JP2016225430A - 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置用基板を図1ないし図7に基づいて説明する。前記各図において本実施形態に係る半導体装置用基板1は、導電性を有する材質からなる母型基板10と、この母型基板10上に形成され、本基板を用いて製造される半導体装置70の少なくとも電極部11bとなる金属部11と、金属部11表面にメッキにより形成される表面金属層13とを備える構成である。
第2実施形態に係る半導体装置用基板は、上記第1実施形態同様に、母型基板10と、電極部11bと、規制部11aとを備えるものである。図8は、係る構成の半導体装置用基板を用いて製造した半導体装置72を示している。図8に示すように、規制部11aの高さ(貫通孔11eの深さ)が半導体素子14の厚さ以上に設定されているものである。
上記実施形態における半導体装置用基板においては、母型基板10上に電極部11bと規制部11aとを別々に設け、この半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程にて、規制部11aに規制されるように半導体素子14を搭載しているが、第3実施形態に係る半導体装置用基板は、電極部11bに規制部11aを兼ねさせる構成としているものである。
第4実施形態に係る半導体装置用基板は、上記実施形態同様に、母型基板10と、電極部11bと、規制部11aとを備えるものである。図10は、係る構成の半導体装置用基板を用いて製造した半導体装置74を示している。該規制部11aは、ワイヤ15のループ頂部15’の直下位置に重なるように配設されている。つまり、規制部11aとワイヤ15のループ頂部15’とは、半導体装置(半導体装置用基板)の高さ方向において、直線上に位置している。ここで、ループ頂部15’とは、半導体素子14の電極と金属電極部11bとを接続するワイヤ14の最頂点の部分を言う。
第5実施形態に係る半導体装置用基板は、母型基板10と、電極部11bと、規制部11aとを備えるものであり、規制部11aとして貫通孔11eが形成されており、該貫通孔11eと重なるように凹部11fが設けられているものである。この凹部11fの底面(底面積)は貫通孔11eの開口(開口面積)より大きいものである。図11は、係る構成の半導体装置用基板を用いて製造した半導体装置75を示している。
第6実施形態に係る半導体装置用基板は、母型基板10と、電極部11bとを備えるものであり、電極部11bが規制部11aを兼ねており(電極部11間が貫通孔11eに相当)、電極部11bの上部には、延設部20が一体的に設けられているものである。図13は、係る構成の半導体装置用基板を用いて製造した半導体装置77を示している。延設部20は、半導体素子14に向かって延びるように設けられており、延設部20と半導体素子14の電極とが電気的に接続されている。
10 母型基板
11 金属部
11a 規制部
11b 電極部
11c 張出し部
11d 薄膜
11e 貫通孔
11f 凹部
12 第一レジスト層
12a レジスト材
13 表面金属層
14 半導体素子
15 ワイヤ
16 第二レジスト層
16a レジスト材
18 レジスト層
19 封止材
20 延設部
70〜77 半導体装置
Claims (9)
- 母型基板上に少なくとも電極部となる金属部が形成される半導体装置用基板において、
前記母型基板上には、半導体素子を規制する規制部が設けられていることを特徴とする半導体装置用基板。 - 前記規制部が前記金属部に貫通孔を形成することで設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。
- 前記規制部の高さ寸法が半導体素子の厚み寸法以上に設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置用基板。
- 母型基板上に電極部及び半導体素子を規制する規制部となる金属部が設けられた半導体装置用基板の製造方法において、
前記母型基板上に、前記金属部の形成位置に対応する第一レジスト層を形成する工程と、
前記母型基板表面の前記第一レジスト層で覆われていない露出領域に、前記金属部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 - 前記第一レジスト層が半導体素子の配置箇所に形成されており、
前記金属部を形成した後、前記第一レジスト層を除去することで、半導体素子配置箇所における、第一レジスト層が存在していた部位に貫通孔を生じさせることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置用基板の製造方法。 - 前記母型基板上に前記第一レジスト層を形成した後、少なくとも前記第一レジスト層上に、第二レジスト層を形成し、
前記第一レジスト層の厚さを越える一方、前記第二レジスト層を越えない厚さで前記金属部を形成することにより、前記第一レジスト層寄りの前記金属部上端周縁には前記第一レジスト層側に張出した略庇状の張出部が形成されることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置用基板の製造方法。 - 半導体素子と電気的に接続する電極部を有し、前記半導体素子の搭載、前記半導体素子と前記電極部との電気的接続、封止材による封止がなされ、装置底部に前記電極部の裏面側が露出される半導体装置において、
前記半導体素子を規制する規制部が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記規制部が前記半導体素子と前記電極部とを接合するワイヤのループ頂部の直下位置に設けられていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置用基板を用い、前記半導体素子の搭載、前記半導体素子と前記電極部との電気的接続、封止材による封止を行い、
前記封止材による封止を行った後で、前記母型基板を除去して、底部に前記電極部及び前記規制部の裏面側を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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