JP2003174121A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードレス表面実装方式の半導体装置におい
て、高精度，小型，薄型タイプでありながら、信頼性に
も優れた構成を提供することを目的とする。 【構成】半導体素子Ｓが搭載される金属層２ａと、該金
属層２ａの周りに所定の間隔をおいて配置される１以上
の電極層２ｂと、上記金属層２ａ上に搭載した半導体素
子Ｓと電極層２ｂとを、ワイヤーボンディング等の方法
で電気的に接続した状態で樹脂封止して、金属層２ａと
電極層２ｂの各裏面を樹脂層４の底面から露出して形成
した半導体装置において、樹脂封止される上記金属層２
ａ及び電極層２ｂ各々の上端部周縁を、庇状に張り出し
形成した構成を採用することで、樹脂層４への喰い込み
効果により、密着強度の向上を図ったものである。
て、高精度，小型，薄型タイプでありながら、信頼性に
も優れた構成を提供することを目的とする。 【構成】半導体素子Ｓが搭載される金属層２ａと、該金
属層２ａの周りに所定の間隔をおいて配置される１以上
の電極層２ｂと、上記金属層２ａ上に搭載した半導体素
子Ｓと電極層２ｂとを、ワイヤーボンディング等の方法
で電気的に接続した状態で樹脂封止して、金属層２ａと
電極層２ｂの各裏面を樹脂層４の底面から露出して形成
した半導体装置において、樹脂封止される上記金属層２
ａ及び電極層２ｂ各々の上端部周縁を、庇状に張り出し
形成した構成を採用することで、樹脂層４への喰い込み
効果により、密着強度の向上を図ったものである。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
小型・薄型化を図れ、かつ信頼性の高い樹脂封止型の半
導体装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】この種半導体装置としては、例えばリー
ドフレームのようなパターン金属を用いて、リードフレ
ーム上に搭載した半導体素子とリードフレームに形成し
た外部端子とを電気的に接続した上で、樹脂封止して外
部端子を露出させる形態の小型の半導体装置がある。 【０００３】このような半導体装置は、小型あるいは薄
型化を図るために、樹脂封止を半導体素子が搭載された
リードフレームの片面側のみに施し、樹脂封止底面側か
らリードフレームの外部端子を露出させるようにしてい
る構造が採用されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
半導体装置では、外部端子となるリードフレームと封止
樹脂との間の密着強度が低いため、樹脂剥がれが生じた
り、リードフレームの外部端子が抜け出る不良が散見さ
れ、装置に対する信頼性が著しく損なわれるものであ
る。 【０００５】本発明の目的は、かかる従来の問題点を解
決するために提案されたものであって、小型かつ薄型の
半導体装置を製造するにあたり、装置を構成する部品を
封止樹脂内で強固に結着し、極めて信頼性に優れた半導
体装置の構造を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためのものであって、半導体素子Ｓが搭載される
金属層２ａと、該金属層２ａの周りに所定の間隔をおい
て配置される１以上の電極層２ｂと、上記金属層２ａ上
に搭載した半導体素子Ｓと電極層２ｂとを、ワイヤーボ
ンディング等の方法で電気的に接続した状態で樹脂封止
して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面を樹脂層４の底
面から露出して形成した半導体装置において、樹脂封止
される上記金属層２ａ及び電極層２ｂ各々の上端部周縁
を、庇状に張り出し形成して構成したことを特徴とす
る。 【０００７】 【発明の実施の形態】本発明の１実施例について、図面
を参照し説明する。図１は、本発明に係るリードレス表
面実装型の半導体装置を示しており、同図（ａ）は断面
図、同図（ｂ）は底面図である。同図において、Ｓは半
導体素子であって、金属層２ａ上に接着されて搭載され
ている。Ｌは半導体素子Ｓ上に形成された電極であり、
上記金属層２ａと独立して並設された対応する電極層２
ｂと金等の導電性のワイヤ３により結線され、電気的に
接続されている。上記半導体素子Ｓの搭載部分は熱硬化
性エポキシ樹脂等の樹脂層４にて封止されており、上記
金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が露出した樹脂封止体
が構成されている。また、金属層２ａ及び電極層２ｂの
各々の上端部周縁には、断面庇形状に張り出した張り出
し部１１，１１を一体に形成している。この張り出し部
１１，１１の存在により、樹脂層４との間の結着強度が
向上することとなる。 【０００８】次に、上記実施例に係る半導体装置の製造
方法について詳述すると、図２及び図３は上記半導体装
置の製造方法を工程ごとに示しており、図２（ａ）はス
テンレスやアルミ、銅等の導電性の金属板、例えば本実
施例の場合ＳＵＳ４３０により形成された０．１ｍｍ厚
の基板１の両面に約５０μｍ厚のアルカリタイプの感光
性フィルムレジストをラミネートする等して、感光性レ
ジスト層５，５を密着させる工程であり、次いで図２
（ｂ）のごとく基板１の一面側の感光性レジスト層５上
に所定パターンのフィルムＦを配した状態で紫外線照射
による両面露光を行った後現像処理を行い図２（ｃ）に
示すような、基板１の一面側に所定のパターンニングを
施したレジストパターン層６とその裏面に硬化したレジ
スト層５を得る。 【０００９】次いで、基板１の一面側のレジストパター
ン層６で覆れていない露出面に対し、必要に応じて化学
エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の
化学処理等の表面活性化処理を行った後、基板１に電鋳
を行い、図２（ｄ）に示すごとく基板１のレジストパタ
ーン層６により規定された露出面より導電性金属の電着
物を成長させ、半導体搭載用の金属層２ａと１の金属層
２ａに対して１以上の独立した電極層２ｂを各々対とし
て、複数組を並列形成する。なお、電着物としてはニッ
ケルやニッケル−コバルト合金、銅その他種々の金属が
考えられるが、本実施例においては、スルファミン酸ニ
ッケルの無光沢浴を使用し、本図のＡ−Ａ部分の拡大図
である図４に示すごとく、レジストパターン層６の厚み
を超えて電着させるいわゆるオーバーハングさせること
で、後述するようにレジストパターン層６除去後に、図
２（ｅ）及び同図のＢ−Ｂ部分の拡大図である図５に示
すように、金属層２ａ及び電極層２ｂの上端部周縁に断
面庇形状の張り出し部１１，１１が一体に形成されるよ
うにしている。ここで、上記表面活性化処理の工程につ
いては、必須の工程ではない。 【００１０】図２（ｄ）による電鋳工程の後、必要に応
じて各金属層２ａおよび電極層２ｂの表面に結着力向上
用の金メッキ等を０．３〜０．４μｍ厚で行い、基板１
の両面よりレジストパターン層６及びレジスト層５を除
去することで、図２（ｅ）の状態となる。なお、レジス
トの除去法としてはアルカリ溶液による膨潤除去の方法
等が考えられる。 【００１１】次いで図３（ａ）に示すごとく、半導体素
子Ｓを公知の手法により金属層２ａ上に接着して搭載す
るとともに、上記半導体素子Ｓ上の電極Ｌにこれと対応
する電極層２ｂとを、図３（ｂ）のごとく、金線等の導
電性のワイヤ３を用いて超音波ボンディング装置等によ
り結線する。ここで、ワイヤ３を結線するにあたり、各
電極層２ｂにはボンディング装置からの引き離し力が作
用し、基板１から浮き上がろうとするが、上記のごと
く、電鋳工程に先立って、基板１の露出面に対し表面活
性化処理を行うことにより、基板１と電着層との密着力
を予め向上させているため、結線時における電極層２ｂ
の脱落や浮き上がりを効果的に予防でき、製造工程時の
不良品形成率を低減できる。 【００１２】次いで基板１上の半導体素子Ｓ搭載部分
を、図３（ｃ）のごとく熱硬化性エポキシ樹脂等の樹脂
層４でモールドし、基板１上に樹脂封止体を形成する。
具体的には基板１一面側をモールド金型（上型）に装着
するともに、モールド金型内にエポキシ樹脂をキャビテ
ィにより圧入するもので、基板１上に並列して形成し
た、複数組の半導体素子搭載部が樹脂層４により連続し
て封止された形態となる。この場合基板１自体が樹脂モ
ールド時における下型の機能を果たす。なお、モールド
時に複数の基板１を並列に配置して、エポキシ樹脂をラ
イナを通して各基板１と上金型との間に圧入するように
すれば、効率良く多数の樹脂封止を行うことが可能であ
る。 【００１３】次いで、図３（ｄ）のごとく、樹脂封止体
から基板１を除去することにより、樹脂封止体の底面に
は複数組の金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が露出する
とともに、金属層２ａ，電極層２ｂの各裏面と樹脂層４
の底面は略同一平面となっている。ここで、上記のごと
く金属層２ａおよび電極層２ｂの周縁に張り出し部１
１，１１を形成しておけば、後工程の樹脂層４による樹
脂封止状態において、図１のごとく樹脂層４は各張り出
し部１１，１１がくい込み状に位置した状態で硬化して
いるため、この喰い付き効果により、樹脂封止体からの
基板１の剥離作業時に基板１を引き剥がし除去する際、
金属層２ａおよび電極層２ｂは樹脂層４側に確実に残留
し、基板１とともにくっついて引き離されることはな
く、ズレや欠落等が効果的に防止でき、製造工程時の歩
留まりが向上する。上記基板１を除去する方法として
は、樹脂封止体から基板１を引き剥がす等強制的に剥離
除去する方法の他、例えば基板１等を構成する材質に応
じては、樹脂封止体側への影響のない溶剤等により基板
１を溶解して除去する方法も含まれるものである。な
お、本工程後必要に応じて、各電極層２ｂあるいは電極
層２ｂと金属層２ａの裏面のみに実装用に金，銀等の導
電性金層の薄膜をフラッシュメッキ等の周知の方法によ
り、０．３〜０．５μｍ厚で形成するようにしても良
い。 【００１４】次いで、図３（ｅ）のごとく樹脂封止体を
切断線Ｘ−Ｘに沿って１つの半導体素子の対毎に切断し
て切り離すダイシングの工程を経て、個々の樹脂封止体
すなわち図１に示す半導体装置が完成するものである。 【００１５】以上のような構成を持つ半導体装置によれ
ば、特に、特有の庇形状を持つ張り出し部１１の存在に
より、金属層２ａおよび電極層２ｂの裏面側の樹脂層４
との微細な隙間から侵入する水分等が庇状の張り出し部
１１により阻止され、上方部すなわち結線部分や半導体
素子搭載部分への侵入を阻止する効果もあり、半導体素
子Ｓやワイヤとの結線個所への耐水性も向上する。さら
に、完成した半導体装置自体の信頼性についても、金属
層２ａ並びに電極層２ｂの各々の上端部周縁の張り出し
部１１，１１が樹脂層４に対してくい込み状に配された
状態にあり、金属層２ａ及び電極層２ｂと樹脂層４との
密着強度が格段に向上し、樹脂剥れやズレ等の不良が生
じることなく、品質を向上させることができるものであ
る。 【００１６】なお、各張り出し部１１については、出願
人において実験により検証した結果、長さＴはレジスト
パターン層６の厚みを越えてオーバーハングさせる高さ
に略比例して成長するものであり、その長さＴが５μｍ
以下だとモールド時の樹脂層４に対する喰い付き効果が
弱く、基板１の引き剥がしの際、基板１側に若干ではあ
るが金属層２ａおよび電極層２ｂがくっついて引き離さ
れ、ズレや欠落を生じる現象が見受けられるため、これ
以上の長さに設定することが好ましく、また２０μｍを
越えると電着工程後のレジストパターン層６の除去の
際、アルカリ溶剤によるレジストパターン層６の膨潤除
去時に膨潤したレジストパターン層６が張り出し部１
１，１１を介して電着金属（金属層２ａ，電極層２ｂ）
を基板１から浮き上がらせてしまう虞れがあるため、こ
れらの点を考慮して５〜２０μｍの範囲内に設定するこ
とが好ましい。 【００１７】（他の実施例）なお、樹脂封止した際、金
属層２ａ及び電極層２ｂ裏面のいずれか一方もしくは両
方を、樹脂層４の裏面よりも若干突出させるように構成
することも可能である。また、金属層２ａや電極層２ｂ
等の裏面には、フラッシュメッキ等の方法により、金や
銀等を薄膜形成しても良い。さらには、金属層２ａ及び
電極層２ｂ裏面について、樹脂層４の裏面よりも若干凹
入させるごとく構成することも可能である。 【００１８】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子Ｓが搭載される金属層２ａと、上記半導体素
子Ｓと電気的に接続される電極層２ｂの各々の裏面を封
止樹脂である樹脂層４の底面から露出させた形態とし
て、半導体装置の小型・薄型化を図り、また放熱特性に
も優れたものでありながら、さらには、金属層２ａや電
極層２ｂの上端部周縁に意図的に庇状の張り出し部１１
を形成することによって樹脂封止工程において、樹脂層
４に対し各張り出し部１１がくい込み状に位置するた
め、この喰い付き効果により、金属層２ａ，電極層２ｂ
と樹脂層４との結着力が向上し、樹脂剥れやズレ等の不
良が確実に防止でき、製品化後の品質並びに信頼性の向
上が図れる。また、庇状の張り出し部１１の特有の形状
により、金属層２ａ及び電極層２ｂの表面側への水分等
の浸入を阻止するとともに、沿面距離も稼ぐ効果もあ
り、結線部分や半導体素子側への耐水性耐湿性の向上も
図ることができるものである。
小型・薄型化を図れ、かつ信頼性の高い樹脂封止型の半
導体装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】この種半導体装置としては、例えばリー
ドフレームのようなパターン金属を用いて、リードフレ
ーム上に搭載した半導体素子とリードフレームに形成し
た外部端子とを電気的に接続した上で、樹脂封止して外
部端子を露出させる形態の小型の半導体装置がある。 【０００３】このような半導体装置は、小型あるいは薄
型化を図るために、樹脂封止を半導体素子が搭載された
リードフレームの片面側のみに施し、樹脂封止底面側か
らリードフレームの外部端子を露出させるようにしてい
る構造が採用されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
半導体装置では、外部端子となるリードフレームと封止
樹脂との間の密着強度が低いため、樹脂剥がれが生じた
り、リードフレームの外部端子が抜け出る不良が散見さ
れ、装置に対する信頼性が著しく損なわれるものであ
る。 【０００５】本発明の目的は、かかる従来の問題点を解
決するために提案されたものであって、小型かつ薄型の
半導体装置を製造するにあたり、装置を構成する部品を
封止樹脂内で強固に結着し、極めて信頼性に優れた半導
体装置の構造を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためのものであって、半導体素子Ｓが搭載される
金属層２ａと、該金属層２ａの周りに所定の間隔をおい
て配置される１以上の電極層２ｂと、上記金属層２ａ上
に搭載した半導体素子Ｓと電極層２ｂとを、ワイヤーボ
ンディング等の方法で電気的に接続した状態で樹脂封止
して、金属層２ａと電極層２ｂの各裏面を樹脂層４の底
面から露出して形成した半導体装置において、樹脂封止
される上記金属層２ａ及び電極層２ｂ各々の上端部周縁
を、庇状に張り出し形成して構成したことを特徴とす
る。 【０００７】 【発明の実施の形態】本発明の１実施例について、図面
を参照し説明する。図１は、本発明に係るリードレス表
面実装型の半導体装置を示しており、同図（ａ）は断面
図、同図（ｂ）は底面図である。同図において、Ｓは半
導体素子であって、金属層２ａ上に接着されて搭載され
ている。Ｌは半導体素子Ｓ上に形成された電極であり、
上記金属層２ａと独立して並設された対応する電極層２
ｂと金等の導電性のワイヤ３により結線され、電気的に
接続されている。上記半導体素子Ｓの搭載部分は熱硬化
性エポキシ樹脂等の樹脂層４にて封止されており、上記
金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が露出した樹脂封止体
が構成されている。また、金属層２ａ及び電極層２ｂの
各々の上端部周縁には、断面庇形状に張り出した張り出
し部１１，１１を一体に形成している。この張り出し部
１１，１１の存在により、樹脂層４との間の結着強度が
向上することとなる。 【０００８】次に、上記実施例に係る半導体装置の製造
方法について詳述すると、図２及び図３は上記半導体装
置の製造方法を工程ごとに示しており、図２（ａ）はス
テンレスやアルミ、銅等の導電性の金属板、例えば本実
施例の場合ＳＵＳ４３０により形成された０．１ｍｍ厚
の基板１の両面に約５０μｍ厚のアルカリタイプの感光
性フィルムレジストをラミネートする等して、感光性レ
ジスト層５，５を密着させる工程であり、次いで図２
（ｂ）のごとく基板１の一面側の感光性レジスト層５上
に所定パターンのフィルムＦを配した状態で紫外線照射
による両面露光を行った後現像処理を行い図２（ｃ）に
示すような、基板１の一面側に所定のパターンニングを
施したレジストパターン層６とその裏面に硬化したレジ
スト層５を得る。 【０００９】次いで、基板１の一面側のレジストパター
ン層６で覆れていない露出面に対し、必要に応じて化学
エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の
化学処理等の表面活性化処理を行った後、基板１に電鋳
を行い、図２（ｄ）に示すごとく基板１のレジストパタ
ーン層６により規定された露出面より導電性金属の電着
物を成長させ、半導体搭載用の金属層２ａと１の金属層
２ａに対して１以上の独立した電極層２ｂを各々対とし
て、複数組を並列形成する。なお、電着物としてはニッ
ケルやニッケル−コバルト合金、銅その他種々の金属が
考えられるが、本実施例においては、スルファミン酸ニ
ッケルの無光沢浴を使用し、本図のＡ−Ａ部分の拡大図
である図４に示すごとく、レジストパターン層６の厚み
を超えて電着させるいわゆるオーバーハングさせること
で、後述するようにレジストパターン層６除去後に、図
２（ｅ）及び同図のＢ−Ｂ部分の拡大図である図５に示
すように、金属層２ａ及び電極層２ｂの上端部周縁に断
面庇形状の張り出し部１１，１１が一体に形成されるよ
うにしている。ここで、上記表面活性化処理の工程につ
いては、必須の工程ではない。 【００１０】図２（ｄ）による電鋳工程の後、必要に応
じて各金属層２ａおよび電極層２ｂの表面に結着力向上
用の金メッキ等を０．３〜０．４μｍ厚で行い、基板１
の両面よりレジストパターン層６及びレジスト層５を除
去することで、図２（ｅ）の状態となる。なお、レジス
トの除去法としてはアルカリ溶液による膨潤除去の方法
等が考えられる。 【００１１】次いで図３（ａ）に示すごとく、半導体素
子Ｓを公知の手法により金属層２ａ上に接着して搭載す
るとともに、上記半導体素子Ｓ上の電極Ｌにこれと対応
する電極層２ｂとを、図３（ｂ）のごとく、金線等の導
電性のワイヤ３を用いて超音波ボンディング装置等によ
り結線する。ここで、ワイヤ３を結線するにあたり、各
電極層２ｂにはボンディング装置からの引き離し力が作
用し、基板１から浮き上がろうとするが、上記のごと
く、電鋳工程に先立って、基板１の露出面に対し表面活
性化処理を行うことにより、基板１と電着層との密着力
を予め向上させているため、結線時における電極層２ｂ
の脱落や浮き上がりを効果的に予防でき、製造工程時の
不良品形成率を低減できる。 【００１２】次いで基板１上の半導体素子Ｓ搭載部分
を、図３（ｃ）のごとく熱硬化性エポキシ樹脂等の樹脂
層４でモールドし、基板１上に樹脂封止体を形成する。
具体的には基板１一面側をモールド金型（上型）に装着
するともに、モールド金型内にエポキシ樹脂をキャビテ
ィにより圧入するもので、基板１上に並列して形成し
た、複数組の半導体素子搭載部が樹脂層４により連続し
て封止された形態となる。この場合基板１自体が樹脂モ
ールド時における下型の機能を果たす。なお、モールド
時に複数の基板１を並列に配置して、エポキシ樹脂をラ
イナを通して各基板１と上金型との間に圧入するように
すれば、効率良く多数の樹脂封止を行うことが可能であ
る。 【００１３】次いで、図３（ｄ）のごとく、樹脂封止体
から基板１を除去することにより、樹脂封止体の底面に
は複数組の金属層２ａと電極層２ｂの各裏面が露出する
とともに、金属層２ａ，電極層２ｂの各裏面と樹脂層４
の底面は略同一平面となっている。ここで、上記のごと
く金属層２ａおよび電極層２ｂの周縁に張り出し部１
１，１１を形成しておけば、後工程の樹脂層４による樹
脂封止状態において、図１のごとく樹脂層４は各張り出
し部１１，１１がくい込み状に位置した状態で硬化して
いるため、この喰い付き効果により、樹脂封止体からの
基板１の剥離作業時に基板１を引き剥がし除去する際、
金属層２ａおよび電極層２ｂは樹脂層４側に確実に残留
し、基板１とともにくっついて引き離されることはな
く、ズレや欠落等が効果的に防止でき、製造工程時の歩
留まりが向上する。上記基板１を除去する方法として
は、樹脂封止体から基板１を引き剥がす等強制的に剥離
除去する方法の他、例えば基板１等を構成する材質に応
じては、樹脂封止体側への影響のない溶剤等により基板
１を溶解して除去する方法も含まれるものである。な
お、本工程後必要に応じて、各電極層２ｂあるいは電極
層２ｂと金属層２ａの裏面のみに実装用に金，銀等の導
電性金層の薄膜をフラッシュメッキ等の周知の方法によ
り、０．３〜０．５μｍ厚で形成するようにしても良
い。 【００１４】次いで、図３（ｅ）のごとく樹脂封止体を
切断線Ｘ−Ｘに沿って１つの半導体素子の対毎に切断し
て切り離すダイシングの工程を経て、個々の樹脂封止体
すなわち図１に示す半導体装置が完成するものである。 【００１５】以上のような構成を持つ半導体装置によれ
ば、特に、特有の庇形状を持つ張り出し部１１の存在に
より、金属層２ａおよび電極層２ｂの裏面側の樹脂層４
との微細な隙間から侵入する水分等が庇状の張り出し部
１１により阻止され、上方部すなわち結線部分や半導体
素子搭載部分への侵入を阻止する効果もあり、半導体素
子Ｓやワイヤとの結線個所への耐水性も向上する。さら
に、完成した半導体装置自体の信頼性についても、金属
層２ａ並びに電極層２ｂの各々の上端部周縁の張り出し
部１１，１１が樹脂層４に対してくい込み状に配された
状態にあり、金属層２ａ及び電極層２ｂと樹脂層４との
密着強度が格段に向上し、樹脂剥れやズレ等の不良が生
じることなく、品質を向上させることができるものであ
る。 【００１６】なお、各張り出し部１１については、出願
人において実験により検証した結果、長さＴはレジスト
パターン層６の厚みを越えてオーバーハングさせる高さ
に略比例して成長するものであり、その長さＴが５μｍ
以下だとモールド時の樹脂層４に対する喰い付き効果が
弱く、基板１の引き剥がしの際、基板１側に若干ではあ
るが金属層２ａおよび電極層２ｂがくっついて引き離さ
れ、ズレや欠落を生じる現象が見受けられるため、これ
以上の長さに設定することが好ましく、また２０μｍを
越えると電着工程後のレジストパターン層６の除去の
際、アルカリ溶剤によるレジストパターン層６の膨潤除
去時に膨潤したレジストパターン層６が張り出し部１
１，１１を介して電着金属（金属層２ａ，電極層２ｂ）
を基板１から浮き上がらせてしまう虞れがあるため、こ
れらの点を考慮して５〜２０μｍの範囲内に設定するこ
とが好ましい。 【００１７】（他の実施例）なお、樹脂封止した際、金
属層２ａ及び電極層２ｂ裏面のいずれか一方もしくは両
方を、樹脂層４の裏面よりも若干突出させるように構成
することも可能である。また、金属層２ａや電極層２ｂ
等の裏面には、フラッシュメッキ等の方法により、金や
銀等を薄膜形成しても良い。さらには、金属層２ａ及び
電極層２ｂ裏面について、樹脂層４の裏面よりも若干凹
入させるごとく構成することも可能である。 【００１８】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体素子Ｓが搭載される金属層２ａと、上記半導体素
子Ｓと電気的に接続される電極層２ｂの各々の裏面を封
止樹脂である樹脂層４の底面から露出させた形態とし
て、半導体装置の小型・薄型化を図り、また放熱特性に
も優れたものでありながら、さらには、金属層２ａや電
極層２ｂの上端部周縁に意図的に庇状の張り出し部１１
を形成することによって樹脂封止工程において、樹脂層
４に対し各張り出し部１１がくい込み状に位置するた
め、この喰い付き効果により、金属層２ａ，電極層２ｂ
と樹脂層４との結着力が向上し、樹脂剥れやズレ等の不
良が確実に防止でき、製品化後の品質並びに信頼性の向
上が図れる。また、庇状の張り出し部１１の特有の形状
により、金属層２ａ及び電極層２ｂの表面側への水分等
の浸入を阻止するとともに、沿面距離も稼ぐ効果もあ
り、結線部分や半導体素子側への耐水性耐湿性の向上も
図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示
す断面図，（ｂ）はその裏面図である。 【図２】（ａ）乃至（ｅ）は、本発明の第1実施例に示
す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 【図３】（ａ）乃至（ｅ）は、図２（ｅ）に続く半導体
装置の製造方法を説明する断面図である。 【図４】図２（ｄ）のＡ−Ａ部分を拡大した断面図（一
部拡大図）である。 【図５】図２（ｅ）のＢ−Ｂ部分を拡大した断面図（一
部拡大図）である。 【符号の説明】 １ 基板 ２ａ 金属層 ２ｂ 電極層 ４ 樹脂層 ６ レジストパターン層 Ｓ 半導体素子
す断面図，（ｂ）はその裏面図である。 【図２】（ａ）乃至（ｅ）は、本発明の第1実施例に示
す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 【図３】（ａ）乃至（ｅ）は、図２（ｅ）に続く半導体
装置の製造方法を説明する断面図である。 【図４】図２（ｄ）のＡ−Ａ部分を拡大した断面図（一
部拡大図）である。 【図５】図２（ｅ）のＢ−Ｂ部分を拡大した断面図（一
部拡大図）である。 【符号の説明】 １ 基板 ２ａ 金属層 ２ｂ 電極層 ４ 樹脂層 ６ レジストパターン層 Ｓ 半導体素子
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フロントページの続き
(72)発明者 沼田 典之
福岡県田川郡方城町大字伊方4680番地 九
州日立マクセル株式会社内
(72)発明者 木村 浩
東京都江東区越中島１丁目２−７ トレッ
クス・セミコンダクター株式会社東京支店
内
Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA05 AB04 CC03
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体素子Ｓが搭載される金属層２ａ
と、該金属層２ａの周りに所定の間隔をおいて配置され
る１以上の電極層２ｂと、上記金属層２ａ上に搭載した
半導体素子Ｓと電極層２ｂとを、ワイヤーボンディング
等の方法で電気的に接続した状態で樹脂封止して、金属
層２ａと電極層２ｂの各裏面を樹脂層４の底面から露出
して形成した半導体装置において、樹脂封止される上記
金属層２ａ及び電極層２ｂ各々の上端部周縁を、庇状に
張り出し形成して構成したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002213351A JP2003174121A (ja) | 2002-07-23 | 2002-07-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002213351A JP2003174121A (ja) | 2002-07-23 | 2002-07-23 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000185426A Division JP3626075B2 (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006072497A Division JP3993218B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003174121A true JP2003174121A (ja) | 2003-06-20 |
Family
ID=19195943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002213351A Pending JP2003174121A (ja) | 2002-07-23 | 2002-07-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003174121A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303305A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006303029A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006303028A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US7888869B2 (en) | 2005-12-02 | 2011-02-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2002
- 2002-07-23 JP JP2002213351A patent/JP2003174121A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303029A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006303028A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2006303305A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
| US7888869B2 (en) | 2005-12-02 | 2011-02-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
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