JP2022120854A - 半導体装置用基板および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置用基板を図1ないし図3に基づいて説明する。前記各図に示すように、本実施形態に係る半導体装置用基板1は、導電性を有する材質からなる母型基板10と、この母型基板10上に複数組形成され、本半導体装置用基板1を用いて製造される半導体装置70の半導体素子搭載部11a又は電極部11bとなる金属部11とを備える構成であり、金属部11表面にはメッキにより表面金属層13が形成されている。
10 母型基板
11 金属部
11a 半導体素子搭載部
11b 電極部
11c 張出部
11d 薄膜
12 第一レジスト層
13 表面金属層
14 半導体素子
15 ワイヤ
16 第二レジスト層
18 レジスト層
19 封止材
20 段差部
70 半導体装置
Claims (8)
- 母型基板(10)上に半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)を備える半導体装置用基板であって、
前記金属部(11)には形状が異なる張出部が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。 - 前記金属部(11)には形状が異なる2つの張出部(11c・11c’)が形成されており、
前記張出部(11c)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面と、該上面と下面との間の面である側面とを有し、
前記張出部(11c’)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。 - 前記各張出部(11c・11c’)の上面は、前記金属部(11)の上面から連続形成された曲面であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置用基板。
- 前記張出部(11c)の高さ寸法は、前記張出部(11c)の幅寸法と同じ、あるいは前記張出部(11c)の幅寸法よりも大きく、
前記張出部(11c’)の高さ寸法は、前記張出部(11c)の幅寸法と同じであることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置用基板。 - 半導体素子(14)と、半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)とを備え、前記半導体素子(14)と前記金属部(11)とが電気的に接続され、封止材(19)によって封止された半導体装置であって、
前記金属部(11)には形状が異なる張出部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属部(11)には形状が異なる2つの張出部(11c・11c’)が形成されており、
前記張出部(11c)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面と、該上面と下面との間の面である側面とを有し、
前記張出部(11c’)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面とを有することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記各張出部(11c・11c’)の上面は、前記金属部(11)の上面から連続形成された曲面であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記張出部(11c)の高さ寸法は、前記張出部(11c)の幅寸法と同じ、あるいは前記張出部(11c)の幅寸法よりも大きく、
前記張出部(11c’)の高さ寸法は、前記張出部(11c)の幅寸法と同じであることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置。
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