WO2011004798A1 - 素子搭載用セラミックス基板、ｌｅｄ搭載用セラミックス基板、ｌｅｄランプ及びヘッドライト並びに電子部品 - Google Patents

素子搭載用セラミックス基板、ｌｅｄ搭載用セラミックス基板、ｌｅｄランプ及びヘッドライト並びに電子部品 Download PDF

Info

Publication number
WO2011004798A1
WO2011004798A1 PCT/JP2010/061427 JP2010061427W WO2011004798A1 WO 2011004798 A1 WO2011004798 A1 WO 2011004798A1 JP 2010061427 W JP2010061427 W JP 2010061427W WO 2011004798 A1 WO2011004798 A1 WO 2011004798A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
ceramic substrate
led
mounting
led lamp
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/061427
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
福田　悦幸
寛正 加藤
Original Assignee
株式会社 東芝
東芝マテリアル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社 東芝, 東芝マテリアル株式会社 filed Critical 株式会社 東芝
Priority to EP10797109.5A priority Critical patent/EP2484957B1/en
Priority to JP2011521913A priority patent/JP5839992B2/ja
Publication of WO2011004798A1 publication Critical patent/WO2011004798A1/ja
Priority to US13/343,204 priority patent/US9095051B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09063—Holes or slots in insulating substrate not used for electrical connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10409—Screws
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/167—Using mechanical means for positioning, alignment or registration, e.g. using rod-in-hole alignment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture

Definitions

  • Embodiments of the present invention relate to a ceramic substrate for mounting an element such as an LED, an LED lamp using the same, a headlight, and an electronic component.
  • LED lamps using LEDs are used in various fields such as indoor lights and backlights for liquid crystal display devices. LED lamps have been attempted to be applied to various fields because power consumption can be greatly reduced as compared with discharge lamps, cold cathode fluorescent lamps, and the like. One of them is a car lamp. Auto lamps include headlights, side lamps, and back lamps (brake lamps).
  • a headlight illuminates a wide area with light from an LED using a reflector, diffuser, scattering plate, and the like.
  • it is effective to increase the reflection efficiency and the diffusion efficiency by aligning the position of the LED with the reflection plate, the diffusion plate and the like.
  • a method of increasing the emission intensity by mounting a plurality of LEDs is also effective (for example, Patent Document 1).
  • the LED chip is a very small light emitting element of about 1 mm square. Therefore, sufficient reflection efficiency and diffusion efficiency cannot be obtained unless alignment is performed accurately.
  • Patent Document 2 discloses using a heat pipe having a first bent portion and a second bent portion as a countermeasure against vibration. By using such a heat pipe, vibration can be absorbed. However, since a heat pipe having a complicated shape such as the first and second bent portions is necessary, it causes an increase in cost.
  • Deviation of the mounting position of the element on the substrate is a cause of occurrence of defects in the electronic component.
  • Embodiments of the present invention are intended to provide an LED mounting ceramic substrate that is easy to align the LED chip and has high strength, and an LED lamp and a headlight using the LED mounting ceramic substrate. .
  • the embodiment of the present invention also provides an element mounting ceramic substrate with improved element positioning and an electronic component using the element mounting ceramic substrate.
  • the LED-mounted ceramic substrate according to the embodiment of the present invention has a through hole and a recess facing at least one side.
  • An LED lamp includes a ceramic substrate for mounting LED having a through hole and a recess facing at least one side; And a light emitting diode mounted on the LED mounting ceramic substrate.
  • a headlight according to an embodiment of the present invention includes an LED lamp,
  • the LED lamp is A ceramic substrate for mounting LED having a through hole and a recess facing at least one side; And a light emitting diode mounted on the LED mounting ceramic substrate.
  • the element mounting ceramic substrate according to the embodiment of the present invention is an element mounting ceramic substrate for mounting at least one element selected from the group consisting of a semiconductor element and a solar cell element.
  • the element mounting ceramic substrate includes a through hole and a recess facing at least one side.
  • An electronic component includes a ceramic substrate including a through hole and a recess facing at least one side; And at least one element selected from the group consisting of a semiconductor element and a solar cell element, mounted on the ceramic substrate.
  • an LED mounting ceramic substrate that is easy to align the LED chip and has high strength, and an LED lamp and a headlight using the LED mounting ceramic substrate.
  • the top view of the ceramic substrate for LED mounting which concerns on embodiment of this invention.
  • the top view of the ceramic substrate for LED mounting which concerns on another embodiment of this invention.
  • the concave portion is formed on a convex portion (for example, a screw portion) provided on the mounting substrate. Since the positioning can be performed by fitting, the positioning of the substrate becomes easy. As a result, the displacement between the LED (light emitting diode) mounted on the ceramic substrate and the cover with a lens function used for a headlight or the like can be reduced, so that the diffusion efficiency can be improved, and the LED lamp It becomes possible to improve the light intensity of the headlight and thus the visibility of the headlight.
  • the ceramic substrate has high mechanical strength, it is possible to prevent the substrate from cracking when screwed to a mounting substrate such as a headlight or when vibrations from an automobile or the like are applied.
  • the ceramic substrate examples include a silicon nitride substrate, aluminum nitride (AlN), and alumina. Since the AlN substrate has high thermal conductivity, it has excellent heat dissipation. On the other hand, the silicon nitride substrate has a high fracture toughness of 6 MPa ⁇ m 1/2 or more and thus is difficult to crack when screwed. Also, there are fewer defects such as cracking due to vibration compared to the AlN substrate. Therefore, it is possible to avoid cracking of the substrate even if the thickness of the substrate is reduced, so that the LED mounting is smaller and lighter than the AlN substrate while having the same heat dissipation as the AlN substrate. Can be realized.
  • Fracture toughness is determined by the new original method using the new original equation shown in the following equation (1).
  • Niihara's formula 0.0114E 0.4 P 0.6 a -0.7 (C / a-1) -0.5 (1)
  • P is the load (Kgf)
  • d is the diagonal length (mm) of the impression
  • E is the Young's modulus (Kgf / mm 2 )
  • C is the crack length (mm) from the center point of the impression
  • a is the diagonal line of the impression. It is 1/2 (mm) of the length.
  • the ceramic substrate desirably has a mechanical property of a three-point bending strength of 500 MPa or more at room temperature. Thereby, the crack at the time of screwing can be prevented.
  • a more preferable range is 600 MPa or more.
  • the thickness of the silicon nitride substrate is preferably 0.2 mm or more and 1 mm or less.
  • the plate thickness 0.2 mm or more it is possible to prevent cracking when screwing.
  • high heat dissipation can be obtained by setting the plate thickness to 1 mm or less.
  • the silicon nitride substrate preferably has a thermal conductivity of 60 W / m ⁇ K or more and a three-point bending strength of 600 MPa or more at room temperature. Such a substrate is difficult to break when screwed and has excellent heat dissipation.
  • a circuit part can be provided on the ceramic substrate for LED mounting.
  • An LED is mounted on the circuit unit.
  • the circuit portion can be formed from, for example, a metal circuit board obtained by bonding a copper plate or an Al plate, or a thin film circuit layer provided with a metal thin film.
  • a ceramic substrate to which a copper circuit board is bonded has excellent strength against vibration.
  • the copper circuit board can be bonded by, for example, an active metal bonding method or a direct bonding method (DBC method).
  • a reflective layer that reflects light from the LED may be provided in a region where the circuit part is not formed on the surface of the substrate on which the circuit part is mounted.
  • the reflective layer is not particularly limited as long as it reflects light from the LED, but in the case of white light, an inorganic white film such as a silicon oxide film or a titanium oxide film or an organic white film such as an organic resist is used. preferable.
  • the thickness of the reflective layer is preferably 100 ⁇ m or less. By setting the film thickness of the reflective layer to 100 ⁇ m or less, a decrease in the thermal conductivity of the substrate due to the provision of the reflective layer can be suppressed, so that the heat dissipation of the substrate can be maintained.
  • a more preferable range of the thickness of the reflective layer is 20 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • FIG. 1 is a plan view of a ceramic substrate for mounting LED according to an embodiment of the present invention.
  • the LED-mounting ceramic substrate 1 (hereinafter referred to as the substrate 1) has one recess 2 facing one long side and one through hole 3 located near the other long side.
  • the size of the substrate 1 is not particularly limited, but the length of one side is desirably 10 mm or more and 200 mm or less.
  • the length of each side may be 10 mm or more and 200 mm or less for each of the long side L1 and the short side L2 as illustrated in FIG. 1, but the range of all sides is 10 mm or more and 200 mm or less. The same length may be used.
  • the diameter ⁇ of the through-hole 3 varies depending on the screw size used for screwing, but is desirably 1 mm or more and 5 mm or less in order to secure the installation area of the circuit portion.
  • the size of the recess 2 varies depending on the screw size used for screwing, but the width W1 is 1 mm or more and 5 mm or less and the depth W2 is 1 mm or more and 5 mm or less in order to secure the installation area of the circuit unit. It is desirable that Here, the width W1 is the maximum length among the lengths of the recesses 2 parallel to one side of the substrate, and the depth W2 is the maximum distance among the distances from one side of the substrate to the inner wall of the recesses 2.
  • the shortest distance L3 between the through hole 3 and one side of the substrate and the shortest distance L4 between the concave portion 2 and one side of the substrate are 1 mm or more. Thereby, it is possible to avoid breakage such as cracking of the substrate at the time of screwing.
  • the number of the recesses 2 and the through holes 3 provided in the substrate 1 can be one or more. In the case of providing a plurality, one may be provided on one side of the substrate 1 or one on each side. For example, as illustrated in FIG. 2, a plurality of recesses 2 may be provided on one long side of the substrate 1.
  • the LED lamp in which the LED (light emitting diode) is mounted on the LED mounting ceramic substrate of the present embodiment, there is an in-vehicle use.
  • a headlight An embodiment of a headlight is shown in FIG.
  • symbol is attached
  • the headlight 4 includes a tray-like base 5, a cover 6 having a lens function, a holder 7 for holding the base 5 and the cover 6, and an LED lamp 8.
  • the holder 7 has a cylindrical shape, and the inside thereof is partitioned by a support plate (substrate to which the LED lamp is fixed) 7a.
  • the base 5 is inserted and fixed to the lower part partitioned by the support plate 7a.
  • the LED lamp 8 includes the substrate 1 shown in FIG. 1, a circuit unit 9 bonded to the substrate 1, and an LED chip 10 bonded to the circuit unit 9.
  • the substrate 1 is fixed to the support plate 7 a of the holder 7 by screws 12 inserted into the recesses 2 and the through holes 3 of the substrate 1 through washers 11 as spacer members.
  • the substrate holding member 3 is a substrate holding member.
  • the substrate holding member is preferably made of aluminum (or an aluminum alloy) because the role of holding the substrate and heat dissipation are required.
  • the cover 6 having a lens function has a substantially square or circular planar shape when viewed from the upper surface, and the front portion of the cover 6 projects outward.
  • the cover 6 is inserted into and fixed to the upper part of the holder 7 that is partitioned by the support plate 7 a, and the LED lamp 8 is disposed in a space surrounded by the support plate 7 a and the cover 6.
  • the headride 4 having such a configuration, it is possible to prevent the substrate 1 from cracking when the substrate 1 is screwed to the support plate 7a of the holder 7, and the substrate 1 is damaged due to vibrations of an automobile or the like. Can be avoided.
  • the number of LED chips 10 is one, but a plurality of LED chips 10 can be provided.
  • the silicon nitride substrate has high strength, the screwing torque can be increased to 20 N ⁇ m or more. For this reason, it is suitable for a headlight substrate that needs to be firmly fixed.
  • a silicon nitride substrate is preferable because it can maintain a strength of 600 MPa or more even if it has through holes and recesses.
  • the element positioning in the electronic component is performed by mounting the semiconductor element other than the LED chip or the element such as the solar cell element on the ceramic substrate of the embodiment. Can be performed easily and accurately. That is, the ceramic substrate of the embodiment has good element positioning. Further, by using a silicon nitride substrate as the ceramic substrate, the effect of increasing the screwing torque can be obtained as in the case of the LED chip. Therefore, the use of the ceramic substrate according to the embodiment for various electronic components such as semiconductor devices and solar cell devices can reduce the occurrence of defects in the electronic components.
  • FIG. 5 shows an embodiment of an electronic component in which a solar cell element is mounted on the ceramic substrate shown in FIG.
  • the same members as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the element mounting ceramic substrate 14 has one recess 2 facing one long side and one through-hole 3 located near the other long side.
  • the solar cell element 15 is mounted on the element mounting ceramic substrate 14.
  • the positioning can be performed by fitting the concave portion 2 of the substrate 14 into a convex portion (for example, a screw portion) provided in the electronic device, the positioning of the substrate 14 is easy. become. Thereby, the position shift of the solar cell element 15 in the electronic device can be reduced. As a result, it is possible to reduce the occurrence of defects in the electronic device due to the solar cell element 15 coming into contact with other components. Moreover, since it is not necessary to provide an extra space in the electronic device in consideration of the positional deviation, the volume efficiency of the electronic device can be increased.
  • the number of elements mounted on the ceramic substrate can be made plural. Moreover, it is also possible to mount both a solar cell element and a semiconductor element on a ceramic substrate.
  • Examples 1 to 5 The recess 2 and the through hole 3 shown in FIG. 1 were formed in the ceramic substrate 1 by punching.
  • the diameter ( ⁇ ) of the through hole, the shortest distance L3 (mm) between the through hole 3 and one side of the substrate, the width W1 and depth (depth) W2 (mm) of the concave portion 2, and the shortest distance L4 between the concave portion 2 and one side of the substrate ( mm) is shown in Table 1 below.
  • three-point bending strength (MPa) at room temperature thermal conductivity (W / m ⁇ K), fracture toughness (MPa ⁇ m 1/2 ), size (longitudinal ( L2) ⁇ width (L1) ⁇ thickness (mm)) is shown in Table 1 below.
  • the three-point bending strength was measured according to JIS-R1601.
  • the laser conductivity was used for the thermal conductivity.
  • Fracture toughness was determined by the Niihara equation according to the microindication method of JIS-R-1607.
  • Copper circuit boards (length 15 ⁇ width 15 ⁇ thickness 0.6 mm) were joined to the ceramic substrates according to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 using an Ag—Cu—Ti active metal brazing material. A back copper plate for warpage prevention was joined.
  • an LED chip mounting process was performed at a predetermined position on the copper circuit board to obtain an LED lamp.
  • the LED chip was bonded onto the copper plate by Au—Sn solder.
  • the LED lamps of Examples 1 to 5 were fixed to the mounting substrate by screwing to manufacture a headlight.
  • screwing was performed at two locations of the through hole and the recess through a screw having a diameter of 1.9 mm and a washer having an outer diameter of 3 mm.
  • the screwing torque was 25 N ⁇ m.
  • Example 6 The same substrate as Example 2 (silicon nitride substrate) or Example 5 (alumina substrate) was prepared except that L3 and L4 were changed as shown in Table 3, and the results of the same measurement are shown below.
  • the silicon nitride substrate having high strength and toughness such as a silicon nitride substrate
  • the through holes and the recesses are 1 mm or more from the edge (L3 and L4 are 1 mm or more).
  • the silicon nitride substrate can be provided with through holes and recesses at the ends, so that the area for joining the copper plates can be increased or the degree of freedom can be increased. It is possible to mount a plurality of LED chips on a ceramic substrate if the copper plate is enlarged or if the degree of freedom increases in the bonding position of the copper plate.
  • Example 11 to 16 The same measurement was performed by changing the ceramic substrate to that shown in Table 4.
  • the screw used for screwing was a screw having a diameter smaller by 0.1 mm than the diameter of the through hole or the diameter of the recess.
  • the screwing torque was set to the same value as in Example 1.
  • Example 12 and Example 16 in which L3 and L4 were less than 1 mm, the ratio of the substrate that was broken increased. For this reason, it can be said that L3 and L4 are preferably 1 mm or more. Except for this point, it can be seen that the ceramic substrate according to the present example exhibits excellent characteristics in various sizes. That is, the diameter of the through hole and the size of the recess can be formed in accordance with the screw size, and the present invention can be applied to various LED lamps with an increased number of LEDs, and further to a headlight. In addition, as shown in FIG.
  • the embodiment of the present invention is suitable not only for headlights but also for various electronic components.
  • SYMBOLS 1 Ceramic substrate for LED mounting, 2 ... Recessed part, 3 ... Through-hole, 4 ... Headlight, 5 ... Tray-like base, 6 ... Cover with lens function, 7 ... Holder, 7a ... Support plate, 8 ... LED Lamp: 9 ... Circuit part, 10 ... LED chip, 11 ... Washer, 12 ... Screw, 13 ... Substrate holding member, 20 ... Ceramic substrate, 21 ... Holding jig, 22 ... Screw.

Abstract

　実施形態によれば、貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを有する素子搭載用セラミックス基板が提供される。

Description

素子搭載用セラミックス基板、ＬＥＤ搭載用セラミックス基板、ＬＥＤランプ及びヘッドライト並びに電子部品
　本発明の実施形態は、ＬＥＤなどの素子を搭載するためのセラミックス基板及びそれを用いたＬＥＤランプとヘッドライト並びに電子部品に関するものである。
　ＬＥＤ（発光ダイオード）を使ったＬＥＤランプは、室内灯、液晶表示装置等のバックライトなど様々な分野に使われている。ＬＥＤランプは、放電灯、冷陰極管等と比べて消費電力が大幅に低減できることから各分野への適用が試みられている。その一つに自動車用ランプがある。自動車用ランプには、ヘッドライト、サイドランプ、バックランプ（ブレーキランプ）などがある。
　例えば、ヘッドライトはＬＥＤからの光を反射板、拡散板、散乱板等を使って広範囲を照らすものである。ＬＥＤ光を使って効率良く広範囲を照らすには反射板、拡散板等とＬＥＤの位置を合わせて反射効率や拡散効率を上げることが有効である。また、複数のＬＥＤを搭載して発光強度を上げる方法も効果的である（例えば特許文献１）。一方、ＬＥＤチップは約１ｍｍ角と非常に小さな発光素子である。このため、位置合わせが正確にできないと十分な反射効率や拡散効率を得ることができない。
　また、ＬＥＤは発光時に発熱するため放熱性の良い基板が求められている。さらに、自動車は当然ながら振動が激しく、そこに搭載されるヘッドライトにも振動対策が求められている。例えば、樹脂基板では強度が弱く、別途補強部材が必要である。
　一方、振動対策として、特許文献２では第１屈曲部と第２屈曲部を有するヒートパイプを使うことが開示されている。このようなヒートパイプを使うことにより振動を吸収することができる。しかしながら、第１，第２の屈曲部という複雑な形状のヒートパイプが必要なためコストアップの要因となる。
　また、ＬＥＤチップ以外の半導体素子や太陽電池素子においても位置合わせは重要である。素子の基板への取り付け位置がずれることは、電子部品の不良発生の原因となっている。
特開２００５－５６８４９号公報 特開２００８－２０４８４４号公報
　本発明の実施形態は、ＬＥＤチップの位置合わせが容易で、かつ強度の高いＬＥＤ搭載用セラミックス基板と、前記ＬＥＤ搭載用セラミックス基板を用いたＬＥＤランプ並びにヘッドライトとを提供しようとするものである。また、本発明の実施形態は、素子の位置決め性が向上された素子搭載用セラミックス基板と、前記素子搭載用セラミックス基板を用いた電子部品とを提供する。
　本発明の実施形態に係るＬＥＤ搭載用セラミックス基板は、貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを有する。
　本発明の実施形態に係るＬＥＤランプは、貫通孔と少なくとも１辺に面した凹部とを有するＬＥＤ搭載用セラミックス基板と、
　前記ＬＥＤ搭載用セラミックス基板に搭載された発光ダイオードと
を備える。
　本発明の実施形態に係るヘッドライトはＬＥＤランプを備え、
　前記ＬＥＤランプは、
　貫通孔と少なくとも１辺に面した凹部とを有するＬＥＤ搭載用セラミックス基板と、
　前記ＬＥＤ搭載用セラミックス基板に搭載された発光ダイオードと
を備える。
　本発明の実施形態に係る素子搭載用セラミックス基板は、半導体素子及び太陽電池素子よりなる群から選択される少なくとも１種類の素子を搭載するための素子搭載用セラミックス基板である。前記素子搭載用セラミックス基板は、貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを含む。
　本発明の実施形態に係る電子部品は、貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを含むセラミックス基板と、
　前記セラミックス基板に搭載され、半導体素子及び太陽電池素子よりなる群から選択される少なくとも１種類の素子と
を含む。
　本発明の実施形態によれば、ＬＥＤチップの位置合わせが容易で、かつ強度の高いＬＥＤ搭載用セラミックス基板と、前記ＬＥＤ搭載用セラミックス基板を用いたＬＥＤランプ並びにヘッドライトとを提供することができる。
　また、本発明の実施形態によれば、素子の位置決め性が向上された素子搭載用セラミックス基板と、前記素子搭載用セラミックス基板を用いた電子部品とを提供することができる。
本発明の実施形態に係るＬＥＤ搭載用セラミックス基板の平面図。 本発明の別の実施形態に係るＬＥＤ搭載用セラミックス基板の平面図。 本発明の実施形態に係るヘッドライトを示す概略図。 比較例のＬＥＤ搭載用セラミックス基板を示す概略図。 本発明の実施形態に係る電子部品を示す平面図。 本発明の他の実施形態に係るヘッドライトを示す概略図。
　まず、ＬＥＤ搭載用セラミックス基板を中心に説明する。
　貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを有するセラミックス基板によると、例えばヘッドライト等に用いられる実装基板に固定する際、凹部を実装基板に設けられた凸部（例えば、ねじ部）に嵌めこむことで位置決めを行うことができるため、基板の位置決めが容易になる。その結果、当該セラミックス基板に搭載されるＬＥＤ（発光ダイオード）と、ヘッドライト等に用いられるレンズ機能付きカバーとの位置ずれを小さくすることができるため、拡散効率を向上することができ、ＬＥＤランプの光強度、ひいてはヘッドライトの視認性を高めることが可能となる。
　また、当該セラミックス基板は、機械的強度が高いため、例えばヘッドライト等の実装基板にねじ止めする際や、自動車等の振動が加わった際の基板の割れを防止することができる。
　セラミックス基板としては、例えば、窒化珪素基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ等を挙げることができる。ＡｌＮ基板は、熱伝導率が高いために放熱性に優れている。一方、窒化珪素基板は、破壊靭性６ＭＰａ・ｍ１／２以上と靭性が高いのでねじ止めの際に割れ難い。また、振動により割れるといった不具合がＡｌＮ基板に比して少ない。よって、基板の板厚を薄くしても基板の割れを回避することが可能となるため、ＡｌＮ基板と同等の放熱性を持ちながらも、ＡｌＮ基板に比して小型で、かつ軽量なＬＥＤ搭載用基板を実現できる。
　なお、破壊靭性は、下記（１）式に示す新原の式を用いる新原法により求める。
　　新原の式＝０．０１１４Ｅ0.4Ｐ0.6ａ-0.7（Ｃ／ａ－１）-0.5　　　（１）
　但し、Ｐは荷重（Ｋｇｆ）、ｄは圧痕の対角線長（ｍｍ）、Ｅはヤング率（Ｋｇｆ／ｍｍ2）、Ｃは圧痕の中心点から亀裂の長さ（ｍｍ）、ａは圧痕の対角線長の１／２（ｍｍ）である。
　セラミックス基板は、三点曲げ強度が室温で５００ＭＰａ以上の機械的特性を有することが望ましい。これにより、ねじ止めの際の割れを防止できる。さらに好ましい範囲は、６００ＭＰａ以上である。
　セラミックス基板として窒化珪素基板を使用する際、窒化珪素基板の板厚は、０．２ｍｍ以上、１ｍｍ以下であることが好ましい。板厚を０．２ｍｍ以上にすることにより、ねじ止めの際の割れを防止できる。また、板厚を１ｍｍ以下にすることにより、高い放熱性を得ることが可能となる。
　窒化珪素基板は、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ３点曲げ強度が室温で６００ＭＰａ以上であることが好ましい。このような基板は、ねじ止めの際に割れ難く、かつ放熱性にも優れている。
　ＬＥＤ搭載用セラミックス基板には、回路部を設けることができる。回路部にＬＥＤが実装される。回路部は、例えば、銅板あるいはＡｌ板を接合した金属回路板、金属薄膜を設けた薄膜回路層から形成することが可能である。銅回路板が接合されたセラミックス基板は、振動に対する強度に優れている。銅回路板は、例えば、活性金属接合法、直接接合法（ＤＢＣ法）により接合可能である。
　また、回路部を搭載する基板表面において、回路部を形成しない領域にＬＥＤからの光を反射する反射層を設けてもよい。反射層は、ＬＥＤからの光を反射するものであれば特に限定されるものではないが、白色光の場合、酸化ケイ素膜や酸化チタン膜などの無機白色膜や有機レジストなどの有機白色膜が好ましい。また、反射層の膜厚は１００μｍ以下が好ましい。反射層の膜厚を１００μｍ以下にすることによって、反射層を設けたことによる基板の熱伝導率の低下を抑えることができるため、基板の放熱性を維持することができる。反射層の膜厚のより好ましい範囲は、２０μｍ以上、５０μｍ以下である。
　次いで、本発明の実施形態を図１～図３を参照して説明する。
　図１は、本発明の実施形態に係るＬＥＤ搭載用セラミックス基板の平面図である。ＬＥＤ搭載用セラミックス基板１（以下、基板１と称す）は、一方の長辺に面した１個の凹部２と、他方の長辺付近に位置する１個の貫通孔３とを有する。
　基板１のサイズは、特に限定されるものではないが、一辺の長さが１０ｍｍ以上、２００ｍｍ以下であることが望ましい。各辺の長さは、図１に例示されるように長辺Ｌ１と短辺Ｌ２それぞれの長さが１０ｍｍ以上、２００ｍｍ以下であっても良いが、全ての辺が１０ｍｍ以上、２００ｍｍ以下の範囲で同じ長さであっても良い。
　貫通孔３の直径φは、ねじ止めに用いるねじサイズに応じて変わるものではあるが、回路部の設置面積を確保するために１ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることが望ましい。
　凹部２のサイズは、ねじ止めに用いるねじサイズに応じて変わるものではあるが、回路部の設置面積を確保するために幅Ｗ１が１ｍｍ以上、５ｍｍ以下で、かつ奥行Ｗ２が１ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることが望ましい。ここで、幅Ｗ１とは、基板一辺と平行な凹部２の長さのうち最大長さで、奥行Ｗ２とは、基板一辺から凹部２の内壁までの距離のうち最大距離である。
　貫通孔３と基板一辺との最短距離Ｌ３、凹部２と基板一辺との最短距離Ｌ４が１ｍｍ以上であることが望ましい。これにより、ねじ止めの際の基板の割れ等の破損を回避することができる。
　基板１に設ける凹部２、貫通孔３の数は、１個もしくは複数個にすることができる。複数設ける場合、基板１の一辺に複数個設けても、各辺に１個ずつ設けても良い。例えば図２に例示されるように、複数の凹部２を基板１の長辺一辺に設けても良い。
　本実施形態のＬＥＤ搭載用セラミックス基板にＬＥＤ（発光ダイオード）を搭載したＬＥＤランプの用途として、車載用が挙げられる。特に、ヘッドライト用として好適である。ヘッドライトの実施形態を図３に示す。なお、図１で説明したのと同様な部材については、同符号を付して説明を省略する。
　図３に示すように、ヘッドライト４は、トレー状の基台５と、レンズ機能を有するカバー６と、基台５及びカバー６を保持するためのホルダー７と、ＬＥＤランプ８とを有する。ホルダー７は、筒状をしており、その内部が支持板（ＬＥＤランプが固定される基板）７ａで仕切られている。支持板７ａで仕切られた下部に基台５が挿入されて固定されている。
　ＬＥＤランプ８は、図１に示す基板１と、基板１に接合された回路部９と、回路部９に接合されたＬＥＤチップ１０とを有する。基板１の凹部２及び貫通孔３それぞれにスペーサ部材としてのワッシャ１１を介して挿入されたネジ１２によって、基板１は、ホルダー７の支持板７ａに固定されている。
　図３にて付番１３で示す部材は、基板抑え部材である。基板抑え部材は、基板を抑える役目と放熱性を求められるためアルミニウム（またはアルミニウム合金）で出来ていることが望ましい。
　レンズ機能を有するカバー６は、上面から見た平面形状は略四角形または円形をしており、また、カバー６の前面部分が外側に向かって張り出している。カバー６は、ホルダー７の支持板７ａで仕切られた上部に挿入されて固定され、支持板７ａとカバー６とで囲まれた空間内に、ＬＥＤランプ８が配置されている。
　このような構成のヘッドライド４によれば、基板１をホルダー７の支持板７ａにねじ止めする際の基板１の割れを防止することが可能であると共に、自動車等の振動に対する基板１の破損を回避することができる。また、基板１の凹部２にネジ１２を嵌めこむことにより基板１の位置決めを行うことが可能となり、カバー６とＬＥＤチップ１０との位置決めが容易になるため、拡散効率を向上することができ、ＬＥＤランプ８の光強度、ひいてはヘッドライトの視認性を高めることが可能となる。
　なお、前述した図３においては、ＬＥＤチップ１０の数を１個にしたが、ＬＥＤチップ１０を複数個設けることが可能である。また、窒化珪素基板は強度が高いことから、ネジ止めトルクを２０Ｎ・ｍ以上と強くできる。このため、強固な固定が必要なヘッドライト用基板に好適である。特に窒化珪素基板は貫通孔や凹部を具備していても６００ＭＰａ以上の強度を維持できるので好ましい。
　また、ここまではＬＥＤチップを搭載する例を中心に説明したが、ＬＥＤチップ以外の半導体素子あるいは太陽電池素子などの素子を、実施形態のセラミックス基板に搭載することによって、電子部品における素子の位置決めを簡単かつ精度良く行うことができる。すなわち、実施形態のセラミックス基板は、素子の位置決め性が良好である。また、セラミックス基板として窒化珪素基板を使うことにより、ねじ止めトルクを大きくする効果をＬＥＤチップの場合と同様に得られる。そのため、半導体装置や太陽電池装置といった各種電子部品に実施形態のセラミックス基板を用いることにより、電子部品の不良発生を低減させることができる。
　図５に、図１に示すセラミックス基板に太陽電池素子を搭載した電子部品の実施形態を示す。図１で説明したのと同様な部材については、同符号を付して説明を省略する。素子搭載用セラミックス基板１４は、一方の長辺に面した１個の凹部２と、他方の長辺付近に位置する１個の貫通孔３とを有する。太陽電池素子１５は、素子搭載用セラミックス基板１４に搭載されている。
　このような構造の電子部品によれば、基板１４の凹部２を電子機器に設けられた凸部（例えば、ねじ部）に嵌めこむことで位置決めを行うことができるため、基板１４の位置決めが容易になる。これにより、電子機器内での太陽電池素子１５の位置ずれを小さくすることができる。その結果、太陽電池素子１５が他の部品と接触することに起因する電子機器の不良発生を低減することができる。また、位置ずれを考慮した余分なスペースを電子機器に設ける必要がないため、電子機器の体積効率を高めることができる。
　なお、セラミックス基板に搭載する素子の数を複数にすることが可能である。また、太陽電池素子と半導体素子の双方をセラミックス基板に搭載することも可能である。
（実施例１～５）
　セラミックス基板１に、図１に示す凹部２および貫通孔３をパンチング加工により形成した。貫通孔の直径（φ）、貫通孔３と基板一辺との最短距離Ｌ３（ｍｍ）、凹部２の幅Ｗ１及び深さ（奥行）Ｗ２（ｍｍ）、凹部２と基板一辺との最短距離Ｌ４（ｍｍ）を下記表１に示す。
（比較例１～２）
　凹部及び貫通孔のいずれも形成していないセラミックス基板を用意した。
　上記実施例及び比較例で用いるセラミックス基板の材質、室温での三点曲げ強度（ＭＰａ）、熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）、破壊靭性（ＭＰａ・ｍ1/2）、サイズ（縦(L2)×横(L1）×厚さ（mm））を下記表１に示す。三点曲げ強度はＪＩＳ－Ｒ－１６０１に準じて測定した。また、熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いた。破壊靭性はＪＩＳ－Ｒ－１６０７のマイクロインディケーション法に準じて前記新原の式により求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実施例１～５、比較例１～２に係るセラミックス基板にＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ活性金属ろう材を用いて銅回路板（縦１５×横１５×厚さ０．６ｍｍ）を接合した。反り防止のための裏銅板を接合した。
　各回路基板用いて銅回路板所定の位置にＬＥＤチップの実装工程を行いＬＥＤランプとした。実装工程は、ＬＥＤチップをＡｕ－Ｓｎ半田により銅板上に接合した。
　次に、実施例１～５のＬＥＤランプをねじ止めにより実装基板に固定し、ヘッドライトを製造した。ねじ止め工程は直径１．９ｍｍのねじと外径３ｍｍのワッシャーを介して、貫通孔および凹部の２か所でねじ止めを行った。ねじ止めのトルクは２５Ｎ・ｍとした。
　一方、比較例１，２のＬＥＤランプは、図４に示すように基板２０の四隅を抑え冶具２１を介してねじ２２を用いて固定した。ねじ止め時のトルクは実施例と同様の値とした。
　各基板のねじ止めの際に割れた基板の割合、位置ずれの発生した割合を測定した。その結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２から明らかな通りに、実施例１～５に係るセラミックス基板は基板が割れることは少なく、また位置ずれの発生も少なかった。特に、窒化珪素からなるセラミックス基板を用いた実施例１～３では、基板の割れが皆無であった。一方、比較例１，２は四隅を固定するタイプのため、位置ずれの発生が大きかった。また、割れについても４か所にトルクがかかると割れる確率が上がった。
（実施例６～１０）
　Ｌ３、Ｌ４を表３のように変えた以外は実施例２（窒化珪素基板）または実施例５（アルミナ基板）と同じ基板を用意し、同様の測定を行った結果を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　窒化珪素基板のように強度および靭性の高い窒化珪素基板であれば貫通孔および凹部が端辺から１ｍｍ以上（Ｌ３およびＬ４が１ｍｍ以上）であれば割れの防止が可能であることが分かる。一方、基板強度の弱いアルミナ基板を使う場合は２ｍｍ以上あけた方（Ｌ３およびＬ４が２ｍｍ以上）が好ましいことが分かる。そのため、窒化珪素基板の方が貫通孔および凹部を端に付けることができるので銅板を接合する面積を大きくすることまたは自由度を上げることができる。銅板を大きくすることまたは銅板の接合位置に自由度が上がれば、セラミックス基板上に複数個のＬＥＤチップを搭載することも可能である。
（実施例１１～１６）
　セラミックス基板を表４のものに変えて同様の測定を行った。なお、ねじ止めに用いるねじは貫通孔の直径または凹部サイズの直径よりも０．１ｍｍ小さい直径のねじを用いた。また、ねじ止めのトルクは実施例１と同様の数値とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表５から分かる通り、Ｌ３、Ｌ４が１ｍｍ未満の実施例１２、実施例１６では割れる基板の割合が増えた。このためＬ３、Ｌ４は１ｍｍ以上が好ましいと言える。また、この点を除けば各種サイズに本実施例にかかるセラミックス基板は優れた特性を示すことが分かる。つまり、ねじサイズに合わせた貫通孔直径、凹部サイズを形成することができるのであり、ＬＥＤの個数を増やした各種ＬＥＤランプ、さらにはヘッドライトに適用可能である。また、図６に示すように、回路部を形成しない領域に、例えば白色膜からなる反射層１６を設けることにより発光強度を向上させることもでき、ランプとしての特性を向上させることも可能である。なお、図６において、図３に示すのと同様な部材は同符号を付して説明を省略している。
　また、ＬＥＤチップに換えて半導体素子（ＬＥＤチップ以外の半導体素子）または太陽電池素子を搭載する場合であっても位置決め性などの同様の効果が得られる。そのため、本発明の実施形態は、ヘッドライトに限らず各種電子部品に好適である。
　１…ＬＥＤ搭載用セラミックス基板、２…凹部、３…貫通孔、４…ヘッドライト、５…トレー状の基台、６…レンズ機能を有するカバー、７…ホルダー、７ａ…支持板、８…ＬＥＤランプ、９…回路部、１０…ＬＥＤチップ、１１…ワッシャ、１２…ネジ、１３…基板抑え部材、２０…セラミックス基板、２１…抑え冶具、２２…ねじ。

Claims (19)

  1. 　貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを有するＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  2. 　請求項１記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板は、窒化珪素基板である。
  3. 　前記窒化珪素基板の板厚は、０．２ｍｍ以上、１ｍｍ以下である請求項２に記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  4. 　前記窒化珪素基板は、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ室温での３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上である請求項３記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  5. 　回路部をさらに備える請求項４記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  6. 　一辺の長さが１０ｍｍ以上、２００ｍｍ以下である請求項１記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  7. 　前記貫通孔の直径が１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である請求項１記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  8. 　前記凹部は、幅が１ｍｍ以上、５ｍｍ以下で、かつ奥行が１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である請求項１記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  9. 　前記貫通孔と基板一辺との最短距離が１ｍｍ以上である請求項１記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  10. 　前記凹部と基板一辺との最短距離が１ｍｍ以上である請求項１記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板。
  11. 　請求項１記載のＬＥＤ搭載用セラミックス基板と、前記ＬＥＤ搭載用セラミックス基板に搭載された発光ダイオードとを備えるＬＥＤランプ。
  12. 　前記発光ダイオードを複数個搭載した請求項１１記載のＬＥＤランプ。
  13. 　自動車に搭載されるためのＬＥＤランプである請求項１１記載のＬＥＤランプ。
  14. 　ヘッドライト用である請求項１１記載のＬＥＤランプ。
  15. 　請求項１１記載のＬＥＤランプを備えるヘッドライト。
  16. 　前記ＬＥＤランプが固定される基板と、前記ＬＥＤランプを覆うように前記基板に固定されるレンズ機能付きカバーとを備え、
    　前記ＬＥＤランプは、前記ＬＥＤ搭載用セラミックス基板の前記貫通孔及び前記凹部が前記基板にねじ止めされることで前記基板に固定される請求項１５記載のヘッドライト。
  17. 　半導体素子及び太陽電池素子よりなる群から選択される少なくとも１種類の素子を搭載するための素子搭載用セラミックス基板であって、貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを含む素子搭載用セラミックス基板。
  18. 　貫通孔と、少なくとも１辺に面した凹部とを含むセラミックス基板と、
    　前記セラミックス基板に搭載され、半導体素子及び太陽電池素子よりなる群から選択される少なくとも１種類の素子と
    を含む電子部品。
  19. 　前記素子の搭載個数は複数である請求項１８記載の電子部品。
PCT/JP2010/061427 2009-07-06 2010-07-05 素子搭載用セラミックス基板、ｌｅｄ搭載用セラミックス基板、ｌｅｄランプ及びヘッドライト並びに電子部品 WO2011004798A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10797109.5A EP2484957B1 (en) 2009-07-06 2010-07-05 Method of packaging a ceramic substrate for mounting a device, method of packaging a ceramic substrate for mounting an led
JP2011521913A JP5839992B2 (ja) 2009-07-06 2010-07-05 Ｌｅｄランプ及びヘッドライト
US13/343,204 US9095051B2 (en) 2009-07-06 2012-01-04 Ceramic substrate for mounting a device, ceramic substrate for mounting an LED, LED lamp, headlight and electronic parts

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-159961 2009-07-06
JP2009159961 2009-07-06

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/343,204 Continuation US9095051B2 (en) 2009-07-06 2012-01-04 Ceramic substrate for mounting a device, ceramic substrate for mounting an LED, LED lamp, headlight and electronic parts

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011004798A1 true WO2011004798A1 (ja) 2011-01-13

Family

ID=43429222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/061427 WO2011004798A1 (ja) 2009-07-06 2010-07-05 素子搭載用セラミックス基板、ｌｅｄ搭載用セラミックス基板、ｌｅｄランプ及びヘッドライト並びに電子部品

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9095051B2 (ja)
EP (1) EP2484957B1 (ja)
JP (2) JP5839992B2 (ja)
WO (1) WO2011004798A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2642836A3 (en) * 2012-03-23 2014-06-11 Toshiba Lighting & Technology Corporation Wiring board device, luminaire and manufacturing method of the wiring board device
JP2015065431A (ja) * 2013-08-30 2015-04-09 日亜化学工業株式会社 発光素子搭載用基板及び該基板の固定方法
WO2015098383A1 (ja) 2013-12-26 2015-07-02 岩崎電気株式会社 Ｌｅｄランプ
WO2017090422A1 (ja) * 2015-11-26 2017-06-01 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ｌｅｄモジュール、熱電モジュール
JP2017108107A (ja) * 2015-11-26 2017-06-15 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ｌｅｄモジュール、熱電モジュール
WO2018143470A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、ｌｅｄモジュール、セラミックス部材、セラミックス／アルミニウム接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
JP2018129507A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、ｌｅｄモジュール、セラミックス部材、セラミックス／アルミニウム接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
WO2023190738A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 株式会社 東芝 セラミックス基板、接合体、半導体装置、セラミックス基板の製造方法、およびセラミックス回路基板の製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150103501A1 (en) * 2013-10-16 2015-04-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic apparatus
JP6394482B2 (ja) * 2015-04-28 2018-09-26 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 電子機器
AT517120B1 (de) 2015-05-04 2020-01-15 Zkw Group Gmbh Verfahren zur positionierung zumindest einer elektronischen komponente auf einer leiterplatte
EP3608951A4 (en) 2017-03-23 2020-12-16 Kabushiki Kaisha Toshiba CERAMIC-METAL CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH USE THEREOF

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0686375U (ja) * 1993-05-28 1994-12-13 サンクス株式会社 電子機器
JPH0686376U (ja) * 1993-05-28 1994-12-13 サンクス株式会社 電子機器
JP2005056849A (ja) 2003-08-05 2005-03-03 Crf Soc Consortile Per Azioni 深さを減少した自動車用ヘッドライトの照明配列
JP2008204844A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Toyoda Gosei Co Ltd 車両用ヘッドライト
JP2008251663A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Sharp Corp 発光装置および照明装置
JP2009087897A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Harison Toshiba Lighting Corp 光学部品およびこれを用いた車両用灯具
JP2009130204A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6260063U (ja) * 1985-10-02 1987-04-14
JPH03212959A (ja) * 1990-01-18 1991-09-18 Oki Electric Ind Co Ltd モールドパッケージ型ハイブリッドｉｃ
JP2921286B2 (ja) 1992-08-31 1999-07-19 日本電気株式会社 デジタルトーン発生回路
JPH0686375A (ja) 1992-08-31 1994-03-25 Matsushita Electric Works Ltd 防水装置
JPH08288672A (ja) * 1995-04-13 1996-11-01 Denshi Giken:Kk 電子部品用プリント基板
JPH09153568A (ja) * 1995-09-28 1997-06-10 Toshiba Corp 窒化珪素セラミック回路基板および半導体装置
JP4346151B2 (ja) * 1998-05-12 2009-10-21 株式会社東芝 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびそれを用いた回路基板並びに集積回路
JP2001237502A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Kyocera Corp セラミック回路基板
JP2002050841A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース板付Ａｌ回路基板
DE10165080B4 (de) * 2000-09-20 2015-05-13 Hitachi Metals, Ltd. Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
JP3889962B2 (ja) * 2001-12-14 2007-03-07 アルプス電気株式会社 回路基板及びその製造方法
JP2005129625A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Denki Kagaku Kogyo Kk スリット入り回路基板及びその製造方法
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US20090090452A1 (en) * 2005-06-29 2009-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Process for producing nonflat ceramic substrate
JP2007088272A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Hitachi Metals Ltd セラミックス回路基板およびこれを用いたモジュール
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
US7549772B2 (en) * 2006-03-31 2009-06-23 Pyroswift Holding Co., Limited LED lamp conducting structure with plate-type heat pipe
JP4697163B2 (ja) * 2007-03-19 2011-06-08 株式会社デンソー 電子装置
US7638814B2 (en) * 2007-06-19 2009-12-29 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Solderless integrated package connector and heat sink for LED
JP5286585B2 (ja) * 2007-10-05 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0686375U (ja) * 1993-05-28 1994-12-13 サンクス株式会社 電子機器
JPH0686376U (ja) * 1993-05-28 1994-12-13 サンクス株式会社 電子機器
JP2005056849A (ja) 2003-08-05 2005-03-03 Crf Soc Consortile Per Azioni 深さを減少した自動車用ヘッドライトの照明配列
JP2008204844A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Toyoda Gosei Co Ltd 車両用ヘッドライト
JP2008251663A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Sharp Corp 発光装置および照明装置
JP2009087897A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Harison Toshiba Lighting Corp 光学部品およびこれを用いた車両用灯具
JP2009130204A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2484957A4

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2642836A3 (en) * 2012-03-23 2014-06-11 Toshiba Lighting & Technology Corporation Wiring board device, luminaire and manufacturing method of the wiring board device
JP2015065431A (ja) * 2013-08-30 2015-04-09 日亜化学工業株式会社 発光素子搭載用基板及び該基板の固定方法
WO2015098383A1 (ja) 2013-12-26 2015-07-02 岩崎電気株式会社 Ｌｅｄランプ
US10526252B2 (en) 2015-11-26 2020-01-07 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic/aluminum joined body, insulating circuit board, power module, LED module, and thermoelectric module
JP2017108107A (ja) * 2015-11-26 2017-06-15 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ｌｅｄモジュール、熱電モジュール
EP3382752A4 (en) * 2015-11-26 2019-06-26 Mitsubishi Materials Corporation CERAMIC / ALUMINUM ASSEMBLED BODY, INSULATED PRINTED CIRCUIT BOARD, POWER MODULE, LED MODULE AND THERMOELECTRIC MODULE
WO2017090422A1 (ja) * 2015-11-26 2017-06-01 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ｌｅｄモジュール、熱電モジュール
WO2018143470A1 (ja) * 2017-02-06 2018-08-09 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、ｌｅｄモジュール、セラミックス部材、セラミックス／アルミニウム接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
JP2018129507A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体、絶縁回路基板、ｌｅｄモジュール、セラミックス部材、セラミックス／アルミニウム接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
CN110191869A (zh) * 2017-02-06 2019-08-30 三菱综合材料株式会社 陶瓷-铝接合体、绝缘电路基板、led模块、陶瓷部件、陶瓷-铝接合体的制造方法、绝缘电路基板的制造方法
JP7052374B2 (ja) 2017-02-06 2022-04-12 三菱マテリアル株式会社 セラミックス／アルミニウム接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
US11798856B2 (en) 2017-02-06 2023-10-24 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic/aluminum bonded body, insulating substrate, LED module, ceramic member, method for producing ceramic/aluminum bonded body, and method for producing insulating substrate
WO2023190738A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 株式会社 東芝 セラミックス基板、接合体、半導体装置、セラミックス基板の製造方法、およびセラミックス回路基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5839992B2 (ja) 2016-01-06
JPWO2011004798A1 (ja) 2012-12-20
JP2015019106A (ja) 2015-01-29
EP2484957A1 (en) 2012-08-08
EP2484957A4 (en) 2015-09-30
US20120098020A1 (en) 2012-04-26
US9095051B2 (en) 2015-07-28
EP2484957B1 (en) 2022-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5839992B2 (ja) Ｌｅｄランプ及びヘッドライト
JP4960099B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
US7593236B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP4674221B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ
US8461755B2 (en) Light source for lighting
TWI421441B (zh) 多片反射角轉換器
US8500315B2 (en) Light emitting module and automotive headlamp
JP5018318B2 (ja) バックライトユニット
JP5285417B2 (ja) 照明装置
JP2009239036A (ja) Ｌｅｄ基板
JP2009038161A (ja) 発光素子収納用パッケージ
JP2009212367A (ja) 半導体発光装置
CN102651446A (zh) 发光二极管封装结构及光源装置
KR100791594B1 (ko) 방열부를 갖는 조명장치
JP5334483B2 (ja) 発光装置、及び発光装置を用いた照明装置
JP5207936B2 (ja) 発光装置及び発光装置を用いた照明装置
CN110010557B (zh) 基板、利用基板形成封装结构的方法和封装结构
JP2020053372A (ja) 発光装置の製造方法、発光モジュールの製造方法及び発光装置
JP5319463B2 (ja) 位置決め性を向上した窒化珪素基板、およびそれを用いた半導体装置
JP2011113672A (ja) 発光装置及びこれを備えた照明器具
KR101012043B1 (ko) Ｌｅｄ의 방열처리 구조체
JP2010056461A (ja) 発光装置及び発光装置を用いた照明装置
JP2010109095A (ja) 発光素子収納用パッケージ
JP2020181997A (ja) 発光モジュール
WO2012053413A1 (ja) 照明装置、及び、液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10797109

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2011521913

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010797109

Country of ref document: EP