JP5673190B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
また、本発明に係る発光装置は、前記発光素子搭載用基板の所定の実装領域に複数の発光素子が配列されて載置されており、前記発光素子搭載用基板の前記反射層には、1列に並べられた複数の発光素子を内包する長孔が複数列分形成されていることが好ましい。前記絶縁層および前記反射層は、面方向における線膨張係数が1〜30ppm/℃であることが好ましい。
この場合、前記発光素子搭載用基板の前記枠体は、シリコーン又は白色フィラーを混合した白色シリコーンからなることが好ましい。
本発明の第1実施形態に係る発光装置50は、LED電球やスポットライト等の照明器具に用いられ、公知のCOB構造の発光装置と同様の外観とすることができる。図1に示すように、発光装置50は、概形が板状の発光素子搭載用基板10の所定の発光素子載置領域(1個分を図中に破線枠で示す)上に発光素子5,5,…が実装され、これら複数の発光素子5をまとめて囲うように形成された円環形状の枠体4の内側に透光性樹脂からなる封止部材9が充填されて発光素子5を封止している。さらに、発光装置50は、発光素子5と同様に枠体4の内側の所定の載置領域に保護素子6が実装され、また、発光素子搭載用基板10の上面の枠体4の外側に、外部から駆動電圧を印加するための一対のパッド電極(アウターリード)として、正極31および負極32の各パッド部31b,32bを備える。発光装置50は、パッド部31b,32bにて駆動電圧を印加されることにより発光素子5,5,…が発光して、これらの光が一体となって封止部材9を透過して枠体4の内側を照射領域として上方に光を照射する。したがって、本実施形態に係る発光装置50は、照射領域の形状が円形である。なお、図1に示す発光素子搭載用基板10については、図の奥(上)側半分だけ発光素子5等を実装した発光装置50として示す。同様に、図2に示す発光素子搭載用基板10については、発光素子5の2個分の載置領域を含むが、発光素子5は1個だけ実装して示す。
発光素子5は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)等の公知の半導体発光素子を適用できる。例えば、発光素子5は、サファイアのような透光性の基板に、n型窒化物半導体層、活性層(発光層)、p型窒化物半導体層の、窒化物半導体の各層を順次、エピタキシャル成長させて積層した後、n型窒化物半導体層、p型窒化物半導体層にそれぞれ接続するパッド電極(n電極、p電極)を形成して製造される。本実施形態に係る発光装置50においては、発光素子5は平面視長方形であり、その長手方向に6個を並べて1列とし、短手方向に4列を並べた計24個を、向きを揃えてマトリクス状に配列される。また、発光素子5は高出力(高輝度)であり、発光装置50の照射領域における中心に集中して配列されており、発光素子5が発光した光(以下、適宜、発光素子5の光)は、封止部材9を透過しながら拡散して、照射領域全体から照射される。
保護素子6は、ツェナーダイオード、バリスタ、またはコンデンサ等であり、過電圧印加による発光素子5の破壊を防止するために搭載され、発光素子5と共通の電圧を印加されるように正極31および負極32に電気的に接続される。詳しくは、保護素子6は、発光素子5と同様に、フリップチップ実装にて発光素子搭載用基板10に設けられた正極31および負極32の各リード部31d,32dに接合部材7(図示省略)により接続されている。保護素子6は、発光素子5からの光をできるだけ遮らないように配置されることが好ましい。本実施形態に係る発光装置50においては、保護素子6は照射領域(枠体4の内側)に、発光素子5と距離を空けるように24個の発光素子5が配列された領域の外側に載置される。この場合、保護素子6は高さ(厚さ)が小さい(薄い)形状であることがより好ましい。あるいは、保護素子6は枠体4が形成される位置に配置されてもよく、この場合は、保護素子6の実装後に、後記するように液状やペースト状の材料を硬化させて枠体4を形成して保護素子6を埋設する。このような構造とすることで、保護素子6は照射領域の外側に載置されるため、発光素子5からの光を遮ることがなく、かつ枠体4により封止される。
本発明の第1実施形態に係る発光素子搭載用基板10は、金属板1の上面に、絶縁層21、導電層3、反射層22の順に、それぞれ所定の領域に積層されてなる。さらに本実施形態に係る発光素子搭載用基板10は、反射層22の上に枠体4を備える。ここで、導電層3は平面上で互いに離間した一対のリード電極(正極31および負極32)を形成し、正極31および負極32はさらにそれぞれリード部31c,32c,31d,32dおよびパッド部31b,32bを含む。
金属板1は、発光素子搭載用基板10の基材であり、発光装置50においては発光素子5等を配置する支持体であって、かつ発光素子5から発生する熱(以下、適宜、発光素子5の熱)の放熱手段であり、図1に示すように平板形状に形成されている。詳しくは、平面視で正方形の一組の対角を円弧で切り欠いた形状である。金属板1は、一般的な半導体発光素子のCOBパッケージ用の金属製基板と同様に、アルミニウム、銅、銀、鋼等の金属または合金を、ある程度の強度を有する板厚に公知の方法で形成して製造することができ、特に軽量で加工性がよく、低コストなアルミニウムまたはその合金が好ましい。金属板1の形状および大きさは限定されず、製品としてユーザに提供する発光素子搭載用基板または発光装置の形態や用途に応じて、適宜設計される。
絶縁層21は、金属板1の表面に形成されて、金属板1と後記の導電層3とを絶縁する層である。したがって、絶縁層21は導電層3が形成される領域には必ず形成され、当該領域よりも外側にまで形成されることが好ましい。本実施形態においては、絶縁層21は金属板1の表面全体に形成される。また、絶縁層21は、発光素子載置領域であって導電層3(リード部31c,32c)の形成されていない領域には、露出しているので、発光素子5から下方に出射した光が入射される。絶縁層21は、このような露出した領域は比較的狭いが、反射率の高い膜とすることが、発光装置50としたときに光の取出し効率をより高いものとするために好ましい。絶縁層21の厚さは特に規定しないが、発光装置50としたとき、薄過ぎると発光素子5の光を透過、吸収し、さらに金属板1と導電層3との絶縁が保持されなくなり、厚くなると発光素子5の熱が金属板1へ伝導し難くなる。したがって、絶縁層21の厚さは25〜100μm程度の範囲が好ましい。そして、本発明に係る発光素子搭載用基板10において、絶縁層21は以下の特性を示すように、後記の液晶ポリマーで形成される。
導電層3は、発光装置50の一対のリード電極を形成する正極31および負極32として、絶縁層21上に形成された互いに離間した2つの金属膜である。正極31および負極32はそれぞれ、発光装置50の外部から発光素子5の駆動電圧を印加するためのパッド部31b,32b、各発光素子5のパッド電極を電気的に接続するためのリード部31c,32cを発光素子5の搭載個数分(24対)、同じく保護素子6を接続するためのリード部31d,32dを含んで形成される。そして、正極31および負極32は、さらに発光素子5が実装されてリード部31c,32cに接続されることで、それぞれの発光素子5が直列および並列にパッド部31b,32bに電気的に接続されるような配線が形成される(図示省略)。
反射層22は、発光装置50の照射領域(枠体4の内側)において、図2に示すように発光素子5から下方へ出射した光を反射して発光装置50から上方へ照射させる反射膜であり、また、導電層3に対して、発光素子5および保護素子6との電気的接続部分であるリード部31c,32c,31d,32d以外を被覆して封止部材9との接触面積を少ないものとする保護膜である。また、反射層22が発光素子5の載置領域を空けて形成されていることで、発光素子5と金属板1との間に反射層22が介在しないため、発光素子5の熱が金属板1に伝導し易い。本実施形態においては、反射層22は、発光素子5および保護素子6の載置領域(発光素子5および保護素子6の平面視形状)よりも一回り大きい孔が形成され、さらに発光素子5については、1列分(6個)を内包する細長い孔を4列分(4本)形成されている。反射層22の形成されない領域(反射層22の孔)の平面視形状は、少なくとも発光素子5等の載置領域(平面視形状)であって、発光素子5等を実装可能であれば特に限定されず、発光装置50の形態、発光素子5の実装形態や配列等に応じて適宜設計される。また、反射層22の発光素子5の載置領域における孔は、上方に拡がるように端面が垂直よりも傾斜した、テーパを付けて形成されていることが好ましい。反射層22の孔をこのようなテーパを付けた形状とすることにより、発光素子5から前記孔の端面に出射した光をより多く上方へ反射させて、光の取出し効率を向上させることができる。
ここで、絶縁層21および反射層22を形成する液晶ポリマーについて、詳細に説明する。絶縁層21および反射層22は、液晶ポリマーをシート状に成形してなる液晶ポリマーフィルム(LCPフィルム)で形成することができる。一般的に、液晶ポリマーは、当該液晶ポリマーの液晶転移点以上に加熱されると変形可能となって、温度が上昇するにしたがい硬さ(弾性率)が漸減し、融点以上で溶融する。液晶ポリマーフィルムには、融点に到達していなくても(融点未満の温度でも)厚さ方向に加圧されることで、表層が溶融して金属板1や導電層3等の金属や液晶ポリマーフィルム同士に接着する(熱圧着する)ことができるものがある。このような液晶ポリマーフィルムは、熱や圧力によって相変化をするサーモトロピック型液晶からなり、さらに本実施形態に係る発光素子搭載用基板10においては、液晶ポリマーの中でも耐熱性の高い全芳香族系が好適であり、具体的には全芳香族ポリエステルが挙げられる。このような液晶ポリマーは、通常、黄みがかった乳白色を呈するが、高い反射率とするために、酸化チタン、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム等からなる粒径0.1〜20μm程度の白色無機フィラーを添加されたものが好ましい。なお、液晶ポリマーは、成形時のピーク温度によって熱膨張率が変化するものがあり、このような液晶ポリマーを適用する場合は、絶縁層21および反射層22のそれぞれの形成における熱圧着において、前記範囲の線膨張係数となるようにピーク温度を制御する。
枠体4は、発光装置50の照射領域を区画し、発光装置50の製造において、後記の透光性樹脂材料を当該枠体4の内側に充填させて封止部材9を形成するための堰として、発光素子搭載用基板10の上面に設けられる。また、枠体4は、図2に示すように、その内壁面で発光素子5から側方へ出射した光を上方へ反射させて発光装置50の光の取出し効率を向上させる。本実施形態に係る発光装置50は照射領域が円形であるため、枠体4は円環形状である。なお、枠体4は発光素子搭載用基板10に設けられていなくてもよく、発光装置50を製造する際に、例えば発光素子5および保護素子6の実装後に枠体4を形成することもできる。
封止部材9は、発光素子5、保護素子6、反射層22から露出した導電層3すなわちリード部31c,32c,31d,32d、および発光素子5等とリード部31c,32c等との接続部を封止(埋設)して、塵芥、水分、外力等から保護するための部材であり、図1および図2に示すように、発光素子搭載用基板10上において枠体4の内側に樹脂材料を充填されて形成される。封止部材9は発光素子5等を完全に埋設すればよく、その表面形状は限定されず、例えば平坦であっても凸レンズ状であってもよく、製品としてユーザに提供する発光装置50の形態や用途に応じて適宜設計される。封止部材9は、一般的な半導体発光素子を搭載した発光装置と同様に、発光素子5の光を透過させる透光性樹脂材料で形成され、具体的には、ハイブリッドシリコーンを含めたシリコーン、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等が挙げられるが、枠体4と同じく耐熱性および耐光性に優れるシリコーンが好ましい。また、これらの樹脂材料に、発光装置50の目的や用途に応じて蛍光物質、着色剤、光拡散剤、フィラー等を含有させてもよく、特に前記した通り、シリコーンは熱膨張率が高いため、フィラー等により熱膨張率を適度に低減することが好ましい。あるいは、封止部材9は、硬さを発光素子5等を保護できる程度に抑えて、応力緩和されるような構造とすることが好ましい。
次に、本発明の第1実施形態に係る発光素子搭載用基板の製造方法の一例を、図3を参照して説明する。なお、図3は、簡略化のため、発光素子5の2個分の発光素子載置領域を含んで示す。発光素子搭載用基板10は、発光装置50の複数台分が面方向にマトリクス状に連結した状態で製造されてもよく、発光素子搭載用基板10の完成後、あるいはさらに発光装置50の封止部材9を形成した後に、1台ずつに発光素子搭載用基板10を切断、分離して発光装置50が完成となる。
本発明の第1実施形態に係る発光装置50は、発光素子搭載用基板10を用いて、発光素子をフリップチップ実装した一般的なCOB構造の発光装置と同様の方法で製造できる。すなわち、発光素子搭載用基板10上に、発光素子5および保護素子6をそれぞれの載置領域でフリップチップ実装する。詳しくは、Au−Snペーストをリード部31c,32c,31d,32dの所定箇所に塗布して、発光素子5および保護素子6を載置し、共晶温度に加熱して、共晶接合する。あるいは、発光素子5および保護素子6のパッド電極の最上層にAu−Sn合金層を予め形成したものを共晶接合することもできる。そして、枠体4の内側に透光性樹脂材料を充填し、必要に応じて熱処理や光照射等の処理により硬化して封止部材9を形成することにより、発光装置50が完成する。なお、前記したように、発光素子搭載用基板10に枠体4が設けられていない場合は、発光素子5および保護素子6の実装の前または後に枠体4を形成すればよい。あるいは発光装置50は、枠体4を設けない構成として、比較的高粘度の透光性樹脂材料を発光素子搭載用基板10の発光素子5等が配置された領域に盛り上げるように吐出し、硬化して封止部材9を形成することもできる(図示省略)。
第1実施形態に係る発光装置はフリップチップ実装型であったが、本発明に係る発光装置は、ワイヤボンディング実装型とすることもできる。以下、本発明の第2実施形態に係る発光装置およびその発光素子搭載用基板について、図4を参照して説明する。第1実施形態に係る発光装置および発光素子搭載用基板(図1、図2)と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
発光素子5Aは、ワイヤボンディング実装対応である以外は第1実施形態と同様に公知の半導体発光素子を適用できるが、パッド電極が設けられた上面側へ比較的多く光を出射する構造であることが好ましい。発光素子5Aは、発光素子基板側の面を、一般的なフェースアップ実装対応の半導体素子の実装に適用される接合部材7Aで発光素子搭載用基板10Aに接合され、また、発光装置50Aにおける搭載個数および配列は特に規定されない。なお、保護素子6(図示省略)については、第1実施形態と同様に発光装置50Aに搭載されるが、ワイヤボンディング実装対応でもよいし、第1実施形態と同じフリップチップ実装対応でもよく、あるいは上下に電極を備えたものでもよい。
ワイヤWは、発光素子5Aのような電子部品を正極31Aおよび負極32Aへ電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤWは、ワイヤボンディングにて一般的に使用されるワイヤであり、材料としては、金、銅、白金、アルミニウムまたはそれらの合金が挙げられる。特に熱伝導率等に優れ、また発光素子5Aのパッド電極材料に一般に適用される金が好ましい。また、ワイヤWの径は特に限定されず、ワイヤWの材料、抵抗、ワイヤボンディングの条件、発光素子5Aや保護素子6の仕様等に応じて適宜選択される。
発光素子搭載用基板10Aは、発光装置50Aの照射領域における導電層3および反射層22の平面視形状以外は、第1実施形態に係る発光素子搭載用基板10と同じ構造であり、積層構造および各要素の材料、ならびに製造方法も同一である。したがって、金属板1およびその全面に形成される絶縁層21は第1実施形態にて説明した通りであるので、説明を省略する。
導電層3は第1実施形態と同様に金属膜からなり、発光装置50Aの一対のリード電極を形成する正極31Aおよび負極32Aとして、絶縁層21上に形成される。前記した通り、導電層3の形状すなわち正極31Aおよび負極32Aの形状は、照射領域において第1実施形態と異なる。具体的には、正極31Aおよび負極32Aは、ワイヤボンディングによる接続のために、発光素子5Aの載置領域(発光素子5Aの直下)の外にリード部を設ける。ここで、第1実施形態のリード部31c,32cと同様に、各発光素子5Aについてリード部を一対ずつ設けることもできるが、ワイヤWとの接続のために当該リード部まで反射層22を形成せずに孔を大きくする必要があり、発光装置50Aの照射領域において導電層3が反射層22に被覆されずに露出する領域が多くなる。また、配列した発光素子5A,5A間に十分な間隔がないと、ワイヤボンディングに必要なリード部を設けることができない。本実施形態においては、図4に示すように、隣り合う発光素子5A,5Aの各パッド電極をワイヤWで直列または並列に接続し、配列の端に載置された発光素子5Aについてのみ、そのパッド電極をワイヤWで直接に正極31Aまたは負極32Aに接続できるように、24個の発光素子5Aが配列された領域(以下、適宜、発光素子5Aの配列領域)の外にリード部31e,32eを一対以上設ける(図4では負極32Aのリード部32eを示す)。なお、ワイヤWによる接続においては、第1実施形態と同様に、パッド部31b,32bに直列に接続される発光素子5Aの組は、その発光素子5Aの個数が同数に統一されているようにする。
反射層22は、第1実施形態に係る発光素子搭載用基板10(図1参照)と同様に、発光素子5Aの載置領域(発光素子5Aの6個分×4本)、保護素子6の載置領域、およびパッド部31b,32bを形成する領域に加え、リード部31e,32eのワイヤWで接続される箇所を空けて形成される。
本発明の第2実施形態に係る発光装置50Aは、発光素子搭載用基板10Aを用いて、発光素子をワイヤボンディング実装した一般的なCOB構造の発光装置と同様の方法で製造できる。すなわち、発光素子搭載用基板10A上に、発光素子5Aおよび保護素子6をそれぞれの載置領域で導電層3に接合する(ダイボンディング)。接合部材7Aの材料によっては、発光素子5Aおよび保護素子6を配列した後、発光素子搭載用基板10Aを加熱して接合部材7Aを硬化する、あるいは溶融して接着固定する。そして、ワイヤボンディングにより、発光素子5Aのそれぞれのパッド電極にワイヤWを接続し、リード部31e,32eへ電気的に接続する。同様に、保護素子6を接続する。そして、第1実施形態と同様に、枠体4の内側に透光性樹脂材料を充填し、硬化して封止部材9を形成することにより、発光装置50Aが完成する。
第2実施形態に係る発光素子搭載用基板10Aは、両面電極型の発光素子を搭載することもできる。例えば上面(発光装置の光の照射面)にp電極が位置する発光素子を搭載する場合は、発光素子が配列される領域の導電層3を負極32Aとして、前記領域の外に正極31Aのみについてリード部31eを設ける。発光素子のn電極を導電性の接合部材7で負極32Aに接続し、p電極をワイヤボンディングでリード部31eに接続すればよい(図示省略)。保護素子6についても、その仕様に応じてリード部31d,32dの形状を設計し、また実装方法を選択すればよい。
1 金属板
21 絶縁層
22 反射層
21a,22a LCPフィルム(シート状に成形された液晶ポリマー)
3 導電層
3a 金属めっき膜(めっき膜)
31,31A 正極(リード電極)
31b パッド部
31c,31e リード部
31d リード部
32,32A 負極(リード電極)
32b パッド部
32c,32e リード部
32d リード部
4 枠体
50,50A 発光装置
5,5A 発光素子
6 保護素子
7,7A 接合部材
9 封止部材
W ワイヤ
Claims (7)
- 一対のリード電極が形成された発光素子搭載用基板と、前記発光素子搭載用基板におけるそれぞれの所定の載置領域上に載置されて前記一対のリード電極に電気的に接続された1以上の発光素子と、前記発光素子を封止する当該発光素子が発光した光を透過させる封止部材と、を備えた発光装置であって、
前記発光素子搭載用基板は、金属板と、液晶ポリマーからなる絶縁層と、金属膜からなる導電層と、液晶ポリマーからなる絶縁性の反射層と、をこの順に積層して備え、
前記絶縁層を形成する液晶ポリマーは、前記反射層を形成する液晶ポリマーよりも耐熱性が高く、
前記導電層は、前記絶縁層上で互いに離間した前記一対のリード電極を形成し、
前記反射層は、少なくとも前記載置領域を空けて形成されており、
前記載置領域には、前記金属板の上に、前記絶縁層と、前記リード電極と、がこの順に積層されており、
前記発光素子は、前記発光素子搭載用基板の前記載置領域において前記リード電極に接触して載置されていることを特徴とする発光装置。 - 前記発光素子搭載用基板の所定の実装領域に複数の発光素子が配列されて載置されており、
前記発光素子搭載用基板の前記反射層には、1列に並べられた複数の発光素子を内包する長孔が複数列分形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記絶縁層は、面方向における線膨張係数が1〜30ppm/℃であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記反射層は、面方向における線膨張係数が1〜30ppm/℃であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記導電層は、前記反射層から露出した表面に、光反射率の高い金属からなるめっき膜を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記発光素子搭載用基板は、前記反射層の上に複数の前記発光素子をまとめて囲うように形成された円環形状の枠体を備え、前記封止部材は、前記枠体の内側に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記発光素子搭載用基板の前記枠体は、シリコーン又は白色フィラーを混合した白色シリコーンからなることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
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