JP2012182209A - Led素子用リードフレーム基板の製造方法 - Google Patents

Led素子用リードフレーム基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】パッド部や電気的接合エリアの樹脂バリ等を抑制してLED素子用リードフレーム基板を製造する。
【解決手段】LED素子が搭載されるパッド部11と、ワイヤーを介してパッド部に搭載されたLED素子と電気的に接続される接続エリア12とを有するフレーム部10と、平面視においてパッド部および接続エリアを囲むリフレクター部22を有し、フレーム部に取り付けられた樹脂部20とを備えたLED素子用リードフレーム基板1の製造方法は、金属板30にパッド部および接続エリアを形成してフレーム部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後にフレーム部に対して樹脂部を成形する樹脂部形成工程とを備え、樹脂部形成工程は、パッド部および接続エリアがレジストパターン32に被覆された状態で行われ、樹脂部形成工程後に、レジストパターンが除去されてパッド部および接続エリアが露出されることを特徴とする。
【選択図】図4

Description

本発明は、LED(Light Emitting Diode)を担持、搭載するLED素子用リードフレーム基板の製造方法に関する。
従来、金属製リードフレームと絶縁樹脂の複合体からなるLED素子用リードフレーム基板が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
このようなLED素子用リードフレーム基板(以下、単に「リードフレーム基板」と称する。)は、LEDチップを搭載するための一つ乃至複数のパッド部と、LEDチップと電気的接続を行うための電気的接合エリアを同一平面に備え、パッド部と電気的接合エリア間、およびそれらとリードフレーム外周部の間に存在する空隙が絶縁性のモールド樹脂によって埋められて形成されている。モールド樹脂の成形にはトランスファーモールドが用いられることが多い。
特開2004−172160号公報
しかしながら、トランスファーモールドでは液状の樹脂が高圧で充填されるため、上述のパッド部や電気的接合エリアの表面には、樹脂バリや樹脂汚染(以下、「樹脂バリ等」と称する。)が生じることが多い。樹脂バリ等が生じると、これを除去するための工程が必要になり、製造工程が煩雑となるという問題がある。
一方、樹脂成形後にメッキを行う、いわゆる後メッキという製造工程も考えられるが、この場合は、樹脂バリ等がメッキの定着性に悪影響を及ぼし、メッキ未着等の不具合を発生させることが懸念される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、パッド部や電気的接合エリアの樹脂バリ等を抑制してLED素子用リードフレーム基板を製造することができるLED素子用リードフレーム基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、LED素子が搭載されるパッド部と、ワイヤーを介して前記パッド部に搭載された前記LED素子と電気的に接続される接続エリアとを有するフレーム部と、平面視において前記パッド部および前記接続エリアを囲むリフレクター部を有し、前記フレーム部に取り付けられた樹脂部とを備えたLED素子用リードフレーム基板の製造方法であって、金属板に前記パッド部および前記接続エリアを形成して前記フレーム部を形成するエッチング工程と、前記エッチング工程後に前記フレーム部に対して前記樹脂部を成形する樹脂部形成工程とを備え、前記樹脂部形成工程は、前記パッド部および前記接続エリアが樹脂からなる保護層に被覆された状態で行われ、前記樹脂部形成工程後に、前記保護層が除去されて前記パッド部および前記接続エリアが露出されることを特徴とする。
本発明のLED素子用リードフレーム基板の製造方法においては、前記エッチング工程に用いられたレジストパターンが前記保護層として用いられてもよい。
また、前記パッド部および前記接続エリアにメッキ処理を施すメッキ処理工程をさらに備え、前記メッキ処理工程は、前記保護層が除去された後に行われてもよい。
また、本発明のLED素子用リードフレーム基板の製造方法は、前記パッド部および前記接続エリアにメッキ処理を施すメッキ処理工程をさらに備え、前記メッキ処理工程は、前記樹脂部形成工程の前に行われ、その後に前記保護層が形成されてもよい。
本発明のLED素子用リードフレーム基板の製造方法によれば、パッド部や電気的接合エリアに発生する樹脂バリ等を抑制することができる。
本発明の第一実施形態におけるLED素子用リードフレーム基板を示す平面図である。 図1のA−A線における断面図である。 図1のB―B線における断面図である。 (a)から(g)は、同リードフレーム基板の製造手順を示す図である。 (a)から(i)は、本発明の第二実施形態におけるLED素子用リードフレーム基板の製造手順を示す図である。
本発明の第一実施形態について、図1から図4(g)を参照して説明する。
図1は、本実施形態のリードフレーム基板1にLEDチップ(LED発光素子)100が実装されたLEDパッケージ110を示す平面図であり、図2は、図1のA−A線における断面図である。リードフレーム基板1は、図1および図2に示すように、金属製のフレーム部10と、フレーム部10に取り付けられた樹脂部20とを備えている。
フレーム部10は、金属合金製の板状の材料をエッチング加工することにより形成されており、LEDチップ100が搭載されるパッド部11と、平面視においてパッド部11を挟んで対向する接続エリア12とを備えている。
図3は、図1のB−B線における断面図である。図2および図3に示すように、パッド部11および接続エリア12はフレーム部10の厚さ方向の一方の面(上面)に形成されており、反対側の下面には、パッド部11および接続エリア12と接続された放熱部13Aおよび13Bがそれぞれ形成されている。放熱部13Aおよび13Bの下面上における面積は、それぞれパッド部11および接続エリア12の上面における面積よりも大きく形成されており、LEDチップ100から発生する駆動熱やLEDチップ100の周辺環境条件による熱を外部に拡散させ、LEDチップ100に熱が蓄積されることを抑制している。
樹脂部20は、エッチングにより形成されたフレーム部10の隙間を埋める充填部21と、フレーム部10の上面に形成されるリフレクター部22とを備えている。
充填部21は、パッド部11および接続エリア12と、放熱部13Aおよび13Bとを露出させるように形成されている。リフレクター部22は、図1に示すように、リードフレーム基板1の平面視においてパッド部11および接続エリア12を囲むように形成されており、図2に示すように、リフレクター部22に囲まれた領域が、LEDチップ100が実装されるキャビティCとなっている。リフレクター部22のうちキャビティCを規定する内面22Aは、上端から下端に向かうに従いキャビティCの面方向(フレーム部10の上面と平行な方向)における断面積が小さくなるようにテーパー状に形成されている。
パッド部11、接続エリア12、および放熱部13A、13Bの面上には、メッキ層14が形成され、LEDチップ100実装時および外部基板接続時の電気的接続の信頼性が高められている。LEDチップ100は、パッド部11の上面に固着して搭載され、各接続エリア12の上面とLEDチップ20の図示しない端子とが金線等のワイヤー101を用いたワイヤーボンディングにより電気的に接続されてリードフレーム基板1に実装されている。
実装されたLEDチップ100および各ワイヤー101は、キャビティC内に充填された透明な封止樹脂102により封止されている。こうして、リードフレーム基板1を用いたLEDパッケージ110が形成されている。
次に、本実施形態におけるリードフレーム基板1の製造方法について説明する。
まず、図4(a)に示すように、フレーム部となる金属板30の上面30Aおよび下面30Bにレジスト層31を積層する。レジスト層31の積層は、感光性レジストを塗布する、ドライフィルムレジストを貼付する等の方法により行うことができる。
次に、所定のパターンを有するフォトマスク(不図示)を用いてレジスト層31に対して露光、現像処理等を行い、図4(b)に示すように、金属板30の上面30Aおよび下面30Bにレジストパターン32を形成する(レジストパターン形成工程)。フォトマスクのパターンは、上面側においては、パッド部11および接続エリア12の位置および形状に対応し、下面側においては、放熱部13Aおよび13Bの位置および形状に対応している。
次に、図4(c)に示すように、金属板30の上面30Aおよび下面30B側から塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工する(エッチング工程)。これにより、レジストパターン32の存在しない部位が金属板30の厚さ方向にエッチングされ、パッド部11および接続エリア12と、放熱部13Aおよび13Bとを有するフレーム部10のおおよその形状が完成する。
エッチング工程終了時において、パッド部11および接続エリア12と、放熱部13Aおよび13Bは、レジストパターン32で被覆されている。続く樹脂部形成工程では、フレーム部10にレジストパターン32が接合された状態のまま、図4(d)に示すように、上型105と下型106とでフレーム部10を厚さ方向に挟み、公知のトランスファーモールドによって樹脂を充填し、充填部21およびリフレクター部22を有する樹脂部20を形成する。
図4(e)は、樹脂部形成工程後のフレーム部10を示す図である。図4(e)に示すように、レジストパターン32の表面には、上型105または下型106とレジストパターン32との間の微小な隙間に樹脂が進入することにより形成された樹脂バリ23等が存在している。
次に、レジスト剥離液等を用いてレジストパターン32を除去して、図4(f)に示すように、パッド部11および接続エリア12と、放熱部13Aおよび13Bとを露出させる(余剰樹脂除去工程)。レジストパターン32が除去されることにより、レジストパターン32に付着していた樹脂バリ等も一緒に除去され、パッド部11および接続エリア12と、放熱部13Aおよび13Bとが樹脂バリ等のない状態で露出される。
次に、図4(g)に示すように、パッド部11および接続エリア12の表面にメッキ処理を行い、メッキ層14を形成する。(メッキ処理工程)。メッキ処理では、銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキなどを用いることができる。また、これらのメッキ処理を施す前に、耐熱拡散性が優れたニッケルメッキなどの下地メッキを施してもよい。本実施形態では、放熱部13Aおよび13Bの表面にもメッキ処理が行われる。
メッキ処理工程が終わると、リードフレーム基板1が完成する。
本実施形態のリードフレーム基板1の製造方法によれば、エッチング工程終了後にパッド部11および接続エリア12を被覆するように残存するレジストパターン32をフレーム部10から除去せずに樹脂部形成工程を行うため、樹脂バリ等は、レジストパターン32上に形成され、パッド部11および接続エリア12の表面には生じない。
したがって、レジストパターン32がパッド部11および接続エリア12を樹脂バリ等から保護する保護層として機能し、レジストパターン除去工程においてレジストパターン32を樹脂バリ等とともに除去することにより、容易にパッド部11および接続エリア12を露出させることができる。その結果、ウェットブラスト等を用いた従来の樹脂バリ等除去のための工程を省略することができ、効率よくリードフレーム基板を製造することができる。
また、レジストパターン除去工程において用いられるレジスト剥離液により、樹脂部20の表面が適度に粗くなるため、キャビティを封止樹脂で封止する際に、樹脂部と封止樹脂との密着性を高めることができる。
本発明の第二実施形態について、図5(a)から図5(i)を参照して説明する。本実施形態のリードフレーム基板の製造方法と、第一実施形態のリードフレーム基板の製造方法との異なるところは、メッキ処理工程のタイミングである。なお、以降の説明において、既に説明したものと共通する構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図5(a)から図5(i)は、本実施形態のリードフレーム基板の製造方法の流れを示す図である。この製造方法において、上述のエッチング工程までの流れは、図5(a)から図5(c)に示すように第一実施形態と同様である。本実施形態においては、エッチング工程終了後、図5(d)に示すように、レジストパターン32が除去され、図5(e)に示すように、フレーム部10をメッキ浴につける等によりメッキ処理を行う(メッキ処理工程)。本実施形態では、フレーム部10の外面全体にメッキ層14が形成されているが、メッキ処理工程は、パッド部11および接続エリア12の上面にのみ行われてもよい。
先メッキ工程終了後、図5(f)に示すように、パッド部11および接続エリア12と、放熱部13Aおよび13Bとを覆うように、樹脂からなる保護層35を形成する(保護層形成工程)。保護層35は、後で剥離のしやすいものを用いて形成するのが好ましく、本実施形態では上述のフォトレジストにより形成される。
保護層形成工程終了後は、図5(g)から図5(i)に示すように、第一実施形態とほぼ同様の手順で、樹脂部形成工程と、余剰樹脂除去工程が行われる。図5(i)に示すようにパッド部11および接続エリア12と、放熱部13Aおよび13Bとが露出されると、リードフレーム基板1Aが完成する。リードフレーム基板1Aは、上述のリードフレーム基板1とほぼ同様の構造を有するが、フレーム部10において、外面全体にメッキ処理が施されている点がリードフレーム基板1と異なっている。
本実施形態のリードフレーム基板の製造方法によっても、第一実施形態同様、樹脂部形成工程後にパッド部および接続エリアに形成される樹脂バリ等を好適に防ぐことができる。
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において各構成要素に種々の変更を加えたり、削除したり、各実施形態の構成要素を適宜組み合わせたりすることが可能である。
例えば、本発明のリードフレーム基板の製造方法においては、一枚の金属板にパッド部および接続エリアを複数組形成し、各組に対応するように複数のリフレクター部を有する樹脂部を形成して、その後、一つずつ切り離すことにより多数のリードフレーム基板が製造されてもよい。
1、1A LED素子用リードフレーム基板
10 フレーム部
11 パッド部
12 接続エリア
14 メッキ層
20 樹脂部
22 リフレクター部
30 金属板
32 レジストパターン(保護層)
35 保護層
100 LED素子
101 ワイヤー

Claims (4)

  1. LED素子が搭載されるパッド部と、ワイヤーを介して前記パッド部に搭載された前記LED素子と電気的に接続される接続エリアとを有するフレーム部と、平面視において前記パッド部および前記接続エリアを囲むリフレクター部を有し、前記フレーム部に取り付けられた樹脂部とを備えたLED素子用リードフレーム基板の製造方法であって、
    金属板に前記パッド部および前記接続エリアを形成して前記フレーム部を形成するエッチング工程と、
    前記エッチング工程後に前記フレーム部に対して前記樹脂部を成形する樹脂部形成工程と、
    を備え、
    前記樹脂部形成工程は、前記パッド部および前記接続エリアが樹脂からなる保護層に被覆された状態で行われ、
    前記樹脂部形成工程後に、前記保護層が除去されて前記パッド部および前記接続エリアが露出されることを特徴とするLED素子用リードフレーム基板の製造方法。
  2. 前記エッチング工程に用いられたレジストパターンが前記保護層として用いられることを特徴とする請求項1に記載のLED素子用リードフレーム基板の製造方法。
  3. 前記パッド部および前記接続エリアにメッキ処理を施すメッキ処理工程をさらに備え、
    前記メッキ処理工程は、前記保護層が除去された後に行われることを特徴とする請求項2に記載のLED素子用リードフレーム基板の製造方法。
  4. 前記パッド部および前記接続エリアにメッキ処理を施すメッキ処理工程をさらに備え、
    前記メッキ処理工程は、前記樹脂部形成工程の前に行われ、その後に前記保護層が形成されることを特徴とする請求項1に記載のLED素子用リードフレーム基板の製造方法。
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JP2014165486A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Itabashi Seiki Kk パワーデバイスモジュールとその製造方法

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