CN104916755A - 发光装置及该发光装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据实施方式，提供一种包含基板、第一透光部、树脂体、第一半导体发光元件、第二半导体发光元件的发光装置。第一透光部设在基板上为透光性。树脂体设在基板与第一透光部之间为光反射性，包含第一部分、第二部分、第三部分。第一部分与第一透光部相接。第二部分在与从基板朝向第一透光部的第一方向交叉的第二方向与第一部分隔开，与第一透光部相接。第三部分在第二方向与第一部分及第二部分隔开，设置在第一部分与第二部分之间，与第一透光部相接。第一半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第一部分与第三部分之间。第二半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第二部分与第三部分之间。

Description

发光装置及该发光装置的制造方法
[相关申请案]
本申请案享受以日本专利申请案2014-52671号(申请日：2014年3月14日)为基础申请案的优先权。本申请案以参照该基础申请案的形式包含基础申请案的所有内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种发光装置及该发光装置的制造方法。
背景技术
例如，作为半导体发光元件有发光二极管(LED)或半导体激光。组合半导体发光元件及荧光体而成的发光装置例如用于显示装置或照明等。在这种发光装置中，追求发光效率的效率化。
发明内容
本发明的实施方式提供一种发光效率高的发光装置及该发光装置的制造方法。
根据本发明的实施方式，提供一种发光装置，包含基板、第一透光部、树脂体、第一半导体发光元件、及第二半导体发光元件。所述第一透光部设置在所述基板上且为透光性。所述树脂体设置在所述基板与所述第一透光部之间，为光反射性，且包含第一部分、第二部分、及第三部分。所述第一部分与所述第一透光部相接。所述第二部分在与从所述基板朝向所述第一透光部的第一方向交叉的第二方向上与所述第一部分隔开，且与所述第一透光部相接。所述第三部分在所述第二方向上与所述第一部分及所述第二部分隔开，设置在所述第一部分与所述第二部分之间，且与所述第一透光部相接。所述第一半导体发光元件在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第一部分与所述第三部分之间。所述第二半导体发光元件在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第二部分与所述第三部分之间。
附图说明
图1(a)及图1(b)是表示第一实施方式的发光装置的示意图。
图2是表示第一实施方式的发光装置的示意剖视图。
图3是表示第一实施方式的发光装置的示意剖视图。
图4(a)～图4(e)是表示第一实施方式的发光装置的制造步骤的示意剖视图。
图5(a)及图5(b)是表示第一实施方式的发光装置的制造步骤的示意立体图。
具体实施方式
以下，一面参照附图一面对各实施方式进行说明。
另外，附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实相同。而且，即便在表示相同部分的情形时，也有根据附图的不同而将彼此的尺寸或比率不同地示出的情况。
此外，在本案说明书及各图中，对于与已就先提出的图进行叙述的要素相同的要素标注相同的符号，并适当省略详细的说明。
(第一实施方式)
图1(a)及图1(b)是例示第一实施方式的发光装置的示意图。
图1(a)是例示发光装置101的示意剖视图。
图1(b)是例示发光装置101的示意俯视图。图1(a)例示图1(b)的A1-A2线剖面。
如图1(a)及图1(b)所示，发光装置101包含基板10、第一透光部20、树脂体30(树脂成形体)、第一半导体发光元件41、及第二半导体发光元件42。
基板10是发光装置中的引线框架。基板10使用例如铜(Cu)、包含铜的合金、及铁(Fe)与镍(Ni)的合金的至少任一种。而且，基板10也可以使用树脂或陶瓷。当基板10使用树脂或陶瓷时，在基板10设置下述导电部(布线)。导电部使用例如铜(Cu)或铁(Fe)等。
第一透光部20设置在基板10上。第一透光部20为透光性。第一透光部20使用例如硅酮树脂或环氧树脂。第一透光部20例如是发光装置中的透镜。
将从基板10朝向第一透光部20的方向设为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于X轴方向垂直且相对于Z轴方向垂直的一个方向设为Y轴方向。
在基板10与第一透光部20之间设置着树脂体30。树脂体30包含第一部分31、第二部分32、及第三部分33。树脂体30使用例如白色的树脂。树脂体30例如为光反射性。
第一部分31、第二部分32及第三部分33分别与第一透光部20相接。例如，第一部分31、第二部分32及第三部分33分别与基板10相接。
第二部分32在与Z轴方向(第一方向)交叉的方向(第二方向)上与第一部分31隔开。在此例中，第二方向为X轴方向。
第三部分33在第二方向(此例中为X轴方向)上与第一部分31及第二部分32隔开。第三部分33设置在第一部分31与第二部分32之间。
发光装置101包含多个半导体发光元件40(第一半导体发光元件41及第二半导体发光元件42)。
第一半导体发光元件41设置在基板10上。第一半导体发光元件41在第一透光部20与基板10之间设置在第一部分31与第三部分33之间。
第二半导体发光元件42设置在基板10上。第二半导体发光元件42在第一透光部20与基板10之间设置在第二部分32与第三部分33之间。
在此例中，发光装置101还包含第三半导体发光元件43及第四半导体发光元件44。第三半导体发光元件43及第四半导体发光元件44也分别设置在基板10上。第三半导体发光元件43及第四半导体发光元件44也分别设置在第一透光部20与基板10之间。
第三半导体发光元件43在与第一方向及第二方向交叉的第三方向(此例中为Y轴方向)上与第一半导体发光元件41隔开。第四半导体发光元件44在第三方向(例如Y轴方向)上与第二半导体发光元件42隔开。第三半导体发光元件43在第二方向上与第四半导体发光元件44隔开。
也就是说，在此例中，在X轴方向上排列两个半导体发光元件，在Y轴方向上排列两个半导体发光元件。如此，发光装置101包含4个半导体发光元件。在实施方式中，发光装置所包含的半导体发光元件的个数可以变更。例如，也可以在X轴方向上排列3个半导体发光元件，在Y轴方向上排列3个半导体发光元件。在此情形时，发光装置包含9个半导体发光元件。
优选为在X轴方向上排列的半导体发光元件的个数与在Y轴方向上排列的半导体发光元件的个数相同。例如，优选为发光装置101的沿X轴方向的长度与发光装置101的沿Y轴方向的长度实质上相等。由此，例如在下述制造步骤中，变得容易制造发光装置，可以抑制制造成本。
半导体发光元件40例如是LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片。半导体发光元件40是以例如GaN系氮化物半导体为材料的LED。例如，在半导体发光元件40中，设置着n型半导体层51(例如n型GaN层)、发光层52(半导体发光层)、及p型半导体层53(例如p型GaN层)。在n型半导体层51与基板10之间配置着p型半导体层53。在n型半导体层51与p型半导体层53之间配置着发光层52。发光层52使用氮化物半导体等的半导体层。发光层52例如具有多量子井构造。
在半导体发光元件40，设置着与n型半导体层51电连接的阴极(电极)55、及与p型半导体层53电连接的阳极(电极)54。发光层52经由阳极54及阴极55被通电，由此发光。
第一半导体发光元件41包含第一阳极54a及第一阴极55a。第二半导体发光元件42包含第二阳极54b及第二阴极55b。
在此例中，阳极54及阴极55设置在半导体发光元件40的上表面(与第一透光部20对向的面)。在实施方式中，例如也可以将阳极54设置在半导体发光元件40的下表面。也就是说，也可以在p型半导体层53与基板10之间设置阳极54。
也可以将阴极55及阳极54均设置在半导体发光元件40的下表面。也就是说，半导体发光元件40也可以是倒装芯片型的LED。
在实施方式中，半导体发光元件40并不限于LED，也可以是LD(Laser Diode，激光二极管)。
在此例中，第一透光部20是作为一个透镜而设置的。例如，第一透光部20具有上表面20u及下表面201。下表面201设置在上表面20u与基板10之间。例如，上表面20u包含第一上部21u、第二上部22u、及第三上部23u。
第一部分31设置在第一上部21u与基板10之间。第二部分32设置在第二上部22u与基板10之间。第三部分33设置在第三上部23u与基板10之间。
基板10与第一上部21u之间的沿着Z轴方向的第一距离L1短于基板10与第三上部23u之间的沿着Z轴方向的第三距离L3。
基板10与第二上部22u之间的沿着Z轴方向的第二距离L2短于第三距离L3。也就是说，第一透光部20是在投影至X-Y平面时的中心部形成着凸部的透镜状。
在此例中，发光装置101还包含透光性的第二透光部70。第二透光部70设置在第一半导体发光元件41与第一透光部20之间、及第二半导体发光元件42与第一透光部20之间。第二透光部70使用例如透明树脂。
在第一半导体发光元件41与第一透光部20之间、及第二半导体发光元件42与第一透光部20之间，也可以设置波长转换层71。波长转换层71使用例如荧光树脂。
例如，第一半导体发光元件41出射具有第一峰波长的第一光。波长转换层71吸收第一光的至少一部分并发出第二光。第二光具有与第一峰波长不同的第二峰波长。
在半导体发光元件40彼此之间分别设置着树脂体30的一部分。也就是说，分别在第一半导体发光元件41与第三半导体发光元件43之间、第二半导体发光元件42与第四半导体发光元件44之间、及第三半导体发光元件43与第四半导体发光元件44之间均设置着树脂体30的一部分。
如此，发光装置101是在基板上一体地设置着多个半导体发光元件40。由此，可以获得小型且输出高的发光装置。
此外，在发光装置101中，在半导体发光元件40彼此之间分别设置着树脂体30的一部分。树脂体30以包围多个半导体发光元件40的每一个的周围的方式设置。树脂体30的形状例如为反射器形状。也就是说，从各个半导体发光元件40出射的光的一部分在树脂体30反射并朝向第一透光部20行进。由此，例如可以减少从各个半导体发光元件40所提取的光的损失。
与在半导体发光元件40彼此之间均未设置树脂体30的一部分的情形相比，实施方式的发光装置101可以提高发光效率。
如上所述，树脂体30的形状为反射器形状。例如，树脂体30的高度形成为高于第一半导体发光元件41的高度。也就是说，沿着Z轴方向的树脂体30(例如第三部分33)的长度(第一长度H1)长于沿着Z轴方向的第一半导体发光元件41的长度(第二长度H2)。
例如，第三部分33具有第一面33a、第二面33b、第一侧面33c、及第二侧面33d。
第一面33a是与基板10对向的面。也就是说，第一面33a是第三部分33的下表面。
第二面33b在Z轴方向上与第一面33a隔开，且与第一透光部20对向。也就是说，第二面33b是第三部分33的上表面。
第一侧面33c及第二侧面33d设置在第一面33a与第二面33b之间。第一侧面33c及第二侧面33d与第二方向(例如X轴方向)交叉。在第二侧面33d与第一部分31之间配置着第一侧面33c。
第一面33a的沿着第二方向的长度(第一下表面长度P1)长于第二面33b的沿着第二方向的长度(第一上表面长度U1)。
第一面33a与第一侧面33c之间的第一角度θ1为30度以上且为90度以下。第一面33a与第二侧面33d之间的第二角度θ2为0度以上且为120度以下。
设置在半导体发光元件40彼此之间的树脂体的形状为这种反射器形状。由此，从半导体发光元件40出射的光在树脂体30处朝向第一透光部20高效率地反射。可以提高发光装置的发光效率。
第一部分31具有第三面31a。第三面31a是与基板10对向的面。也就是说，第三面31a是第一部分31的下表面。
例如，第三面的沿着第二方向(例如X轴方向)的长度(第二下表面长度P2)为第一面33a的沿着第二方向的长度(第一下表面长度P1)的0.4倍以上且为0.6倍以下。第二下表面长度P2例如为第一下表面长度P1的一半。
在此例中，基板10包含第一导电部11、第二导电部12、及第三导电部13。第二导电部12在第二方向上与第一导电部11隔开。第三导电部13与第一导电部11及第二导电部12在第二方向上隔开。例如，第三导电部13设置在第一导电部11与第二导电部12之间。
第一半导体发光元件41的至少一部分设置在第一导电部11与第一透光部20之间。例如，第一部分31的至少一部分设置在第一导电部11与第一透光部20之间。
第二半导体发光元件42的至少一部分设置在第二导电部12与第一透光部20之间。例如，第二部分32的至少一部分设置在第二导电部12与第一透光部20之间。
第三部分33的至少一部分设置在第三导电部13与第一透光部20之间。
例如，第一半导体发光元件41的第一阳极54a与第一导电部11电连接。例如，使用第一布线61连接第一阳极54a与第一导电部11。
例如，第一半导体发光元件42的第一阴极55a与第三导电部13电连接。例如，使用第二布线62连接第一阴极55a与第三导电部13。
例如，第二半导体发光元件42的第二阳极54b与第三导电部13电连接。例如，使用第三布线63连接第二阳极54b与第三导电部13。
例如，第二半导体发光元件42的第二阴极55b与第二导电部12电连接。例如，使用第四布线64连接第二阴极55b与第二导电部12。第一～第四布线61～64例如是焊接线。
如此，第一半导体发光元件41的第一阴极55a与第二半导体发光元件42的第二阳极54b经由第三导电部13而电连接。由此，例如可以使分别与第一半导体发光元件41的电极及第二半导体发光元件42的电极连接的布线的长度较短，而可以提高发光效率。
例如，有连接于电极的布线吸收从半导体发光元件40出射的光的情形。因此，在与各个电极连接的布线的长度较长的情形时，有导致使发光装置的发光效率降低的情形。
与此相对，在发光装置101中，第三导电部13设置在第三部分33的下方。经由该第三导电部13而电连接第一阴极55a与第二阳极54b。因此，可以使布线的长度较短，而可以提高发光效率。
图2是例示第一实施方式的发光装置的示意剖视图。
图2例示发光装置102。在发光装置102中，也设置着基板10、第一透光部20、树脂体30、第一半导体发光元件41及第二半导体发光元件42等。这些部分可以应用与在发光装置101中所说明的构成相同的构成。
在发光装置102中，第一阴极55a与第二阳极54b经由第五布线65而电连接。如上所述，例如也可以通过焊接线而将第一阴极55a与第二阳极54b连接。
如此，通过使用焊接线，而不论设置在基板10的导电部(例如第三导电部13)的图案如何均可以将半导体发光元件40彼此连接。
如下所述，在实施方式的发光装置的制造步骤中，可以选择设置在发光装置的半导体发光元件40的个数。在此情形时，使用焊接线将半导体发光元件40彼此连接。由此，例如可以避开基板10的规格变更。可以抑制发光装置的制造成本，且可以提高制造效率。
图3是例示第一实施方式的发光装置的示意剖视图。
图3例示发光装置103。在发光装置103中也设置着基板10、树脂体30、第一半导体发光元件41及第二半导体发光元件42等。这些部分可以应用与在发光装置101中所说明的构成相同的构成。
发光装置103的第一透光部20与发光装置101的第一透光部20同样地具有上表面20u、及下表面201。
在发光装置103中，上表面20u也包含第一上部21u、第二上部22u、及第三上部23u。上表面20u还包含第四上部24u。
第一部分31设置在第一上部21u与基板10之间。第三部分33设置在第三上部23u与基板10之间。第一半导体发光元件41设置在第四上部24u与基板10之间。
在发光装置103中，基板10与第一上部21u之间的沿着Z轴方向的第一距离L1短于基板10与第四上部24u之间的沿着Z轴方向的第四距离L4。
在发光装置103中，基板10与第三上部23u之间的沿着Z轴方向的第三距离L3短于基板10与第四上部24u之间的沿着Z轴方向的第四距离L4。如此，在实施方式中，第一透光部20的形状也可以是在多个半导体发光元件40的每一个上设置着凸部的透镜状。
例如，如发光装置101及发光装置103中所例示那样调整透镜的形状。由此，例如可以调整发光装置的配光特性。
在发光装置101～103中，下表面201包含第一下部211、第二下部221、及第三下部231。第一部分31设置在第一下部211与基板10之间。第一半导体发光元件41设置在第二下部221与基板10之间。第三部分33设置在第三下部231与基板10之间。
基板10与第一下部211之间的沿着Z轴方向的第五距离L5长于基板10与第二下部221之间的沿着Z轴方向的第六距离L6。基板10与第三下部231之间的沿着Z轴方向的第七距离L7长于第六距离L6。也就是说，在实施方式的发光装置101～103中，在多个半导体发光元件40的每一个上，第一透光部20具有向下凸的形状。由此，例如可以调整发光装置的配光特性，而可以获得高发光效率。
图4(a)～图4(e)是例示第一实施方式的发光装置的制造步骤的示意剖视图。
图5(a)及图5(b)是例示第一实施方式的发光装置的制造步骤的示意立体图。
如图4(a)所示，在基板10(引线框架)上形成树脂体30。树脂体30包含例如在X轴方向上相互隔开的多个部分30p(成形部)。部分30p例如包含第一～第三部分31～33等。图5(a)是如上所述那样在基板上例示出树脂体30。例如，树脂体30也包含在Y轴方向上相互隔开的多个部分30p。例如，树脂体30为网状。
如图4(b)所示，分别在相互邻接的多个部分30p彼此之间，在基板10上配置半导体发光元件40。例如使用布线66(焊接线)将各个半导体发光元件40与基板10连接。
如图4(c)所示，将透明树脂滴下至多个半导体发光元件40的每一个上而形成第二透光部70。
如图4(d)所示，在树脂体30及多个半导体发光元件40上形成第一透光部20。第一透光部20例如通过模铸成形而形成。第一透光部20与多个部分30p的每一个相接。以此方式形成加工体90。图5(b)例示加工体90。在此例中，第一透光部20包含在X-Y平面上排列的多个透镜部20p。在一个透镜部20p与基板10之间配置着4个半导体发光元件40。
在图4(e)中，对包含基板10、树脂体30、半导体发光元件40、及透光部(第一透光部20)的加工体90进行切割(切断)。切割使用例如刀切。
在切割步骤中，切断第一透光部20、树脂体30、及基板10。例如，加工体90在包含第一位置Ps1及第二位置Ps2的多个位置被切断。例如，配合透镜部20p的形状而实施切割。
加工体90包含设置在第一位置Ps1与第二位置Ps2之间的至少一个部分30p。在此例中，在第一位置Ps1与第二位置Ps2之间设置着一个部分30p。
加工体90包含设置在第一位置Ps1与第二位置Ps2之间的多个(至少两个)半导体发光元件40。在此例中，在第一位置Ps1与第二位置Ps2之间设置着两个半导体发光元件40。如此，完成发光装置101。
以此方式制造的发光装置101的第三部分33例如为无缝的形状。由此，可以缩小半导体发光元件40彼此间的间隔。可以获得每单位面积的发光效率高的发光装置。
如上所述，在实施方式中提供一体地形成着多个半导体发光元件40及树脂体30的发光装置。由此，例如与将包含1个半导体发光元件40的芯片多个相连在一起而制造发光装置的情形相比，可以使发光装置小型化。可以提供每单位面积的发光效率高的发光装置。
例如，也可以在第一位置Ps1与第二位置Ps2之间设置两个以上的部分30p。也可以在第一位置Ps1与第二位置Ps2之间设置三个以上的半导体发光元件40。例如，可以通过改变切断的位置而制造大小不同的发光装置。可以选择一个发光装置中所包含的半导体发光元件40的个数。
如上所述，在实施方式中，使用一种设计的引线框架(基板10)及一种设计的树脂体30。可以通过变更形成在这些部分上的第一透光部20的形状、及切割位置，而制造大小不同的发光装置。例如，可以不改变引线框架的设计而从同一框架形成各种大小尺寸的封装体。可以使用形成同一树脂体的模具而形成各种大小尺寸的封装体。
例如，在封装体设计变更时，有新制作形成树脂体的模具的情况。在此情形时，制作模具的工期及成本较大，在封装体设计变更时会成为较大的负担。
与此相对，根据实施方式，可以谋求制造树脂体的模具的共有化，而抑制开发及量产时的成本。如此，能以高制造效率提供发光效率高的发光装置。
根据实施方式，可以提供发光效率高的发光装置及该发光装置的制造方法。
另外，在本案说明书中，“垂直”不仅包含严格意义上的垂直，也包含例如制造步骤中的偏差等，只要实质上垂直即可。
以上，一面参照具体例一面对本发明的实施方式进行了说明。然而，本发明的实施方式并不限定于这些具体例。例如，关于基板、透光部、树脂体、半导体发光元件及波长转换层等各要素的具体构成，只要业者可以通过从公知的范围适当选择而同样地实施本发明，并获得同样的效果，那么包含在本发明的范围内。
而且，将各具体例的任意两个以上的要素在技术上可行的范围内组合而成者只要包含本发明的主旨，那么也包含在本发明的范围内。
此外，业者可以基于已作为本发明的实施方式叙述的发光装置及该发光装置的制造方法进行适当设计变更而实施的所有发光装置及其制造方法只要包含本发明的主旨，那么也属于本发明的范围。
此外，在本发明的思想范畴中，业者可以想到各种变更例及修正例，应了解这些变更例及修正例也属于本发明的范围。
已对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提出的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内可以进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变化包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。
[符号的说明]
10        基板
11        第一导电部
12        第二导电部
13        第三导电部
20        第一透光部
201       下表面
20p       透镜部
20u       上表面
21u       第一上部
211       第一下部
22u       第二上部
221       第二下部
23u       第三上部
231       第三下部
24u       第四上部
30        树脂体
30p       部分(成形部)
31        第一部分
31a       第三面
32        第二部分
33        第三部分
33a       第一面
33b       第二面
33c       第一侧面
33d       第二侧面
40        半导体发光元件
41～44    第一～第四半导体发光元件
51        n型半导体层
52        发光层
53        p型半导体层
54        阳极
54a       第一阳极
54b       第二阳极
55        阴极
55a       第一阴极
55b       第二阴极
61～65    第一～第五布线
66        布线
70        第二透光部
71        波长转换层
90        加工体
θ1       第一角度
θ2       第二角度
101～103  发光装置
H1、H2    第一、第二长度
L1～L7    第一～第七距离
P1、P2    第一、第二下表面长度
Ps1、Ps2  第一、第二位置
U1        第一上表面长度

Claims (13)

1.一种发光装置，其特征在于包含：
基板；
透光性的第一透光部，设置在所述基板的上方；
树脂体，具有光反射性，设置在所述基板与所述第一透光部之间，且包含第一部分、第二部分以及第三部分，
所述第一部分与所述第一透光部相接，
所述第二部分在与从所述基板朝向所述第一透光部的第一方向交叉的第二方向上与所述第一部分隔开，且与所述第一透光部相接，
所述第三部分在所述第二方向上与所述第一部分以及所述第二部分隔开，设置在所述第一部分与所述第二部分之间，且与所述第一透光部相接；
第一半导体发光元件，在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第一部分与所述第三部分之间；以及
第二半导体发光元件，在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第二部分与所述第三部分之间。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于沿着所述第一方向的所述第三部分的长度长于沿着所述第一方向的所述第一半导体发光元件的长度。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述第三部分具有与所述基板对向的第一面、以及与所述第一透光部对向的第二面，且
所述第一面的沿着所述第二方向的长度长于所述第二面的沿着所述第二方向的长度。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于所述第三部分还具有第一侧面，该第一侧面设置在所述第一面与所述第二面之间，且与所述第二方向交叉，
所述第一面与所述第一侧面之间的角度为30度以上且为90度以下。
5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于所述第一部分具有与所述基板对向的第三面，且
所述第三面的沿着所述第二方向的长度是所述第一面的沿着所述第二方向的长度的0.4倍以上且为0.6倍以下。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于
所述基板包含：
第一导电部；
第二导电部，在所述第二方向上与所述第一导电部隔开；以及
第三导电部，在所述第二方向上与所述第一导电部以及所述第二导电部隔开；
所述第一半导体发光元件的至少一部分设置在所述第一导电部与所述第一透光部之间；
所述第二半导体发光元件的至少一部分设置在所述第二导电部与所述第一透光部之间；且
所述第三部分的至少一部分设置在所述第三导电部与所述第一透光部之间。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于所述第一半导体发光元件包含第一阴极以及第一阳极，
所述第二半导体发光元件包含第二阴极以及第二阳极，
所述第一阴极与所述第三导电部电连接，
所述第二阳极与所述第三导电部电连接。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述第一透光部具有上表面、以及设置在所述上表面与所述基板之间的下表面，
所述上表面包含第一上部、第二上部、以及第三上部，
所述第一部分设置在所述第一上部与所述基板之间，
所述第二部分设置在所述第二上部与所述基板之间，
所述第三部分设置在所述第三上部与所述基板之间，
所述基板与所述第一上部之间的沿着所述第一方向的距离短于所述基板与所述第三上部之间的沿着所述第一方向的距离，
所述基板与所述第二上部之间的沿着所述第一方向的距离短于所述基板与所述第三上部之间的沿着所述第一方向的距离。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于所述下表面包含第一下部、第二下部、以及第三下部，
所述第一部分设置在所述第一下部与所述基板之间，
所述第一半导体发光元件设置在所述第二下部与所述基板之间，
所述第三部分设置在所述第三下部与所述基板之间，
所述基板与所述第一下部之间的沿着所述第一方向的距离长于所述基板与所述第二下部之间的沿着所述第一方向的距离，
所述基板与所述第三下部之间的沿着所述第一方向的距离长于所述基板与所述第二下部之间的沿着所述第一方向的距离。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述第三部分是无缝。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于还包含透光性的第二透光部，该第二透光部设置在所述第一半导体发光元件与所述第一透光部之间。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于还包含波长转换层，该波长转换层设置在所述第一半导体发光元件与所述第一透光部之间，
所述第一半导体发光元件射出具有第一峰波长的光，
所述波长转换层吸收所述光的至少一部分，且发出具有与所述第一峰波长不同的第二峰波长的光。
13.一种发光装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
准备加工体，该加工体包含树脂体、多个半导体发光元件以及透光部，
所述树脂体形成在基板的主面的上方且包含多个部分，
所述多个半导体发光元件配置在相邻的所述多个部分之间的所述主面的上方，
所述透光部设置在所述树脂体以及所述多个半导体发光元件上，且与所述多个部分相接；以及
在所述加工体的第一位置以及第二位置，将所述透光部、所述树脂体、以及所述基板切断；
所述加工体包含：
设置在所述第一位置与所述第二位置之间的至少一个所述部分；以及
设置在所述第一位置与所述第二位置之间的至少两个所述半导体发光元件。
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