JP2004207276A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ボンディングパッド１２の側面が露出する回路装置１０を構成する。
【解決手段】回路装置１０は、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２と、ダイパッド１１上に固着された回路素子９と、ダイパッド１１、ボンディングパッド１２および回路素子９を封止する絶縁性樹脂１４とを有し、絶縁性樹脂１４の側面部には部分的に凹部１５が形成され、周辺部に配置された導電パターンの側面部が凹部１５から露出する構成と成っている。外部との接続電極となるボンディングパッド１２が側面に露出することにより、回路装置１０の実装には、ロウ材１９によるフィレットが装置の側方に形成される。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は全体を封止する絶縁性樹脂の側面から、電極となる導電パターンが露出する回路装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。従来型の回路装置としてＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１８は、支持基板としてガラスエポキシ基板５１を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳＰ５０を示すものである。ここではガラスエポキシ基板５１にトランジスタチップ５６が実装されたものとして説明していく。
【０００４】
このガラスエポキシ基板５１の表面には、第１の電極５２、第２の電極５３およびダイパッド５７が形成され、裏面には第１の裏面電極５４と第２の裏面電極５５が形成されている。そしてスルーホール５９を介して、前記第１の電極５２と第１の裏面電極５４が、第２の電極５３と第２の裏面電極５５が電気的に接続されている。またダイパッド５７には前記ベアのトランジスタチップ５６が固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極５２が金属細線５８を介して接続され、トランジスタのベース電極と第２の電極５３が金属細線５８を介して接続されている。更にトランジスタチップＴを覆うようにガラスエポキシ基板５１に樹脂層６０が設けられている。
【０００５】
前記ＣＳＰ５０は、ガラスエポキシ基板５１を採用するが、ウェハスケールＣＳＰと違い、チップＴから外部接続用の裏面電極５４、５５までの延在構造が簡単であり、安価に製造できるメリットを有する。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−３３９１５１号公報（第１頁、第１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようなＣＳＰ等の従来型の回路装置では、外部との電気的接続を行う第１の裏面電極５４および第２の裏面電極５５は、装置の裏面に設けられていた。そして、リフロー工程等により、半田等のロウ材を裏面電極に付着させることで、マザー基板等への装置の実装を行っていた。しかしながら、実装後に於いては、ＣＳＰ５０の裏面とマザー基板の僅かな隙間に、ロウ材が形成されているので、ロウ材が適切な形状を呈しているか否かの良否判定を視覚的に行うことは困難であった。
【０００８】
更に、第１の裏面電極５４および第２の裏面電極５５は、ガラスエポキシ基板５１の裏面に形成されており、その厚みの分だけ凸状に形成されている。このことから、完成したＣＳＰ５０を搬送する工程に於いて、凸状に形成された裏面電極が剥がれてしまう問題があった。
【０００９】
本発明はこのような問題を鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、全体を封止する絶縁性樹脂の側面から導電パターンが露出する回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、導電パターンと、前記導電パターン上に固着された回路素子と、少なくとも前記導電パターンの下面を露出させて前記導電パターンおよび前記回路素子を封止する絶縁性樹脂とを有し、前記絶縁性樹脂の側面部には部分的に凹部が形成され、周辺部に配置された前記導電パターンの下面及び側面部が前記凹部から露出することを特徴とする。周辺部に配置された導電パターンの側面を露出させることにより、露出した導電パターンの側面部に半田等のロウ材を付着させて回路装置の実装を行うことが可能となり、実装の良否判定を視覚的に行うことが可能となる。
【００１１】
本発明は、第２に、導電箔を用意し、少なくとも回路素子の搭載部を多数個形成する導電パターンを除く領域の前記導電箔に前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成する工程と、所望の前記導電パターンの前記各搭載部に回路素子を固着する工程と、各搭載部の前記回路素子を一括して被覆し、前記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、前記分離溝を設けていない厚み部分の前記導電箔を前記絶縁性樹脂が露出するまで除去する工程と、前記各搭載部の境界線に対応する箇所の前記導電パターンを除去して溝を形成することにより前記導電パターンの側面部を露出させる工程と、前記絶縁性樹脂を前記境界線に沿ってダイシングにより分離する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明は、第３に、導電箔を用意し、少なくとも回路素子の搭載部を多数個形成する導電パターンを除く領域の前記導電箔に前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成する工程と、所望の前記導電パターンの前記各搭載部に回路素子を固着する工程と、各搭載部の前記回路素子を一括して被覆し、前記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、前記分離溝の残りの厚み部分を除去することにより前記導電パターンを電気的に分離し、前記各搭載部の境界線に対応する箇所の前記導電パターンを除去して溝を形成することにより前記導電パターンの側面部を露出させる工程と、前記絶縁性樹脂を前記境界線に沿ってダイシングにより分離する工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（回路装置１０の構成を説明する第１の実施の形態）
図１および図２を参照して、本発明の回路装置１０の構成等を説明する。図１は回路装置１０の斜視図であり、図２（Ａ）は回路装置１０の平面図であり、図２（Ｂ）はその断面図である。
【００１４】
図１を参照して、回路装置１０は、導電パターンと、導電パターン上に固着された回路素子９と、少なくとも導電パターンの下面を露出させて導電パターンおよび回路素子９を封止する絶縁性樹脂１４とを有し、絶縁性樹脂１４の側面部には部分的に凹部１５が形成され、周辺部に配置された導電パターンの側面部が凹部１５から露出する構成と成っている。同図では、導電パターンはダイパッド１１およびボンディングパッド１２からなり、装置の周辺部に配置されたボンディングパッド１２の側面が樹脂の側面から露出している。このような各構成要素を以下にて説明する。
【００１５】
導電パターンから成るダイパッド１１およびボンディングパッド１２は銅等の金属から成り、下面を露出させて絶縁性樹脂１４に埋め込まれている。ダイパッド１１は装置の中央部に配置されており、その上部には回路素子９がロウ材を介して固着されている。またダイパッド１１は裏面を露出させて絶縁性樹脂１４で封止されている。図２（Ａ）を参照して、ボンディングパッド１２は、ダイパッド１１を囲むようにして周辺部に配置されている。周辺部に配置されたボンディングパッド１２は、外部に面している側面と下面が絶縁性樹脂１４から露出しており、外部に面していない３つの側面と上面が絶縁性樹脂で封止されている。また、ボンディングパッド１２の側面が露出する箇所の絶縁性樹脂１４の側面は、凹部１５が形成されており、この凹部１５からボンディングパッド１２の側面が露出している。更にまた、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の上面には、メッキ膜１７が形成されている。
【００１６】
図２（Ｂ）を参照して、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の絶縁性樹脂１４から露出する面は銀等によるメッキ層１８が施されている。具体的には、ボンディングパッド１２は下面にメッキ層１８が施されている。そして、ボンディングパッド１２は、外部に面している側面および下面がメッキ層１８により被覆されている。
【００１７】
回路素子９としては、ここでは半導体素子が採用され、ロウ材を介してダイパッド１１上に固着されている。そして、回路素子９の電極とボンディングパッド１２とは、金属細線１３を介して電気的に接続されている。また、半導体素子である回路素子９はフェイスダウンで実装されても良い。更に、半導体素子に替えて他の受動素子または能動素子を複数個実装することも可能である。
【００１８】
絶縁性樹脂１４は、導電パターンの裏面を露出させて、全体を封止している。ここでは、回路素子９、金属細線１３、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２を封止している。絶縁性樹脂１４の材料としては、トランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用することができる。本発明では、絶縁性樹脂１４から成る回路装置１０の側面部には、凹部１５が形成されている。そして凹部１５から、ボンディングパッド１２の側面部が露出している。また、図２（Ｂ）を参照して、メッキ膜１７が、凹部１５から露出している。
【００１９】
図３を参照して他の形態の回路装置１０Ａの構成を説明する。同図に示す回路装置１０Ａは、溝１６で電気的に分離された導電パターンと、導電パターン上に固着された回路素子９と、少なくとも導電パターンの下面を露出させて導電パターンおよび回路素子９を封止する絶縁性樹脂１４とを有し、絶縁性樹脂１４の側面部には部分的に凹部１５が形成され、周辺部に配置された導電パターンの側面部が凹部１５から露出する構成と成っている。同図では、導電パターンはダイパッド１１およびボンディングパッド１２からなり、装置の周辺部に配置されたボンディングパッド１２の側面が樹脂の側面から露出している。
【００２０】
図１および図２に示した回路装置１０との相違点を説明する。回路装置１０Ａは、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成する導電パターンの形状が、回路装置１０と異なる。同図に示す回路装置１０Ａでは、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２が、分離溝８に充填された絶縁性樹脂１４よりも下方に延在している。そして、ダイパッド１１とボンディングパッド１２とは、溝１６により電気的に分離されている。
【００２１】
図３（Ｂ）を参照して、ダイパッド１１は、側面部の一部と底面が絶縁性樹脂１４から露出しており、メッキ層１８で被覆されている。そしてダイパッド１１は、外部に面した側面部と下面が絶縁性樹脂１４から露出している。更に、ダイパッド１１の外部に面しない側面に関しては、その一部が絶縁性樹脂１４から露出している。また、絶縁性樹脂１４から露出するボンディングパッド１２の側面および下面は、メッキ層１８で被覆される。
【００２２】
図４を参照して、他の形態の回路装置１０の構成を説明する。ここで示す回路装置１０の構成は、図１に示した回路装置と基本的な構造は同じであり、相違点は、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２から成る導電パターンの上面が被覆樹脂７で覆われていることにある。被覆樹脂７は、導電パターンの上面の他にも、分離溝８の表面も被覆している。各ボンディングパッド１２の上面には、開口部７Ａが形成され、開口部７Ａの底部からボンディングパッド１２の表面が部分的に露出している。金属細線１３を介して露出したボンディングパッド１２の表面と回路素子１３とは電気的に接続されている。
【００２３】
被覆樹脂７の材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を全般的に採用することができる。更に、被覆樹脂７としては感光性の樹脂または非感光性の樹脂を採用することができる。被覆樹脂７が感光性の樹脂である場合は、露光および現像を行うことで開口部７Ａを形成することができる。また、被覆樹脂７が非感光性の樹脂である場合は、レーザーを用いて開口部７Ａを形成することができる。
【００２４】
図５を参照して、図１に示す回路装置１０を実装基板９に固着した状態を説明する。
【００２５】
図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、回路装置１０の側面部に露出したボンディングパッド１２の側面部に、半田等のロウ材１９を塗布することで、実装基板５上の導電路６と回路装置１０との電気的接続を行うことができる。ここで、ロウ材１９は、露出するボンディングパッド１２の側面と、導電路６の表面に接触してフィレットを形成する。
【００２６】
本発明の特徴は、ボンディングパッド１２の側面が絶縁性樹脂１４から露出することにある。具体的には、絶縁性樹脂１４の側面に形成された凹部１５からボンディングパッド１２の側面が露出している。従って、回路装置１０を実装基板５上の導電路６に実装する際は、露出したボンディングパッド１２の側面と導電部６に、ロウ材１９から成るフィレットを形成することができる。このように、ロウ材１９によるフィレットが、回路装置１０の周辺部に形成されることで、ロウ材１９が適切に形成されているか否かを視覚的に確認することができる。
【００２７】
更に、本発明の特徴は、ボンディングパッド１２が露出する絶縁性樹脂１４の側面に凹部１５が形成されることにある。具体的には、外部に露出するボンディングパッド１２の側面が、装置の外形を形成する絶縁性樹脂１４の側面よりも内側に位置している。このことにより、完成品である回路装置１０を輸送する段階で、ボンディングパッド１２が絶縁性樹脂から剥がれてしまうのを防止することができる。また、回路装置１０を実装する際に形成されるロウ材１９によるフィレットの上端部も、凹部１５に収納されるので、ロウ材１９が剥がれてしまうのを極力防止することができる。
【００２８】
（回路装置１０の製造方法を説明する第２の実施の形態）
本発明の回路装置１０は次の様な工程で製造される。即ち、導電箔２０を用意し、少なくとも回路素子９の搭載部２５を多数個形成する導電パターンを除く領域の導電箔２０に導電箔２０の厚みよりも浅い分離溝８を形成する工程と、所望の導電パターンの各搭載部２５に回路素子９を固着する工程と、各搭載部２５の回路素子９を一括して被覆し、分離溝８に充填されるように絶縁性樹脂１３で共通モールドする工程と、分離溝８を設けていない厚み部分の導電箔２０を除去する工程と、各搭載部２５の境界線に対応する箇所の導電パターンを除去して溝を形成することにより前記導電パターンの側面部を露出させる工程と、前記絶縁性樹脂を前記境界線に沿ってダイシングにより分離する工程とから構成されている。
【００２９】
更に、回路装置１０は次の様な工程でも製造することができる。即ち、導電箔２０を用意し、少なくとも回路素子９の搭載部２５を多数個形成する導電パターンを除く領域の導電箔２０に導電箔２０の厚みよりも浅い分離溝８を形成する工程と、所望の導電パターンの各搭載部２５に回路素子９を固着する工程と、各搭載部２５の回路素子９を一括して被覆し、分離溝８に充填されるように絶縁性樹脂１３で共通モールドする工程と、分離溝８の残りの厚み部分を除去することにより導電パターンを電気的に分離し、各搭載部２５の境界線に対応する箇所の導電パターンを除去して溝１６を形成することにより導電パターンの側面部を露出させる工程と、絶縁性樹脂１３を境界線に沿ってダイシングにより分離する工程とで製造することができる。以下に、本発明の各工程を図６〜図１７を参照して説明する。
【００３０】
本発明の第１の工程は、図６から図８に示すように、導電箔２０を用意し、少なくとも回路素子９の搭載部２５を多数個形成する導電パターンを除く領域の導電箔２０に導電箔２０の厚みよりも浅い分離溝８を形成することにある。
【００３１】
本工程では、まず図６（Ａ）の如く、シート状の導電箔２０を用意する。この導電箔２０は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等が採用される。導電箔２０の厚さは、後のエッチングを考慮すると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましいが、３００μｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導電箔２０の厚みよりも浅い分離溝８が形成できればよい。
【００３２】
具体的には、図６（Ｂ）に示す如く、短冊状の導電箔２０に多数の搭載部２５が形成されるブロック２２が４〜５個離間して並べられる。各ブロック２２間にはスリット２３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔２０の応力を吸収する。また導電箔２０の上下周端にはインデックス孔２４が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。続いて、導電パターンを形成する。
【００３３】
まず、図７に示す如く、導電箔２０の上に、ボンディングパッド１２およびダイパッド１１を構成する導電パターンとなる領域を除いた導電箔２０が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。そして、図８（Ａ）に示す如く、導電箔２０を選択的にエッチングする。
【００３４】
図８（Ｂ）に具体的な導電パターンを示す。本図は図６（Ｂ）で示したブロック２２の１個を拡大したもの対応する。点線で囲まれる領域が１つの搭載部２５であり、１つのブロック２２には２行２列のマトリックス状に多数の搭載部２５が配列され、各搭載部２５毎に同一の導電パターンが設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン２６が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシング時の位置合わせマーク２７が設けられている。枠状のパターン２６はモールド金型との嵌合に使用し、また導電箔２０の裏面エッチング後には絶縁性樹脂１４の補強をする働きを有する。ここで、導電パターンは、各搭載部２５のダイパッド１１およびボンディングパッド１２を構成する。更に、マトリックス状に隣接する各搭載部２５のボンディングパッド１２は、連続して細長に形成されている。細長に形成されたボンディングパッド１２は、後の工程でエッチングされることにより、電気的に分離される。
【００３５】
本発明の第２の工程は、図９に示す如く、所望の導電パターンの各搭載部２５に回路素子９を固着し、回路素子９の電極と所望の導電パターンとをワイヤボンディングすることにある。
【００３６】
ここでは、回路素子９として、半導体素子がダイパッド１１に固着される。その後、各搭載部の回路素子９の各電極を、熱圧着によるボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワイヤボンディングを行う。
【００３７】
本発明の第３の工程は、図１０に示す如く、各搭載部２５の回路素子９を一括して被覆し、分離溝８に充填されるように絶縁性樹脂１３で共通モールドすることにある。
【００３８】
本工程では、図１０（Ａ）に示すように、絶縁性樹脂１４は回路素子９および複数の導電パターンを完全に被覆し、分離溝８には絶縁性樹脂１４が充填され、分離溝８と嵌合して強固に結合する。そして絶縁性樹脂１４により導電パターンが支持されている。
【００３９】
また本工程では、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００４０】
更に、本工程でトランスファーモールドあるいはインジェクションモールドする際に、図１０（Ｂ）に示すように各ブロック２２は１つの共通のモールド金型に搭載部６３を納め、各ブロック毎に１つの絶縁性樹脂１４で共通にモールドを行う。
【００４１】
本工程の特徴は、絶縁性樹脂１４を被覆するまでは、導電パターンとなる導電箔２０が支持基板となることである。また分離溝８は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔２０が導電パターンとして個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔２０として一体で取り扱え、絶縁性樹脂１４をモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。
【００４２】
本発明の第４の工程は、図１１から図１３を参照して、分離溝８を設けていない厚み部分の導電箔２０を除去し、各搭載部２５の境界線に対応する箇所の導電パターンを除去して溝１６を形成することにより導電パターンの側面部を露出させることにある。
【００４３】
本工程は、導電箔２０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電パターンとして分離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。実験では導電箔２０を全面ウェトエッチングし、分離溝８から絶縁性樹脂１４を露出させている。その結果、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２となって電気的に分離される。この結果、絶縁性樹脂１４に導電パターンの裏面が露出する構造となる。
【００４４】
次に、図１２を参照して、各搭載部２５の境界線に対応する箇所のボンディングパッド１２を除去するために、裏面にエッチングレジストを被覆する。各搭載部２５の境界部にはエッチングレジスト３０の開口部が設けられ、この開口部の幅は、ダイシングを行うブレードの幅よりも大きく形成される。更にこの開口部の幅を、ダイシングブレードの幅とその位置精度を加算した長さよりも大きく形成しても良い。
【００４５】
次に、図１３を参照して、エッチングを行うことにより、各搭載部２５の境界線に対応する箇所のボンディングパッド１２を除去して溝１６を形成する。更に、ブロック２２の周端部に位置するボンディングパッド１２の側面が露出するように溝１６が形成される。このように、エッチングレジストの開口部の幅を、ダイシングを行うブレードよりも長く設定してエッチングを行うことにより、ダイシングを行う工程で絶縁性樹脂１４のみを切除することができる。従って、金属をダイシングすることにより「バリ」が発生するのを防止することができる。更に、このことにより、ボンディングパッド１２の側面が露出する箇所の絶縁性樹脂１４には、凹部１５が形成される。
【００４６】
本発明の他の形態の第４の工程を、図１４および図１５を参照して説明する。本工程は、分離溝８の残りの厚み部分を除去することにより導電パターンを電気的に分離し、各搭載部２５の境界線に対応する箇所の導電パターンを除去して溝１６を形成することにより導電パターンの側面部を露出させることにある。
【００４７】
先ず、図１４を参照して、分離溝８が形成された箇所の導電箔２０裏面と、各搭載部２５の境界線に対応する箇所の導電箔２０の裏面を露出させてエッチングレジスト３０を形成する。
【００４８】
そして、図１５に示すように、エッチングを行うことにより、第１の溝１６Ａおよび第２の溝１６Ｂを形成して各導電パターンを電気的に分離する。第１の溝１６Ａは、各搭載部２５の境界線にてボンディングパッド１２を電気的に分離している。また、第２の溝１６Ｂは、各搭載部２５のダイパッド１１とボンディングパッド１２とを電気的に分離する働きを有する。
【００４９】
上記の説明では、導電箔２０裏面の全面的な除去を行わずに、第１の溝１６Ａおよび第２の溝１６Ｂを形成した。しかしながら、導電箔２０の裏面の全面的な除去を行い、導電箔２０を有る程度薄く形成してから、第１の溝１６Ａおよび第２の溝１６Ｂを形成しても良い。
【００５０】
本発明の第５の工程は、図１６に示す如く、絶縁性樹脂１４から露出する導電パターンの表面にメッキ層１８を形成することにある。
【００５１】
本工程では、全体を封止する絶縁性樹脂１４から露出するダイパッド１１およびボンディングパッド１２にメッキ層１８が形成される。ダイパッド１１は、絶縁性樹脂１４から露出する下面にメッキ層１８が形成される。そして、ボンディングパッド１２は、絶縁性樹脂１４から露出する側面および下面にメッキ層１８が形成される。ここで、メッキ層１８の形成は、電界メッキ法または無電界メッキ法で行うことができる。更に電界メッキ法でメッキ膜１８の形成を行う場合は、ボンディングパッド１２およびダイパッド１１は、金属細線１３およびメッキ膜１７により電気的に接続されているので、１つのボンディングパッド１２またはダイパッド１１を電極として用いることができる。
【００５２】
本発明の第６の工程は、図１７に示す如く、絶縁性樹脂１４を各搭載部２５毎にダイシングにより分離することにある。
【００５３】
本工程では、ブロック２２をダイシング装置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード４９で各搭載部２５間のダイシングライン（一点鎖線）に沿って分離溝８の絶縁性樹脂１４をダイシングし、個別の回路装置に分離する。
【００５４】
本工程で、ダイシングブレード４９は、ほぼ絶縁性樹脂１４を切断する切削深さで行い、ダイシング装置からブロック２２を取り出した後にローラでチョコレートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述した第１の工程で設けた各ブロックの位置合わせマーク４７を認識して、これを基準としてダイシングを行う。
【００５５】
上記したように、ダイシングラインに対応する箇所には、溝１６が形成されており、この箇所のボンディングパッド１２は除去されているので、絶縁性樹脂１４とメッキ膜１７がここでは除去される。そして、溝１６が形成された箇所のボンディングパッド１２の側面は、樹脂から露出する構造となる。
【００５６】
また、上記の説明では導電パターンを絶縁性樹脂１３で被覆する方法を説明したが、図４に示すような回路装置を製造する場合は、被覆樹脂７で導電パターンを被覆し、開口部７Ａを形成してから、絶縁性樹脂１３を形成する。このようにボンディングパッド１２に開口部７Ａを設けて被覆樹脂７を形成することにより、開口部７Ａの箇所のみにメッキ層を形成することが可能となる。
【００５７】
【発明の効果】
本発明では、以下に示すような効果を奏することができる。
【００５８】
第１に、外部への接続電極となるボンディングパッド１２の側面が、絶縁性樹脂１４から露出するので、ロウ材１９を用いて回路装置の実装を行う際に、回路装置の側方にロウ材１９によるフィレットが形成される。従って、実装を行った後に、ロウ材の付着の良否確認を視覚的に行うことが可能となる。
【００５９】
第２に、ボンディングパッド１２の側面が露出する箇所の絶縁性樹脂１４の側面には凹部１５が形成されている。従って、露出するボンディングパッド１２の側面は、絶縁性樹脂１４の内部に収納されるので、ボンディングパッド１２が絶縁性樹脂１４から剥がれてしまうのを防止することができる。
【００６０】
第３に、ブロック２２にマトリックス状に多数個の搭載部２５を形成して、搭載部２５の境界線に対応する箇所の導電パターンを除去することにより、各搭載部２５の導電パターンの側面を側方に露出させることができる。
【００６１】
第４に、隣接する各搭載部２５のボンディングパッド１２を、メッキ膜１７で電気的に接続することにより、導電箔２０の一部を電極として用いることにより、電界メッキ法でメッキ層１８を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路装置を説明する斜視図である。
【図２】本発明の回路装置を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図３】本発明の回路装置を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図４】本発明の回路装置を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の回路装置を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図９】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図１０】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図１１】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。
【図１８】従来の回路装置を説明する断面図である。

Claims (18)

  1. 導電パターンと、前記導電パターン上に固着された回路素子と、少なくとも前記導電パターンの下面を露出させて前記導電パターンおよび前記回路素子を封止する絶縁性樹脂とを有し、
    前記絶縁性樹脂の側面部には部分的に凹部が形成され、周辺部に配置された前記導電パターンの側面部が前記凹部から露出することを特徴とする回路装置。
  2. 露出した前記導電パターンの前記側面部および下面にロウ材を付着させることで回路装置の実装を行うことを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  3. 前記回路素子は半導体素子であり、周辺部に配置された前記導電パターンと前記半導体素子とは電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  4. 前記導電パターンは、前記回路素子が固着されるダイパッドおよび前記ダイパッドを囲むようにして配置されるボンディングパッドから成ることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  5. 前記絶縁性樹脂から露出する前記導電パターンの裏面および側面には、メッキ層が形成されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  6. 前記導電パターンの表面には被覆樹脂が形成され、前記被覆樹脂に設けた開口部を介して前記回路素子と前記導電パターンとを電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
  7. 前記被覆樹脂は、感光性の樹脂から成ることを特徴とする請求項６記載の回路装置。
  8. 導電箔を用意し、少なくとも回路素子の搭載部を多数個形成する導電パターンを除く領域の前記導電箔に前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成する工程と、
    所望の前記導電パターンの前記各搭載部に回路素子を固着する工程と、
    各搭載部の前記回路素子を一括して被覆し、前記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、
    前記分離溝を設けていない厚み部分の前記導電箔を前記絶縁性樹脂が露出するまで除去する工程と、
    前記各搭載部の境界線に対応する箇所の前記導電パターンを除去して溝を形成することにより前記導電パターンの側面部を露出させる工程と、
    前記絶縁性樹脂を前記境界線に沿ってダイシングにより分離する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
  9. 前記導電パターンの表面に形成されたメッキ膜により、前記導電パターンを電気的に接続し、前記絶縁性樹脂から露出する前記導電パターンの面に電界メッキ法によりメッキ層を形成することを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
  10. 前記導電パターンは、回路素子が実装されるダイパッドと、前記ダイパッドに近接して設けられるボンディングパッドを形成することを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
  11. 前記絶縁性樹脂から露出する前記導電パターンの下面及び側面部にロウ材を付着して、回路装置の実装を行うことを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
  12. 前記溝の幅を、前記ダイシングを行うダイシングブレードの幅よりも大きく形成することにより、前記絶縁性樹脂から露出する前記導電パターンの側面部は凹部を形成することを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
  13. 前記溝は、エッチングにより形成されることを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
  14. 導電箔を用意し、少なくとも回路素子の搭載部を多数個形成する導電パターンを除く領域の前記導電箔に前記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成する工程と、
    所望の前記導電パターンの前記各搭載部に回路素子を固着する工程と、
    各搭載部の前記回路素子を一括して被覆し、前記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂で共通モールドする工程と、
    前記分離溝の残りの厚み部分を除去することにより前記導電パターンを電気的に分離し、前記各搭載部の境界線に対応する箇所の前記導電パターンを除去して溝を形成することにより前記導電パターンの側面部を露出させる工程と、
    前記絶縁性樹脂を前記境界線に沿ってダイシングにより分離する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
  15. 前記導電パターンは、回路素子が実装されるダイパッドと、前記ダイパッドに近接して設けられるボンディングパッドを形成することを特徴とする請求項１４記載の回路装置の製造方法。
  16. 前記絶縁性樹脂から露出する前記導電パターンの下面及び側面部にロウ材を付着して、回路装置の実装を行うことを特徴とする請求項１４記載の回路装置の製造方法。
  17. 前記溝の幅を、前記ダイシングを行うダイシングブレードの幅よりも大きく形成することにより、前記絶縁性樹脂から露出する前記導電パターンの側面部は凹部を形成することを特徴とする請求項１４記載の回路装置の製造方法。
  18. 前記溝は、エッチングにより形成されることを特徴とする請求項１４記載の回路装置の製造方法。
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