JP5481277B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 221
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 221
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 217
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 163
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 34
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Description
本発明の発光装置は、上記課題を解決するために、導電部材が表面に部分的に形成された単層構造の基板と、上記導電部材に電気的に接続されるように上記基板の表面に直接搭載された複数の発光素子と、光反射特性を持つ第1樹脂からなる第1光反射樹脂層と、上記複数の発光素子が搭載される搭載領域を囲むように上記基板の表面に環状に設けられた、光反射特性を持つ第2樹脂からなる第2光反射樹脂層と、上記複数の発光素子を覆う封止樹脂とを備え、上記導電部材のうち、上記搭載領域に形成された導電部材は、上記第1光反射樹脂層により覆われ、上記第2光反射樹脂層の下方に形成された導電部材は、上記第1光反射樹脂層を介して当該第2光反射樹脂層により覆われている、および、当該第2光反射樹脂層により直接覆われている、のいずれかであることを特徴としている。
本発明の発光装置は、上記導電部材は、少なくとも、上記基板の表面内にある第1方向に延伸して形成された第1導電体配線と、上記第1方向と直交する第2方向に沿って上記第1導電体配線に対向し、上記第1方向に延伸して形成された第2導電体配線と、上記第1導電体配線の延長線上において、上記第1方向に延伸して形成された第3導電体配線と、上記第2方向に沿って上記第3導電体配線に対向し、上記第2導電体配線の延長線上において上記第1方向に延伸して形成された第4導電体配線と、上記第2導電体配線および上記第3導電体配線に接続され、上記第2方向に延伸して形成された第5導電体配線と、上記第1導電体配線および上記第2導電体配線に接触するように、上記第2方向に延伸して形成された第1印刷抵抗と、上記第3導電体配線および上記第4導電体配線に接触するように、上記第2方向に延伸して形成された第2印刷抵抗とを含み、上記第5導電体配線は、上記搭載領域に配置され、上記第1導電体配線、上記第2導電体配線、上記第3導電体配線、上記第4導電体配線、上記第1印刷抵抗、および上記第2印刷抵抗は、上記第2光反射樹脂層の下方に配置されていることが好ましい。
本発明の発光装置は、上記第5導電体配線を覆う第1光反射樹脂層は、5μm〜50μmの高さで形成されていることが好ましい。
本発明の発光装置は、上記複数の発光素子は、上記第1導電体配線、上記第2導電体配線、上記第5導電体配線、および上記第1印刷抵抗で囲まれる領域と、上記第3導電体配線、上記第4導電体配線、上記第5導電体配線、および上記第2印刷抵抗で囲まれる領域とに、それぞれ複数ずつ配置されており、上記第1導電体配線と上記第2導電体配線との間において、2以上の発光素子が直列に接続された直列回路部が2以上並列に接続され、上記第3導電体配線と上記第4導電体配線との間において、2以上の発光素子が直列に接続されてなる直列回路部が2以上並列に接続されていることが好ましい。
本発明の発光装置は、上記第1印刷抵抗と当該第1印刷抵抗に最も近い発光素子との配置間隔、上記第2印刷抵抗と当該第2印刷抵抗に最も近い発光素子との配置間隔、および、上記第5導電体配線と当該第5導電体配線に最も近い発光素子との配置間隔は、0.55mm以上であることが好ましい。
係る発光装置は、照明装置および表示装置などの光源として利用することが可能である。なお、以下の説明では、図1中の左右方向をx方向(第1方向)と称し、図1中の上下方向をy方向(第2方向)と称する。また、図1の平面視を上面視とする。
図1は、本実施の形態の発光装置100の一構成例を示す上面図である。図2〜図8は、発光装置100の製造工程を示している。図2は、導電体配線106および印刷抵抗104を形成したときの構成を示す。図3は、第1光反射樹脂層108を形成したときの構成を示す。図4は、発光素子110を搭載したときの構成を示す。図5(a)は図2のA−A線断面図であり、図5(b)は図3のB−B線断面図であり、図5(c)は図4のC−C線断面図である。図6は、第2光反射樹脂層120を形成したときの構成を示す。図7(a)は図6のD−D線断面図であり、図7(b)は封止樹脂を形成したときの構成を示す。図8(a)は図6のE−E線断面図であり、図8(b)は封止樹脂を形成したときの構成を示す。
20nmの紫外(近紫外)発光素子を用いてもよく、これにより、さらなる発光効率の向上を図ることができる。発光素子110は、図4に明示されるように、基板102の表面に、所定の発光量を満たすような所定の位置に、複数(本実施例では60個)搭載されている。発光素子110の電気的接続は、ワイヤ112を用いたワイヤボンディングによって行われている。ワイヤ112は、例えば金からなる。
次に、上記構成を有する発光装置100の製造方法について説明する。なお、発光装置100は、複数の発光装置群からなる一体ものとして形成され、製造工程の最後に個々の発光装置の周囲(四方)がダイシングにて分割されることで、個々の発光装置として形成される。但し、以下では、説明の便宜上、適宜ある1つの発光装置に着目して説明および図示する。
まず、図2に示すように、基板102に、導電体配線106、アノード電極114、およびカソード電極116を形成する。これらは、例えば印刷方法などによって形成することができる。
配線106d(第3導電体配線)は、導電体配線106bの延長線上において、x方向に延伸して形成されている。導電体配線106dは、導電体配線106bに接続されていない。導電体配線106e(第4導電体配線)は、y方向に沿って導電体配線106dに対向し、導電体配線106cの延長線上においてx方向に延伸して形成されている。導電体配線106eは、導電体配線106cに接続されていない。導電体配線106aは、発光部のほぼ中心となるように配置されている。すなわち、導電体配線106aは、発光素子110の搭載領域において、該搭載領域を上面視で2分割する位置に配置されている。導電体配線106b〜106eは、発光素子110の搭載領域よりも外側であって、第2光反射樹脂層120の下方に配置されている。また、導電体配線106bはアノード電極114に接続され、導電体配線106eはカソード電極116に接続されている。
続いて、図2に示すように、印刷抵抗104を基板102に形成する。具体的には、(1)印刷、(2)焼成を含む製造工程により、印刷抵抗104を形成する。印刷工程では、抵抗成分を含むペーストを、導電体配線106の端に重ねるように(導電体配線106上に一部が接触するように)所定の位置にスクリーン印刷する。上記ペーストは、二酸化ルテニウム(RuO2、導電粉末としてルテニウム)、団結剤、樹脂、および溶剤により構成される。そして焼成工程において、その基板102を電気炉で焼いてペーストを定着させることにより、印刷抵抗104を形成する。なお、導電粉末としては、ルテニウムに限らず、焼成温度以下では軟化しない金属または酸化物であればよい。
続いて、図3に示すように、第1光反射樹脂層108を、導電体配線106aおよび印刷抵抗104を覆うように形成する。第1光反射樹脂層108は、例えば印刷方法などによって形成することができる。なお、第1光反射樹脂層108は、印刷方法によって形成した後に、温度800℃、10分間の条件で、加熱処理を行う。
防止になっている。
続いて、図4に示すように、発光素子110を基板102に実装する。具体的には、まず、発光素子110を、例えばシリコーン樹脂などの接着樹脂を用いてダイボンディングする。発光素子110は、導電体配線106a・106b・106c並びに印刷抵抗104aで囲まれる領域と、導電体配線106a・106d・106e並びに印刷抵抗104bで囲まれる領域と、の2つの領域に、それぞれ30個ずつ配置する。すなわち、合計で60個の発光素子110を配置する。
印刷抵抗104−発光素子110間の配置間隔は、0.55mm以上、好ましくは0.55mm〜0.92mmの範囲が良く、0.55mmが最適であることが分かった。
続いて、図6に示すように、第2光反射樹脂層120を、導電体配線106b〜106e、および、印刷抵抗104を覆う第1光反射樹脂層108を、覆うように形成する。具体的には、例えば樹脂吐出装置(図示せず)を用いて、液状のアルミナフィラー含有シリコーン樹脂を、丸形状の開口部を持つノズルから吐出しながら、所定の位置に描画する。そして、硬化温度:120℃、硬化時間:1時間の条件で加熱硬化処理を施すことにより、第2光反射樹脂層120を形成する。なお、硬化温度および硬化時間は一例であり、これに限定されない。
わち、導電体配線106b〜106eのそれぞれと第2光反射樹脂層120とは積層されている。第2光反射樹脂層120は、発光素子110に干渉しない。
続いて、封止樹脂122を基板102に形成する。具体的には、液状の透光性樹脂に蛍光体を分散させたものである蛍光体含有樹脂を、第2光反射樹脂層120により囲まれた領域を満たすよう注入する。蛍光体含有樹脂を注入した後は、所定の温度および時間で硬化させる。これにより、封止樹脂122を形成する。
最後に、図9に示した分割ライン160に沿って、個別の発光装置100に分割する。分割方法としては、分割ライン160に沿って基板102aの裏面に設けられた分割溝(図示せず)の上方を、表面側から分割ブレードにより剪断する方法がある。この方法によれば、基板102aは分割溝に沿って割れるので、容易に分割することができる。分割することにより、図1に示したように、個片化された発光装置100を作製し得る。
102 基板
104 印刷抵抗(導電部材)
104a 印刷抵抗(第1印刷抵抗)
104b 印刷抵抗(第2印刷抵抗)
106 導電体配線(導電部材)
106a 導電体配線(第5導電体配線)
106b 導電体配線(第1導電体配線)
106c 導電体配線(第2導電体配線)
106d 導電体配線(第3導電体配線)
106e 導電体配線(第4導電体配線)
108 第1光反射樹脂層
110 発光素子
112 ワイヤ
120 第2光反射樹脂層
122 封止樹脂
700 ノズル
710 開口部
Claims (14)
- 導電部材が表面に部分的に形成された単層構造の基板と、
上記導電部材に電気的に接続されるように上記基板の表面に直接搭載された複数の発光素子と、
光反射特性を持つ第1樹脂からなる第1光反射樹脂層と、
上記複数の発光素子が搭載される搭載領域を囲むように上記基板の表面に環状に設けられた、光反射特性を持つ第2樹脂からなる第2光反射樹脂層と、
上記複数の発光素子を覆う封止樹脂とを備え、
上記導電部材は、上記搭載領域を平面視で少なくとも2つの領域に分割する位置に形成された配線を含み、
上記第2光反射樹脂層の最上部の高さは、上記配線を覆う上記第1光反射樹脂層の最上部の高さよりも高くなるように設定されており、
上記第2光反射樹脂層の下方に形成された導電部材は、上記第1光反射樹脂層を介して当該第2光反射樹脂層により覆われている、および、当該第2光反射樹脂層により直接覆われている、のいずれかであることを特徴とする発光装置。 - 上記第2光反射樹脂層の下方に形成された導電部材は、当該第2光反射樹脂層の内側端と外側端との間の中間位置よりも上記発光素子から遠ざかる方向に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記導電部材は、少なくとも、
上記基板の表面内にある第1方向に延伸して形成された第1導電体配線と、
上記第1方向と直交する第2方向に沿って上記第1導電体配線に対向し、上記第1方向に延伸して形成された第2導電体配線と、
上記第1導電体配線の延長線上において、上記第1方向に延伸して形成された第3導電体配線と、
上記第2方向に沿って上記第3導電体配線に対向し、上記第2導電体配線の延長線上において上記第1方向に延伸して形成された第4導電体配線と、
上記第2導電体配線および上記第3導電体配線に接続され、上記第2方向に延伸して形成された上記配線と、
上記第1導電体配線および上記第2導電体配線に接触するように、上記第2方向に延伸して形成された第1印刷抵抗と、
上記第3導電体配線および上記第4導電体配線に接触するように、上記第2方向に延伸して形成された第2印刷抵抗とを含み、
上記第1導電体配線、上記第2導電体配線、上記第3導電体配線、上記第4導電体配線、上記第1印刷抵抗、および上記第2印刷抵抗は、上記第2光反射樹脂層の下方に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 上記第1光反射樹脂層は、少なくとも3箇所以上に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
- 上記第1光反射樹脂層は、上記第1印刷抵抗と上記第2印刷抵抗とを覆うように形成されていることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
- 上記配線を覆う第1光反射樹脂層は、5μm〜50μmの高さで形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
- 上記複数の発光素子は、上記第1導電体配線、上記第2導電体配線、上記配線、および上記第1印刷抵抗で囲まれる領域と、上記第3導電体配線、上記第4導電体配線、上記配線、および上記第2印刷抵抗で囲まれる領域とに、それぞれ複数ずつ配置されており、
上記第1導電体配線と上記第2導電体配線との間において、2以上の発光素子が直列に接続された直列回路部が2以上並列に接続され、
上記第3導電体配線と上記第4導電体配線との間において、2以上の発光素子が直列に接続されてなる直列回路部が2以上並列に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。 - 上記第1印刷抵抗と当該第1印刷抵抗に最も近い発光素子との配置間隔、上記第2印刷抵抗と当該第2印刷抵抗に最も近い発光素子との配置間隔、および、上記配線と当該配線に最も近い発光素子との配置間隔は、0.55mm以上であることを特徴とする請求項7に記載の発光装置。
- 上記第1導電体配線と上記第2導電体配線との間、および、上記第3導電体配線と上記第4導電体配線との間のそれぞれにおいて、上記第1方向に隣り合う発光素子間の配置間隔は、0.65mm以上であることを特徴とする請求項7に記載の発光装置。
- 上記複数の発光素子のそれぞれは、平面視長方形の外形形状を有しており、当該発光素子の長手方向が上記第2方向に沿うように配置されていることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
- 上記基板は、セラミックからなるセラミック基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記封止樹脂は、上記基板の表面に接触して形成されていることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
- 上記搭載領域に形成された導電部材を覆う上記第1光反射樹脂層は、上記封止樹脂により覆われていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記封止樹脂は、蛍光体が含有された透光性樹脂からなることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010129346A JP5481277B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 発光装置 |
CN201410049724.5A CN103839934B (zh) | 2010-06-04 | 2011-06-02 | 发光装置 |
CN201110157830.1A CN102270631B (zh) | 2010-06-04 | 2011-06-02 | 发光装置 |
US13/152,587 US8651696B2 (en) | 2010-06-04 | 2011-06-03 | Light-emitting device |
US14/133,175 US8827495B2 (en) | 2010-06-04 | 2013-12-18 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010129346A JP5481277B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014027604A Division JP5843900B2 (ja) | 2014-02-17 | 2014-02-17 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011258611A JP2011258611A (ja) | 2011-12-22 |
JP5481277B2 true JP5481277B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=45052867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010129346A Expired - Fee Related JP5481277B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | 発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8651696B2 (ja) |
JP (1) | JP5481277B2 (ja) |
CN (2) | CN102270631B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5612991B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-10-22 | シャープ株式会社 | 発光装置及びこれを備えた照明装置 |
JP5985201B2 (ja) * | 2012-02-20 | 2016-09-06 | シャープ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP2013201255A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法 |
DE102012103983A1 (de) * | 2012-05-07 | 2013-11-07 | Vossloh-Schwabe Optoelectronic Gmbh & Co. Kg | Leuchtdiodenanordnung insbesondere zu Beleuchtungszwecken und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiodenanordnung |
JP5857928B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-02-10 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
TWI505456B (zh) * | 2013-11-22 | 2015-10-21 | Brightek Optoelectronic Shenzhen Co Ltd | Led承載座模組及led發光裝置 |
JP2015153844A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102145919B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2020-08-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR20160063514A (ko) * | 2014-11-26 | 2016-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 표시장치 |
USD772181S1 (en) * | 2015-04-02 | 2016-11-22 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode package substrate |
CN104900638B (zh) * | 2015-05-27 | 2017-10-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发光元件组装结构 |
JP6790416B2 (ja) | 2016-03-31 | 2020-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6923808B2 (ja) | 2018-06-22 | 2021-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN114762135A (zh) * | 2020-01-20 | 2022-07-15 | 冈本硝子株式会社 | 光阻墨水 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4450461A (en) * | 1981-07-24 | 1984-05-22 | General Electric Company | Low cost high isolation voltage optocoupler with improved light transmissivity |
JPH0593059U (ja) * | 1992-05-23 | 1993-12-17 | 株式会社小糸製作所 | 線状発光装置 |
US6474836B1 (en) * | 1999-07-02 | 2002-11-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light source and original reading device |
JP2003051620A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
CN101740560B (zh) * | 2003-04-01 | 2012-11-21 | 夏普株式会社 | 发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
US7064424B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-06-20 | Wilson Robert E | Optical surface mount technology package |
KR200373718Y1 (ko) * | 2004-09-20 | 2005-01-21 | 주식회사 티씨오 | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 |
JP2006147330A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Alps Electric Co Ltd | ランプモジュール及びランプユニット |
EP1750309A3 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-29 | Samsung Electro-mechanics Co., Ltd | Light emitting device having protection element |
US7521728B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-04-21 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same |
JP5340912B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2013-11-13 | 台灣積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | 電気的に強化されたワイヤボンドパッケージ |
JP2007324205A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2008103200A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Harison Toshiba Lighting Corp | バックライト装置及びバックライト装置の駆動方法 |
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JP5084324B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-11-28 | シャープ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP4857185B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2012-01-18 | 株式会社アキタ電子システムズ | 照明装置及びその製造方法 |
JP2009026708A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Hitachi Lighting Ltd | 光源装置 |
JP5286585B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2013-09-11 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
US8049237B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP5169263B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP5119917B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2009231397A (ja) * | 2008-03-20 | 2009-10-08 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
US20110095310A1 (en) * | 2008-03-26 | 2011-04-28 | Shimane Prefectural Government | Semiconductor light emitting module and method of manufacturing the same |
JP5390516B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
JP5220487B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-06-26 | 昭和電工株式会社 | 発光装置及びそれを備えた照明システム |
JP2010027645A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Ushio Inc | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2010199547A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2011023557A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 発光装置 |
-
2010
- 2010-06-04 JP JP2010129346A patent/JP5481277B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-02 CN CN201110157830.1A patent/CN102270631B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-02 CN CN201410049724.5A patent/CN103839934B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-03 US US13/152,587 patent/US8651696B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-18 US US14/133,175 patent/US8827495B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8827495B2 (en) | 2014-09-09 |
CN102270631B (zh) | 2014-03-12 |
US20110299268A1 (en) | 2011-12-08 |
CN103839934A (zh) | 2014-06-04 |
US20140103797A1 (en) | 2014-04-17 |
JP2011258611A (ja) | 2011-12-22 |
CN102270631A (zh) | 2011-12-07 |
US8651696B2 (en) | 2014-02-18 |
CN103839934B (zh) | 2017-04-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |