JP2013093386A - 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013093386A JP2013093386A JP2011233288A JP2011233288A JP2013093386A JP 2013093386 A JP2013093386 A JP 2013093386A JP 2011233288 A JP2011233288 A JP 2011233288A JP 2011233288 A JP2011233288 A JP 2011233288A JP 2013093386 A JP2013093386 A JP 2013093386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- wiring board
- insulating layer
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 127
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 142
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 142
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09372—Pads and lands
- H05K2201/09409—Multiple rows of pads, lands, terminals or dummy patterns; Multiple rows of mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】配線基板1は、基板10と、基板10の第1主面P1上に形成された絶縁層20と、絶縁層20の第1主面R1上に形成された複数の配線パターン30とを有する。また、配線基板1は、絶縁層20の第1主面R1上に形成され、配線パターン30を被覆するとともに、隣接する配線パターン30の一部を実装領域CAとして露出する開口部50Xを有する絶縁層50と、基板10の開口部50Xの形成された領域よりも外側の領域に形成され、基板10が絶縁層20に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部70とを有する。
【選択図】図1
Description
以下、第1実施形態を図1〜図8に従って説明する。
(配線基板の構造)
図1(b)に示すように、配線基板1は、基板10と、基板10の第1主面P1を覆う絶縁層20と、絶縁層20上に形成された配線パターン30と、配線パターン30上の一部に形成された金属層40と、配線パターン30を覆う絶縁層50とを有している。この配線基板1は、例えば発光装置に適用される基板である。
次に、発光装置2の構造について説明する。
図3(b)に示すように、発光装置2は、上記配線基板1と、その配線基板1に実装された複数(図3(a)では16個)の発光素子80と、発光素子80等を封止する封止樹脂85とを有している。
配線基板1の外周領域に、基板10及びその基板10に積層された絶縁層20,50を厚さ方向に立ち上げて突出部70を形成するようにした。これにより、基板10及び絶縁層20,50が立ち上がった分だけ配線基板1全体の断面の高さを高くすることができる。したがって、配線基板1の剛性を高めることができる。
次に、上記配線基板1の製造方法について図4〜図7に従って説明する。なお、図4(a)、図5(c)及び図6(d)は、配線基板の製造過程の状態を示した概略平面図である。また、図4(b)、図5(a)、(b)、図6(a)〜(c)及び図7(a)、(b)は、図4(a)のC−C線位置における配線基板の製造過程の状態を示した概略断面図であり、図7(c)は、図1に示す配線基板のA−A概略断面図である。
次に、図6(d)に示す工程では、図5(c)に示した給電ライン32を除去する。例えば絶縁層20A上に給電ライン32のみを露出するレジスト層を形成し、そのレジスト層をエッチングマスクとして配線層33をエッチングして、給電ライン32を除去する。なお、本工程において、給電ライン32と併せて給電ライン31を除去するようにしてもよい。
次に、図7(c)に示す工程では、図7(b)に示した構造体をダイシング位置D1に沿って切断する。これにより、配線基板1が個片化され、複数の配線基板1が製造される。なお、このときの切断により、図6(d)に示した給電ライン31が配線基板1から除去される。
次に、発光装置2の製造方法を図8に従って説明する。なお、図8は、図3(a)のB−B線位置における発光装置の製造過程の状態を示した概略断面図である。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
(1)配線基板1の外周領域に、基板10及びその基板10に積層された絶縁層20,50を厚さ方向に立ち上げて突出部70を形成するようにした。これにより、基板10及び絶縁層20,50が立ち上がった分だけ配線基板1全体の断面の高さを高くすることができるため、配線基板1の剛性を高めることができる。したがって、熱収縮などに伴って配線基板1に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。
(第2実施形態)
以下、第2実施形態を図9及び図10に従って説明する。以下、第1実施形態との相違点を中心に説明する。ここで、図9(a)は、本実施形態の配線基板1Aを示す概略断面図であり、図9(b)は、絶縁層50を省略した配線基板1Aの概略平面図である。なお、先の図1〜図8に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図9(b)に示すように、絶縁層20の第1主面R1の外周領域には、補強層34が形成されている。この補強層34は、基板10の外形に沿って枠状に形成されている。補強層34の材料としては、配線パターン30と同じ材料を用いることができる。すなわち、補強層34の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。なお、補強層34の厚さは、例えば15〜150μm程度とすることができる。
次に、上記配線基板1Aの製造方法を説明する。この配線基板1Aは、先の図4〜図7で説明した配線基板1の製造方法と略同様の方法により製造することができる。但し、図5(a)〜図5(c)で説明した配線層形成工程において形成される配線層のパターンが異なるため、この点について説明する。すなわち、本実施形態では、図5(a)〜図5(c)の製造工程の代わりに、以下に説明する図10(a)〜図10(c)の製造工程が実施される。
以上説明した実施形態によれば、第1実施形態の(1)〜(4)の効果に加えて以下の効果を奏する。
以下、第3実施形態を図11及び図12に従って説明する。以下、第2実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図1〜図10に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図11(b)に示すように、絶縁層20の第1主面R1の外周領域には、補強層34が形成されている。この補強層34の上面及び側面を覆うように金属層41が形成されている。この金属層41は、図11(a)に示すように、基板10の外形に沿って枠状に形成されている。金属層41の例としては、Ag層や、Ni/Ag層(Ni層とAg層をこの順番で積層した金属層)や、Ni/Pd/Ag層(Ni層とPd層とAg層をこの順番で積層した金属層)などを挙げることができる。すなわち、金属層41としては、銀(Ag)などの光の反射率が高い金属又はその金属を含む合金からなる金属層が最外層(最表層)に形成される金属層を用いることができる。さらに、金属層41の最外層の材料としては、絶縁層50の反射率と同等かそれ以上の反射率を有する金属又は金属合金であることが好ましい。
次に、上記配線基板1Bの製造方法を説明する。先の図10で説明した製造工程により絶縁層20A上に配線パターン30、給電ライン31,32A,32B及び補強層34を形成した後に、以下に説明する製造工程を実施する。
以上説明した実施形態によれば、第1及び第2実施形態の(1)〜(6)の効果に加えて以下の効果を奏する。
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第1実施形態では、配線基板1の個片化の前に、配線基板形成領域C1よりも外側に形成された給電ライン31と配線パターン30とを接続する給電ライン32を除去するようにした。これに限らず、給電ライン32を除去する工程(図6(d)参照)を省略してもよい。この場合であっても、ダイシング位置D1に沿って基板10Aを切断する工程(図7(c)参照)において、給電ライン32が給電ライン31から分離されることになる。このため、図13(a)に示されるように、個片化された配線基板1に給電ライン32が残っていても、それら給電ライン32と接続される複数の配線パターン30が互いに分離される。したがって、給電ライン32の除去を省略しても、配線基板1の特性上、何ら支障はない。
・上記各実施形態における突出部70,71,72の数、位置及び平面形状は特に限定されない。
・上記第2及び第3実施形態では、配線パターン30と補強層34とを同じ材料(ここでは、銅)で形成するようにした。これに限らず、配線パターン30と補強層34とを異なる材料で形成するようにしてもよい。この場合には、例えば銅箔30Aのエッチングにより配線パターン30を形成した後に、セミアディティブ法などにより補強層34を形成する。
・上記第1及び第2実施形態では、金属層40を形成した後に絶縁層50を形成するようにした。これに限らず、例えば開口部50X,50Yを有する絶縁層50を形成した後に、開口部50X,50Yから露出する配線パターン30に電解めっき法を施して上記金属層40を形成するようにしてもよい。なお、この場合に、突出部70,71の形成は、金属層40を形成する前に行ってもよいし、金属層40を形成した後に行ってもよい。
・上記各実施形態における開口部50X,50Yの平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形、六角形等の多角形状であってもよく、楕円形状であってもよい。
図15(a)は、上記第1実施形態の配線基板1に発光素子80を実装してなる発光装置2の適用例を示したものであり、発光装置2を実装基板100に実装した場合の断面構造を示している。また、図15(b)は、実装基板100に実装される発光装置2の平面構造の一例を示したものである。なお、図15(b)では、発光素子80、ボンディングワイヤ81及び封止樹脂85の図示を省略している。
図16は、発光装置2を実装基板110に実装した場合の断面構造を示している。
実装基板110は、金属層111と、金属層111の上面に形成された絶縁層112と、絶縁層112の上面に形成された配線パターン113とを有している。
2 発光装置
10 基板
20 絶縁層(第1絶縁層)
30 配線パターン
31,32,32A,32B 給電ライン
33 配線層
34 補強層
40 金属層(第2金属層)
41 金属層(第1金属層)
50 絶縁層(第2絶縁層)
50X 開口部(第1開口部)
50Z 開口部(第2開口部)
70,70A,71,71A,72 突出部
80,82 発光素子
85 封止樹脂
90,92 レジスト層
90X,92X 開口部
CA 実装領域(パッド)
Claims (20)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の第1主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第1主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第1開口部を有する第2絶縁層と、
前記基板の前記第1開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第1絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、
を有することを特徴とする配線基板。 - 前記外側の領域に形成され、金属又は金属合金からなる補強層を有し、
前記突出部は、前記補強層の形成された領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記補強層を被覆する第1金属層を有し、
前記第2絶縁層には、前記第1金属層を露出する第2開口部が形成され、
前記第1金属層の最外層は、前記補強層よりも反射率の高い金属又は金属合金からなることを特徴とする請求項2に記載の配線基板。 - 前記第1開口部から露出された配線パターンを被覆する第2金属層を有し、
前記第1金属層と前記第2金属層とが、同一の材料からなることを特徴とする請求項3に記載の配線基板。 - 前記第1金属層の最外層は、銀又は銀合金からなる金属層であることを特徴とする請求項3又は4に記載の配線基板。
- 前記配線パターンと前記補強層とが、同一の材料からなることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1つに記載の配線基板。
- 前記突出部は、平面視して円形状に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の配線基板。
- 前記突出部は、平面視して帯状に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の配線基板。
- 前記突出部は、平面視して枠状に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の配線基板。
- 前記基板は、平面視して矩形状であり、
前記突出部は、前記基板の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の配線基板。 - 前記基板は、金属からなることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の配線基板。
- 基板と、
前記基板上に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の第1主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第1主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第1開口部を有する第2絶縁層と、
前記基板の前記第1開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第1絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、
前記パッド上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、
を有することを特徴とする発光装置。 - 基板上に形成された第1絶縁層の第1主面上に配線パターンを含む配線層を形成する工程と、
前記配線パターン上に、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第1開口部を有する第2絶縁層を形成する工程と、
前記基板の前記第1開口部の形成された領域よりも外側の領域に、前記基板を前記第1絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上げて突出部を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記配線層を形成する工程は、
前記第1主面上に形成された金属箔上に、所定の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属箔をエッチングすることにより、前記配線パターンと、前記外側の領域に形成された補強層と、電解めっき用の給電ラインとを含む前記配線層を形成する工程と、を有し、
前記突出部を形成する工程では、前記補強層の形成された領域に前記突出部を形成することを特徴とする請求項13に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第2絶縁層を形成する工程の前に、
前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記補強層上に、該補強層よりも反射率の高い金属又は金属合金からなる第1金属層を形成するとともに、前記パッドとなる配線パターン上に、前記第1金属層と同一の材料からなる第2金属層を形成する工程を有し、
前記第2絶縁層を形成する工程では、前記第1開口部と、前記第1金属層を露出する第2開口部とを有する前記第2絶縁層を形成することを特徴とする請求項14に記載の配線基板の製造方法。 - 前記突出部を形成する工程では、平面視して円形の前記突出部を形成することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記突出部を形成する工程では、平面視して帯状の前記突出部を形成することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記突出部を形成する工程では、平面視して枠状の前記突出部を形成することを特徴とする請求項13〜15のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
- 前記基板は、平面視して矩形状であり、
前記突出部を形成する工程では、前記基板の辺に沿って前記突出部を形成することを特徴とする請求項13〜18のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。 - 前記基板は、金属からなることを特徴とする請求項13〜19のいずれか1つに記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011233288A JP5801685B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
US13/655,802 US9257354B2 (en) | 2011-10-24 | 2012-10-19 | Wiring substrate, light emitting device, and method for manufacturing wiring substrate |
EP12189184.0A EP2587533B1 (en) | 2011-10-24 | 2012-10-19 | Wiring substrate, light emitting device, and method for manufacturing wiring substrate |
CN201210430706.2A CN103066184B (zh) | 2011-10-24 | 2012-10-22 | 配线基板、发光装置、以及配线基板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011233288A JP5801685B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013093386A true JP2013093386A (ja) | 2013-05-16 |
JP2013093386A5 JP2013093386A5 (ja) | 2014-09-11 |
JP5801685B2 JP5801685B2 (ja) | 2015-10-28 |
Family
ID=47143547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011233288A Active JP5801685B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9257354B2 (ja) |
EP (1) | EP2587533B1 (ja) |
JP (1) | JP5801685B2 (ja) |
CN (1) | CN103066184B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6068175B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2017-01-25 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP6111832B2 (ja) * | 2013-05-06 | 2017-04-12 | 株式会社デンソー | 多層基板およびこれを用いた電子装置、電子装置の製造方法 |
DE102013215350A1 (de) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsanordnung |
JP5918809B2 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-05-18 | 株式会社イースタン | 配線基板の製造方法および配線基板 |
CN104538532B (zh) * | 2015-01-30 | 2017-09-15 | 矽照光电(厦门)有限公司 | 一种led封装方法 |
JP6974724B2 (ja) * | 2018-03-08 | 2021-12-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
WO2020045436A1 (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 京セラ株式会社 | 配線基板および電子装置 |
CN113972308A (zh) * | 2020-07-24 | 2022-01-25 | 群创光电股份有限公司 | 电子基板以及电子装置 |
CN113690228B (zh) * | 2021-08-05 | 2023-06-23 | 福建天电光电有限公司 | 集成式led发光器件及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270591A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Nec Corp | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
JP4762374B1 (ja) * | 2011-02-14 | 2011-08-31 | 積水化学工業株式会社 | 感光性組成物及びプリント配線板 |
US20110240346A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Heat-radiating substrate and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235618A (ja) | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 多端子半導体パッケージ |
CN1222918C (zh) * | 2001-08-27 | 2005-10-12 | 佳能株式会社 | 布线基板及使用该布线基板的图象显示装置 |
JP4067802B2 (ja) | 2001-09-18 | 2008-03-26 | 松下電器産業株式会社 | 照明装置 |
JP2006518944A (ja) * | 2003-02-25 | 2006-08-17 | テッセラ,インコーポレイテッド | バンプを有するボールグリッドアレー |
DE10339770B4 (de) * | 2003-08-27 | 2007-08-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer FBGA-Anordnung |
JP4856463B2 (ja) | 2005-10-17 | 2012-01-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP2007235618A (ja) | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Nec Soft Ltd | ユーザアカウント名の自動割当システム、その方法、ユーザアカウント名取得装置およびプログラム |
JP5259095B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2013-08-07 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US20090001404A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Ohata Takafumi | Semiconductor light emitting device, process for producing the same, and led illuminating apparatus using the same |
JP2009033088A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法およびそれを用いたled照明装置 |
JP4825784B2 (ja) | 2007-12-13 | 2011-11-30 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
JP5665020B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2015-02-04 | 国立大学法人九州工業大学 | 配線用電子部品の製造方法 |
JP4970577B2 (ja) | 2010-08-05 | 2012-07-11 | ジャパンライフ株式会社 | スペーサー |
-
2011
- 2011-10-24 JP JP2011233288A patent/JP5801685B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-19 US US13/655,802 patent/US9257354B2/en active Active
- 2012-10-19 EP EP12189184.0A patent/EP2587533B1/en active Active
- 2012-10-22 CN CN201210430706.2A patent/CN103066184B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270591A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Nec Corp | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
US20110240346A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Heat-radiating substrate and manufacturing method thereof |
JP4762374B1 (ja) * | 2011-02-14 | 2011-08-31 | 積水化学工業株式会社 | 感光性組成物及びプリント配線板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2587533A1 (en) | 2013-05-01 |
US9257354B2 (en) | 2016-02-09 |
JP5801685B2 (ja) | 2015-10-28 |
CN103066184B (zh) | 2017-03-29 |
US20130099273A1 (en) | 2013-04-25 |
EP2587533B1 (en) | 2018-11-21 |
CN103066184A (zh) | 2013-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5801685B2 (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
JP5848976B2 (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
JP6096413B2 (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
US9029891B2 (en) | Wiring substrate, light emitting device, and manufacturing method of wiring substrate | |
KR102210072B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 발광 소자 탑재용 패키지 | |
JP6293995B2 (ja) | 発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法、並びに発光素子パッケージ | |
JP6001921B2 (ja) | 配線基板及び配線基板の製造方法 | |
US9204546B2 (en) | Circuit board and manufacturing method thereof | |
JP5844101B2 (ja) | 発光装置用の配線基板、発光装置及び発光装置用配線基板の製造方法 | |
JP6280710B2 (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
US20140159075A1 (en) | Light-emitting device package and method of manufacturing the same | |
JP2013045943A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP6029873B2 (ja) | 配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007013067A (ja) | リフレクタ付き実装基板の製造方法 | |
JP2013109905A (ja) | 発光装置用の配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140725 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5801685 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |