JP2007013067A - リフレクタ付き実装基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
Abstract
【課題】 発光素子からの光を反射するリフレクタとしては光反射率の高い白色系の樹脂を多く用いる。しかし、リフレクタは樹脂成型のための金型が必要になり、試作に時間が掛かる問題があった。
【解決手段】 本発明では、リフレクタ基板３４は両面に導電箔３５、３６が設けられ、貫通孔３１は導電箔３５、３６を貫通して形成され、貫通孔３１の内壁の傾斜面３２に導電箔を電極として導電メッキ膜３７が形成され、導電箔３５および導電メッキ膜上に反射メッキ膜３３を形成することにより、ガラスエポキシ基板に機械的にリフレクタを形成することを特徴とする。
【選択図】 図４
【解決手段】 本発明では、リフレクタ基板３４は両面に導電箔３５、３６が設けられ、貫通孔３１は導電箔３５、３６を貫通して形成され、貫通孔３１の内壁の傾斜面３２に導電箔を電極として導電メッキ膜３７が形成され、導電箔３５および導電メッキ膜上に反射メッキ膜３３を形成することにより、ガラスエポキシ基板に機械的にリフレクタを形成することを特徴とする。
【選択図】 図４
Description
本発明は、リフレクタ付き実装基板の製造方法に関し、特に発光素子を組み込むガラスエポキシ基板で構成されたリフレクタ付き実装基板の製造方法に関する。
図７に発光素子から側面への放出される光を効率的に反射する発光効率の高い発光装置が示されている。
この発光装置は発光素子１００、基板２００、リフレクタ３００および封止部材４００から構成される。発光素子１００は３族窒化物系化合物半導体発光素子である。マウント基板２００は絶縁性の基板であり、所望の配線パターンが形成されて発光素子１００がマウントされる。リフレクタ３００は酸化チタンを一様に分散させたポリアミド系樹脂からなり、カップ状部５００を形成する内周面が光軸に対して所望の角度になるように成型され、反射層３１０はＡｌの蒸着で作られている。シリコーン樹脂等の封止部材４００は発光素子１００を被覆するようにカップ状部５００に充填される。（特許文献１、図１参照）
また、他の光半導体装置についてもリフレクタとして働くケースがポリカーボネイトに酸化チタンを含ませた光反射率の高い白色系の樹脂の成型により形成されている。（特許文献２、図３参照）
特に、コストを低減するためにリフレクタを樹脂成型で作る場合が多く、その場合には以下に述べる種々の問題点が発生する。
特開２００４−１３４６９９号公報
特開２０００−１８３４０７号公報
また、他の光半導体装置についてもリフレクタとして働くケースがポリカーボネイトに酸化チタンを含ませた光反射率の高い白色系の樹脂の成型により形成されている。（特許文献２、図３参照）
特に、コストを低減するためにリフレクタを樹脂成型で作る場合が多く、その場合には以下に述べる種々の問題点が発生する。
しかしながら、上述した発光装置では、以下のような問題点がある。
リフレクタは光反射率の高い白色系の樹脂を多く用いるので、樹脂成型のための金型が必要になり、試作に時間が掛かる問題点がある。
また、樹脂成型は熱可塑性樹脂の射出成型が多く用いられるので、高温の樹脂を成型して金型から取り出すまでにそり等の変形が発生する問題点がある。このためにリフレクタをマウント基板に接着するときにこのそりが原因でマウント基板に同時に多数のリフレクタを接着できないのである。
更に、リフレクタを樹脂成型する場合は金型を使用するので、隣接するリフレクタとの間隔がある程度必要であり、リフレクタの形成密度を上げられず取れ量を大きくできないのである。
更に、リフレクタが樹脂製のために発光装置をマザー基板に半田付けする際のリフロー温度が２５０℃と高いので、リフレクタ自体の変形が発生して不良品を出す問題点もある。特に、鉛フリーの半田を用いる場合はこのリフロー温度は高くなり、その不良の発生率が高くなる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされ、発光素子を載置する電極を多数個備えた実装基板を準備する工程と、前記発光素子を載置する前記各電極を取り囲むように内壁に傾斜面を有する貫通孔を形成し、前記貫通孔の傾斜面に反射メッキ膜を形成したリフレクタ基板を準備する工程と、前記実装基板と前記リフレクタ基板とを接着層により接着する工程とを具備することを特徴とする。
また、本発明では、前記実装基板は両面に導電箔を設け、上面に前記発光素子を載置する電極を形成し、下面には前記電極とスルーホールで接続され外部との接続を行う外部電極を形成されていることを特徴とする。
更に本発明では、前記リフレクタ基板は機械的加工ができるプリント基板材料で形成されていることを特徴とする。
更に本発明では、前記リフレクタ基板および前記実装基板はＢＴレジン、ガラスエポキシ樹脂、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂のいずれかで形成されることを特徴とする。
更に本発明では、前記リフレクタ基板に設ける前記貫通孔はすべて機械的加工により形成することを特徴とする。
更に本発明では、前記リフレクタ基板の前記反射メッキ膜は前記リフレクタ基板全体をメッキ液槽内に浸漬して同時に形成されることを特徴とする。
更に本発明では、前記反射メッキ膜は前記リフレクタ基板の上面及び前記貫通孔の傾斜面に選択的に形成されることを特徴とする。
更に本発明では、前記実装基板と前記リフレクタ基板とは接着剤層を挟んで加熱硬化させて一体に接着することを特徴とする。
更に本発明では、前記接着剤層は半硬化させた樹脂を用いることを特徴とする。
更に本発明では、前記リフレクタ基板は両面に導電箔が設けられ、前記貫通孔は前記導電箔を貫通して形成され、前記貫通孔の内壁の前記傾斜面に前記導電箔を電極として導電メッキ膜が形成され、前記導電箔および前記導電メッキ膜上に反射メッキ膜を形成することを特徴とする。
更に本発明では、前記リフレクタ基板の下面の前記導電箔は選択的に除去された後、前記反射メッキ膜を形成することを特徴とする。
本発明に依れば、実装基板とリフレクタ基板とを準備して両基板を接着剤で張り合わせることで、多数個の電極を備えたリフレクタ付き実装基板を大変に簡便な製造方法で実現できる利点を有する。
また、本発明によれば、実装基板の両面に設けた導電箔を用いて発光素子を載置する電極と外部電極とをスルーホールで接続することで実装基板を実現できる利点がある。
更に、本発明によれば、実装基板とリフレクタ基板はプリント基板材料で構成することで、両基板の貼り合わせをしても反りなどが発生しない利点を有する。特に、ＢＴレジン、ガラスエポキシ樹脂、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂のいずれかで形成された基板材料を用いることで、通常のプリント基板と同様に半田リフロー温度が２５０℃以上でも十分に耐熱性があり、リフレクタの変形などが発生しない。
更に、本発明では、リフレクタ基板に設けられる貫通孔はすべてドリル、エンドミルあるいはリーマー加工などの機械的加工であり、熱処理がないので、リフレクタ基板は従来の樹脂製と異なり金型が一切不要である。貫通孔の大きさはドリルなどの選択で自在であり、傾斜面の大きさもリフレクタ基板の厚みを選択することで対応ができる。リフレクタ基板は機械加工のみで完成されるので、製造中に過熱による反りも発生しない。そのために実装基板とリフレクタ基板を接着剤で貼り合わせるときに反りがないので、隣接する貫通孔との間隔を狭められリフレクタの取れ量を大きくできる。
更に、本発明ではリフレクタ基板の反射メッキ膜はリフレクタ基板全体をメッキ液槽内に浸漬して同時に形成されるので、マスクなしに簡単に製造できる。
更に、本発明では実装基板とリフレクタ基板とは接着剤層を挟んで加熱硬化させて一体に接着するので、1つの基板として扱え、リフレクタの変形も防止できる。
更に、本発明では、実装基板もリフレクタ基板もほぼ同一の製造ラインを通るので、製造ラインの共通化を図れる。そのためにわざわざリフレクタ基板の製造ラインを増設しなくてもよい。
まず、図１に本発明の製造方法で完成したリフレクタ付き実装基板を示す。図１（Ａ）はその上面図であり、図１（Ｂ）はその断面図である。実装基板 には上面に十字状の共通電極１１と、四隅に個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが設けられ、下面にはそれぞれの対応する電極とスルーホール電極を通じて接続される取り出し電極１３ａ、１３ｂが設けられている。実装基板１０の上側には共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの一部を露出するようにリフレクタ３０が接着層５０で貼り付けられ、リフレクタ３０の貫通孔３１の傾斜面３２および上面に反射メッキ膜３３が設けられている。共通電極１１の十字の突出部分にはそれぞれ４個の発光素子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄが固着され、共通電極１１は共通アノード電極を構成する。各発光素子のカソード電極は隣接する個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと金属細線１５により接続されている。
次に、本発明によるリフレクタ付き実装基板の製造方法は、発光素子を載置する電極を多数個備えた実装基板を準備する工程と、前記発光素子を載置する前記各電極を取り囲むように内壁に傾斜面を有する貫通孔を形成し、前記貫通孔の傾斜面に反射メッキ膜を形成したリフレクタ基板を準備する工程と、前記実装基板と前記リフレクタ基板とを接着層により接着する工程とから構成される。
図２及び図３を参照して実装基板１０を準備する工程を説明する。
図２（Ａ）では、両面に銅などの導電箔１６、１７を貼り付けたガラスエポキシ基板を用意する。導電箔１６、１７は１８μｍの銅箔を用い、基板１０は０．１５ｍｍの板厚のものを用いる。導電箔１６は上側は発光素子を載置する電極を形成するために用いられ、電極は図３で示した十字状の共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとで構成される。なお、実装基板１０はガラスエポキシ樹脂以外でも、ＢＴレジン、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂等のプリント基板材料の中から選択される。ＢＴレジンはＴ成分（トリアジン樹脂）を主成分とし、Ｂ成分（多官能マレイミド化合物）または他の改質用化合物より構成された高耐熱付加重合型熱硬化性樹脂の総称を言う。コンポジットは複数の基板材料を積層したものである。これらの基板材料はいずれも研削等の機械的加工ができる。
図２（Ｂ)では、スルーホール電極を形成するための約０．３ｍｍのスルーホール用貫通孔１８がＮＣ工作機を用いてドリル等で導電箔１６、１７および基板１０を貫通して開けられる。続いて、実装基板１０をパラジウム溶液に浸漬して、両導電箔１６、１７を電極としてスルーホール用貫通孔１８の内壁に銅の電解メッキにより約２０μｍの膜厚のスルーホール電極１９を形成する。
図２（Ｃ）では、実装基板１０の上面および下面の導電箔１６、１７はレジスト層２０で被覆し、上面の導電箔１６には図３（Ａ）に示す十字状の共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのパターンを、下面の導電箔１７には図３（Ｂ）に示す取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆのパターンを露光現像し、残ったレジスト層２０をマスクとして導電箔１６、１７のエッチングを行う。導電箔１６、１７が銅のときはエッチング溶液として塩化第２鉄を用いる。
図２（Ｄ）では、レジスト層２０を剥離除去し、上面の十字状の共通電極１１と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄおよび下面の取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆの表面に銀メッキ層２１を設けて、各電極の表面処理を行う。この銀メッキ層２１により発光素子の固着、金属細線のボンディングあるいは半田付けが可能となる。
図３により具体化された実装基板を示す。図３（Ａ）は実装基板１０全体の上面図を示し、図３（Ｂ）は実装基板１０の上面の導電箔１６で形成した共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの拡大平面図を示し、図３（Ｃ）は実装基板１０の下面の導電箔１７で形成した取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆの拡大平面図を示している。
実装基板１０は６０ｍｍ×９０ｍｍのガラスエポキシ基板を用いる。周辺には位置合わせ孔２２を複数個設けられ、内部には行列上に多数の各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが配置される。また、周辺には電解メッキのための電極として枠状の導電箔２３が残されており、各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄはすべてこの枠状の導電箔２３と電気的に接続されている。
各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは図３（Ｂ）に示すように、十字状の共通電極１１が横方向に連なって配置され、十字の突出部の間に個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄがはめ込まれている。十字の突出部の中間位置に丸印示すスルーホール電極１９が各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに設けられており、下面の取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆとの接続を行っている。上側の個別電極１２ａはその上のユニットの下側の個別電極１２ｂと連絡細条２４で接続され、更に同じユニットの共通電極１１と蛇行させた連絡細条２５で接続されている。この連絡細条２４、２５およびスルーホール電極１９とで各ユニットの共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆとは電気的に接続されていることが分かる。なお後で説明するが、各ユニットに分離するときに各ユニットの境界をダイシングする際に連絡細条２４、２５は切断されて各ユニットの各電極は電気的に独立する。
各ユニットの取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆは図３（Ｃ）に示すように３本ほど並列に配置され、丸印で示すスルーホール電極１９で上面の共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと電気的に接続される。上側の取り出し電極１３ｆは他に比べて長めに形成され、ピン配置の目印として用いる。この取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆはスルーホール電極１９間の６本が１つのユニットを構成し、スルーホール電極１９の両側に一体になっている取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆは隣接するユニットに属する。これはダイシングラインがちょうどこのスルーホール電極１９上にあるためである。また、各ユニットの中央にある斜線部分はレジスト層２６であり、マーザー基板への表面実装中に半田が侵入して取り出し電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ間をショートすることを防止する。
図４及び図５を参照してリフレクタ基板３４を準備する工程を説明する。
図４（Ａ）では、両面に銅などの導電箔３５、３６を貼り付けたガラスエポキシ基板を用意する。導電箔３５、３６は１８μｍの銅箔を用い、基板は０．６ｍｍの板厚のものを用いる。リフレクタ３０を形成するための貫通孔３１をＮＣ工作機を用いてドリル等で導電箔３５、３６および基板３４を貫通して開けられる。貫通孔３１はまずリフレクタ３０下面の径に合わせて開けられ、たとえば２．２ｍｍに内壁が垂直の貫通孔３１が開けられる。なお、リフレクタ基板３４は実装基板１０と同様にガラスエポキシ樹脂以外でも、ＢＴレジン、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂等のプリント基板材料の中から選択される。
図４（Ｂ）では、貫通孔３１にリフレクタ３０の反射面を形成するためにＮＣ工作機を用いてドリル、エンドミルあるいはリーマー加工で傾斜面３２を形成する。貫通孔３１の上面の径はたとえば、２．８ｍｍに選択され、貫通孔３１の内壁はすり鉢状の傾斜面３２が形成される。なお、基板の板厚を選択することでリフレクタ３０の反射面の面積を容易に選択できる。また、リーマーの歯の研削角度を選択することで傾斜面３２の角度も容易に選択できる。
図４（Ｃ）では、リフレクタ基板３４をパラジウム溶液に浸漬して、両導電箔３５、３６を電極として貫通孔３１の内壁の傾斜面３２に銅の電解メッキにより約２０μｍの膜厚の導電メッキ膜３７を形成する。
図４（Ｄ）では、充填材３８を印刷して貫通孔３１を穴埋めし、リフレクタ基板３４上面を被覆する。充填材３８としては石膏の溶液を用いる。石膏の溶液は印刷後に焼成して乾燥し、リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６に付着した石膏はバフ研磨で除去する。従って、本工程ではリフレクタ基板３４の下面の導電箔３６のみを露出し、上面の導電箔３６および導電メッキ膜３７は充填材３８で被覆される。
図４（Ｅ）では、リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６を充填材３８をマスクとして選択的にエッチング除去する。エッチング溶液は塩化第二鉄を用いる。エッチング後に充填材３８である石膏は苛性ソーダ溶液で剥離して除去する。
図４（Ｆ）では、リフレクタ基板３４の上面の導電箔３５および貫通孔３１の導電メッキ膜３７上にマスクなしで電解メッキにより銀メッキあるいはクロムメッキを行い、反射メッキ膜３３を形成する。特に、クロムメッキの場合は表面に傷が付きにくく、表面を酸化されず、腐食もされ難い特徴があり、長期に渡り良好な反射を実現できる。
なお、本工程で先端を傾斜面３２に合わせたドリルを用いて寸止め加工をすることで、ドリル加工のみで一気に傾斜面３２まで形成できる方法も採用できる。これにより上述した貫通孔３１の形成と傾斜面３２の形成を同時に１工程で実施可能となる。
図５により具体化されたリフレクタ基板３４を示す。図５（Ａ）はリフレクタ基板３４全体の上面図を示し、図５（Ｂ）はリフレクタ基板３４の拡大平面図を示す。
リフレクタ基板３４には前述した実装基板１１の各ユニットに対応する位置に対応する数のリフレクタ３０が設けられる。従って、各ユニットのリフレクタ３０も行列上に配置されている。リフレクタ基板３４は５４．５ｍｍ×７６．０ｍｍの大きさであり、周辺に突出部４０を設けてそこに位置合わせ孔４１を設けてガイドピン等で実装基板１１の位置合わせ孔２２との位置合わせを行う。リフレクタ基板３４にはリフレクタ３０を構成するための貫通孔３１が行列上に並べられ、貫通孔３１の内壁の傾斜面３２には反射メッキ膜３３が設けられている。
貫通孔３１の上面開口の径は２．８ｍｍであり、下面開口の径は２．２ｍｍである。また横方向に隣接するユニットの貫通孔３１の中心間の間隔は３．５６ｍｍであり、縦方向の隣接するユニットの貫通孔３１の中心間の間隔は３．３６ｍｍである。従って、横方向の隣接する貫通孔３１間の離間距離は０．７６ｍｍであり、縦方向の隣接する貫通孔３１間の離間距離は０．５６ｍｍであり、従来の樹脂成型のリフレクタに比べて極めて接近をして配置できるので、リフレクタ基板３４当たりのリフレクタ３０の取れ量を約２０〜３０％程度多くできる。
このために樹脂に比べてコストの高いガラスエポキシ基板を用いても金型を用いないこととともにコストアップを抑えられる。
このために樹脂に比べてコストの高いガラスエポキシ基板を用いても金型を用いないこととともにコストアップを抑えられる。
リフレクタ基板３４は板厚が０．６ｍｍと実装基板１１の板厚０．１５ｍｍよりかなり厚いガラスエポキシ基板を用いるので、リフレクタ基板３４は平坦であり反りが発生することはない特徴がある。リフレクタ基板３４に設けられる各ユニットのリフレクタ３０を構成する貫通孔３１はＮＣ工作機で機械的に形成されているので、加熱処理もなく形成でき、各ユニット間の貫通孔３１の間隔も狭められる。
図６を参照して実装基板１０とリフレクタ基板３４とを接着層により接着する工程を説明する。
接着層５０はガラスクロスにエポキシ系樹脂を半硬化させたスーパーボンディングシート(商品名)を用いる。このシート状のスーパーボンディングシートはＮＣ工作機で実装基板１１の電極がリフレクタ基板３４の貫通孔３１より露出する部分を打ち抜き加工される。この際にスーパーボンディングシートに前述した実装基板１０およびリフレクタ基板３４と同じ位置に位置合わせ孔（図示せず）を設けておくとガイドピン等で位置合わせを自動的に行える。
次に上述した実装基板１０と接着層５０となるスーパーボンディングシートとリフレクタ基板３４とを重ねて油圧プレス機で３〜５ＭＰａで加圧しながら、１６０〜１７０℃で１時間ほどアニールして接着層５０を本硬化させて実装基板１０とリフレクタ基板３４と約５０μｍの厚みの接着層５０で一体に接着してリフレクタ付き実装基板を完成させる。
リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６はリフレクタ基板３４の製造工程で除去されているのは実装基板１０の共通電極１１および個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと接着層５０のみを挟んでリフレクタ基板３４の下面は一体になるので、接着層５０にピンホールがあったときに水分等でショートするのを防止している。
なお、接着層５０をより厚くしてピンホールの発生が防止できれば、リフレクタ基板３４の下面の導電箔３６の除去を省いて、リフレクタ基板３４全面に反射メッキ膜３３を設けても良い。この場合はリフレクタ基板３４の下面の導電箔除去の工程を省略でき、工程短縮が行える。
以上の工程で完成されたリフレクタ付き実装基板には、まず発光素子を共通電極１１上に組み込み、続いて発光素子のアノード電極と個別電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとを金属細線でボンディングして接続し、発光素子および金属細線を透明の保護樹脂で被覆する。
その後、リフレクタ付き実装基板はダイシング装置により縦方向ではスルーホール電極上を切断され、横方向ではリフレクタ基板に設けた三角形の目印(図５（Ｂ）参照)を基準にして切断され、個々の発光装置に分離される。
本発明では、実装基板１０は両面に導電箔を有するガラスエポキシ基板にＮＣ工作機でスルーホール用貫通孔１８を設けて、スルーホール電極１９をメッキで形成し、各電極を形成した後に銀メッキを行っている。また、リフレクタ基板３４も両面に導電箔を有するガラスエポキシ基板にＮＣ工作機で貫通孔３１を形成した後に、スルーホールメッキをしてから選択的に銀メッキあるいはクロムメッキを行っています。すなわち、実装基板１０もリフレクタ基板３４もほぼ同一の製造ラインを通るので、製造ラインの共通化を図れる。そのためにわざわざリフレクタ基板の製造ラインを増設しなくてもよい。
１０ 実装基板
１１ 共通電極
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ 個別電極
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ 取り出し電極
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ 発光素子
１５ 金属細線
１６、１７ 導電箔
１８ スルーホール用貫通孔
１９ スルーホール電極
２０ レジスト層
２１ 反射メッキ膜
２２ 位置合わせ孔
２３ 枠状の導電箔
３０ リフレクタ
３１ 貫通孔
３２ 傾斜面
３３ 反射メッキ膜
３４ リフレクタ基板
３５、３６ 導電箔
３７ 導電メッキ膜
３８ 充填材
４０ 突出部
４１ 位置合わせ孔
５０ 接着層
１１ 共通電極
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ 個別電極
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ 取り出し電極
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ 発光素子
１５ 金属細線
１６、１７ 導電箔
１８ スルーホール用貫通孔
１９ スルーホール電極
２０ レジスト層
２１ 反射メッキ膜
２２ 位置合わせ孔
２３ 枠状の導電箔
３０ リフレクタ
３１ 貫通孔
３２ 傾斜面
３３ 反射メッキ膜
３４ リフレクタ基板
３５、３６ 導電箔
３７ 導電メッキ膜
３８ 充填材
４０ 突出部
４１ 位置合わせ孔
５０ 接着層
Claims (11)
- 発光素子を載置する電極を多数個備えた実装基板を準備する工程と、
前記発光素子を載置する前記各電極を取り囲むように内壁に傾斜面を有する貫通孔を形成し、前記貫通孔の傾斜面に反射メッキ膜を形成したリフレクタ基板を準備する工程と、
前記実装基板と前記リフレクタ基板とを接着層により接着する工程とを具備することを特徴とするリフレクタ付き実装基板の製造方法。 - 前記実装基板は両面に導電箔を設け、上面に前記発光素子を載置する電極を形成し、下面には前記電極とスルーホールで接続され外部との接続を行う外部電極を形成することを特徴とする請求項１に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記リフレクタ基板は機械的加工ができるプリント基板材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記リフレクタ基板および前記実装基板はＢＴレジン、ガラスエポキシ樹脂、コンポジット、ガラスポリイミド樹脂あるいは紙フェノール樹脂のいずれかで形成されることを特徴とする請求項３に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記リフレクタ基板に設ける前記貫通孔はすべて機械的加工により形成することを特徴とする請求項１に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記リフレクタ基板の前記反射メッキ膜は前記リフレクタ基板全体をメッキ液槽内に浸漬して同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記反射メッキ膜は前記リフレクタ基板の上面及び前記貫通孔の傾斜面に選択的に形成されることを特徴とする請求項６に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記実装基板と前記リフレクタ基板とは接着剤層を挟んで加熱硬化させて一体に接着することを特徴とする請求項１に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記接着剤層は半硬化させた樹脂を用いることを特徴とする請求項８に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記リフレクタ基板は両面に導電箔が設けられ、前記貫通孔は前記導電箔を貫通して形成され、前記貫通孔の内壁の前記傾斜面に前記導電箔を電極として導電メッキ膜が形成され、前記導電箔および前記導電メッキ膜上に反射メッキ膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
- 前記リフレクタ基板の下面の前記導電箔は選択的に除去された後、前記反射メッキ膜を形成することを特徴とする請求項１０に記載のリフレクタ付き実装基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005195610A JP3963923B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | リフレクタ付き実装基板の製造方法 |
| TW94133473A TWI353807B (en) | 2005-07-04 | 2005-09-27 | Manufacturing method of mounting substrate withref |
| KR1020050093775A KR101155693B1 (ko) | 2005-07-04 | 2005-10-06 | 리플렉터 부착 실장 기판의 제조 방법 |
| CN 200510118761 CN1892979A (zh) | 2005-07-04 | 2005-10-31 | 带反射镜安装衬底的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005195610A JP3963923B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | リフレクタ付き実装基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007013067A true JP2007013067A (ja) | 2007-01-18 |
| JP3963923B2 JP3963923B2 (ja) | 2007-08-22 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005195610A Active JP3963923B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | リフレクタ付き実装基板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3963923B2 (ja) |
| KR (1) | KR101155693B1 (ja) |
| CN (1) | CN1892979A (ja) |
| TW (1) | TWI353807B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100958329B1 (ko) | 2009-08-14 | 2010-05-17 | (주)참빛 | 마스크를 적용하여 측면 반사면을 금속 코팅한 발광 다이오드 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2013038190A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Dainippon Printing Co Ltd | リフレクタ付基板の製造方法 |
| JP2013110179A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2014063777A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-10 | Chang Wah Electromaterials Inc | 発光ダイオードパッケージの製造方法及びその構造 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101292197B1 (ko) * | 2012-04-10 | 2013-08-01 | 대덕전자 주식회사 | 발광다이오드 실장 회로기판에 반사판을 제조하는 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11220178A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
2005
- 2005-07-04 JP JP2005195610A patent/JP3963923B2/ja active Active
- 2005-09-27 TW TW94133473A patent/TWI353807B/zh not_active IP Right Cessation
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100958329B1 (ko) | 2009-08-14 | 2010-05-17 | (주)참빛 | 마스크를 적용하여 측면 반사면을 금속 코팅한 발광 다이오드 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
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| JP2013038190A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Dainippon Printing Co Ltd | リフレクタ付基板の製造方法 |
| JP2013110179A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2014063777A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-10 | Chang Wah Electromaterials Inc | 発光ダイオードパッケージの製造方法及びその構造 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200704309A (en) | 2007-01-16 |
| TWI353807B (en) | 2011-12-01 |
| JP3963923B2 (ja) | 2007-08-22 |
| KR20070004402A (ko) | 2007-01-09 |
| KR101155693B1 (ko) | 2012-06-12 |
| CN1892979A (zh) | 2007-01-10 |
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