JP2013201255A - 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法 - Google Patents
配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】限られたセラミック基板のサイズの中で、配線パターンに大電流を流すことができるとともに高い放熱性を確保することができる配線基板装置を提供する。
【解決手段】配線基板装置20は、第1の面21aおよび第2の面21bを有するセラミック基板21を備える。セラミック基板21の第1の面21aに第1の電極層22aを形成し、セラミック基板21の第2の面21bに第2の電極層22bを形成する。第1の電極層22aと第2の電極層22bとは電気的に接続しない。第1の電極層22a上に配線パターン24である第1の銅めっき層23aを形成し、第2の電極層22b上に第2の銅めっき層23bを形成する。第1の銅めっき層23aと第2の銅めっき層23bとは電気的に接続しない。第2の銅めっき層23bにヒートスプレッダ37を熱的に接続する。
【選択図】図1
【解決手段】配線基板装置20は、第1の面21aおよび第2の面21bを有するセラミック基板21を備える。セラミック基板21の第1の面21aに第1の電極層22aを形成し、セラミック基板21の第2の面21bに第2の電極層22bを形成する。第1の電極層22aと第2の電極層22bとは電気的に接続しない。第1の電極層22a上に配線パターン24である第1の銅めっき層23aを形成し、第2の電極層22b上に第2の銅めっき層23bを形成する。第1の銅めっき層23aと第2の銅めっき層23bとは電気的に接続しない。第2の銅めっき層23bにヒートスプレッダ37を熱的に接続する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、配線パターンを有する配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法に関する。
従来、例えば照明装置に用いられるLEDモジュールでは、基板の一面に配線パターンを形成した配線基板装置が用いられている。配線基板装置の配線パターン上にはLED素子が電気的に接続される。そして、点灯装置からの点灯電力が配線パターンからLED素子に供給され、LED素子が点灯する。
また、LEDモジュールにおいては、高出力化が進み、この高出力化に伴って基板の高耐熱性および高放熱性が求められ、この要求を満たすためにセラミック基板を用いることが多い。セラミック基板においても、一般的なプリント配線基板と同様に、セラミック基板の一面に配線パターンを印刷によって形成するのが一般的である。
ところで、LEDモジュールを高出力化するには、配線パターンからLED素子に大電流を流すこと、および大電流を流すことでLED素子の発熱量が増加するために高い放熱性を確保する必要がある。
しかしながら、従来の配線基板装置は、セラミック基板を用いているが、セラミック基板上の配線パターンは印刷によって形成しているため、配線パターンに大電流を流すことが困難であった。これは、印刷によって形成する配線パターンは厚みが薄く、電流が流れる断面積が小さいため、この配線パターンに大電流を流すと、配線パターンがジュール熱で溶けて断線してしまうことによる。また、配線パターンの幅を広げ、電流が流れる断面積を大きくすることもできるが、配線パターンの幅を非常に大きく広げなければ大電流に耐えることができず、そのため、セラミック基板が大形化してしまうことになる。
さらに、配線パターンに大電流を流すことができたとしても、LED素子の発熱量が増加するため、必要な放熱性が得られず、その結果、LED素子に大電流を流すことが困難となる。
このように、配線基板装置には、限られたセラミック基板のサイズの中で、配線パターンに大電流を流すことができ、さらに、高い放熱性を確保できることが求められている。
本発明が解決しようとする課題は、限られたセラミック基板のサイズの中で、配線パターンに大電流を流すことができるとともに高い放熱性を確保することができる配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法を提供することである。
実施形態の配線基板装置は、第1の面および第2の面を有するセラミック基板を備えている。セラミック基板の第1の面に第1の電極層が形成され、セラミック基板の第2の面に第2の電極層が形成されている。第1の電極層と第2の電極層とは電気的に接続されていない。第1の電極層上に配線パターンである第1の銅めっき層が形成され、第2の電極層上に第2の銅めっき層が形成されている。第1の銅めっき層と第2の銅めっき層とは電気的に接続されていない。第2の銅めっき層にヒートスプレッダが熱的に接続されている。
本発明によれば、セラミック基板の第1の面側に配線パターンを第1の銅めっき層によって形成するため、配線パターンの厚みを増加させることが容易にでき、さらに、セラミック基板の第2の面側に第2の銅めっき層を形成し、第2の銅めっき層にヒートスプレッダを熱的に接続したため、セラミック基板からヒートスプレッダに効率よく熱伝導して放熱することができ、したがって、限られたセラミック基板のサイズの中で、配線パターンに大電流を流すことができるとともに、高い放熱性を確保することができる。
以下、一実施形態を、図1ないし図7を参照して説明する。
図7に照明装置10を示す。照明装置10は、例えばライトアップなどに用いられる投光器である。照明装置10は、器具本体11を有し、器具本体11には投光窓12が設けられ、器具本体11内には投光窓12に対向する複数の発光モジュール13が収容されている。器具本体11内の下部には、発光モジュール13に点灯電力を供給する点灯装置14が収容されている。そして、点灯装置14から複数の発光モジュール13に点灯電力を供給することにより、複数の発光モジュール13が点灯し、光を投光窓12から放射する。
また、図1および図4に発光モジュール13を示す。発光モジュール13は、配線基板装置20を有している。
配線基板装置20は、四角形状のセラミック基板21を有している。このセラミック基板21の前面側が第1の面21a、裏面側が第2の面21bである。第1の面21aに第1の電極層22aが形成され、この第1の電極層22a上に第1の銅めっき層23aが形成されている。これら第1の電極層22aおよび第1の銅めっき層23aによって、所定の形状の配線パターン24が形成されている。一方、第2の面21bの略全域に第2の電極層22bが形成され、この第2の電極層22b上に第2の銅めっき層23bが形成されている。さらに、銅めっき層23a,23bの表面には、銅めっき層23a,23bを保護する金属めっき層25が形成されている。
電極層22a,22bは、例えばチタンなどの金属のスパッタリングによって形成されている。銅めっき層23a,23bは、銅のめっき処理によって形成され、また、金属めっき層25は、例えばニッケル/金のめっき処理、あるいはニッケル/鉛/金のめっき処理によって形成されている。セラミック基板21、電極層22a,22b、銅めっき層23a,23bおよび金属めっき層25によって、DPC(Direct Plated Copper)基板26が形成されている。
第1の電極層22aと第2の電極層22bとは同じ厚みに形成されているとともに、第1の銅めっき層23aと第2の銅めっき層23bとは同じ厚みに形成されている。図3に示すように、第1の電極層22aの厚みAは1μm程度であり、第1の銅めっき層23a(電流が流れる配線パターン24)の最小幅Bは50〜75μm、および厚みCは35〜100μm(好ましくは50〜75μm)である。なお、配線パターンを印刷によって形成した場合の配線パターンの厚みは最大でも10μm程度である。
図4に示すように、配線パターン24は、外部から点灯電力の供給を受ける一対の電極部27を有し、一対の電極部27間に複数の配線部28が並列に形成されている。そして、隣接する配線部28上に、複数のLED素子29が実装されている。
図1に示すように、複数のLED素子29は、フリップチップタイプなどの裏面側に一対の電極を有するタイプが用いられている。複数のLED素子29の一対の電極は、半田ダイボンド層30によって第1の銅めっき層23aに電気的に接続されている。なお、LED素子は、フェースアップタイプのように表面側に電極を有し、ワイヤボンディングによってLED素子の電極と配線パターン24とを接続するようにしてもよい。
図2に示すように、第1の銅めっき層23a上を含む第1の面21a側には、複数のLED素子29から第1の距離L1を離して有機系レジスト層31が形成されている。この有機系レジスト層31上には、複数のLED素子29に対向する有機系レジスト層31の端から第2の距離L2を離して無機レジストインク層32が形成されている。そして、有機系レジスト層31および無機レジストインク層32の表面が複数のLED素子29から放出された光を反射する反射面33として形成されている。
有機系レジスト層31は、エポキシ樹脂を主成分とした白色のものが用いられるが、変色しやすい傾向がある。無機レジストインク層32は、セラミックを主成分とした白色のものが用いられ、変色し難い特性を有しているが、セラミックの粒径が大きいために光が透過しやすい傾向がある。そのため、有機系レジスト層31上に無機レジストインク層32を形成した2層構造とすることにより、高い反射効率を継続して維持することができる。
さらに、有機系レジスト層31はフォトレジストを用いてパターンニング形成することができるが、無機レジストインク層32は印刷によってパターンニング形成することになる。印刷によってパターンニング形成する無機レジストインク層32は、パターンニングの寸法精度が低く、LED素子29との距離が安定しないため、寸法精度分の余裕をとって第2の距離L2を大きくしている。第2の距離L2が大きいと、光の反射に寄与しない領域が大きくなり、反射効率が低下してしまう。そこで、パターンニング精度のよい有機系レジスト層31をLED素子29に近付けて形成することにより、高い反射効率を得ることができる。そして、第1の距離L1は25〜200μm、第2の距離L2は50〜200μmであり、第1の距離L1≦第2の距離L2となる関係を有する。
また、第1の面21a側には、複数のLED素子29の実装領域を囲むように環状の反射枠34が設けられている。この反射枠34の内側に、複数のLED素子29を封止する封止樹脂35が充填されている。封止樹脂35には、複数のLED素子29が発生する光で励起する蛍光体が含有されている。例えば、発光モジュール13が白色の光を放射する場合には、青色発光のLED素子29と黄色を主成分とする蛍光体が用いられる。LED素子29が発生する青色光と、LED素子29が発生する青色光で励起した蛍光体が発生する黄色光とが混ざり、封止樹脂35の表面から白色の光を放射する。なお、照射する光の色に応じて対応する色のLED素子29および蛍光体が用いられる。
また、第2の銅めっき層23bには、ヒートスプレッダ37が半田層38を介して固定されているとともに熱的に接続されている。ヒートスプレッダ37は、板厚が0.1〜3mmの銅板39を有し、銅板39の表面全体に例えばニッケルめっきなどの金属めっき層40が形成されている。ヒートスプレッダ37の四隅には、ねじで照明装置10の放熱部に固定するための取付孔41が形成されている。
次に、配線基板装置20のDPC基板26の製造方法を、図5を参照して説明する。
図5(a)に示すように、セラミック基板21の表面全体に、例えばチタンなどの金属をスパッタリングし、第1の電極層22aおよび第2の電極層22bを含む電極層22を形成する。
図5(b)に示すように、電極層22上にレジスト51をパターンニング形成する。
図5(c)に示すように、めっき処理装置の銅めっき溶液中にセラミック基板21を浸漬し、電極層22に通電することにより、レジスト51から露出する電極層22上に電解めっき処理を施し、所定の厚みの第1の銅めっき層23aおよび第2の銅めっき層23bを同時に形成する。このとき、第1の銅めっき層23aおよび第2の銅めっき層23bを同時に形成するため、第1の銅めっき層23aおよび第2の銅めっき層23bが同じ厚みになる。電解めっき処理の完了後は、セラミック基板21をめっき処理装置から取り出す。
図5(d)に示すように、セラミック基板21からレジスト51のみをエッチング処理によって除去する。
図5(e)に示すように、銅めっき層23a,23bの表面に金属めっき層25を形成する。すなわち、めっき処理装置の金属めっき溶液中にセラミック基板21を浸漬し、電極層22に通電することにより、銅めっき層23a,23bおよび電極層22上に電解めっき処理を施し、金属めっき層25を形成する。電解めっき処理の完了後は、セラミック基板21をめっき処理装置から取り出す。
図5(f)に示すように、セラミック基板21から銅めっき層23a,23bが積層されていない電極層22の部分をエッチング処理によって除去する。
このようにして、配線基板装置20のDPC基板26を製造する。
また、配線基板装置20のDPC基板26を用いて発光モジュール13を製造するには、図1および図2に示すように、第1の銅めっき層23a上を含む第1の面21a側に、有機系レジスト層31をフォトレジストを用いてパターンニング形成する。さらに、有機系レジスト層31上に、無機レジストインク層32を印刷によってパターンニング形成する。
配線パターン24(第1の銅めっき層23a)上に、複数のLED素子29を半田ダイボンド層30によって電気的に接続する。
複数のLED素子29の実装領域を囲むように環状の反射枠34を設け、反射枠34の内側に複数のLED素子29を封止する封止樹脂35を充填する。
また、第2の銅めっき層23bにヒートスプレッダ37を半田層38によって固定するとともに熱的に接続する。
このようにして、発光モジュール13を製造する。
また、図7に示すように、複数の発光モジュール13を器具本体11内に配設する。この場合、ヒートスプレッダ37の取付孔41にねじを通して器具本体11の放熱部に固定し、ヒートスプレッダ37を器具本体11の放熱部に熱的に接続する。また、配線パターン24の一対の電極部27と点灯装置14とを電線によって電気的に接続する。
そして、点灯装置14から複数の発光モジュール13に点灯電力を供給することにより、各発光モジュール13の配線パターン24を通じて複数のLED素子29に点灯電力が流れるため、複数の発光モジュール13が点灯し、複数の発光モジュール13からの光を投光窓12から放射する。
発光モジュール13の点灯時に複数のLED素子29が発生する熱は、第1の銅めっき層23a、セラミック基板21、第2の銅めっき層23b、ヒートスプレッダ37へと効率よく熱伝導され、さらに、ヒートスプレッダ37から器具本体11の放熱部に効率よく熱伝導され、器具本体11の放熱部から放熱される。
そして、本実施形態では、セラミック基板21の第1の面21a側に配線パターン24を第1の銅めっき層23aによって形成するため、配線パターン24の厚みを増加させることが容易にできる。そのため、配線パターン24に大電流を流すことができ、発光モジュール13の高出力に対応できる。
さらに、セラミック基板21の第2の面21b側に第2の銅めっき層23bを形成するため、第2の銅めっき層23bからの高い放熱性を得ることができる。
したがって、限られたセラミック基板21のサイズの中で、配線パターン24に大電流を流すことができるとともに、高い放熱性を確保することができる。
また、第1の銅めっき層23aおよび第2の銅めっき層23bの厚みは同じである。つまり、めっき処理時に第1の銅めっき層23aおよび第2の銅めっき層23bを同時に形成することができ、製造効率を向上できる。
また、第1の電極層22aおよび第1の銅めっき層23aと第2の電極層22bおよび第2の銅めっき層23bとは電気的に接続されていないため、信頼性を確保することができる。
また、第1の銅めっき層23a(電流が流れる配線パターン24)の最小幅は50〜75μm、厚みは35〜100μmであるため、幅を大きくすることなく、大電流を流すことができる。なお、第1の銅めっき層23aの厚みのより好ましい範囲は、大電流を流すうえで50μm以上がよく、製造効率の点で75μm以下がよく、50〜75μmである。
また、第1の銅めっき層23aには1〜8アンペアの電流が流れるものであり、配線パターン24に流れる電流としては大電流であっても、第1の銅めっき層23aに大電流が流れるのを許容できる。
また、銅のめっき処理によって配線パターン24を形成することのさらなる利点を、図6を参照して説明する。図6(a)には銅のめっき処理によって配線パターン24を形成した本実施形態を示し、図6(b)にはエッチング処理によって配線パターン24を形成した比較例を示す。いずれにおいても、配線パターン24の幅をBに形成し、隣接する配線パターン24間の間隙をDに形成するものとする。
図6(b)に示すように、エッチング処理によって配線パターン24を形成した比較例では、配線パターン24の両側に傾斜部分が形成されるため、両側の傾斜部分の幅Eの分だけ配線パターン24のピッチが広くなり、大形化することになる。
それに対して、図6(a)に示すように、銅のめっき処理によって配線パターン24を形成した本実施形態では、配線パターン24(第1の銅めっき層23a)をパターンニングするレジスト51をエッチング処理によって除去できるため、配線パターン24の側部に傾斜部分が発生せず、配線パターン24のピッチを詰めることができ、小形化できる。
また、第2の銅めっき層23bにヒートスプレッダ37を熱的に接続したため、セラミック基板21からヒートスプレッダ37に効率よく熱伝導して放熱することができ、発光モジュール13の高出力に対応できる。
さらに、第2の銅めっき層23bとヒートスプレッダ37とを半田付け接続するため、第2の銅めっき層23bからヒートスプレッダ37への熱伝導性を向上できる。
また、配線基板装置20の第1の銅めっき層23a上に複数のLED素子29を電気的に接続することにより、高出力化に対応できる発光モジュール13を提供できる。
また、第1の銅めっき層23a上に有機系レジスト層31が形成され、有機系レジスト層31上に無機レジストインク層32が形成されているため、高い反射効率を継続して維持することができる。すなわち、有機系レジスト層31は、エポキシ樹脂を主成分とした白色のものが用いられるが、変色しやすい傾向があり、一方、無機レジストインク層32は、セラミックを主成分とした白色のものが用いられ、変色し難い特性を有しているが、セラミックの粒径が大きいために光が透過しやすい傾向がある。そのため、有機系レジスト層31上に無機レジストインク層32を形成した2層構造とすることにより、高い反射効率を継続して維持することができる。
また、有機系レジスト層31はLED素子29から第1の距離L1を離して形成し、一方、無機レジストインク層32はLED素子29に対向する有機系レジスト層31の端から第2の距離L2を離して形成し、第1の距離L1≦第2の距離L2となる関係を有するため、高い反射効率を得ることができる。すなわち、有機系レジスト層31はフォトレジストを用いてパターンニング形成することができるが、無機レジストインク層32は印刷によってパターンニング形成することになる。印刷によってパターンニング形成する無機レジストインク層32は、パターンニング精度が低く、LED素子29との距離が安定しないため、精度分の余裕をとって第2の距離L2を大きくすることが好ましい。第2の距離L2が大きいと、光の反射に寄与しない領域が大きくなり、反射効率が低下してしまう。そこで、パターンニング精度のよい有機系レジスト層31をLED素子29に近付けて形成することにより、高い反射効率を得ることができる。そして、第1の距離L1は25〜200μm、第2の距離L2は50〜200μmとすることにより、上述の条件に合わせて各距離L1,L2を適切に設定できる。
また、LED素子29と有機系レジスト層31との間の第1の銅めっき層23a上には、金属めっき層25を形成しているため、第1の銅めっき層23aの腐食を防止し、保護できる。
なお、配線基板装置20は、LED素子29の実装用の配線基板装置に限らず、集積回路などの実装用の配線基板装置や、電源装置の電気部品を実装する配線基板装置にも適用することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10 照明装置
11 器具本体
13 発光モジュール
20 配線基板装置
21 セラミック基板
21a 第1の面
21b 第2の面
22 電極層
22a 第1の電極層
22b 第2の電極層
23a 第1の銅めっき層
23b 第2の銅めっき層
24 配線パターン
25 金属めっき層
29 LED素子
31 有機系レジスト層
32 無機レジストインク層
37 ヒートスプレッダ
51 レジスト
11 器具本体
13 発光モジュール
20 配線基板装置
21 セラミック基板
21a 第1の面
21b 第2の面
22 電極層
22a 第1の電極層
22b 第2の電極層
23a 第1の銅めっき層
23b 第2の銅めっき層
24 配線パターン
25 金属めっき層
29 LED素子
31 有機系レジスト層
32 無機レジストインク層
37 ヒートスプレッダ
51 レジスト
Claims (17)
- 第1の面および第2の面を有するセラミック基板と;
前記第1の面に形成された第1の電極層と;
前記第1の電極層とは電気的に接続されておらず、前記第2の面に形成された第2の電極層と;
前記第1の電極層上に形成された配線パターンである第1の銅めっき層と;
前記第1の銅めっき層とは電気的に接続されておらず、前記第2の電極層上に形成された第2の銅めっき層と;
前記第2の銅めっき層に熱的に接続されたヒートスプレッダと;
を具備していることを特徴とする配線基板装置。 - 前記第1の銅めっき層の厚みと前記第2の銅めっき層の厚みとは同じである
ことを特徴とする請求項1記載の配線基板装置。 - 前記第1の銅めっき層の最小幅は50〜75μm、厚みは35〜100μmである
ことを特徴とする請求項1または2記載の配線基板装置。 - 前記第1の銅めっき層には1〜8アンペアの電流が流れる
ことを特徴とする請求項1ないし3いずれか一記載の配線基板装置。 - 請求項1ないし4いずれか一記載の配線基板装置と;
前記配線基板装置の前記第1の銅めっき層上に電気的に接続されたLED素子と;
を具備していることを特徴とする発光モジュール。 - 前記第1の銅めっき層上に有機系レジスト層が形成され、前記有機系レジスト層上に無機レジストインク層が形成されている
ことを特徴とする請求項5記載の発光モジュール。 - 前記有機系レジスト層は、前記LED素子から第1の距離を離して形成され、
前記無機レジストインク層は、前記有機系レジスト層から第2の距離を離して形成されている
ことを特徴とする請求項6記載の発光モジュール。 - 前記第1の距離は25〜200μm、前記第2の距離は50〜200μmである
ことを特徴とする請求項7記載の発光モジュール。 - 前記LED素子と前記有機系レジスト層との間の前記第1の銅めっき層上には、金属めっき層が形成されている
ことを特徴とする請求項7または8記載の発光モジュール。 - 器具本体と;
前記器具本体に配設された請求項5ないし9いずれか一記載の発光モジュールと;
を具備していることを特徴とする照明装置。 - セラミック基板の表面全体に電極層を一体に形成することにより、前記セラミック基板の第1の面および第2の面に第1の電極層および第2の電極層を形成する工程と;
前記第1の電極層および前記第2の電極層上にレジストを形成する工程と;
めっき処理により前記第1の電極層上に第1の銅めっき層を形成するとともに前記第2の電極層上に第2のめっき層を形成する工程と;
前記第1の電極層および前記第2の電極層上の前記レジストを除去する工程と;
前記第1の電極層と前記第2の電極層とを電気的に絶縁する工程と;
前記第2の銅めっき層にヒートスプレッダを熱的に接続する工程と;
を具備していることを特徴とする配線基板装置の製造方法。 - めっき処理により前記第1の銅めっき層および前記第2の銅めっき層を同時に形成し、同じ厚みの前記第1の銅めっき層および前記第2の銅めっき層を形成する
ことを特徴とする請求項11記載の配線基板装置の製造方法。 - 前記第1の銅めっき層の最小幅を50〜75μm、厚みを35〜100μmに形成する
ことを特徴とする請求項11または12記載の配線基板装置の製造方法。 - 前記第1の銅めっき層上にLED素子を電気的に接続する工程を具備している
ことを特徴とする請求項11ないし13いずれか一記載の配線基板装置の製造方法。 - 前記第1の銅めっき層上に有機系レジスト層を形成し、前記有機系レジスト層上に無機レジストインク層を形成する
ことを特徴とする請求項11ないし14いずれか一記載の配線基板装置の製造方法。 - 前記有機系レジスト層は、前記LED素子から第1の距離を離して形成し、
前記無機レジストインク層は、前記有機系レジスト層から第2の距離を離して形成する
ことを特徴とする請求項15記載の配線基板装置の製造方法。 - 前記第1の距離を25〜200μm、前記第2の距離を50〜200μmとする
ことを特徴とする請求項16記載の配線基板装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012068332A JP2013201255A (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法 |
US13/533,715 US20130250576A1 (en) | 2012-03-23 | 2012-06-26 | Wiring board device, luminaire and manufacturing method of the wiring board device |
EP12173733.2A EP2642836A3 (en) | 2012-03-23 | 2012-06-27 | Wiring board device, luminaire and manufacturing method of the wiring board device |
CN201220313539.9U CN202662669U (zh) | 2012-03-23 | 2012-06-28 | 配线基板装置以及照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012068332A JP2013201255A (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013201255A true JP2013201255A (ja) | 2013-10-03 |
Family
ID=46319644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012068332A Pending JP2013201255A (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130250576A1 (ja) |
EP (1) | EP2642836A3 (ja) |
JP (1) | JP2013201255A (ja) |
CN (1) | CN202662669U (ja) |
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- 2012-06-26 US US13/533,715 patent/US20130250576A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-27 EP EP12173733.2A patent/EP2642836A3/en not_active Withdrawn
- 2012-06-28 CN CN201220313539.9U patent/CN202662669U/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2642836A2 (en) | 2013-09-25 |
US20130250576A1 (en) | 2013-09-26 |
CN202662669U (zh) | 2013-01-09 |
EP2642836A3 (en) | 2014-06-11 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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