JP6198874B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置および発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6198874B2
JP6198874B2 JP2016058468A JP2016058468A JP6198874B2 JP 6198874 B2 JP6198874 B2 JP 6198874B2 JP 2016058468 A JP2016058468 A JP 2016058468A JP 2016058468 A JP2016058468 A JP 2016058468A JP 6198874 B2 JP6198874 B2 JP 6198874B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting device
substrate
light emitting
alignment mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2016058468A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016106441A (ja
Inventor
幡　俊雄
俊雄 幡
英賀谷　誠
誠 英賀谷
真也 石崎
真也 石崎
松田　誠
誠 松田
智一 名田
智一 名田
豊徳 植村
豊徳 植村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=50067866&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP6198874(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JP2016106441A publication Critical patent/JP2016106441A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6198874B2 publication Critical patent/JP6198874B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09918—Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09936—Marks, inscriptions, etc. for information
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings

Description

本発明は、照明装置および表示装置の光源などに利用可能な発光装置およびその製造方法に関する。
従来、発光素子（半導体発光素子とも言う）を光源として用いた照明装置および表示装置などが種々開発されている。このような発光装置として、基板上に配線パターンを形成し、さらに基板上に搭載された発光チップをダイボンディングによって配線パターンと接続した発光装置が知られている。また、このような発光装置では、発光チップのダイボンディング工程等において、基板の位置合わせが必要となるため、基板上にアライメントマークが形成される。
また、上記アライメントマークは、従来では、配線パターンと同時にメッキにより形成されていた。しかしながら、メッキによるアライメントマークの形成方法では、アライメントマークの面積が小さいことにより、メッキ時にアライメントマーク形成箇所での電流密度が高くなり、メッキ層にメッキ斑を生じるという問題があった。そして、メッキ斑を生じると、アライメントマークの認識が良好に行われないという問題があった。
これに対し、特許文献１には、アライメントマークを配線パターンと一体的に形成したり、面積の大きなアライメントマークを形成したりすることで、メッキ斑による不良を低減する技術が開示されている。
また、面積の小さなアライメントマークは、基板からの剥がれを防止するために、基板に対して密着性を高めることが好ましい。特許文献２，３には、金属配線と絶縁基板との両方にガラス成分を含有させ、金属配線と絶縁基板との密着性を向上させる技術が開示されている。
ＷＯ ２０１２／０５７０３８ Ａ１ 特開２００７−２７３９１４号公報 特開平１１−１２６９７１号公報
特許文献１における従来技術は、面積が小さいアライメントマークを形成しないことで、メッキ時にアライメントマーク形成箇所での電流密度が高くなることを回避し、メッキ斑を低減するものである。このため、上記特許文献１におけるメッキ形成方法では、ある程度面積が大きいアライメントマークでなければ形成することができない。
このため、特許文献１における従来技術では、以下のような問題が生じる。
(A) アライメントマークの配置の自由度が減る。
(B) アライメントマークを光反射樹脂枠で覆う場合に、当該樹脂枠の幅が広くなり、発光装置の面積が大きくなる。
(C) アライメントマークを分離して、小さいアライメントマークを形成しようとする場合には、エッチングなどの新たな工程が必要となる。
(D) アライメントマークを配線パターンと一体的に形成する場合、アライメントマークが配線パターンの外側に形成され、アライメントマークが外側を向く。
例えば、上記(A)の課題に関しては、メッキによってアライメントマークを形成するためには、図５に示すように、メッキ時にアライメントマーク部分に電流を通すための支持体が必要となる。上記支持体は、他の配線パターンや発光素子の配置箇所と重ならないように形成される必要があるため、これにより、アライメントマークの配置箇所が制限される。また、図５の場合、アライメントマークは分離形成できるが、エッチングなどの新たな工程が必要となる。
また、上記(B)の課題に関して、図６を参照して説明すると以下の通りである。図６は、特許文献１において、面積の大きなアライメントマーク１１０，１１１を形成した場合の発光装置１００の上面図である。
発光装置１００は、発光素子形成領域１０１とその両側に形成された給電パターン１０２とを有している。給電パターン１０２のさらに外側には、アライメントマーク１１０，１１１が形成されている。光反射樹脂枠１０３は、発光素子形成領域１０１と給電パターン１０２との周囲を囲むように形成され、光反射樹脂枠１０３により囲まれた領域に封止樹脂を充填することにより発光素子および給電パターン１０２が保護される。このとき、発光素子形成領域１０１は、アライメントマーク１１０，１１１を覆うように形成されることが好ましい。これは、アライメントマーク１１０，１１１が発光素子形成領域１０１によって覆われることなく枠内部の領域に露出していると、アライメントマーク１１０，１１１による光の吸収が生じ、発光装置１００の光取り出し効率が低下するためである。しかしながら、アライメントマーク１１０，１１１の面積が大きければ、光反射樹脂枠１０３の形成面積も大きくなり、その結果、発光装置１００自体が大面積化するといった問題が生じる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、メッキ斑による不良を発生させること無く、面積が小さく、配置の自由度が高いアライメントマークを備えた発光装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
上記の課題を解決するために、本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に配置された発光素子と、前記基板上に配置され、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成され、かつ、ワイヤが電気的に接続された導電体配線と、前記基板上に配置されたアライメントマークと、前記発光素子に電源を供給するための電極であり、前記基板上に配置されたランド部と、前記ランド部近傍に形成され金属材料が含まれている極性マークと、前記発光素子を囲むように形成された光反射樹脂枠とを備えており、前記導電体配線が前記光反射樹脂枠により完全に覆われており、前記光反射樹脂枠の下方にのみ前記ワイヤが電気的に接続された前記導電体配線が配置され、かつ、上記アライメントマークの一部または全部が露出していることを特徴としている。
また、上記発光装置では、前記アライメントマークが前記光反射樹脂枠に覆われている構成とすることができる。
また、上記発光装置では、前記アライメントマークは、前記導電体配線の外側に配置され、前記アライメントマークは前記光反射樹脂枠に覆われていない構成とすることができる。
また、上記発光装置では、前記ランド部は、前記光反射樹脂枠の中心に対して対向して配置された一対のランド部として備えられており、前記ランド部は前記光反射樹脂枠で覆われていない構成とすることができる。
また、上記発光装置では、前記基板は、ガラス成分を含むセラミック基板であり、前記導電体配線および前記アライメントマークは、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含んでいる構成とすることができる。
また、上記発光装置では、前記導電体配線および前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有する構成とすることができる。
また、上記発光装置では、前記導電体配線は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有し、前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層のみの単層構造を有する構成とすることができる。
また、上記発光装置では、前記ランド部は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有する構成とすることができる。
上記の課題を解決するために、本発明の他の発光装置は、基板と、前記基板上に配置された発光素子と、前記基板上に配置され、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成され、かつ、発光素子と電気的に接続された導電体配線と、アライメントマークと、前記発光素子に電源を供給するための電極であり、前記発光素子の搭載領域に対して対向して配置されたランド部と、前記ランド部近傍に形成され金属材料が含まれている極性マークと、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された円環状の光反射樹脂枠とを備えており、前記導電体配線が光反射樹脂枠により覆われていることを特徴としている。
また、上記発光装置では、上記極性マークは、アノード電極およびカソード電極の極性を目視で認識可能とするためのマークであって、極性マークは、アノード電極の付近にプラス形状のマークを形成し、カソード電極の付近にマイナス形状のマークを形成されている構成とすることができる。
また、上記発光装置では、上記極性マークは、前記発光素子の搭載領域に対して対向して配置され、ランド部の近傍であって、基板の隅部以外の広い領域に配置されている構成とすることができる。
また、上記発光装置では、上記アライメントマークの一部または全部が、光反射樹脂枠に覆われることなく露出している構成とすることができる。
また、上記発光装置では、上記導電体配線上に保護素子が配置されている構成とすることができる。
上記の課題を解決するために、本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、導電体配線とアライメントマークとを印刷法によって同時に形成する第１工程と、基板上に、発光素子に電源を供給するためのランド部を、印刷法により面内均一な層として形成する第２工程と、基板上に、前記ランド部近傍に形成され金属材料が含まれている極性マークを、印刷法により形成する第３工程と、前記第１工程にて形成されたアライメントマークを用いて前記基板の位置合わせを行いながら、前記基板上に発光素子を搭載し、搭載された前記発光素子と前記導電体配線とをワイヤ接続する第４工程と、前記発光素子の搭載領域を囲み、かつ、ワイヤが電気的に接続された前記導電体配線を完全に覆うように光反射樹脂枠を形成する第５工程と、前記光反射樹脂枠により囲まれた領域に封止樹脂を充填する第６工程とを含むことを特徴としている。
本発明は、極性マークを金属材料で形成することで、耐環境性の向上と工程の簡略化とを図ることができる。
本発明の発光装置の構成例を示す上面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図１に示す発光装置の製造手順を示す図である。 本発明の発光装置の他の構成例を示す上面図である。 （ａ）は本発明の発光装置の他の構成例を示す上面図であり、（ｂ）は上記発光装置において導電体配線を二層構造とした例を示す側面図であり、（ｃ）は上記発光装置においてアライメントマークを二層構造とした例を示す側面図であり、（ｄ）は上記発光装置においてアライメントマークを単層構造とした例を示す側面図である。 従来の発光装置の構成例を示す上面図である。 従来の発光装置の他の構成例を示す上面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明に係る発光装置は、照明装置および表示装置などの光源として利用することが可能である。なお、以下の説明では、図１の平面視を上面視とする。
〔発光装置の構成〕
図１は、本実施の形態に係る発光装置１０の一構成例を示す上面図である。発光装置１０は、発光素子（半導体発光素子とも言う）を用いた発光装置であり、概略的には、基板１１、発光素子１２、光反射樹脂枠１３および封止樹脂を備えている。
基板１１は、セラミックからなる単層構造のセラミック基板である。基板１１は、上面視で矩形の外形形状を有している。基板１１の一方の面（以下、表面と称する）に、発光素子１２、光反射樹脂枠１３、および封止樹脂が設けられる。また、基板１１の表面には、導電体配線１４、ランド部としてのアノード電極１５およびカソード電極１６、アライメントマーク１８、および極性マーク１９等が直接形成されている。
導電体配線１４は、ワイヤボンディングにより発光素子１２と電気的に接続される電極であり、電気的な接続を行うために引き回された配線である。アノード電極１５およびカソード電極１６は、発光素子１２に電源を供給するための電極（ランド部）であり、発光装置１０の外部電源と接続可能となっている。アノード電極１５およびカソード電極１６は、基板１１の表面における、対角線上の各隅付近（図１中の左上および右下）に配置されている。すなわち、アノード電極１５およびカソード電極１６は、光反射樹脂枠の中心に対して対向して配置された一対のランド部として形成されている。
また、基板１１の表面には、さらに保護素子（図示せず）を形成してもよい。保護素子は、発光素子１２を静電耐圧から保護するための抵抗素子として形成されるものであり、複数の発光素子１２が直列接続された回路と並列接続されるように形成される。また、上記保護素子は、例えば、印刷抵抗にて形成するか、あるいはツェナーダイオードにより形成することができる。保護素子にツェナーダイオードを用いる場合には、該ツェナーダイオードが配線パターン上にダイボンドされ、さらにワイヤボンディングによって所望の配線と電気接続される。この場合も、ツェナーダイオードが複数の発光素子１２が直列接続された回路と並列接続される。
アライメントマーク１８は、主にボンディング工程時（ダイボンディングまたはワイヤボンディング）の基板１１の位置合わせ等に用いられるマークである。アライメントマーク１８は光反射性を有するように金属膜にて形成され、製造装置（ボンディング装置等）がアライメントマーク１８からの反射光を読み取ることによって基板１１の位置が認識される。
極性マーク１９は、アノード電極１５およびカソード電極１６の極性を目視で認識可能とするためのマークである。このため、極性マーク１９は、アノード電極１５の付近にプラス形状のマークを形成し、カソード電極１６の付近にマイナス形状のマークを形成することが好ましい。
発光素子１２は、例えば、発光ピーク波長が４５０ｎｍ付近の青色発光素子であるが、これに限るものではない。発光素子１２としては、例えば、発光ピーク波長が３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの紫外（近紫外）発光素子を用いてもよく、これにより、さらなる発光効率の向上を図ることができる。発光素子１２は、基板１１の表面に、所定の発光量を満たすような所定の位置に複数（本実施例では２０個）搭載されている。発光素子１２の電気的接続は、ワイヤ２０を用いたワイヤボンディングによって行われている。ワイヤ２０は、例えば金ワイヤを用いることができる。
光反射樹脂枠１３は、発光素子１２からの光を反射するとともに、導電体配線１４による光の吸収を防止するものである。また、光反射樹脂枠１３は導電体配線１４の押さえにもなる。光反射樹脂枠１３は、全ての発光素子１２が搭載される搭載領域を囲むように、例えば、上面視で円環状に設けられている。また、光反射樹脂枠１３が導電体配線１４を覆うように形成されることで、導電体配線１４による光の吸収が防止される。このため、光反射樹脂枠１３が円環状に形成される場合は、導電体配線１４も上記円環の一部の円弧状となるように形成される。また、印刷抵抗からなる保護素子（もしくは保護素子の一部）が形成される場合には、該印刷抵抗からなる保護素子も上記円環の一部の円弧状となるように形成され、光反射樹脂枠１３によって覆われる。これにより、光反射樹脂枠１３は、保護素子による光の吸収をも防止することができる。光反射樹脂枠１３は、例えばアルミナフィラー含有シリコーン樹脂からなるが、これに限らず、光反射特性を持つ絶縁性樹脂を用いればよい。また、光反射樹脂枠１３、導電体配線１４および保護素子の形状は、上述のような円環状（円弧状）に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。
封止樹脂は、透光性樹脂からなる封止樹脂層であり、光反射樹脂枠１３により囲まれた領域に充填されて形成されている。すなわち、封止樹脂は、発光素子１２の搭載領域上に形成され、発光素子１２、ワイヤ２０等を封止する。
上記封止樹脂には蛍光体を含有させることができる。上記蛍光体としては、発光素子１２から放出された１次光によって励起され、１次光よりも長波長の光を放出する蛍光体が用いられ、所望の白色の色度に応じて適宜選択することができる。例えば、昼白色や電球色の組合せとして、ＹＡＧ黄色蛍光体と（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ赤色蛍光体との組合せや、ＹＡＧ黄色蛍光体とＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ赤色蛍光体との組合せがあり、高演色の組合せとして、（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ赤色蛍光体とＣａ3（Ｓｃ、Ｍｇ）2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ緑色蛍光体との組合せなどがある。但し、これらに限らず、他の蛍光体の組み合わせでもよく、擬似白色としてＹＡＧ黄色蛍光体のみを含む構成でもよい。
〔発光装置の製造方法〕
次に、上記構成を有する発光装置１０の製造方法について説明する。なお、発光装置１０は、複数の発光装置群からなる一体ものとして形成され、製造工程の最後に個々の発光装置の周囲（四方）がダイシングにて分割されることで、個々の発光装置として形成される。但し、以下の説明では、説明の便宜上、適宜ある１つの発光装置に着目して説明および図示する。
＜導電体配線形成工程＞
図２（ａ）〜（ｄ）は、発光装置１０の製造手順を示す図である。
まず、図２（ａ）に示すように、基板１１上に、導電体配線１４、導電体配線１４とランド部とを電気的に接続するための導電部の一部、およびアライメントマーク１８を形成する。本実施の形態においては、これらは印刷法によって形成される。具体的には、金ペーストによる印刷後（膜厚２μｍ以上）、乾燥工程、および８５０℃以上での焼成工程を経て、導電体配線１４、上記導電部およびアライメントマーク１８が形成される。
本実施の形態に係る発光装置１０は、アライメントマーク１８が印刷によって形成される点に特徴を有する。すなわち、アライメントマーク１８が印刷によって形成されることで、メッキにてアライメントマークを形成する場合のメッキ斑の問題を回避でき、良好な認識が可能なアライメントマークを形成できる。また、面積の小さなアライメントマークを配置の制限を受けることなく、任意の箇所に形成可能であり、アライメントマークによる光吸収を低減して、発光装置１０における光の取り出し効率を向上させることができる。
次に、図２（ｂ）に示すように、基板１１上に、ランド部（すなわち、アノード電極１５およびカソード電極１６）、導電体配線１４とランド部とを電気的に接続するための導電部の一部を形成する。本実施の形態においては、これらは印刷法によって形成される。具体的には、銀（または銀白金、銀パラジウム）ペーストによる印刷後（膜厚１８μｍ以上）、乾燥工程、および８５０℃以上での焼成工程を経て、ランド部および上記導電部が形成される。
さらに、印刷法によって極性マーク１９を形成する。極性マークは、金ペーストによる印刷後（膜厚１８μｍ以上）、乾燥工程、および８５０℃以上での焼成工程を経て形成される。また、極性マークの形成時には、同時に基板の型番を示す記号を形成しても良い。
尚、保護素子を形成する場合には、印刷および焼成を含む製造工程により、印刷抵抗として保護素子を基板１１上に形成すればよい。印刷工程では、抵抗成分を含むペーストを、導電体配線１４の端に重ねるように（導電体配線１４上に一部が接触するように）所定の位置にスクリーン印刷する。上記ペーストは、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ2、導電粉末としてルテニウム）、団結剤、樹脂、および溶剤により構成される。そして焼成工程によって、印刷したペーストを基板１１上に定着させることにより、保護素子を形成する。なお、導電粉末としては、ルテニウムに限らず、焼成温度以下では軟化しない金属または酸化物であればよい。
＜発光素子搭載工程＞
続いて、図２（ｃ）に示すように、発光素子１２を基板１１に実装する。具体的には、まず、発光素子１２を、例えばシリコーン樹脂などの接着樹脂を用いてダイボンディングする。本実施の形態では、発光素子１２は、導電体配線１４で囲まれる領域に２０個配置される。
発光素子１２は、上面視長方形の外形形状を有するチップであり、例えば、厚みが１００〜１８０μｍである。発光素子１２の長方形の上面には、アノード用およびカソード用の２つのチップ電極が、長手方向に対向するように設けられている。発光素子１２は、ほぼ列状に並べられており、本実施の形態では、１列につき４個の発光素子１２が５列配置されている。
続いて、ワイヤ２０を用いて、ワイヤボンディングを行う。このとき、導電体配線１４に隣接して配置された発光素子１２には、その導電体配線１４とチップ電極との間でワイヤボンディングを行う。導電体配線１４を挟んでいない、隣接する発光素子１２は、両者のチップ電極間をワイヤボンディングにより直接接続する。これにより、アノード電極１５とカソード電極１６との間において、４個の発光素子１２が直列に接続された直列回路部が、５個並列に接続される。
＜第２光反射樹脂層形成工程＞
続いて、図２（ｄ）に示すように、光反射樹脂枠１３を、導電体配線１４を覆うように形成する。具体的には、例えば樹脂吐出装置（図示せず）を用いて、液状のアルミナフィラー含有シリコーン樹脂を、丸形状の開口部を持つノズルから吐出しながら、所定の位置に描画する。そして、硬化温度：１２０℃、硬化時間：１時間の条件で加熱硬化処理を施すことにより、光反射樹脂枠１３を形成する。なお、硬化温度および硬化時間は一例であり、これに限定されない。
光反射樹脂枠１３は、例えば、幅が０．９ｍｍである。光反射樹脂枠１３の最上部の高さは、発光素子１２の上面の高さよりも高く、かつ、発光素子１２間を接続するワイヤ２０（ワイヤーループ）よりも高くなるように設定されている。これにより、発光素子１２とワイヤ２０とを露出しないように封止樹脂を形成することが可能となり、これらを保護することが可能となる。
また、導電体配線１４に接続されたワイヤ２０は、光反射樹脂枠１３によって、少なくとも一部が覆われる。これにより、ワイヤ剥がれを低減したり、ワイヤ剥がれを防止することが可能となっている。また、ランド部（すなわち、アノード電極１５およびカソード電極１６）は、光反射樹脂枠１３によって覆われない。
また、本実施の形態に係る発光装置１０では、アライメントマーク１８を光反射樹脂枠１３の形成領域に配置し、光反射樹脂枠１３によってアライメントマーク１８を覆う構造としても良い。アライメントマーク１８を光反射樹脂枠１３によって覆う場合、発光装置１０の外観が良くなるだけでなく、アライメントマーク１８による光の吸収を防止して光の取り出し効率を向上させることができる。尚、アライメントマーク１８は、必ずしも光反射樹脂枠１３によって覆われている必要は無い。アライメントマーク１８が光反射樹脂枠１３によって覆われていない場合であっても、本実施の形態に係る発光装置１０では、面積の小さなアライメントマーク１８を形成することで、アライメントマーク１８による光の吸収を最小限にすることができる。
樹脂吐出装置には、丸形状の開口部を持つノズルを用いたが、これに限らず、例えば、光反射樹脂枠１３の描画形状（ここでは、円環状）に合わせた開口部を持つノズルを用いてもよい。このようなノズルを用いる場合においては、開口部から一度に樹脂が吐き出されるので、継ぎ目の無い環状の光反射樹脂枠１３を短時間で作製することができる。つまりは、継ぎ目部の膨らみが抑えられ、封止樹脂の漏れを低減することが可能な光反射樹脂枠１３を形成することができる。
＜封止樹脂形成工程＞
続いて、封止樹脂を基板１１上に形成する。具体的には、液状の透光性樹脂に蛍光体を分散させたものである蛍光体含有樹脂を、光反射樹脂枠１３により囲まれた領域を満たすよう注入する。蛍光体含有樹脂を注入した後は、所定の温度および時間で硬化させる。これによって、発光素子１２およびワイヤ２０が封止樹脂によって覆われて保護される。
＜基板分割工程＞
最後に、複数の発光装置１０が作りこまれた一枚の基板から、これを分割ラインに沿って分割し、個々の発光装置１０を得る。分割方法としては、分割ラインに沿って基板１１の裏面に設けられた分割溝の上方を、表面側から分割ブレードにより剪断する方法がある。この方法によれば、基板１１は分割溝に沿って割れるので、容易に分割することができる。分割することにより、個片化された発光装置１０を作製し得る。
〔変形例〕
図１に示す発光装置１０では、アライメントマーク１８を導電体配線１４の内側に形成した例を示したが、図３に示す発光装置３０のように、アライメントマーク１８を導電体配線１４の外側に形成しても良い。尚、アライメントマーク１８を導電体配線１４の外側に形成する場合には、アライメントマーク１８は光反射樹脂枠１３によって覆われない方が良い場合もある。これは、アライメントマーク１８が導電体配線１４の外側に離れて形成される場合には、アライメントマーク１８を光反射樹脂枠１３によって覆おうとすると、光反射樹脂枠１３の幅が広くなりすぎるためである。また、アライメントマーク１８を導電体配線１４の外側にある場合は、光反射樹脂枠１３によって覆わなくてもアライメントマーク１８による光の吸収が生じず、光反射樹脂枠１３によって覆う必要がないためでもある。
ここで、図１に示すように基板１１上に搭載される発光素子数が多い場合、発光素子搭載領域の面積が大きくなりすぎ、チップダイボンド時にアライメントマーク識別装置の認識領域から外れ、アライメントマーク１８が認識できないことが起こりうる。このような場合、導電体配線１４の内側（光反射樹脂枠１３の枠内）にアライメントマーク１８を配置することで上記認識不良を低減することができる。また、図３に示すように発光素子数が少ない場合は、発光素子搭載領域の面積が小さいため、アライメントマーク１８は導電体配線１４の外側（光反射樹脂枠１３の枠外）にあってもよい。すなわち、アライメントマーク１８の配置箇所を調整することで、発光素子搭載領域の面積の大小に係らず同じ識別装置が使用できる。このため、本実施の形態に係る発光装置１０のように、印刷によって面積の小さなアライメントマーク１８が形成でき、アライメントマーク１８の配置が自由になることは極めて重要なことである。
また、図３に示す発光装置３０では、発光素子１２の配置が図１に示す発光装置１０と異なっている。具体的には、発光装置１０では、図面の最上列および最下列における発光素子１２の配列が、光反射樹脂枠１３の形状に沿って円弧状となっているが、発光装置３０では、全ての発光素子１２の列が直線状の配列となっている。このような発光素子の配列は、発光装置に要求される光の均一性等に応じて任意に設計することが可能である。
また、本実施の形態に係る発光装置１０および３０では、基板１１をセラミック基板とし、印刷によって形成される導電体配線１４やランド部やアライメントマーク１８は、基板１１に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含むことが好ましい。この場合、印刷後の焼成工程において、基板１１中のガラス成分と、導電体配線１４やランド部やアライメントマーク１８中のガラス成分とが相互拡散する。これにより、導電体配線１４、ランド部およびアライメントマーク１８の基板１１に対する密着性が向上する。本実施の形態のように、面積の小さなアライメントマーク１８が形成される場合には、基板１１に対する密着性を向上させることによってアライメントマーク１８の剥がれを防止でき、製造歩留まりを向上させることができる。
また、導電体配線１４およびアライメントマーク１８に、基板１１に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含ませる場合には、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、導電体配線１４およびアライメントマーク１８は二層構造としても良い。この場合、導電体配線１４およびアライメントマーク１８は、基板１１側に密着する第一層をガラス成分が多い層とし、その上に金属のみ（すなわち、ガラス成分を含まない）またはガラス成分が少ない層である第二層を形成する。このような二層構造とすることで、導電体配線１４は、基板１１に対する密着性と、発光素子１２とのワイヤボンディングの良好性とを兼ね備えることができる。すなわち、導電体配線１４の表面は、発光素子１２との電気接続のためにワイヤボンディングされるため、ガラス成分が含まれてないことが好ましい（ガラス成分が多いと、ワイヤ剥がれが発生し易く、ワイヤの付きが悪いことが生じる）。導電体配線１４を、図４（ｂ）に示すような二層構造とすることで、導電体配線１４の表面層（第二層）でのガラス成分をなくすか、もしくは少なくすることができ、ワイヤボンディングにおけるワイヤ剥がれを防止できる。または、ワイヤボンディングの際の弾きによる（密着性不良）ワイヤが付かないという不良が低減できる。
さらには、図４（ｂ）に示すように、ランド部（アノード電極１５およびカソード電極１６）を同様の二層構造としても良い。ランド部においても、基板１１側に密着する第一層をガラス成分が多い層とし、その上に金属のみ（すなわち、ガラス成分を含まない）またはガラス成分が少ない層である第二層を形成することで、ランド部での半田付けの際に半田とランド部の第二層とで半田付きがよくなり、半田付きが悪いと言う不良が低減される。また、第二層はガラス成分の相互拡散の影響が少なく、金属本来の電気抵抗率を有することになり発光装置におよぼす電気的影響が少なくなる。
尚、アライメントマーク１８は、導電体配線１４と同じ印刷工程で形成されるため、図４（ｃ）に示すような二層構造とすることもできる。但し、アライメントマーク１８は、導電体配線１４とは異なり、電気的な機能を持たす必要がないため、図４（ｄ）に示すような単層構造（ガラス成分を多く含む層）としても良い。この場合、導電体配線１４の第一層を印刷するときに同時にアライメントマーク１８を印刷し、導電体配線１４の第二層を印刷するときにはアライメントマーク１８を印刷しなければよい。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
１０，３０ 発光装置
１１ 基板
１２ 発光素子
１３ 光反射樹脂枠
１４ 導電体配線
１５ アノード電極
１６ カソード電極
１８ アライメントマーク
１９ 極性マーク

Claims (14)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置された発光素子と、
    前記基板上に配置され、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成され、かつ、ワイヤが電気的に接続された導電体配線と、
    前記基板上に配置されたアライメントマークと、
    前記発光素子に電源を供給するための電極であり、前記基板上に配置されたランド部と、
    前記ランド部近傍に形成され、金属材料と、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分とが含まれている極性マークと、
    前記発光素子を囲むように形成された光反射樹脂枠とを備えており、
    前記導電体配線が前記光反射樹脂枠により完全に覆われており、
    前記光反射樹脂枠の下方にのみ前記ワイヤが電気的に接続された前記導電体配線が配置され、かつ、上記アライメントマークの一部または全部が露出していることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項１に記載の発光装置であって、
    前記アライメントマークが前記光反射樹脂枠に覆われていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項１に記載の発光装置であって、
    前記アライメントマークは、前記導電体配線の外側に配置され、
    前記アライメントマークは前記光反射樹脂枠に覆われていないことを特徴とする発光装置。
  4. 請求項１に記載の発光装置であって、
    前記ランド部は、前記光反射樹脂枠の中心に対して対向して配置された一対のランド部として備えられており、
    前記ランド部は前記光反射樹脂枠で覆われていないことを特徴とする発光装置。
  5. 請求項１から４の何れか一項に記載の発光装置であって、
    前記基板は、ガラス成分を含むセラミック基板であり、
    前記導電体配線および前記アライメントマークは、前記基板に含有されるガラス成分と同一のガラス成分を含んでいることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項５に記載の発光装置であって、
    前記導電体配線および前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有することを特徴とする発光装置。
  7. 請求項５に記載の発光装置であって、
    前記導電体配線は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造を有し、
    前記アライメントマークは、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層のみの単層構造を有することを特徴とする発光装置。
  8. 請求項５に記載の発光装置であって、
    前記ランド部は、ガラス成分を多く含み、基板に密着する第一層と、前記第一層の上に形成され、ガラス成分を含まないまたはガラス成分が少ない層である第二層との二層構造
    を有することを特徴とする発光装置。
  9. 基板と、
    前記基板上に配置された発光素子と、
    前記基板上に配置され、前記発光素子の搭載領域を囲むように形成され、かつ、発光素子と電気的に接続された導電体配線と、
    アライメントマークと、
    前記発光素子に電源を供給するための電極であり、前記発光素子の搭載領域に対して対向して配置されたランド部と、
    前記ランド部近傍に形成され金属材料が含まれている極性マークと、
    前記発光素子の搭載領域を囲むように形成された円環状の光反射樹脂枠とを備えており、
    前記導電体配線が光反射樹脂枠により覆われていることを特徴とする発光装置。
  10. 請求項９に記載の発光装置であって、
    上記極性マークは、アノード電極およびカソード電極の極性を目視で認識可能とするためのマークであって、極性マークは、アノード電極の付近にプラス形状のマークを形成し、カソード電極の付近にマイナス形状のマークを形成されていることを特徴とする発光装置。
  11. 請求項９または１０に記載の発光装置であって、
    上記極性マークは、前記発光素子の搭載領域に対して対向して配置され、ランド部の近傍であって、基板の隅部以外の広い領域に配置されていることを特徴とする発光装置。
  12. 請求項９から１１の何れか一項に記載の発光装置であって、
    上記アライメントマークの一部または全部が、光反射樹脂枠に覆われることなく露出していることを特徴とする発光装置。
  13. 請求項１から１２の何れか一項に記載の発光装置であって、
    上記導電体配線上に保護素子が配置されていることを特徴とする発光装置。
  14. 基板上に、導電体配線とアライメントマークとを印刷法によって同時に形成する第１工程と、
    基板上に、発光素子に電源を供給するためのランド部を、印刷法により面内均一な層として形成する第２工程と、
    基板上に、前記ランド部近傍に形成され金属材料が含まれている極性マークを、印刷法により形成する第３工程と、
    前記第１工程にて形成されたアライメントマークを用いて前記基板の位置合わせを行いながら、前記基板上に発光素子を搭載し、搭載された前記発光素子と前記導電体配線とをワイヤ接続する第４工程と、
    前記発光素子の搭載領域を囲み、かつ、ワイヤが電気的に接続された前記導電体配線を完全に覆うように光反射樹脂枠を形成する第５工程と、
    前記光反射樹脂枠により囲まれた領域に封止樹脂を充填する第６工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2016058468A 2012-08-06 2016-03-23 発光装置および発光装置の製造方法 Expired - Fee Related JP6198874B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012174009 2012-08-06
JP2012174009 2012-08-06

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014529397A Division JPWO2014024627A1 (ja) 2012-08-06 2013-07-11 発光装置および発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016106441A JP2016106441A (ja) 2016-06-16
JP6198874B2 true JP6198874B2 (ja) 2017-09-20

Family

ID=50067866

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014529397A Pending JPWO2014024627A1 (ja) 2012-08-06 2013-07-11 発光装置および発光装置の製造方法
JP2016058468A Expired - Fee Related JP6198874B2 (ja) 2012-08-06 2016-03-23 発光装置および発光装置の製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014529397A Pending JPWO2014024627A1 (ja) 2012-08-06 2013-07-11 発光装置および発光装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9484309B2 (ja)
EP (1) EP2882000A4 (ja)
JP (2) JPWO2014024627A1 (ja)
CN (1) CN104521014B (ja)
TW (2) TWI583032B (ja)
WO (1) WO2014024627A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6336787B2 (ja) * 2014-03-12 2018-06-06 シチズン電子株式会社 光源ユニット
CN106206669B (zh) * 2016-08-31 2018-12-07 昆山维信诺科技有限公司 用于异形oled产品的布线方法以及异形oled产品
JP2018121038A (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 実装基板、発光装置、及び、照明装置
JP2019016728A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、照明装置、及び、実装基板
JP7116330B2 (ja) * 2020-01-31 2022-08-10 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN112904682B (zh) * 2021-01-22 2023-08-01 西华大学 一种测量倾角和旋转角的光刻对准标记及对准方法
TWI799272B (zh) * 2022-03-01 2023-04-11 南亞科技股份有限公司 具有疊置標記結構之半導體元件結構的製備方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903344A (en) 1974-02-26 1975-09-02 Rca Corp Adherent solderable cermet conductor
JPS5617386A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Tokyo Shibaura Electric Co Panel display device
JP3287285B2 (ja) 1997-10-24 2002-06-04 住友金属工業株式会社 ガラスセラミックス配線基板の製造方法
JP2002050847A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 電子部品実装用ホルダ
EP1348618B1 (en) 2002-03-28 2006-09-06 BRP-Rotax GmbH & Co. KG Easy shifting transmission
US6890050B2 (en) * 2002-08-20 2005-05-10 Palo Alto Research Center Incorporated Method for the printing of homogeneous electronic material with a multi-ejector print head
JP2004207655A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属ベース基板および発光ユニット
WO2006022098A1 (ja) * 2004-08-27 2006-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ｌｃ複合部品
JP2006313321A (ja) * 2005-04-04 2006-11-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
US7388296B2 (en) * 2005-06-09 2008-06-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate and bonding pad composition
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
JP2007273914A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Kyocera Corp 配線基板および配線基板の製造方法
JP2008140889A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Fujitsu Ltd 有極部品のプリント基板への誤挿入検出構造および誤挿入検出方法
US8049237B2 (en) * 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
JP5345363B2 (ja) 2008-06-24 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置
JP5283539B2 (ja) 2009-03-03 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法
US8796706B2 (en) 2009-07-03 2014-08-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
JP5623062B2 (ja) * 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5768435B2 (ja) * 2010-04-16 2015-08-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012004519A (ja) * 2010-05-17 2012-01-05 Sharp Corp 発光装置および照明装置
EP2400818A2 (en) * 2010-06-28 2011-12-28 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting module and lighting apparatus with the same
JP5459104B2 (ja) 2010-06-28 2014-04-02 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及びこれを備えた照明器具
JP2012015329A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Toshiba Lighting & Technology Corp 回路板
JP5612991B2 (ja) * 2010-09-30 2014-10-22 シャープ株式会社 発光装置及びこれを備えた照明装置
WO2012057038A1 (ja) 2010-10-26 2012-05-03 東芝ライテック株式会社 発光モジュール、および照明器具

Also Published As

Publication number Publication date
US10224469B2 (en) 2019-03-05
JP2016106441A (ja) 2016-06-16
CN104521014B (zh) 2018-06-22
CN104521014A (zh) 2015-04-15
EP2882000A1 (en) 2015-06-10
TW201614876A (en) 2016-04-16
TWI583032B (zh) 2017-05-11
US20170012189A1 (en) 2017-01-12
EP2882000A4 (en) 2016-03-16
US20150171294A1 (en) 2015-06-18
TW201409782A (zh) 2014-03-01
TWI523280B (zh) 2016-02-21
WO2014024627A1 (ja) 2014-02-13
JPWO2014024627A1 (ja) 2016-07-25
US9484309B2 (en) 2016-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6198874B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP5481277B2 (ja) 発光装置
TWI513063B (zh) 發光裝置及發光裝置之製造方法
JP5768435B2 (ja) 発光装置
US20170033089A1 (en) Light-emitting device and lighting device provided with the same
JP6323217B2 (ja) 発光装置
JP2011014695A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP5740976B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
US20150192281A1 (en) Light emission device, and illumination device
CN110611024B (zh) 发光模块及发光模块的制造方法
JP6104946B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5573602B2 (ja) 発光装置
JP5406691B2 (ja) 半導体発光装置
US20150049481A1 (en) Lighting device
JP6110896B2 (ja) 発光装置及びこれを備えた照明装置
JP6092136B2 (ja) 発光装置
JP5843900B2 (ja) 発光装置
JP5865929B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170725

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170822

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6198874

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees