JP6414141B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6414141B2 JP6414141B2 JP2016108125A JP2016108125A JP6414141B2 JP 6414141 B2 JP6414141 B2 JP 6414141B2 JP 2016108125 A JP2016108125 A JP 2016108125A JP 2016108125 A JP2016108125 A JP 2016108125A JP 6414141 B2 JP6414141 B2 JP 6414141B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- conductive layer
- emitting device
- outer edge
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Description
本発明は、発光装置に関する。
近年、半導体発光素子は、蛍光灯に代わる照明用の光源のみならず、車両のヘッドライトなどの投光器、投光照明等の良好な指向性及び高い輝度を有する光源として利用されている。
このような用途に用いられる発光装置は、例えば、特許文献１に提案されている。
この発光装置では、複数の発光素子が、導電パターンを備えた基板上に配列されている。発光素子が接続された導電パターンは、封止部材の外側に延出して、外部電源の接続のための外部電極として用いられる。
このような用途に用いられる発光装置は、例えば、特許文献１に提案されている。
この発光装置では、複数の発光素子が、導電パターンを備えた基板上に配列されている。発光素子が接続された導電パターンは、封止部材の外側に延出して、外部電源の接続のための外部電極として用いられる。
外部電極として用いられる導電パターンは、導電パターンと、導電パターンに接続されるワイヤ等の給電部材の形状及び／又は材料等の組み合わせによっては、長期間にわたる高電力の印加により接続不良を発生させる虞がある。
本開示は上記課題に鑑みなされたものであり、長期間にわたる接続の信頼性を確保することができる発光装置を提供することを目的とする。
本開示は以下の発明を含む。
基体と、前記基体の主面に配置された素子実装部と外部接続部とを有する一対の導電パターンと、を備える素子載置用基板と、
前記素子実装部に実装された発光素子と、
前記発光素子と前記素子実装部を被覆する被覆部材と、を備え、
前記導電パターンは、第１導電層と、該第１導電層とは異なる材料による第２導電層とを前記基体側から順に備え、
前記素子実装部は、前記第２導電層で覆われていない前記第１導電層を有し、
前記外部接続部は、前記第１導電層の外縁の一部が前記第２導電層から露出する外縁露出部を備え、該外縁露出部は前記被覆部材と離間している発光装置。
基体と、前記基体の主面に配置された素子実装部と外部接続部とを有する一対の導電パターンと、を備える素子載置用基板と、
前記素子実装部に実装された発光素子と、
前記発光素子と前記素子実装部を被覆する被覆部材と、を備え、
前記導電パターンは、第１導電層と、該第１導電層とは異なる材料による第２導電層とを前記基体側から順に備え、
前記素子実装部は、前記第２導電層で覆われていない前記第１導電層を有し、
前記外部接続部は、前記第１導電層の外縁の一部が前記第２導電層から露出する外縁露出部を備え、該外縁露出部は前記被覆部材と離間している発光装置。
本開示の発光装置によれば、外部からの給電部材と発光装置との接続の長期にわたる信頼性を実現することができる。
以下、本開示の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置等は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
〔発光装置〕
本開示の実施形態に係る発光装置１００は、図１乃至図５に示すように、基体１１と、基体１１の主面に配置された素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとを有する一対の導電パターン１２と、を備える素子載置用基板１０と、素子実装部１２ａに実装された発光素子２０と、発光素子２０と素子実装部１２ａを被覆する被覆部材４０と、を備える。一対の導電パターン１２は、第１導電層１２１と、第１導電層１２１とは異なる材料による第２導電層１２２とを基体１１側から順に備える。素子実装部１２ａは、第２導電層１２２で覆われていない第１導電層１２１を有し、外部接続部１２ｂは、第１導電層１２１の外縁の一部が第２導電層１２２から露出する外縁露出部１２ｅを備え、外縁露出部１２ｅは被覆部材４０と離間している。
本開示の実施形態に係る発光装置１００は、図１乃至図５に示すように、基体１１と、基体１１の主面に配置された素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとを有する一対の導電パターン１２と、を備える素子載置用基板１０と、素子実装部１２ａに実装された発光素子２０と、発光素子２０と素子実装部１２ａを被覆する被覆部材４０と、を備える。一対の導電パターン１２は、第１導電層１２１と、第１導電層１２１とは異なる材料による第２導電層１２２とを基体１１側から順に備える。素子実装部１２ａは、第２導電層１２２で覆われていない第１導電層１２１を有し、外部接続部１２ｂは、第１導電層１２１の外縁の一部が第２導電層１２２から露出する外縁露出部１２ｅを備え、外縁露出部１２ｅは被覆部材４０と離間している。
（素子載置用基板）
図３、図４に示すように、本実施形態の素子載置用基板１０は、基体１１と、基体１１の主面に配置された一対の導電パターン１２とを備える。一対の導電パターン１２は、それぞれ素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとを有する。一対の導電パターン１２は、それぞれ、第１導電層１２１と、第１導電層とは異なる材料による第２導電層１２２とを基体１１側から順に備える。素子実装部１２ａは第２導電層１２２で覆われていない第１導電層１２１を有する。
図３、図４に示すように、本実施形態の素子載置用基板１０は、基体１１と、基体１１の主面に配置された一対の導電パターン１２とを備える。一対の導電パターン１２は、それぞれ素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとを有する。一対の導電パターン１２は、それぞれ、第１導電層１２１と、第１導電層とは異なる材料による第２導電層１２２とを基体１１側から順に備える。素子実装部１２ａは第２導電層１２２で覆われていない第１導電層１２１を有する。
つまり、導電パターン１２は、平面視において、発光素子の実装領域である素子実装部１２ａと外部からの給電領域である外部接続部１２ｂとを有する。さらに、導電パターン１２は、少なくとも第１導電層１２１と第２導電層１２２の２つの導電層を有しており、第２導電層１２２の少なくとも一部は第１導電層上に積層されている。
素子実装部１２ａに位置する第１導電層１２１上には、後述する発光素子２０が載置される。外部接続部１２ｂは第１導電層１２１と第２導電層１２２とを有し、外部接続部１２ｂに位置する第２導電層１２２は、外部からの給電のため、発光装置１００の外部電極として用いられる。
素子実装部１２ａに位置する第１導電層１２１上には、後述する発光素子２０が載置される。外部接続部１２ｂは第１導電層１２１と第２導電層１２２とを有し、外部接続部１２ｂに位置する第２導電層１２２は、外部からの給電のため、発光装置１００の外部電極として用いられる。
このような構成によれば、一対の導電パターン１２において、素子実装領域の最表面には第１導電層１２１、外部からの給電領域の最表面には第２導電層１２２と、それぞれに異なる材料を用いた導電層を配置することができる。このように、素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとの最表面に、それぞれ素子との接合材料と、外部からの給電部材とに適した導電層を配置することができる。これにより、発光素子と素子載置用基板との接合と、外部からの給電部材と素子載置用基板との接合とを、それぞれ、より強固で確実なものとすることができる。
（基体）
基体１１は、発光素子２０等が実装されるために通常使用される基板のいずれをも用いることができる。例えば、ガラス、ガラスエポキシ、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂などの樹脂、セラミックス、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）、これらの絶縁部材を形成した金属部材等によって形成された基板が挙げられる。なかでも、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられ、これらのセラミックス材料に、例えば、ＢＴレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせてもよい。
基体１１は、発光素子２０等が実装されるために通常使用される基板のいずれをも用いることができる。例えば、ガラス、ガラスエポキシ、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂などの樹脂、セラミックス、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）、これらの絶縁部材を形成した金属部材等によって形成された基板が挙げられる。なかでも、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられ、これらのセラミックス材料に、例えば、ＢＴレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせてもよい。
基体１１の形状及び大きさは、発光装置の設計に応じて適宜設定することができる。例えば、板状のものが挙げられ、表裏面が平坦なものが好ましい。平面形状は、四角形、円、楕円、多角形等のいずれであってもよいが、加工のし易さの観点から略矩形状であることが好ましい。
（導電パターン）
本実施形態の素子載置用基板１０は、基体１１の主面に少なくとも１対の導電パターン１２を備える。導電パターン１２上には、発光素子２０が接続される。基体１１の主面上における導電パターン１２の平面形状は、発光装置の設計に応じて適宜設定することができる。
上述したように、一対の導電パターン１２は、それぞれ、素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとを有する。素子実装部１２ａは、後述する発光素子２０を載置し、発光素子２０の電極と接続される領域を意味する。ただし、素子実装部１２ａは、発光素子２０の実装領域のみならず、その周辺の領域も含む。外部接続部１２ｂは、素子実装部１２ａから延長し、外部との電気的接続を確保するための領域を意味する。なお、素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとは、上述した機能を果たすために、互いに異なる領域を意味するが、素子載置用基板１０において、両者の明確な境界はない。
本実施形態の素子載置用基板１０は、基体１１の主面に少なくとも１対の導電パターン１２を備える。導電パターン１２上には、発光素子２０が接続される。基体１１の主面上における導電パターン１２の平面形状は、発光装置の設計に応じて適宜設定することができる。
上述したように、一対の導電パターン１２は、それぞれ、素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとを有する。素子実装部１２ａは、後述する発光素子２０を載置し、発光素子２０の電極と接続される領域を意味する。ただし、素子実装部１２ａは、発光素子２０の実装領域のみならず、その周辺の領域も含む。外部接続部１２ｂは、素子実装部１２ａから延長し、外部との電気的接続を確保するための領域を意味する。なお、素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとは、上述した機能を果たすために、互いに異なる領域を意味するが、素子載置用基板１０において、両者の明確な境界はない。
素子実装部１２ａは、発光素子２０の電極形状、レイアウト等に対応するように、対を成す導電パターンの表面形状が互いに異なることがある。また、外部接続部１２ｂは、正負の認識のために、互いに形状が異なるものであってもよい。よって、素子実装部１２ａ及び外部接続部１２ｂの平面形状は、それぞれ、一対のパターンによって同じ形状であってもよいが、異なる形状であることが好ましい。
外部接続部１２ｂは、基体１１の端部近傍（つまり、導電パターン１２が配置される主面の外縁近傍）に配置されていることが好ましい。例えば、外部接続部は、平面視において略矩形状の基体において、（ｉ）素子実装部からｘ方向に基体の端部近傍まで延長して配置されていてもよいし、（ｉｉ）素子実装部からｘ方向に基体の端部近傍まで延長し、屈曲して、基体の端部に沿って基体の別の端部にまで延長して配置されていてもよいし、（ｉｉｉ）素子実装部からｘ方向と異なる方向、例えば、ｘ方向に直交するｙ方向に基体の端部近傍まで延長して配置されていてもよいし、（ｉｖ）素子実装部からｙ方向に基体の端部近傍まで延長し、屈曲して、基体の端部に沿って基体の別の端部にまで延長して配置されていてもよい。
このように外部接続部が基体の端部近傍に配置されることにより、外部接続部への給電に用いる給電部材、例えばワイヤの接続長さを短くすることができ、給電を確実かつ容易に行うことができる。なかでも、平面視形状が略矩形の基体において、正負一対の外部接続部が、それぞれ矩形の同じ辺に向かって延長する形状を有することが好ましい。これにより、正負のいずれの外部接続部においても、外部からの給電部材を、同じ方向から同程度の長さで接続することができる。
ここで端部近傍とは、導電パターンが配置される主面の外縁から導電パターンまでの距離が０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍのことを意味する。
このように外部接続部が基体の端部近傍に配置されることにより、外部接続部への給電に用いる給電部材、例えばワイヤの接続長さを短くすることができ、給電を確実かつ容易に行うことができる。なかでも、平面視形状が略矩形の基体において、正負一対の外部接続部が、それぞれ矩形の同じ辺に向かって延長する形状を有することが好ましい。これにより、正負のいずれの外部接続部においても、外部からの給電部材を、同じ方向から同程度の長さで接続することができる。
ここで端部近傍とは、導電パターンが配置される主面の外縁から導電パターンまでの距離が０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍのことを意味する。
導電パターン１２は、基体１１側から、第１導電層１２１と、第１導電層１２１とは異なる材料による第２導電層１２２とがこの順に積層されている。ここで、異なる材料とは、単層構造の場合には、一部の元素が同じであっても他の一部の元素が異なるものが含まれ、積層構造の場合には、一部の層が同じであっても他の一部の層が異なるもの、積層順序が異なるもの等を包含する。
素子実装部１２ａは、第２導電層１２２で覆われていない第１導電層１２１を有する。言い換えると、素子実装部１２ａは、素子実装部１２ａの一部又は全部において、第２導電層１２２から露出する第１導電層１２１が配置されている。発光素子２０は、素子実装部１２ａにおいて、第１導電層１２１上に実装される。
外部接続部１２ｂは第１導電層１２１と、第２導電層１２２とを基体１１側から順に有する。さらに、外部接続部１２ｂは、第１導電層１２１の外縁の一部が第２導電層１２２から露出する外縁露出部１２ｅを備える。外部接続部１２ｂにおいて、第２導電層１２２は、発光装置１００を２次実装する際の、外部からの給電部材の接続に用いることができる。また、外縁露出部１２ｅは、発光装置１００を２次実装する際の、発光装置１００の発光面の位置認識に用いることができる。第１導電層１２１上には発光素子２０が実装されているため、発光面の位置（つまり発光素子２０の位置）認識に第１導電層１２１を用いることで、発光面の位置をより高精度に認識することができる。２次実装時の発光面の位置認識に第２導電層１２２を用いると、第１導電層１２１上に第２導電層１２２を形成する際の寸法公差等の影響を受けて、位置認識精度が低下する虞がある。しかしながら、本実施形態に係る発光装置１００では、発光素子２０が実装された第１導電層１２１の外縁の一部を２次実装時の位置認識に用いることができるため、発光面の位置をより高精度に認識することができる。
外部接続部１２ｂにおいて、外縁露出部１２ｅを除く第１導電層１２１は、第２導電層１２２で被覆されていることが好ましい。これにより、外部接続部１２ｂにおける、外部からの給電部材と接続される第２導電層１２２の面積を大きくすることができる。
外縁露出部１２ｅでは、第１導電層１２１の外縁の一部を用いて、第１導電層１２１上に実装された発光素子２０の位置情報を認識する。このため、外縁露出部１２ｅは、発光装置１００における外縁露出部１２ｅ自身の位置を正確に認識させるために、第１導電層１２１の外縁を構成する辺や角部等の特徴点を含むことが好ましい。具体的には、外縁露出部１２ｅは、第１導電層１２１の外縁を構成する辺の少なくとも一部を含むことが好ましい。さらに、第１導電層１２１の外縁を構成する辺のうち、隣接する２辺を含むことがより好ましい。つまり、第１導電層１２１の外縁の角部を含むことがより好ましい。外縁露出部１２ｅが第１導電層の角部を含むことにより、１つの外縁露出部で、少なくとも２方向の位置情報を認識することが可能となり、より正確に発光面の位置を認識することができる。
外縁露出部１２ｅでは、第１導電層１２１の外縁の一部を用いて、第１導電層１２１上に実装された発光素子２０の位置情報を認識する。このため、外縁露出部１２ｅは、発光装置１００における外縁露出部１２ｅ自身の位置を正確に認識させるために、第１導電層１２１の外縁を構成する辺や角部等の特徴点を含むことが好ましい。具体的には、外縁露出部１２ｅは、第１導電層１２１の外縁を構成する辺の少なくとも一部を含むことが好ましい。さらに、第１導電層１２１の外縁を構成する辺のうち、隣接する２辺を含むことがより好ましい。つまり、第１導電層１２１の外縁の角部を含むことがより好ましい。外縁露出部１２ｅが第１導電層の角部を含むことにより、１つの外縁露出部で、少なくとも２方向の位置情報を認識することが可能となり、より正確に発光面の位置を認識することができる。
さらに、外縁露出部１２ｅは、図４に示すように、外部接続部１２ｂの外縁の角部に位置することがより好ましい。外縁露出部１２ｅを外部接続部１２ｂの角部に設けることにより、外部接続部１２ｂにおける外縁露出部１２ｅ自身の位置認識がより容易となるとともに、外部からの給電部材の接続に用いる第２導電層をより大きな面積で設けることが可能となり好ましい。
平面視における外縁露出部１２ｅの面積（つまり、外部接続部１２ｂにおいて、第２導電層から露出する第１導電層の面積）は、発光装置の大きさによって適宜設定することができる。例えば、外部接続部の面積の１／１０００から１／１０程度が挙げられる。具体的には、２０〜２００μｍ程度が挙げられる。発光装置１００が外縁露出部１２ｅを複数有する場合、平面視における外縁露出部の形状は、同じ形状でもよいし、それぞれが異なる形状でもよい。
平面視における外縁露出部１２ｅの面積（つまり、外部接続部１２ｂにおいて、第２導電層から露出する第１導電層の面積）は、発光装置の大きさによって適宜設定することができる。例えば、外部接続部の面積の１／１０００から１／１０程度が挙げられる。具体的には、２０〜２００μｍ程度が挙げられる。発光装置１００が外縁露出部１２ｅを複数有する場合、平面視における外縁露出部の形状は、同じ形状でもよいし、それぞれが異なる形状でもよい。
第１導電層１２１及び第２導電層１２２は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｇ等の金属又はこれらの合金の単層又は積層構造で形成することができる。また、ＩＴＯ等の金属以外の導電性材料を用いてもよい。
素子実装部１２ａは第２導電層１２２で覆われていない第１導電層１２１を備え、この第１導電層１２１上に発光素子２０が載置される。第１導電層１２１の最表面は金を含む層であることが好ましい。通常、発光素子２０の電極は金を用いることが多いため、第１導電層１２１の最表面を、金を含む層とすることにより、発光素子２０との接続信頼性が向上する。金−金の接続は、信頼性が高いために、高電圧の印加によっても劣化することなく、長期にわたって信頼性の高い接続を維持することができる。具体的には、第１導電層１２１は、基体側から、ＡｌＳｉＣｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ａｕ等のように積層された積層膜又は金の単層膜によって形成することができる。第１導電層１２１の総膜厚は、素子実装時の衝撃による第１導電層の剥がれを考慮して１．０μｍ以上が好ましく、３．０μｍ以上がより好ましい。特に、最表面が金である場合、金の厚みを、１．０μｍ以上とすることが好ましい。また、第１導電層１２１の総膜厚は、１０．０μｍ程度以下が好ましい。このような厚みにより、適度な成膜時間で所望の層を形成することができるともに、成膜時間および材料費の増大を抑制することができる。
外部接続部１２ｂは基体１１側から順に第１導電層１２１と、第２導電層１２２とを備え、第１導電層１２１の外縁の一部が第２導電層１２２から露出する外縁露出部１２ｅを備える。外部接続部の第２導電層には外部からの給電部材が接続される。例えば、第２導電層１２２の最表面は、銅又はアルミニウムを含む層であることが好ましく、アルミニウムを含む層であることがより好ましい。第２導電層の最表面を、アルミニウム等を含む層とすることにより、外部接続部１２ｂへの給電部材にアルミニウム等のワイヤ等を用いることができる。アルミニウムは金よりも安価で、熱処理することなく、超音波のみで簡易に接合できるため、給電材料として好ましい。
外部接続部１２ｂに接続される給電部材は、接続信頼性の観点から、外部接続部１２ｂの最表面層と同じ金属材料を用いることが好ましい。異なる金属材料同士による接続では、異種金属同士が互いに拡散し合って合金層を形成するが、金属材料の組み合わせによっては、拡散が進むと合金層が脆くなり、接続不良を引き起こす懸念がある。しかし、第２導電層１２２の最表面と給電部材とに同じ金属材料を用いることで、特に、発光素子が発生する熱に起因する接続部位の金属の合金化、さらには劣化を回避して、より確実な接続を長期にわたって確保することができる。具体的には、第１導電層側から、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｃｕ等のように積層された積層膜又はＡｌ、Ｃｕの単層膜によって形成することができる。第２導電層１２２の総膜厚は、１．０μｍ以上が好ましく、３．０μｍ以上がより好ましい。特に、最表面にアルミニウム層を用いる場合、アルミニウムは軟らかい金属であるため、給電部材の接合時の衝撃による剥がれを考慮して、アルミニウム層の厚みは、２．０μｍ以上とすることが好ましい。また、第２導電層の総膜厚は適度な成膜時間、材料費等を考慮して１０．０μｍ程度以下とすることが好ましい。
素子載置用基板１０は、上述した一対の導電パターン１２に加えて、搭載しようとする発光素子２０の数に応じて、さらに発光素子２０との電気的な接続を行うための導電パターンを備えていてもよい。例えば、一対の導電パターン１２の素子実装部１２ａに相当するパターンを、これら一対の導電パターン１２の素子実装部１２ａの間に、中継用の導電パターンを１又は複数配列してもよい。この一対の導電パターン１２間に配置される導電パターンの形状及び配置は、一対の導電パターン１２の形状、その電力供給制御等によって、複数の発光素子が独立して駆動するように配置してもよいし、直列、並列又はこれらの組み合わせを実現して駆動するように配置してもよい。
導電パターン１２は、少なくとも基体の表面に配置されていればよいが、基体の端面又は基体の貫通孔等を通じて基体の裏面に配置されていてもよい。
（導電パターンの形成方法）
導電パターンは、当該分野で公知の方法を利用して形成することができる。例えば、以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）の方法又はこれらの一部の方法を組み合わせた方法などが挙げられる。
（ｉ）第１導電層を構成する第１導電膜を基体の主面上に成膜し、第１導電層用マスクを用いてエッチング法により第１導電膜を所定形状に加工し、第１導電層を形成する。次に、第１導電層が形成された基体上に、第２導電層を構成する第２導電膜を成膜し、第２導電層用マスクを形成用いてエッチング法により第２導電膜を所定形状に加工し、第２導電層を形成する方法。
（ｉｉ）第１導電層及び第２導電層をこの順に基体の主面上に成膜し、第１導電層用マスクおよび第２導電層用マスクを用いて第２導電層及び第１導電層を順次所定形状にエッチングする方法。
（ｉｉｉ）基体の主面上に、第１導電層の形状に開口した第１導電層用マスクを用いて第１導電膜を成膜し、リフトオフ法により第１導電層用マスク上の第１導電膜を除去して、所定形状の第１導電層を形成する。次に、第１導電層が形成された基体上に、第２導電層の形状に開口した第２導電層用マスクを形成し、その上に第２導電膜を成膜し、リフトオフ法により第２導電層用マスク上の第２導電膜を除去して、所定形状の第２導電層を形成する方法。
第１導電膜及び第２導電膜は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、ＡＬＤ等、公知の方法を利用して成膜することができる。マスクはフォトリソグラフィ、印刷等により形成することができる。
導電パターンは、当該分野で公知の方法を利用して形成することができる。例えば、以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）の方法又はこれらの一部の方法を組み合わせた方法などが挙げられる。
（ｉ）第１導電層を構成する第１導電膜を基体の主面上に成膜し、第１導電層用マスクを用いてエッチング法により第１導電膜を所定形状に加工し、第１導電層を形成する。次に、第１導電層が形成された基体上に、第２導電層を構成する第２導電膜を成膜し、第２導電層用マスクを形成用いてエッチング法により第２導電膜を所定形状に加工し、第２導電層を形成する方法。
（ｉｉ）第１導電層及び第２導電層をこの順に基体の主面上に成膜し、第１導電層用マスクおよび第２導電層用マスクを用いて第２導電層及び第１導電層を順次所定形状にエッチングする方法。
（ｉｉｉ）基体の主面上に、第１導電層の形状に開口した第１導電層用マスクを用いて第１導電膜を成膜し、リフトオフ法により第１導電層用マスク上の第１導電膜を除去して、所定形状の第１導電層を形成する。次に、第１導電層が形成された基体上に、第２導電層の形状に開口した第２導電層用マスクを形成し、その上に第２導電膜を成膜し、リフトオフ法により第２導電層用マスク上の第２導電膜を除去して、所定形状の第２導電層を形成する方法。
第１導電膜及び第２導電膜は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、ＡＬＤ等、公知の方法を利用して成膜することができる。マスクはフォトリソグラフィ、印刷等により形成することができる。
（発光素子）
発光素子２０は、通常、発光ダイオードが用いられる。
発光素子２０は、その組成、発光色又は波長、大きさ、個数等、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いたもの、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰを用いたものが挙げられる。
発光素子２０は、通常、発光ダイオードが用いられる。
発光素子２０は、その組成、発光色又は波長、大きさ、個数等、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いたもの、赤色の発光素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰを用いたものが挙げられる。
発光素子２０は、通常、成長用基板（例えばサファイア基板）上に、半導体層を積層させて形成される。基板は半導体層との接合面に凹凸を有していてもよい。これにより半導体層から出射された光が基板に当たるときの臨界角を意図的に変えることができ、基板の外部に光を容易に取り出すことができる。
発光素子２０は、成長用基板が半導体層の積層後に除去されていてもよい。除去は、例えば、研磨、ＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）等で行うことができる。また、成長用基板を除去する場合は、半導体層に実装用の支持基板を備えていてもよい。
発光素子２０は、成長用基板が半導体層の積層後に除去されていてもよい。除去は、例えば、研磨、ＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）等で行うことができる。また、成長用基板を除去する場合は、半導体層に実装用の支持基板を備えていてもよい。
発光素子２０は、同一面側に正負一対の電極を有するものが好ましい。これにより、発光素子を実装基板にフリップチップ実装することができる。この場合、一対の電極が形成された面と対向する面が主な光取り出し面となる。フリップチップ実装は、半田等の導電性を有するペースト状の接合部材、薄膜状の接合部材又はバンプ状の接合部材を用いて、発光素子と基体上の導電パターンとが電気的に接続されている。
あるいは、フェイスアップ実装する場合には、一対の電極が形成された面を主な光取り出し面としてもよい。
あるいは、フェイスアップ実装する場合には、一対の電極が形成された面を主な光取り出し面としてもよい。
発光素子２０は、異なる側に正負一対の電極を有するものであってもよい。正負一対の電極が反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子の場合、下面電極が導電性部材で基体上の導電パターンに固定され、上面電極が導電性ワイヤ等で基体と接続される。いずれにおいても、発光素子２０の素子載置用基板と対面する面と反対側の面を上面とし、上面を主な光取り出し面とすることができる。
発光素子２０が備える正負一対の電極は最表面が金であることが好ましい。金は化学的に安定であり、電気的接続の長期にわたる信頼性を確保することができる。また、上述したように、第１導電層の最表面が金を含む層である場合には、第１導電層と同じ材料、特に、金−金で接続することができるために、より信頼性の高い接続を実現することができる。
発光素子２０が備える正負一対の電極は最表面が金であることが好ましい。金は化学的に安定であり、電気的接続の長期にわたる信頼性を確保することができる。また、上述したように、第１導電層の最表面が金を含む層である場合には、第１導電層と同じ材料、特に、金−金で接続することができるために、より信頼性の高い接続を実現することができる。
発光素子２０は、１つの発光装置において１つでもよいが、複数含まれていてもよい。１つの発光装置が複数の発光素子を含む場合、複数の発光素子は整列されていることが好ましい。複数の発光素子は、例えば、一列に配置されてもよいし、行列状に配置されていてもよい。発光素子の数および平面形状は、得ようとする発光装置の特性、サイズ等に応じて適宜設定することができる。
なお、整列する複数の発光素子は、互いに近接していることが好ましく、車両用途、さらに発光装置の発光面における輝度分布等を考慮すると、発光素子間距離は、発光素子自体のサイズ（例えば一辺の長さ）よりも短いものが好ましく、例えば、発光素子自体のサイズの３０％程度以下がより好ましく、２０％以下がさらに好ましい。このように発光素子同士を近接して配置させることにより、発光ムラの少ない面光源の発光装置とすることができる。
発光素子２０の素子載置用基板１０への搭載は、通常、接合部材６０を介して行われる。ここで、接合部材としては、例えば、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等の共晶合金、あるいは、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、ＡＣＰ、ＡＣＦ等の異方性導電材、低融点金属のろう材、これらを組み合わせた導電性接着材、導電性複合接着材等が挙げられる。
なかでも、発光素子２０は、金を含む接合部材６０により導電パターンに搭載されていることが好ましく、発光素子の各電極が、一対の導電パターンに、それぞれ、金を含む接合部材により導電パターンに接合されていることがより好ましい。第１導電層の最表面が金を含む層を有する層である場合、金を含む接合部材を用いることで、より確実に長期間安定した接続を確保することができる。
なかでも、発光素子２０は、金を含む接合部材６０により導電パターンに搭載されていることが好ましく、発光素子の各電極が、一対の導電パターンに、それぞれ、金を含む接合部材により導電パターンに接合されていることがより好ましい。第１導電層の最表面が金を含む層を有する層である場合、金を含む接合部材を用いることで、より確実に長期間安定した接続を確保することができる。
（被覆部材）
被覆部材４０は、図１、図２及び図５に示すように、発光装置１００において、透光性部材３０の上面以外に向かう光を、透光性部材３０の上面から放出するように反射させるとともに、発光素子２０及び透光性部材３０の側面を被覆して、発光素子２０を外力、埃、ガスなどから保護するための部材である。被覆部材４０は、透光性部材３０の上面を発光装置１００の発光面として露出させて、透光性部材３０及び発光素子２０並びに素子載置用基板１０の上面の一部を被覆するように設けられている。ここでの被覆とは、被覆部材４０と透光性部材３０及び発光素子２０並びに素子載置用基板１０との間に別の層が介在していてもよい。別の層とは、例えば、後述する接着材５０又はアンダーフィル等の埋設部材が挙げられる。
接着材５０は、発光素子の上面に、発光素子上面を被覆する透光性部材３０を備える場合に用いられる。発光素子２０と被覆部材４０との間に接着材５０が介在する場合には、接着材５０は透光性部材３０の直下の領域からはみ出さないように配置されることが好ましい。
また、被覆部材４０と透光性部材３０及び発光素子２０並びに素子載置用基板１０との間に埋設部材が介在する場合、埋設部材は光反射性に優れた物質であることが好ましい。埋設部材が高い光反射性を有する場合、その介在厚さは任意に設定することができる。
被覆部材４０は、図１、図２及び図５に示すように、発光装置１００において、透光性部材３０の上面以外に向かう光を、透光性部材３０の上面から放出するように反射させるとともに、発光素子２０及び透光性部材３０の側面を被覆して、発光素子２０を外力、埃、ガスなどから保護するための部材である。被覆部材４０は、透光性部材３０の上面を発光装置１００の発光面として露出させて、透光性部材３０及び発光素子２０並びに素子載置用基板１０の上面の一部を被覆するように設けられている。ここでの被覆とは、被覆部材４０と透光性部材３０及び発光素子２０並びに素子載置用基板１０との間に別の層が介在していてもよい。別の層とは、例えば、後述する接着材５０又はアンダーフィル等の埋設部材が挙げられる。
接着材５０は、発光素子の上面に、発光素子上面を被覆する透光性部材３０を備える場合に用いられる。発光素子２０と被覆部材４０との間に接着材５０が介在する場合には、接着材５０は透光性部材３０の直下の領域からはみ出さないように配置されることが好ましい。
また、被覆部材４０と透光性部材３０及び発光素子２０並びに素子載置用基板１０との間に埋設部材が介在する場合、埋設部材は光反射性に優れた物質であることが好ましい。埋設部材が高い光反射性を有する場合、その介在厚さは任意に設定することができる。
発光素子２０の上面を発光装置１００の光取り出し面とする場合、発光素子間に配置される被覆部材４０は、発光素子の上面と略面一であることが好ましい。本明細書において、略面一とは、被覆部材の厚みの±１０％程度、好ましくは±５％程度の高低差が許容されることを意味する。
あるいは、透光性部材３０の上面を発光装置１００の光取り出し面とする場合には、被覆部材の上面は、透光性部材の上面と略面一であることが好ましい。
また、複数の発光素子２０の上面に複数の透光性部材３０がそれぞれ配置されている場合には、透光性部材間に配置される被覆部材は、透光性部材の上面と略面一であることが好ましい。
あるいは、透光性部材３０の上面を発光装置１００の光取り出し面とする場合には、被覆部材の上面は、透光性部材の上面と略面一であることが好ましい。
また、複数の発光素子２０の上面に複数の透光性部材３０がそれぞれ配置されている場合には、透光性部材間に配置される被覆部材は、透光性部材の上面と略面一であることが好ましい。
被覆部材４０の形状は、発光素子の数、発光素子の配置等によって適宜設定することができる。なかでも、平面形状が矩形又はこれに近似する形状であるものが好ましい。平面視において、被覆部材４０の外縁は、その一部が上述した素子載置用基板１０の外縁と一致することが好ましい。素子載置用基板１０上の導電パターン１２の外部接続部側の被覆部材４０の外縁は、素子載置用基板の外縁、外部接続部の外縁（例えば、ｘ方向又はｙ方向に延長した端部の外縁）等と平行又は略平行であることが好ましい。ここで略平行とは、平行から±１０°程度、好ましくは±５°程度の変動が許容されることを意味する。
本実施形態に係る発光装置１００において、素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとの境界は後述する被覆部材４０により画定することができる。言い換えると、被覆部材４０の外縁を、素子実装部１２ａと外部接続部１２ｂとの境界と画定することができる。つまり、素子実装部１２ａは、透光性部材３０と発光素子２０の側面と共に、被覆部材４０により一体的に被覆され、外部接続部１２ｂは被覆部材４０に被覆されずに、発光装置１００の上面に配置される。
本実施形態に係る発光装置１００において、第１導電層１２１の表面における濡れ性は、第２導電層１２２の表面における濡れ性よりも高いことが好ましい。
これにより、例えば、被覆部材４０を樹脂材料で形成または樹脂材料で接着する際に、樹脂材料から染み出した樹脂成分が外部接続部１２ｂ上に濡れ広がることを抑制することができる。
これにより、例えば、被覆部材４０を樹脂材料で形成または樹脂材料で接着する際に、樹脂材料から染み出した樹脂成分が外部接続部１２ｂ上に濡れ広がることを抑制することができる。
上述したように、第１導電層１２１の最表面は金を含む層とすることが好ましい。最表面に金を用いた第１導電層の表面は、はんだ等の濡れ性がよく、接合部材６０との接続信頼性に優れている。その反面、濡れ性が良いため、樹脂材料から染み出した樹脂成分も濡れ広がりやすい。しかしながら、本実施形態に係る発光装置１００では、外部接続部１２ｂにおいて、被覆部材４０と第１導電層１２１とが離間しているため、被覆部材形成時の樹脂成分が第１導電層１２１を伝って外部接続部１２ｂに濡れ広がるのを抑制することができる。
外部接続部１２ｂにおいて、第１導電層１２１は、外縁露出部１２ｅを除いて、第２導電層１２２で被覆されていることが好ましい。つまり、被覆部材４０の外縁と接する導電パターン１２の最表面は第２導電層１２２であることが好ましい。またこの場合、第２導電層１２２の最表面は金以外の金属層とすることが好ましい。大気中において、金以外の金属は表面に酸化膜が形成されやすく、酸化膜が形成された金属の濡れ性は悪くなる傾向にある。このため、被覆部材４０の外縁と接する位置に第２導電層を配置することで、樹脂成分の濡れ広がりを抑制することが可能となる。
つまり、第２導電層１２２の表面よりも濡れ性が高い第１導電層１２１を被覆部材４０の外縁から離間させて配置することにより、外部接続部１２ｂへの樹脂成分の濡れ広がりを抑制することが可能となる。その結果、被覆部材形成時の樹脂成分の濡れ広がりによる、外部接続部と給電部材との接合不良等を抑制することができる。
被覆部材４０は、発光素子２０から出射される光を反射することができる材料から形成することができる。これによって、発光素子２０と被覆部材４０との界面で、発光素子から出射される光を発光素子内に反射させる。その結果、発光素子内で光が伝播し、最終的に発光素子の上面から透光性部材の上面、外部へと出射される。
被覆部材４０は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等と、光反射性物質とを用いて形成することができる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。光反射性物質の含有量は、被覆部材４０の光の反射量及び透過量等を変動させることができるため、得ようとする発光装置の特性等によって適宜調整することができる。例えば、光反射性物質の含有量を３０ｗｔ％以上とすることが好ましい。
被覆部材は、光反射性に加え、放熱性を有する材料を用いてもよい。被覆部材の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好ましく、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上がより好ましい。熱伝導率を高く設定することにより放熱性を向上させることができる。このような材料としては、熱伝導率の高い窒化アルミニウム、窒化ホウ素が挙げられる。
例えば、後述するように、透光性部材が蛍光体を含有する場合には、蛍光体がストークスロスに起因する自己発熱を起こし、この熱によって光変換効率を低下させることがある。一方、被覆部材が、高い熱伝導率を有する場合には、透光性部材中の蛍光体の熱を効率的に放熱することが可能となる。
例えば、後述するように、透光性部材が蛍光体を含有する場合には、蛍光体がストークスロスに起因する自己発熱を起こし、この熱によって光変換効率を低下させることがある。一方、被覆部材が、高い熱伝導率を有する場合には、透光性部材中の蛍光体の熱を効率的に放熱することが可能となる。
被覆部材は、例えば、射出成形、ポッティング成形、印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
（透光性部材）
透光性部材３０は、発光素子２０の上面側に配置されている。透光性部材３０は発光素子の上面と接合して設けられる。透光性部材３０は上面と下面とを有し、発光素子から出射される光を下面から入射して、上面を光取り出し面として、上面から外部に放出する。透光性部材は、例えば、発光素子から出射される光の６０％以上を透過させる部材であることが好ましい。
透光性部材３０は、発光素子２０から出射された光を効率的に取り出すために、発光素子２０の上面の全部を被覆することが好ましい。つまり、透光性部材３０の上面側から見て、発光素子２０が透光性部材３０によって内包される形で覆われていることが好ましい。
透光性部材３０は、発光素子２０の上面側に配置されている。透光性部材３０は発光素子の上面と接合して設けられる。透光性部材３０は上面と下面とを有し、発光素子から出射される光を下面から入射して、上面を光取り出し面として、上面から外部に放出する。透光性部材は、例えば、発光素子から出射される光の６０％以上を透過させる部材であることが好ましい。
透光性部材３０は、発光素子２０から出射された光を効率的に取り出すために、発光素子２０の上面の全部を被覆することが好ましい。つまり、透光性部材３０の上面側から見て、発光素子２０が透光性部材３０によって内包される形で覆われていることが好ましい。
透光性部材３０は、複数の発光素子を個々に被覆するものであってもよいし、複数の発光素子を一体的に被覆するものであってもよい。
透光性部材３０は、その外周側面が、被覆部材４０に被覆されていることが好ましい。
透光性部材３０は、その外周側面が、被覆部材４０に被覆されていることが好ましい。
透光性部材３０の厚みは、５０〜３００μｍ程度とすることができる。
１つの発光装置が複数の透光性部材を備える場合、複数の透光性部材の上面は、面一又は略面一であることが好ましい。これにより、透光性部材の側面から発する光同士の干渉をより確実に防止することができる。一方、その数にかかわらず、透光性部材は、その上面が凹凸形状、曲面、レンズ状の種々の形状であってもよい。透光性部材の下面は、発光素子の光取り出し面に平行な面とすることが好ましい。
１つの発光装置が複数の透光性部材を備える場合、複数の透光性部材の上面は、面一又は略面一であることが好ましい。これにより、透光性部材の側面から発する光同士の干渉をより確実に防止することができる。一方、その数にかかわらず、透光性部材は、その上面が凹凸形状、曲面、レンズ状の種々の形状であってもよい。透光性部材の下面は、発光素子の光取り出し面に平行な面とすることが好ましい。
透光性部材３０は、光拡散材や、発光素子２０から入射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。蛍光体を含有する透光性部材３０は、例えば、蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス、他の無機物に蛍光体粉末を含有させたもの等が挙げられる。蛍光体の焼結体としては、蛍光体だけを焼結して形成したものでもよいし、蛍光体と焼結助剤との混合物を焼結して形成したものでもよい。蛍光体と焼結助剤との混合物を焼結する場合、焼結助剤としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、又は酸化チタン等の無機材料を用いることが好ましい。これにより、発光素子２０が高出力であったとしても、光や熱による焼結助剤の変色や変形を抑制することができる。透光性部材３０は、光透過率が高いほど、被覆部材４０との界面において光を反射させやすいため、輝度を向上させることが可能となる。
透光性部材３０に含有させる蛍光体としては、発光素子２０からの発光で励起可能なものが使用される。例えば、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体の具体例としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ユウロピウムおよび／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（例えばＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２：Ｅｕ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、β サイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えばＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、ＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム系蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を製造することができる。白色に発光可能な発光装置とする場合、透光性部材に含有される蛍光体の種類、濃度によって白色となるよう調整される。このような蛍光体を透光性部材３０に含有させる場合、蛍光体の濃度を、例えば５〜５０％程度とすることが好ましい。
透光性部材３０は、発光素子２０の上面（つまり光取り出し面）を被覆するように接合されている。接合は、例えば、圧着、焼結、エポキシ又はシリコーンのような周知の接着材による接着、高屈折率の有機接着材による接着、低融点ガラスによる接着などで行うことができる。
透光性部材は、通常、発光素子の上面に配置されるが、その形態によっては、導電パターンの素子実装部及び／又は外部接続部の一部を被覆してもよい。つまり、第１導電層上の一部及び／又は第２導電層上の一部を被覆してもよい。
透光性部材は、通常、発光素子の上面に配置されるが、その形態によっては、導電パターンの素子実装部及び／又は外部接続部の一部を被覆してもよい。つまり、第１導電層上の一部及び／又は第２導電層上の一部を被覆してもよい。
（その他の部材）
上述したように、発光素子が基板上に接合される場合、基板と発光素子との間に光反射性を有する埋設部材を配置してもよい。これにより、発光素子の下方向へ出射される光を反射することができ、光束を高めることができる。また、発光素子と基体との熱膨張率の差による応力を吸収させることができ、あるいは、放熱性を高めることができる。この埋設部材は、発光素子の側面から発光素子の直下に一体的に配置されていてもよいし、発光素子の直下の部材と、側面の部材とで一部分離していてもよい。
発光素子の直下に配置される埋設部材は、発光素子の側面を被覆する被覆部材を形成する材料から選択して形成することができる。埋設部材は、被覆部材と、異なる材料によって形成されていてもよいが、同じ材料によって形成されていることが好ましい。
上述したように、発光素子が基板上に接合される場合、基板と発光素子との間に光反射性を有する埋設部材を配置してもよい。これにより、発光素子の下方向へ出射される光を反射することができ、光束を高めることができる。また、発光素子と基体との熱膨張率の差による応力を吸収させることができ、あるいは、放熱性を高めることができる。この埋設部材は、発光素子の側面から発光素子の直下に一体的に配置されていてもよいし、発光素子の直下の部材と、側面の部材とで一部分離していてもよい。
発光素子の直下に配置される埋設部材は、発光素子の側面を被覆する被覆部材を形成する材料から選択して形成することができる。埋設部材は、被覆部材と、異なる材料によって形成されていてもよいが、同じ材料によって形成されていることが好ましい。
本開示の発光装置には、ツェナーダイオード等の保護素子を搭載してもよい。例えば、保護素子を、被覆部材に埋設することにより、発光素子からの光が保護素子に吸収されたり、保護素子に遮光されたりすることによる光取り出しの低下を防止することができる。
実施形態２
次に、本開示に係る実施形態２の発光装置が備える素子載置用基板２１０について説明する。実施形態２の素子載置用基板２１０は、図６Ａに示すように、外部接続部１２ｂにおける外縁露出部１３ｅの形状及び位置が実施形態１の素子載置用基板１０とは異なっている。
次に、本開示に係る実施形態２の発光装置が備える素子載置用基板２１０について説明する。実施形態２の素子載置用基板２１０は、図６Ａに示すように、外部接続部１２ｂにおける外縁露出部１３ｅの形状及び位置が実施形態１の素子載置用基板１０とは異なっている。
具体的には、実施形態２における外縁露出部１３ｅは、図６Ｂに示すように、１導電層１２１の外縁を構成する辺のうちの１辺Ｌ１が第２導電層１２２から露出したものである。実施形態２では、一対の導電パターン１２それぞれが３つの外縁露出部１３ｅを備える。導電パターン１２が第１導電層１２１の外縁を構成する辺のうちの３辺のそれぞれ一部を露出する３つの外縁露出部１３ｅを備えることにより、３つの外縁露出部で３方向の位置を認識することが可能となる。つまり、実施形態２においても、外縁露出部１３ｅを２次実装時における発光面の位置認識に用いることができるため、実装精度をより向上させることができる。
実施形態２においても、実施形態１と同様に、発光素子と素子載置用基板との接合と、外部からの給電部材と素子載置用基板との接合とを、それぞれ、より強固で確実なものとすることができるとともに、外部接続部への樹脂成分の濡れ広がりを抑制することが可能となる。
実施形態３
次に、本開示に係る実施形態３の発光装置が備える素子載置用基板３１０について説明する。実施形態３の素子載置用基板３１０は、図７Ａに示すように、外部接続部１２ｂにおける外縁露出部１４ｅの形状及び位置が実施形態１の発光装置１００とは異なっている。
次に、本開示に係る実施形態３の発光装置が備える素子載置用基板３１０について説明する。実施形態３の素子載置用基板３１０は、図７Ａに示すように、外部接続部１２ｂにおける外縁露出部１４ｅの形状及び位置が実施形態１の発光装置１００とは異なっている。
具体的には、実施形態３における外縁露出部１４ｅは、図７Ｂに示すように、第１導電層１２１の外縁を構成する辺のうちの連続する３辺Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４が第２導電層から露出したものである。実施形態３では、一対の導電パターン１２それぞれが、２つの外縁露出部１４ｅを備える。外部接続部１２ｂにおいて、１つの外縁露出部１４ｅが、第１導電層１２１の外縁を構成する辺のうちの連続する３辺Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４とその間に位置する角部とを有することにより、１つの外縁露出部１４ｅで３方向の位置を認識することが可能となる。つまり、実施形態３においても、外縁露出部１４ｅを２次実装時における発光面の位置認識に用いることができるため、実装精度をより向上させることができる。
実施形態３においても、実施形態１と同様に、発光素子と素子載置用基板との接合と、外部からの給電部材と素子載置用基板との接合とを、それぞれ、より強固で確実なものとすることができるとともに、外部接続部への樹脂成分の濡れ広がりを抑制することが可能となる。
本発明の発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレターなど、種々の光源に使用することができる。
１００ 発光装置
１０、２１０、３１０ 素子載置用基板
１１ 基体
１２ 導電パターン
１２ａ 素子実装部
１２ｂ 外部接続部
１２ｅ、１３ｅ、１４ｅ 外縁露出部
１２１ 第１導電層
１２２ 第２導電層
２０ 発光素子
３０ 透光性部材
４０ 被覆部材
５０ 接着材
６０ 接合部材
１０、２１０、３１０ 素子載置用基板
１１ 基体
１２ 導電パターン
１２ａ 素子実装部
１２ｂ 外部接続部
１２ｅ、１３ｅ、１４ｅ 外縁露出部
１２１ 第１導電層
１２２ 第２導電層
２０ 発光素子
３０ 透光性部材
４０ 被覆部材
５０ 接着材
６０ 接合部材
Claims (8)
- 基体と、前記基体の主面に配置された素子実装部と外部接続部とを有する一対の導電パターンと、を備える素子載置用基板と、
前記素子実装部に実装された発光素子と、
前記発光素子と前記素子実装部を被覆する被覆部材と、を備え、
前記導電パターンは、第１導電層と、該第１導電層とは異なる材料による第２導電層とを前記基体側から順に備え、
前記素子実装部は、前記第２導電層で覆われていない前記第１導電層を有し、
前記外部接続部は、前記第１導電層の外縁の一部が前記第２導電層から露出する外縁露出部を備え、該外縁露出部は前記被覆部材と離間している発光装置。 - 前記外縁露出部は前記第１導電層の角部を含む請求項１に記載の発光装置。
- 前記一対の導電パターンはそれぞれが前記外縁露出部を複数備える請求項１または２に記載の発光装置。
- 前記第１導電層の最表面は金を含む層である請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記第２導電層の最表面は、銅又はアルミニウムを含む層である請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記基体は、平面視において略矩形状であり、前記外部接続部が、前記矩形の同じ辺に向かって延長する形状を有する請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記被覆部材は樹脂材料を含み、
前記第１導電層の表面は、前記第２導電層の表面よりも前記樹脂材料に対する濡れ性が高い請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。 - 前記発光素子は、金を含む接合部材により前記導電パターンに搭載されている請求項５〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016108125A JP6414141B2 (ja) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 発光装置 |
| US15/608,006 US10276767B2 (en) | 2016-05-31 | 2017-05-30 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016108125A JP6414141B2 (ja) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017216315A JP2017216315A (ja) | 2017-12-07 |
| JP6414141B2 true JP6414141B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=60418907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016108125A Active JP6414141B2 (ja) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10276767B2 (ja) |
| JP (1) | JP6414141B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019102715A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| DE102018101090A1 (de) * | 2018-01-18 | 2019-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigeelement, Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur bei einer Vielzahl von Anzeigeelementen |
| JP7326257B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2023-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US11024785B2 (en) * | 2018-05-25 | 2021-06-01 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode packages |
| US11335833B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-05-17 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
| JP6920619B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2021-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP7121312B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2022-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US11769862B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-09-26 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2023538102A (ja) * | 2020-08-21 | 2023-09-06 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 多色照明装置、システム及び製造方法 |
| JP2022120965A (ja) * | 2021-02-08 | 2022-08-19 | 市光工業株式会社 | 車両用灯具 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112021A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US6525406B1 (en) * | 1999-10-15 | 2003-02-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having increased moisture path and increased solder joint strength |
| US6693935B2 (en) * | 2000-06-20 | 2004-02-17 | Sony Corporation | Semiconductor laser |
| JP3722693B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2005-11-30 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP4539235B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2010-09-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8272757B1 (en) * | 2005-06-03 | 2012-09-25 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation |
| TWI427682B (zh) * | 2006-07-04 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置的製造方法 |
| KR100854328B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2008-08-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101267197B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2013-05-27 | 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 | 와이어 본딩 기계의 동작 방법 |
| KR101627574B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2016-06-21 | 쿄세라 코포레이션 | 배선 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2012015226A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置及び照明装置 |
| JP5648422B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| EP2448028B1 (en) | 2010-10-29 | 2017-05-31 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
| JP2012099544A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
| JP5673190B2 (ja) | 2011-02-18 | 2015-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US8710630B2 (en) * | 2011-07-11 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mechanisms for marking the orientation of a sawed die |
| JP2013026416A (ja) | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 素子搭載基板及びこれを備えた発光装置 |
| JP5893287B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2016-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および基板 |
| JP6221864B2 (ja) | 2014-03-17 | 2017-11-01 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| JP6519135B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置用基板 |
| JP2015092622A (ja) | 2015-01-14 | 2015-05-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6520663B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 素子載置用基板及び発光装置 |
| JP6411320B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2018-10-24 | シャープ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
-
2016
- 2016-05-31 JP JP2016108125A patent/JP6414141B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-30 US US15/608,006 patent/US10276767B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10276767B2 (en) | 2019-04-30 |
| JP2017216315A (ja) | 2017-12-07 |
| US20170345985A1 (en) | 2017-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6414141B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6729025B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP7054025B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6658723B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6399017B2 (ja) | 発光装置 | |
| US10629783B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6481559B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2009295892A (ja) | 発光装置 | |
| JP2019041044A (ja) | 発光装置 | |
| US9887333B2 (en) | Light emitting device and element mounting board | |
| KR102123039B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2016174120A (ja) | 発光装置 | |
| JP6638748B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
| JP6724639B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP7208495B2 (ja) | 光源装置 | |
| JP7410381B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
| JP6920619B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6784244B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP3169827U (ja) | 発光装置 | |
| JP2019145820A (ja) | 発光装置 | |
| JP6428353B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6402890B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP7041375B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP7161105B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
| JP7177336B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180626 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180727 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180904 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180917 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6414141 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |