JP6221864B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は発光装置に係り、詳しくは、基板上に形成された電極パターンの一部を被覆する樹脂被覆部を備えた発光装置に関するものである。
特許文献1には、絶縁性の基材上に、一対の導電パターンと、該一対の導電パターンに電気的に接続された発光素子と、該発光素子の周囲に設けられ、一対の導電パターンの一部を被覆する樹脂と、を備え、一対の導電パターンは、それぞれ、樹脂に被覆された樹脂被覆部から基材の外縁に向かって延出されており、一対の導電パターンの少なくとも樹脂被覆部に、導電パターンの延出方向に沿って長い形状であって基材の表面が露出された貫通孔を有し、貫通孔はその長手方向の両端部が樹脂被覆部から露出し、貫通孔は各導電パターンに複数設けられ、貫通孔は導電パターンの延出方向を長手方向とする略長方形状である発光装置が開示されている。
特開2012−99545号公報
特許文献1の技術には、以下の問題がある。
[ア]樹脂被覆部の幅(導電パターンの延出方向の長さ)が大きくなるほど、貫通孔の長手方向の長さが大きくなり、複数個の貫通孔の間に位置する導電パターンが細長くなるため、導電パターンの電気抵抗が増大する。
[イ]貫通孔はその長手方向の両端部が樹脂被覆部から露出し、複数個の貫通孔が等間隔に配置されている。
そのため、基材と樹脂被覆部の接着強度が高い部分(貫通孔の形成部分)と、基材と樹脂被覆部の接着強度が低い部分(貫通孔の間に位置する部分)とが交互に配置されることになり、樹脂被覆部の熱膨張により発生する応力が、接着強度の低い部分に集中することから、接着強度の低い部分にて基材から樹脂被覆部が剥離し易くなる。
[ウ]導電パターンの延出方向と直交する方向(短手方向)に複数個配置された貫通孔に対して、短手方向における樹脂被覆部の位置がズレており、樹脂被覆部の短手方向における片側部分にだけ貫通孔が配置されている。
そのため、樹脂被覆部の熱膨張により発生する応力は、樹脂被覆部の短手方向におけるバランスが崩れることから、基材から樹脂被覆部が剥離し易くなる。
本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、その目的は、電極パターン(導電パターン)の一部を被覆する樹脂被覆部の剥離を防止すると共に、電極パターンの電気抵抗の増大を防止することが可能な発光装置を提供することにある。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。
<第1の局面>
第1の局面は、
基板と、
基板上に形成された電極パターンと、
電極パターンに接続された発光素子と、
電極パターンの一部を被覆し、第1外縁部と第2外縁部とを有する畝状の樹脂被覆部と、
電極パターンに貫通形成され、底面から基板が露出された第1貫通孔および第2貫通孔と、
第1外縁部に沿って配置形成された複数個の第1貫通孔から構成された第1孔列と、
第2外縁部に沿って配置形成された複数個の第2貫通孔から構成された第2孔列と
を備えた発光装置であって、
第1外縁部は、第1孔列を構成する第1貫通孔の少なくとも一部を被覆し、第1貫通孔の内部にて基板と接着され、
第2外縁部は、第2孔列を構成する第2貫通孔の少なくとも一部を被覆し、第2貫通孔の内部にて基板と接着される発光装置。
第1の局面では、畝状の樹脂被覆部の第1外縁部が第1孔列を構成する第1貫通孔の内部にて基板と接着され、樹脂被覆部の第2外縁部が第2孔列を構成する第2貫通孔の内部にて基板と接着される。
そのため、樹脂被覆部と電極パターンとの接着性が悪い場合でも、樹脂被覆部と基板との接着により、樹脂被覆部の剥離を防止することができる。
また、第1の局面では、第1貫通孔および第2貫通孔が、第1外縁部から第2外縁部に跨っていないため、樹脂被覆部の幅が大きくなっても、貫通孔を形成することによる電極パターン(導電パターン)の電気抵抗の増大を抑制することができる。
そして、第1の局面では、畝状の樹脂被覆部の第1外縁部が第1孔列を構成する第1貫通孔の少なくとも一部を被覆し、樹脂被覆部の第2外縁部が第2孔列を構成する第2貫通孔の少なくとも一部を被覆する。
そのため、基板(基材)と樹脂被覆部の接着強度が高い部分(貫通孔の形成部分)と、基板と樹脂被覆部の接着強度が低い部分(貫通孔の間に位置する部分)とが分散して配置され、樹脂被覆部の熱膨張により発生する応力が、接着強度の低い部分に集中しなくなることから、樹脂被覆部の剥離を確実に防止することができる。
その結果、第1の局面によれば、樹脂被覆部の幅を任意に設定可能になるため、樹脂被覆部の幅の設計自由度が高められる。
尚、個々の第1貫通孔および第2貫通孔はそれぞれ、互いに大きさや形状が異なってもよい。
すなわち、第1貫通孔と第2貫通孔の寸法形状を変えてもよく、第1孔列を構成する個々の第1貫通孔の寸法形状を変えてもよく、第2孔列を構成する個々の第2貫通孔の寸法形状を変えてもよい。
<第2の局面>
第2の局面は、第1の局面において、第1孔列を構成する第1貫通孔と、第2孔列を構成する第2貫通孔とは、畝状の樹脂被覆部の延出方向に対して、互い違いに配置されている。
第2の局面では、樹脂被覆部の熱膨張により発生する応力が、更に分散されるため、第1の局面の前記作用・効果を高めることができる。
また、第2の局面では、樹脂被覆部の第1外縁部または第2外縁部の一方において、樹脂被覆部が第1貫通孔または第2貫通孔から剥離したとしても、第1外縁部または第2外縁部の他方において、樹脂被覆部が第1貫通孔または第2貫通孔の内部で基板と接着されているため、樹脂被覆部の剥離の進行を止めることが可能になり剥離を確実に防止できる。
<第3の局面>
第3の局面は、第1の局面または第2の局面において、第1孔列を構成する第1貫通孔および第2孔列を構成する第2貫通孔は、畝状の樹脂被覆部の延出方向全体に対して等間隔に配置形成されている。
第3の局面において、樹脂被覆部の熱膨張により発生する応力は、畝状の樹脂被覆部の延出方向におけるバランスが崩れないため、樹脂被覆部の剥離を確実に防止できる。
<第4の局面>
第4の局面は、第1〜第3の局面において、樹脂被覆部は、基板上にて発光素子を囲繞する封止枠である。
<第5の局面>
第5の局面は、第4の局面において、
封止枠の内側に充填されて発光素子を封止する反射材と、
電極パターンに貫通形成され、底面から基板が露出された少なくとも1個の第3貫通孔とを備え、
反射材は、第3貫通孔を被覆し、第3貫通孔の内部にて基板と接着される。
第5の局面では、反射材が第3貫通孔の内部にて基板と接着されるため、反射材と電極パターンとの接着性が悪い場合でも、反射材の剥離を防止することができる。
<第6の局面>
第6の局面は、第1〜第5の局面において、貫通孔は、円孔、楕円孔、角孔から成るグループから選択されたいずれか一つの孔である。
本発明を具体化した第1実施形態の発光装置10の一部透視平面図。 発光装置10の縦断面図であり、図1に示すX−X矢示断面図。 発光装置10の縦断面図であり、図2に示す要部αの拡大図。 発光装置10の製造方法を説明するための平面図。 発光装置10の製造方法を説明するための平面図。 本発明を具体化した第2実施形態の発光装置100の一部透視平面図。 本発明を具体化した第3実施形態の発光装置200の一部透視平面図。 本発明を具体化した第4実施形態の発光装置300の一部透視平面図。 本発明を具体化した第5実施形態の発光装置400の一部透視平面図。 本発明を具体化した第6実施形態の発光装置500の一部透視平面図。
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。
また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。
<第1実施形態>
図1〜図3に示すように、第1実施形態の発光装置10は、基板11、電極パターン20〜26、LED(Light Emitting Diode)チップ30、バンプ31、ツェナーダイオード40、蛍光体板50、封止枠60(長辺60a、短辺60b、外縁部60c、内縁部60d)、封止材61、反射材62、貫通孔70(略半円筒部70a,70b)、孔列71,72などを備える。
矩形平板状の基板(基材)11は絶縁材料(例えば、窒化アルミニウムなど)から成る絶縁基板であり、電極パターン(導電パターン、配線パターン)20〜26は基板11上に形成された導電層(例えば、銅箔など)から成る。
電極パターン20〜26は、基板11を長手方向に二分割する中心線Laに対して線対称な平面形状である(図1を参照)。
電極パターン20,21は、基板11の中央部から外縁部へ向かって延出されている。
電極パターン22〜24は同一寸法の矩形状であり、電極パターン20,21の間に間隙を設けて一列に並べて配置されている。
電極パターン25,26の基端部はそれぞれ電極パターン20,21に接続一体化され、電極パターン25,26の先端部は間隙を設けて対向配置されている。
矩形平板状のLEDチップ30およびツェナーダイオード40は、同一面側にアノード側電極パッドおよびカソード電極パッド(図示略)が形成され、これらの電極パッドが形成された面が基板11に実装・搭載されるフェースダウン素子である。
LEDチップ30は、前記電極パッドがバンプ31を用いて電極パターン20〜24にフリップチップボンディングされて接続されることにより、電極パターン20,21の延出方向(図1に示す矢印M−M’方向)に一列に並べて配置された状態で、基板11上に実装・搭載されている。
ツェナーダイオード40は、前記電極パッドがバンプ(図示略)を用いて電極パターン25,26にフリップチップボンディングされて接続されることにより、基板11上に実装・搭載されている。
4個のLEDチップ30は、中継用の電極パターン22〜24を介して直列接続されている。
ツェナーダイオード40は、直列接続された4個のLEDチップ30に対して、電極パターン20,21,25,26を介して並列接続されており、LEDチップ30の保護素子として機能する。
矩形平板状の蛍光体板50は、LEDチップ30と平面視形状が相似であり、LEDチップ30の上面(光放射面)に接着材(図示略)により固定されている。
蛍光体板50は、LEDチップ30の放射光を波長変換して発光色を変えるための蛍光体を含有する透光性材料(例えば、エポキシ系樹脂やシリコン系樹脂などの熱硬化性樹脂材料、ガラスやセラミックスなどの無機材料、ゾルゲルガラス、アルミナなど)によって形成されている。
封止枠(樹脂被覆部、樹脂枠、ダム材)60は、光反射材料(例えば、酸化シリコン、酸化チタンなど)を含有した熱硬化性樹脂材料(例えば、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂など)から成る。
封止枠60は、四隅にアールが形成された略矩形枠状(額縁状)であり、LEDチップ30を囲繞するように基板11上に配置形成されている。
封止枠60の長辺60aは、一定幅の畝状(線状)を成しており、電極パターン20,21の延出方向(矢印M−M’方向)に沿って配置形成されている。
封止枠60の短辺60bは、一定幅の畝状を成しており、電極パターン20,21の延出方向(矢印M−M’方向)と略直交する方向(図1に示す矢印N−N’方向)に沿って配置形成されている。
封止材61は、熱硬化性樹脂材料から成る。
半球状の封止材61は、ツェナーダイオード40を被覆するように基板11上に配置形成されている。
反射材62は、光反射材料を含有した熱硬化性樹脂材料から成り、封止枠60の内側に注入・充填され、LEDチップ30および蛍光体板50を封止し、LEDチップ30および蛍光体板50の側面を被覆すると共に、封止枠60の内側の電極パターン20〜24および基板11の表面を被覆している。
尚、蛍光体板50の上面は、反射材62に被覆されることなく露出しており、発光装置10の発光面となる(図5(B)を参照)。
電極パターン20,21は、電気抵抗を小さくするため幅広形状に形成されている。
電極パターン20,21において、封止枠60の外側に配置形成された部分が発光装置10の外部電極となり、その外部電極に外部電源の接続端子(図示略)が接続され、外部電源から直流電流が発光装置10のLEDチップ30およびツェナーダイオード40に供給される。
孔列(孔群)71は、一定間隔で一列に配置形成された5個の貫通孔70から構成されている。
孔列72は、一定間隔で一列に配置形成された6個の貫通孔70から構成されている。
孔列71,72は、封止枠60の短辺60bに沿って配置されている。
各孔列71,72は平行に配置され、孔列71と孔列72との幅(孔列71,72を構成する貫通孔70の中心の間隔)は封止枠60の短辺60bの幅と略同一である。
すなわち、孔列71を構成する貫通孔70の中心は、封止枠60の短辺60bの外縁部60cと略合致する(図3を参照)。
また、孔列72を構成する貫通孔70の中心が、封止枠60の短辺60bの内縁部60dと略合致する(図3を参照)。
孔列71を構成する貫通孔70と、孔列72を構成する貫通孔70とは、封止枠60の短辺60bの延出方向(矢印N−N’方向)に対して、互い違いに配置されている。
すなわち、孔列71を構成する貫通孔70の中心と、孔列72を構成する貫通孔70の中心とは、封止枠60の短辺60bの延出方向(矢印N−N’方向)と直交する同一の直線上に配置されていない。
また、封止枠60の短辺60bを延出方向(矢印N−N’方向)に二分割する中心線Lbに対して、各孔列71,72を構成する貫通孔70は線対称に配置されている。
すなわち、各孔列71,72を構成する貫通孔70は、封止枠60の短辺60bの延出方向(矢印N−N’方向)の全体に対して等間隔に配置形成されている。
円形の貫通孔(円孔、丸孔)70は、電極パターン20,21の厚み方向に貫通形成され、貫通孔70の底面から基板11の表面が露出されている。
図3に示すように、孔列71を構成する貫通孔70において、略半円筒部70aは封止枠60の外縁部60cから露出し、残りの略半円筒部70bは封止枠60に被覆され、略半円筒部70bの内部にて基板11の表面と封止枠60とが接着されている。
図3に示すように、孔列72を構成する貫通孔70において、略半円筒部70aは封止枠60の内縁部60dから露出し、残りの略半円筒部70bは封止枠60に被覆され、略半円筒部70bの内部にて基板11の表面と封止枠60とが接着され、略半円筒部70aの内部にて基板11の表面と反射材62とが接着されている。
[発光装置10の製造方法]
第1工程(図4(A)を参照):フォト・エッチング法などを用い、基板11上に電極パターン20〜26を形成し、それと同時に、電極パターン20,21に貫通孔70を形成する。
第2工程(図4(B)を参照):蛍光体板50が接続固定されたLEDチップ30を電極パターン20〜24に接続固定することにより、LEDチップ30を基板11に実装・搭載する。
また、ツェナーダイオード40を電極パターン25,26に接続固定することにより、ツェナーダイオード40を基板11に実装・搭載する。
尚、LEDチップ30を基板11に実装・搭載した後に、蛍光体板50をLEDチップ30に接続固定してもよい。
第3工程(図5(A)を参照):樹脂吐出法などを用い、基板11上に封止枠60および封止材61の形成材料となる高粘度の熱硬化性樹脂材料を塗布した後に熱硬化させ、封止枠60および封止材61を形成する。
第4工程(図5(B)を参照):樹脂吐出法などを用い、反射材62の形成材料となる低粘度の熱硬化性樹脂材料を封止枠60の内側に注入・充填した後に熱硬化させ、反射材62を形成すると、発光装置10が完成する。
[第1実施形態の作用・効果]
第1実施形態の発光装置10によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
[1]発光装置10は、基板11と、基板11上に形成された電極パターン20,21と、電極パターン20,21に接続されたLEDチップ30(発光素子)と、電極パターン20,21の一部を被覆して外縁部60c(第1外縁部)と内縁部60d(第2外縁部)とを有する封止枠60の短辺60b(畝状の樹脂被覆部)と、電極パターン20,21に貫通形成されて当該底面から基板11が露出された貫通孔70(第1貫通孔)と、外縁部60cに沿って配置形成された5個の貫通孔70から構成された孔列71(第1孔列)と、内縁部60dに沿って配置形成された6個の貫通孔70から構成された孔列72(第2孔列)とを備える。
封止枠60の短辺60bの外縁部60cは、孔列71を構成する貫通孔70の少なくとも一部を被覆し、その貫通孔70の内部にて基板11と接着されている。
封止枠60の短辺60bの内縁部60dは、孔列72を構成する貫通孔70の少なくとも一部を被覆し、その貫通孔70の内部にて基板11と接着されている。
発光装置10では、封止枠60の短辺60bの外縁部60cが孔列71を構成する貫通孔70の内部にて基板11と接着され、封止枠60の短辺60bの内縁部60dが孔列72を構成する貫通孔70の内部にて基板11と接着される。
そのため、封止枠60と電極パターン20,21との接着性が悪い場合でも、封止枠60の短辺60bと基板11との接着により、封止枠60の短辺60bの剥離を防止することができる。
尚、貫通孔70の孔径(内径)は、略半円筒部70bの内部にて基板11の表面と封止枠60とが確実に接触可能なように適宜設定すればよい。
また、発光装置10では、貫通孔70が封止枠60の短辺60bにおける外縁部60cから内縁部60dに跨っていないため、封止枠60の短辺60bの幅が大きくなっても、貫通孔70を形成することによる電極パターン20,21(導電パターン)の電気抵抗の増大を抑制することができる。
そして、発光装置10では、封止枠60の短辺60bの外縁部60cが、孔列71を構成する貫通孔70の少なくとも一部を被覆する。また、封止枠60の短辺60bの内縁部60dが、孔列72を構成する貫通孔70の少なくとも一部を被覆する。
そのため、基板11(基材)と封止枠60の短辺60bの接着強度が高い部分(貫通孔70の形成部分)と、基板11と封止枠60の短辺60bの接着強度が低い部分(貫通孔70の間に位置する部分)とが分散して配置され、封止枠60の短辺60bの熱膨張により発生する応力が、接着強度の低い部分に集中しなくなることから、封止枠60の短辺60bの剥離を確実に防止することができる。
その結果、発光装置10によれば、封止枠60の短辺60bの幅を任意に設定可能になるため、封止枠60の短辺60bの幅の設計自由度が高められる。
[2]孔列71を構成する貫通孔70と、孔列72を構成する貫通孔70とは、封止枠60の短辺60bの延出方向に対して、互い違いに配置されている。
そのため、封止枠60の短辺60bの延出方向に対する垂直断面を見たとき、封止枠60の一部が各孔列71,72の貫通孔70内に位置する割合を高めることができる。
これにより、封止枠60の短辺60bの熱膨張により発生する応力が、更に分散されるため、前記[1]の前記作用・効果を高めることができる。
また、貫通孔70が封止枠60の短辺60bの外縁部60cから内縁部60dに跨る孔径の大きな孔の場合、貫通孔70の一部で封止枠60が剥離すると、その剥離が亀裂状になって貫通孔70全体に進行するおそれがある。
しかし、発光装置10によれば、封止枠60の短辺60bの外縁部60cまたは内縁部60dの一方において、封止枠60の一部が貫通孔70から剥離したとしても、外縁部60cまたは内縁部60dの他方において、封止枠60が貫通孔70の内部で基板11と接着されているため、封止枠60の短辺60bの剥離の進行を止めることが可能になり剥離を確実に防止できる。
[3]各孔列71,72を構成する貫通孔70は、封止枠60の短辺60bの延出方向(矢印N−N’方向)の全体に対して等間隔に配置形成されている。
そのため、封止枠60の短辺60bの熱膨張により発生する応力は、封止枠60の短辺60bの延出方向におけるバランスが崩れないため、封止枠60の短辺60bの剥離を確実に防止できる。
<第2実施形態>
図6に示すように、第2実施形態の発光装置100は、基板11、電極パターン20〜26、LEDチップ30、バンプ31、ツェナーダイオード40、蛍光体板50、封止枠60、封止材61、反射材62、孔列71,72、貫通孔101などを備える。
第2実施形態の発光装置100において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは、発光装置10の貫通孔70が貫通孔101に置き換えられている点である。
楕円形の貫通孔(楕円孔)101は、その長軸が封止枠60の長辺60aの延出方向(矢印M−M’方向)に沿って配置されている。
第2実施形態の発光装置100では、楕円形の貫通孔101の底面の面積が、第1実施形態の発光装置10における円形の貫通孔70よりも大きくなるため、貫通孔101の内部における封止枠60と基板11との接着面積も大きくなることから、第1実施形態よりも接着強度を更に高めることが可能になり、封止枠60の短辺60bの剥離を確実に防止することができる。
<第3実施形態>
図7に示すように、第3実施形態の発光装置200は、基板11、電極パターン20〜26、LEDチップ30、バンプ31、ツェナーダイオード40、蛍光体板50、封止枠60、封止材61、反射材62、孔列71,72、貫通孔201などを備える。
第3実施形態の発光装置200において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは、発光装置10の貫通孔70が貫通孔201に置き換えられている点である。
楕円形の貫通孔201は、その長軸が封止枠60の短辺60bの延出方向(矢印N−N’方向)に沿って配置され、その長径が各貫通孔201の間隔よりも大きく形成されている。
第3実施形態の発光装置200では、楕円形の貫通孔201の底面の面積が、第1実施形態の発光装置10における円形の貫通孔70よりも大きくなるため、貫通孔201の内部における封止枠60と基板11との接着面積も大きくなることから、第1実施形態よりも接着強度を更に高めることが可能になり、封止枠60の短辺60bの剥離を確実に防止することができる。
さらに、貫通孔201の長軸に沿って封止枠60の短辺60bの外縁部60cおよび内縁部60dが位置することになり、外縁部60cおよび内縁部60dに沿った貫通孔201の長さを長くできるため、封止枠60と基板11の接着領域の境界となる外縁部60cまたは内縁部60dからの封止枠60の剥離を効果的に抑制できる。
また、孔列71を構成する貫通孔201と、孔列72を構成する貫通孔201とは、封止枠60の短辺60bの延出方向に対して、互い違いに配置されている。
そのため、封止枠60の短辺60bの延出方向に対する垂直断面を見たとき、各貫通孔201の長径が各貫通孔201の間隔よりも大きく形成されているため、封止枠60の一部が各孔列71,72の貫通孔201内に必ず位置することから、封止枠60と基板11との接着強度を高めることが可能になり、封止枠60の剥離を確実に防止できる。
そして、第3実施形態の発光装置200では、貫通孔201における電極パターン20,21の延出方向(矢印M−M’方向)の長さ(貫通孔201の短軸の長さ)が、第2実施形態の貫通孔101における電極パターン20,21の延出方向の長さ(貫通孔101の長軸の長さ)に比べて小さくなる。
そのため、第3実施形態では、第1実施形態と同じく、第2実施形態に比べて、電極パターン20,21の電気抵抗の増大を抑制することができる。
<第4実施形態>
図8に示すように、第4実施形態の発光装置300は、基板11、電極パターン20〜26、LEDチップ30、バンプ31、ツェナーダイオード40、蛍光体板50、封止枠60、封止材61、反射材62、孔列71,72、貫通孔301などを備える。
第4実施形態の発光装置300において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは、発光装置10の貫通孔70が貫通孔301に置き換えられている点である。
楕円形の貫通孔301は、その長軸が封止枠60の短辺60bの延出方向に対して鋭角を成すように配置されている。
そのため、第4実施形態では、第2実施形態または第3実施形態と同様の作用・効果が得られる。
<第5実施形態>
図9に示すように、第5実施形態の発光装置400は、基板11、電極パターン20〜26、LEDチップ30、バンプ31、ツェナーダイオード40、蛍光体板50、封止枠60、封止材61、反射材62、孔列71,72、貫通孔70,401などを備える。
第5実施形態の発光装置400において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは、貫通孔401が追加されている点である。
円形の貫通孔401は、電極パターン20,21の厚み方向に貫通形成され、貫通孔401の底面から基板11の表面が露出されている。
貫通孔401は、電極パターン20,21において、孔列72とLEDチップ30との間に配置形成されている。
反射材62は、貫通孔401全体を被覆し、貫通孔401の内部にて基板11の表面と反射材62とが接着されている。
第5実施形態の発光装置400では、反射材62が貫通孔401(第2貫通孔)の内部にて基板11と接着されるため、反射材62と電極パターン20,21との接着性が悪い場合でも、反射材62の剥離を防止することができる。
尚、図9に示す例では、5個の貫通孔401が、封止枠60の短辺60bの延出方向に沿って配置されているが、これに限らず、貫通孔401の個数および配置箇所は適宜設定すればよい。
<第6実施形態>
図10に示すように、第6実施形態の発光装置500は、基板11、電極パターン20〜26、LEDチップ30、バンプ31、ツェナーダイオード40、蛍光体板50、封止枠60、封止材61、反射材62、貫通孔70、孔列71,72、電極パターン20,21の切欠部20a,20b,21a,21bなどを備える。
第6実施形態の発光装置500において、第1実施形態の発光装置10と異なるのは、電極パターン20,21の切欠部20a,20b,21a,21bが追加されている点である。
切欠部20a,20b,21a,21bは、電極パターン20,21の延出方向(矢印M−M’方向)と略直交する方向(矢印N−N’方向)に沿うように、電極パターン20,21に切り欠かれた矩形状の凹部によって形成されている。
切欠部20a,21aは封止枠60の短辺60bの外縁部と合致するように配置形成され、切欠部20a,21aにて基板11の表面と封止枠60とが接着されている。
切欠部20b,21bは、孔列72とLEDチップ30との間に配置形成され、切欠部20b,21bにて基板11の表面と反射材62とが接着されている。
第6実施形態の発光装置500では、切欠部20a,21aにて基板11の表面と封止枠60とが接着されるため、封止枠60と電極パターン20,21との接着性が悪い場合でも、封止枠60の短辺60bの剥離を防止することができる。
また、反射材62が切欠部20b,21bにて基板11と接着されるため、反射材62と電極パターン20,21との接着性が悪い場合でも、反射材62の剥離を防止することができる。
<別の実施形態>
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
[A]孔列71,72をそれぞれ構成する貫通孔70,101,201,301の個数は適宜設定すればよい。
[B]孔列71,72をそれぞれ構成する個々の貫通孔70,101,201,301は、一定間隔に限らず、適宜な間隔に配置形成してもよい。
[C]貫通孔70,101,201,301,401の形状は、前記形状(円孔、楕円孔)に限らず、どのような形状(例えば、正方形の角孔、長方形の角孔など)にしてもよい。
[D]前記各実施形態では、孔列71,72をそれぞれ構成する個々の貫通孔70,101,201,301を同じ寸法形状として例示したが、個々の貫通孔はそれぞれ、互いに大きさや形状が異なってもよい。
すなわち、孔列71と孔72とで貫通孔の寸法形状を変えてもよく、各孔列71,72の中で各孔列71,72を構成する個々の貫通孔の寸法形状を変えてもよい。
[E]封止枠60、封止材61、反射材62は、熱硬化性樹脂材料に限らず、どのような硬化性(例えば、光硬化性、反応硬化性など)の合成樹脂材料に置き換えてもよい。
[F]LEDチップ30は、フリップチップボンディングではなく、ワイヤーボンディングによって電極パターン20〜24に接続してもよい。
[G]貫通孔70,101,201,301は、その一部が封止枠60に被覆されるだけでなく、その全部が封止枠60に被覆されるようにしてもよい。
すなわち、貫通孔の内部全体に封止枠60の形成材料を充填し、貫通孔の底面全体において、基板1の表面と封止枠60とが接着されるようにしてもよい。
[H]LEDチップ30の個数は適宜設定すればよい。
また、LEDチップ30は一列に並べて配置するだけでなく、例えば、碁盤目状に並べて配置したり、分散配置してもよい。
また、LEDチップ30は、どのような半導体発光素子(例えば、有機ELチップなど)に置き換えてもよい。
[I]第1〜第5実施形態と第6実施形態とを組み合わせて実施してもよく、第1〜第4,第6実施形態と第5実施形態とを組み合わせて実施してもよく、その場合には組み合わせた実施形態の作用・効果を合わせもたせたり、相乗効果を得ることができる。
本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。
10,100,200,300,400,500…発光装置
11…基板
20〜26…電極パターン
30…LEDチップ(発光素子)
60…封止枠
60b…封止枠の短辺(畝状の樹脂被覆部)
60c…封止枠の短辺60bの外縁部(第1外縁部)
60d…封止枠の短辺60bの内縁部(第2外縁部)
62…反射材
70…貫通孔(第1貫通孔、第2貫通孔)
71…第1孔列
72…第2孔列
401…第3貫通孔

Claims (5)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された電極パターンと、
    前記電極パターンに接続された発光素子と、
    前記基板上にて前記発光素子を囲繞する封止枠を構成する樹脂被覆部であって、前記電極パターンの一部を被覆し、前記発光素子を囲繞する内側となる縁部である内縁部と、前記内縁部とは反対側の縁部である外縁部とを有する畝状の樹脂被覆部と、
    前記電極パターンに貫通形成され、底面から前記基板が露出された第1貫通孔および第2貫通孔と、
    記外縁部に沿って配置形成された複数個の前記第1貫通孔から構成された第1孔列と、
    前記縁部に沿って配置形成された複数個の前記第2貫通孔から構成された第2孔列と
    を備えた発光装置であって、
    記外縁部は、前記第1孔列を構成する前記第1貫通孔の少なくとも一部を被覆し、前記第1貫通孔の内部にて前記基板と接着され、
    前記縁部は、前記第2孔列を構成する前記第2貫通孔の少なくとも一部を被覆し、前記第2貫通孔の内部にて前記基板と接着され
    前記第1貫通孔と前記第2貫通孔のいずれも、前記外縁部と前記内縁部の間を跨がない、発光装置。
  2. 前記第1孔列を構成する前記第1貫通孔と、前記第2孔列を構成する前記第2貫通孔とは、前記畝状の樹脂被覆部の延出方向に対して、互い違いに配置されている、
    請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第1孔列を構成する前記第1貫通孔および前記第2孔列を構成する前記第2貫通孔は、前記畝状の樹脂被覆部の延出方向全体に対して等間隔に配置形成されている、
    請求項1または請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記封止枠の内側に充填されて前記発光素子を封止する反射材と、
    前記電極パターンに貫通形成され、底面から前記基板が露出された少なくとも1個の第3貫通孔と
    を備え、
    前記反射材は、前記第3貫通孔を被覆し、前記第3貫通孔の内部にて前記基板と接着される、
    請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記貫通孔は、円孔、楕円孔、角孔から成るグループから選択されたいずれか一つの孔である、
    請求項1〜のいずれか一項に記載の発光装置。
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