JP5390516B2 - 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 - Google Patents

線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5390516B2
JP5390516B2 JP2010512931A JP2010512931A JP5390516B2 JP 5390516 B2 JP5390516 B2 JP 5390516B2 JP 2010512931 A JP2010512931 A JP 2010512931A JP 2010512931 A JP2010512931 A JP 2010512931A JP 5390516 B2 JP5390516 B2 JP 5390516B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
phosphor
emitting diode
light emitting
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010512931A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009141982A1 (ja
Inventor
亮 酒井
康博 白川
肇 竹内
努 石井
恭正 大屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Materials Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Materials Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010512931A priority Critical patent/JP5390516B2/ja
Publication of JPWO2009141982A1 publication Critical patent/JPWO2009141982A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5390516B2 publication Critical patent/JP5390516B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133615Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737Phosphates
    • C09K11/7738Phosphates with alkaline earth metals
    • C09K11/7739Phosphates with alkaline earth metals with halogens
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7798Antimonates; Arsenates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/0045Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it by shaping at least a portion of the light guide
    • G02B6/0046Tapered light guide, e.g. wedge-shaped light guide
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0065Manufacturing aspects; Material aspects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0068Arrangements of plural sources, e.g. multi-colour light sources
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073Light emitting diode [LED]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133606Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0055Reflecting element, sheet or layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Description

本発明は、線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置に係り、特に紫外光を発生する複数の発光ダイオードチップが線状に配置されてなる線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置に関する。
従来、液晶表示装置等におけるバックライトの光源として冷陰極管(CCFL:Cold Cathode Fluorescent Lamp)が用いられている。しかし、バックライトの光源として冷陰極管を用いた場合、色再現性が低く、また水銀を使用していることから環境負荷が大きい等の課題がある。
一方、近年、青色発光ダイオードチップや紫外発光できる発光ダイオードチップが開発・商品化され、LED照明が盛んに開発されるようになっている。LED照明には、B−発光ダイオードチップと黄色発光する蛍光体とを組み合わせる方式、R−発光ダイオードチップ、G−発光ダイオードチップおよびB−発光ダイオードチップの光を混合する方式、紫外発光するUV−発光ダイオードチップとRGB蛍光体とを組み合わせる方式の3方式がある。前2者はそれぞれ、色再現性、色制御・色混合の点において課題があり、UV−発光ダイオードチップ+RGB蛍光体方式に期待が高まっている。
発光ダイオードチップを用いた光源は長寿命でかつ信頼性が高く、交換作業等が軽減されることから、各種表示装置の構成部品として期待されている。光源から放射される光の色調は発光ダイオードチップの発光波長に限られるものではなく、発光ダイオードチップの表面などに形成される蛍光体層中に含有される蛍光体の種類により、青色から赤色まで使用用途に応じた可視光領域の光を得ることができる。特に、白色発光型の光源は携帯通信機器の液晶表示装置やPCの液晶表示装置等のバックライトの光源として期待されている。
バックライトは光源を配置する位置により主として直下型バックライトとサイドライト型バックライトとに分けられ、用途に応じて使い分けられている。このうちサイドライト型バックライトは、導光板の入射面となる側面に光源が配置されている。サイドライト型バックライトの光源としては、例えば導光板の入射側面に所定の間隔をあけて配置される複数の発光ダイオードが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、上記したような発光ダイオードチップを用いた光源は、励起光源である発光ダイオードチップの大きさが1mm□以下であるため、その上に蛍光体層を形成したとしてもほぼ点光源となってしまう。このため、照明やバックライト等の光源として用いる場合、レンズ状の透明樹脂層や拡散シート等を設けて放射される光を分散させる必要がある。
また、このようなレンズ状の透明樹脂層や拡散シート等を設けた場合であっても、必ずしも発光ダイオードチップを設けた部分とそれらの間の部分との輝度の差を十分に小さくすることはできず、このようなレンズ状の透明樹脂層や拡散シート等を設ける工程が必要となることから製造性も低下する。さらに、従来の冷陰極管の代わりに照明やバックライト等の光源として用いる場合、その形状が冷陰極管の形状とは異なることから、照明やバックライト等において新たな光学設計が必要となる。
特開2000−258749公報(例えば、発明の背景等参照。)
本発明の目的は、発光面における輝度ムラが抑制されると共に、製造が容易であり、従来の冷陰極管等の代わりに好適に用いられる線状白色光源を提供することにある。また、本発明の目的は、このような線状白色光源を光源として用いたバックライト、液晶表示装置を提供することにある。
本発明の線状白色光源は、基体と、前記基体上に線状に配置され、波長330nm以上、410nm以下の紫外光を発生する複数の発光ダイオードチップと、前記複数の発光ダイオードチップを覆うように連続して形成され、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体を含有する蛍光体層とを具備し、前記複数の発光ダイオードチップは1mm以上5mm以下の間隔で配置されており、前記蛍光体層は前記発光ダイオードチップが配置された部分に設けられた凸部と前記発光ダイオードチップどうしの間隔部分に設けられた凹部とを有し、前記基体の表面から前記凸部の表面までの高さそれぞれ0.5mm以上2mm以下であると共に、前記基体の表面から前記凸部の表面までの高さ(H H )に対する前記基体の表面から前記凹部の表面までの高さ(H L )の比(H L /H H )が50%以上であることを特徴としている。そして、本願発明の線状白色光源は輝度ムラが50%以上100%以下であることを特徴としている。
本発明のバックライトは、白色光を発光する線状の光源を具備するバックライトであって、この光源として上記したような本発明の線状白色光源を用いることを特徴としている。
また、本発明の液晶表示装置は、バックライトを具備する液晶表示装置であって、このバックライトとして上記したような本発明のバックライトを具備することを特徴としている。
本発明の線状白色光源の一例を示す断面図。 図1に示す線状白色光源の平面図。 図1に示す線状白色光源の裏面側の平面図。 図1に示す線状白色光源の一部拡大断面図。 本発明の線状白色光源の他の例を示す平面図。 本発明の線状白色光源の他の例を示す一部拡大断面図。 本発明の線状白色光源の製造例を示す断面図。 本発明の線状白色光源の他の製造例を示す断面図。 本発明のバックライトの一例を示す断面図。 本発明の液晶表示装置の一例を示す断面図。 比較例で作製した線状白色光源を示す断面図。 バックライトの輝度の測定方法を示した平面図。
以下、本発明の線状白色光源について説明する。図1は本発明の線状白色光源1の一例を示した断面図であり、図2は図1に示す線状白色光源1の発光面側を示した平面図であり、図3は図1に示す線状白色光源1の非発光面側(裏面側)を示した平面図である。なお、図2については、内部の様子が見えるように蛍光体層を省略して図示している。また、図4は図1に示す線状白色光源1の一部を拡大して示した断面図である。
本発明の線状白色光源1は、例えば図1、2に示すように、長方形状の基体2を有するものであり、この基体2上にはその長手方向に沿って例えば略正方形状の複数の金属パターン3が形成されている。また、各金属パターン3上には波長330nm以上、410nm以下の紫外光を発生する発光ダイオードチップ4(以下、単に発光ダイオードチップ4と呼ぶ。)が搭載されている。
各発光ダイオードチップ4の下部電極はそれが搭載される金属パターン3と電気的に接続されている。また、各発光ダイオードチップ4の上部電極はそれらが搭載される金属パターン3に隣接する金属パターン3(図1、2においては、各発光ダイオードチップ4が搭載される金属パターン3の右側に隣接する金属パターン3)に導電性ワイヤ5により電気的に接続されている。
なお、基体2の一方の端部側(図1、2中、左側)に形成される金属パターン3については、例えば図2に示すように基体2を表裏方向に貫通するビア導体6を介して、図3に示すように基体2の裏面側に形成された電極パッド7に電気的に接続されている。
一方、基体2の他方の端部側(図1、2中、右側)の金属パターン3については、例えば図2に示すように略正方形状の一部を欠いた形状とされており、その欠落部分に略正方形状の電極パッド8が形成されている。そして、この電極パッド8には当該金属パターン3に搭載されている発光ダイオードチップ4の上部電極からの導電性ワイヤ5が接続されている。さらに、電極パッド8は、基体2を表裏方向に貫通するビア導体9を介して、図3に示すように基体2の裏面側に形成された電極パッド10に電気的に接続されている。
また、図1に示すように基体2の金属パターン3や発光ダイオードチップ4が搭載された側には、これら金属パターン3や発光ダイオードチップ4のほぼ全体を覆うように蛍光体層11が連続的に形成されている。すなわち、蛍光体層11は複数の発光ダイオードチップ4により共有されている。この蛍光体層11は、透明樹脂に赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体が含有されたものである。
このような本発明の線状白色光源1については、線状に配置された複数の発光ダイオードチップ4が各金属パターン3や導電性ワイヤ5を介することによって電気的に接続されているため、基体2の裏面側に形成されている電極パッド7と電極パッド10とを電源に接続することで、各発光ダイオードチップ4から波長330nm以上、410nm以下の紫外光を発生させることができる。
また、蛍光体層11には赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体が含まれているため、発光ダイオードチップ4から発生された波長330nm以上、410nm以下の紫外光により励起されて赤色光、緑色光および青色光が発光され、これらの混色により線状白色光源1全体として白色光を得ることができる。
本発明の線状白色光源1については、特に複数の発光ダイオードチップ4を線状に配置すると共に、これら複数の発光ダイオードチップ4の全体を覆うように連続して蛍光体層11を設けることで、発光面における輝度ムラを抑制しやすくなると共に、線状白色光源1の製造性を向上させることができる。また、このような線状白色光源1については、その形状等が従来の冷陰極管等と類似しているため、従来の冷陰極管等を用いた照明やバックライト等において新たな光学設計をすることなく好適に用いることができる。
このような本発明の線状白色光源1における基体2は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックス、またはシリカ等のガラス絶縁体からなるものである。基体2は、熱膨張係数が発光ダイオードチップ4の熱膨張係数と同程度のものであれば好ましい。また、熱伝導性の観点からは、窒化アルミニウム質焼結体からなるものであればより好ましい。窒化アルミニウム質焼結体であれば熱伝導率200W/m・K以上の焼結体を提供できる。
金属パターン3は、各発光ダイオードチップ4への電力の供給に用いられると共に、反射層としての役割を有するものである。金属パターン3の平面形状は特に限定されるものではないが、反射層として機能させる観点からは面積が広いことが好ましく、例えば図2に示すような略正方形状のものが広い面積を確保することができることから好ましい。
このような金属パターン3については、反射層として機能する面積を増やす観点や導電性ワイヤ5による接続を容易にする観点から、図4に示すような隣接する金属パターン3どうしの間隔(W)を極力狭くすることが好ましく、例えば0.2mm以下とすることが好ましい。隣接する金属パターン3どうしの間隔は、例えば0.03mm程度まで狭めることができる。
なお、金属パターン3の個数や形成する位置については、金属パターン3が発光ダイオードチップ4を搭載するものであることから、発光ダイオードチップ4の個数、配置間隔等に応じて適宜決定されるものである。
金属パターン3は、発光ダイオードチップ4への電力供給手段および反射層として用いられることから、例えばAu、Al、Ag、Pt、TiおよびNiから選ばれる少なくとも1種の金属からなるものとすることが好ましい。なお、金属パターン3は必ずしも単層である必要はなく、例えば基体2との密着性を向上させる観点から、まず基体2上にTi層を設けその上にAu、Al、Ag、Pt等の層を設けたものとしてもよい。また、金属パターン3の表面部分のうち発光ダイオードチップ4が搭載され、その下部電極と接続される位置には金パッドが設けられていればより好ましい。
また、基体1の発光面側に形成される電極パッド8や、図3に示すような裏面側に形成される電極パッド7、10についても、金属パターン3と略同様な金属材料からなるものとすることができる。
本発明に用いられる発光ダイオードチップ4は波長330nm以上、410nm以下の紫外光を発生するものである。このような発光ダイオードチップ4としては、上記したような波長の紫外光を発生させることができるものであれば特にその種類は限定されるものではなく、例えばInGa1−xN系をはじめとする公知のものを使用することができる。
発光ダイオードチップ4としては、通常、発光部面積が0.3mm□以上、0.6mm□以下であるものが用いられる。このような発光ダイオードチップ4はその複数が基体2の長手方向に略線状に配置されていれば特にそれらの間隔(W)は制限されるものではないが、配置密度の向上による消費電力の増加等を抑制する観点から、1mm以上とすることが好ましい。ここで、間隔(W)とは、図4に示すように、隣接する発光ダイオードチップ4の対向する端部どうしの距離である。
本発明では、個々の発光ダイオードチップ4の上面や側面だけでなく、隣接する発光ダイオードチップ4どうしの間隔部分にも蛍光体層11を設けることで、このような1mm以上と比較的広い間隔(W)をあけて発光ダイオードチップ4を設けた場合であっても、発光ダイオードチップ4を配置した部分とそれらの間隔部分との輝度の違いを少なくし、輝度ムラを抑制することが可能となる。
なお、隣接する発光ダイオードチップ4どうしの間隔(W)は5mm以下とすることが好ましい。本発明では隣接する発光ダイオードチップ4どうしの間隔部分にも蛍光体層11を設けることで輝度ムラを抑制することが可能となるが、間隔(W)が上記値を超える場合、この間隔部分に蛍光体層11が設けられていても輝度の差が大きくなってしまうため好ましくない。
また、基体2上に搭載される発光ダイオードチップ4の数は2以上であればよいが、従来の冷陰極管等の代わりに光源として用いる観点等から、ある程度のまとまった個数の発光ダイオードチップ4が搭載されていることが好ましく、例えば5個以上の発光ダイオードチップ4が搭載されていることが好ましい。基体2上に搭載される発光ダイオードチップ4の個数の上限は必ずしも制限されるものではなく、基体2の大きさを変更する等して適宜個数を増やすことができる。なお、線状白色光源の取扱性を考慮するとチップの数は10個以下が好ましい。
また、蛍光体層11は透明樹脂に赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体が含有されたものである。蛍光体層11は、少なくとも発光ダイオードチップ4が配置された部分において、基体2の表面からこの蛍光体層11の表面までの高さ(H)が0.5mm以上となっていることが好ましい。蛍光体層11の高さ(H)が上記高さ未満であると、十分な白色光を得られないおそれがあり好ましくない。また、蛍光体層11の高さ(H)が過度に高くなると輝度が低下するおそれがあり、また製造性も低下することから、2mm以下とすることが好ましい。
蛍光体層11を構成する透明樹脂としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。
蛍光体層11を構成する各色蛍光体のうち、赤色発光蛍光体としては、ピーク波長620nm以上780nm以下の赤色光を発光する赤色蛍光体粉末が用いられる。例えば、下記式(1)で表される組成のユーロピウム付活酸硫化ランタンからなる赤色蛍光体粉末、および下記式(2)で表される組成を有する赤色蛍光体粉末の少なくとも1種が用いられる。
(La1−x−yEuS ……(1)
(式中、Mは、Sb、Sm、GaおよびSnから選ばれる少なくとも1種の元素であり、xおよびyは、0.01<x<0.15、0≦y<0.03を満たす値である。)
式(1)中、MがSb、Sm、GaおよびSnから選ばれる少なくとも1種の元素であると、赤色蛍光体粉末の発光効率が高いため好ましい。
(SrCa1−x)SiAlN:Eu ……(2)
(式中、xは、0≦x<0.4を満たす値である。)
式(2)中、xが上記範囲内にあると、赤色蛍光体粉末からの光の波長域が適切になると共に、発光効率が高く、波長域と発光効率とのバランスがよいため好ましい。xは上記範囲内で大きくなるほど赤色蛍光体粉末からの光が短波長化しやすく、上記範囲内で小さくなるほど赤色蛍光体粉末の発光効率が高くなりやすい。
緑色発光蛍光体としては、ピーク波長490nm〜575nmの緑色光を発光する緑色蛍光体粉末が用いられる。例えば、下記式(3)で表される組成のユーロピウムマンガン付活アルミン酸塩および下記式(4)で表される組成を有する緑色蛍光体粉末の少なくとも1種が用いられる。
(Ba1−x−y−zSrCaEu)(Mg1−uMn)Al1017 ……(3)
(式中、x、y、zおよびuは、0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5を満たす値である。)
式(3)中、zおよびuがそれぞれ上記範囲内にあると、緑色蛍光体粉末の発光効率が高いため好ましい。xおよびyはそれぞれ上記範囲内にあると、緑色蛍光体粉末の寿命と輝度のバランスがよいため好ましい。xが0.2以上であると緑色蛍光体粉末の寿命が低下するおそれがあり、xが0であると緑色蛍光体粉末からの光の短波長成分が増加し、輝度が低下するおそれがある。
(Sr2−x−y−z−uBaMgEuMn)SiO ……(4)
(式中、x、y、zおよびuは、0.1<x<0.4、0.005<y<0.21、0.05<z<0.3、0.001<u<0.04を満たす値である。)
式(4)中、xが上記範囲内にあると、緑色蛍光体粉末からの光の波長がバックライト用に適するため好ましい。xは上記範囲内で大きくなるほど、緑色蛍光体粉末からの光の波長が短波長化しバックライト用により適するようになる。また、yが上記範囲内にあると、緑色蛍光体粉末中でMnの固溶が十分に行われるため好ましい。さらに、zが上記範囲内にあると、緑色蛍光体粉末の発光効率が高いため好ましい。また、uが上記範囲内にあると、緑色蛍光体粉末からの光の波長がバックライト用に適するため好ましい。
青色発光蛍光体としては、ピーク波長430nm〜460nmの青色光を発光する青色蛍光体粉末が用いられる。例えば、下記式(5)で表される組成を有する青色蛍光体粉末が用いられる。
(Sr1−x−y−zBaCaEu(POCl ……(5)
(式中、x、yおよびzは、0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.005<z<0.1を満たす値である。)
式(5)中、xおよびyがそれぞれ上記範囲内にあると、青色蛍光体粉末からの光の波長がバックライト用途の白色光源に適するため好ましい。xおよびyはそれぞれ上記範囲内で小さくなるほど、青色蛍光体粉末からの光のスペクトル幅が狭くなるため白色光源がバックライト用途により適するようになる。また、zが上記範囲内にあると、青色蛍光体粉末の発光効率が高いため好ましい。
上記した蛍光体以外でも、赤色発光蛍光体として、例えばEu付活酸硫化イットリウム蛍光体、CuおよびMn付活硫化亜鉛蛍光体、緑色発光蛍光体として、例えばCuおよびAl付活硫化亜鉛蛍光体、青色発光蛍光体として、例えばEu付活アルミン酸塩蛍光体、Eu付活アルカリ土類ケイ酸塩、Eu・Mn付活アルカリ土類マグネシウムケイ酸塩等を使用しても、白色光源として良好な色再現性、輝度特性を示す。
蛍光体層11中の蛍光体の含有量は20〜70質量%が好ましい。含有量が20質量%未満では蛍光体量が足りなくなる恐れがあり、一方、70質量%を超えると各色の蛍光体同士を均一に混合することが困難になるおそれがある。また、蛍光体の含有量が90質量%を超えると発光ダイオードからの光が蛍光体層中に均一に伝わらないおそれがある。また、蛍光体量の調整により輝度ムラを50%以上と向上させることができる。
このような本発明の線状白色光源1によれば輝度を向上させつつ、輝度ムラを抑制することができる。例えば、発光面における効率を20lm/W以上としつつ、輝度ムラを1%以上と抑制することができる。
ここで、輝度ムラとは、線状白色光源1の発光面における輝度の最大値に対する最小値の割合(=(輝度の最小値/輝度の最大値)×100[%])である。従って、この輝度ムラの値が100%に近ければ近いほど、線状白色光源1の発光面における部分毎の輝度差が少ないこととなり、輝度ムラが抑制されていることになる。なお、輝度の測定は各発光ダイオードチップ4が搭載されている部分と、隣接する発光ダイオードチップ4の各中間部分において行われ、それらのうちの最も低い輝度を輝度の最小値とし、最も高い輝度を輝度の最大値とする。
以上、本発明の線状白色光源1について説明したが、本発明の線状白色光源1は必ずしも図1等に示されるようなものに限られず、例えば図1に示すようなものを1単位として、図5に示すように3単位を線状に配置したものであってもよい。この場合、隣接する単位どうしは一方の単位の電極パッド10と隣接する他方の単位部分の電極パッド7とが各種の電気的接続手段12によって接続される。なお、図5においては3単位を接続した例を示したが、接続する単位数は必ずしもこのような単位数に限られるものではない。
また、本発明の線状白色光源1については、例えば図4に示すように、蛍光体層11の表面が平坦上であるものの他、例えば図6に示すように、発光ダイオードチップ4が搭載されている部分の蛍光体層11が凸部状で高さが高くなっており、隣接する発光ダイオードチップ4どうしの間隔部分の蛍光体層11が凹部状で高さが低くなっていても構わない。このようにすることで、例えば光取り出し効率に優れた線状白色光源1とすることができる。
この場合、基体2の表面から蛍光体層11の凸部表面までの高さ(凸部高さ(H))に対する基体2の表面から蛍光体層11の凹部表面までの高さ(凹部高さ(H))の比(=(凹部高さ(H)/凸部高さ(H))×100[%])が50%以上となっていることが好ましい。高さの比が上記値未満となると、隣接する発光ダイオードチップ4どうしの間隔部分における蛍光体層11の高さが低すぎることとなり、輝度ムラを抑制する効果等が十分でなくなるおそれがあり好ましくない。なお、凸部高さ(H)は1mm以上、2mm以下とすることが好ましい。
次に、本発明の線状白色光源1の製造方法について説明する。まず、基体2上に例えば略正方形状の複数の金属パターン3を形成する。基体2上へ金属パターン3を形成する方法は特に制限されるものではなく、公知のメタライズ方法を用いて形成することができる。なお、金属パターン3の平面形状、形成数等は、発光ダイオードチップ4の搭載数に応じて適宜決定される。
さらに、各金属パターン3上には、Au,Pb/Sn、Au/Sn、Au/Ge、Au/Sn/Ge、Au/Pb/SnまたはCu/Pb/Snのような周知の共融金属を用いて発光ダイオードチップ4を接合、搭載した後、各発光ダイオードチップ4の上面電極とその発光ダイオードチップ4が搭載されている金属パターン3に隣接する金属パターン3とを導電性ワイヤ5により接続する。
その後、この金属パターン3や発光ダイオードチップ4が搭載された基体2上に蛍光体層11を形成する。すなわち、まず蛍光体層11を形成するために用いられる樹脂組成物(以下、単に樹脂組成物と呼ぶ。)として、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂あるいはポリイミド樹脂等の透明樹脂に、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体を混合、分散させたものを用意する。
そして、この樹脂組成物を例えばディスペンサに注入し、金属パターン3や発光ダイオードチップ4が搭載された基体2の一方の端部側から他方の端部側に向かってディスペンサから樹脂組成物を吐出させながら移動させることにより塗布した後、これを硬化させて蛍光体層11を連続的に形成する。
一方、蛍光体層11を形成する他の方法として、例えば図7に示すように、型枠20内に上記したような樹脂組成物21を充填しておき、金属パターン3や発光ダイオードチップ4が搭載された基体2をこの金属パターン3や発光ダイオードチップ4が搭載された側を型枠20側に向けて型枠20内に挿入し、その状態で樹脂組成物21を硬化させることによっても蛍光体層11を連続的に形成することができる。
また、図6に示すような表面に凹凸がある蛍光体層11を形成する場合には、図8に示すような内側底部に凹凸部を有する型枠22を用い、その内部に上記したような樹脂組成物21を充填しておき、金属パターン3や発光ダイオードチップ4が搭載された基体2をこの金属パターン3や発光ダイオードチップ4が搭載された側を型枠22側に向けて型枠22内に挿入し、その状態で樹脂組成物21を硬化させる。
ここで、型枠22の内側底部は、発光ダイオードチップ4に対向する部分が凹部とされているため、図6に示すように、最終的に得られる線状白色光源1において発光ダイオードチップ4が搭載された部分の蛍光体層11が凸状となり、隣接する発光ダイオードチップ4どうしの間隔部分の蛍光体層11が凹状となる。
このような本発明の線状白色光源1はバックライトの光源として好適に用いられる。特に、本発明の発光装置1は線状であり、従来の冷陰極管等と形状が類似しているため、従来の冷陰極管等を用いた照明やバックライト等において新たな光学設計をすることなく好適に用いることができる。
図9は本発明のバックライトの一例として、サイドライト型バックライト30を示したものである。サイドライト型バックライト30は主として線状白色光源1と導光板31とからなるものである。導光板31は一方の側面である入射面32側から他方の側面にかけて徐々に厚さが減少する略板状のものであり、この入射面32に本発明の線状白色光源1が配置されている。また、導光板31の発光面とは反対側には反射層33が設けられている。
また、本発明の液晶表示装置はこのようなバックライトを用いて製造されるものである。図10は、本発明の液晶表示装置40の一例を示したものであり、その光源として上記したような本発明のサイドライト型バックライト30を用いたものである。本発明の線状白色光源は発光ダイオードを用いているにも関わらず輝度ムラの改善された線状光源を提供できるのでサイドライト型バックライトに適用したとしてもCCFLに用いていた導光板をそのまま適用できるので導光板の設計変更を行わなくて済む。
液晶表示装置40は、例えば表示手段としての平板状の液晶パネル41と、この液晶パネル41を背面から照明するサイドライト型バックライト30とからなるものである。液晶パネル41は、例えば2枚の偏光板の間に、それぞれ透明電極を形成したガラス板であるアレイ基板とカラーフィルタ基板とを対向して配置し、これらアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に液晶を注入して液晶層が構成されたものである。カラーフィルタ基板には、各画素に対応して赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタが形成されている。
次に、本発明について実施例を参照してさらに詳細に説明する。
実施例1〜5、参考例1〜5
縦18mm×横2mm×厚さ0.635mmの基体2(熱伝導率200W/m・Kの窒化アルミニウム質焼結体)を用い、その表面に順にTi/Pt/Auの各層からなる複数の略正方形状の金属パターン3を形成した。なお、金属パターン3の形成個数は後述する発光ダイオードチップ4の搭載数に合わせるものとし、また隣接する金属パターン3どうしの間隔(WM)は0.1mmとした。また、基体2の裏面側には電極パッド7や電極パッド10を形成した。
さらに、各金属パターン3上に励起波長390nmの紫外線を発光する発光ダイオードチップ4を接合し、この発光ダイオードチップ4の下部電極と金属パターン3とを電気的に接続した。さらに、各発光ダイオードチップ4の上部電極と、その発光ダイオードチップ4が搭載されている金属パターン3に隣接する金属パターン3とを導電性ワイヤ5により電気的に接続した。
なお、発光ダイオードチップ4の大きさは縦0.4mm×横0.4mm×高さ0.2mmであり、基体2の表面から発光ダイオードチップ4の上面までの高さは0.2mmであり、発光ダイオードチップ4の搭載個数、隣接する発光ダイオードチップ4どうしの間隔(W)は表1に示す通りとした。
そして、この発光ダイオードチップ4が搭載された基体2上に蛍光体層11を形成した。すなわち、まず青色蛍光体としてユーロピウム付活アルカリ土類クロロリン酸塩(Sr0.99Eu0.0110(PO・Cl、緑色蛍光体としてユーロピウム、マンガン付活アルミン酸塩蛍光体(Ba0.726Eu0.274)(Mg0.55Mn0.45)Al1017、赤色蛍光体としてユーロピウム付活酸硫化ランタン(La0.883Sb0.002Eu0.115Sをそれぞれシリコーン樹脂に30質量%の濃度で混合してスラリーを得た。そして、これらのスラリーを20.1質量%、19.5質量%、60.4質量%の割合で混合して蛍光体層形成用の樹脂組成物とした。
そして、図7に示すような内側底部が平坦な型枠20あるいは図8に示すような内側底部に凹凸部を有する型枠22を用い、その内部に上記蛍光体層形成用の樹脂組成物21を充填した。さらに、この型枠20あるいは型枠22内に発光ダイオードチップ4が搭載された基体2をその発光ダイオードチップ4等が搭載された側を型枠20あるいは22側に向けて挿入した。
そして、この蛍光体層形成用の樹脂組成物21を硬化させて、発光ダイオードチップ4等が搭載された基体2上に蛍光体層11を形成して、図4に示すような蛍光体層11の表面が平坦な線状白色光源1(参考例)、あるいは、図6に示すような蛍光体層11の表面に凹凸が形成された線状白色光源1(実施例)を作製した。
なお、蛍光体層11の表面が平坦な場合における基体2の表面から蛍光体層11の表面までの高さ(H)、または、蛍光体層11の表面が凹凸状の場合における基体2の表面からの蛍光体層11の凸部表面までの高さ(H)および凹部表面までの高さ(H)は表1に示すとおりである。
参考例6
使用する蛍光体の種類、含有量を変更する以外は参考例1と同様の方法にて、線状白色光源を作製した。すなわち、赤色蛍光体として(Sr0.01Ca0.99)SiAlN:Eu、緑色蛍光体として(Sr1.58Ba0.11Mg0.2Eu0.1Mn0.01)SiO、青色蛍光体として(Sr0.85Ba0.01Ca0.09Eu0.0510(POClをそれぞれシリコーン樹脂に30質量%の濃度で混合してスラリーを得た。そして、これらのスラリーを30質量%、40質量%、30質量%の割合で混合して蛍光体層形成用の樹脂組成物とした。
比較例1
実施例1と同様にして発光ダイオードチップ4を搭載し、導電性ワイヤ5を形成した。そして、実施例1〜10で用いたものと同様な蛍光体層形成用の樹脂組成物をディスペンサに注入し、このディスペンサから蛍光体層形成用の樹脂組成物の樹脂組成物を吐出し、図11に示すように、発光ダイオードチップ4の周辺部のみに蛍光体層51を形成して線状白色光源50を得た。
なお、比較例1における蛍光体層51を形成する範囲(平面方向)は各発光ダイオードチップ4の端部から0.6mmの範囲までとし、基体2の表面から蛍光体層50の表面までの高さは1.2mmとした。また、図11においては実施例と同様の箇所を示す部分には、実施例と同様の符号を付している。
次に、実施例の線状白色光源1、参考例の線状白色光源1および比較例の線状白色光源50について、輝度および輝度ムラの測定を行った。輝度の測定は各発光ダイオードチップ4が搭載された部分について輝度計を用いて行い、測定された輝度の最高値とした。また、輝度ムラは各発光ダイオードチップ4が搭載された部分の輝度、および、隣接する発光ダイオードチップ4の中間部分の輝度を測定し、その輝度の最高値と最低値とから以下の式により算出した。結果を表1に示す。
輝度ムラ=(輝度の最低値/輝度の最高値)×100[%]
Figure 0005390516
表1に示されるように、実施例の線状白色光源1によれば輝度が高く、輝度ムラも有効に抑制されていることが認められた。それに対し、比較例1は点状光源であるため光るところと光らない部分があるため輝度ムラ0%であった。
実施例10、参考例7〜12、比較例2
実施例5および参考例1〜6の線状白色光源1を用いて、図9に示すような実施例10および参考例7〜12のサイドライト型バックライト30を作製した。なお、サイドライト型バックライト30は8インチ液晶表示装置用のものとした。また、各線状白色光源を10個縦に並べて8インチ用の線状光源とした。また、比較例1の線状白色光源50を用いて、同様にサイドライト型バックライトを作製した。
次に、このサイドライト型バックライト30の発光面における輝度ムラを測定した。結果を表2に示す。
なお、輝度ムラの測定は、以下のようにして行った。すなわち、まず図12に示すようにサイドライト型バックライト30の発光面に対し、縦方向、横方向の中心に中心線を引き、さらにその両側に等分線を引き、それらの交点(9箇所)を測定点とした。そして、縦方向および横方向の中心線どうしの交点を輝度計にて測定して中心輝度とした。
そして、残り8箇所の輝度を輝度計にて測定し、中心輝度と比較してもっとも差の大きかった輝度を用いて、以下の式により輝度ムラを算出した。なお、輝度ムラは100%に近いほど発光面における部分毎の輝度差が少なくなり好ましいものとなる。
輝度ムラ=(中心輝度と比較して最も差の大きかった輝度/中心輝度)×100[%]
Figure 0005390516
表2に示されるように、本発明の線状白色光源1を用いた実施例のサイドライト型バックライト30によれば中心輝度が高く、発光面における輝度ムラも有効に抑制されていることが認められる。また、本実施例にかかる線状光源は線状光源であることから従来のCCFLから導光板の設計変更なく代替可能である。それに対し、比較例のものは輝度ムラが悪くサイドライト型バックライトに適用するには導光板の設計変更が必要である。
本発明の線状白色光源は、基体と、この基体上に線状に配置され、波長330nm以上、410nm以下の紫外光を発生する複数の発光ダイオードチップと、この複数の発光ダイオードチップを覆うように連続して形成され、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体を含有する蛍光体層と、を有する。このようなものとすることで、発光面における輝度ムラが抑制されると共に、製造性に優れ、従来の冷陰極管等の代わりに好適に用いるものとすることができ、バックライトあるいは液晶表示装置に有効利用することができる。
1…線状白色光源、2…基体、3…金属パターン、4…発光ダイオードチップ、5…導電性ワイヤ、6…ビア導体、7…電極パッド、8…電極パッド、9…ビア導体、10…電極パッド、11…蛍光体層、12…電気的接続手段、30…バックライト、40…液晶表示装置

Claims (9)

  1. 基体と、
    前記基体上に線状に配置され、波長330nm以上、410nm以下の紫外光を発生する複数の発光ダイオードチップと、
    前記複数の発光ダイオードチップを覆うように連続して形成され、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体を含有する蛍光体層とを具備し、
    前記複数の発光ダイオードチップは1mm以上5mm以下の間隔で配置されており、
    前記蛍光体層は、前記発光ダイオードチップが配置された部分に設けられた凸部と、前記発光ダイオードチップどうしの間隔部分に設けられた凹部とを有し、
    記基体の表面から前記凸部の表面までの高さが、それぞれ0.5mm以上2mm以下であると共に、前記基体の表面から前記凸部の表面までの高さ(H H )に対する前記基体の表面から前記凹部の表面までの高さ(H L )の比(H L /H H )が50%以上であり、
    輝度ムラが50%以上100%以下であることを特徴とする線状白色光源。
  2. 前記発光ダイオードチップの個数が5個以上であることを特徴とする請求項1に記載の線状白色光源。
  3. 前記赤色発光蛍光体は、下記式(1)で表わされる組成の蛍光体粉末
    (La1−x−yEuS ……(1)
    (式中、MはSb、Sm、Ga、およびSnから選ばれる少なくとも1種の元素であり、xおよびyは0.01<x<0.15、0≦y<0.03を満たす値である。)
    および/または、
    下記式(2)で表わされる組成の蛍光体粉末
    (SrCa1−x)SiAlN:Eu ……(2)
    (式中、xは0≦x<0.4を満たす値である。)
    であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の線状白色光源。
  4. 前記緑色発光蛍光体は、下記式(3)で表わされる組成の蛍光体粉末
    (Ba1−x−y−zSrCaEu)(Mg1−uMn)Al1017 ……(3)
    (式中、x、y、z、およびuは、0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5を満たす値である。)
    および/または、
    下記式(4)で表わされる組成の蛍光体粉末
    (Sr2−x−y−z−uBaMgEuMn)SiO ……(4)
    (式中、x、y、z、およびuは、0.1<x<0.4、0.005<y<0.21、0.05<z<0.3、0.001<u<0.04を満たす値である。)
    であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の線状白色光源。
  5. 前記青色発光蛍光体は、下記式(5)で表わされる組成の蛍光体粉末
    (Sr1−x−y―zBaCaEu(POCl ……(5)
    (式中、x、yおよびzは、0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.005<z<0.1を満たす値である。)
    であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の線状白色光源。
  6. 前記蛍光体層は、透明樹脂と、前記透明樹脂中に含有された前記赤色発光蛍光体、前記緑色発光蛍光体および前記青色発光蛍光体とを備え、
    前記蛍光体層における前記赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体および青色発光蛍光体の合計含有量が20質量%以上70質量%以下の範囲であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の線状白色光源。
  7. 前記基体は、平坦な表面を有するセラミックス基板と、前記セラミックス基板の前記表面上に形成され、導電層および反射層として機能する複数の金属パターンとを備え、
    前記複数の金属パターン上には前記発光ダイオードチップがそれぞれ搭載されており、
    前記発光ダイオードチップは下部電極と上部電極とを有し、前記下部電極は当該発光ダイオードチップが搭載される前記金属パターンと電気的に接続されていると共に、前記上部電極は当該発光ダイオードチップが搭載される前記金属パターンに隣接する前記金属パターンと導電性ワイヤを介して電気的に接続されており、
    前記蛍光体層は、前記複数の発光ダイオードチップ、前記複数の金属パターンおよび前記導電性ワイヤの全体を覆うように、前記セラミックス基板の前記表面上に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の線状白色光源。
  8. 白色光を発光する線状の光源を具備するバックライトであって、
    前記光源として請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載された線状白色光源を具備することを特徴とするバックライト。
  9. バックライトを具備する液晶表示装置であって、
    前記バックライトとして請求項に記載されたバックライトを具備することを特徴とする液晶表示装置。
JP2010512931A 2008-05-19 2009-05-15 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 Active JP5390516B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010512931A JP5390516B2 (ja) 2008-05-19 2009-05-15 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008130949 2008-05-19
JP2008130949 2008-05-19
PCT/JP2009/002136 WO2009141982A1 (ja) 2008-05-19 2009-05-15 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP2010512931A JP5390516B2 (ja) 2008-05-19 2009-05-15 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009141982A1 JPWO2009141982A1 (ja) 2011-09-29
JP5390516B2 true JP5390516B2 (ja) 2014-01-15

Family

ID=41339922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010512931A Active JP5390516B2 (ja) 2008-05-19 2009-05-15 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8461756B2 (ja)
JP (1) JP5390516B2 (ja)
TW (1) TWI485347B (ja)
WO (1) WO2009141982A1 (ja)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102686700B (zh) 2010-02-26 2015-03-25 三菱化学株式会社 卤磷酸盐荧光体及白色发光装置
JP4930649B1 (ja) * 2011-02-25 2012-05-16 三菱化学株式会社 ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置
JP2011181793A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Koito Mfg Co Ltd 発光装置
JP4932064B2 (ja) * 2010-03-11 2012-05-16 パナソニック株式会社 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
JP5522462B2 (ja) * 2010-04-20 2014-06-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
JP5468985B2 (ja) * 2010-05-17 2014-04-09 株式会社小糸製作所 照明装置
JP5481277B2 (ja) * 2010-06-04 2014-04-23 シャープ株式会社 発光装置
JP4862098B1 (ja) * 2010-06-28 2012-01-25 株式会社東芝 Led電球
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US8624271B2 (en) * 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
CN105304800B (zh) 2011-04-20 2019-06-11 松下电器产业株式会社 发光装置、背光单元、液晶显示装置以及照明装置
JP5769129B2 (ja) * 2011-06-01 2015-08-26 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
CN102244189A (zh) * 2011-07-19 2011-11-16 彩虹集团公司 一种陶瓷基板集成封装的led
CN104081112B (zh) 2011-11-07 2016-03-16 克利公司 高电压阵列发光二极管(led)器件、设备和方法
JP2013161967A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Koito Mfg Co Ltd 半導体発光装置
JP2013197294A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US20130279194A1 (en) * 2012-04-22 2013-10-24 Liteideas, Llc Light emitting systems and related methods
JP5989775B2 (ja) * 2013-03-29 2016-09-07 株式会社東芝 蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置
WO2014182104A1 (ko) * 2013-05-09 2014-11-13 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
KR102090200B1 (ko) * 2013-08-08 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2015050302A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 東芝ライテック株式会社 発光装置
CN104637927B (zh) * 2013-11-12 2019-01-22 中国科学院微电子研究所 一种基于柔性基板的三维封装结构及工艺方法
JP6209949B2 (ja) 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN107092130A (zh) * 2016-09-30 2017-08-25 深圳市玲涛光电科技有限公司 光源组件及其显示装置
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
CN109790464A (zh) * 2016-10-11 2019-05-21 株式会社东芝 荧光体和其制造方法及发光装置
JP7033479B2 (ja) 2018-03-30 2022-03-10 大電株式会社 青色発光蛍光体、発光素子、発光装置、および白色光発光装置
CN109991778A (zh) * 2019-04-11 2019-07-09 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及显示设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005208412A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Denso:Kk 発光表示装置
JP2005530341A (ja) * 2002-06-12 2005-10-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を処理するためのプラズマ方法及び装置
JP2005530349A (ja) * 2002-06-13 2005-10-06 クリー インコーポレイテッド 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
JP2005330459A (ja) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光物質および発光装置
JP2005353507A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Toyoda Gosei Co Ltd バックライト装置
JP2007115663A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Victor Co Of Japan Ltd 面光源装置
JP2007288200A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Harvatek Corp 発光ダイオードチップの封止構造および発光ダイオードチップ構造のパッケージ方法
JP2007305672A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Toyoda Gosei Co Ltd Led発光装置及びその製造法
JP2007329155A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Fujikura Ltd 発光ダイオード光源装置とその製造方法、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2007329511A (ja) * 2001-09-03 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2008074890A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258749A (ja) 1999-03-08 2000-09-22 Nitto Denko Corp 面光源装置及び液晶表示装置
EP2017901A1 (en) 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
US7488432B2 (en) 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
TWI260799B (en) * 2005-05-06 2006-08-21 Harvatek Corp Multi-wavelength white light light-emitting diode
JP4462249B2 (ja) * 2005-09-22 2010-05-12 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法
US20070165186A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Copner Nigel J Light source system and an image projection system
KR100783251B1 (ko) * 2006-04-10 2007-12-06 삼성전기주식회사 양자점을 이용한 다층 구조 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
CN101432897B (zh) * 2006-04-25 2011-04-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 产生白光的荧光照明
JP2008000403A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Daiichi Shokai Co Ltd 遊技機
WO2008096545A1 (ja) * 2007-02-09 2008-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba 白色発光ランプとそれを用いた照明装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007329511A (ja) * 2001-09-03 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2005530341A (ja) * 2002-06-12 2005-10-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を処理するためのプラズマ方法及び装置
JP2005530349A (ja) * 2002-06-13 2005-10-06 クリー インコーポレイテッド 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
JP2005330459A (ja) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光物質および発光装置
JP2005208412A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Denso:Kk 発光表示装置
JP2005353507A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Toyoda Gosei Co Ltd バックライト装置
JP2007115663A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Victor Co Of Japan Ltd 面光源装置
JP2007288200A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Harvatek Corp 発光ダイオードチップの封止構造および発光ダイオードチップ構造のパッケージ方法
JP2007305672A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Toyoda Gosei Co Ltd Led発光装置及びその製造法
JP2007329155A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Fujikura Ltd 発光ダイオード光源装置とその製造方法、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2008074890A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
TW201007051A (en) 2010-02-16
JPWO2009141982A1 (ja) 2011-09-29
WO2009141982A1 (ja) 2009-11-26
US20110116005A1 (en) 2011-05-19
US8461756B2 (en) 2013-06-11
TWI485347B (zh) 2015-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5390516B2 (ja) 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
JP5226323B2 (ja) 発光モジュールとそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置
TWI407589B (zh) White light emitting diodes and the use of its backlight and liquid crystal display device
JP5127455B2 (ja) 白色発光装置とその製造方法、およびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
KR101809472B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 장치
JP4325207B2 (ja) 面発光装置
JP4679183B2 (ja) 発光装置及び照明装置
KR100946015B1 (ko) 백색 발광장치 및 이를 이용한 lcd 백라이트용 광원모듈
JP4987711B2 (ja) バックライトとそれを用いた液晶表示装置
JP4945436B2 (ja) 白色発光ランプとそれを用いたバックライト、表示装置および照明装置
WO2011021402A1 (ja) 発光装置
JP5823111B2 (ja) Ledパッケージ構造体
WO2006003930A1 (ja) 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ
KR20100000173A (ko) 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법
JP2009088054A (ja) 線状発光装置及びその製造方法
JP2011228344A (ja) Led発光装置
JP2016157795A (ja) 発光モジュール
JP2013072905A (ja) 液晶表示装置用バックライト
JP2010129698A (ja) 発光装置、バックライト、および液晶表示装置
CN1854863B (zh) 用于液晶显示器的采用发光二极管的背光单元
JP2011249856A (ja) 半導体発光装置
JP2010199629A (ja) 半導体発光装置
KR20110096923A (ko) 백색 발광 다이오드 광원
JP2013145927A (ja) 半導体発光装置
KR20090004344A (ko) 백색 led 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130204

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130612

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20130730

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130917

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131010

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5390516

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250