JP5084324B2 - 発光装置および照明装置 - Google Patents
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Description
発光装置の形状が、長方形状、略正方形状の場合、発光素子を密着して並べることができ、蛍光灯型LEDランプとして作製する場合は特に好ましい。
図1に本発明の発光装置1000を上面から見た模式図を示す。発光装置は、酸化アルミニウム(以下、アルミナとよぶ)基板1、発光部1001、正電極外部接続ランド101、負電極外部接続ランド91、取り付け部13のネジ、外部接続ランドに接続された外部配線、外部配線が通る外部配線用穴、第一の蛍光体含有封止樹脂層5から構成されている。
(b)アルミナ基板上にLEDチップ3(短辺幅0.24mm、長辺0.48mm、厚み0.14mm)をエポキシ樹脂を用いて固定する。LEDチップ3と配線パターン2をボンディングワイヤWを用いて電気的接続する。
(c)アルミナ基板1上にほぼ長方形状のシリコーンゴムシート4を密着させる。
(d)次に、このシリコーンゴムシート4内に蛍光体を含む封止樹脂を注入し、この蛍光体を含む封止樹脂を熱硬化させ、第一の蛍光体含有封止樹脂層5を形成する。
(e)その後にシリコーンゴムシート4を取り除き、発光部1001が形成される。
図23(a)(b)は、実施形態1の断面図を一部強調した模式図である。図23(a)に示した通り、本実施形態では、LEDチップからの光は、直接または第1反射層44で反射して蛍光体に衝突し、蛍光体を励起して黄色光の発光がなされる。つまり、この第1反射層44によって、基板に漏れる光が、第1反射層44で反射されて、蛍光体含有封止樹脂層を通過するため、蛍光体により効率よく、たとえば黄色の光に変換されるので、演色性の高い発光装置となる。
実施形態2の発光装置を、図5に示す。本実施の形態は基板の内部に第1反射層を設けたものである。
本実施形態の発光装置は、実施形態1と同様に、基板側から漏れる光を有効に活用することができる。また、第1反射層がセラミック基板内部にあるので、基板強度があり、さらに、発光装置を取り付ける際の機械的なダメージ(擦り傷・磨耗)などを避けることが可能である。
実施形態3の発光装置を、図6に示す。
本実施形態の発光装置は、複数の反射層を有しており、実施形態1および2よりも、より高精度に基板側から光が漏れる光を有効に活用することができる。また、第1反射層に共晶チップが使用でき、蛍光体が黄色発光の場合は、より黄色光が強い電球色を持つ発光装置が作製できる。
次に、実施形態4の発光装置を、図7に示す。
次に、実施形態5の発光装置を、図8に示す。
次に、実施形態6の発光装置を説明する。
(a)アルミナ基板1厚さ1mm内に第1反射層44として、Ag厚さ0.1mmが形成されたアルミナ基板1を準備する。ここで、第1反射層44はほぼ長方形状パターンとする。
(b)前記第2反射層43およびチップ載置部41上にLEDチップ3(短辺幅0.24mm、長辺0.48mm、厚み0.14mm)をエポキシ樹脂を用いて固定する。LEDチップ3と配線パターン2をボンディングワイヤWを用いて電気的接続する。
(c)アルミナ基板1上にほぼ長方形状のシリコーンゴムシート4を密着させる。
(d)次に、このシリコーンゴムシート4内に第一の蛍光体を含む封止樹脂を注入し、この蛍光体を含む封止樹脂を熱硬化させる。
(e)その後にシリコーンゴムシート4を取り除き、発光部2001が形成される。
図11は、発光装置の配線パターンと上面の反射層などを示している。アルミナ基板1、アルミナ基板上の配線パターン2、第1反射層44およびチップ載置部41、正電極外部接続ランド101、負電極外部接続ランド91、取り付け部13、ボンディングワイヤ位置決めあるいはチップ搭載位置目安パターン42、第2反射層43から構成されている。
図12は、別形態の発光装置4000を上面から見た模式図である。発光装置は、アルミナ基板1、発光部4001、正電極外部接続ランド101、負電極外部接続ランド91、取り付け部13、第一蛍光体含有封止樹脂層5で構成されている。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板に設けられた複数の発光素子と、前記発光素子を覆い前記発光素子によって励起される蛍光体を含む封止樹脂と、
前記基板の前記発光素子の設けられた面と反対の面に設けられた第1反射層とを有することを特徴とする発光装置であって、
前記発光素子が窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色系LEDチップであり、
前記蛍光体がセリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体、Eu:BOSE(ユーロピウム賦活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート)蛍光体、Eu:SOSE(ユーロピウム賦活ストロンチウム・バリウム・オルソシリケート)蛍光体またはユーロピウム賦活αサイアロン蛍光体であり、
前記第1反射層がAg−Ndの合金またはMoである、発光装置。 - 前記第1反射層は、前記基板の前記発光素子の設けられた面と反対の面に設けられた窪みに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 基板と、
前記基板に設けられた複数の発光素子と、前記発光素子を覆い前記発光素子によって励起される蛍光体を含む封止樹脂と、
前記基板の内部に設けられた第1反射層とを有することを特徴とする発光装置であって、
前記発光素子が窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色系LEDチップであり、
前記蛍光体がセリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体、Eu:BOSE(ユーロピウム賦活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート)蛍光体、Eu:SOSE(ユーロピウム賦活ストロンチウム・バリウム・オルソシリケート)蛍光体またはユーロピウム賦活αサイアロン蛍光体であり、
前記第1反射層がAg−Ndの合金またはMoである、発光装置。 - 前記基板は、少なくとも2枚の基板を貼り合わせて構成され、
前記第1反射層は、前記少なくとも2枚の基板に挟まれていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、前記基板に設けられた第2反射層上に備えられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第1反射層は、前記発光素子に面する側において、凹凸部を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第1反射層は、凸部が、前記発光素子の下方になるように配置されることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記第1反射層は、前記基板の前記発光素子が設けられた面から、0.01mmから1mmの範囲内にあることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第1反射層の形状は、前記基板に設けられる配線パターンの外周部に対して外側になるように設けられることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記基板に設けられる配線パターンは、透明導電体膜であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の発光装置。
- 前記蛍光体を含む封止樹脂は、2層であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の発光装置。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の発光装置を用いた照明装置。
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