JP3626075B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特に、小型・薄型化を図れ、低価格化を可能とする樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置、特に、リードレス表面実装方式の樹脂封止された半導体装置については、図10に示すごとく、通常ガラスエポキシやセラミック等のプリント基板51の一面に搭載された半導体素子52と上記プリント基板51の当該一面に形成された複数の接続用電極53とを導電性のワイヤ54にて電気的に接続するとともに、プリント基板51裏面に上記各接続用電極53と対向して形成される電極層55と上記各接続用電極53とを各々スルーホール56に配した導電体57を通して電気的に接続する形態を呈しており、半導体素子52周りをエポキシ樹脂58等により樹脂封止して構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この種従来の半導体装置にあっては、その製造工程において、プリント基板51一面側の接続用電極53と裏面側の電極層55とをプリント基板51上で正確に位置合わせした状態で形成する必要がある。また各位置合わせして形成した電極53と電極層55とがスルーホール56により位置ズレなく、確実に導通されている必要もあり、製造時の精度が要求されるものである。これら精度の要求は、プリント基板51へのスルーホール56形成や導電体57の印刷のための製造工数のアップと合わせて、製造コスト低減のためのネックとなるとともに、製造時にプリント基板51上に多数隣接させて配置する半導体素子間にスルーホール形成のための領域が必要となり、一枚のプリント基板上に配設して形成できる半導体装置の個数も制限されてしまうものである。
【0004】
しかも比較的厚みのあるプリント基板51上に半導体素子を搭載した上で樹脂封止するような製法であるため、プリント基板51自体の存在が半導体装置の小型化,薄型化の支障となるとともに半導体素子52の動作時に発生した熱が基板自体に蓄積され易く、放熱性に劣るという欠点もあった。
【0005】
本発明の目的は、かかる従来の問題点を解決するために提案されたものであり、高精度であって、かつ小型で特に薄型の半導体装置を、量産性に優れかつ安価に生産できる製造方法を提供するにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するための半導体装置の製造方法であって、少なくとも一面に導電性を有する基板の該一面側に、所定のパターンニングを施したレジストパターン層を形成する工程と、上記基板のレジストパターン層を除く露出面に導電性金属を電着することで、基板上に半導体素子搭載用の金属層と1以上の電極層とをそれぞれ独立して並設形成する工程と、基板より上記レジストパターン層を除去する工程と、上記金属層上に半導体素子を搭載した後、半導体素子上の電極と上記電極層とを電気的に接続する工程と、上記基板上において半導体素子搭載部分を樹脂層で封止する工程と、上記基板を除去して、金属層と電極層の各裏面が露出した樹脂封止体を得る工程とからなることを特徴とし、特に、基板上に導電性金属を電着する工程において、導電性金属をレジストパターン層の厚みを越えて電着させることで、金属層および電極層の上端部周縁に張り出し部を形成するようにした半導体装置の製造方法である。
【0007】
また、請求項2に示す本発明は、張り出し部の張出し長さを、5〜20μmの範囲とした請求項1に記載の半導体装置の製造方法である。
【0008】
【作用】
本発明では、基板上に半導体素子搭載用の金属層と電極層とを各々電鋳により同時形成するとともに、基板表面の金属層上に半導体素子搭載の後素子上の電極と基板上の電極層とを電気的に接続し、素子搭載部分を樹脂封止した後基板のみを除去する工程とから半導体装置を製造するので、電着で構成される核部分の積層が極めて良好で微細な配置にも対応でき、かつ半導体装置を構成する部品としてガラスエポキシやセラミック等の高価なプリント基板を使用する必要がなく、材料費を低減できるとともに、樹脂封止される半導体素子搭載用の構成部品としてのこの種プリント基板を必要としないため、半導体装置自体の小型化、特に薄型化を著しく推進できるものである。また、電鋳工程により金属層と電極層とを形成するための母型となる基板を、後工程である樹脂封止工程まで残存させ、その後除去するものとしている為、後工程中の金属層と電極層各々の主面を保護する役割も果たすものである。
【0009】
特に、基板上に導電性金属を電着する電鋳工程において、導電性金属をレジストパターン層の厚みを越えて、いわゆるオーバーハングさせて電着させることで、金属層および電極層の上端部周縁に張り出し部を形成するようにしているので、レジストパターン層を除去した後の樹脂封止工程において、樹脂層に対し各張り出し部がくい込み状に位置するため、この喰い付き効果により剥離作業等により基板を樹脂封止体側から引き剥し除去をする際、金属層および電極層が基板側にくっついて引き離されることなく、確実に樹脂封止体側に残り、ズレや欠け等が効果的に防止でき、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、金属層および電極層の上端部周縁全周にわたって形成される特有の張り出し形状により、半導体装置裏面側からの金属層,電極層各層と樹脂層との境界部分を通して侵入する水分等の上方への侵入を阻止し、耐水性にも優れたものとすることができる。
この際張出し部の張り出し長さは、5〜20μmの範囲となるように電着時オーバーハングさせることで、張り出し部と樹脂層との確実な食い付き効果による基板除去作業の確実性を向上させるとともに、樹脂封止前のレジストパターン層の除去工程時に、レジストパターンと共に金属層,電極層各層が基板から浮き上がったり、剥がれることも生じない。
【0010】
【発明の実施の形態】
(第1実施例)
図1乃至図3に本発明に係る半導体装置を製造する場合の第1実施例を示す。図1は、本発明に係るリードレス表面実装型の半導体装置を示しており、同図(a)は断面図、同図(b)は底面図である。同図において、Sは半導体素子であって、金属層2a上に接着されて搭載されている。Lは半導体素子S上に形成された電極であり、上記金属層2aと独立して並設された対応する電極層2bと金等の導電性のワイヤ3により結線され、電気的に接続されている。上記半導体素子Sの搭載部分は熱硬化性エポキシ樹脂等の樹脂層4にて封止されており、上記金属層2aと電極層2bの各裏面が露出した樹脂封止体が構成されている。
【0011】
図2及び図3は上記半導体装置の製造方法を工程ごとに示しており、図2(a)はステンレスやアルミ、銅等の導電性の金属板、例えば本実施例の場合SUS430により形成された0.1mm厚の基板1の両面に約50μm厚のアルカリタイプの感光性フィルムレジストをラミネートする等して、感光性レジスト層5,5を密着させる工程であり、次いで図2(b)のごとく基板1の一面側の感光性レジスト層5上に所定パターンのフィルムFを配した状態で紫外線照射による両面露光を行った後現像処理を行い図2(c)に示すような、基板1の一面側に所定のパターンニングを施したレジストパターン層6とその裏面に硬化したレジスト層5を得る。
【0012】
次いで、基板1の一面側のレジストパターン層6で覆れていない露出面に対し、必要に応じて化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理を行った後、基板1に電鋳を行い、図2(d)に示すごとく基板1のレジストパターン層6により規定された露出面より導電性金属の電着物を成長させ、半導体搭載用の金属層2aと1の金属層2aに対して1以上の独立した電極層2bを各々対として、複数組を並列形成する。なお、電着物としてはニッケルやニッケル−コバルト合金銅その他種々の金属が考えられるが、本実施例においては、スルファミン酸ニッケルの無光沢浴を使用し、レジストパターン層6の厚さ範囲内の、40〜50μmの厚さで電着させた。上記表面活性化処理の工程については、必須の工程ではない。
【0013】
次いで、必要に応じて各金属層2aおよび電極層2bの表面に結着力向上用の金メッキ等を0.3〜0.4μm厚で行い、基板1の両面よりレジストパターン層6及びレジスト層5を除去することで、図2(e)の状態となる。なお、レジストの除去法としてはアルカリ溶液による膨潤除去の方法等が考えられる。
【0014】
次いで図3(a)に示すごとく、半導体素子Sを公知の手法により金属層2a上に接着して搭載するとともに、上記半導体素子S上の電極Lにこれと対応する電極層2bとを、図3(b)のごとく、金線等の導電性のワイヤ3を用いて超音波ボンディング装置等により結線する。ここで、ワイヤ3を結線するにあたり、各電極層2bにはボンディング装置からの引き離し力が作用し、基板1から浮き上がろうとするが、上記のごとく、電鋳工程に先立って、基板1の露出面に対し表面活性化処理を行うことにより、基板1と電着層との密着力を予め向上させているため、結線時における電極層2bの脱落や浮き上がりを効果的に予防でき、製造工程時の不良品形成率を低減できる。
【0015】
次いで基板1上の半導体素子S搭載部分を、図3(c)のごとく熱硬化性エポキシ樹脂等の樹脂層4でモールドし、基板1上に樹脂封止体を形成する。具体的には基板1一面側をモールド金型(上型)に装着するともに、モールド金型内にエポキシ樹脂をキャビティにより圧入するもので、基板1上に並列して形成した、複数組の半導体素子搭載部が樹脂層4により連続して封止された形態となる。この場合基板1自体が樹脂モールド時における下型の機能を果たす。
なお、モールド時に複数の基板1を並列に配置して、エポキシ樹脂をライナを通して各基板1と上金型との間に圧入するようにすれば、効率良く多数の樹脂封止を行うことが可能である。
【0016】
次いで、図3(d)のごとく、樹脂封止体から基板1を除去することにより、樹脂封止体の底面には複数組の金属層2aと電極層2bの各裏面が露出するとともに、金属層2a,電極層2bの各裏面と樹脂層4の底面は略同一平面となっている。上記基板1を除去する方法としては、樹脂封止体から基板1を引き剥がす等強制的に剥離除去する方法の他、例えば基板1等を構成する材質に応じては、樹脂封止体側への影響のない溶剤等により基板1を溶解して除去する方法も含まれるものである。なお、本工程後必要に応じて、各電極層2bあるいは電極層2bと金属層2aの裏面のみに実装用に金,銀等の導電性金層の薄膜をフラッシュメッキ等の周知の方法により、0.3〜0.5μm厚で形成するようにしても良い。
【0017】
次いで、図3(e)のごとく樹脂封止体を切断線X−Xに沿って1つの半導体素子の対毎に切断して切り離すダイシングの工程を経て、個々の樹脂封止体すなわち半導体装置が完成するものである。
【0018】
(第2実施例)
次に、基板1上に導電性金属を電着する工程において、導電性金属をレジストパターン層6の厚みを越えて電着させることで、金属層2aおよび電極層2bの上端部周縁に張り出し部11,11を形成するようにする点につき説明する。
【0019】
すなわち、本発明においては図2(d)の電鋳工程において、電着金属はレジストパターン層6の厚みの範囲内に押さえて電着形成しても良いが、本実施例のものは図4に示すごとく、電着金属(金属層2a,電極層2b)を電着範囲を規制するレジストパターン層6の厚みを越えて電着させるいわゆるオーバーハングさせることで、レジストパターン層6除去後図5に示すように金属層2aおよび電極層2bの周縁に断面庇形状の張り出し部11,11が一体に形成されるような形状となるごとくしたものである。特にこの張り出し部11,11の張り出し長さTは5〜20μmの範囲とすることが好ましい。
【0020】
上記のごとく金属層2aおよび電極層2bの周縁に張り出し部11,11を形成しておけば、後工程の樹脂層4による樹脂封止状態において、図6のごとく樹脂層4は各張り出し部11,11がくい込み状に位置した状態で硬化しているため、この喰い付き効果により、樹脂封止体からの基板1の剥離作業時に基板1を引き剥がし除去する際、金属層2aおよび電極層2bは樹脂層4側に確実に残留し、基板1とともにくっついて引き離されることはなく、ズレや欠落等が効果的に防止でき、製造工程時の歩留まりが向上する。
さらに、特有の庇形状を持つ張り出し部11の存在により、金属層2aおよび電極層2bの裏面側の樹脂層4との微細な隙間から侵入する水分等の上方部すなわち結線部分や半導体素子搭載部分への侵入を阻止する効果もあり、半導体素子Sやワイヤとの結線個所への耐水性をも向上し、完成した半導体装置自体の信頼性も向上させることができるものである。
【0021】
なお、各張り出し部11については、出願人において実験により検証した結果、長さTはレジストパターン層6の厚みを越えてオーバーハングさせる高さに略比例して成長するものであり、その長さTが5μm以下だとモールド時の樹脂層4に対する喰い付き効果が弱く、基板1の引き剥がしの際、基板1側に若干ではあるが金属層2aおよび電極層2bがくっついて引き離され、ズレや欠落を生じる現象が見受けられるため、これ以上の長さに設定することが好ましく、また20μmを越えると電着工程後のレジストパターン層6の除去の際、アルカリ溶剤によるレジストパターン層6の膨潤除去時に膨潤したレジストパターン層6が張り出し部11,11を介して電着金属(金属層2a,電極層2b)を基板1から浮き上がらせてしまう虞れがあるため、これらの点を考慮して5〜20μmの範囲内に設定することが好ましい。
【0022】
(第3実施例)
図7(a),(b)の実施例は、異なる対の隣接する電極層2b,2bを、その左右に配した金属層2a上の半導体素子Sに対して、連接して形成しておき、半導体素子Sを搭載してワイヤ結線し、樹脂層4による封止の後、最終の切断線X−X(X1−X1,X2−X2)に沿ってダイシングする工程において、電極層2b,2bを連接する中央部分で切断して個々の半導体装置側に切り離すようにしたもので、この場合基板1上への電極層2b,2bの配置を接近させて効率的に行なえ、1つの基板1からの取り数を増やすことが可能で、量産化,コスト低減に適するものとなる。
【0023】
(第4実施例)
図8(a),(b)の実施例のごとく、電着形成した金属層2a,電極層2b裏面のいずれか一方もしくは両方を樹脂封止した際、樹脂層4の裏面よりも若干突出させるように構成することも可能である(実施例は金属層2a,電極層2b両方の底面を突出させたものを示す)。この場合の製造方法としては、図9aに示すように、基板1一面側の金属層2a,電極層2bが形成される部分と対応する位置に、予め突出させる量に応じて、例えば5〜15μm程度の凹部21をエッチングやプレス等により形成しておく。後の工程は本願通常の工程と同一であるが、この場合もレジストパターン層6の高さを越えて、オーバーハングさせて電着を施し、張り出し部11を設けておくことが好ましい。レジストパターン層6の除去後、図9(b)のように半導体素子S搭載,結線,樹脂層4封止の各工程の後、基板1を除去することで、凹部21の凹入量がそのまま樹脂層4裏面に対する金属層2a,電極層2b裏面の突出量として反映され、樹脂層4の裏面よりも突出して形成される。最後に切断線X−Xに沿ってダイシングし、個々の樹脂封止体が完成する。もちろんこの後各金属層2aや電極層2b等の裏面に金,銀等をフラッシュメッキにより薄膜形成しても良い。
【0024】
(他の実施例)
上記第4実施例では、樹脂封止した際、金属層2a,電極層2b裏面のいずれか一方もしくは両方を、樹脂層4の裏面よりも若干突出させるように構成したものであるが、逆にこれら電着層裏面を樹脂層4の裏面よりも若干凹入させるごとく構成することも可能である。この場合は、基板1一面側の金属層2a,電極層2bと対応する位置のみを突出させるごとく、エッチング,プレス等により予め基板1を形成しておけば良く、後の工程は本願通常工程と同一で良い。
【0025】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、従来半導体装置を構成する部品として要していた、プリント基板を使用する必要がなく、材料費や各種加工費を低減できるとともに、半導体装置自体の小型化、特に薄型化を図ることができるものである。また半導体素子を搭載する部分や外部導出用の電極部分が電鋳により構成されるため、精度が極めて良好で、微細な配置にも対応でき、半導体の高密度化に伴う他ピン化にも対応することができるものである。さらに、半導体素子Sを搭載する金属層が樹脂層裏面から露出する形態であるため放熱性にも優れる。
【0026】
特に、本発明の最も特徴とする、基板上に導電性金属を電着する電鋳工程において、導電性金属をレジストパターン層の厚みを越えて、オーバーハングさせて電着するように構成すれば、金属層2aや電極層2bの上端部周縁に意図的に庇状の張り出し部11を形成することが可能で、この場合、レジストパターン層6を除去した後の樹脂封止工程において、樹脂層に対し各張り出し部11がくい込み状に位置するため、この喰い付き効果により、金属層2a,電極層2bと樹脂層4との結着力が向上し、製品化後の品質向上はもちろんのこと、後工程で基板を引き離す際、金属層2aや電極層2b等の重要部品が、基板側にくっついて引き離されることなく、確実に樹脂封止体側に残り、ズレや欠落等が効果的に防止できるもので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、庇状の張り出し部11の特有の形状により、水分等の浸入を阻止するとともに、沿面距離も稼ぐ効果もあり、結線部分や半導体素子側への耐水性耐湿性の向上も図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図,(b)はその裏面図である。
【図2】(a)乃至(e)は、本発明の第1実施例に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図3】(a)乃至(e)は、図2(e)に続く半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図4】本発明の第2実施例に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図(一部拡大図)である。
【図5】本発明の第2実施例に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図(一部拡大図)である。
【図6】本発明の第2実施例に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図7】(a)は、本発明の第3実施例に示す半導体装置の製造方法を説明する透視上面図、(b)はその断面図である。
【図8】(a)は、本発明の第4実施例に示す半導体装置の断面図、(b)はその裏面斜視図である。
【図9】(a),(b)は本発明の第4実施例に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図10】従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2a 金属層
2b 電極層
4 樹脂層
6 レジストパターン層
S 半導体素子
Claims (2)
- 少なくとも一面に導電性を有する基板1の該一面側に、所定のパターンニングを施したレジストパターン層6を形成する工程と、
上記基板1のレジストパターン層6を除く露出面に導電性金属を電着することで、基板1上に半導体素子搭載用の金属層2aと1以上の電極層2bとをそれぞれ独立して並設形成する工程と、
基板1より上記レジストパターン層6を除去する工程と、
上記金属層2a上に半導体素子Sを搭載した後、半導体素子上の電極と上記電極層2bとを電気的に接続する工程と、
上記基板1上において半導体素子S搭載部分を樹脂層4で封止する工程と、
上記基板1を除去して、金属層2aと電極層2bの各裏面が露出した樹脂封止体を得る工程
とを有する半導体装置の製造方法であって、
上記基板1上に導電性金属を電着する工程において、導電性金属をレジストパターン層6の厚みを越えて電着させることで、金属層2aおよび電極層2bの上端部周縁に張り出し部を形成するようにした半導体装置の製造方法。 - 張り出し部11の張出し長さを、5〜20μmの範囲とした請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
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