CN110611024B - 发光模块及发光模块的制造方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的实施方式，发光模块具备：第1绝缘膜，具有透光性；第2绝缘膜，与所述第1绝缘膜对置地配置，具有透光性；导体层，形成于所述第1绝缘膜；以及多个发光元件，配置于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间，在一侧的第1面与所述导体层连接，具有第1电极与第2电极，该第1电极距与第1面相反的第2面的高度为第1高度，该第2电极距第2面的高度为第2高度，多个发光元件以邻接的发光元件的第1电极相互间的距离比第2电极相互间的距离近的方式配置。

Description

发光模块及发光模块的制造方法
(相关申请的引用)
本申请以2018年6月15日提出申请的在先日本专利申请2018－114378号的权利的利益为基础，且要求其利益，通过引用而包含其内容整体。
技术领域
这里说明的实施方式总体上涉及发光模块以及发光模块的制造方法。
背景技术
近年，功耗较少的LED(Light Emitting Diode)等的发光元件作为下一代的光源受到关注。LED小型且发热量较少、响应性佳。因此，在各种的光学装置中被广泛利用。例如，近年来，提出有将在具有挠性以及透光性的基板配置的LED作为光源的发光模块。发光模块例如具备一对透明膜、以及在这些透明膜之间配置的多个LED。并且，通过将一对透明膜层压(laminate)，从而LED成为被透明膜保持的状态。
在上述的发光模块中，例如在单侧具有一对电极的LED被用作光源。这种的LED在层叠于基底基板的上表面的N型半导体层与P型半导体层中分别设置阴极与阳极。由此，阴极与阳极分别配置于高度相互不同的位置。因此，在将多个LED接近地配置时，若在邻接的LED相互之间，配置高度不同的阴极与阳极接近，则有时在各电极与设置于透明膜的导体层的连接强度上产生参差不齐。
此外，发出白色、特定的中间颜色的光的LED现今并不存在。因此，在看似发出白色等光的发光模块中，例如将发出红光、绿光、蓝光的LED接近地配置，使来自各LED的光混色。若红光、绿光、蓝光以适当的比例混色，则在人的眼中看似发光模块发出白色、中间色的光。
然而，LED根据发光的颜色不同而有时构造、大小不同。因此，若将多种LED接近地配置，则成为厚度、电极的配置高度相互不同的LED彼此被邻接地配置。在这样的情况下，在LED被一对透明膜层压时，厚度较薄的LED、电极的配置高度较低的LED有可能无法被透明膜良好地保持。其结果，LED的电极与设于透明膜的导体之间的连接强度因每个LED而参差不齐。
特别是，在密集配置LED的情况下，由邻接的LED的构造的不同引起的连接强度的参差不齐有时变得显著。
发明内容
实施方式提供抑制了多个发光元件与导体层之间的连接强度的参差不齐的发光模块以及发光模块的制造方法。
根据一个实施方式，发光模块具备：第1绝缘膜，具有透光性；第2绝缘膜，与所述第1绝缘膜对置地配置，具有透光性；导体层，形成于所述第1绝缘膜；以及多个发光元件，配置于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间，在一侧的第1面与所述导体层连接，具有第1电极与第2电极，该第1电极距与所述第1面相反的第2面的高度为第1高度，该第2电极距所述第2面的高度为第2高度，多个所述发光元件以邻接的所述发光元件的所述第1电极相互间的距离比所述第2电极相互间的距离近的方式配置。
根据上述构成的发光模块，能够提供抑制了多个发光元件与导体层之间的连接强度的参差不齐的发光模块以及发光模块制造方法。
附图说明
图1是第1实施方式的发光模块的俯视图。
图2是发光模块的剖视图。
图3是将网格图案的一部分放大示出的图。
图4是发光元件的立体图。
图5是发光元件的立体图。
图6是能够将2个发光元件比较示出的图。
图7是表示构成发光元件组的发光元件的配置的图。
图8是用于说明发光模块的制造方法的图。
图9是用于说明发光模块的制造方法的图。
图10是用于说明发光模块的制造方法的图。
图11是用于说明发光模块的制造方法的图。
图12是用于说明发光模块的制造方法的图。
图13是用于说明发光模块的制造方法的图。
图14是用于说明发光模块的动作的图。
图15是发光元件组的侧视图。
图16是发光元件组的侧视图。
图17是表示构成比较例的发光元件组的发光元件的配置的图。
图18是比较例的发光元件组的侧视图。
图19是表示本实施方式的发光模块的评价结果的图。
图20是表示比较例的发光模块的评价结果的图。
图21是表示构成变形例的发光元件组的发光元件的配置的图。
图22是表示构成变形例的发光元件组的发光元件的配置的图。
图23是表示第2实施方式的发光模块的图。
具体实施方式
《第1实施方式》
以下，使用附图对本发明的第1实施方式进行说明。在说明中，使用由相互正交的X轴、Y轴、Z轴构成的XYZ坐标系。
图1是本实施方式的发光模块10的俯视图。如图1所示，发光模块10是将长边方向设为Y轴方向的模块。该发光模块10将相互接近配置的3色的发光元件30R、30G、30B设为光源。
图2是表示图1中的发光模块10的AA线所示的剖面的图。参照图2可知，发光模块10具有1组透明膜21、22(第1绝缘膜、第2绝缘膜)，形成于透明膜21、22之间的树脂层24，以及配置于树脂层24的内部的发光元件30R－30B。另外，在图2中示出发光元件30B。
透明膜21、22是将长边方向设为Y轴方向的长方形的膜。透明膜21、22的厚度为50－300μm左右，对于可见光具有透射性。透明膜21、22的总光线透射率优选为5－95％左右。另外，总光线透射率是指以日本工业标准JISK7375：2008为基准测定出的总透光率。
透明膜21、22具有挠性，其弯曲弹性模量为0－320kgf/mm2左右(不包括0)。另外，弯曲弹性模量是通过以ISO178(JISK7171：2008)为基准的方法测定出的值。
作为透明膜21、22的材料可考虑使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丁二酸亚乙酯(PES)，耐热透明树脂(ARTON)，丙烯酸树脂等。
在上述1组透明膜21、22中的透明膜21的下表面(图2中的－Z侧的面)形成有厚度为0.05μm－10μm左右的导体层23。导体层23例如为蒸镀膜、溅射膜。此外，导体层23也可以利用粘接剂粘附金属膜而成。在导体层23为蒸镀膜、溅射膜的情况下，导体层23的厚度为0.05μm－2μm左右。在导体层23为粘接而成的金属膜的情况下，导体层23的厚度为2μm－10μm，或2μm－7μm左右。
如图1所示，导体层23包括沿透明膜21的+X侧外缘形成的L状的网格图案200，沿网格图案200的－X侧外缘排列的网格图案201、202、203，在网格图案201－203的－X侧配置的网格图案204、205、206，以及在网格图案204－206的－X侧配置的网格图案207、208、209。各网格图案200－209由铜(Cu)、银(Ag)等的金属材料构成。
图3是将网格图案200、203、206、209的一部分放大示出的图。如图3所示，网格图案200－209由线宽度为约10μm的线形图案构成。与X轴平行的线形图案沿Y轴以约300μm间隔形成。此外，与Y轴平行的线形图案沿X轴以约300μm间隔形成。在各网格图案200－209中形成有与发光元件30R、30G、30B的电极连接的连接焊盘200P。
如图2所示，在发光模块10中，下侧的透明膜22与透明膜21相比，Y轴方向的长度较短。因此，成为构成导体层23的网格图案200、201、204、207的－Y侧端部露出的状态。
树脂层24形成于透明膜21、22之间。树脂层24对可见光具有透射性。
发光元件30R、30G、30B分别是一边为0.1－3mm左右的正方形的LED芯片。以下，为了方便说明，适当地将发光元件30R、30G、30B统称为发光元件30。在本实施例中，发光元件30R、30G、30B为裸芯片(bare chip)。发光元件30的额定电流为约50mA。
图4是表示发光元件30R的立体图。如图4所示，发光元件30R是由基底基板31、P型半导体层32、活性层33、N型半导体层34构成的LED芯片。
基底基板31例如是由蓝宝石构成的正方形板状的基板。在基底基板31的上表面形成有与该基底基板31相同形状的P型半导体层32。并且，在P型半导体层32的上表面按顺序层叠有活性层33、N型半导体层34。P型半导体层32、活性层33、N型半导体层34由化合物半导体材料构成。例如，作为发出红色光的发光元件，能够使用InAlGaP系作为活性层。活性层既可以是双异质(DH)接合构造，也可以是多层量子阱(MQW)构造。此外，还可以是PN接合构造。
层叠于P型半导体层32的活性层33、以及N型半导体层34在－Y侧且－X侧的拐角部分形成有缺口。P型半导体层32的表面从活性层33、以及N型半导体层34的缺口露出。
在P型半导体层32的从活性层33与N型半导体层34露出的区域中，形成有与P型半导体层32电连接的电极焊盘35。此外，N型半导体层34的+X侧且+Y侧的拐角部分形成与N型半导体层34电连接的电极焊盘36。电极焊盘35、36由铜(Cu)、金(Au)构成。并且，在电极焊盘35的上表面形成有凸块37，在电极焊盘36的上表面形成有凸块38。凸块37、38由金(Au)、金合金等的金属凸块形成。也可以使用成形为半球状的焊料凸块来代替金属凸块。在发光元件30R中，凸块37作为阳极发挥功能，凸块38作为阴极发挥功能。
图5是表示发光元件30G的立体图。如图5所示，发光元件30G是由基底基板31、N型半导体层34、活性层33、P型半导体层32构成的LED芯片。
在基底基板31的上表面形成有与该基底基板31同形状的N型半导体层34。并且，在N型半导体层34的上表面按顺序层叠有活性层33、P型半导体层32。N型半导体层34、活性层33、P型半导体层32由化合物半导体材料构成。例如，作为发出蓝色、绿色光的发光元件，作为P型半导体层32以及N型半导体层能够使用34GaN系，作为活性层33能够使用InGaN系的半导体。活性层既可以是双异质(DH)接合构造，也可以是多层量子阱(MQW)构造。此外，还可以是PN接合构造。
层叠于N型半导体层34的活性层33、以及P型半导体层32在－Y侧且－X侧的拐角部分形成有缺口。N型半导体层34的表面从活性层33、以及P型半导体层32的缺口露出。
在N型半导体层34的从活性层33与P型半导体层32露出的区域中，形成有与N型半导体层34电连接的电极焊盘36。此外，在P型半导体层32的+X侧且+Y侧的拐角部分形成有与P型半导体层32电连接的电极焊盘35。并且，在电极焊盘35的上表面形成有凸块38，在电极焊盘36的上表面形成有凸块37。在发光元件30G中，凸块38作为阳极发挥功能，凸块37作为阴极发挥功能。
发光元件30B具有与发光元件30G同等的结构。在本实施方式中，发光元件30R发出红色光。此外，发光元件30G发出绿色光，发光元件30B发出蓝色光。具体而言，发光元件30R射出峰值波长为600nm至700nm左右的光。此外，发光元件30G射出峰值波长为500nm至550nm左右的光。并且，发光元件30B射出峰值波长为450nm至500nm左右的光。
图6是能够将发光元件30R与发光元件30G比较示出的图。如图6所示，发光元件30R稍厚于发光元件30G。在发光元件30R中，电极焊盘35、36形成于发光元件30R的上表面P1(第1面)。并且，电极焊盘35形成于P型半导体层32的上表面，电极焊盘36形成于隔着活性层33形成于P型半导体层32的N型半导体层34的上表面。因此，与发光元件30R的下表面P2(第2面)至电极焊盘35的高度H1相比，下表面P2至电极焊盘36的高度H2较高。高度H1与高度H2之差为相当于活性层33与N型半导体层34的厚度的3.5μm－5μm左右。
在发光元件30G中，电极焊盘35、36形成于发光元件30R的上表面P1。并且，电极焊盘36形成于N型半导体层34的上表面，电极焊盘35形成于隔着活性层33形成于N型半导体层34的P型半导体层32的上表面。因此，与发光元件30G的下表面P2至电极焊盘36的高度H3相比，下表面P2至电极焊盘35的高度H4较高。高度H3与高度H4之差为相当于活性层33与N型半导体层34的厚度的3μm－4μm左右。
同样，对于发光元件30B的电极焊盘35、36，与发光元件30B的下表面P2至电极焊盘36的高度H3相比，下表面P2至电极焊盘35的高度H4较高。
发光元件30R的X轴方向以及Y轴方向的尺寸小于发光元件30G的X轴方向以及Y轴方向的尺寸。例如，发光元件30R的X轴方向以及Y轴方向的尺寸为0.3mm，发光元件30G、30B的X轴方向以及Y轴方向的尺寸为0.385mm。
参照图3可知，发光元件30R、30G、30B分别通过凸块37、38与形成于网格图案200－209的连接焊盘200P连接而配置于2个网格图案之间。
在发光模块10中，如图1所示，3个发光元件30R分别配置于网格图案204与网格图案205、网格图案205与网格图案206、网格图案206与网格图案200之间。此外，3个发光元件30G分别配置于网格图案207与网格图案208、网格图案208与网格图案209、网格图案209与网格图案200之间。并且，3个发光元件30B分别配置于网格图案201与网格图案202、网格图案202与网格图案203、网格图案203与网格图案200之间。
由此，发光元件30R、网格图案200、204－206以串联的方式连接。同样，发光元件30G、网格图案200、207－209以串联的方式连接，发光元件30B、网格图案200、201－203以串联的方式连接。此外，如图1所示，在发光模块10中，3个发光元件30R、30G、30B构成发光元件组100。
图7是表示构成发光元件组100的发光元件30R、30G、30B的图。图7的凸块37、38所记载的H与L分别表示凸块37、38的高度(Z轴方向的位置)。发光元件的2个凸块中的附加了H的凸块表示与附加了L的凸块相比位于更高的位置。
如图7所示，构成发光元件组100的发光元件30R、30G、30B分别配置为，一组的电极焊盘35、36中的配置位置较高一方的电极焊盘相互接近。即，配置为与发光元件30G、30B的凸块37相比，凸块38与发光元件30R的凸块38较近。具体而言，发光元件30R的凸块38、与发光元件30G、30B的凸块38沿着假想线示出的直线L1而配置。
接下来，说明上述的发光模块10的制造方法。首先准备由PET构成的透明膜21。然后，如图8所示，透明膜21的表面整体，使用减去法(subtract)或者加成法(additive)等，形成网格状的导体层23。图9为将导体层23的一部分放大示出的图。如图9所示，在此时的导体层23中，一体形成有成为网格图案200－209的部分。此外，在导体层23中，连接焊盘200P形成于发光元件30R、30G、30B被安装的位置。
接下来，通过使用激光切断该导体层23，来形成网格图案200－209。导体层23的切断为对形成于透明膜21的表面的导体层23照射激光。然后，使激光的激光光斑沿图10示出的虚线移动。由此，导体层23沿虚线被切断，如图11所示，形成网格图案200－209。
若激光的激光光斑沿图10示出的虚线在导体层23的表面移动，则位于激光光斑的移动路径附近的部分熔解而升华。由此，如图3所示，网格图案200－209被切出且邻接地形成的连接焊盘200P彼此被电切离。在发光模块10中，在图11的圆圈示出之处形成1对连接焊盘200P。
接下来，如图12所示，在形成了网格图案200－209的透明膜21的表面设置热固化性树脂241。该热固化性树脂241的厚度为与发光元件30的凸块37、38的高度几乎相同。在本实施方式中，热固化性树脂241为树脂膜，配置于透明膜21的表面。作为热固化性树脂241的材料例如可使用环氧类树脂。
接下来，将发光元件30配置在热固化性树脂241之上。此时，以形成于网格图案200－209的连接焊盘200P位于发光元件30的凸块37、38的正下方的方式，将发光元件30定位。
接下来，如图13所示，将在下表面贴附有由热固化性树脂242构成的膜的透明膜22配置于透明膜21的上表面一侧。
接下来，使透明膜21、22分别在真空气氛下加热压接。由此，首先，形成于发光元件30的凸块37、38穿透热固化性树脂241，到达导体层23，并与各网格图案200－209电连接。然后，热固化性树脂241以及热固化性树脂242在发光元件30的周围无缝隙地填充并且通过加热使热固化性树脂241以及热固化性树脂242固化。由此，如图2所示，热固化性树脂241以及热固化性树脂242成为在透明膜21、22之间保持发光元件30的树脂层24。经过以上的工序完成发光模块10。
如图14所示，在如上述那样构成的发光模块10中，将网格图案200设为正侧的共用图案，对网格图案201、204、207施加电压V1、V2、V3。由此，各发光元件30R、30G、30B发光。从发光元件30R、30G、30B分别射出的红(R)、绿(G)、蓝(B)的光混色，在人的眼中看似发光模块10发出白色光。
在图15中示出从图7的箭头B所示的方向观察到的发光元件组100。此外，图16中示出从图7的箭头C所示的方向观察到的发光元件组100。如图15以及图16所示，在将透明膜21、22压接时，通过配置于透明膜21、22之间的发光元件30R、30G、30B，透明膜21隔着导体层23被向上方按压。由此，导体层23以在发光元件30R、30G、30B的附近朝向外侧弯曲的方式变形。如图7所示，在发光元件30G、30B分别与发光元件30R邻接地配置的情况下，发光元件30R的凸块38的附近成为最向外侧(上方)突出的状态。
如图7所示，发光元件30R、30G、30B分别配置为，与发光元件30G、30B的凸块37相比，凸块38与发光元件30R的凸块38较近。由此，如图15以及图16所示，发光元件30R的凸块38、与发光元件30G、30B的凸块38配置于导体层23的最向外侧突出的突出部的附近，位于比凸块38低的位置的发光元件30R的凸块37与发光元件30G、30B的凸块37配置于从导体层23的突出部远离之处。此外，形成于最高位置的发光元件30R的凸块38配置于与突出部最近之处。由此，发光元件30R、30G、30B的凸块37、38虽然各自的高度不同，但成为以相同的深度深入形成于透明膜21的导体层23中的状态。因此，能够使发光元件30R、30G、30B的电极焊盘35、36全部经由凸块37、38可靠地与导体层23电连接。
例如，在图17示出的比较例中，发光元件30R、30G、30B分别配置为，与发光元件30G、30B的凸块38相比，凸块37与发光元件30R的凸块37较近。由此，参照图18可知，发光元件30R的凸块37、与发光元件30G、30B的凸块37配置于导体层23的最向外侧突出的突出部的附近，位于比凸块37更高的位置的发光元件30R的凸块38与发光元件30G、30B的凸块38配置于从导体层23的突出部远离之处。因此，发光元件30R、30G、30B的凸块38虽然较深地深入形成于透明膜21的导体层23中，但发光元件30R、30G、30B的凸块37成为未充分深入导体层23的状态。
此时，考虑到在凸块37与导体层23之间产生接触不良。此外，凸块38穿透导体层23，其结果，考虑到在凸块37与导体层23之间产生接触不良、绝缘破坏。
接下来，对发光元件30R、30G、30B的凸块37、38与导体层23的接触状态的评价结果进行说明。关于凸块37、38与导体层23的接触面积，凸块37、38越较深地深入导体层23则越增加。这里，将凸块37、38与导体层23的接触面积设为参数，来评价发光元件30R、30G、30B的凸块37、38与导体层23的接触状态。
如图7所示，将发光元件30R、30G、30B的凸块38呈直线状配置的本实施方式的发光模块10的评价结果作为一例在图19中示出。纵轴为凸块与导体层的接触面积。横轴为发光元件30R、30G、30B各自的凸块37、38，H表示凸块38，L表示凸块37。
如图19所示，发光元件30B的凸块38与导体层23的接触面积约为2500μm2，凸块37与导体层23的接触面积约为2300μm2。此外，凸块37、38相互间的接触面积之差约为200μm2。发光元件30R的凸块38与导体层23的接触面积约为3000μm2，凸块37与导体层23的接触面积约为2100μm2。此外，凸块37、38相互间的接触面积之差约为900μm2。发光元件30G的凸块38与导体层23的接触面积约为2500μm2，凸块37与导体层23的接触面积约为2400μm2。此外，凸块37、38相互间的接触面积之差约为100μm2。在本实施方式的发光模块10中，凸块与导体层的接触面积的参差不齐(差)被抑制在1000μm2以下。
接下来，如图17所示，将发光元件30R、30G、30B的凸块38呈直线状配置的比较例的发光模块的评价结果作为一例在图20中示出。
如图20所示，发光元件30B的凸块38与导体层23的接触面积约为3300μm2，凸块37与导体层23的接触面积约为1500μm2。此外，凸块37、38相互间的接触面积之差约为1800μm2。发光元件30R的凸块38与导体层23的接触面积约为3000μm2，凸块37与导体层23的接触面积约为1800μm2。此外，凸块37、38相互间的接触面积之差约为1200μm2。发光元件30G的凸块38与导体层23的接触面积约为3100μm2，凸块37与导体层23的接触面积约为1700μm2。此外，凸块37、38相互间的接触面积之差约为1400μm2。在比较例的发光模块中，凸块与导体层的接触面积的参差不齐超过1000μm2。
以上，可知在本实施方式的发光模块10中，通过发光元件30R、30G、30B各自的位于较高位置的电极焊盘接近地配置，从而抑制了设置于电极焊盘的凸块37、38与导体层23的接触面积的参差不齐。因此，能够抑制发光元件30R、30G、30B与导体层23之间的连接强度的参差不齐。由此，能够事先防止因凸块与导体层的接触不足引起的接触不良、因过多的深入引起的接触不良、绝缘破坏等。
另外，图7示出的发光元件的配置为一例。凸块38在发光元件组100的中央部排列成一列的发光元件30R、30G、30B的配置存在多个。例如，若允许布线图案变得复杂，则也能够按发光元件30B、发光元件30G、发光元件30R的顺序配置为一列。
《变形例1》
如图7所示，在第1实施方式的说明中，以发光元件30R、30G、30B各自的凸块38排列成一列的方式配置发光元件30R、30G、30B的情况进行了说明。然而，发光元件的配置不限于图7示出的情况。例如，如图21所示，发光元件30R、30G、30B的凸块38也可以配置于相同圆周上。若像这样配置发光元件，则存在导体层23的布线图案变得复杂的情况。然而，能够减少发光元件30R、30G、30B各自的凸块38、37与导体层23的接触面积的参差不齐。因此，能够同时防止凸块与导体层的接触不良、以及因过多的深入引起的绝缘破坏，从而能够提高发光模块10的可靠性。
《变形例2》
此外，如图22所示，也可以配置不施加电压的虚设的发光元件30D。作为虚设的发光元件30D，例如使用发光元件30R。将发光元件30R、30G、30B、30D这四个发光元件以相对于圆周的中心位于左右以及上下对称的位置的方式配置。通过像这样配置虚设的发光元件30D，在导体层23中形成将被各发光元件的凸块38围起的区域的中央部设为顶点的、附图的左右以及上下对称形状的研钵状的凹陷。由此，能够在位于凹陷的相同的深度的相同圆周上，配置四个发光元件各自的凸块38的前端。此外，能在位于凹陷的其他深度的相同圆周上，配置四个发光元件各自的凸块37的前端。因此，能够进一步减少凸块37、38分别与导体层23的接触面积的参差不齐。由此，能够同时防止因接触不足引起的接触不良、以及因过多的深入引起的绝缘破坏，从而能够进一步提高发光模块10的可靠性。
另外，在上述说明中，设为不对虚设的发光元件30D施加电压，但在不打破RGB的色平衡的情况下，也可以对虚设的发光元件30D施加电压。此外，在通过单色的发光元件构成发光元件组100的情况下，也可以对全部的发光元件施加电压。
《第2实施方式》
在上述实施方式中，说明了通过设计发光元件的配置，来减少各发光元件的凸块37、38与导体层23的接触面积的参差不齐的技术。但不限于此，也可以通过调整凸块37、38的高度，来减少凸块37、38与导体层23的接触面积的参差不齐。
如图23所示，第2实施方式的发光模块10例如仅具有多个发光元件30R。形成于各发光元件30R的电极焊盘35、36的凸块37、38以凸块37、38各自的顶点与直线L2几乎一致的方式被调整高度。因此，若各发光元件30R被压接于导体层23，则成为各发光元件30R的凸块37、38以几乎相同的程度深入导体层23中的状态。因此，即使各发光元件30R的电极焊盘35、36的配置高度不同，也能够经由凸块37、38无连接强度的参差不齐地将导体层23与各发光元件30R的电极焊盘35、36相连接。
以上，说明了本发明的实施方式，但本发明不限于此。例如，在上述实施方式中，以发光元件组100如图7所示那样配置的情况为例进行了说明，但发光元件组100的配置不限于此。例如，也可以以形成文字、花纹的方式配置发光元件组100。此外，在上述的说明中，说明了发光元件组100由发光元件30R、30G、30B构成的情况，但发光元件组100也可以由单色的发光元件形成。
此外，在上述的说明中，说明了树脂层24由热固化性树脂241以及热固化性树脂242形成的情况。但不限于此，树脂层24也可以仅由热塑性树脂形成。此外，关于树脂层24，也可以是热固化性树脂241以及热固化性树脂242中的任一个由热塑性树脂形成。作为热塑性树脂材料例如使用丙烯酸系弹性体。
此外，在上述的说明中，说明了通过使用激光切断导体层23，来形成网格图案200－209的情况，但网格图案的形成方法也可以是蚀刻加工。
此外，在上述的说明中，说明了邻接的发光元件的高度较高的第1电极相互间的距离配置为，与高度较低的第2电极相互间的距离相比更近的情况，但也可以设为邻接的发光元件的高度较低的第2电极相互间的距离配置为，与高度较高的第1电极相互间的距离相比更近。即使在这样配置的情况下，相比于发光元件的高度较高的第1电极与高度较低的第2电极邻接配置了的情况，能够减少各电极与导体层的接触面积的参差不齐。
如以上说明的那样，在上述实施方式以及变形例的发光模块中，各发光元件的电极能无强度参差不齐地与导体层连接。因此，能够抑制发光模块的制造参差不齐并且可期待可靠性试验中的寿命的提高。
以上，说明了本发明的几种实施方式，但这些实施方式作为例子进行提示，无意限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围及主旨内，并且包含于权利要求书记载的发明及其等价物的范围。

Claims (15)

1.一种发光模块，具备：
第1绝缘膜，具有透光性；
第2绝缘膜，与所述第1绝缘膜对置地配置，具有透光性；
导体层，形成于所述第1绝缘膜；以及
多个发光元件，配置于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间，在一侧的第1面与所述导体层连接，具有第1电极与第2电极，该第1电极距与所述第1面相反的第2面的高度为第1高度，该第2电极距所述第2面的高度为第2高度，多个所述发光元件的所述第1高度高于所述第2高度；
多个所述发光元件以邻接的所述发光元件的所述第1电极相互间的距离比所述第2电极相互间的距离近的方式配置。
2.如权利要求1所述的发光模块，其中，
在所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间具备树脂层。
3.如权利要求2所述的发光模块，其中，
所述树脂层是具有热固化性或热塑性中的至少任一个的材料。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的发光模块，其中，
所述多个发光元件包括发出第1色光的第1发光元件、以及发出与第1色不同的第2色光的第2发光元件。
5.如权利要求4所述的发光模块，其中，
所述多个发光元件包括发出红色光的第1发光元件、发出绿色光的第2发光元件、以及发出蓝色光的第3发光元件。
6.如权利要求1至3中的任一项所述的发光模块，其中，
多个所述发光元件各自的第1电极排列在相同圆周上。
7.如权利要求6所述的发光模块，其中，
多个所述发光元件由四个发光元件构成，相对于圆周的中心左右对称地排列。
8.如权利要求7所述的发光模块，其中，
所述四个发光元件包括2个发出红色光的第1发光元件、一个发出绿色光的第2发光元件、以及一个发出蓝色光的第3发光元件。
9.权利要求8所述的发光模块，其中，
2个发出红色光的所述第1发光元件中的一个所述第1发光元件未被通电。
10.一种发光模块，具备：
第1绝缘膜，具有透光性；
第2绝缘膜，与所述第1绝缘膜对置地配置，具有透光性；
导体层，形成于所述第1绝缘膜；以及
3个以上的发光元件，配置于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间，在一侧的第1面与所述导体层连接，具有第1电极与第2电极，该第1电极距与所述第1面相反的第2面的高度为第1高度，该第2电极距所述第2面的高度为第2高度，
3个以上的所述发光元件的所述第1高度高于所述第2高度，以邻接的所述发光元件的所述第1电极相互间的距离比所述第2电极相互间的距离近的方式配置，并且各自的第1电极排列在直线上。
11.一种发光模块，具备：
第1绝缘膜，具有透光性；
第2绝缘膜，与所述第1绝缘膜对置地配置，具有透光性；
导体层，形成于所述第1绝缘膜；
多个发光元件，配置于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间，在一侧的第1面与所述导体层连接，具有第1电极与第2电极，该第1电极距与所述第1面相反的第2面的高度为第1高度，该第2电极距所述第2面的高度为第2高度；
设置于所述第1电极的第1凸块，以及设置于所述第2电极的第2凸块，
距所述第2面的所述第1凸块的高度、与距所述第2面的所述第2凸块的高度相等；
多个所述发光元件的所述第1电极以及所述第2电极分别与所述导体层的接触面积之差为1500μm2以下。
12.一种发光模块的制造方法，包括：
向具有透光性、一侧形成有导体层的第1绝缘膜配置与所述导体层重叠的树脂膜的工序；
在所述树脂膜之上，将在一侧的第1面与所述导体层连接、并具有第1电极与第2电极的多个发光元件以邻接的所述发光元件的所述第1电极相互间的距离比所述第2电极相互间的距离近的方式配置的工序，该第1电极距与所述第1面相反的第2面的高度为第1高度，该第2电极距所述第2面的高度为第2高度，多个所述发光元件的所述第1高度高于所述第2高度；
以隔着所述多个发光元件与所述第1绝缘膜对置的方式配置具有透光性的第2绝缘膜的工序；以及
将所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜压接的工序。
13.如权利要求12所述的发光模块的制造方法，其中，
在所述第1高度高于所述第2高度的情况下，在配置所述发光元件的工序中，将3个以上的所述发光元件各自的第1电极配置在直线上。
14.如权利要求12所述的发光模块的制造方法，其中，
在所述第1高度高于所述第2高度的情况下，在配置所述发光元件的工序中，将多个所述发光元件各自的第1电极排列在相同圆周上。
15.权利要求14所述的发光模块的制造方法，其中，
在配置所述发光元件的工序中，
包括配置至少一个不被通电的发光元件的工序。
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