JP2016127261A - 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016127261A JP2016127261A JP2015199424A JP2015199424A JP2016127261A JP 2016127261 A JP2016127261 A JP 2016127261A JP 2015199424 A JP2015199424 A JP 2015199424A JP 2015199424 A JP2015199424 A JP 2015199424A JP 2016127261 A JP2016127261 A JP 2016127261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- resist layer
- semiconductor device
- substrate
- metal part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 251
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 251
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 18
- 238000005056 compaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 42
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】母型基板10上に半導体素子搭載部11a及び/又は電極部11bとなる金属部11を備え、金属部11には張出部11cが形成されており、係る張出部11cは、金属部11の軸方向と直交する方向に平行な下面と、金属部11の上面に連続して形成される上面と、下面と上面の間に形成される側面とを有するものである。これにより、金属部11に設けられる張出部11cとして抜けに対する十分な強度を得られる必要最小限の張出し量を確保しつつ、金属部11の配置間隔を小さくすることができる。
【選択図】図2
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置用基板を図1ないし図3に基づいて説明する。前記各図に示すように、本実施形態に係る半導体装置用基板1は、導電性を有する材質からなる母型基板10と、この母型基板10上に複数組形成され、本半導体装置用基板1を用いて製造される半導体装置70の半導体素子搭載部11a又は電極部11bとなる金属部11とを備える構成であり、金属部11表面にはメッキにより表面金属層13が形成されている。
10 母型基板
11 金属部
11a 半導体素子搭載部
11b 電極部
11c 張出部
11d 薄膜
12 第一レジスト層
13 表面金属層
14 半導体素子
15 ワイヤ
16 第二レジスト層
18 レジスト層
19 封止材
20 段差部
70 半導体装置
Claims (10)
- 母型基板(10)上に半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)を備える半導体装置用基板であって、
前記金属部(11)には張出部(11c)が形成されており、
前記張出部(11c)は、金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、金属部(11)の上面に連続して形成される上面と、該下面と上面の間に形成される側面とを有することを特徴とする半導体装置用基板。 - 前記張出部(11c)の側面は、金属部(11)の軸方向と平行であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置用基板。
- 前記張出部(11c)の高さ寸法は、前記張出部(11c)の幅寸法と同じ、あるいはそれよりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置用基板。
- 前記金属部(11)の上面及び前記張出部(11c)の上面に表面金属層(13)が形成されており、前記表面金属層(13)の厚み分が張出部(11c)の側面として現れることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置用基板。
- 前記金属部(11)には前記張出部(11c)及び/又は張出部(11c’)が形成されており、
前記張出部(11c’)は、金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、金属部(11)の上面に連続して形成される上面とを有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置用基板。 - 母型基板(10)上に半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)を備える半導体装置用基板の製造方法であって、
前記母型基板(10)上に、前記金属部(11)を形成するための所定パターンから成る第一レジスト層(12)を形成する工程と、
前記第一レジスト層(12)上に、所定パターンから成る第二レジスト層(16)を形成する工程と、
前記母型基板(10)の前記第一レジスト層(12)で覆われていない露出領域に対し、前記金属部(11)を形成する工程とを含み、
前記金属部(11)を形成する工程において、前記金属部(11)は前記第一レジスト層(12)の厚さを越える一方、前記第二レジスト層(16)の厚さを越えない所定厚さであって、前記第二レジスト層(16)の側面に接する部位を伴いつつ形成され、前記金属部(11)に前記張出部(11c)が形成されることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 - 前記第二レジスト層(16)の所定パターンの開口内面は前記母型基板(10)の面方向と直交する方向に平行となるように形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 前記第一レジスト層(12)の所定パターンの開口内面と、前記第二レジスト層(16)の所定パターンの開口内面との間に段差部(20)が形成されており、前記段差部(20)の幅寸法が5μm以上に設定されていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 前記第二レジスト層(16)を形成する工程において、第一レジスト層(12)上に第二レジスト層(16)を形成しない領域が存在することを特徴とする請求項6ないし8のいずれかに記載の半導体装置用基板の製造方法。
- 半導体素子(14)と、半導体素子搭載部(11a)及び/又は電極部(11b)となる金属部(11)とを備え、前記金属部(11)には張出部(11c)が形成されており、前記金属部(11)への半導体素子(14)の搭載及び電気的接続がなされ、封止材(19)によって封止された半導体装置であって、
前記張出部(11c)は、金属部(11)の軸方向と直交する方向に平行な下面と、金属部(11)の上面に連続して形成される上面と、該下面と上面の間に形成される側面とを有することを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014266803 | 2014-12-27 | ||
JP2014266803 | 2014-12-27 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019106695A Division JP6838104B2 (ja) | 2014-12-27 | 2019-06-07 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127261A true JP2016127261A (ja) | 2016-07-11 |
JP6681165B2 JP6681165B2 (ja) | 2020-04-15 |
Family
ID=56359832
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015199424A Active JP6681165B2 (ja) | 2014-12-27 | 2015-10-07 | 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置 |
JP2019106695A Active JP6838104B2 (ja) | 2014-12-27 | 2019-06-07 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
JP2020174744A Pending JP2021005739A (ja) | 2014-12-27 | 2020-10-16 | 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置 |
JP2022096196A Active JP7426440B2 (ja) | 2014-12-27 | 2022-06-15 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
JP2023186256A Pending JP2023181386A (ja) | 2014-12-27 | 2023-10-31 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019106695A Active JP6838104B2 (ja) | 2014-12-27 | 2019-06-07 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
JP2020174744A Pending JP2021005739A (ja) | 2014-12-27 | 2020-10-16 | 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置 |
JP2022096196A Active JP7426440B2 (ja) | 2014-12-27 | 2022-06-15 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
JP2023186256A Pending JP2023181386A (ja) | 2014-12-27 | 2023-10-31 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (5) | JP6681165B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018003750A1 (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | コニカミノルタ株式会社 | 看介護項目入力装置、看介護項目入力方法及び看介護項目管理システム |
JP2018085487A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2019169729A (ja) * | 2014-12-27 | 2019-10-03 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
JP2020096049A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社Ssテクノ | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009196A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002289739A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材とその製造方法 |
US20090114345A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-07 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method for manufacturing a substrate for mounting a semiconductor element |
JP2009135417A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
JP2009158581A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置用基板およびその製造方法 |
US20110267789A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Advanpack Solutions Pte Ltd. | Etch-back type semiconductor package, substrate and manufacturing method thereof |
US8089159B1 (en) * | 2007-10-03 | 2012-01-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same |
JP2014183172A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Sh Materials Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124421A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2004214265A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP3897704B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2007-03-28 | 松下電器産業株式会社 | リードフレーム |
JP2006148003A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4091050B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2008-05-28 | 株式会社三井ハイテック | 半導体装置の製造方法 |
US7579137B2 (en) * | 2005-12-24 | 2009-08-25 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating dual damascene structures |
JP2012243840A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN102324413B (zh) * | 2011-09-13 | 2013-03-06 | 江苏长电科技股份有限公司 | 有基岛预填塑封料先刻后镀引线框结构及其生产方法 |
JP6352009B2 (ja) * | 2013-04-16 | 2018-07-04 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP6681165B2 (ja) * | 2014-12-27 | 2020-04-15 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置 |
-
2015
- 2015-10-07 JP JP2015199424A patent/JP6681165B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-07 JP JP2019106695A patent/JP6838104B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-16 JP JP2020174744A patent/JP2021005739A/ja active Pending
-
2022
- 2022-06-15 JP JP2022096196A patent/JP7426440B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-31 JP JP2023186256A patent/JP2023181386A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009196A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002289739A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材とその製造方法 |
US8089159B1 (en) * | 2007-10-03 | 2012-01-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same |
US20090114345A1 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-07 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method for manufacturing a substrate for mounting a semiconductor element |
JP2009135417A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
JP2009158581A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置用基板およびその製造方法 |
US20110267789A1 (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Advanpack Solutions Pte Ltd. | Etch-back type semiconductor package, substrate and manufacturing method thereof |
JP2014183172A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Sh Materials Co Ltd | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
US20160300732A1 (en) * | 2013-03-19 | 2016-10-13 | Sh Materials Co., Ltd. | Method for producing substrate for semiconductor element mounting |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169729A (ja) * | 2014-12-27 | 2019-10-03 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
JP7426440B2 (ja) | 2014-12-27 | 2024-02-01 | マクセル株式会社 | 半導体装置用基板および半導体装置 |
WO2018003750A1 (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | コニカミノルタ株式会社 | 看介護項目入力装置、看介護項目入力方法及び看介護項目管理システム |
JP2018085487A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2020096049A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社Ssテクノ | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
JP7323116B2 (ja) | 2018-12-11 | 2023-08-08 | 株式会社Ssテクノ | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6681165B2 (ja) | 2020-04-15 |
JP6838104B2 (ja) | 2021-03-03 |
JP7426440B2 (ja) | 2024-02-01 |
JP2019169729A (ja) | 2019-10-03 |
JP2023181386A (ja) | 2023-12-21 |
JP2022120854A (ja) | 2022-08-18 |
JP2021005739A (ja) | 2021-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6838104B2 (ja) | 半導体装置用基板および半導体装置 | |
TW201021186A (en) | Lead frame board, method of forming the same, and semiconductor device | |
JP2015185619A (ja) | 半導体装置用基板、当該基板の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2023164634A (ja) | 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 | |
JP6524533B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板、半導体装置及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法 | |
JP2012182207A (ja) | Led素子用リードフレームおよびその製造方法 | |
JP6626639B2 (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
JP2017188604A (ja) | リードフレーム及び半導体装置、並びにそれらの製造方法 | |
JP3993218B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7339231B2 (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置 | |
JP7256303B2 (ja) | 半導体装置用基板および半導体装置 | |
JP6806436B2 (ja) | 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置 | |
JP6579666B2 (ja) | 半導体装置用基板、当該基板の製造方法、及び半導体装置 | |
JP6579667B2 (ja) | 半導体装置用基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6913993B2 (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置の製造方法 | |
JP2014022582A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
JP7011685B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6889531B2 (ja) | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置の製造方法 | |
JP2022189979A (ja) | 半導体装置用基板、半導体装置 | |
JP2023060010A (ja) | 半導体装置用基板及び半導体装置 | |
JP2021090070A (ja) | 半導体装置用基板及び半導体装置 | |
JP6460407B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板、半導体装置及びそれらの製造方法 | |
JP2020004991A (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置 | |
JP2019161238A (ja) | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 | |
JP2012182209A (ja) | Led素子用リードフレーム基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190607 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200207 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6681165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |