JP2013161967A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】広範囲に光を照射可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板２と、３８０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する光を出射する半導体発光素子３と、半導体発光素子３から出射した光により励起されて可視光を発する蛍光体５，６を含むモールド部材４と、を有し、モールド部材４は、モールド部材４の基板２からの高さＨ［ｍｍ］と、基板２とモールド部材４との接触面積の平方根ｓ［ｍｍ］と、モールド部材４に覆われた半導体発光素子３の個数ｎとしたとき、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）が、０．３≦Ａ≦６を満たすように形成される。
【選択図】図１
【解決手段】基板２と、３８０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する光を出射する半導体発光素子３と、半導体発光素子３から出射した光により励起されて可視光を発する蛍光体５，６を含むモールド部材４と、を有し、モールド部材４は、モールド部材４の基板２からの高さＨ［ｍｍ］と、基板２とモールド部材４との接触面積の平方根ｓ［ｍｍ］と、モールド部材４に覆われた半導体発光素子３の個数ｎとしたとき、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）が、０．３≦Ａ≦６を満たすように形成される。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関する。
白色に発光する半導体発光装置として、青色光を発する青色発光素子と、青色光を吸収して緑色〜赤色の波長域の光を発光する蛍光体を有するバインダと、を備えたものが知られている（特許文献１参照）。このような半導体発光装置は、青色発光素子から外部に出射される青色光と、蛍光体から出射される緑色〜赤色の波長域の光とを混合することにより、白色光を得ている。
近年、この方式に代表される半導体発光装置を光源として用いた灯具が急速に普及し始めている。このような状況の中、半導体発光装置を光源として用いた灯具に対して、光の照射範囲等の明るさや効率以外の要求が高まっている。特に、室内照明や、白熱球（電球）の代替用途としての灯具等では、光の指向性を弱めて照射範囲を広くすることが要求されている。
ところが、既存の半導体発光素子は強い指向性を有する。そこで、半導体発光装置の他に、レンズや反射鏡、拡散板等の様々な光学部材を組み合わせることにより、照射範囲の広い配光特性を備えた灯具を実現していた。
しかしながら、このように半導体発光装置と他の光学部材とを組み合わせた場合には、灯具に搭載する光学部材の数が多いほど、灯具が大型化したり、光の利用効率が低下したり、あるいは製造コストが増加する。
そこで本発明は、半導体発光装置自体で広範囲に光を照射可能な半導体発光装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明によれば、
基板と、
前記基板上に設けられ、３８０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する光を出射する少なくとも一つの半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射した光により励起されて可視光を発する蛍光体を含み、前記半導体発光素子を覆うモールド部材と、を有し、
前記モールド部材は、前記モールド部材の前記基板からの高さＨ［ｍｍ］と、前記基板と前記モールド部材との接触面積の平方根ｓ［ｍｍ］と、前記モールド部材に覆われた前記半導体発光素子の個数ｎとしたとき、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）が、０．３≦Ａ≦６を満たすように形成されている、半導体発光装置が提供される。
基板と、
前記基板上に設けられ、３８０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する光を出射する少なくとも一つの半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射した光により励起されて可視光を発する蛍光体を含み、前記半導体発光素子を覆うモールド部材と、を有し、
前記モールド部材は、前記モールド部材の前記基板からの高さＨ［ｍｍ］と、前記基板と前記モールド部材との接触面積の平方根ｓ［ｍｍ］と、前記モールド部材に覆われた前記半導体発光素子の個数ｎとしたとき、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）が、０．３≦Ａ≦６を満たすように形成されている、半導体発光装置が提供される。
上記本発明にかかる半導体発光装置において、
前記モールド部材は、前記半導体発光素子の主発光方向の厚みが最も大きい形状に形成されていてもよい。
前記モールド部材は、前記半導体発光素子の主発光方向の厚みが最も大きい形状に形成されていてもよい。
上記本発明にかかる半導体発光装置において、
複数の前記半導体発光素子が前記基板上に設けられ、
各々の前記半導体発光素子の間を連続させるように一体的に前記モールド部材が設けられていてもよい。
複数の前記半導体発光素子が前記基板上に設けられ、
各々の前記半導体発光素子の間を連続させるように一体的に前記モールド部材が設けられていてもよい。
上記本発明にかかる半導体発光装置において、
前記モールド部材は、前記指標Ａが０．９≦Ａ≦１．７を満たすように形成されていることが好ましい。
前記モールド部材は、前記指標Ａが０．９≦Ａ≦１．７を満たすように形成されていることが好ましい。
上記本発明にかかる半導体発光装置において、
前記モールド部材に含有されている前記蛍光体の体積濃度を、０．００５ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％としてもよい。
前記モールド部材に含有されている前記蛍光体の体積濃度を、０．００５ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％としてもよい。
前記バインダには、光を拡散させる拡散剤やチクソ剤として、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、チタン酸バリウムなどの微粒子を含有させてもよい。なお、光拡散剤およびチクソ剤はこれらの物質に限定されることはない。
本発明に係る半導体発光装置によれば、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）が、０．３≦Ａ≦６を満たすようにモールド部材を形成することにより、半導体発光装置自体で幅広い範囲を照射可能な半導体発光装置を提供することができる。また、広い照射範囲を有する灯具を実現する際に、本発明に係る半導体発光装置を用いることにより、半導体発光装置以外の光学部材が不要となる、あるいは、半導体発光装置以外の光学部材の部品点数を大幅に削減することができる。これにより、小型で光の利用効率が高い灯具を安価に提供することができる。
以下、本発明の実施形態に係る半導体発光装置１（以下、単に発光装置１と呼ぶ）を、図１を参照して説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る発光装置１を示す図であり、（ａ）は発光装置１の断面図であり、（ｂ）は発光装置１の斜視図である。図１に示すように、発光装置１は、基板２と、基板２の上に設けられた単一の半導体発光素子３と、半導体発光素子３を覆うモールド部材４とを備えている。
基板２は、窒化アルミニウム、アルミナ、ムライト、ガラスセラミックなどのセラミック材料やガラスエポキシ樹脂などで形成することができる。本実施形態においては、基板２は、長方形状の板部材として形成されている。
半導体発光素子３は、３８０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する光を出射可能な半導体発光素子３である。半導体発光素子３としては、３８０ｍｍ〜４８０ｍｍの波長域にピーク波長を有する光を出射する、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）や、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を採用することができる。本実施形態では、半導体発光素子３として、４０５ｎｍのピーク波長を出射するＧａＮ系ＬＥＤチップを採用した。この半導体発光素子３は、基板２上に形成された電極８に電気的に接続されている。この半導体発光素子３は、光軸Ａｘ方向に指向性の高い光を出射する。
モールド部材４は、半導体発光素子３を一体的に被覆するように形成されている。このモールド部材４は、第一蛍光体５および第二蛍光体６（蛍光体）と、これら第一蛍光体５および第二蛍光体６を含むバインダ７とから形成されている。
第一蛍光体５は、半導体発光素子３から出射される光を吸収し、ドミナント波長が５６４ｎｍ以上５８２ｎｍ以下の黄色の可視光を発する。この第一蛍光体５は４５０ｎｍ以上の可視光をほとんど吸収しない。本実施形態では、第一蛍光体５は、ＳｉＯ２・１．０（Ｃａ０．５４，Ｓｒ０．３６，Ｅｕ０．１）Ｏ・０．１７ＳｒＣｌ２で表される蛍光体を採用した。第一蛍光体５は、ＳｉＯ２を過剰に添加することで第一蛍光体５内にクリストバライトを生成させている。
第二蛍光体６は、半導体発光素子３から出射される光を吸収し、ドミナント波長が４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の青色の可視光を発する。本実施形態では、この第二蛍光体６は（Ｃａ４．６７Ｍｇ０．５）（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ０．０８で表される蛍光体を用いた。
これら第一蛍光体５および第二蛍光体６は、モールド部材４に対して体積濃度で、０．００５ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％含有させることが好ましい。モールド部材４に含有される第一蛍光体５および第二蛍光体６の含有率が０．００５ｖｏｌ％未満では、蛍光体が少なすぎて十分に発光装置１を発光させることができない。また、この含有率を１０ｖｏｌ％より高くしても、光の取り出し効率が低くなり、発光装置１の効率が高くならない。
バインダ７は、半導体発光素子３から出射される光、第一蛍光体５および第二蛍光体６から出射される可視光に対する透過率が９０％以上であり、光耐性の高い材料を用いる。本実施形態では、バインダ７としてジメチルシリコーン樹脂（東レ・ダウコーニング社製ＪＣＲ６１２６）を用いた。このほかに、バインダ７は、フッ素樹脂、ゾルゲルガラス、アクリル樹脂、無機バインダ、ガラス材料等を用いることができる。また、光を拡散させる拡散剤やチクソ剤として、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、チタン酸バリウムなどの微粒子を含有していてもよい。
このように、本実施形態に係る発光装置１は、目に視認されない光を出射する半導体発光素子３を採用し、この半導体発光素子３からの光をモールド部材４に含有された第一蛍光体５および第二蛍光体６に吸収させ、これら第一蛍光体５および第二蛍光体６から発せられる青色および黄色の可視光を混色し白色光を外部に出射する。このため、半導体発光素子３からモールド部材４の外表面までのモールド部材４の厚みが不均一であっても、色むらが生じることがない。このため、部位によって厚みが変化する形状にモールド部材４を形成しても、色むらが生じることなく白色光を発する発光装置を得ることができる。
図１に示すように、本実施形態に係る発光装置１のモールド部材４は、基板２上に直立するように形成されている。モールド部材４は、下部が円柱形状、上部が略円錐形状とされている。また、モールド部材４の軸は半導体発光素子３の光軸Ａｘと一致されている。このようなモールド部材４は、例えば第一蛍光体５および第二蛍光体６を含む液状のバインダ７を基板２上にポッティングすることにより形成することができる。
また、モールド部材４は半導体発光素子３の光軸Ａｘ方向の寸法(高さ寸法Ｈ)が最も大きい形状に形成されている。具体的には、モールド部材４は、高さＨが６ｍｍ、基板２に接する面は直径φが１１．２ｍｍの円錐形に形成されている。
上述したように、半導体発光素子３は光軸Ａｘ方向に指向性の高い光を出射する。このため、半導体発光素子３から集中して出射された光軸Ａｘ付近の光は、モールド部材４から外部に出射するまでに、モールド部材４に含まれる第一蛍光体５および第二蛍光体６に多数回衝突することになる。つまり、半導体発光素子３の光が集中する領域のモールド部材４の厚みを大きく形成したことにより、光の変換効率を高めることができ、明るい発光装置１を得ることができる。
また、モールド部材４の上部は、半導体発光素子３の光軸Ａｘの真上に位置する頂部の曲率が小さく、半導体発光素子３の光軸Ａｘから離れた側面の曲率が大きな円錐形状に形成されている。半導体発光素子３の光が集中して出射される半導体発光素子３の光軸Ａｘ付近では第一蛍光体５および第二蛍光体６によって可視光も集中して発生している。この光軸Ａｘ付近で集中して出射される白色光は、モールド部材４の曲率の小さな頂部付近によって、広範囲に光が広がるように屈折される。このようにモールド部材４の上部を円錐形状に形成し、モールド部材４にレンズとしての機能も持たせたことにより、白色光が広範囲に均一な照度で出射される。
なお、上述した白色光の照度の均一性は指標Ａを用いて様々に設定することができる。指標Ａとは、モールド部材４の基板２からの高さＨ［ｍｍ］と、基板２とモールド部材４との接触面積の平方根ｓ［ｍｍ］と、モールド部材４に覆われた半導体発光素子３の個数ｎとしたとき、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）で表される無次元数である。この指標が、０．３≦Ａ≦６を満たすようにモールド部材４を形成すると、広い範囲を均一な照度で照らすことのできる発光装置１を得ることができる。
上述の如く、モールド部材４の高さＨを６［ｍｍ］、基板２との接触面の円の直径φを１１．２［ｍｍ］とすると、基板２とモールド部材４との接触面積の平方根ｓは９．９［ｍｍ］となる。また、本実施形態では単一の半導体発光素子３を基板２上に搭載している（ｎ＝１）。したがって、指標Ａは６／（９．９／１）＝０．６１となる。
図２は、指標Ａと、発光装置１から照射させる白色光の照射角度による照度変化（照度分布）を調べたグラフである。横軸は半導体発光素子３の光軸Ａｘと測定地点とのなす角度θ［度］、縦軸は該測定地点での照度を表し、最も高い照度を１としたときの相対照度で表している。各測定地点と半導体発光素子３との距離は一定である。図２の（ａ）は従来の一般のＬＥＤ発光素子の照度分布、図２の（ｂ）は指標Ａが０．６の発光装置１の照度分布、図２の（ｃ）は指標Ａが１．０の発光装置１の照度分布、図２の（ｄ）は指標Ａが１．７の発光装置１の照度分布、を示す。
図２の（ａ）に示したように、従来の一般のＬＥＤ発光素子では、ＬＥＤ発光素子に対して６０度の角度をなす位置では、ＬＥＤ発光素子の真下（０度をなす位置）の半分以下の明るさしか得られない。しかし、指標Ａが０．６１の本実施形態に係る発光装置１によれば、図２の（ｂ）に示したように、半導体発光素子３に対して６０度の角度をなす位置でも、半導体発光素子３の真下の照度の７割程度の明るさが得られる。
このように、本実施形態に係る発光装置１によれば、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）が、０．３≦Ａ≦６を満たすようにモールド部材４を形成することにより、発光装置１自体で幅広い範囲を照射可能である。また、広い照射範囲を有する灯具を実現する際に、この発光装置１を用いることにより、発光装置１以外のレンズやリフレクタなどの光学部材が不要となる、あるいは、発光装置１以外の光学部材の部品点数を大幅に削減することができる。これにより、小型の灯具を安価に提供することができる。また、白色光を追加の光学部材に通過あるいは反射させる必要が無いため、減衰することなく白色光を外部に照射することができるため、光の利用効率の高い灯具を提供することができる。
なお、上述した本実施形態のモールド部材４の高さおよび基板２との接触面積は一例であって、本発明はこの数値に限られない。モールド部材４の高さおよび基板２との接触面積を様々に変化させて、指標Ａを様々に設定してもよい。
例えば、図２の（ｃ）および（ｄ）は、上述した実施形態において、接触面積を変えずに高さＨのみを変更して、指標Ａを１．０と１．７とに変化させたときの照度分布を測定した結果である。
例えば、図２の（ｃ）および（ｄ）は、上述した実施形態において、接触面積を変えずに高さＨのみを変更して、指標Ａを１．０と１．７とに変化させたときの照度分布を測定した結果である。
図２の（ｃ）および（ｄ）に見られるように、指標Ａが１．０および１．７となるように設定した発光装置１においては、半導体発光素子３に対して６０度の位置の照度が最も高く、半導体発光素子３に対して−６０度から＋６０度の角度範囲における照度変化が小さい。また、半導体発光素子３に対して−９０度から＋９０度までの範囲において、最も照度が小さい位置でも最も照度が高い位置の７割程度の明るさが得られる。特に、指標Ａを１．０に設定した場合には、―８５度から＋８５度までの範囲において、照度変化が８割以内に収まっており、半導体発光素子３のほぼ真横まで少ない照度変化で照らすことができる。したがって、指標Ａを０．９≦Ａ≦１．７とするようにモールド部材４を形成することが好ましい。
なお、指標Ａは０．３以上に設定する。指標Ａが０．３未満の場合は、半導体発光素子３に対して−６０度および＋６０度における照度が半導体発光素子３に対して０度の位置に対して６割未満の明るさとなる。このため、指標Ａが０．３未満の場合は均一な照度で広い範囲を照らすことが難しい。
また、指標Ａの上限は、光透過部材を構成する樹脂の光透過性に影響されるが、６以下に設定する。指標Ａが６より大きくなると、モールド部材４を通過する半導体発光素子３の光および白色光が減衰してしまい、得られる光の明るさが低下してしまう。
なお、上述の実施形態では、円柱と円錐形を組み合わせたモールド部材４を例に挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。例えば、モールド部材４を円柱や円錐のほか、三角柱や四角柱、多角柱、三角錐、四角錘、多角錘、あるいはこれらを組み合わせた形状に形成してもよい。あるいは、所望の配光特性を得られるようにモールド部材４を多角形状としてもよい。
＜変形例＞
また、上述の実施形態では、基板２上に単一の半導体発光素子３を搭載する例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。図３から図６はそれぞれ、本発明の第一変形例から第四変形例に係る発光装置の斜視図である。
また、上述の実施形態では、基板２上に単一の半導体発光素子３を搭載する例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。図３から図６はそれぞれ、本発明の第一変形例から第四変形例に係る発光装置の斜視図である。
図３に示した本発明の第一変形例の発光装置１ａは、基板２上に列状に配列された複数の半導体発光素子３と、これら複数の半導体発光素子３を覆う単一のモールド部材４ａと、を備えている。このモールド部材４ａは、半導体発光素子３の配列方向に延びる柱状に形成されている。また、このモールド部材４ａは、その配列方向に直交する面での断面が図１で示した断面と同一となるように、形成されている。この場合でも、指標Ａを０．３≦Ａ≦６に設定する。本変形例によれば、柱状に発光するモールド部材４ａによって、基板２に沿った長い領域を均一な照度で白色光を照射できる発光装置１ａを提供することができる。
図４に示した本発明の第二変形例の発光装置１ｂは、基板２上に列状に配列された複数の半導体発光素子３と、これら複数の半導体発光素子３をそれぞれ覆う複数のモールド部材４ｂと、を備えている。このモールド部材４ｂは、図１に示した実施形態に係るモールド部材４と略同一に形成されている。また、この変形例においても、指標Ａを０．３≦Ａ≦６に設定する。
また、これらモールド部材４ｂの根元部分（基板２に近い側の部分）は、互いに連続するように構成されている。モールド部材４ｂの根元部分を連続させることにより、半導体発光素子３の間の領域も発光させることができ、発光装置１ｂ全体を発光させることができる。
図５に示した本発明の第三変形例の発光装置１ｃは、基板２上に搭載された複数の半導体発光素子３（不図示）と、これら複数の半導体発光素子３をそれぞれ覆う複数のモールド部材４ｃと、を備えている。このモールド部材４ｃは、図１に示した実施形態に係るモールド部材４と略同一に形成されている。この変形例においても、指標Ａを０．３≦Ａ≦６に設定する。本変形例によれば、基板上に面状に広がって形成されたモールド部材４ｃによって、より広い範囲を均一な照度で照らすことができる。
また、この場合においても、モールド部材４ｃの根元部分（基板２に近い側の部分）は、互いに連続するように構成してもよい。モールド部材４ｃの根元部分を連続させることにより、半導体発光素子３の間の領域も発光させることができ、発光装置１ｃ全体を発光させることができる。
図６に示した本発明の第四変形例の発光装置１ｄは、基板２上に複数列に配列された複数の半導体発光素子３（不図示）と、これら複数の半導体発光素子３を列ごとにそれぞれ覆う複数のモールド部材４ｄと、を備えている。モールド部材４ｄは、半導体発光素子３の配列方向に延びる柱状に形成されている。本変形例によっても、列状に配列された複数の柱状のモールド部材４ｄにより発光装置１ｃが面状に発光し、より広い範囲を均一な照度で照らすことができる。
なお、第一蛍光体５としては、上述した材料に限らず、一般式がＭ１Ｏ２・ａ（Ｍ２ １−ｚ，Ｍ４ ｚ）Ｏ・ｂＭ３Ｘ２で表される他の材料を採用してもよい。
Ｍ１は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，ＺｒおよびＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素を示す。Ｍ２は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素を示す。Ｍ３は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素を示す。Ｘは、少なくとも一種以上のハロゲン元素を示す。Ｍ４は、希土類元素およびＭｎからなる群より選ばれるＥｕ２＋を必須とする少なくとも一種以上の元素を示す。
ａは、０．１≦ａ≦１．３の範囲であり、ｂは０．１≦ｂ≦０．２５の範囲であり、ｚは０．０３＜ｚ＜０．８の範囲である。この一般式において、上述した実施形態においては、Ｍ１＝Ｓｉ、Ｍ２＝Ｃａ／Ｓｒ（モル比６０／４０）、Ｍ３＝Ｓｒ、Ｘ＝Ｃｌ、Ｍ４＝Ｅｕ２＋、ａ＝０．９ｂ＝０．１７、Ｍ４の含有量ｃ（モル比）がｃ／（ａ＋ｃ）＝０．１となっている。
Ｍ１は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，ＺｒおよびＳｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素を示す。Ｍ２は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素を示す。Ｍ３は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＢａおよびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素を示す。Ｘは、少なくとも一種以上のハロゲン元素を示す。Ｍ４は、希土類元素およびＭｎからなる群より選ばれるＥｕ２＋を必須とする少なくとも一種以上の元素を示す。
ａは、０．１≦ａ≦１．３の範囲であり、ｂは０．１≦ｂ≦０．２５の範囲であり、ｚは０．０３＜ｚ＜０．８の範囲である。この一般式において、上述した実施形態においては、Ｍ１＝Ｓｉ、Ｍ２＝Ｃａ／Ｓｒ（モル比６０／４０）、Ｍ３＝Ｓｒ、Ｘ＝Ｃｌ、Ｍ４＝Ｅｕ２＋、ａ＝０．９ｂ＝０．１７、Ｍ４の含有量ｃ（モル比）がｃ／（ａ＋ｃ）＝０．１となっている。
また、第二蛍光体６も上述した材料に限らず、一般式が以下で表される蛍光体群の中から選択することができる。
（１）一般式 Ｍ１ａ（Ｍ２Ｏ４）ｂＸｃ：Ｒｅｄ
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうち一種以上を必須とし、一部をＭｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｋ，Ａｇ，Ｔｌからなる群の元素に置き換えることができる。Ｍ２は、Ｐを必須とし、一部をＶ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｂからなる群の元素に置き換えることができる。Ｘは少なくとも一種以上のハロゲン元素を示す。ＲｅはＥｕ２＋を必須とする少なくとも一種以上の希土類元素、またはＭｎを示す。
ａは４．２≦ａ≦５．８の範囲、ｂは２．５≦ｂ≦３．５の範囲、ｃは０．８＜ｃ＜１．４、ｄは０．０１＜ｄ＜０．１の範囲とされる。
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａのうち一種以上を必須とし、一部をＭｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｋ，Ａｇ，Ｔｌからなる群の元素に置き換えることができる。Ｍ２は、Ｐを必須とし、一部をＶ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｂからなる群の元素に置き換えることができる。Ｘは少なくとも一種以上のハロゲン元素を示す。ＲｅはＥｕ２＋を必須とする少なくとも一種以上の希土類元素、またはＭｎを示す。
ａは４．２≦ａ≦５．８の範囲、ｂは２．５≦ｂ≦３．５の範囲、ｃは０．８＜ｃ＜１．４、ｄは０．０１＜ｄ＜０．１の範囲とされる。
（２） 一般式 Ｍ１ １−ａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋ ａ
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素、ａは０．００１≦ａ≦０．５の範囲とされる。
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素、ａは０．００１≦ａ≦０．５の範囲とされる。
（３） 一般式 Ｍ１ １−ａＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋ ａ
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素、ａは０．００１≦ａ≦０．８の範囲とされる。
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素、ａは０．００１≦ａ≦０．８の範囲とされる。
（４） 一般式Ｍ１ ２−ａ（Ｂ５Ｏ９）Ｘ：Ｒｅａ
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素、Ｘは少なくとも一種以上のハロゲン元素、ａは０．００１≦ａ≦０．５の範囲とされる。
Ｍ１はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素、Ｘは少なくとも一種以上のハロゲン元素、ａは０．００１≦ａ≦０．５の範囲とされる。
また、上述の実施形態では、目に視認されない光を出射する半導体発光素子３を採用し、この半導体発光素子３からの光を第一蛍光体５および第二蛍光体６で青色および黄色に変換し、白色光を外部に出射する例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。例えば、半導体発光素子として、青色光を発する半導体発光素子を用いることができる。この場合、モールド部材中には、青色光を吸収し、赤、緑、黄、橙色で発光する蛍光体を用いる。また、この場合には、モールド部材に光拡散剤を多量に含ませて、指向性の高い半導体発光素子からの光を積極的に散乱させることが望ましい。
１：発光装置（半導体発光装置）、２：基板、３：半導体発光素子、４：モールド部材、５：第一蛍光体（蛍光体）、６：第二蛍光体（蛍光体）、７：バインダ、８：電極
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、３８０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する光を出射する少なくとも一つの半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射した光により励起されて可視光を発する蛍光体を含み、前記半導体発光素子を覆うモールド部材と、を有し、
前記モールド部材は、前記モールド部材の前記基板からの高さＨ［ｍｍ］と、前記基板と前記モールド部材との接触面積の平方根ｓ［ｍｍ］と、前記モールド部材に覆われた前記半導体発光素子の個数ｎとしたとき、指標Ａ＝Ｈ／（ｓ／ｎ）が、０．３≦Ａ≦６を満たすように形成されている、半導体発光装置。 - 前記モールド部材は、前記半導体発光素子の主発光方向の厚みが最も大きい形状に形成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
- 複数の前記半導体発光素子が前記基板上に設けられ、
各々の前記半導体発光素子の間を連続させるように一体的に前記モールド部材が設けられている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。 - 前記モールド部材は、前記指標Ａが０．９≦Ａ≦１．７を満たすように形成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
- 前記モールド部材に含有されている前記蛍光体の体積濃度は、０．００５ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％である、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
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