WO2013168802A1 - Ｌｅｄモジュール - Google Patents

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WO2013168802A1
WO2013168802A1 PCT/JP2013/063187 JP2013063187W WO2013168802A1 WO 2013168802 A1 WO2013168802 A1 WO 2013168802A1 JP 2013063187 W JP2013063187 W JP 2013063187W WO 2013168802 A1 WO2013168802 A1 WO 2013168802A1
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led
module
led module
submount
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田村　量
秋山　貴
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シチズンホールディングス株式会社
シチズン電子株式会社
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    • H01L33/60—Reflective elements

Definitions

  • the present invention relates to an LED module in which other electronic components are mounted on a circuit board together with a plurality of LED elements.
  • FIG. 2 of Patent Document 1 shows an LED module in which a lighting circuit is mounted on the same circuit board together with a plurality of LED chips (LED elements).
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of an LED lamp using an IEC standard base (GX53 type), which is shown in FIG. 2 of Patent Document 1 again.
  • the LED module shown in FIG. 7 includes a circuit board 2, a driver circuit 4 (lighting circuit), and an LED 3 (LED element).
  • a driver circuit 4 is mounted on the upper surface of the circuit board 2, and an LED 3 is mounted on the lower surface of the circuit board 2.
  • the LED module shown in FIG. 7 is fitted into the housing of the base 1 and is suppressed by the light emitting surface cover case 5. Further, when thinning is required, the LED 3 may be a COB (chip on board).
  • the COB is a device in which a bare chip LED element (hereinafter referred to as an LED die unless otherwise specified) is directly mounted on the circuit board 2.
  • FIG. 3 of Patent Document 2 shows a light emitting module 1a (LED module) in which the reflectance of the LED die mounting region is increased on the circuit board surface.
  • FIG. 8 is a reprint of FIG. 3 of Patent Document 2, which is a plan view of the light emitting module 1a, and is observed from the light extraction side (hereinafter referred to as the surface side).
  • the light emitting module 1a has a COB type structure.
  • a reflective layer 11, a positive-side power supply conductor 12, and a negative-electrode side power supply conductor 13 are disposed on the surface of the module substrate 5b.
  • a plurality of light emitting elements 21 (LED dies) are aligned on the surface of the reflective layer 11, and the plurality of light emitting elements 21 are connected in series by bonding wires 23 for each column.
  • the light emitting elements 21 in each row are supplied with power by the end bonding wires 24.
  • a sealing member 28 is filled in the sealing hole 25 a of the frame member 25.
  • the module substrate 5b has a structure in which a thin insulating layer is laminated on the surface of a base plate made of metal such as aluminum in order to improve heat dissipation.
  • the reflective layer 11 is patterned on the surface of the insulating layer 7 of the module substrate 5b together with the power supply conductors 12 and 13 by plating and etching.
  • the feed conductors 12 and 13 are provided on both sides of the reflective layer 11 so as to sandwich the reflective layer 11.
  • the reflection layer 11 and the power feeding conductors 12 and 13 are made of Ag as the surface layer, and have a higher reflectance than the insulating layer (not shown) on the surface of the module substrate 5a.
  • the total light reflectance of the reflective layer 11 and the power supply conductors 12 and 13 is about 90.0%.
  • the two power supply terminals 14 and 15 are also patterned on the surface of the insulating layer, and the light emitting module 1a is connected to the lighting device via an insulation coated electric wire (not shown).
  • the reflective layer 11 also functions as a heat spreader that diffuses the heat generated by the plurality of light emitting elements 21.
  • JP 2007-157690 A (FIG. 2) JP 2011-14878 (FIG. 3)
  • Patent Document 1 did not specifically mention the improvement of the luminous efficiency of the LED element (LED 3).
  • the LED module (light emitting module 1a) shown in FIG. 8 has a high reflectance around the LED die (light emitting element 21), the luminous efficiency can be improved.
  • the LED module shown in FIG. 8 is used more than the LED module shown in FIG. 7 because the LED module and the lighting device 121 are separated as shown in FIG. It's not easy.
  • An object of the present invention is to provide an LED module in which other electronic components are mounted on a circuit board together with a plurality of LED elements, and the LED module can be easily manufactured while maintaining a good reflection characteristic.
  • the LED module includes a submount substrate for mounting a plurality of LED elements, a module substrate for mounting the submount substrate and mounting electronic components other than the plurality of LED elements, and a submount substrate disposed on the module substrate.
  • the LED module includes a submount substrate for mounting a plurality of LED elements, a module substrate for mounting the submount substrate and mounting electronic components other than the plurality of LED elements, and covering the top surfaces of the plurality of LED elements.
  • a covering member that is configured to have a reflectance of the surface of the submount substrate higher than that of the surface of the module substrate, and each of the plurality of LED elements includes an electrode surface having two protruding electrodes,
  • a phosphor layer is provided as a covering member on the opposite surface or side surface of the electrode surface, and the protruding electrode is directly connected to the electrode formed on the submount substrate.
  • the covering member is preferably a fluorescent resin, and the covering member is preferably covered with a wire.
  • the submount substrate is preferably a disc.
  • the dam material has a shape in which bands having a constant width are arranged in an annular shape.
  • the dam material and the outer edge of the module substrate are arranged apart from each other.
  • the plurality of LED elements are mounted face-up on the submount substrate, and the plurality of LED elements are connected to each other by wires.
  • a plurality of LED elements are flip-chip mounted on the submount substrate.
  • the wiring on the module substrate and the wiring on the submount substrate or the plurality of LED elements are connected by wires.
  • the submount substrate has a surface on which a reflection enhancing film is formed on a metal surface.
  • the submount substrate preferably has a surface made of white ceramic.
  • the module substrate is preferably a metal substrate having a metal base and an insulating layer.
  • the submount substrate is mounted on the insulating layer.
  • the insulating layer has an opening, the submount substrate is mounted inside the opening, and the metal base of the module substrate and the submount substrate are directly connected.
  • the wiring on the module substrate and the wiring on the submount substrate are connected by a metal elastic member.
  • the LED module can maintain a high light emission efficiency because high reflectance is obtained at the periphery of the LED element.
  • the module substrate and the submount substrate constituting the circuit board are separate bodies, and the attributes related to the components mounted on the respective substrates are different. Therefore, the design and manufacturing conditions can be set separately. There is no difficulty in mounting the mounting substrate. That is, the LED module of the present invention is easy to manufacture while maintaining a good reflection characteristic.
  • the wiring pitch, land surface treatment conditions, and the like can be set in accordance with other electronic components.
  • the mounting conditions can be determined according to the LED element. That is, even if the mounting conditions of the module substrate and the submount substrate are significantly different, the conditions for designing and manufacturing can be set independently, and furthermore, it is not difficult to mount the submount substrate on the module substrate. It is easy to do.
  • At least the upper surface of the LED element is coated with a coating member such as a resin, but since the dam material for restricting the flow of the coating member is not provided on the submount substrate, the dam material reflects the submount substrate. There is no hindrance.
  • an electronic component other than the LED element is mounted on the module substrate, and the module substrate is not directly related to light emission, so there is no need to increase the surface reflectance. That is, in such an LED module, a high reflectance can be obtained at the periphery of the LED element, even though a submount substrate having a relatively small area is mounted on a module substrate having a relatively large area.
  • dam material since there is no dam material on the submount substrate, it is possible to maintain a high light emission efficiency.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an external appearance of an LED module 100.
  • FIG. It is the assembly figure shown in the state where LED module 100 was cut in half. It is AA 'sectional drawing of FIG.
  • FIG. 4 is a partially enlarged view of a cross-sectional view of the LED module 100 shown in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of another LED module 200.
  • (A) is sectional drawing of the LED element 321 utilized for another LED module 300
  • (b) is a partial expanded sectional view of the LED module 300.
  • FIG. FIG. 2 of Patent Document 1 is shown again.
  • FIG. 3 of Patent Document 2 is shown again.
  • LED module will be described below with reference to the drawings. However, it should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to those embodiments, but extends to the invention described in the claims and equivalents thereof. In the description of the drawings, the same or equivalent elements will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. Since LED elements take various forms, a bare chip LED element cut out from a wafer is referred to as an LED die, and an LED element covered with a phosphor-containing resin or the like is referred to as a package LED. .
  • FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of the LED module 100.
  • the housing 101 of the LED module 100 has an opening in the center, and the fluorescent resin 102 (covering member) can be observed from the opening.
  • the housing 101 includes two mounting holes 109.
  • FIG. 2 is an assembly diagram showing the LED module 100 cut in half.
  • the LED module 100 includes a housing 101 and a circuit board 110, and the circuit board 110 includes a submount board 103 and a module board 104.
  • the submount substrate 103 is a disk, and the upper surface is covered with a fluorescent resin 102.
  • An LED die 121 (LED element) shown in FIG. 3 is mounted on the upper surface of the submount substrate 103.
  • the module substrate 104 is a disc having two mounting holes 107 and is fitted into the housing 101.
  • the module substrate 104 includes a dam material 105 on the upper surface, the inside of the dam material 105 is a mounting portion 106 on which the submount substrate 103 is mounted, and the outside of the dam material 105 mounts an electronic component 108 (another electronic component). It is an area.
  • the dam material 105 has a shape in which bands having a substantially constant width are arranged in an annular shape.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
  • the submount substrate 103 is disposed on the module substrate 104 together with the dam material 105 and the electronic component 108.
  • LED dies 121 are mounted on the submount substrate 103, and the LED dies 121 are connected to each other by wires 122.
  • the LED dies 121 mounted on both ends of the submount substrate 103 are connected to wires 125 (see FIG. 4) on the module substrate 104 by wires 123.
  • the dam material 105 is on both sides of the submount substrate 103, and the fluorescent resin 102 is filled in a region inside the dam material 105.
  • the fluorescent resin 102 covers the LED die 121 and the wires 122 and 123.
  • the housing 101 includes an opening 130 through which the fluorescent resin 102 is exposed and a cavity 131 that surrounds the electronic component 108, and is fitted with the module substrate 104.
  • FIG. 4 is a partially enlarged view of the cross-sectional view of the LED module 100 shown in FIG. 3, but the housing 101 is not shown.
  • the submount substrate 103 is composed of an increased reflection film 103a and an aluminum base 103b.
  • the increased reflection film 103a is a multilayer film made of a transparent oxide such as SiO2, and the aluminum base 103b is made of high-purity aluminum.
  • the module substrate 104 includes an insulating layer 104a and a metal base 104b.
  • the insulating layer 104a is made of PI (polyimide) resin, but may be another organic film, and is selected based on the withstand voltage and the thermal conductivity.
  • the metal base 104b is made of aluminum having a good thermal conductivity, but it is not necessary to consider the reflectivity, so there is no need to make it highly purified.
  • the LED die 121 is mounted face up on the submount substrate 103. In the face-up mounting, the electrode surface of the LED die 121 is directed to the surface opposite to the mounting surface (the upper side in FIG. 4), and the electrodes 122 are connected by wires 122 and 123.
  • the LED die 121 is die-bonded on the reflective reflection film 103a with an adhesive (not shown).
  • the submount substrate 103 and the module substrate 104 are bonded with an adhesive 126.
  • a wiring 125 is formed on the module substrate 104, and the wiring 125 and the electronic component 108 are connected by solder 108a.
  • the size of the LED die 121 is, for example, 500 ⁇ m ⁇ 290 ⁇ m, and the thickness of the submount substrate 103 is about 0.15 to 0.30 mm.
  • the adhesive 126 is selected from materials that are cured by heating and pressing. As described above, the thickness of the insulating layer 104a of the module substrate 104 is determined in consideration of the withstand voltage. For example, when an attempt is made to obtain a withstand voltage of 4 kV, the thickness may be about 0.1 mm for PI resin.
  • As the wiring 125 on the module substrate 104 a laminate of Ni and Au on Cu is used.
  • the dam material 105 is made of a silicone resin, has a width of 0.7 to 1.0 mm, and a height of 0.5 to 0.8 mm.
  • the fluorescent resin 102 is a silicone resin containing a phosphor and has a thickness of about 400 to 800 ⁇ m.
  • the electronic component 108 is mounted on the module substrate 104 by solder reflow.
  • the LED die 121 is die-bonded on the submount substrate 103 and then wire-bonded.
  • the module substrate 104 and the submount substrate 103 are bonded with an adhesive 126, and the LED die 121 and the wiring 125 are connected with a wire 123.
  • the sub-mount substrate 103 is surrounded by a dispenser using the undamped dam material 105 in a ring shape with a constant width, and the dam material 105 is cured at about 150 ° C.
  • the fluorescent resin 102 is filled in the inner region of the dam material 105 with a dispenser, and the fluorescent resin 102 is cured at about 150 ° C.
  • the housing 101 is attached to the module substrate 104, and the LED module 100 is completed.
  • the expensive submount substrate 103 with high reflectivity is pasted on the inexpensive module substrate 104. Since the submount substrate 103 may be small in size, the LED module 100 keeps the manufacturing cost low while maintaining high reflectivity. Also. Since the dam material 105 is provided on the module substrate 104 side, there is nothing on the submount substrate 103 that hinders reflection except for the LED die 121 and the wire 122, so that the reflectance can be further improved. Further, since the submount substrate 13 is a disk, it is easy to design a lens and a reflector for evenly distributing light emission. In addition, the electronic component 108 can be disposed in a region (hollow portion 131) secured between the dam material 105 and the edge of the module substrate 104.
  • FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of another LED module 200.
  • the LED module 100 described above exhibits a high withstand voltage because the submount substrate 103 is pasted on the insulating layer 104a of the module substrate 104. However, since the insulating layer 104a is provided, heat dissipation may be impaired. When priority is given to heat dissipation, the insulating layer 104a under the submount substrate 103 may be removed.
  • the submount substrate 103 is a highly reflective Al substrate, and the LED die 121 is mounted by die bonding and wire bonding (face-up mounting).
  • the submount substrate is not limited to a highly reflective aluminum substrate, and the LED die mounting method is not limited to face-up mounting. Therefore, in the LED module 200, priority is given to heat dissipation, the LED die is flip-chip mounted, and the submount substrate is made of ceramic.
  • FIG. 5 shows only an enlarged cross-sectional view of a part of the LED module 200.
  • the housing 101 is not shown.
  • the LED module 200 and the LED module 100 differ in the LED die 221 and its mounting method, the material of the submount substrate 225 and the structure of the upper surface thereof, and the connection structure in the opening and opening of the insulating layer 104a of the module substrate 104. (See FIG. 4 and FIG. 5).
  • the LED die 221 has an electrode surface on the bottom surface, and includes a protruding electrode 222 on the bottom surface of the LED die 221.
  • the protruding electrode 222 is connected to the wiring 224 formed on the upper surface of the submount substrate 225.
  • a mounting method in which the electrode surface of the substrate and the electrode surface of the semiconductor element are opposed to each other and the electrodes are directly connected to each other is called flip-chip mounting (also referred to as face-down mounting).
  • the wiring 224 on the submount substrate 225 and the wiring 125 on the module substrate 104 are connected by a wire 223.
  • the submount substrate 225 is made of white ceramics, and the white surface is exposed except for the mounting portion of the LED die 221 and the wiring 224 for connection, and maintains a high reflectance.
  • the metal base 104 b of the module substrate 104 and the bottom surface of the submount substrate 225 are directly connected via the adhesive 126. Therefore, the heat generated by the LED die 221 is directly transmitted from the submount substrate 225 to the metal base 104b, and the heat dissipation of the LED module 200 is improved.
  • the submount substrate 225 is made of white ceramics, but a white ceramic layer may be formed only on the surface of the submount substrate to increase the reflectance.
  • the submount substrate may be formed by applying a material that becomes white glass when sintered on a base material made of aluminum nitride having low reflectance.
  • wirings may be formed on aluminum nitride and filled between wirings on the substrate with a material that becomes white glass when sintered.
  • the material that becomes a white glass when sintered is, for example, a mixture of organopolysiloxane and reflective fine particles such as titanium oxide and alumina and a catalyst, and is cured at about 150 ° C.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view of an LED element 321 used for another LED module 300
  • FIG. 6B is a partially enlarged cross-sectional view of the LED module 300.
  • the LED modules 100 and 200 used LED dies 121 and 221 as LED elements. For this reason, the fluorescent resin 102 is filled in the area inside the dam member 105, and the LED dies 121 and 221 and the wires 122, 123, and 223 are covered with the fluorescent resin 102.
  • the LED element is not limited to an LED die. Therefore, hereinafter, an LED module 300 using an LED element having a chip size package (hereinafter referred to as a package LED) will be described.
  • the LED element included in the LED module 300 includes a phosphor layer 321a (see FIG. 6A) only around the element as described later. Therefore, if an outline view corresponding to FIG. 1 is drawn with respect to the LED module 300, the package LED 321 including the phosphor layer 321 a (see FIG. 6A) and the package LED 321 from the opening of the housing 101. The surface of the submount substrate 225 (see FIG. 6B) is observed. As for the external view, there is no difference between the LED module 300 and the LED module 100 in other parts.
  • the dam material 105 (refer FIG. 2) becomes unnecessary.
  • the LED module 300 will be described with reference to a cross-sectional view (FIG. 6B) in which a part of the cross section of the LED module 300 is enlarged. In FIG. 6B, the housing is not shown.
  • the LED die is provided with a semiconductor layer 321c on the lower surface of a transparent insulating substrate 321b such as sapphire, and two protruding electrodes 322 are formed on the lower surface of the semiconductor layer 321c.
  • the protruding electrodes 322 are an anode and a cathode.
  • the phosphor layer 321a is obtained by kneading and curing a phosphor in a silicone resin, and the thickness of the side surface and the upper surface is about 100 ⁇ m.
  • the phosphor layer 321a is also provided on the bottom surface of the package LED 321, but the bottom phosphor layer 321a is provided to protect the bottom surface, and thus is thinner than the side and top phosphor layers 321a.
  • the submount substrate 225 in the LED module 300 is the same as the ceramic substrate used in the LED module 200, and includes a wiring 224 on the upper surface.
  • the module substrate 104 is the same as that used in the LED module 100.
  • the package LED 321 is flip-chip mounted on the submount substrate 225, and the wiring 224 on the submount substrate 225 and the wiring 125 on the module substrate 104 are connected by a small metal piece 323 (metal elastic member). is doing.
  • the metal piece 323 is fixed to the wiring 125 on the module substrate 104 with solder 108a.
  • the submount substrate 225 and the insulating layer 104a are bonded by an adhesive 126.
  • the reflectance of the surface of the submount substrate 225 is set to be higher than the reflectance of the surface of the module substrate 104.
  • the reflectance of the module substrate 104 is 70 to 80% even when white coating is applied, whereas the reflectance is 90 to 95 because the submount substrate 225 uses a ceramic substrate. %.
  • the difference in reflectance between the module substrate and the submount substrate is the same for the LED modules 100 and 200.
  • the LED module 300 is easy to manufacture because there is no dam material.
  • the wiring 224 on the submount substrate 225 and the wiring 125 on the module substrate 104 may be connected by solder or a connector. In this way, it is not necessary to prepare a wire bonder in the manufacturing process.
  • the high reflection area is limited to the mounting area of the LED elements (LED dies 121, 221 and package LED 321). This is because a high-reflecting member using ceramics, aluminum, or the like is generally expensive, so that the high-reflecting region is limited and the high-reflecting member to be used is downsized to reduce the cost.
  • the module substrate 104 includes the protective film 104a and the metal base 104b.
  • the module substrate may be a ceramic such as aluminum nitride, a resin, or the like. Note that the housing 101 shown by the LED module 100 can be substituted by a case of a lighting device to be incorporated, and thus the housing is not necessarily an essential configuration.
  • LED module 101 Housing 102 Fluorescent resin 103, 225 Submount substrate 103a High reflection film 103b Aluminum base 104 Module substrate 104a Insulating layer 104b Metal base 105 Dam material 106 Mounting portion 107, 109 Mounting hole 108 Electronic component (others) Electronic components) 108a Solder 110 Circuit board 121, 221 LED die (LED element) 122, 123, 223 Wire 125 Wiring 126 Adhesive material 222, 322 Protruding electrode 224 Wiring 321 Package LED (LED element) 321a Phosphor layer 321b Transparent insulating substrate 321c Semiconductor layer 323 Metal piece (metal elastic member)

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Abstract

　複数のＬＥＤ素子及び他の電子部品を回路基板に実装しても、反射特性が良好な状態を維持しながら製造し易くしたＬＥＤモジュールを提供する。ＬＥＤモジュールは、複数のＬＥＤ素子を実装するためのサブマウント基板と、サブマウント基板を搭載し且つ複数のＬＥＤ素子以外の電子部品を実装するためのモジュール基板と、モジュール基板上に配置され且つサブマウント基板の搭載部を囲むダム材と、ダム材の内側の領域に充填され且つ複数のＬＥＤ素子の上面を被覆する被覆部材を有し、モジュール基板の表面の反射率よりもサブマウント基板の表面の反射率が高くなるように設定されていることを特徴とする。

Description

ＬＥＤモジュール
　本発明は、複数のＬＥＤ素子とともに他の電子部品を回路基板に実装したＬＥＤモジュールに関する。
　ＬＥＤ素子を使った照明器具が普及してきている。このような中で電気スタンドやランプなどの照明器具を短い手番で設計するためには光源部をモジュール化すると良い。例えば特許文献１の図２には、複数のＬＥＤチップ（ＬＥＤ素子）とともに点灯回路を同一の回路基板に実装したＬＥＤモジュールが示されている。
　図７は、特許文献１の図２を再掲示したものであり、ＩＥＣ規格の口金（ＧＸ５３型）を使用するＬＥＤランプの断面図である。
　図７に示すＬＥＤモジュールは、回路基板２、ドライバー回路４（点灯回路）、ＬＥＤ３（ＬＥＤ素子）から構成されている。回路基板２の上面にはドライバー回路４が実装され、回路基板２の下面にはＬＥＤ３が実装されている。図７に示すＬＥＤモジュールは、口金１のハウジングにはめ込まれ、発光面カバーケース５で抑えられる。また、薄型化が要請されるときはＬＥＤ３をＣＯＢ（チップオンボード）とすれば良い。なお、ＣＯＢは、ベアチップ状態のＬＥＤ素子（以下特に断らない限りＬＥＤダイとよぶ）を回路基板２に直接的に実装するものである。
　ＬＥＤダイをＣＯＢ実装する場合、ＬＥＤモジュールの発光効率を高くするためには、回路基板の表面において少なくともＬＥＤダイを実装する領域だけは反射率を高くしておかなければならない。例えば特許文献２の図３には回路基板表面においてＬＥＤダイの実装領域の反射率を高くした発光モジュール１ａ（ＬＥＤモジュール）が示されている。
　図８は、特許文献２の図３を再掲示したものであり、発光モジュール１ａの平面図であって、光の取り出し側（以下、表面側と呼ぶ）から観察したものである。
　発光モジュール１ａのモジュール基板５ｂ（回路基板）には、発光素子２１（ＬＥＤダイ）以外の電子部品は搭載されていない。また、発光モジュール１ａはＣＯＢ型の構造を有している。モジュール基板５ｂの表面には、反射層１１、正極側の給電導体１２、及び負極側の給電導体１３が配置されている。反射層１１の表面には複数の発光素子２１（ＬＥＤダイ）が整列され、複数の発光素子２１は列毎にボンディングワイヤー２３で直列接続されている。各列の発光素子２１は、端部ボンディングワイヤー２４により給電される。枠部材２５の封止用孔２５ａには封止部材２８が充填されている。モジュール基板５ｂは、放熱性を高めるためアルミニウムなど金属製のベース板の表面に薄い絶縁層を積層した構造を有する。
　反射層１１は、給電導体１２、１３とともにメッキ法およびエッチング法によりモジュール基板５ｂの絶縁層７の表面にパターニングされている。給電導体１２、１３は、反射層１１を挟むようにその両側に設けられている。反射層１１、給電導体１２、１３は、それらの表層がＡｇで構成され、モジュール基板５ａの表面の絶縁層（図示せず）よりも高い反射率を有している。反射層１１、給電導体１２、１３の全光線反射率は、９０．０％程度である。絶縁層の表面には２つの給電端子１４、１５もパターニングされ、図示しない絶縁被覆電線を介して発光モジュール１ａが点灯装置に接続される。反射層１１は、複数の発光素子２１が発した熱を拡散するヒートスプレッダとしても機能する。
特開２００７－１５７６９０号公報　（図２） 特開２０１１－１４８７８号公報　（図３）
　図７に示したＬＥＤモジュールは、もともとＬＥＤランプの薄型化を目的としたものであったため、特許文献１には、ＬＥＤ素子（ＬＥＤ３）の発光効率改善について特別な言及はなかった。これに対し、図８に示したＬＥＤモジュール（発光モジュール１ａ）はＬＥＤダイ（発光素子２１）の周囲の反射率が高くなっているので、発光効率を向上させることができる。しかしながら、図８に示したＬＥＤモジュールは、特許文献２の図２に示されているように、ＬＥＤモジュールと点灯装置１２１とが別体になっているので図７に示したＬＥＤモジュールよりも使い易いとはいえない。
　本発明は、複数のＬＥＤ素子とともに他の電子部品を回路基板に実装したＬＥＤモジュールにおいて、反射特性が良好な状態を維持しながら製造し易くしたＬＥＤモジュールを提供することを目的とする。
　ＬＥＤモジュールは、複数のＬＥＤ素子を実装するためのサブマウント基板と、サブマウント基板を搭載し且つ複数のＬＥＤ素子以外の電子部品を実装するためのモジュール基板と、モジュール基板上に配置され且つサブマウント基板の搭載部を囲むダム材と、ダム材の内側の領域に充填され且つ複数のＬＥＤ素子の上面を被覆する被覆部材を有し、モジュール基板の表面の反射率よりもサブマウント基板の表面の反射率が高くなるように設定されていることを特徴とする。
　ＬＥＤモジュールは、複数のＬＥＤ素子を実装するためのサブマウント基板と、サブマウント基板を搭載し且つ複数のＬＥＤ素子以外の電子部品を実装するためのモジュール基板と、複数のＬＥＤ素子の上面を被覆する被覆部材を有し、モジュール基板の表面の反射率よりもサブマウント基板の表面の反射率が高くなるように設定され、複数のＬＥＤ素子の各々は二つの突起電極を有する電極面を備え、電極面の反対側の面又は側面に被覆部材として蛍光体層を有し、突起電極が前記サブマウント基板上に形成された電極と直接的に接続されることを特徴とする。
　また、ＬＥＤモジュールでは、被覆部材は蛍光樹脂であり、被覆部材はワイヤを被覆することが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、サブマウント基板は円板であることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、ダム材は幅が一定の帯が円環状に配置された形状を有することが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、ダム材と前記モジュール基板の外縁とが離間して配置されていることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、複数のＬＥＤ素子はサブマウント基板にフェイスアップ実装され、複数のＬＥＤ素子同士がワイヤで接続されることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、複数のＬＥＤ素子がサブマウント基板にフリップチップ実装されることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、モジュール基板上の配線と、サブマウント基板上の配線又は複数のＬＥＤ素子とが、ワイヤで接続されることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、サブマウント基板は金属面に増反射膜を形成した表面を備えていることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、サブマウント基板は白色のセラミックからなる表面を備えていることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、モジュール基板は金属ベースと絶縁層とを備えた金属基板であることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、絶縁層上にサブマウント基板が搭載されることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、絶縁層は開口部を有し、サブマウント基板は開口部内部に搭載されて、モジュール基板の金属ベースとサブマウント基板とが直接的に接続されることが好ましい。
　また、ＬＥＤモジュールでは、モジュール基板上の配線と、サブマウント基板上の配線とが金属製の弾性部材で接続されることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールは、ＬＥＤ素子の周辺部で高い反射率が得られるため発光効率が高い状態を維持できる。このとき回路基板を構成するモジュール基板とサブマウント基板は、別体であり、それぞれの基板に実装する部品の属性が異なるため設計及び製造に係る条件を別々に設定でき、さらにモジュール基板へのサブマウント基板の搭載に困難性がない。すなわち本発明のＬＥＤモジュールは、反射特性が良好な状態を維持しながら製造し易くなっている。
　また、ＬＥＤモジュールでは、モジュール基板はＬＥＤ素子を搭載していないので、他の電子部品に合わせて配線ピッチやランドの表面処理条件などを設定できる。同様にサブマウント基板はＬＥＤ素子しか搭載していないので、ＬＥＤ素子に合わせて実装条件を決められる。すなわち、モジュール基板とサブマウント基板の実装条件が著しく異なっても、それぞれ独立に設計及び製造に係る条件を設定でき、さらにモジュール基板へのサブマウント基板の搭載が困難ではないので、ＬＥＤモジュールは製造し易いという特徴がある。
　ＬＥＤ素子は少なくとも上面が樹脂等の被覆部材で被覆されているが、サブマウント基板には被覆部材の流動を制限するためのダム材が設けられていないので、ダム材がサブマウント基板の反射を阻害することがない。この場合、モジュール基板はＬＥＤ素子以外の電子部品が実装され、発光と直接的には係らないため表面の反射率を高くする必要がない。すなわち、この様なＬＥＤモジュールは、比較的広い面積をもつモジュール基板上に比較的狭い面積をもつサブマウント基板を搭載しているにもかかわらず、ＬＥＤ素子の周辺部で高い反射率が得られるとともに、ダム材がサブマウント基板上にないため、発光効率が高い状態を維持できる。
ＬＥＤモジュール１００の外観を示す斜視図である。 ＬＥＤモジュール１００を半分に切断した状態で示した組み立て図である。 図１のＡＡ´断面図である。 図３に示したＬＥＤモジュール１００の断面図の一部拡大図である。 他のＬＥＤモジュール２００の一部拡大断面図である。 （ａ）は更に他のＬＥＤモジュール３００に利用するＬＥＤ素子３２１の断面図であり、（ｂ）はＬＥＤモジュール３００の一部拡大断面図である。 特許文献１の図２を再掲示したものである。 特許文献２の図３を再掲示したものである。
　以下図面を参照して、ＬＥＤモジュールについて説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、ＬＥＤ素子は様々な形態をとるので、ウェハーから切り出されたベアチップ状態のＬＥＤ素子をＬＥＤダイと呼び、蛍光体を含有した樹脂などでＬＥＤダイを被覆したＬＥＤ素子をパッケージＬＥＤと呼び区別する。
　図１は、ＬＥＤモジュール１００の外観を示す斜視図である。
　ＬＥＤモジュール１００のハウジング１０１は、中央に開口を有し、開口から蛍光樹脂１０２（被覆部材）を観察することができる。また、ハウジング１０１は、２個の取り付け穴１０９を備えている。
　図２は、ＬＥＤモジュール１００を半分に切断した状態で示した組み立て図である。
　ＬＥＤモジュール１００は、ハウジング１０１と回路基板１１０からなり、回路基板１１０にはサブマウント基板１０３とモジュール基板１０４が含まれる。サブマウント基板１０３は円板であり、上面が蛍光樹脂１０２で被覆されている。サブマウント基板１０３の上面には、図３で示すＬＥＤダイ１２１（ＬＥＤ素子）が実装されている。モジュール基板１０４は、２個の取り付け穴１０７を備える円板であり、ハウジング１０１にはめ込まれる。モジュール基板１０４は、上面にダム材１０５を備え、ダム材１０５の内側がサブマウント基板１０３を搭載する搭載部１０６であり、ダム材１０５の外側が電子部品１０８（他の電子部品）を実装する領域である。ダム材１０５は、幅が略一定の帯が円環状に配置された形状を有している。
　図３は、図１のＡＡ´断面図である。
　図３に示す様に、サブマウント基板１０３は、ダム材１０５及び電子部品１０８とともにモジュール基板１０４上に配置されている。サブマウント基板１０３上にはＬＥＤダイ１２１が実装され、ＬＥＤダイ１２１同士はワイヤ１２２で接続されている。サブマウント基板１０３の両端に実装にされたＬＥＤダイ１２１はモジュール基板１０４上の配線１２５（図４参照）とワイヤ１２３で接続されている。ダム材１０５はサブマウント基板１０３の両脇にあり、蛍光樹脂１０２がダム材１０５の内側の領域に充填されている。蛍光樹脂１０２は、ＬＥＤダイ１２１、ワイヤ１２２、１２３を被覆している。ハウジング１０１は、蛍光樹脂１０２が露出する開口部１３０と電子部品１０８をとり囲む空洞部１３１を備え、モジュール基板１０４と勘合している。
　図４は、図３に示したＬＥＤモジュール１００の断面図の一部拡大図であるが、ハウジング１０１は図示していない。
　図４に示す様に、サブマウント基板１０３は、増反射膜１０３ａとアルミベース１０３ｂからなる。増反射膜１０３ａはＳｉＯ２など透明な酸化物からなる多層膜であり、アルミベース１０３ｂは高純度アルミニウムからなる。モジュール基板１０４は、絶縁層１０４ａと金属ベース１０４ｂからなる。絶縁層１０４ａはＰＩ（ポリイミド）樹脂からなるが、他の有機膜であっても良く、絶縁耐圧と熱伝導性に基づいて選択される。金属ベース１０４ｂは、熱伝導性の良好なアルミからなるが、反射率を配慮しなくて良いので高純度化する必要がない。
　サブマウント基板１０３上にはＬＥＤダイ１２１がフェイスアップ実装されている。フェイスアップ実装とは、ＬＥＤダイ１２１の電極面を実装面とは反対側の面（図４の上側）に向け、ワイヤ１２２、１２３で電極の接続をとるものである。ＬＥＤダイ１２１は、図示していない接着材で増反射膜１０３ａ上にダイボンディングされている。サブマウント基板１０３とモジュール基板１０４とは、接着材１２６で接着されている。モジュール基板１０４上には、配線１２５が形成され、配線１２５と電子部品１０８とが半田１０８ａにより接続している。
　ＬＥＤダイ１２１の大きさは例えば５００μｍ×２９０μｍであり、サブマウント基板１０３の厚さは０．１５～０．３０ｍｍ程度である。接着材１２６は加熱及び加圧により硬化する材料から選択される。モジュール基板１０４の絶縁層１０４ａの厚さは、前述のように耐圧に配慮して決定され、例えば４ｋＶの耐圧を得ようとした場合、ＰＩ樹脂なら０．１ｍｍ程度あれば良い。モジュール基板１０４上の配線１２５は、Ｃｕ上にＮｉ、Ａｕを積層したものが用いられる。ダム材１０５は、シリコーン樹脂からなり、幅は０．７～１．０ｍｍであり、高さは０．５～０．８ｍｍである。蛍光樹脂１０２は、蛍光体を含有したシリコーン樹脂であり、厚さが４００～８００μｍ程度である。
　次に図２～４を参照しながらＬＥＤモジュール１００の製造方法を説明する。
　最初に、モジュール基板１０４に電子部品１０８を半田リフローで実装する。これと並行して、サブマウント基板１０３上にＬＥＤダイ１２１をダイボンディングし、その後ワイヤボンディングする。
　次に、モジュール基板１０４とサブマウント基板１０３とを接着材１２６で接着し、ＬＥＤダイ１２１と配線１２５をワイヤ１２３で接続する。
　次に、ディスペンサにより硬化前のダム材１０５を用いて、円環状で一定幅の帯状にサブマウント基板１０３をとり囲み、ダム材１０５を約１５０℃で硬化させる。
　次に、ディスペンサでダム材１０５の内側の領域に蛍光樹脂１０２を充填し、蛍光樹脂１０２を約１５０℃で硬化させる。
　最後に、ハウジング１０１をモジュール基板１０４にとり付けて、ＬＥＤモジュール１００を完成させる。
　以上のように、ＬＥＤモジュール１００は、安価なモジュール基板１０４上に、反射率が高く高価なサブマウント基板１０３を貼りつけている。サブマウント基板１０３は小型で良いため、ＬＥＤモジュール１００は高い反射率を維持しながら製造コストを低く抑えている。また。ダム材１０５がモジュール基板１０４側に設けられているため、サブマウント基板１０３上にＬＥＤダイ１２１やワイヤ１２２を除き反射を阻害するものがないので、反射率をより向上させることが可能である。さらに、サブマウント基板１３が円板であるため、発光を均等に分散させるためのレンズや反射器の設計が楽になる。またダム材１０５とモジュール基板１０４の縁部との間に確保した領域（空洞部１３１）に電子部品１０８を配置することが可能となった。
　図５は、他のＬＥＤモジュール２００の一部拡大断面図である。
　前述したＬＥＤモジュール１００は、モジュール基板１０４の絶縁層１０４ａ上にサブマウント基板１０３を貼り付けていたので高い絶縁耐圧を示す。しかしながら、絶縁層１０４ａがあるため放熱性を損なう場合がある。放熱性を優先する場合には、サブマウント基板１０３の下の絶縁層１０４ａを除去すればよい。また、ＬＥＤモジュール１００では、サブマウント基板１０３が高反射Ａｌ基板であり、ＬＥＤダイ１２１をダイボンディング及びワイヤボンディングで実装（フェイスアップ実装）していた。これに対し、サブマウント基板は高反射アルミ基板に限られず、ＬＥＤダイの実装方法もフェイスアップ実装に限られない。そこで、ＬＥＤモジュール２００では、放熱性を優先し、ＬＥＤダイをフリップチップ実装し、サブマウント基板をセラミックで構成するようにした。
　ＬＥＤモジュール２００の外形図、組み立て図、及び断面図は、ＬＥＤモジュール１００に関する図１～図３と等しくなるので、省略する。そこで図５では、ＬＥＤモジュール２００の一部を拡大した断面図のみを示す。なお、図５ではハウジング１０１は図示していない。
　ＬＥＤモジュール２００とＬＥＤモジュール１００では、ＬＥＤダイ２２１とその実装方法、サブマウント基板２２５の材料とその上面の構造、及び、モジュール基板１０４の絶縁層１０４ａの開口部と開口部における接続構造、が異なっている（図４及び図５参照）。
　ＬＥＤダイ２２１は底面が電極面となっており、ＬＥＤダイ２２１の底面に突起電極２２２を備えている。突起電極２２２はサブマウント基板２２５の上面に形成された配線２２４と接続する。なお、基板の電極面と半導体素子の電極面を対向させて、それぞれの電極同士を直接的に接続する実装方法はフリップチップ実装と呼ばれている（フェイスダウン実装ともいう）。
　サブマウント基板２２５上の配線２２４とモジュール基板１０４の配線１２５とはワイヤ２２３により接続する。サブマウント基板２２５は白色のセラミックスからなり、ＬＥＤダイ２２１の実装部及び接続用の配線２２４部以外は白色の表面が露出し、高い反射率を保っている。
　ＬＥＤモジュール２００のモジュール基板１０４では、絶縁層１０４ａが形成されていない領域（開口部）を、サブマウント基板２２５の搭載部１０６（図２参照）としている。したがって、モジュール基板１０４の金属ベース１０４ｂとサブマウント基板２２５の底面とが接着材１２６を介して直接的に接続している。このためＬＥＤダイ２２１が発する熱はサブマウント基板２２５から直接的に金属ベース１０４ｂに伝わり、ＬＥＤモジュール２００の放熱性が向上する。
　ＬＥＤモジュール２００では、サブマウント基板２２５が白色のセラミクスからなっているが、サブマウント基板の表面にだけ白色のセラミクス層を形成し反射率を高くしても良い。例えば、サブマウント基板を、反射率の低い窒化アルミをベース材とし、その上に焼結すると白色のガラス状になる材料を塗布して構成しても良い。また、窒化アルミ上に配線を形成し、焼結すると白色のガラス状になる材料で基板上の配線間を埋めてもよい。焼結すると白色のガラス状になる材料とは、例えばオルガノポリシロキサンに酸化チタンやアルミナなど反射の微粒子と触媒を混練させたものであり、１５０℃程度で硬化する。
　図６（ａ）は更に他のＬＥＤモジュール３００に利用するＬＥＤ素子３２１の断面図であり、図６（ｂ）はＬＥＤモジュール３００の一部拡大断面図である。
　ＬＥＤモジュール１００、２００は、ＬＥＤ素子としてＬＥＤダイ１２１、２２１を使用していた。このためダム材１０５の内側の領域に蛍光樹脂１０２を充填し、蛍光樹脂１０２によりＬＥＤダイ１２１、２２１及びワイヤ１２２、１２３、２２３を被覆していた。しかしながら、ＬＥＤ素子はＬＥＤダイに限られない。そこで、以下では、チップサイズパッケージとしたＬＥＤ素子（以下パッケージＬＥＤと呼ぶ）を用いたＬＥＤモジュール３００について説明する。
　ＬＥＤモジュール３００に含まれるＬＥＤ素子は、後述するように素子周りにだけ蛍光体層３２１ａ（図６（ａ）参照）を備えている。そこで、ＬＥＤモジュール３００に関して、図１に相当する外形図を描くとすれば、ハウジング１０１の開口部からは蛍光体層３２１ａを備えたパッケージＬＥＤ３２１（図６（ａ）参照）及びパッケージＬＥＤ３２１の間からサブマウント基板２２５（図６（ｂ）参照）の表面が観察される。なお、外形図としては、他の部分では、ＬＥＤモジュール３００とＬＥＤモジュール１００とで違いは無い。
　また、ＬＥＤモジュール３００に関して、図２に相当する組み立て図を描くとすれば、ダム材１０５（図２参照）が不要になる。なお、組み立て図としては、他の部分では、ＬＥＤモジュール３００とＬＥＤモジュール１００とで違いは無い。そこで、以下では、ＬＥＤモジュール３００の断面の一部を拡大した断面図（図６（ｂ））を用いて、ＬＥＤモジュール３００について説明する。なお図６（ｂ）ではハウジングを図示していない。
　図６（ａ）に示すように、ＬＥＤダイはサファイヤ等の透明絶縁基板３２１ｂの下面に半導体層３２１ｃを備え、さらに半導体層３２１ｃの下面に２個の突起電極３２２が形成されている。突起電極３２２はアノード及びカソードである。蛍光体層３２１ａはシリコーン樹脂に蛍光体を混練し硬化させたもので、側面及び上面の厚さは１００μｍ程度である。パッケージＬＥＤ３２１の底面にも蛍光体層３２１ａがあるが、底面の蛍光体層３２１ａは底面を保護するために設けられているので側面及び上面の蛍光体層３２１ａに比べて薄くなっている。
　ＬＥＤモジュール３００におけるサブマウント基板２２５は、ＬＥＤモジュール２００で使ったセラミック基板と同じであり、上面に配線２２４を備えている。同様に、モジュール基板１０４はＬＥＤモジュール１００で使ったものと同じである。ＬＥＤモジュール３００では、パッケージＬＥＤ３２１がサブマウント基板２２５にフリップチップ実装されており、サブマウント基板２２５上の配線２２４とモジュール基板１０４上の配線１２５とが金属小片３２３（金属製の弾性部材）で接続している。金属小片３２３はモジュール基板１０４上の配線１２５に半田１０８ａで固定されている。サブマウント基板２２５と絶縁層１０４ａとは接着材１２６によって接着されている。
　ＬＥＤモジュール３００のサブマウント基板２２５の表面では、配線２２４とパッケージＬＥＤ３２１を除き白色セラミック面を露出しているので高い反射率が得られる。即ち、ＬＥＤモジュール３００では、モジュール基板１０４の表面の反射率よりもサブマウント基板２２５の表面の反射率が高くなるように設定されている。なお、モジュール基板１０４の反射率は、白色塗装をした場合にも７０～８０％であるのに対して、サブマウント基板２２５は、セラミック基板を利用していることから、反射率は９０～９５％である。なお、モジュール基板とサブマウント基板との反射率の差に関しては、ＬＥＤモジュール１００及び２００についても同様である。
　また、ＬＥＤモジュール３００にはダム材がないので製造しやすい。なお、サブマウント基板２２５上の配線２２４とモジュール基板１０４上の配線１２５は半田やコネクタで接続しても良い。このようにすると製造工程のなかでワイヤボンダーを準備する必要がなくなる。
　上述したＬＥＤモジュール１００、２００及び３００では、高反射領域がＬＥＤ素子（ＬＥＤダイ１２１、２２１、パッケージＬＥＤ３２１）の実装領域に限定している。これは、セラミクスやアルミ等を用いた高反射部材は一般に価格が高いため、高反射領域を限定し、使用する高反射部材を小型化することでコストダウンを図っているためでもある。また、ＬＥＤモジュール１００、２００及び３００では、モジュール基板１０４を保護膜１０４ａと金属ベース１０４ｂから構成したが、モジュール基板は窒化アルミなどのセラミックや樹脂などであっても良い。なお、ＬＥＤモジュール１００で示したハウジング１０１は組み込むべき照明装置のケース等で代用できるので、ハウジングは必ずしも必須の構成ではない。
　１００、２００、３００　　ＬＥＤモジュール
　１０１　　ハウジング
　１０２　　蛍光樹脂
　１０３、２２５　　サブマウント基板
　１０３ａ　　増反射膜
　１０３ｂ　　アルミベース
　１０４　　モジュール基板
　１０４ａ　　絶縁層
　１０４ｂ　　金属ベース
　１０５　　ダム材
　１０６　　搭載部
　１０７、１０９　　取り付け穴
　１０８　　電子部品（他の電子部品）
　１０８ａ　　半田
　１１０　　回路基板
　１２１、２２１　　ＬＥＤダイ（ＬＥＤ素子）
　１２２、１２３、２２３　　ワイヤ
　１２５　　配線
　１２６　　接着材
　２２２、３２２　　突起電極
　２２４　　配線
　３２１　　パッケージＬＥＤ（ＬＥＤ素子）
　３２１ａ　　蛍光体層
　３２１ｂ　　透明絶縁基板
　３２１ｃ　　半導体層
　３２３　　金属小片（金属製の弾性部材）

Claims (15)

  1. 　複数のＬＥＤ素子を含むＬＥＤモジュールにおいて、
    　前記複数のＬＥＤ素子を実装するためのサブマウント基板と、
    　前記サブマウント基板を搭載し且つ前記複数のＬＥＤ素子以外の電子部品を実装するためのモジュール基板と、
    　前記モジュール基板上に配置され且つ前記サブマウント基板の搭載部を囲むダム材と、
    　前記ダム材の内側の領域に充填され且つ前記複数のＬＥＤ素子の上面を被覆する被覆部材と、を有し、
    　前記モジュール基板の表面の反射率よりも前記サブマウント基板の表面の反射率が高くなるように設定されている、
    　ことを特徴とするＬＥＤモジュール。
  2. 　前記被覆部材は蛍光樹脂であり、前記被覆部材は前記ワイヤを被覆する、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
  3. 　前記サブマウント基板は円板である、請求項１又は２に記載のＬＥＤモジュール。
  4. 　前記ダム材は幅が一定の帯が円環状に配置された形状を有する、請求項３に記載のＬＥＤモジュール。
  5. 　前記ダム材と前記モジュール基板の外縁とが離間して配置されている、請求項１～４の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  6. 　前記複数のＬＥＤ素子は前記サブマウント基板にフェイスアップ実装され、前記複数のＬＥＤ素子同士がワイヤで接続される、請求項１～５の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  7. 　前記複数のＬＥＤ素子が前記サブマウント基板にフリップチップ実装される、請求項１～５の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  8. 　前記モジュール基板上の配線と、前記サブマウント基板上の配線又は前記複数のＬＥＤ素子とが、ワイヤで接続される、請求項１～７の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  9. 　複数のＬＥＤ素子を含むＬＥＤモジュールにおいて、
    　前記複数のＬＥＤ素子を実装するためのサブマウント基板と、
    　前記サブマウント基板を搭載し且つ前記複数のＬＥＤ素子以外の電子部品を実装するためのモジュール基板と、
    　前記複数のＬＥＤ素子の上面を被覆する被覆部材と、を有し、
    　前記モジュール基板の表面の反射率よりも前記サブマウント基板の表面の反射率が高くなるように設定され、
    　前記複数のＬＥＤ素子の各々は二つの突起電極を有する電極面を備え、
    　前記電極面の反対側の面又は側面に前記被覆部材として蛍光体層を有し、
    　前記突起電極が前記サブマウント基板上に形成された電極と直接的に接続される、
    　ことを特徴とするＬＥＤモジュール。
  10. 　前記サブマウント基板は金属面に増反射膜を形成した表面を備えている、請求項１～９の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  11. 　前記サブマウント基板は白色のセラミックからなる表面を備えている、請求項１～９の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  12. 　前記モジュール基板は金属ベースと絶縁層とを備えた金属基板である、請求項１～１１の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  13. 　前記絶縁層上に前記サブマウント基板が搭載される、請求項１２に記載のＬＥＤモジュール。
  14. 　前記絶縁層は開口部を有し、前記サブマウント基板は前記開口部内部に搭載されて、前記モジュール基板の前記金属ベースと前記サブマウント基板とが直接的に接続される、請求項１２に記載のＬＥＤモジュール。
  15. 　前記モジュール基板上の配線と、前記サブマウント基板上の配線とが金属製の弾性部材で接続される、請求項１～７及び９～１４の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
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