JP6384508B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本開示は、発光装置に関する。
例えば特許文献1には、基板の表面上に間隙を空けて配設された複数個の半導体発光素子と、複数個の半導体発光素子に対して個別に設けられた透明な蛍光体板と、半導体発光素子の上面と蛍光体板の下面を接着固定する透明な接着部材と、半導体発光素子および蛍光体板を囲繞し光反射性の微粒子を含有する反射層と、を備える発光装置が記載されている。
特開2015−079805号公報
上記特許文献1に記載の発光装置においては、2つの半導体発光素子に挟まれた反射層に熱応力が籠りやすく、それにより反射層の主要部にひび割れを生じる虞がある。
そこで、本発明の一実施の形態は、複数の発光素子の周囲を被覆する光反射性の被覆部材の主要部のひび割れを抑えることができる発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施の形態の発光装置は、第1ランドと、第2ランドと、前記第1ランドと前記第2ランドの間に配置された中間配線と、を前面に含む基板と、前記第1ランドにフリップチップ実装された第1発光素子と、前記第2ランドにフリップチップ実装された第2発光素子と、前記中間配線上に設けられ、前記第1発光素子の側面及び前記第2発光素子の側面を被覆する光反射性の被覆部材と、を備える発光装置であって、前記中間配線上の前記被服部材に凹部が形成されており、前記凹部の底が前記第1発光素子の前面及び前記第2発光素子の前面より後方にあり前記中間配線の前面より前方にあって、前記凹部の内面が当該発光装置の外表面であることを特徴とする。
本発明の一実施の形態の発光装置によれば、被覆部材の主要部のひび割れを抑えることができる。
本発明の一実施の形態に係る発光装置の概略斜視図である。 図1Aに示す発光装置の概略前面図である。 図1BのA−A断面における概略断面図である。 図1Aに示す発光装置の概略後面図である。 図1Aに示す発光装置の概略側面図である。 図1Aに示す発光装置の概略側面図である。 本発明の一実施の形態に係る別の発光装置の概略斜視図である。
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
なお、可視波長域は波長が380nm以上780nm以下の範囲とし、青色域は波長が420nm以上480nm以下の範囲、緑色域は波長が500nm以上560nm以下の範囲、黄色域は波長が560nmより長く590nm以下の範囲、赤色域は波長が610nm以上750nm以下の範囲とする。
<実施の形態1>
図1Aは、実施の形態1に係る発光装置100の概略斜視図である。図1Bは、図1Aに示す発光装置100の概略前面図である。図1Cは、図1BのA−A断面における概略断面図である。図1Dは、図1Aに示す発光装置100の概略後面図である。図1Eは、図1Aに示す発光装置100の概略側面図である。図1Fは、図1Aに示す発光装置100の概略側面図である。図2は、実施の形態1に係る別の発光装置200の概略斜視図である。
なお、図1A〜1F中、発光装置100における、横方向をX方向、縦方向をY方向、前後(奥行き)方向をZ方向として示す。このX、Y、Z方向(軸)は其々、他の2方向(軸)と垂直な方向(軸)である。より詳細には、右方向をX方向、左方向をX方向、上方向をY方向、下方向をY方向、前方向をZ方向、後ろ方向をZ方向としている。Y方向が当該発光装置100の実装方向である。Z方向が当該発光装置100の主発光方向である。以下、発光装置100の各構成要素における、Z方向に面する面を「前面」、Z方向に面する面を「後面」とする。
図1A〜1Fに示すように、実施の形態1の発光装置100は、基板10と、第1発光素子21と、第2発光素子22と、被覆部材50と、を備えている。基板10は、第1ランド11と、第2ランド12と、中間配線13と、を前面に含んでいる。中間配線13は、第1ランド11と第2ランド12の間に配置されている。第1発光素子21は、第1ランド11にフリップチップ実装されている。すなわち、第1発光素子21の後面に設けられた正負電極が導電性接着部材60を介して第1ランド11に接続されている。第2発光素子22は、第2ランド12にフリップチップ実装されている。すなわち、第2発光素子22の後面に設けられた正負電極が導電性接着部材60を介して第2ランド12に接続されている。被覆部材50は、中間配線13上に設けられている。被覆部材50は、第1発光素子21の側面及び第2発光素子22の側面を被覆している。被覆部材50は、光反射性である。そして、中間配線13上の被覆部材50には、凹部50sが形成されている。凹部50sの底は、第1発光素子21の前面及び第2発光素子22の前面より後方にあり、中間配線13の前面より前方にある。凹部50sの内面は、当該発光装置100の外表面である。すなわち、凹部50sの内側は空っぽである。
このような構成を有する発光装置100は、上記深さの凹部50sによって、中間配線13上すなわち第1発光素子21と第2発光素子22間の被覆部材50に伸び代が与えられ、熱応力の籠りを緩和することができ、被覆部材50の主要部におけるひび割れの発生を抑えることができる。また、上記深さの凹部50sであれば、中間配線13の装置外部への露出が抑えられるので、中間配線13の腐食を抑制することができる。また、凹部50sは、発光装置100の位置決めガイドとして利用することもできる。
なお、被覆部材50の「主要部」とは、第1発光素子21、第2発光素子22、並びに後述の第1透光性部材31、第2透光性部材32の其々の側面を直接的に被覆する部位である。例えば、凹部50sの底と中間配線13の前面との間にある被覆部材50の切り残し部は、この「主要部」から除くことができる。また、被覆部材50の前面は、平坦であってもよいし、硬化前の表面張力による這い上がり及び/若しくは硬化収縮などによりヒケ面すなわち凹面になっていてもよい。但し、凹部50sは、このようなヒケ面とは別に形成されるものである。凹部50sは、回転円盤状のダインシグソーによる切削、引き切り型若しくは押し切り型のカッターによる切り裂き、又は金型による成形などによって形成することができる。
また、Z方向を上下方向若しくは高さ方向とする場合には、凹部50sの底は、第1発光素子21の上面及び第2発光素子22の上面より下位(高位)にあり、中間配線13の上面より上位(低位)にある、と言い換えることができる。このとき、上下若しくは高さの基準面は、基板の基体15の上面とする。
以下、発光装置100の好ましい形態について詳述する。
図1A〜1C,1Eに示すように、凹部50sは、被覆部材50のY方向及びY方向に其々面する2つの側面に達している。このように、凹部50sは、前面視において、被覆部材50における第1ランド11と第2ランド12の配列方向に対して垂直な方向に面する2側面の少なくとも一方に達していることが好ましい。このような凹部50sであれば、中間配線13上の被覆部材50における熱応力の籠りを緩和しやすく、被覆部材50の主要部におけるひび割れの発生を抑えやすい。なお、このとき、凹部50sは、前面視において、被覆部材50における第1ランド11と第2ランド12の配列方向に対して垂直な方向に面する2側面の一方のみに達していてもよいが、当該2側面の両方に達していることがより好ましい。
中間配線13上の被覆部材50の熱応力の籠りをより緩和しやすくする観点から、凹部50sの底は、第1発光素子21の半導体層の前面及び第2発光素子22の半導体層の前面より後方にあることがより好ましい。更には、同観点から、図1A〜1C,1Eに示すように、凹部50sの底は、第1発光素子21の後面及び第2発光素子22の後面より後方にあることがよりいっそう好ましい。なお、第1発光素子21及び第2発光素子22が基板(以降、基板10と区別するため「素子基板」と呼称する)を有する場合、半導体層の前面は素子基板の後面と一致すると見なすことができる。
また、凹部50sは、前面視において、第1発光素子21と第2発光素子22の間、若しくは後述の第1透光性部材31と第2透光性部材32の間の中央に設けられるか、又はその中央線に対して左右対称に設けられることが好ましい。凹部50sの前面視形状は、図示している線状のほか、斑点状などでもよい。凹部50sの前面視形状が線状である場合、図示している直線状のほか、曲線状、波線状、破線状、折れ線状のいずれでもよい。凹部50sの前面視形状が直線状である場合、図示しているようにY方向(軸)に対して平行であることが好ましいが、Y方向(軸)に対して傾斜していてもよい。凹部50sの断面視形状は、図示している矩形状のほか、逆三角形状若しくは逆台形状などでもよく、底が丸みを帯びていてもよい。凹部50sの断面視における中心軸は、図示しているようにZ方向(軸)に対して平行であることが好ましいが、Z方向(軸)に対して傾斜していてもよい。凹部50sは、図示している1つのみに限られず、複数あってもよい。
また、凹部50sのX方向の幅の下限値は、適宜選択できるが、被覆部材50の伸び代の観点から、0.01mm以上であることが好ましく、0.1mm以上であることがより好ましい。凹部50sのX方向の幅の上限値は、適宜選択できるが、第1発光素子21と第2発光素子22間の被覆部材50の肉厚の確保の観点から、0.4mm以下であることが好ましく、0.3mm以下であることがより好ましい。
図1A〜1Eに示すように、基板10、第1発光素子21、第2発光素子22、及び被覆部材50は、X方向に長尺である。このように、被覆部材50は、第1ランド11と第2ランド12の配列方向に長尺であることが好ましい。被覆部材50の熱膨張量は被覆部材50の長手方向に大きくなるため、被覆部材50が第1ランド11と第2ランド12の配列方向に長尺であれば、中間配線13上の被覆部材50に掛かる熱応力が増大しやすくなる。よって、凹部50sにより被覆部材50の熱応力の籠りを緩和する技術的意義が高くなる。
基板の基体15の線膨張係数が小さいほど、基板10に固着された第1発光素子21と第2発光素子2が動きにくく、両素子に挟まれた被覆部材50に掛かる熱応力が増大しやすくなる。よって、凹部50sにより被覆部材50の熱応力の籠りを緩和する技術的意義が高くなる。このため、基板の基体15の線膨張係数は、適宜選択できるが、15ppm/℃以下であることが好ましく、10ppm/℃以下であることがより好ましく、5ppm/℃以下であることがよりいっそう好ましい。基板の基体15の線膨張係数の下限値については、例えば1ppm/℃以上である。
なお、図1Fに示すように、被覆部材50のY方向に面する側面は、基板10のY方向に面する側面に対して発光装置100の内側に傾斜していることが好ましい。これにより、本発光装置100の回路基板などへの実装時に当該被覆部材50の側面と回路基板面との接触が抑えられ、発光装置100の実装姿勢が安定しやすい。また、被覆部材50が熱膨張した際、回路基板面との接触による応力を抑えることもできる。被覆部材50のY方向に面する側面もまた、基板10のY方向に面する側面に対して発光装置100の内側に傾斜していることが好ましい。これにより、当該被覆部材50の側面と吸着ノズル(コレット)との接触が抑えられ、本発光装置100の吸着時の被覆部材50の損傷を抑制することができる。また、本発光装置100が照明ユニットなどに組み込まれた際、当該被覆部材50の側面よりも基板10の側面が優先的に周辺部材と接触することで、被覆部材50の応力歪みを抑えることもできる。そして、これらのことも、被覆部材50の主要部のひび割れの抑制に寄与する。このように、前面視における第1ランド11と第2ランド12の配列方向に対して垂直な方向に面する被覆部材50の側面が、同方向に面する基板10の側面に対して当該発光装置100の内側に傾斜していることが好ましい。なお、この被覆部材50の2側面の傾斜角度θは、適宜選択できるが、このような効果の奏しやすさ及び被覆部材50の肉厚の観点から、0.3°以上3°以下であることが好ましく、0.5°以上2°以下であることがより好ましく、0.7°以上1.5°以下であることがよりいっそう好ましい。
また、図1D,1Eに示すように、基板の基体15の後面は、凹部50sに対向する位置に窪みを有していることが好ましい。このような窪みと凹部50sの組み合わせによって、被覆部材50の好ましい応力分散構造を構成することができ、被覆部材50の主要部におけるひび割れの発生をよりいっそう抑制しやすくできる。
図1Cに示すように、発光装置100は、第1発光素子21の前面上に接合され、第1発光素子21の光を吸収して発光する波長変換物質40を含む第1透光性部材31と、第2発光素子22の前面上に接合され、第2発光素子22の光を吸収して発光する波長変換物質40を含む第2透光性部材32と、を備えている。そして、被覆部材50は、第1透光性部材31の側面及び第2透光性部材32の側面を被覆していることが好ましい。このように、第1発光素子21の前面及び第2発光素子22の前面上に其々、発熱源となる波長変換物質40を含む第1透光性部材31及び第2透光性部材32が接合されていると、中間配線13上の被覆部材50に掛かる熱応力が増大しやすくなる。よって、凹部50sにより被覆部材50の熱応力の籠りを緩和する技術的意義が高くなる。なお、本実施の形態1では、第1透光性部材31及び第2透光性部材32は其々、導光部材70を介して、第1発光素子21及び第2発光素子22に接合されている。このほか、第1発光素子21の前面と第1透光性部材31の後面、並びに第2発光素子22の前面と第2透光性部材32の後面、は直接接合されていてもよい。
波長変換物質40は、マンガン賦活フッ化物蛍光体を含むことが好ましい。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の観点において好ましい反面、水分により劣化しやすい性質を有している。よって、凹部50sにより被覆部材50の熱応力の籠りを緩和し、被覆部材50の主要部におけるひび割れの発生を抑え、ひいてはそのひび割れからの水分の浸入を抑制する技術的意義が高くなる。
中間配線13は、第1発光素子21及び第2発光素子22への給電に寄与する配線であることが好ましい。このような場合、中間配線13の腐食が第1発光素子21及び第2発光素子22の動作に影響を及ぼしやすくなる。このため、上記深さの凹部50sとし、中間配線13の装置外部への露出を抑えて腐食を抑制する技術的意義が高くなる。
以下、本発明の一実施の形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。
(発光装置100)
発光装置は、例えば、発光ダイオード(LED;Light Emitting Diode)である。上記実施の形態1の発光装置は、側面発光型(「サイドビュー型」とも呼ばれる)であるが、上面発光型(「トップビュー型」とも呼ばれる)にすることも可能である。側面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに垂直である。上面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに平行である。発光装置の前面視形状すなわち主発光方向から見た形状は、適宜選択できるが、矩形状が量産性において好ましい。特に、発光装置が側面発光型である場合の前面視形状は、長手方向と短手方向を有する長方形状が好ましい。一方、発光装置が上面発光型である場合の前面視形状は、正方形状が好ましい。また、第1発光素子及び第2発光素子も発光装置と同様の前面視形状とするのが良い。
(基板10)
基板は、少なくとも、基体と、その基体に保持される配線と、により構成される。
(第1ランド11、第2ランド12、中間配線13、第1端子配線16、第2端子配線17、第3端子配線18)
配線は、基体の少なくとも前面に形成され、基体の内部及び/若しくは側面及び/若しくは後面にも形成されていてもよい。また、配線は、第1発光素子及び第2発光素子が実装されるランド、外部回路と接続される端子配線、並びにランドどうしを接続する中間配線、ランドと端子配線間を接続するリード配線などを有することが好ましい。配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、配線の表層には、導電性接着部材の濡れ性及び/若しくは光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。
(基体15)
基体は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラス、金属、紙などを用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、若しくはこれらの合金などが挙げられる。なお、これらの基材のうち、特に第1発光素子及び第2発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。基体の厚さの下限値は、適宜選択できるが、基板の強度の観点から、0.05mm以上であることが好ましく、0.2mm以上であることがより好ましい。また、基体の厚さの上限値は、発光装置の厚さ(奥行き)の観点から、0.5mm以下であることが好ましく、0.4mm以下であることがより好ましい。
(絶縁膜19)
絶縁膜は、各種のソルダーレジスト若しくはカバーレイなどであってよい。
(第1発光素子21,第2発光素子22)
第1発光素子及び第2発光素子は、少なくとも半導体素子構造を備え、多くの場合に素子基板をさらに備える。第1発光素子及び第2発光素子としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子の前面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよく、例えば六角形状であれば発光効率を高めることもできる。第1発光素子及び第2発光素子又はそれらの素子基板の側面は、前面に対して、垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。第1発光素子及び第2発光素子は、同一面側に正負(p,n)電極を有することが好ましい。1つの発光装置に搭載される発光素子の個数は3つ以上でもよい。透光性部材についても同様である。その場合、図2に示すように、被覆部材の凹部は、隣り合う2つの発光素子間毎に、若しくは隣り合う2つの透光性部材間毎に設けられるのが良い。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。半導体素子構造は、半導体層の積層体、即ち少なくともn型半導体層とp型半導体層を含み、また活性層をその間に介することが好ましい。半導体素子構造は、正負電極及び/若しくは絶縁膜を含んでもよい。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。絶縁膜は、珪素、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、アルミニウムからなる群より選択される少なくとも一種の元素の酸化物又は窒化物で構成することができる。第1発光素子及び第2発光素子の発光ピーク波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができる。半導体材料としては、波長変換物質を効率良く励起できる短波長の光を発光可能な材料である、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InAlGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。第1発光素子及び第2発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、並びに波長変換物質の励起及びその発光との混色関係等の観点から、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましく、450nm以上475nm以下がよりいっそう好ましい。このほか、InAlGaAs系半導体、InAlGaP系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。第1発光素子及び第2発光素子の素子基板は、主として半導体素子構造を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。素子基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板の母材としては、サファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば0.02mm以上1mm以下であり、素子基板の強度及び/若しくは発光装置の厚さの観点において、0.05mm以上0.3mm以下であることが好ましい。
(第1透光性部材31、第2透光性部材32)
第1透光性部材及び第2透光性部材は其々、第1発光素子及び第2発光素子上に設けられ、第1発光素子及び第2発光素子から発せられる光を装置外部に透過させる部材である。第1透光性部材及び第2透光性部材は、少なくとも以下のような母材により構成される。また、第1透光性部材及び第2透光性部材は、以下のような波長変換物質を母材中に含有することで、波長変換部材として機能させることができる。但し、波長変換物質の含有は必須ではない。また、第1透光性部材及び第2透光性部材は、波長変換物質と例えばアルミナなどの無機物との焼結体、又は波長変換物質の板状結晶などを用いることもできる。
(透光性部材の母材35)
第1透光性部材及び第2透光性部材の母材は其々、第1発光素子及び第2発光素子から発せられる光に対して透光性を有するものであればよい。なお、「透光性」とは、第1発光素子及び第2発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ましくは60%以上であること、より好ましくは70%以上であること、よりいっそう好ましくは80%以上であることを言う。第1透光性部材及び第2透光性部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。第1透光性部材及び第2透光性部材は、これらの母材のうちの1種を単層で、若しくはこれらの母材のうちの2種以上を積層して構成することができる。なお、本明細書における「変性樹脂」は、ハイブリッド樹脂を含むものとする。
第1透光性部材及び第2透光性部材の母材は、上記樹脂若しくはガラス中に各種のフィラーを含有してもよい。このフィラーとしては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。フィラーは、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。また、フィラーとして、ナノ粒子を用いることで、第1発光素子及び第2発光素子の青色光のレイリー散乱を含む散乱を増大させ、波長変換物質の使用量を低減することもできる。なお、ナノ粒子とは、粒径が1nm以上100nm以下の粒子とする。また、本明細書における「粒径」は、例えば、D50で定義される。
(波長変換物質40)
波長変換物質は、第1発光素子及び第2発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光、例えば白色光を発する発光装置とすることができる。波長変換物質は、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(第1蛍光体41、第2蛍光体42)
第1蛍光体及び第2蛍光体は、以下のような具体例の中から適宜選択することができる。例えば、第1蛍光体は緑色乃至黄色発光する蛍光体とし、第2蛍光体は赤色発光する蛍光体とすることができる。緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb(Al,Ga)12:Ce)系蛍光体、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)SiO:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCaMg(SiOCl:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6−zAl8−z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa:Eu)などが挙げられる。黄色発光の蛍光体としては、αサイアロン系蛍光体(例えばM(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光体もある。赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN:Eu)などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A[M1−aMn]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNHからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばKSiF:Mn)がある。
(被覆部材50)
光反射性の被覆部材は、前方への光取り出し効率の観点から、第1発光素子及び第2発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがよりいっそう好ましい。さらに、被覆部材は、白色であることが好ましい。よって、被覆部材は、母材中に白色顔料を含有してなることが好ましい。被覆部材は、硬化前には液状の状態を経る。被覆部材は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
(被覆部材の母材)
被覆部材の母材は、樹脂を用いることができ、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、被覆部材の母材は、上述の第1透光性部材及び第2透光性部材の母材と同様のフィラーを含有してもよい。
(白色顔料)
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば0.1μm以上0.5μm以下程度が挙げられるが、光反射や被覆の効果を高めるためには小さい程好ましい。光反射性の被覆部材中の白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば10wt%以上80wt%以下が好ましく、20wt%以上70wt%以下がより好ましく、30wt%以上60wt%以下がよりいっそう好ましい。なお、「wt%」は、重量パーセントであり、光反射性の被覆部材の全重量に対する当該材料の重量の比率を表す。
(導電性接着部材60)
導電性接着部材としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか1つを用いることができる。
(導光部材70)
導光部材は、発光素子と透光性部材を接着し、発光素子からの光を透光性部材に導光する部材である。導光部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、導光部材の母材は、上述の第1透光性部材及び第2透光性部材の母材と同様のフィラーを含有してもよい。また、導光部材は、省略することができる。
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
<実施例1>
実施例1の発光装置は、図1A〜1Fに示す発光装置100の構造を有する、横3.1mm、縦0.4mm、奥行き0.7mmの側面発光型のLEDである。
基板10の大きさは、横3.1mm、縦0.4mm、奥行き(厚さ)0.36mmである。基板の基体15は、線膨張係数3ppm/℃のBT樹脂製(例えば三菱瓦斯化学社製:HL832NSF typeLCA)の直方体状の小片である。配線は、基体15側から銅/ニッケル/金が積層されて成っている。配線は其々、基体15の前面に、X方向中央の中間配線13を挟んで、X側に第1ランド11、X側に第2ランド12を含んでいる。第1ランド11及び第2ランド12は其々、正極端子と負極端子の対で構成されている。この各端子は、銅層が奥行き0.04mm厚の突起を有している。中間配線13は、第1ランド11の正極端子と第2ランド12の負極端子を接続している。基体15は4つの貫通ビアを有しており、前面上に形成された配線と、後面上に形成された配線と、は、貫通ビアを介して電気的に接続されている。基体15の後面上には、第1ランドの負極端子と電気的に接続した第1端子配線16、第2ランドの正極端子と電気的に接続した第2端子配線17、第1ランドの正極端子及び第2ランドの負極端子と電気的に接続した第3端子配線18が形成されている。基体15の後面のX方向中央にはY側に偏った窪みが形成されており、第3端子配線18はこの窪みの内面上にも延伸して形成されている。この窪みは、横0.4mm、縦0.2mm、奥行き(深さ)0.2mmの半円柱である。後面上の各配線の一部は、ソルダーレジストである絶縁膜19に被覆されている。
第1ランド11及び第2ランド12上には其々、第1発光素子21及び第2発光素子22が導電性接着部材60を介してフリップチップ実装されている。第1発光素子21及び第2発光素子22は其々、サファイア基板上に窒化物半導体のn型層、活性層、p型層が順次積層された、青色(発光ピーク波長452nm)発光可能な、横1.1mm、縦0.2mm、奥行き(厚さ)0.12mmの直方体状のLEDチップである。導電性接着部材60は、奥行き(厚さ)0.015mmの金−錫系半田(Au:Sn=79:21)である。
第1発光素子21及び第2発光素子22上には其々、第1透光性部材31及び第2透光性部材32が導光部材70を介して接着されている。第1透光性部材31及び第2透光性部材32は其々、フィラーとして酸化珪素のナノ粒子を含有するフェニル−メチルシリコーン樹脂である母材35中に、波長変換物質40としてユーロピウム賦活βサイアロンの第1蛍光体41及びマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの第2蛍光体42と、を含有する、横1.21mm、縦0.24mm、奥行き(厚さ)0.16mmの直方体状の小片である。第1透光性部材31及び第2透光性部材32は其々、発光素子21,22側から、母材35と第1蛍光体41からなる層、母材35と第2蛍光体42からなる層、母材35からなる層が積層されて成っている。導光部材70は、奥行き(厚さ)0.005mmのジメチルシリコーン樹脂の硬化物である。
基板10の前面上には、中間配線13上を含め、第1発光素子21、第2発光素子22、第1透光性部材31、及び第2透光性部材32の側方の全周を包囲するように、光反射性の被覆部材50が形成されている。被覆部材50は、フェニル−メチルシリコーン樹脂である母材中に、白色顔料として酸化チタンを60wt%含有して成っている。被覆部材50は、第1発光素子21、第2発光素子22、第1透光性部材31、第2透光性部材32、導電性接着部材60、及び導光部材70の其々の側面を直接被覆している。被覆部材50の前面は、第1透光性部材31の前面及び第2透光性部材32の前面と実質的に同一面を構成している。被覆部材50の最大外径は最後方部において基板10の前面の外径に一致しているが、被覆部材50のX方向、X方向、Y方向、及びY方向に其々面する4つの側面は、基板10すなわち基体15のX方向、X方向、Y方向、及びY方向に其々面する4つの側面に対して0.8°内側に傾斜している。そして、中間配線13上の被覆部材50、より詳細には被覆部材50の前面におけるX方向の中央(第1透光性部材31と第2透光性部材32の間の中央でもある)は、Y方向及びY方向に其々面する2つの側面に達する、横0.05mm、深さ(奥行き)0.24mmの凹部50sが形成されている。
このような実施例1の発光装置は、実施の形態1の発光装置100と同様の効果を奏することができる。
本発明の一実施の形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
10…基板
11…第1ランド
12…第2ランド
13…中間配線
15…基体
16…第1端子配線
17…第2端子配線
18…第3端子配線
19…絶縁膜
21…第1発光素子
22…第2発光素子
31…第1透光性部材
32…第2透光性部材
35…母材
40…波長変換物質
41…第1蛍光体
42…第2蛍光体
50…被覆部材
50s…凹部
60…導電性接着部材
70…導光部材
100,200…発光装置

Claims (12)

  1. 第1ランドと、第2ランドと、前記第1ランドと前記第2ランドとの間に配置された中間配線と、を前面に含む基板と、
    前記第1ランドにフリップチップ実装された第1発光素子と、
    前記第2ランドにフリップチップ実装された第2発光素子と、
    前記中間配線上に設けられ、前記第1発光素子の側面及び前記第2発光素子の側面を被覆する光反射性の被覆部材と、を備える発光装置であって、
    前記中間配線上の前記被覆部材に凹部が形成されており、
    前記凹部の底が前記第1発光素子の前面及び前記第2発光素子の前面よりも後方にあり前記中間配線の前面より前方にあって、
    前記凹部の内面が当該発光装置の外表面であり
    前記基板の基体の後面は、前記凹部に対向する位置において下方向に偏った窪みを有する、発光装置。
  2. 前記凹部が、前面視において、前記被覆部材における前記第1ランドと前記第2ランドの配列方向に対して垂直な方向に面する2側面の少なくとも一方に達している、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記被覆部材が前記第1ランドと前記第2ランドの配列方向に長尺である、請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記基板の基体の線膨張係数が15ppm/℃以下である、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前面視における前記第1ランドと前記第2ランドの配列方向に対して垂直な方向に面する前記被覆部材の側面が、同方向に面する前記基板の側面に対して当該発光装置の内側に傾斜している、請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記第1発光素子の前面上に接合され、前記第1発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質を含む第1透光性部材と、
    前記第2発光素子の前面上に接合され、前記第2発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質を含む第2透光性部材と、を備え、
    前記被覆部材が前記第1透光性部材の側面及び前記第2透光性部材の側面を被覆している、請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記波長変換物質がマンガン賦活フッ化物蛍光体を含む、請求項に記載の発光装置。
  8. 前記中間配線が前記第1発光素子及び前記第2発光素子への給電に寄与する配線である、請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 前記基板は後面に第3端子配線を備える、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記第3端子配線は、前記窪みの内面上に延伸されている、請求項9記載の発光装置。
  11. 前記第1透光性部材及び前記第2透光性部材は其々、導光部材を介して前記第1発光素子及び前記第2発光素子に接合されている、請求項6乃至10に記載の発光装置。
  12. 前記被覆部材は、下方向に面する側面が前記基板の下方向に面する側面に対して内側に傾斜している、請求項1乃至11に記載の発光装置。
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