CN105006510B - 一种csp led的封装方法 - Google Patents
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Abstract
一种CSP LED的封装方法，包括以下步骤：（1）在载板上设置一层用于固定LED芯片位置的固定膜；（2）在所述固定膜表面分布若干LED芯片，且所述LED芯片呈阵列分布，相邻LED芯片之间留有间隙；（3）在LED芯片阵列上覆盖一层挡光胶；（4）挡光胶固化后，研磨去除挡光胶的表层，使LED芯片的顶面能够裸露；（5）在LED芯片顶面上覆盖一层荧光胶层；（6）沿相邻LED芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至固定膜，使荧光胶层和挡光胶层能够被切断。通过本发明的工艺，可以同时制作出多颗单面发光的LED，工序简单且能防止挡光胶层与芯片相结合处产生黄光。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装，尤其是芯片级封装白光LED的封装方法。
背景技术
基于倒装晶片的新型的芯片级封装LED（CSP LED；Chip Scale
Package LED），是在芯片底面设有电极，直接在芯片的上表面和侧面封装上封装胶体，使底面的电极外露，由于这种封装结构并无支架或基板，可降低了封装成本。现有的芯片级封装LED通常是采取五面发光，即LED的顶面和四个侧面均能发光，该种LED的封装工艺相对比较简单。随着人们对产品出光的角度、一致性等要求的提高，目前的芯片级封装LED结构已经满足不了人们的需求，人们渴望具有单面发光的芯片级封装LED的出现。如中国专利，公开号为104112810开一种芯片级封装LED的封装结构，包括底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体的如下部位中的至少一个部位设置有反射面：底部和侧面。所述反射面是自封装胶体的底部延伸至侧面的反射曲面或反射平面。该技术通过在自封装胶体的底面和侧面喷涂一层反射层来提高光萃效率和调整出光角度并形成单面出光。虽然上述技术也能做到产品的单面出光，但是其封装工艺比较复杂，用于挡光的反射面是通过喷涂形成的，这样只能针对单颗LED所实施的工艺，大批量生产时，其工艺所消耗的人力物力无疑是巨大的，不适合规模化生产。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种CSPLED的封装方法，工艺简单，便于实现规模化生产，且能够防止LED产品发光时侧边出现黄圈的现象。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种CSPLED的封装方法，包括以下步骤：
（1）在载板上设置一层用于固定LED芯片位置的固定膜；
（2）在所述固定膜表面分布若干LED芯片，且所述LED芯片呈阵列分布，相邻LED芯片之间留有间隙；LED芯片的底面设有电极，LED芯片的底面与固定膜相贴；
（3）在LED芯片阵列上覆盖一层挡光胶，挡光胶能够将每颗LED芯片的发光面完全覆盖；
（4）挡光胶固化后，研磨去除挡光胶的表层，使LED芯片的顶面能够裸露，此时LED芯片的顶面与侧面的挡光胶的顶面高度平齐；
（5）在LED芯片顶面上覆盖一层荧光胶层，荧光胶层的高度高于侧面挡光胶的高度，荧光胶的顶面与挡光胶的顶面形成台阶；
（6）沿相邻LED芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至固定膜，使荧光胶层和挡光胶层能够被切断。
（7）将单个LED芯片分离。
通过本发明的工艺，可以同时制作出多颗单面发光的LED，对于出光要求较高的产品可以使用单面发光的LED作为光源。
作为改进，所述步骤（7）的具体步骤为：
（1）将固定膜、LED芯片、挡光胶和荧光胶成为整体与载板分离；
（2）将LED芯片、挡光胶和荧光胶成为整体与固定膜分离。
作为改进，所述荧光胶层外围设有一层沿荧光胶层边缘设置的防漏光层，所述防漏光层位于挡光胶层的顶部且将挡光胶层的内侧遮挡；所述挡光胶层的宽度为L1，所述防漏光层的宽度为L，L=（1/5~1/2）L1。
作为改进，所述固定膜为UV双面胶带膜或热分离胶带膜。
作为改进，所述挡光胶通过涂刷方式覆盖在LED芯片阵列上。
作为改进，所述荧光胶通过模造或粘贴形式覆盖在挡光胶层和LED芯片顶面上。
作为改进，相邻LED芯片之间的间隙距离相等。
作为改进，荧光胶层上设有一层透明胶层。
作为改进，所述步骤（5）的具体实施方式：
（1）在表面平整的LED芯片阵列上覆盖一层荧光胶层，该荧光胶层将LED芯片的顶面和挡光胶的顶面完全覆盖；
（2）将相邻LED芯片之间的部分荧光胶层切除，未被切除的荧光胶层覆盖LED芯片的顶面以及与LED芯片相连的挡光胶层内侧。
作为改进，所述步骤（5）、（6）由以下步骤代替：
（1）在表面平整的LED芯片阵列上覆盖一层荧光胶层，该荧光胶层将LED芯片的顶面和挡光胶的顶面完全覆盖；
（2）利用多刀组合的刀具在相邻LED芯片之间进行切割；组合刀具包括主刀具和副刀具；
主刀具沿相邻LED芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至固定膜，使荧光胶层和挡光胶层能够被切断；副刀具将主刀具与LED芯片之间的荧光胶切除，并裸露出挡光胶的顶面。
本发明与现有技术相比所带来的有益效果是：
本发明通过对多个LED芯片进行固定、相邻LED芯片间隙内刷入挡光胶进而在LED芯片四周侧面形成挡光层、最后将多颗LED芯片进行分离的封装工艺，可以同时制作出多颗单面发光的LED；LED芯片侧面被挡光胶遮挡，而LED芯片在LED芯片侧面发出的蓝光相对于LED芯片中心位置发出的蓝光较少，若挡光胶的顶面覆盖有荧光胶，LED芯片侧面的蓝光透过边缘的荧光胶激发后会发出黄圈，从而影响LED的出光效果，本发明切除了LED芯片顶面外围的荧光胶，使LED芯片侧面的蓝光不能从侧面激发，LED出光效果更好；另外，荧光胶层遮挡与LED芯片相连的挡光胶层的内侧，能够防止LED芯片侧面的蓝光从挡光胶层与芯片侧面的结合面射出而影响LED芯片的整体光效。
附图说明
图1为本发明工艺流程图。
图2为组合刀具结构示意图I。
图3为组合刀具结构示意图II。
图4为格栅与LED芯片阵列配合的剖视图。
图5为单颗LED灯结构示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明作进一步说明。
实施例1
如图1所示，一种芯片级封装白光LED的封装方法，包括以下步骤：
（1）在载板1上设置一层用于固定LED芯片4位置的固定膜2；本实施例的固定膜2为UV双面胶带膜，载板1为玻璃板；UV双面胶带膜可以直接通过粘贴方式固定在玻璃板的一面上，然后可以通过照射玻璃板的另一面使UV双面胶带膜与玻璃板分离；
（2）在所述UV双面胶带膜表面分布若干LED芯片4，LED芯片4的数量可以根据玻璃板的大小而设，或者根据生产需求而设计，所述LED芯片4呈阵列分布，相邻LED芯片4之间留有用于切割的间隙，每条间隙的宽度一致，确保切割后每颗LED的一致性；LED芯片4为倒装芯片，其底面设有电极7，LED芯片4的底面与UV双面胶带膜的另一面相贴，通过UV双面胶带膜的粘性将LED芯片4固定住；
（3）在LED芯片4阵列上覆盖一层挡光胶3，覆盖的方式有很多种，可以是通过涂刷方式，或者是点胶式，或者是倒入式，总而言之，挡光胶3会将相邻LED芯片4之间的间隙填充满，最好是挡光胶3能够将每颗LED芯片4的发光面完全覆盖，这样就能够确保挡光胶3能够完全将LED芯片4的侧面挡住，但是会在LED芯片4的顶面覆盖一层薄薄的挡光胶3；
（4）挡光胶3固化后，通过研磨机将固化的挡光胶层磨平，并且研磨去除LED芯片4顶面的挡光胶薄层，为了防止研磨过程中，LED芯片4因研磨而出现的刮痕，在利用研磨机将固化的挡光胶层磨平后，对研磨后挡光胶层以及LED芯片4进行抛光处理，这样就能确保每颗LED芯片4的顶面能够裸露，作为发光面，此时LED芯片的顶面与侧面的挡光胶3的顶面高度平齐；
（5）在LED芯片4顶面上覆盖一层荧光胶层5，荧光胶层5的顶面高于侧面挡光胶3的顶面，具体实施方式如下：
（5.1）在表面平整的LED芯片4阵列上覆盖一层荧光胶层5，该荧光胶层5将LED芯片4的顶面和挡光胶3的顶面完全覆盖；所述荧光胶层5通过模造成型，荧光胶层5的厚度一致；
（6）在荧光胶层5上铺设一层透明胶层6，荧光胶层的厚度为30-50微米，透明胶层的厚度为80-130微米；透明胶层与荧光胶层可以是一体的也可以是通过分层喷涂形成；由于荧光胶层比较薄，能提高出光效果。
（7）利用刀具将相邻LED芯片之间的部分或全部荧光胶层和透明胶层切除，若利用刀具将相邻LED芯片之间的部分荧光胶层和透明胶层切除时，如图5所示，剩余的荧光胶层能够将LED芯片的顶面完全遮盖，而且荧光胶层与LED芯片相对面的面积稍大于LED芯片顶面的发光面积，挡光胶层上未被切割部分为防漏光层51，防漏光层51位于挡光胶层的顶部且将挡光胶层的内侧遮挡，挡光胶层的宽度为L1，所述防漏光层51的宽度为L，L=（1/5~1/2）L1；刀具可以是金刚砂轮。
（8）沿相邻LED芯片4之间的间隙进行切割，切割的位置位于间隙的中间位置，确保切割后每颗LED都是一致的；另外，切割的深度至UV双面胶带膜，确保荧光胶层5和挡光胶层能够被完全切断，此时每颗LED芯片4之间已经分离，仅仅是通过UV双面胶带膜连接在一起；
（9）利用紫外线照射玻璃板，使玻璃板与UV双面胶带膜分离；
（10）将UV双面胶带膜、LED芯片4、挡光胶3和荧光胶成为整体与载板1分离；
（11）将上述整体倒置，利用紫外线直接照射UV双面胶带膜即可将UV双面胶带膜撕开，制作出多颗独立的LED，每颗LED芯片4的侧面设有挡光胶层，只有顶面能够出光，LED芯片4通过顶面设置的荧光胶层5激发出白光。
实施例2
如图1所示，一种芯片级封装白光LED的封装方法，包括以下步骤：
（1）在载板1上设置一层用于固定LED芯片4位置的固定膜2；本实施例的固定膜2为热分离胶带膜；热分离胶带膜可以直接通过粘贴方式固定在载板1的一面上；
（2）在所述热分离胶表面分布若干LED芯片4，LED芯片4的数量可以根据载板1的大小而设，或者根据生产需求而设计，所述LED芯片4呈阵列分布，相邻LED芯片4之间留有用于切割的间隙，每条间隙的宽度一致，确保切割后每颗LED的一致性；LED芯片4为倒装芯片，其底面设有电极7，LED芯片4的底面与热分离胶的另一面相贴，通过热分离胶的粘性将LED芯片4固定住；
（3）在LED芯片4阵列上覆盖一层挡光胶3，覆盖的方式有很多种，可以是通过涂刷方式，或者是点胶式，或者是倒入式，总而言之，挡光胶3会将相邻LED芯片4之间的间隙填充满，最好是挡光胶3能够将每颗LED芯片4的发光面完全覆盖，这样就能够确保挡光胶3能够完全将LED芯片4的侧面挡住，但是会在LED芯片4的顶面覆盖一层薄薄的挡光胶3；
（4）挡光胶3固化后，通过研磨机将固化的挡光胶层磨平，并且研磨去除LED芯片4顶面的挡光胶薄层，为了防止研磨过程中，LED芯片4因研磨而出现的刮痕，在利用研磨机将固化的挡光胶层磨平后，对研磨后挡光胶层以及LED芯片4进行抛光处理，这样就能确保每颗LED芯片4的顶面能够裸露，作为发光面，LED芯片的顶面与侧面的挡光胶的顶面高度平齐；
（5）在LED芯片4顶面上覆盖一层荧光胶层5，荧光胶层5的顶面高于侧面挡光胶的顶面，具体实施方式如下：
（5.1）在表面平整的LED芯片阵列上覆盖一层荧光胶层，该荧光胶层将LED芯片的顶面和挡光胶的顶面完全覆盖；所述荧光胶层5为荧光胶贴片，荧光胶层5的厚度一致；
（6）在荧光胶层5上铺设一层透明胶层6，荧光胶层的厚度为30-50微米，透明胶层的厚度为80-130微米；透明胶层与荧光胶层可以是一体胶层粘贴在挡光胶层顶面和LED芯片顶面，透明胶层与荧光胶层也可以是通过分层喷涂形成；由于荧光胶层的厚度比较薄，能提高出光效果。
（7）利用多刀组合的刀具在相邻LED芯片之间进行切割；切割的位置位于间隙的中间位置，确保切割后每颗LED都是一致的；组合刀具包括主刀具7和副刀具8，如图2所示，副刀具8可以只设置在主刀具7的一侧；如图3所示，或者设置在主刀具7的两侧，刀具可以是金刚砂轮；主刀具7沿相邻LED芯片之间的间隙中间位置进行切割，切割的深度至固定膜，使荧光胶层和挡光胶层能够被切断；副刀具8将主刀具7与LED芯片之间的全部或部分荧光胶层和透明胶层切除，若副刀具8将主刀具7与LED芯片之间的部分荧光胶层和透明胶层切除时，如图5所示，剩余的荧光胶层能够将LED芯片的顶面完全遮盖，而且荧光胶层相对LED芯片顶面的面积稍大于LED芯片顶面的发光面积，挡光胶层顶面未被切割的荧光胶层为防漏光层51，防漏光层51位于挡光胶层的顶部且将挡光胶层的内侧遮挡，挡光胶层的宽度为L1，所述防漏光层51的宽度为L，L=（1/5~1/2）L1；另外，主刀具7切割的深度至热分离胶，确保荧光胶层5和挡光胶层能够被完全切断，此时每颗LED芯片4之间已经分离，仅仅是通过热分离胶连接在一起；
（8）通过加热载板1即可将LED芯片4分离，制作出多颗独立的LED，每颗LED芯片4的侧面设有挡光胶层，只有顶面能够出光，LED芯片4通过顶面设置的荧光胶层5激发出白光。
实施例3
如图1所示，一种芯片级封装白光LED的封装方法，包括以下步骤：
（1）在载板1上设置一层用于固定LED芯片4位置的固定膜2；本实施例的固定膜2为UV双面胶带膜，载板1为玻璃板；UV双面胶带膜可以直接通过粘贴方式固定在玻璃板的一面上，然后可以通过照射玻璃板的另一面使UV双面胶带膜与玻璃板分离；
（2）在所述UV双面胶带膜表面分布若干LED芯片4，LED芯片4的数量可以根据玻璃板的大小而设，或者根据生产需求而设计，所述LED芯片4呈阵列分布，相邻LED芯片4之间留有用于切割的间隙，每条间隙的宽度一致，确保切割后每颗LED的一致性；LED芯片4为倒装芯片，其底面设有电极7，LED芯片4的底面与UV双面胶带膜的另一面相贴，通过UV双面胶带膜的粘性将LED芯片4固定住；
（3）在LED芯片4阵列上覆盖一层挡光胶3，覆盖的方式有很多种，可以是通过涂刷方式，或者是点胶式，或者是倒入式，总而言之，挡光胶3会将相邻LED芯片4之间的间隙填充满，最好是挡光胶3能够将每颗LED芯片4的发光面完全覆盖，这样就能够确保挡光胶3能够完全将LED芯片4的侧面挡住，但是会在LED芯片4的顶面覆盖一层薄薄的挡光胶3；
（4）挡光胶3固化后，通过研磨机将固化的挡光胶层磨平，并且研磨去除LED芯片4顶面的挡光胶薄层，为了防止研磨过程中，LED芯片4因研磨而出现的刮痕，在利用研磨机将固化的挡光胶层磨平后，对研磨后挡光胶层以及LED芯片4进行抛光处理，这样就能确保每颗LED芯片4的顶面能够裸露，作为发光面，此时LED芯片的顶面与侧面的挡光胶高度平齐；
（5）在LED芯片4顶面上覆盖一层荧光胶层5，荧光胶层5的高度高于侧面挡光胶的高度，具体实施方式如下：
（5.1）如图4所示，在表面平整的LED芯片4阵列上覆盖一个格栅9，所述格栅9上对应每个LED芯片位置设有通孔91，通孔91的面积稍大于LED芯片4的顶面面积，透过该通孔91可以使LED芯片4的顶面露出，而相邻LED芯片4之间的挡光胶部分或全部则被格栅遮挡；
（5.2）若格栅能将相邻LED芯片之间的挡光胶全部遮挡，则在格栅上涂刷荧光胶，荧光胶流入通孔内，在格栅的阻挡下，使得荧光胶仅能出现在LED芯片的顶面，待荧光胶固化后，即可在LED芯片顶面形成一层荧光胶层；若格栅能将相邻LED芯片之间的挡光胶全部遮挡，如图5所示，该荧光胶层可以将LED芯片的顶面发光面完全覆盖，挡光胶层顶面上未被遮挡的部分荧光胶层为防漏光层51，防漏光层51位于挡光胶层的顶部且将挡光胶层的内侧遮挡，挡光胶层的宽度为L1，所述防漏光层51的宽度为L，L=（1/5~1/2）L1；
（6）在荧光胶层5上铺设一层透明胶层6，荧光胶层的厚度为30-50微米，透明胶层的厚度为80-130微米；透明胶层与荧光胶层可以是一体的也可以是通过分层喷涂形成；由于荧光胶层荧光胶层比较薄，能提高出光效果。
（7）沿相邻LED芯片4之间的挡光胶进行切割，切割的位置位于间隙的中间位置，确保切割后每颗LED都是一致的；另外，切割的深度至UV双面胶带膜，确保荧光胶层5和挡光胶层能够被完全切断，此时每颗LED芯片4之间已经分离，仅仅是通过UV双面胶带膜连接在一起；
（8）利用紫外线照射玻璃板，使玻璃板与UV双面胶带膜分离；
（9）将UV双面胶带膜、LED芯片4、挡光胶3和荧光胶成为整体与载板1分离；
（10）将上述整体倒置，利用紫外线直接照射UV双面胶带膜即可将UV双面胶带膜撕开，制作出多颗独立的LED，每颗LED芯片4的侧面设有挡光胶层，只有顶面能够出光，通过LED芯片4顶面设置的荧光胶层5激发出白光。
Claims (10)
1.一种CSP LED的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在载板上设置一层用于固定LED芯片位置的固定膜；
（2）在所述固定膜表面分布若干LED芯片，且所述LED芯片呈阵列分布，相邻LED芯片之间留有间隙；LED芯片的底面设有电极，LED芯片的底面与固定膜相贴；
（3）在LED芯片阵列上覆盖一层挡光胶，挡光胶能够将每颗LED芯片的发光面完全覆盖；
（4）挡光胶固化后，研磨去除挡光胶的表层，使LED芯片的顶面能够裸露，此时LED芯片的顶面与侧面的挡光胶的顶面高度平齐；
（5）在LED芯片顶面上覆盖一层荧光胶层，荧光胶层的顶面高于侧面挡光胶的顶面，荧光胶的顶面与挡光胶的顶面形成台阶；
（6）沿相邻LED芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至固定膜，使荧光胶层和挡光胶层能够被切断；
（7）将单个LED芯片分离。
2.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：所述步骤（7）的具体步骤为：
（1）将固定膜、LED芯片、挡光胶和荧光胶成为整体与载板分离；
（2）将LED芯片、挡光胶和荧光胶成为整体与固定膜分离。
3.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：所述载板为透明载板。
4.根据权利要求1或2所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：所述固定膜为UV双面胶带膜或热分离胶带膜。
5.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：所述挡光胶通过涂刷方式覆盖在LED芯片阵列上。
6.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：所述荧光胶层通过模造或粘贴形式覆盖在挡光胶层和LED芯片顶面上。
7.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：相邻LED芯片之间的间隙距离相等。
8.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：在步骤（5）的荧光胶层上设有一层透明胶层。
9.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：所述步骤（5）的具体实施方式：
（1）在表面平整的LED芯片阵列上覆盖一层荧光胶层，该荧光胶层将LED芯片的顶面和挡光胶的顶面完全覆盖；
（2）将相邻LED芯片之间的部分荧光胶层切除，未被切除的荧光胶层覆盖LED芯片的顶面以及与LED芯片相连的挡光胶层内侧。
10.根据权利要求1所述的一种CSP LED的封装方法，其特征在于：所述步骤（5）、（6）由以下步骤代替：
（1）在表面平整的LED芯片阵列上覆盖一层荧光胶层，该荧光胶层将LED芯片的顶面和挡光胶的顶面完全覆盖；
（2）利用多刀组合的刀具在相邻LED芯片之间进行切割；组合刀具包括主刀具和副刀具；
主刀具沿相邻LED芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至固定膜，使荧光胶层和挡光胶层能够被切断；
副刀具将主刀具与LED芯片之间的荧光胶层切除，并裸露出挡光胶的顶面。
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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