工程)
第1工程で用いる支持体1は、透光性シート8を配置することのできる大きさを有している。支持体1は、透光性シート8を固定できるような接着層を備えることが好ましく、例えばダイシングテープ等からなる。接着層は、紫外線硬化型の接着剤からなることが好ましく、この場合、接着剤の上に透光性シート8が配置された後に、紫外線が照射される。
第1工程で用いる透光性シート8は、蛍光体を実質的に含まない第1層8Aと、蛍光体を含有する第2層8Bとが積層されたシート状部材である。透光性シート8は、例えば発光素子上に設けられたときに、発光素子から出射される光を透過させることのできるシート状部材である。透光性シート8は、少なくとも以下のような母材により構成される。また、透光性シート8は、以下のような蛍光体を母材中に含有することで、波長変換部材として機能させることができる。
透光性シート8の母材は、例えば発光素子から出射される光に対して透光性を有するものであればよい。なお、「透光性」とは、発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ましくは60%以上であること、より好ましくは70%以上であること、よりいっそう好ましくは80%以上であることを言う。透光性シート8の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れており好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。透光性部材は、これらの母材のうちの1種を単層で、若しくはこれらの母材のうちの2種以上を積層して構成することができる。
シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、比較的柔らかい材料である。そのため、切削による切断で、例えば、長尺状の小片となった透光性部材の転写や移載等を行う際に、変形やねじれが起こる虞がある。しかし、本実施形態の製造方法においては、このような転写や移載の回数を減少させることができるため、透光性部材の変形を低減することができる。
蛍光体は、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb(Al,Ga)12:Ce)系蛍光体、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)SiO:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCaMg(SiOCl:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6−zAl8−z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa:Eu)などが挙げられる。
黄色発光の蛍光体としては、αサイアロン系蛍光体(例えばM(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光体もある。
赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN:Eu)などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A[M1−aMn]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNHからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばKSiF:Mn)がある。
(第2工程)
第2工程では、後記する切削装置による切削によって支持体1上において透光性シート8を小片に切断、すなわち個片化することで透光性部材50が作製される。透光性シート8の切断には、回転刃を使用する。これにより、切断後に得られる透光性部材50は、隣接する透光性部材50と離間して配置される。換言すると、隣接する透光性部材50は、空隙を介して配置される。
図1Aに示すように、透光性シート8は、支持体1側から、例えば、第1層8Aと、第2層8Bとが積層されて成る。
第1層8Aは、蛍光体を実質的に含んでおらず、透光性シート8の母材からなる。
第2層8Bは、透光性シート8の母材と、母材に含有された蛍光体とを備えている。
ここでは、第2層8Bは、例えば、赤色発光するマンガン賦活フッ化物系蛍光体を含んでいるものとする。なお、第2層8Bは、それぞれ異なる蛍光体を含有する複数の層を有していてもよい。
第1層8Aは表面の凹凸が小さい層であり、第2層8Bは第1層8Aよりも表面の凹凸が大きい層である。よって、支持体1が接着層を備えている場合に、接着層と第1層8Aとが接触して配置されるときの密着力は、接着層と第2層8Bとが接触して配置されるときの密着力よりも大きい。
表面の凹凸が大きい第2層8Bは、支持体1の接着層との密着力が小さい。そのため、第2層8Bの表面を支持体1の接着層に接触させた状態で、透光性シート8を切削すると、切断されて形成された透光性部材50が支持体1から離れ、飛散する場合がある。
一方、凹凸が小さい第1層8Aは、支持体1の接着層との密着力が大きい。そのため、第1層8Aの表面を支持体1の接着層に接触させた状態で、透光性シート8を切削すると、透光性部材50の飛散を抑制することができる。このようにすることで、容易に透光性部材を製造することができる。
また、表面の凹凸が大きい第2層8Bは、支持体1の接着層との密着力が小さい。そのため、第2層8Bの表面を支持体1の接着層に接触させた状態で、透光性シート8を切削すると、第2層8Bの切削屑が空隙から離れやすく飛散しやすい。一方、凹凸が小さい第1層8Aは、支持体1の接着層との密着力が大きい。そのため、第1層8Aの表面を支持体1の接着層に接触させた状態で、透光性シート8を切削すると、第1層8Aの切削屑は接着層の切削屑と一体となりやすい。接着層と一体となった第1層8Aの切削屑は、空隙近傍に残り易く、飛散が発生しにくい。つまり、切断屑の除去性が低下する場合がある。そのため、後述するように、透光性シート8の切削後、さらに空隙内にブレードを移動させることで、空隙内もしくは近傍に残った切削屑を排出する工程を有することが好ましい。
図2Aは、支持体1上で複数の透光性部材50が形成された状態を示している。詳細には、図2Aは、支持体1の一部を拡大した一例であり、7個の透光性部材50と、それらを挟む位置に、14個の透光性部材50の一部と、を図示している。透光性部材50は、支持体1側から、例えば、蛍光体非含有部50Aと、蛍光体含有部50Bとが積層されて成る。
蛍光体非含有部50Aは、支持体1上において空隙により透光性シート8の第1層8Aが離間されて形成されたものである。蛍光体非含有部50Aは、蛍光体を実質的に含んでおらず、透光性部材の母材からなる。
蛍光体含有部50Bは、支持体1上において空隙により透光性シート8の第2層8Bが離間されて形成されたものである。蛍光体含有部50Bは、透光性部材の母材と、母材に含有された蛍光体とを備えている。
切削装置としては、湿式または乾式を用いることができる。湿式の切削装置の場合、切削屑を水で除去することができる。乾式の切削装置の場合、切削屑を吸引することで除去することができる。いずれの切削装置を用いるのかは、蛍光体の種類等に応じて適宜選択することができる。
例えば、透光性シート8の第2層8Bがマンガン賦活フッ化物系蛍光体を含んでいる場合、乾式の切削装置を用いることが好ましい。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ高い色再現性を有する発光装置に用いる際に好ましい反面、水分により劣化しやすい性質を有しているからである。このため、図3Aに示すような乾式の切削装置80を用いることで、切削水及び/又は冷却水などの水分によるマンガン賦活フッ化物系蛍光体の劣化を低減することができる。
図3A〜図3Cに示すように、切削装置80は、例えば、ステージ81と、スピンドル部82と、吸引機構83と、を備えている。なお、切削装置80は、スピンドル部82が配置された本体部88と、本体部88に接合されたカバー89と、を有し、切削作業時は、切削屑が飛散しないようになっている。
ステージ81は、支持体1を載置する部材であり、XY方向に移動可能に構成されている。スピンドル部82は、ブレード84として輪郭が円形状の回転刃を備える。吸引機構83はブレード84に隣り合って設けられている。吸引機構83は、ブレード84によって透光性シート8を切削することで発生する切削屑を吸引するものである。吸引機構83は、例えば集塵機85と、吸入口部86と、ホース87とを備えている。吸入口部86は、ブレード84の下端側に吸入開口下端を対応させて近接配置されている。吸入口部86は、側面視で吸入開口が広く、奥に行く程狭くなるように形成されている部材である。吸入口部86は、ブレード84の下端から中心までの開口広さを備えている。ホース87は、吸入口部86と集塵機85とを接続するものである。なお、スピンドル部82と、吸引機構83の吸入口部86はカバー89で覆われる。このような吸引機構83を利用することで、切削屑の排出性が向上し、透光性部材の製造に係る手間と時間を省くことができる。
切削装置80において、ブレード84を回転させて、ステージ81をXY方向に移動させる。ブレード84による切削で透光性シート8の一部を除去することで、互いに離間した状態の、ブロック状の透光性部材50を作る。
ステージ81の送り速度は、透光性シート8の材質等に応じて適宜設定することができる。送り速度は、基板等を切断する場合の10倍程度である。例えば、基板を切断するときの送り速度が10mm/secである場合、透光性シート8の送り速度は、例えば100mm/secにすればよい。
ブレード84の刃厚は、所望の空隙の幅と同じ値に設定すればよい。1枚の透光性シート8から得られる透光性部材50の個数の観点からは、刃厚は小さいほど好ましいが、空隙を形成するために、押し切り型のカッターの刃厚よりも大きいことが好ましい。
なお、発光装置を製造する工程のうちの1つとして透光性部材を製造する場合、例えば、製造された透光性部材を次工程で扱うために取扱い可能な程度の幅の空隙を確保することが必要である。例えば支持体1の下から、ある1つの透光性部材を突き上げたときに隣接する透光性部材が浮き上がるなどして支障とならないようにするために、隣接する透光性部材間の距離は50μm以上であることが好ましい。つまり、ブレード84の刃厚は、50μm以上であることが好ましい。
ブレード84の回転数は、切削装置80の仕様に応じて適宜設定することができる。例えば、回転数が高過ぎると、回転刃が蛇行する虞があったり、破損する虞がある。回転数が低過ぎると、透光性シート8に対して単位時間に回転刃が当たる回数が少なくなって切削屑の排出性が低下する。よって、切削屑の排出性が良好となるような回転数を設定すればよい。このような回転数の一例としては38,000〜42,000rpmを挙げることができる。
図3Bは、乾式の切削装置のブレード84の一例である。また、図3Cは、湿式の切削装置のブレード84Cの一例である。図3Bに示す乾式の切削装置のブレード84は、図3Cに示す湿式の切削装置のブレード84Cに比べて、スリット間隔が半分以下(1/3〜1/4)となるように狭く設定され、また、スリット深さが1.5〜2倍となるよう設定されているものが好ましい。このようにすることで、切削屑がスリットにひっかかって巻き上げ易く、樹脂屑の排出性を向上させることができる。また、このような構造は放熱性が高いため、ブレードの温度が比較的低温に保持できる。そのため、透光性シート8がブレードの熱によって柔らかくなることを抑制し、切削によって切断しにくくなるおそれを低減することができる。これにより、透光性シート8を容易に切削して切断することができる。
支持体1上においてブレード84で透光性シート8を切削する際に、透光性シート8の下の支持体1を一緒に切削してもよいし、支持体1を切削しなくてもよい。本実施形態では、一例として透光性シート8と共に支持体1を切削することとする。このとき、支持体1は個片化されず、支持体1には縦横に溝が形成される。
支持体1を構成する材料は、脆く、粉(細かい屑)になり易いものが集塵し易く除去し易いので好ましい。例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PE(ポリエチレン)、PP(ポリプロピレン)等のポリオレフィン系樹脂が挙げられる。この中でPPは切削屑が線状(糸状)になりがちであり、線状の切削屑は一緒に切られた支持体1の接着層に密着しているので、再付着し易い。一方、PETは切削屑がより細かく粉状になる。したがって、透光性シート8と共に支持体1を一緒に切削する場合、切削屑の吸引性及び排出性の観点からはPETが好ましい。
ブレード84は、何れの方向に回転しても構わないが、支持体1から透光性シート8に向かう方向に回転することが好ましい。すなわち、ブレード84は、図3Aにおいて矢印Bで表す方向(時計回り)に回転することが好ましい。ブレード84が、図3Aにおいて矢印Bで表す方向(時計回り)に回転すると、切削屑を下方から巻き上げるので、切削屑が支持体1にめりこむことを防止できる。また、切削屑を巻き上げた先に吸引機構83の吸入口部86が配置されているので、切削屑を巻き散らかすことなく吸引することができる。したがって、図4に示すように切削屑の排出が良好となり、量産性を高めることができる。
本実施形態は、透光性シート8の切断に、回転刃を用いて、透光性シート8を切削して空隙が空くようにしている。つまり、個片化された透光性部材を得ると同時に、各透光性部材を互いに離間した状態にさせることができる。そのため、透光性部材同士を離間させる工程が不要である。
また、各透光性部材を互いに離間させる工程が必要ないことから、短縮された時間を利用して前記第2工程を複数回繰り返すようにしてもよい。つまり、支持体1上で各透光性部材に既に分離された透光性シート8を載せた状態のステージ81を、同じ軌道でXY方向に移動させながらブレード84を回転させる動作を繰り返してもよい。例えば、第2工程を2回行う場合、1回目には、各透光性部材50を切削して互いに離間させ、2回目には、残った切削屑を吹き飛ばして除去することで切削屑を排出することもできる。
≪発光装置100≫
次に、本実施形態に係る発光装置100について、図6A及び図6Bを用いて説明する。なお、図6A及び図6B中、発光装置100における、幅方向をX方向、厚さ方向をY方向、前後(奥行き)方向をZ方向として示す。このX、Y、Z方向(軸)はそれぞれ、他の2方向(軸)と垂直な方向(軸)である。より詳細には、右方向をX+方向、左方向をX−方向、上方向をY+方向、下方向をY−方向、前方向をZ+方向、後ろ方向をZ−方向としている。Y−方向が当該発光装置100の実装方向である。Z+方向が当該発光装置100の主発光方向である。
(発光装置100)
発光装置100は、例えば、発光ダイオード(LED;Light Emitting Diode)である。本実施形態の発光装置100は、側面発光型(「サイドビュー型」とも呼ばれる)であるが、上面発光型(「トップビュー型」とも呼ばれる)にすることも可能である。側面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに垂直である。上面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに平行である。発光装置の前面視形状すなわち主発光方向から見た形状は、適宜選択できるが、矩形状が量産性において好ましい。特に、発光装置が側面発光型である場合の前面視形状は、長手方向と短手方向を有する長方形状が好ましい。また、発光装置が上面発光型である場合の前面視形状は、正方形状又は長方形状が好ましい。
図6A及び図6Bに示すように、本実施形態に係る発光装置100は、小片基板101と、導電性接着部材20と、発光素子30と、導光部材40と、透光性部材50と、光反射性の被覆部材701と、を備えている。ここでは、透光性部材50の前面と被覆部材701の前面は、実質的に同一面を構成している。
なお、配線111は、後記する配線11(図7参照)が個片化されたものである。また、基体151は、後記する基体15(図7参照)が個片化されたものである。被覆部材701は、後記する被覆部材70(図8D等参照)が個片化されたものである。発光素子30は、後記する第1発光素子31若しくは第2発光素子32(図8A参照)を含むものである。透光性部材50は、透光性シート8(図1A等参照)が個片化されたものである。ここでは、透光性シート8の第2層8Bは、それぞれ異なる蛍光体を含有する複数の層を有していることとする。また、透光性部材50は、後記する第1透光性部材51若しくは第2透光性部材52(図8B参照)を含むものである。
このような構成を有する発光装置100は、例えば、回路基板に配線111の正極及び負極の外部接続端子部を半田付けされ、回路を通じて給電されることにより発光する。このとき、被覆部材701の高い光反射性によって、発光素子30及び透光性部材50から側方に出射される多くの光が前方へ偏向され、発光装置100の主たる発光領域は透光性部材50の前面になる。以下、発光装置100のより詳細な説明をする。
(基板10,小片基板101)
基板10は、少なくとも、配線と、その配線を保持する基体と、により構成される。このほか、基板10は、ソルダーレジスト又はカバーレイなどの絶縁保護膜を含んでいてもよい。小片基板101も同様である。基板10及び小片基板101の厚さは、例えば0.02mm以上1mm以下であり、基板10及び小片基板101の強度や発光装置の厚さの観点において、0.05mm以上0.3mm以下であることが好ましい。
(配線11,111)
配線11,111は、基体15,151の少なくとも上面(前面)に形成され、基体15,151の内部及び/又は側面及び/又は下面(後面)にも形成されていてもよい。このような配線11,111は、発光素子30が実装される素子接続端子部、外部回路と接続される外部接続端子部、及びこれら端子部間を接続するリード配線部などとして機能する部分を有する。配線11,111は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、配線11,111の表層には、接合部材の濡れ性及び/又は光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。
(基体15,151)
基体15,151は、リジッド基板であれば、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラス、金属、紙などを用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、若しくはこれらの合金などが挙げられる。基体15,151は、可撓性基板であれば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどを用いて構成することができる。なお、これらの基材のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。
(導電性接着部材20)
導電性接着部材20としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか1つを用いることができる。
(発光素子30、第1発光素子31、第2発光素子32)
発光素子30は、半導体積層体を備える。発光素子30は素子基板を備えてもよい。発光素子としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子の前面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましく、その他の形状であってもよい。例えば六角形状等の多角形でもよい。発光素子側面は、前面に対して、垂直であってもよいし、傾斜していてもよい。発光素子は、同一面側に正負(p,n)電極を有することが好ましい。1つの発光装置に搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。半導体積層体は、n型半導体層と、p型半導体層と、活性層とを備える。発光素子30は、絶縁膜等を含んでもよい。半導体材料としては、蛍光体を効率良く励起できる短波長の光を発光可能な材料である、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InAlGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、並びに蛍光体の励起及びその発光との混色関係等の観点から、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましく、450nm以上475nm以下がよりいっそう好ましい。
(導光部材40)
導光部材40は、発光素子30と透光性部材50を接着し、発光素子30からの光を透光性部材に導光する部材である。導光部材40の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、導光部材40の母材は、後記する透光性部材の母材と同様のフィラーを含有してもよい。なお、以下、本明細書における「変性樹脂」は、ハイブリッド樹脂を含むものとする。
(透光性部材50、第1透光性部材51、第2透光性部材52)
透光性部材50は、例えば、発光素子30側から、母材55と第1蛍光体61とを含む第1蛍光体層、母材55と第2蛍光体62とを含む第2蛍光体層、母材55を含む透光性樹脂層、が積層されて成っている。
透光性樹脂層は、図2Bに示す蛍光体非含有部50Aに相当する。
第1蛍光体層は、図2Bに示す蛍光体含有部50Bのうちの1層に相当する。
第2蛍光体層は、図2Bに示す蛍光体含有部50Bのうちの他の1層に相当する。つまり、発光素子30に近い側の位置に蛍光体含有部50Bが配置されている。
透光性部材の母材55は、透光性シート8(図1A)の母材として前記した樹脂若しくはガラス中に各種のフィラーを含有してもよい。このフィラーとしては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。フィラーは、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。また、フィラーとして、ナノ粒子を用いることで、発光素子の青色光のレイリー散乱を含む散乱を増大させ、波長変換物質の使用量を低減することもできる。なお、ナノ粒子とは、粒径が1nm以上100nm以下の粒子とする。また、本明細書における「粒径」は、例えば、D50で定義される。
(蛍光体60、第1蛍光体61、第2蛍光体62)
蛍光体60は、発光素子30が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光に変換する部材である(「蛍光体」は「波長変換物質」とも称する場合がある)。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光、例えば白色光を発する発光装置とすることができる。
第1蛍光体61及び第2蛍光体62は、透光性シート8(図1A)の母材に含有される蛍光体として前記した具体例の中から適宜選択することができる。例えば、第1蛍光体61は緑色または黄色発光する蛍光体とし、第2蛍光体62は赤色発光する蛍光体とすることができる。ここでは、一例として第2蛍光体62は例えばマンガン賦活フッ化物系蛍光体であるものとする。
(光反射性の被覆部材70,701)
光反射性の被覆部材70,701は、前方への光取り出し効率の観点から、発光素子30の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがよりいっそう好ましい。さらに、被覆部材70,701は、白色であることが好ましい。よって、被覆部材70,701は、母材中に白色顔料を含有してなることが好ましい。被覆部材70,701は、硬化前には液状の状態を経る。被覆部材70,701は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
(被覆部材の母材75)
被覆部材の母材75は、樹脂を用いることができ、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、被覆部材の母材75は、上記の透光性部材の母材と同様のフィラーを含有してもよい。
(白色顔料77)
白色顔料77は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。また、白色顔料77の粒径は、例えば0.1μm以上0.5μm以下程度が挙げられるが、光反射や被覆の効果を高めるためには小さい程好ましい。光反射性の被覆部材中の白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば10wt%以上80wt%以下が好ましく、20wt%以上70wt%以下がより好ましく、30wt%以上60wt%以下がよりいっそう好ましい。なお、「wt%」は、重量パーセントであり、光反射性の被覆部材の全重量に対する当該材料の重量の比率を表す。
≪発光装置100の製造方法≫
次に、本実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図7から図8Eを用いて説明する。なお、図7から図8E中のX、Y、Z方向は、図6A及び図6B中のX、Y、Z方向に相当する。また、複数の発光素子及び透光性部材が基板10に載置されるが、ここでは2つの発光素子(第1発光素子31及び第2発光素子32)、2つの透光性部材(第1透光性部材51及び第2透光性部材52)を代表して説明する。
図7に示すように、基板10は、切断されることで複数の発光装置用の小片基板101となるものである。基板10は、配線11と、その配線11を保持する基体15と、を有している。基体15には、上面から下面に貫通したY方向に長い貫通長孔Sが複数本、X方向に等間隔に形成されている。基板10の上面において、2つの貫通長孔Sに挟まれた領域、より詳細にはその中央部が、後記する第1発光素子31及び第2発光素子32を含む発光素子の実装領域となる。2つの貫通長孔Sに挟まれた領域において、配線11は、基体15の上面の中央部に正極及び負極の素子接続端子部を備える。2つの貫通長孔Sに挟まれた領域において、配線11は、基体15の上面の左及び右端部から貫通長孔Sの側面を経て下面の左及び右端部にかけて、正極及び負極の外部接続端子部を備える。更に、基体15の上面に、これら端子部間を接続するリード配線部を備える。以上のように、基板10の2つの貫通長孔Sに挟まれた領域は、複数の発光装置用の小片基板101としてY方向に連続するように構成されている。そして、2つの貫通長孔S間をX方向に切断することで、1つの発光装置の小片基板101として個片化される。
より具体的に本実施形態に係る発光装置100の製造方法を、図8A〜図8Eを参照して説明する。発光装置100の製造方法は、以下の第S1工程〜第S5工程をこの工程番号順に行っている。
第S1工程は、図8Aに示すように、基板10上に第1発光素子31と第2発光素子32とを互いに離間させてフリップチップ実装する工程である。すなわち、第1発光素子31と第2発光素子32の正極及び負極の電極をそれぞれ、導電性接着部材20を介して、配線11の正極及び負極の素子接続端子部に接続する。このとき、第1発光素子31と第2発光素子32は、上面視矩形状である場合、互いに対向する2つの側面がX方向に、他の互いに対向する2つの側面がY方向に、それぞれ略平行になるように実装されることが好ましい。より具体的には、例えば、ペースト状態の導電性接着部材(20)を正極及び負極の素子接続端子部に塗布し、その上に第1発光素子31及び第2発光素子32を載置して、導電性接着部材(20)をリフロー炉などでの加熱処理により溶融させた後、冷却して固化させる。なお、本明細書及び図面中の括弧付きの符号は、その構成要素が最終形態に至る前の状態にあることを意味する。
第S2工程は、図8Bに示すように、第S1工程の後、側面51Lを有する第1透光性部材51を第1発光素子31上に接着し、側面52Lを有する第2透光性部材52を側面52Lが側面51Lと離間し且つ向かい合うように第2発光素子32上に接着する工程である。第1透光性部材51及び第2透光性部材52は、前記した透光性部材の製造方法により別途作製される。第1透光性部材51及び第2透光性部材52を、第1発光素子31及び第2発光素子32にそれぞれ搭載する際に、第1透光性部材51及び第2透光性部材52の第1蛍光体層(蛍光体含有部50B)を、第1発光素子31及び第2発光素子32に近い側の位置に配置する。これにより、発光装置100として完成した後、透光性樹脂層(蛍光体非含有部50A)によって第1蛍光体層及び第2蛍光体層(蛍光体含有部50B)を保護することができる。つまり、蛍光体層が劣化する虞を低減できるという効果がある。
第S2工程において、上面視矩形状である第1透光性部材51及び第2透光性部材52を、上面視において同形状である第1発光素子31及び第2発光素子32にそれぞれ搭載する場合、第1透光性部材51及び第2透光性部材52は、その各側面が第1発光素子31及び第2発光素子32の各側面とそれぞれ略平行になるように接着されることが好ましい。より具体的には、例えば、基板10上に実装された第1発光素子31及び第2発光素子32上に液状の導光部材(40)を塗布して、その上に第1透光性部材51及び第2透光性部材52を載置して、導光部材(40)をオーブンなどでの加熱処理により硬化させる。なお、本明細書における「液状」は、ゾル状、スラリー状を含むものとする。
第S3工程は、図8Cに示すように、第S2工程の後、第1透光性部材51の側面51L及び/又は第2透光性部材52の側面52Lを削って切削側面51LS及び/又は切削側面52LSを露出させる工程である。換言すれば、成形前の透光性部材50(第1透光性部材51、第2透光性部材52)の側面を切削して、透光性部材50を成形する工程である。より具体的には、例えば、円盤状の回転刃である切削工具90を、刃先をX方向に平行に向けて、Y方向の所定位置すなわち切削工具90の刃が側面51Lと側面52Lの少なくとも一方に接触する位置に設定し、基板10上において、基板10上面から離間させて、X方向に走査する。なお、切削側面51LSは、第1透光性部材の側面51Lを削った後に表れる透光性部材の側面である。また、切削側面52LSは、第2透光性部材の側面52Lを削った後に表れる透光性部材の側面である。
図8Cに示すように、第S3工程において、第S2工程完了時における側面51Lと側面52Lの間隔より大きい厚さの切削工具90を用いることが好ましい。これにより、側面51Lと側面52Lを1つの切削工具90により同時に削ることができる。したがって、切削側面51LSと切削側面52LSとの間隔を管理しやすく、ひいてはその間に充填される被覆部材70の肉厚を管理しやすい。また、少ない工数で側面51Lと側面52Lを削ることができる。側面51L及び側面52Lにある凸部は、光反射性の被覆部材70により直接被覆されることで、光の閉じ込め領域を形成し、それにより光損失を生じやすくなる。このため、第S3工程において、この凸部を切削して切削側面51LS及び/又は切削側面52LSを平らに均しておくと良い。
また、後記する被覆部材70の好ましい肉厚を得るために、切削側面51LSと切削側面52LSとの間隔は、以下のような範囲とするのが良い。下限値としては、側方への漏光を抑えて装置前方に光を効率良く取り出す観点において、0.05mm以上であることが好ましく、0.07mm以上であることがより好ましい。また、上限値としては、発光装置を薄型又は小型に形成する観点において、0.4mm以下であることが好ましく、0.32mm以下であることがより好ましい。
なお、乾式の切削装置により側面51L及び側面52Lを削ることで、切削水及び/又は冷却水などの水分によるマンガン賦活フッ化物系蛍光体(第2蛍光体62)の劣化を低減することができる。
第S4工程は、図8Dに示すように、第S3工程の後、側面51L若しくは切削側面51LS、並びに側面52L若しくは切削側面52LSを被覆する光反射性の被覆部材70を基板10上に形成する工程である。より具体的には、例えば、基板10上における第1発光素子31、第2発光素子32、第1透光性部材51、及び第2透光性部材52の周囲に、液状の被覆部材70を充填して、被覆部材70をオーブンなどでの加熱処理により硬化させる。
このとき、例えば、第1透光性部材51及び第2透光性部材52が被覆部材70内に完全に埋め込まれるようにしている。また、第S4工程では、被覆部材70を形成した後、研削若しくはブラストなどによって第1透光性部材51の上面及び第2透光性部材52の上面を被覆部材70から露出させている。
なお、第1透光性部材51の上面及び第2透光性部材52の上面が露出するように、第1透光性部材51の上面及び第2透光性部材52の上面を金型などで押さえながら、液状の被覆部材70を充填及び硬化させてもよい。これにより、第1透光性部材51及び第2透光性部材52が被覆部材70内に完全に埋め込まれることとなる。
第S5工程は、図8Eに示すように、第S4工程の後、切削側面51LSと、切削側面52LSと、の間において、基板10及び被覆部材70を切断する工程である。より具体的には、例えば、円盤状の回転刃である切削工具92を、X方向に平行に向けて、Y方向においては切削側面51LSと、切削側面52LSと、の間の中央に設定し、X方向に走査することで、基板10及び被覆部材70を切断する。第S5工程では、X方向に回転刃を走査することで、Y方向には貫通長孔Sがあるため、回転刃による切削と、貫通長孔Sとにより発光装置単位に個片化することができる。
なお、このとき、切削側面51LSを被覆する被覆部材70、並びに切削側面52LSを被覆する被覆部材70の少なくとも一方、好ましくはその両方が残存するように、基板10及び被覆部材70を切断する。
また、この第S5工程では、被覆部材70の十分な肉厚を確保しやすくする観点から、第S4工程完了時における、切削側面51LSと、切削側面52LSと、の間隔より小さい厚さの切削工具92を用いることが好ましい。
なお、本実施形態に係る発光装置100の製造方法では、第1発光素子31及び第2発光素子32のフリップチップ実装、言い換えれば導電性接着部材20の焼成は、比較的高温、例えば発光装置100の回路基板などへの半田付け時より高温で行われることが多い。このため、第1透光性部材51及び第2透光性部材52の第1発光素子31及び第2発光素子32への接着を、第1発光素子31及び第2発光素子32のフリップチップ実装より後に行うことで、第1透光性部材51及び第2透光性部材52の熱による劣化を抑えることができる。特に、波長変換物質60の熱による劣化を抑えることができる。耐熱性の比較的低い波長変換物質60としては、例えばマンガン賦活フッ化物系蛍光体が挙げられる。また、基板10に固着された第1発光素子31及び第2発光素子32上に、予め分離した第1透光性部材51及び第2透光性部材52をそれぞれ接着する場合、接着技術だけで側面51Lと側面52Lの間隔を高精度に制御することが難しくなる。そこで本実施形態の第S3工程を行うことにより、透光性部材の側面を切削して透光性部材同士の間隔を高精度に調整できることになり、このような課題を解決することができる。
本発明の一実施の形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
1 支持体
8 透光性シート
8A 第1層
8B 第2層
10 基板(集合基板)
S 貫通長孔
101 小片基板
11 配線
111 配線(個片化後)
15 基体
151 基体(個片化後)
20 導電性接着部材
30 発光素子
31 第1発光素子
32 第2発光素子
40 導光部材
50 透光性部材
50A 蛍光体非含有部
50B 蛍光体含有部
51 第1透光性部材
51L 第1透光性部材の側面
51LS 第1透光性部材の切削側面
52 第2透光性部材
52L 第2透光性部材の側面
52LS 第2透光性部材の切削側面
55 透光性部材の母材
60 波長変換物質
61 第1蛍光体
62 第2蛍光体
70 光反射性の被覆部材
701 光反射性の被覆部材(個片化後)
75 光反射性の被覆部材の母材
77 白色顔料
80 切削装置
81 ステージ
82 スピンドル部
83 吸引機構
84 ブレード
85 集塵機
86 吸入口部
87 ホース
88 本体部
89 カバー
90,92 切削工具
100 発光装置

Claims (10)

  1. 蛍光体を実質的に含まない第1層と、蛍光体を含有する第2層とが積層された透光性シートを配置した支持体を準備する工程と、
    ブレードによる切削によって前記支持体上において空隙により前記第1層が離間されて形成された蛍光体非含有部と前記第2層が離間されて形成された蛍光体含有部とが積層された複数の透光性部材を前記透光性シートから形成する工程とを含む、透光性部材の製造方法。
  2. 表面の凹凸が小さい第1層と、表面の凹凸が前記第1層よりも大きい蛍光体を含有する第2層とが積層された透光性シートを配置した支持体を準備する工程と、
    ブレードによる切削によって前記支持体上において空隙により前記第1層が離間されて形成された蛍光体非含有部と前記第2層が離間されて形成された蛍光体含有部とが積層された複数の透光性部材を前記透光性シートから形成する工程とを含む、透光性部材の製造方法。
  3. 前記支持体と前記第1層とが接触して配置されている、請求項1または請求項2に記載の透光性部材の製造方法。
  4. 前記ブレードは回転刃であり、
    前記透光性シートの切削は、前記回転刃の回転の方向が、前記支持体から前記透光性シートに向かう方向である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の透光性部材の製造方法。
  5. 前記ブレードによる切削の際、前記ブレードに隣り合って設けた吸引機構により切削屑を吸引する、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の透光性部材の製造方法。
  6. 前記蛍光体が、マンガン賦活フッ化物系蛍光体を含む、請求項1から請求項5に記載の透光性部材の製造方法。
  7. 前記第2層は、それぞれ異なる蛍光体を含有する複数の層を有する、請求項1から請求項6に記載の透光性部材の製造方法。
  8. 前記支持体は、紫外線硬化型の接着剤を備え、前記接着剤の上に前記透光性シートが配置される、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の透光性部材の製造方法。
  9. 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の透光性部材の製造方法で製造された透光性部材を、発光素子上に搭載する工程を含む、発光装置の製造方法。
  10. 前記発光素子に近い側の位置に前記蛍光体含有部が配置される、請求項9に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022202945A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 デクセリアルズ株式会社 表示装置の製造方法
US11557702B2 (en) 2019-07-02 2023-01-17 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108231974B (zh) * 2016-12-21 2022-09-02 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004206057A (ja) * 2002-11-01 2004-07-22 Omron Corp 光合分波器及び光合分波器の製造方法
JP2006292821A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Sony Corp 微粒子配列構造体及びその製造方法、並びに光学媒体の製造方法
JP2009262251A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置
JP2011109003A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Sharp Corp 透明基板からの太陽電池セルおよび透明樹脂の除去方法、並びに太陽電池モジュール
JP2012138561A (ja) * 2010-12-08 2012-07-19 Sharp Corp 発光装置及びその製造方法
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
JP2013247067A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 Nichia Chem Ind Ltd 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置
JP2014022704A (ja) * 2012-07-24 2014-02-03 Toray Ind Inc 蛍光体含有樹脂シートと発光装置及びその製造方法
JP2014133289A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Omiya Ind Co Ltd 切削装置、切削方法、及びプログラム
JP2015032770A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
JP2015052648A (ja) * 2013-09-05 2015-03-19 日亜化学工業株式会社 カラーフィルター及び発光装置の組合せの選択方法並びに画像表示装置の製造方法
WO2015056590A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2015060289A1 (ja) * 2013-10-24 2015-04-30 東レ株式会社 蛍光体組成物、蛍光体シート、蛍光体シート積層体ならびにそれらを用いたledチップ、ledパッケージおよびその製造方法
JP2016001735A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4447806B2 (ja) 2001-09-26 2010-04-07 スタンレー電気株式会社 発光装置
US10309587B2 (en) * 2002-08-30 2019-06-04 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7479662B2 (en) * 2002-08-30 2009-01-20 Lumination Llc Coated LED with improved efficiency
CN100422777C (zh) * 2002-11-01 2008-10-01 欧姆龙株式会社 光合分波器和光合分波器的制造方法
US8860051B2 (en) * 2006-11-15 2014-10-14 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
TWI239671B (en) * 2004-12-30 2005-09-11 Ind Tech Res Inst LED applied with omnidirectional reflector
RU2010137317A (ru) 2008-02-08 2012-03-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Оптический элемент и способ его изготовления
KR20110113655A (ko) * 2009-03-03 2011-10-17 우베 고산 가부시키가이샤 발광 소자 형성용 복합 기판, 발광 다이오드 소자, 백색 발광 다이오드 소자, 및 그 제조 방법
JP5377108B2 (ja) * 2009-06-24 2013-12-25 パナソニック株式会社 電磁リレー
US9039216B2 (en) * 2010-04-01 2015-05-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
CN102376860A (zh) * 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
WO2012026757A2 (ko) * 2010-08-25 2012-03-01 삼성엘이디 주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
CN103153611B (zh) * 2011-06-07 2015-01-07 东丽株式会社 树脂片材层合体、其制造方法及使用其的带有含荧光体树脂片材的led芯片的制造方法
JP5862066B2 (ja) 2011-06-16 2016-02-16 東レ株式会社 蛍光体含有シート、それを用いたled発光装置およびその製造方法
CN103367611B (zh) * 2012-03-28 2017-08-08 日亚化学工业株式会社 波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置
JPWO2014024218A1 (ja) * 2012-08-06 2016-07-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体光学素子、その製造方法及び光源装置
JP2014116587A (ja) 2012-11-16 2014-06-26 Toray Ind Inc 蛍光体含有樹脂シート、これを用いたled素子およびその製造方法
US11024781B2 (en) 2014-01-07 2021-06-01 Lumileds Llc Glueless light emitting device with phosphor converter
JP6351265B2 (ja) * 2014-01-09 2018-07-04 デンカ株式会社 蛍光体含有多層膜シート、並びに発光装置
JP6715773B2 (ja) 2014-02-27 2020-07-01 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 波長変換発光デバイスを形成する方法
JP6376225B2 (ja) * 2014-12-09 2018-08-22 信越化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置
KR102252994B1 (ko) * 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR101645329B1 (ko) * 2015-04-29 2016-08-04 루미마이크로 주식회사 형광수지 성형 베이스몰드를 이용하는 발광다이오드 장치 제조방법
WO2016192452A1 (zh) * 2015-05-29 2016-12-08 广州市鸿利光电股份有限公司 Csp led的封装方法和csp led
CN105006510B (zh) * 2015-07-29 2017-06-06 鸿利智汇集团股份有限公司 一种csp led的封装方法
JP6217705B2 (ja) * 2015-07-28 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004206057A (ja) * 2002-11-01 2004-07-22 Omron Corp 光合分波器及び光合分波器の製造方法
JP2006292821A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Sony Corp 微粒子配列構造体及びその製造方法、並びに光学媒体の製造方法
JP2009262251A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置
JP2011109003A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Sharp Corp 透明基板からの太陽電池セルおよび透明樹脂の除去方法、並びに太陽電池モジュール
JP2012138561A (ja) * 2010-12-08 2012-07-19 Sharp Corp 発光装置及びその製造方法
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
JP2013247067A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 Nichia Chem Ind Ltd 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置
JP2014022704A (ja) * 2012-07-24 2014-02-03 Toray Ind Inc 蛍光体含有樹脂シートと発光装置及びその製造方法
JP2014133289A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Omiya Ind Co Ltd 切削装置、切削方法、及びプログラム
JP2015032770A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
JP2015052648A (ja) * 2013-09-05 2015-03-19 日亜化学工業株式会社 カラーフィルター及び発光装置の組合せの選択方法並びに画像表示装置の製造方法
WO2015056590A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2015060289A1 (ja) * 2013-10-24 2015-04-30 東レ株式会社 蛍光体組成物、蛍光体シート、蛍光体シート積層体ならびにそれらを用いたledチップ、ledパッケージおよびその製造方法
JP2016001735A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11557702B2 (en) 2019-07-02 2023-01-17 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing same
WO2022202945A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 デクセリアルズ株式会社 表示装置の製造方法

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