JP6681165B2 - 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置用基板を図1ないし図3に基づいて説明する。前記各図に示すように、本実施形態に係る半導体装置用基板1は、導電性を有する材質からなる母型基板10と、この母型基板10上に複数組形成され、本半導体装置用基板1を用いて製造される半導体装置70の半導体素子搭載部11a又は電極部11bとなる金属部11とを備える構成であり、金属部11表面にはメッキにより表面金属層13が形成されている。
10 母型基板
11 金属部
11a 半導体素子搭載部
11b 電極部
11c 張出部
11d 薄膜
12 第一レジスト層
13 表面金属層
14 半導体素子
15 ワイヤ
16 第二レジスト層
18 レジスト層
19 封止材
20 段差部
70 半導体装置
Claims (7)
- 母型基板(10)上に半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)を備える半導体装置用基板であって、
前記金属部(11)には張出部(11c)が形成されており、
前記張出部(11c)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面と、該下面と上面の間に形成される側面とを有し、
前記張出部(11c)の上面は、前記金属部(11)の上面から前記張出部(11c)の側面に連続形成された曲面であり、
前記張出部(11c)の側面は、前記金属部(11)の軸方向と平行であることを特徴とする半導体装置用基板。 - 前記張出部(11c)の高さ寸法は、前記張出部(11c)の幅寸法と同じ、あるいはそれよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。
- 前記金属部(11)の上面及び前記張出部(11c)の上面に表面金属層(13)が形成されており、前記表面金属層(13)の厚み分が前記張出部(11c)の側面として現れることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置用基板。
- 前記金属部(11)には前記張出部(11c)及び張出部(11c’)が形成されており、
前記張出部(11c’)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面とを有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置用基板。 - 母型基板(10)上に半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)を備え、前記金属部(11)には張出部(11c)が形成されており、前記張出部(11c)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面と、該下面と上面の間に形成される側面とを有し、前記張出部(11c)の上面は、前記金属部(11)の上面から前記張出部(11c)の側面に連続形成された曲面であり、前記張出部(11c)の側面は、前記金属部(11)の軸方向と平行である半導体装置用基板の製造方法であって、
前記母型基板(10)上に、前記金属部(11)を形成するための所定パターンから成る第一レジスト層(12)を形成する工程と、
前記第一レジスト層(12)上に、所定パターンから成る第二レジスト層(16)を形成する工程と、
前記母型基板(10)の前記第一レジスト層(12)で覆われていない露出領域に対し、前記金属部(11)を形成する工程とを含み、
第二レジスト層(16)を形成する工程において、前記第二レジスト層(16)の所定パターンの開口内面は、前記母型基板(10)の面方向と直交する方向に平行となるように形成され、
前記金属部(11)を形成する工程において、前記金属部(11)は前記第一レジスト層(12)の厚さを越える一方、前記第二レジスト層(16)の厚さを越えない所定厚さであって、前記第二レジスト層(16)の側面に接する部位を伴いつつ形成されることで、前記金属部(11)に前記張出部(11c)が形成されることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 - 前記第二レジスト層(16)を形成する工程において、第一レジスト層(12)上に第二レジスト層(16)を形成しない領域が存在することで、前記金属部(11)を形成する工程時に、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面とを有する張出部(11c’)が形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 半導体素子(14)と、半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)とを備え、前記金属部(11)には張出部(11c)が形成されており、前記金属部(11)への半導体素子(14)の搭載及び電気的接続がなされ、封止材(19)によって封止された半導体装置であって、
前記張出部(11c)は、前記金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、前記金属部(11)の上面に連続して形成される上面と、該下面と上面の間に形成される側面とを有し、
前記張出部(11c)の上面は、前記金属部(11)の上面から前記張出部(11c)の側面に連続形成された曲面であり、
前記張出部(11c)の側面は、前記金属部(11)の軸方向と平行であることを特徴とする半導体装置。
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