JP2006049715A - 発光光源、照明装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 発光光源から発せられる光束の低下或いは発光素子の短寿命化を抑制できる発光光源を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＬＥＤ光源は、基板１０の導電ランド３３に接続されたＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３が、蛍光体を含んだシリコーン樹脂からなる蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３により覆われる構造をしている。蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３には、蛍光体のほか自己の形体を保持するための無機フィラーが含まれる。樹脂封入体Ｓ６３，Ｓ７３は、蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３の主成分であるシリコーン樹脂からなり、蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３と導電ランド３３との界面であってその外縁部分を覆っている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、基板の導電ランドに接続された発光素子が、蛍光体を含んだ第１の樹脂からなる蛍光樹脂体により覆われている発光光源、当該発光光源を用いた照明装置又は表示装置に関する。

近年、次世代の照明光源として、発光ダイオードベアチップ（以下、「ＬＥＤベアチップ」という。）が注目されている。これは、ＬＥＤベアチップが、白熱電球やハロゲン電球等と比べて、高効率、長寿命であり、さらに、ＬＥＤベアチップ自体が小さいため光源の小型化が可能になるからである。
ＬＥＤベアチップを用いた発光光源としては、例えば、基板の導電ランドにＬＥＤベアチップが接続され、このＬＥＤベアチップが蛍光体を含んだ樹脂からなる蛍光樹脂体により覆われ、さらに、この蛍光樹脂体がエポキシ樹脂からなる樹脂封入体で覆われたものがある（特許文献１）。

特に、近年、発光色が青色系のＬＥＤベアチップを用いて蛍光体により白色に変換するようなものがあり、蛍光樹脂体にシリコーン樹脂やフッ素樹脂が用いられている。蛍光樹脂体の樹脂にシリコーン樹脂等を使用する理由は、ＬＥＤベアチップから発せられる光に紫外線の成分が含まるため放射光に対する物理的、化学的安定性を必要とし、また、発光時にＬＥＤベアチップ自体が高温になるため熱に対する物理的、化学的安定性を必要とするからである。

なお、ここでいう「放射光及び熱に対する物理的、化学的安定性」とは、例えば、蛍光樹脂体が変色して透過率が低下したり、物性が変化したりしないことを指している。
特開２００３−１２４５２８号公報

しかしながら、蛍光樹脂体に用いられるシリコーン樹脂、或いはフッ素樹脂は、放射光及び熱に対する物理的、化学的安定性に優れるが、異種材料との接着性に劣る。このため、異種材料である基板或いは導電ランドとの接着力が不十分で、蛍光樹脂体と基板、或いは蛍光樹脂体と導電ランドの界面に隙間が生じてしまう場合がある。
界面に隙間が生じた場合、前記樹脂封入体を成形する際に、界面の隙間に、樹脂封入体を構成するエポキシ樹脂が流入するおそれがある。特に、エポキシ樹脂がＬＥＤベアチップ近傍にまで流入してしまうと、隙間内のエポキシ樹脂の透過率が、ＬＥＤベアチップから発せられた紫外線による変色のために低下し、発光光源から発せられる光束が全体として低下してしまうという問題がある。

蛍光樹脂体を覆う樹脂封入体がない発光光源においても、上記界面に隙間が生じると、空気中の水分が隙間に蓄積され、ＬＥＤベアチップの寿命が短くなる問題がある。
本発明は、上記問題を解決する新規有用な発光光源、当該発光光源を用いた照明装置又は表示装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る発光光源は、基板の導電ランドに接続された発光素子が、蛍光体を含んだ第１の樹脂からなる蛍光樹脂体により覆われている発光光源であって、前記蛍光樹脂体と前記基板との界面及び／又は前記発光素子が接続されている導電ランドと前記蛍光樹脂体との界面であってその外縁部分が、前記第１の樹脂と同程度以上の放射光及び熱に対する物理的・化学的安定性を有する第２の樹脂からなる被覆樹脂体により覆われていることを特徴としている。

ここでいう「発光素子」は、発光ダイオード、レーザダイオードを含む概念である。また、「基板」は、複数の発光素子を実装するようなメイン基板、１個の発光素子を実装するサブ基板を含む概念であり、また、基板は、樹脂、セラミック、金属等の材料によって限定するものではなく、当然その製造方法によっても限定されるものではない。
また、前記第２の樹脂は、前記第１の樹脂と同じであることを特徴としている。この構成によると、第１の樹脂と第２の樹脂とが同じになり、第２の樹脂に第１の樹脂と異なる樹脂を用いた場合に比べて、第２の樹脂と第１の樹脂との結合力を高めることができる。

前記第１の樹脂は、シリコーン樹脂又はフッ素樹脂であることを特徴としている。このため、放射光及び熱に対する物理的・化学的安定性を有する特性が得られる。
一方、前記蛍光樹脂体は、無機フィラーを含んでいることを特徴としている。このため、蛍光樹脂体の強度・剛性を高めると共に熱の伝導性を高めることができる他、蛍光樹脂体を構成する樹脂を加熱硬化する前にその立体形状が崩れないように粘度を高めることができる。

前記発光素子は、発光ピーク波長が３４０（ｎｍ）以上、４６０（ｎｍ）以下であるＬＥＤ素子であることを特徴とし、前記被覆樹脂体は、前記蛍光樹脂体全体を覆っていることを特徴としている。
一方、本発明に係る照明装置は、上記発光光源を用いたことを特徴とし、また、本発明に係る表示装置は、上記発光光源を用いたことを特徴としている。

以上のように本発明に係る発光光源は、放射光及び熱に対する物理的、化学的安定性が第１の樹脂と同程度以上の第２の樹脂により、隙間の発生しやすい界面部分を被覆するようにしているため、第２の樹脂が隙間にたとえ流入したとしても、発光素子からの光により変色して透過率が悪くなるようなこともない。しかも、隙間が発生している状態で、例えば、真空化で被覆樹脂体を形成すると、第２の樹脂が隙間に流入するため、例えば、エポキシ樹脂により被覆樹脂体を覆うようにレンズ板を形成する場合でも、エポキシ樹脂の進入をより抑制できる。また、第２の樹脂は、蛍光体を含んでいないため、第１の樹脂よりも樹脂成分の占める割合が大きくなる。このため、第２の樹脂は第１の樹脂よりも接着力が高くなり、基板との接着がより強固となる。

＜実施の形態＞
以下、本発明の実施の形態に係るＬＥＤ光源（本発明の「発光光源」に相当する。）について図面を参照しながら説明する。
１．ＬＥＤ光源について
図１は本実施の形態におけるＬＥＤ光源の斜視図であり、図２は、ＬＥＤ光源の分解斜視図である。

ＬＥＤ光源１は、複数のＬＥＤベアチップ（本発明の「発光素子」に相当する。）を表面に実装する基板１０と、この基板１０の表面に取着され且つＬＥＤベアチップから発せられた光を所定方向に反射させる反射板６０と、反射された光を所望方向に集光させるレンズ板７０とを備える。
このＬＥＤ光源１は、ＬＥＤベアチップが基板１０上で直交する方向に規則正しく配された多点光源であり、これらのＬＥＤベアチップを発光させることで面状光源として用いられる。

ＬＥＤベアチップは、後述する蛍光樹脂体及び樹脂封入体（本発明の「被覆樹脂体」に相当する。）により覆われている。このため、図２において現われている、基板１０に実装されているものは、ＬＥＤベアチップではなく、樹脂封入体である。
ＬＥＤベアチップを封入する樹脂封入体は、図２に示すように、８行８列のマトリクス状に６４個が整然と設けられており、符号「Ｓｎｍ」で示す。ここで、符号「Ｓｎｍ」のｎは行数を、また、ｍは列数をそれぞれ示し、いずれも１〜８の整数である。

この樹脂封入体Ｓｎｍの内部には、上述のＬＥＤベアチップと、このＬＥＤベアチップを覆う蛍光樹脂体とがあり、各樹脂封入体Ｓｎｍに対応するＬＥＤベアチップを符号「Ｄｎｍ」で、蛍光樹脂体を符号「Ｒｎｍ」でそれぞれ示す（「ｎ」、「ｍ」は樹脂封入体Ｓｎｍの「ｎ」、「ｍ」と同じである。）。
反射板６０は、図２に示すように、各樹脂封入体Ｓｎｍに対応する位置に、反射孔Ｈｎｍ（「ｎ」、「ｍ」は樹脂封入体Ｓｎｍの「ｎ」、「ｍ」と同じである。）を備えている。また、レンズ板７０は、図２に示すように、各樹脂封入体Ｓｎｍに対応する位置に、凸レンズＬｎｍ（「ｎ」、「ｍ」は樹脂封入体Ｓｎｍの「ｎ」、「ｍ」と同じである。）を備えている。

図３は、図１のＸ−Ｘ線における断面（３列目）を矢視方向から見たときの図であり、６行から７行までのＬＥＤベアチップが実装されている範囲を拡大している。
以下、ＬＥＤベアチップ、蛍光樹脂体、樹脂封入体、反射孔、凸レンズ等は、その行列で表せる位置に関係しないときは、「ｎ、ｍ」を用い、例えば、図３で示すように、各位置に関連して説明するような場合には、その位置を示す行列の整数「ｎ、ｍ」、具体的には、ｎ＝６又は７、ｍ＝３を用いることにする。

基板１０は、所謂、金属ベース基板であって、図３に示すように、２層の絶縁層３０，４０と、裏側の絶縁層３０の裏面に貼着された金属ベース２０とを備え、各絶縁層３０，４０には、ＬＥＤベアチップＤ６３、Ｄ７３に給電するための配線パターン４３が形成されている。
ここで、配線パターン４３の内、特に、ＬＥＤベアチップＤｎｍを実装又は接続する部分を導電ランド３３とする。一方、金属ベース２０は、絶縁層３０，４０を補強すると共に、ＬＥＤベアチップＤｎｍの発光時に生じる熱を放出する機能を有している。

絶縁層３０、４０は、例えば、無機フィラー入りの熱硬化性樹脂により構成され、また、金属ベース２０は、放熱特性（熱伝導特性）に優れた金属材料が用いられる。なお、絶縁層は、上記以外の材料でも良く、例えば、セラミック材料、ガラスエポキシ材料等であっても良い。
ＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３は、例えば、略直方体状をしており、基板１０を構成する表側の絶縁層４０の表面にフリップチップ実装されている。ＬＥＤベアチップＤｎｍはＰ電極とＮ電極の両方（図示省略）を下面に有する、所謂、片面電極タイプが使用されており、Ｐ電極及びＮ電極が導電ランド３３にバンプ３５を介して電気的に接続されている。

各絶縁層３０，４０の表面に形成されている導電ランド３３及び配線パターン４３は、１行目から４行目までのＬＥＤベアチップＤｎｍ（ｎ＝１〜４、ｍ＝１〜８）を１グループ（「第１グロープ」という。）として、また、５行目から８行目までのＬＥＤベアチップＤｎｍ（ｎ＝５〜８、ｍ＝１〜８）を１グループ（「第２のグループ」という。）として、各グループ内のＬＥＤベアチップＤｎｍを直列に接続するように形成されている。

第１のグループ用の配線パターンは、図１に示すように、基板１０の表面に形成されている接続端子４２Ａ，４２Ｂに接続され、また、第２のグループ用の配線パターンは、同じく基板１０の表面に形成されている接続端子４２Ｃ，４２Ｄに接続され、当該接続端子４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄから各グループのＬＥＤベアチップＤｎｍに給電される。

表層の絶縁層４０の表裏にある配線パターン（導電ランド）３３，４３は、例えば、ビアホールにより電気的に接続されている。なお、実施の形態における基板１０は、ＬＥＤベアチップＤｎｍをより高密度に実装するために２枚の絶縁層３０，４０を用いた多層構造を有しているが、多層構造にする必要が無ければ、１枚の絶縁層を用いた単層構造であっても良い。当然、３層以上の多層構造でも良い。

図３に戻って、基板１０に実装されたＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３は、例えば、円柱状の蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３により封入されている。この蛍光樹脂体Ｒ６３、Ｒ７３は、蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３を構成する樹脂（ここでは、シリコーン樹脂）内に、粉体の蛍光体及び無機フィラーが混入されており、ＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３と導電ランド３３の一部とを含む範囲で覆っている。

上記無機フィラーには、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等が１種類或いは複数種類用いられる。このようにシリコーン樹脂に無機フィラーを混入する理由は、蛍光樹脂体Ｒｎｍの強度・剛性を高める他、熱の伝導性を高めるためである。また、蛍光樹脂体Ｒｎｍを構成する樹脂を加熱硬化する前にその立体形状が崩れないように粘度を高めるためである。なお、蛍光樹脂体Ｒｎｍは、ＬＥＤベアチップＤｎｍから発せられた光を所望の光の波長に変換するほか、ＬＥＤベアチップＤｎｍを保護する役割もある。

ここで、蛍光樹脂体Ｒｎｍの形状を円柱状にしているのは、ＬＥＤベアチップＤｎｍから発せられた光を蛍光樹脂体Ｒｎｍから外部に放射する部分を限定することができ、ＬＥＤベアチップＤｎｍを１つとして考えた時に、点光源により近づけることができるからである。
なお、蛍光樹脂体Ｒｎｍ用の樹脂には、シリコーン樹脂を用いているが、他の樹脂、例えば、フッ素樹脂などの放射光及び熱に対する物理的、化学的安定性に優れ、かつ透光性を有する樹脂を利用することができる。

なお、本実施の形態では、ＬＥＤベアチップＤｎｍとしてＩｎＧａＮ系であってその発光色が青色のもの（発光ピーク波長が４６０（ｎｍ）である。）を使用し、また、蛍光体としてシリケート系で広帯域発光のものを使用している。これにより、ＬＥＤベアチップＤｎｍから発せられた青色光は、蛍光体により白色光に変換されて、蛍光樹脂体Ｒｎｍから放射される。

図３に戻って、樹脂封入体Ｓ６３，Ｓ７３は、蛍光樹脂体Ｒｎｍと同程度以上の放射光及び熱に対する物理的、化学的安定性を有する樹脂、或いは、蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３を構成する樹脂（ここでは、シリコーン樹脂である。）からなり、蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３の全体と、蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３と導電ランド３３との界面の外縁部分とを覆っている。

導電ランド３３の内、ＬＥＤベアチップＤｎｍを実装する領域を含み、樹脂封入体Ｓ６３、Ｓ７３を形成する領域が露出するように樹脂膜５０が形成されている。この樹脂膜５０は、導電ランド３３を含む表側の配線パターンの保護、さらには、導電ランド３３と反射板６０との絶縁確保の他、蛍光樹脂体Ｒｎｍを形成する際に、硬化前の樹脂の流動を止めるダムの機能を有している。

樹脂膜５０は、例えば、一般的に使用されている白色のエポキシ樹脂から構成されるレジストを利用している。ここで、樹脂膜５０を白色にしている理由は、ＬＥＤベアチップＤｎｍから発せられた光を効率良く外部（表側）へと取り出すためである。
反射板６０は、各ＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３等に対応して、図２及び図３に示すように、反射孔Ｈ６３，Ｈ７３が開設されており、この反射孔Ｈｎｍは全部で６４個ある。この反射孔Ｈ６３、Ｈ７３は、図３に示すように、表面側（基板１０と反対側であり、図３では上側となる。）に向かって広がるテーパー状（所謂、上広がり状）に形成されている。

反射板６０には、例えば、アルミニウム等の金属板や、白色の樹脂、さらには表面がメッキされた樹脂等を用いることができる。なお、反射板にアルミニウム材料を用いた場合、例えば、アルマイト処理により酸化膜を反射孔Ｈｎｍの周面に形成すると、反射板の反射率を向上させることができると共に、電気的な絶縁性も確保できる。
レンズ板７０は、図１〜図３に示すように、反射板６０の反射孔Ｈ６３，Ｈ７３、つまりＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３の実装位置に対応した部分が半球状に突出する凸レンズＬ６３、Ｌ７３となっており、反射板６０の反射孔Ｈ６３，Ｈ７３の内部にも、レンズ板７０を構成する樹脂が充填されている。

レンズ板７０には、透光性を有する樹脂、例えば、エポキシ樹脂により形成されている。なお、レンズ板は、他の材料、例えば、ガラス、シリコーン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、非結晶ポリエステル、非結晶ポリオレフィン、アクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂、フッ素樹脂等で形成しても良い。
２．ＬＥＤ光源の製造方法
次に、上記構成のＬＥＤ光源１の製造方法について説明する。

図４は、ＬＥＤ光源の製造方法を説明する図である。
（１）基板へのＬＥＤベアチップの実装
先ず、基板１０を用意し、この基板１０の表面に露出している導電ランド３３にＬＥＤベアチップＤｎｍを実装する。なお、用意した基板１０の表面には、反射板６０が装着される部分であって樹脂封入体Ｓｎｍの各形成予定領域を除く範囲に対応して樹脂膜５０が形成されている。

ここで、ＬＥＤ光源の一例として具体的に説明すると、表裏の絶縁層３０，４０の厚みは、例えば、０．１（ｍｍ）であり、また、金属ベース２０の厚みは、例えば、１．０（ｍｍ）である。
基板１０の製造方法、ＬＥＤベアチップＤｎｍの基板１０への実装方法は公知の方法を用いることができ、以下、その一例を簡単に説明する。

基板１０は、例えば、無機フィラー入りの樹脂材料（エポキシ樹脂）を用いる場合、銅箔（厚みは、例えば、１０（μｍ）である。）付きの樹脂材料を、金属ベース２０用のアルミニウム板と重ね、下層の絶縁層３０を形成すべく加熱圧着することで、これらを一体化する。その後に、銅箔部をエッチングすることで、所望のパターンを形成する。そして、このパターン化された銅箔を備える絶縁層３０上に、再び、銅箔付きの樹脂材料を加熱圧着し、配線パターンをエッチングすることで、上層の絶縁層４０が形成される。

最後に、上層の配線パターンと下層の配線パターンとをビアホールを通じて電気的に接続し、上層の配線パターンにニッケル、金メッキを施すことで、基板１０が構成される。また、樹脂膜５０の形成は、例えば、スクリーン印刷方式を用いて白色のエポキシ樹脂の塗布を行う。
ＬＥＤベアチップＤｎｍの実装は、例えば、ＬＥＤベアチップＤｎｍをバンプ３５上に載置した後超音波振動させて、バンプ３５を溶融させて行われる（実装された状態が、図４の（ａ）である。）。ＬＥＤベアチップＤｎｍの寸法は、例えば、略３００（μｍ）角、高さ略１００（μｍ）であり、また、樹脂膜５０における樹脂封入体Ｒｎｍの形成予定領域として塗布しない範囲の大きさ及び形状は、例えば、直径略１８００（μｍ）の円形状である。

（２）蛍光樹脂体の形成（図４の（ｂ）参照）
次に、基板１０に実装されているＬＥＤベアチップＤｎｍを覆う蛍光樹脂体Ｒｎｍを形成する。この形成は、先ず、図４の（ｂ）に示すように、蛍光樹脂体Ｒｎｍ用の成形型５５を基板１０の表面に当接させる。成形型５５は、ＬＥＤベアチップＤｎｍのそれぞれの位置に対応する部分に孔５５Ｈを備えており、成形型５５を基板１０に被せたときに、その各孔５５ＨにＬＥＤベアチップＤｎｍのそれぞれが入るようになっている。

成形型５５の孔５５Ｈは、図４の（ｂ）に示すように、ＬＥＤベアチップＤｎｍが完全に嵌る大きさであり、さらに、基板１０の表面に露出している導電ランド３３の一部も入る大きさである。
そして、シリコーン樹脂に蛍光体、無機フィラーを混入（混入した樹脂を、「蛍光樹脂」とする。）して、この蛍光樹脂を成形型５５の孔５５Ｈに所定量供給する。なお、蛍光樹脂の孔５５Ｈへの供給は、例えば、印刷方式で行われる。そして、供給した蛍光樹脂を、例えば、１３５℃、６０分間程度で硬化させる。

なお、上記蛍光樹脂に含まれる無機フィラーには、例えば、粒径が略１５（ｎｍ）のシリカ、アルミナが用いられ、例えば、シリコーン樹脂に対して５（ｗｔ％）程度混入されている。また、蛍光樹脂体Ｒｎｍの形状は円柱状であって、その大きさは、直径０．９（ｍｍ）、高さ０．３（ｍｍ）である。
（３）樹脂封入体（図４の（ｃ）、（ｄ）参照）
上記蛍光樹脂体Ｒｎｍの形成が終了すると、蛍光樹脂体Ｒｎｍを封入する樹脂封入体Ｓｎｍを形成する。この形成は、まず、図４の（ｃ）に示すように、樹脂封入体Ｓｎｍ用の成形型５６を基板１０の表面に被せる。成形型５６は、蛍光樹脂体Ｒｎｍのそれぞれの位置に対応する部分に孔５６Ｈを備えており、成形型５６を基板１０に被せたときに、その各孔５６Ｈに蛍光樹脂体Ｒｎｍのそれぞれが入るようになっている。

次に、成形型５６を基板１０上に被せると、蛍光樹脂体Ｒｎｍの主成分であるシリコーン樹脂（蛍光体を含まない）を成形型５６の孔５６Ｈに所定量供給する。なお、シリコーン樹脂の孔５６Ｈへの供給は、例えば、蛍光樹脂を供給する場合と同じ印刷方式を利用して真空下、例えば、１０（Ｔｏｒｒ）以下で行われる。
ここで、シリコーン樹脂を形成する際に真空引きするのは、蛍光樹脂体Ｒｎｍと基板１０との界面、又は／及び蛍光樹脂体Ｒｎｍと導電ランド３３との界面に隙間が生じている場合、その隙間にシリコーン樹脂を流入させるためである。

そして、供給したシリコーン樹脂を、例えば、１３５℃、６０分間程度で硬化させる。これにより、図４の（ｄ）に示すように、基板に樹脂封入体Ｓｎｍが形成される。なお、樹脂封入体Ｓｎｍの形状は円柱状であって、その大きさは、直径１．５（ｍｍ）、高さ０．７（ｍｍ）である。
（４）反射板の装着及びレンズ板の成形
上述の樹脂封入体Ｓｎｍが形成された基板１０に、反射板６０を装着し、この反射板６０の表側にレンズ板７０を形成する。

反射板６０には、図２及び図３にも示すように、各ＬＥＤベアチップＤｎｍに対応して上拡がりの反射孔Ｈｎｍが開設されている。この反射孔Ｈｎｍの大きさは、基板１０側の
直径が略１．７（ｍｍ）で、レンズ板７０側の直径が２．３４（ｍｍ）である。
反射板６０の装着には接着剤及び接着シートを用いて行う。具体的には、反射板６０の裏面に接着剤（図示省略）を塗布し、反射板６０の各反射孔Ｈｎｍに各樹脂封入体Ｓｎｍが入るようにして基板１０に貼着している。

レンズ板７０は、例えば、トランスファーモールド法や、キャスティング法により形成されている。つまり、レンズ板成形用の成形型内に、上記の反射板６０が装着された基板１０を配置し、成形型内にレンズ板７０用のエポキシ樹脂が注入されて形成される。
３．まとめ
上記の蛍光樹脂は、無機フィラーを５ｗｔ％程度含み、また、シリコーン樹脂を使用していることから、異種材料との接合力が低いものとなっている。さらに、蛍光樹脂体Ｒｎｍが接合する導電ランド３３は、金電極をもったＬＥＤと電気的に接合するために、表面を金メッキしている。このために、蛍光樹脂体Ｒｎｍと導電ランド３３との密着性が極めて悪くなる。

以上のことから、硬化後の蛍光樹脂体ＲｎｍとＬＥＤベアチップＤｎｍとの界面、蛍光樹脂体Ｒｎｍと導電ランド３３との界面で隙間が生じてしまう可能性がある。
一方、樹脂封入体Ｓｎｍは、略シリコーン樹脂単体が支配的であり、また、シリコーン樹脂の成形時に真空下で行われることから、例えば、蛍光樹脂体ＲｎｍとＬＥＤベアチップＤｎｍとの界面、蛍光樹脂体Ｒｎｍと導電ランド３３との界面で隙間が生じている場合に、これらの界面の隙間にシリコーン樹脂が充填される。

これにより、蛍光樹脂体ＲｎｍとＬＥＤベアチップＤｎｍとの界面、蛍光樹脂体Ｒｎｍと導電ランド３３との界面で隙間が生じてしまっていても、その隙間にレンズ板７０を構成するエポキシ樹脂が浸透するのを防ぐことができる。
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明の内容が、上記実施の形態に示された具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例をさらに実施することができる。

１．樹脂封入体について
（１）材料
実施の形態では、樹脂封入体Ｓｎｍの主要材料にシリコーン樹脂を用いたが、他の樹脂材料でも良い。例えば、ＬＥＤベアチップＤｎｍから発せられる光の成分に紫外線の波長が含まれる場合、耐放射線性が必要となり、このような耐放射線性に優れたフッ素樹脂等がある。

なお、樹脂封入体Ｓｎｍに用いる樹脂材料は、好ましくは、蛍光樹脂体Ｓｎｍを構成する樹脂と同じ樹脂系が良い。これは、同じ樹脂系を用いた方が樹脂封入体Ｓｎｍとの結合力が高くなるからである。
（２）形状
実施の形態における樹脂封入体Ｓｎｍは、蛍光樹脂体Ｒｎｍと同様に、円柱形状をしているが、他の形状でも良い。以下、樹脂封入体Ｓｎｍについての変形例について説明する。なお、変形例の説明において、各部材・部分等の符号は、実施の形態と同様な場合には、同じ符号を用いている。

Ａ．変形例１
図５は、変形例１における発光光源の断面拡大図である。
発光光源１０１は、図５に示すように、実施の形態と同様に、基板１０にＬＥＤベアチップＤｎｍが実装され、このＬＥＤベアチップＤｎｍの全体が蛍光樹脂体Ｒｎｍにより被覆され、さらに、この蛍光樹脂体Ｒｎｍが樹脂封入体１Ｓｎｍにより覆われている。そして、反射板６０及びレンズ板１７０が装着されている。樹脂封入体１Ｓｎｍは、蛍光樹脂体Ｒｎｍの全体を覆っている点では、実施の形態と同様であるが、本変形例１では、反射板６０の反射孔Ｈｎｍの半分以上を充填するように設けられている。

ここで、樹脂封入体１Ｓｎｍを反射板６０の反射孔Ｈｎｍの半分以上埋まるように充填している理由は、ＬＥＤベアチップＤｎｍの光と熱により変形し易いエポキシ樹脂を光源或いは熱源であるＬＥＤベアチップＤｎｍから遠ざけるためである。
本変形例１における発光光源１０１の製造方法は、ＬＥＤベアチップＤｎｍを基板１０に実装し、このＬＥＤベアチップＤｎｍを蛍光樹脂体Ｒｎｍにより被覆するまでは、実施の形態と同じである。実施の形態と異なるのは、このあと、反射板６０を基板１０に装着し、樹脂封入体１Ｓｎｍを成形する点である。

樹脂封入体１Ｓｎｍの形成は、真空下で、所定量のシリコーン樹脂を反射板６０の反射孔Ｈｎｍ内へと滴下し、滴下した樹脂を硬化させることで行われる。なお、本変形例１のような構成にすると、樹脂封入体１Ｓｎｍを成形する際の金型（例えば、図４の成形型５６）が不要になるという効果が得られる。
Ｂ．変形例２
図６は、変形例２における発光光源の断面拡大図である。

発光光源１０２では、図６に示すように、反射板６０の反射孔Ｈｎｍを充填するように樹脂封入体２Ｓｎｍが設けられている点で変形例１と同様であるが、樹脂封入体２Ｓｎｍの表面形状が変形例１と異なる。つまり、変形例１における樹脂封入体１Ｓｎｍの表面は、図５に示すように平坦状であるが、変形例２における樹脂封入体２Ｓｎｍの表面は、図６に示すように、凹凸状となっている。

樹脂封入体２Ｓｎｍの表面形状を上記のように凹凸状にすると、ＬＥＤベアチップＤｎｍから発せられた光を効率良く表側に取り出すことができると共に、レンズ板２７０を形成する際に、樹脂封入体２Ｓｎｍとレンズ板２７０との接触面積が増え、両者の接合力を高めることができる。
さらに、ＬＥＤベアチップＤｎｍに発光色が青色系を用いた場合、樹脂封入体２Ｓｎｍの表面形状を凹凸状にしたことで、レンズ板２７０との接触面積が増え、青色光がレンズ板２７０に対して分散して進入することになり、レンズ板２７０にエポキシ樹脂を用いても、光の集中によるレンズ板の局部的な劣化を抑制することができる。

Ｃ．変形例３
図７は、変形例３における発光光源の断面拡大図である。
発光光源１０３では、図７に示すように、樹脂封入体３Ｓｎｍが、蛍光樹脂体Ｒｎｍと導電ランド３３との界面であってその外縁部分を覆うように設けられている。
本変形例３のような構成にすると、樹脂封入体３Ｓｎｍを構成する樹脂の使用量を少なくできる。特に、樹脂封入体３Ｓｎｍ用の樹脂がレンズ板３７０を構成する樹脂に比べて高価なときにその効果が大となる。なお、本変形例３における発光光源１０３は、樹脂封入体３Ｓｎｍ、レンズ板３７０以外は、変形例１と略同じである。

２．ＬＥＤベアチップについて
実施の形態では、ＬＥＤベアチップＤｎｍは下面に両電極を有する片面電極タイプであったが、他のタイプのＬＥＤベアチップを用いても良い。以下、ＬＥＤベアチップについての変形例について説明する。
（１）変形例４
図８は、変形例４における発光光源の断面拡大図である。

本変形例４における発光光源１０４に用いられるＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍは、図８に示すように、実施の形態と同様の片面電極タイプではあるが、ここでのＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍは、その両電極が上面（表面）にあり、実施の形態で説明した、下面に両電極を備えるＬＥＤベアチップＤｎｍと異なる。
変形例４では、上面に電極を有するＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍを基板４１０の導電ランド４３３，４４３に接続するために、表面側の絶縁層４０に形成される導電ランド４３３，４４３が、ＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍを実装する部分を除いて絶縁層４０が露出するように形成されている。

ＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍの基板４１０への取着は、例えば、ダイボンディングペースト４３４を用いて基板４１０の表面にダイボンドされ、また、導電ランド４３３，４４３との電気的接続は、金線等のワイヤ４３５，４３６を用いてワイヤボンディングされている。
蛍光樹脂体４Ｒｎｍは、ＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍを覆うだけでなく、ワイヤ４３５，４３６及びワイヤ４３５，４３６と導電ランド４３３，４４３との接続部分をも覆うように円柱状に形成されている。なお、蛍光樹脂体４Ｒｎｍの成分等は実施の形態と同じである。

蛍光樹脂体４Ｒｎｍが、ワイヤ４３５，４３６と、ワイヤ４３５，４３６と導電ランド４３３，４４３の接続部分とを含むように、ＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍを覆う理由は、蛍光樹脂体４Ｒｎｍの成形を孔版印刷方式で行うため、ワイヤ４３５，４３６も必然的に版の孔に入るためであり、ワイヤ４３５，４３６も蛍光樹脂体４Ｒｎｍの中に取り込むことで、光照射したときにワイヤ４３５，４３６の影ができないようにするためである他、ワイヤ４３５，４３６が、例えば、２種類以上の異種材料にまたがると、断線しやすいためである。

樹脂封入体４Ｓｎｍは、蛍光樹脂体４Ｒｎｍの全体を覆うように形成されている。この樹脂封入体４Ｓｎｍを構成する樹脂、その成形方法等は、実施の形態と同様である。また、樹脂封入体４Ｓｎｍの形状は、上記変形例１〜変形例３で説明したようにしても良い。
なお、ＬＥＤベアチップ４Ｄｎｍを用いたため、実施の形態とは、導電ランド４３３、蛍光樹脂体４Ｒｎｍ、樹脂封入体４Ｓｎｍ、レンズ板４７０の形状等が異なる。

（２）変形例５
図９は、変形例５における発光光源の断面拡大図である。
本変形例５で説明する発光光源１０５に用いられるＬＥＤベアチップ５Ｄｎｍは、図９に示すように、電極が上面及び下面にある、所謂、両面電極タイプであり、実施の形態及び変形例４で説明した両面電極タイプと異なる。

ＬＥＤベアチップ５Ｄｎｍの両電極は、例えば、その裏面の電極が導電タイプのダイボンディングペーストを用いたダイボンドにより導電ランド５３４に、また、表面の電極が金線等のワイヤ５３５を用いたワイヤボンディングにより導電ランド５３３にそれぞれ接続される。
蛍光樹脂体５Ｒｎｍは、ＬＥＤベアチップ５Ｄｎｍを覆うだけでなく、ワイヤ５３５及びワイヤ５３５と導電ランド５３３との接続部分も覆うように円柱状に形成されている。なお、蛍光樹脂体５Ｒｎｍの成分等は実施の形態と同じであり、また、蛍光樹脂体５Ｒｎｍが、ワイヤ５３５と、ワイヤ５３５と導電ランド５３３の接続部分とを含むようにＬＥＤベアチップ５Ｄｎｍを覆う理由は、上記変形例４と同じである。

樹脂封入体５Ｓｎｍは、蛍光樹脂体５Ｒｎｍの外周面と導電ランド５３３との界面部分だけを覆い、平面視環状（不図示）をしている。なお、この樹脂封入体Ｓｎｍを構成する樹脂、その成形方法等は、実施の形態と同様である。また、ＬＥＤベアチップ５Ｄｎｍを用いたため、実施の形態とは、導電ランド５３３，５３４、蛍光樹脂体５Ｒｎｍ、樹脂封入体５Ｓｎｍ、レンズ板５７０の形状等が異なる。

３．発光光源の構造について
実施の形態における発光光源（ＬＥＤ光源１）は、レンズ板７０及び反射板６０を備えていたが、特に、これらを必ずしも備える必要はない。以下、レンズ板及び反射板を備えていない発光光源について説明する。
（１）レンズ板を備えていない構造について
図１０は、変形例６における発光光源の斜視図であり、図１１は、図１０のＹ−Ｙ線における縦断面（３列目）を矢視方向から見たときの図であり、６行から７行までのＬＥＤベアチップが実装されている範囲を拡大している。

本変形例に係る発光光源１０６は、図１１（及び図１０）に示すように、基板１０と、この基板１０の表面に実装されたＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３と、このＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３を覆う蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３と、この蛍光樹脂体Ｒ６３，Ｒ７３の全体を覆う樹脂封入体６Ｓ６３，６Ｓ７３と、反射板６０とを備える。なお、基板１０の表面には、実施の形態と同様に、樹脂膜５０が形成されている。

ここで、基板１０と、ＬＥＤベアチップＤ６３，Ｄ７３、蛍光樹脂体Ｒ７３，Ｒ６３、反射板６０は、第１の実施の形態と同じ構造である。
本変形例６のように発光光源１０６にレンズ板が設けられていない場合、図１１に示すように、反射板６０の反射孔Ｈ６３，Ｈ７３内に樹脂封入体６Ｓ６３、６Ｓ７３が収まる大きさが好ましい。これは、樹脂封入体６Ｓｎｍが反射板６０の表面から突出していると、樹脂封入体６Ｓｎｍに、手が触れたり物が当ったりすると、樹脂封入体６Ｓｎｍで封入されているＬＥＤベアチップＤｎｍが損傷（断線等）されたり、蛍光樹脂体Ｒｎｍが所望の位置からずれたりしてしまうおそれがあるからである。

なお、本変形例６では、ＬＥＤベアチップＤｎｍは、実施の形態と同様に、裏面の電極を備える片面電極タイプを用いたが、変形例４で説明した表面に両電極を備える片面電極タイプ（図８参照）、さらには、変形例５で説明した表裏面に電極を備える両面電極タイプ（図９参照）であっても良い。
また、樹脂封入体６Ｓｎｍの形状は、ＬＥＤベアチップＤｎｍを覆う円柱状をしているが、上記変形例１〜変形例３で説明したような形状であっても良いし、さらには、実施の形態の凸レンズＬｎｍのような円弧状としても良い。

（２）反射板を備えていない構造について
図１２は、変形例７における発光光源の断面拡大図である。
本変形例７に係る発光光源１０７は、図１２に示すように、基板１０と、この基板１０の表面に実装されたＬＥＤベアチップＤｎｍと、このＬＥＤベアチップＤｎｍを覆う蛍光樹脂体Ｒｎｍと、この蛍光樹脂体Ｒの全体をさらに覆う樹脂封入体Ｓｎｍと、レンズ板７７０とを備える。ここでも、基板１０と、ＬＥＤベアチップＤｎｍ、蛍光樹脂体Ｒｎｍ、樹脂封入体Ｓｎｍは、第１の実施の形態と同じ構造である。

レンズ板７７０は、ＬＥＤベアチップＤｎｍ、蛍光樹脂体Ｒｎｍ、樹脂封入体Ｓｎｍらを覆っており、その部分が半球状の凸レンズ７Ｌｎｍとなっている。なお、このレンズ板７７０は、実施の形態を同様に、エポキシ樹脂により構成されている。
なお、本変形例７では、ＬＥＤベアチップＤｎｍは、実施の形態と同様に、裏面の電極を備える片面電極タイプを用いたが、変形例４で説明した表面に両電極を備える片面電極タイプ（図８参照）、さらには、変形例５で説明した表裏面に電極を備える両面電極タイプ（図９参照）であっても良い。

また、樹脂封入体Ｓｎｍの形状は、ＬＥＤベアチップＤｎｍを覆う円柱状をしているが、上記変形例１〜変形例３で説明したような形状であっても良いし、さらには、レンズ板７７０の凸レンズ７Ｌｎｍと略同じ形状にして、レンズ板７７０を無くすようにしても良い。さらに、ＬＥＤベアチップＤｎｍ、蛍光樹脂体Ｒｎｍ、樹脂封入体Ｓｎｍらを覆っている部分にのみ凸レンズを形成して、各凸レンズが島状に設けられても良い。

（３）基板について
実施の形態では、基板１０は、複数のＬＥＤベアチップＤｎｍを実装するものであったが、例えば、一つのＬＥＤベアチップを実装するようなものでも良い。このような基板の例としては、所謂サブ基板があり、以下、変形例８として説明する。
図１３は、変形例８における発光光源の断面拡大図である。

先ず、発光光源１０８に用いられるＬＥＤベアチップＤｎｍは、サブ基板８８０に実装されている。このサブ基板８８０は、例えば、シリコン基板が利用され、その表層に導電ランド８８２，８８４を備え、ＬＥＤベアチップＤｎｍの一方の電極に接続される導電ランド８８２は、例えば、サブ基板８８０の表層に延伸して設けられ、ＬＥＤベアチップＤｎｍの他方の電極に接続される導電ランド８８４は、例えば、サブ基板８８０の裏面に形成された導電ランド８８６にビアホール（図示省略）を介して接続されている。なお、図１３では、サブ基板８８０の裏面の導電ランド８８６と、後述のメイン基板８１０上の導電ランド８３４とを重ねて１つとして現している。

ＬＥＤベアチップＤｎｍは、バンプを介して導電ランド８８２，８８４に接続され、この状態で、実施の形態と同様に蛍光樹脂体８Ｒｎｍにより被覆されている。以上、サブ基板８８０にＬＥＤベアチップＤｎｍが実装され、且つ蛍光樹脂体８ＲｎｍでＬＥＤベアチップＤｎｍを覆ったものを、「サブマウント」とする。
一方、メイン基板８１０の表面にも導電ランド８３３，８３４が形成されており、上記サブマウントを実装する領域を除いて、実施の形態と同様に、樹脂膜８５０が形成されている。サブマウントは、サブ基板８８０の裏面の導電ランド８８６が、メイン基板８１０の表面の導電ランド８３４に、例えば、導電性ペーストを介してダイボンドされ、サブ基板８８０の表層の導電ランド８８２が、メイン基板８１０の導電ランド８３３に、例えば、金線等のワイヤ８３５を介してワイヤボンディングされている。これによりサブマウントがメイン基板８１０に実装されることになる。

メイン基板８１０は、ここでは、ガラスエポキシ材料を複数積層したもの或いは単層からなるものが用いられ、このメイン基板８１０の表面には、サブマウント全体さらにはワイヤ８３５を覆うように樹脂封入体８Ｓｎｍが形成され、実施の形態と同様に、反射板８６０及びレンズ板８７０が設けられている。なお、メイン基板８１０は、他の材料、例えば、コンポジット基板、セラミック基板等であっても良く、単層、多層を問わない。

上記のようにサブマウント方式を用いると、ＬＥＤベアチップＤｎｍがサブ基板８８０に予め実装されているため、サブ基板８８０に実装されているＬＥＤベアチップＤｎｍが正常に点灯するか等の検査をメイン基板８１０に実装する前に行うことができる。
このため、例えば、検査済みのサブマウントをメイン基板８１０に実装することができ、発光光源としての製造歩留まりを向上させることができる等の効果が得られる。また、サブマウントから発せられる光色にバラツキがある場合、色の近いサブマウントを選別して使用したり、より要望に見合った色の光を出すものを集めて実装したりできるメリットがある。

このように、実施の形態で説明した、ＬＥＤベアチップＤｎｍを基板（メイン基板）１０に直接実装する場合だけでなく、変形例８で説明したように、ＬＥＤベアチップＤｎｍを基板（サブ基板）８８０に実装する場合にも、本発明は適用できる。つまり、サブマント方式を用いる場合、変形例８におけるサブ基板８８０が、本発明に係る基板に相当することになる。

なお、サブマウントは、上記構造に限定するものではなく、サブマウント用のサブ基板８８０は、シリコン基板でなくても良く、例えば、実施の形態と同様のコンポジット基板、ガラスエポキシ基板、金属基板、セラミック基板であっても良い。
また、樹脂封入体８Ｓｎｍは、サブマウント及びワイヤ８３５等を覆うように形成されているが、蛍光樹脂体８Ｒｎｍと異種材料、具体的には、サブ基板、導電ランドとの界面の外縁部分を少なくとも覆えば良く、その形状は特に限定するものではない。

本変形例８では、ＬＥＤベアチップＤｎｍは、実施の形態と同様に、裏面の電極を備える片面電極タイプを用いたが、変形例４で説明した表面に両電極を備える片面電極タイプ（図８参照）、さらには、変形例５で説明した表裏面に電極を備える両面電極タイプ（図９参照）であっても良い。また、樹脂封入体８Ｓｎｍの形状は、円柱状をしているが、上記変形例１〜変形例３で説明したような形状であっても良い。さらに、反射板８６０、レンズ板８７０は、変形例６及び変形例７のように、必ずしも備える必要はない。

４．蛍光樹脂体及び被覆樹脂体について
上記実施の形態では、蛍光樹脂体に含まれる蛍光体は、１種類であったが、１種類に限定するものではなく、例えば、波長が黄色から赤色の内から、複数の光色に変換する蛍光体を複数含んでも良い。
また、上記実施の形態では、被覆樹脂体は、蛍光樹脂体を構成する樹脂と同じ樹脂であって、蛍光体等を含まない樹脂によって構成されていたが、蛍光樹脂体と異種材料との接着力よりも強ければ、例えば、蛍光体や、無機フィラーを含んでいても良い。この場合でも、実施の形態ほどの効果は得られないものの、蛍光樹脂体と異種材料とも界面の隙間に充填することで、蛍光樹脂体と異種材料とを、蛍光樹脂材料と異種材料との接合力よりも強い力で接合させることができる。

５．発光素子について
実施の形態で説明した発光素子、具体的には、ＬＥＤベアチップは発光色が青色系のもの、特に発光ピーク波長４６０（ｎｍ）のものを用いたが、他の発光ピーク波長であっても良い。実験では、発光ピーク波長が３４０（ｎｍ）のＬＥＤベアチップを用い、蛍光樹脂体及び被覆樹脂体に実施の形態で説明したシリコーン樹脂、あるいはフッ素樹脂を用いた場合でも、実施の形態と同様の効果が得られることを確認している。

つまり、蛍光樹脂体及び被覆樹脂体にシリコーン樹脂、あるいはフッ素樹脂を用いる場合、少なくとも、発光素子の発光ピーク波長が３４０（ｎｍ）以上、４６０（ｎｍ）以下の範囲にあれば、実施の形態で説明したような効果が得られる。
６．照明装置について
上記の実施の形態では、発光光源について主に説明したが、当然この発光光源に給電端子を介して給電することにより、照明装置として使用することも可能である。

図１４は、実施の形態のＬＥＤ光源を用いた照明装置の一例を示す図である。
照明装置９００は、口金９５２と反射傘９５３とが設けられたケース９５１を有し、このケース９５１に発光光源１が取着されている。口金９５２は、一般電球でも用いられている口金と同じ規格のものである。反射傘９５３は、発光光源１から発せられた光を前方に反射させるためのものである。

発光光源１は、ケース９５１における口金９５２と反対側に設けられた取り付け部９５４に取り付けられている。ケース９５１内には、給電端子を介してＬＥＤベアチップに給電するための回路、例えば、商業電源から供給された交流電力を直流電力に整流するための整流回路、この整流回路により整流された直流電力の電圧値を調整するための電圧調整回路等を備えた給電回路が収納されている。

７．表示装置について
実施の形態における基板１０にＬＥＤベアチップＤｎｍを実装して、８行８列の表示装置として使用することも可能である。但し、この場合、各ＬＥＤベアチップを個別に点灯させるように配線パターンを変更すると共に、個別にＬＥＤベアチップを点灯させて文字、記号等を表示する公知の点灯制御回路等が必要となる。

なお、ここでは、８行８列の表示装置について説明したが、ＬＥＤベアチップの実装形態は８行８列の形態に限定するものではなく、また、実施の形態で説明した基板に複数個（実施の形態では６４個）のＬＥＤベアチップを実装したものを表示装置の１つの発光源として利用しても良い。

本発明は、発光光源から発せられる光束の低下或いは発光素子の短寿命化を抑制できる発光光源及びこれを用いた照明装置及び表示装置に利用できる。

本実施の形態におけるＬＥＤ光源の斜視図である。 本実施の形態におけるＬＥＤ光源の分解斜視図である。 図１のＸ−Ｘ線における断面（３列目）を矢視方向から見たときの拡大図である。 ＬＥＤ光源の製造方法を説明する図である。 変形例１における発光光源の断面拡大図である。 変形例２における発光光源の断面拡大図である。 変形例３における発光光源の断面拡大図である。 変形例４における発光光源の断面拡大図である。 変形例５における発光光源の断面拡大図である。 変形例６における発光光源の斜視図である。 図１０のＹ−Ｙ線における断面（３列目）を矢視方向から見たときの拡大図である。 変形例７における発光光源の断面拡大図である。 変形例８における発光光源の断面拡大図である。 実施の形態のＬＥＤ光源を用いた照明装置の一例を示す図である。

符号の説明

１ ＬＥＤ光源
１０ 基板
３３ 導電ランド
６０ 反射板
７０ レンズ板
Ｄｎｍ ＬＥＤベアチップ
Ｒｎｍ 蛍光樹脂体
Ｓｎｍ 樹脂封入体

Claims (8)

1. 基板の導電ランドに接続された発光素子が、蛍光体を含んだ第１の樹脂からなる蛍光樹脂体により覆われている発光光源であって、
   前記蛍光樹脂体と前記基板との界面及び／又は前記発光素子が接続されている導電ランドと前記蛍光樹脂体との界面であってその外縁部分が、前記第１の樹脂と同程度以上の放射光及び熱に対する物理的・化学的安定性を有する第２の樹脂からなる被覆樹脂体により覆われていることを特徴とする発光光源。
2. 前記第２の樹脂は、前記第１の樹脂と同じであることを特徴とする請求項１に記載の発光光源。
3. 前記第１の樹脂は、シリコーン樹脂又はフッ素樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光光源
4. 前記蛍光樹脂体は、無機フィラーを含んでいることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の発光光源。
5. 前記発光素子は、発光ピーク波長が３４０（ｎｍ）以上、４６０（ｎｍ）以下であるＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の発光光源。
6. 前記被覆樹脂体は、前記蛍光樹脂体全体を覆っていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の発光光源。
7. 請求項１〜６の何れか1項に記載の発光光源を用いたことを特徴とする照明装置。
8. 請求項１〜６の何れか1項に記載の発光光源を用いたことを特徴とする表示装置。

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