JPH11220178A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH11220178A JPH11220178A JP10055661A JP5566198A JPH11220178A JP H11220178 A JPH11220178 A JP H11220178A JP 10055661 A JP10055661 A JP 10055661A JP 5566198 A JP5566198 A JP 5566198A JP H11220178 A JPH11220178 A JP H11220178A
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- Japan
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- light emitting
- emitting device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光効率を改善し、薄形に形成した半導体発
光装置を提供すること。 【解決手段】 ＬＥＤ素子６を第２の白色基板２２の凹
部２２ａ内に収納し、ＬＥＤ素子６のサファイア基板６
ｂ側の発光面とは反対側の片面６ａに設けたｐ側電極と
ｎ側電極がスルーホール導体２３、２４と電気的に接続
されるように、導電材４、５を接合材料としてＬＥＤ素
子６を第１の白色基板２１上にダイボンデングする。第
１の白色基板２１上にダイボンデングされたＬＥＤ素子
６は、光透過性合成樹脂モールド部８により全面が覆わ
れて封止され、半導体発光装置２０を構成する。
光装置を提供すること。 【解決手段】 ＬＥＤ素子６を第２の白色基板２２の凹
部２２ａ内に収納し、ＬＥＤ素子６のサファイア基板６
ｂ側の発光面とは反対側の片面６ａに設けたｐ側電極と
ｎ側電極がスルーホール導体２３、２４と電気的に接続
されるように、導電材４、５を接合材料としてＬＥＤ素
子６を第１の白色基板２１上にダイボンデングする。第
１の白色基板２１上にダイボンデングされたＬＥＤ素子
６は、光透過性合成樹脂モールド部８により全面が覆わ
れて封止され、半導体発光装置２０を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コストを低減し発
光効率を改善すると共に薄形に形成した半導体発光装置
に関する。
光効率を改善すると共に薄形に形成した半導体発光装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子を用いた表面実装形の半
導体発光装置が各種の産業機器、民生機器等に使用され
ている。このような半導体発光装置の従来例について、
図２により説明する。図２は、半導体発光素子として発
光ダイオード素子（以下、ＬＥＤ素子と略称する）を用
いた半導体発光装置１１の断面図である。
導体発光装置が各種の産業機器、民生機器等に使用され
ている。このような半導体発光装置の従来例について、
図２により説明する。図２は、半導体発光素子として発
光ダイオード素子（以下、ＬＥＤ素子と略称する）を用
いた半導体発光装置１１の断面図である。
【０００３】図２において、１はセラミックスや非透明
合成樹脂等の電気絶縁材料からなる矩形状絶縁基体で、
矩形状絶縁基体１の底面から側面を介して表面に導出さ
れる一対のメタライズ配線層２、３を被着する。ＬＥＤ
素子６は、例えばサファイア基板６ｂ上にＧａＮ等の窒
素化合物を気相成長させて発光層を形成し、矩形状絶縁
基体１側の片面６ａにｐ側電極とｎ側電極を設けてい
る。
合成樹脂等の電気絶縁材料からなる矩形状絶縁基体で、
矩形状絶縁基体１の底面から側面を介して表面に導出さ
れる一対のメタライズ配線層２、３を被着する。ＬＥＤ
素子６は、例えばサファイア基板６ｂ上にＧａＮ等の窒
素化合物を気相成長させて発光層を形成し、矩形状絶縁
基体１側の片面６ａにｐ側電極とｎ側電極を設けてい
る。
【０００４】７は、凹部７ａを形成してこの凹部７ａ内
にＬＥＤ素子６を収納するリフレクタで、非透明合成樹
脂等の基板を用いて規定の厚さで成型される。この凹部
７ａの側面には反射塗料を塗布して反射層を形成する。
矩形状絶縁基体１とリフレクタ７とは接着材９、１０に
より積層される。
にＬＥＤ素子６を収納するリフレクタで、非透明合成樹
脂等の基板を用いて規定の厚さで成型される。この凹部
７ａの側面には反射塗料を塗布して反射層を形成する。
矩形状絶縁基体１とリフレクタ７とは接着材９、１０に
より積層される。
【０００５】各メタライズ配線層２、３の表面には導電
材４、５を接着している。ＬＥＤ素子６をリフレクタ７
の凹部７ａ内に収納し、ＬＥＤ素子６の片面６ａに設け
たｐ側電極とｎ側電極が一対のメタライズ配線層２、３
と電気的に接続されるように、導電材４、５を接合材料
としてＬＥＤ素子６を矩形状絶縁基体１上にダイボンデ
ングする。８は透明合成樹脂または半透明合成樹脂製の
モールド部、すなわち、光透過性合成樹脂モールド部で
ＬＥＤ素子６の全面を覆い封止する。
材４、５を接着している。ＬＥＤ素子６をリフレクタ７
の凹部７ａ内に収納し、ＬＥＤ素子６の片面６ａに設け
たｐ側電極とｎ側電極が一対のメタライズ配線層２、３
と電気的に接続されるように、導電材４、５を接合材料
としてＬＥＤ素子６を矩形状絶縁基体１上にダイボンデ
ングする。８は透明合成樹脂または半透明合成樹脂製の
モールド部、すなわち、光透過性合成樹脂モールド部で
ＬＥＤ素子６の全面を覆い封止する。
【０００６】矩形状絶縁基体１上にダイボンデングされ
たＬＥＤ素子６は、このようにして形成された半導体発
光装置１１を回路基板に表面実装し、導電材で形成され
るメタライズ配線層２、３を回路基板に形成されている
配線導体に接続する。
たＬＥＤ素子６は、このようにして形成された半導体発
光装置１１を回路基板に表面実装し、導電材で形成され
るメタライズ配線層２、３を回路基板に形成されている
配線導体に接続する。
【０００７】半導体発光素子６のサファイア基板６ｂの
表面からから発射される出力光は、前記モールド部８を
透過して外部に放射される。また、出力光の一部はリフ
レクタ７の凹部７ａの側面で反射させ、この反射光も当
該モールド部８を透過させて外部に放射することによ
り、半導体発光装置１１の発光効率を向上させている。
表面からから発射される出力光は、前記モールド部８を
透過して外部に放射される。また、出力光の一部はリフ
レクタ７の凹部７ａの側面で反射させ、この反射光も当
該モールド部８を透過させて外部に放射することによ
り、半導体発光装置１１の発光効率を向上させている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体発光装置は、発光効率を改善するために非透明合成樹
脂等の基板を用いて成型されたリフレクタの凹部側面に
反射塗料を塗布しているので、工数が増加してコストが
高くなるという問題があった。また、半導体発光素子の
発光面とは反対側に発射される出力光は損失となり、有
効には利用されないという問題があった。
体発光装置は、発光効率を改善するために非透明合成樹
脂等の基板を用いて成型されたリフレクタの凹部側面に
反射塗料を塗布しているので、工数が増加してコストが
高くなるという問題があった。また、半導体発光素子の
発光面とは反対側に発射される出力光は損失となり、有
効には利用されないという問題があった。
【０００９】更に、絶縁基体には、規定の厚さで成型さ
れている別部材のリフレクタを積層しているので、半導
体発光素子の厚さを薄くしてもリフレクタの厚さが必要
以上に大きくなる場合があるため、半導体発光装置の高
さ寸法Ｔ１が大きくなるという問題があった。
れている別部材のリフレクタを積層しているので、半導
体発光素子の厚さを薄くしてもリフレクタの厚さが必要
以上に大きくなる場合があるため、半導体発光装置の高
さ寸法Ｔ１が大きくなるという問題があった。
【００１０】本発明はこのような問題に鑑み、コストを
低減し、発光効率を改善すると共に薄形に形成して小
型、軽量化が図られた半導体発光装置の提供を目的とす
る。
低減し、発光効率を改善すると共に薄形に形成して小
型、軽量化が図られた半導体発光装置の提供を目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体発光装置を、第１の白色基板と、第１の白色基板に
積層される凹部を形成した第２の白色基板と、前記第２
の白色基板の凹部に収納されて、発光面とは反対側のｐ
側及びｎ側電極を形成した片面で第１の白色基板上にダ
イボンデングされる半導体発光素子と、半導体発光素子
を封止する光透過性合成樹脂モールド部とを備える構成
とすることによって達成される。
導体発光装置を、第１の白色基板と、第１の白色基板に
積層される凹部を形成した第２の白色基板と、前記第２
の白色基板の凹部に収納されて、発光面とは反対側のｐ
側及びｎ側電極を形成した片面で第１の白色基板上にダ
イボンデングされる半導体発光素子と、半導体発光素子
を封止する光透過性合成樹脂モールド部とを備える構成
とすることによって達成される。
【００１２】本発明の上記特徴によれば、凹部を形成し
た第２の白色基板を第１の白色基板に積層し、第２の白
色基板の凹部に半導体発光素子を収納しているので、半
導体発光素子から発射される出力光は、半導体発光素子
の側面及び発光面とは反対側の底面でも反射されて外部
に放射されるので半導体発光装置の発光効率を改善する
ことができる。
た第２の白色基板を第１の白色基板に積層し、第２の白
色基板の凹部に半導体発光素子を収納しているので、半
導体発光素子から発射される出力光は、半導体発光素子
の側面及び発光面とは反対側の底面でも反射されて外部
に放射されるので半導体発光装置の発光効率を改善する
ことができる。
【００１３】また、第１、第２の白色基板自体を半導体
発光素子から発射される出力光の反射層として用いてい
るので、別途反射層を形成する必要がなくコストを低減
することができる。更に、第２の白色基板の厚さを半導
体発光素子の厚さに応じて選定することにより、半導体
発光装置を薄型に形成することができる。
発光素子から発射される出力光の反射層として用いてい
るので、別途反射層を形成する必要がなくコストを低減
することができる。更に、第２の白色基板の厚さを半導
体発光素子の厚さに応じて選定することにより、半導体
発光装置を薄型に形成することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１を参照して説明する。図１は半導体発光装置の断
面図である。図２と同一の部分または対応するところは
同一の符号を付しており詳細な説明は省略する。半導体
発光装置２０は、半導体発光素子として図２と同様構成
のＬＥＤ素子６を使用する。
て図１を参照して説明する。図１は半導体発光装置の断
面図である。図２と同一の部分または対応するところは
同一の符号を付しており詳細な説明は省略する。半導体
発光装置２０は、半導体発光素子として図２と同様構成
のＬＥＤ素子６を使用する。
【００１５】図１において、２１は裏面に所定の配線パ
ターンが形成され、スルーホールを通してスルーホール
導体２３、２４が表面に延在している第１の白色基板で
ある。第１の白色基板は、合成樹脂材の基板を使用す
る。
ターンが形成され、スルーホールを通してスルーホール
導体２３、２４が表面に延在している第１の白色基板で
ある。第１の白色基板は、合成樹脂材の基板を使用す
る。
【００１６】２２は、凹部２２ａが形成されている第２
の白色基板であり、第１の白色基板と２１同様に合成樹
脂材の基板を使用する。第２の白色基板２２は接着材
９、１０により接着して第１の白色基板２１に積層され
る。第２の白色基板の厚さは、半導体発光素子の厚さに
応じて機械的強度等を考慮して選定する。このため、半
導体発光装置２０の高さ寸法Ｔ２を小さくすることがで
きる。
の白色基板であり、第１の白色基板と２１同様に合成樹
脂材の基板を使用する。第２の白色基板２２は接着材
９、１０により接着して第１の白色基板２１に積層され
る。第２の白色基板の厚さは、半導体発光素子の厚さに
応じて機械的強度等を考慮して選定する。このため、半
導体発光装置２０の高さ寸法Ｔ２を小さくすることがで
きる。
【００１７】ＬＥＤ素子６を第２の白色基板２２の凹部
２２ａ内に収納し、ＬＥＤ素子６のサファイア基板６ｂ
側の発光面とは反対側の片面６ａに設けたｐ側電極とｎ
側電極がスルーホール導体２３、２４と電気的に接続さ
れるように、導電材４、５を接合材料としてＬＥＤ素子
６を第１の白色基板２１上にダイボンデングする。第１
の白色基板２１上にダイボンデングされたＬＥＤ素子６
は、光透過性合成樹脂モールド部８により全面が覆われ
て封止される。
２２ａ内に収納し、ＬＥＤ素子６のサファイア基板６ｂ
側の発光面とは反対側の片面６ａに設けたｐ側電極とｎ
側電極がスルーホール導体２３、２４と電気的に接続さ
れるように、導電材４、５を接合材料としてＬＥＤ素子
６を第１の白色基板２１上にダイボンデングする。第１
の白色基板２１上にダイボンデングされたＬＥＤ素子６
は、光透過性合成樹脂モールド部８により全面が覆われ
て封止される。
【００１８】半導体発光素子６のサファイア基板６ｂの
表面からから発射される出力光は、モールド部８を透過
して外部に放射される。また、出力光の一部は第２の白
色基板２２の側面で反射される。さらに、半導体発光素
子６の発光面とは反対側となる裏面側の、ｐ側電極とｎ
側電極が設けられている片面６ａに向けて発射される出
力光も第１の白色基板２１で反射される。
表面からから発射される出力光は、モールド部８を透過
して外部に放射される。また、出力光の一部は第２の白
色基板２２の側面で反射される。さらに、半導体発光素
子６の発光面とは反対側となる裏面側の、ｐ側電極とｎ
側電極が設けられている片面６ａに向けて発射される出
力光も第１の白色基板２１で反射される。
【００１９】すなわち、半導体発光素子６から発射され
る出力光は、第１、第２の白色基板２１、２２により半
導体発光素子６の底面と側面とで反射されることにな
り、これらの第１、第２の白色基板２１、２２で反射さ
れる反射光もモールド部８を透過させて外部に放射す
る。したがって、従来有効に利用されていなかった半導
体発光素子６の発光面とは反対側に発射されていた出力
光を、反射光として外部に放射するので発光効率を改善
することができる。
る出力光は、第１、第２の白色基板２１、２２により半
導体発光素子６の底面と側面とで反射されることにな
り、これらの第１、第２の白色基板２１、２２で反射さ
れる反射光もモールド部８を透過させて外部に放射す
る。したがって、従来有効に利用されていなかった半導
体発光素子６の発光面とは反対側に発射されていた出力
光を、反射光として外部に放射するので発光効率を改善
することができる。
【００２０】このように、本発明の半導体発光装置２０
は、第２の白色基板２２の厚さをＬＥＤ素子６の厚さに
応じて選定できるので、高さ寸法Ｔ２を従来よりも小さ
くすることができる。例えば、従来例においては半導体
発光装置１１の高さ寸法Ｔ１は約０．５ｍｍ程度であっ
たが、本発明の半導体発光装置２０の高さ寸法Ｔ２は、
０．３ｍｍ以下にすることが可能である。このため、本
発明の半導体発光装置は、特に小型、軽量化が要請され
ている携帯型の製品へ適用できる利点がある。
は、第２の白色基板２２の厚さをＬＥＤ素子６の厚さに
応じて選定できるので、高さ寸法Ｔ２を従来よりも小さ
くすることができる。例えば、従来例においては半導体
発光装置１１の高さ寸法Ｔ１は約０．５ｍｍ程度であっ
たが、本発明の半導体発光装置２０の高さ寸法Ｔ２は、
０．３ｍｍ以下にすることが可能である。このため、本
発明の半導体発光装置は、特に小型、軽量化が要請され
ている携帯型の製品へ適用できる利点がある。
【００２１】上記の例では、半導体発光装置２０は、半
導体発光素子としてサファイア基板の上にＧａＮ等の窒
素化合物を気相成長させて発光層を形成し、サファイア
基板を発光面とする構成のＬＥＤ素子６を使用してい
る。しかしながら本発明の半導体発光装置は、このよう
な構成のＬＥＤ素子以外の半導体発光素子にも適用でき
るものである。
導体発光素子としてサファイア基板の上にＧａＮ等の窒
素化合物を気相成長させて発光層を形成し、サファイア
基板を発光面とする構成のＬＥＤ素子６を使用してい
る。しかしながら本発明の半導体発光装置は、このよう
な構成のＬＥＤ素子以外の半導体発光素子にも適用でき
るものである。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体発光
装置は、凹部を形成した第２の白色基板を第１の白色基
板に積層し、第２の白色基板の凹部に半導体発光素子を
収納しているので、半導体発光素子から発射される出力
光は、半導体発光素子の側面及び発光面とは反対側の底
面で反射されて外部に放射されることになり、半導体発
光装置の発光効率を改善することができる。
装置は、凹部を形成した第２の白色基板を第１の白色基
板に積層し、第２の白色基板の凹部に半導体発光素子を
収納しているので、半導体発光素子から発射される出力
光は、半導体発光素子の側面及び発光面とは反対側の底
面で反射されて外部に放射されることになり、半導体発
光装置の発光効率を改善することができる。
【００２３】また、第１、第２の白色基板自体を半導体
発光素子から発射される出力光の反射層として用いてい
るので、別途反射層を形成する必要がなくコストを低減
することができる。更に、第２の白色基板の厚さを半導
体発光の厚さに応じて選定することにより、半導体発光
装置を薄型に形成することができ、小型、軽量化が図れ
る。
発光素子から発射される出力光の反射層として用いてい
るので、別途反射層を形成する必要がなくコストを低減
することができる。更に、第２の白色基板の厚さを半導
体発光の厚さに応じて選定することにより、半導体発光
装置を薄型に形成することができ、小型、軽量化が図れ
る。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の断
面図である。
面図である。
【図２】従来例の半導体発光装置の断面図である。
１ 絶縁基体 ２、３ メタライズ配線層 ４、５ 導電材 ６ ＬＥＤ素子 ６ｂ サファイア基板 ７ リフレクタ ８ 光透過性合成樹脂モールド部 ９、１０ 接着材 １１、２０ 半導体発光装置 ２１ 第１の白色基板 ２２ 第２の白色基板 ２３、２４ スルーホール導体
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の白色基板と、第１の白色基板に積
層される凹部を形成した第２の白色基板と、前記第２の
白色基板の凹部に収納されて、発光面とは反対側のｐ側
及びｎ側電極を形成した片面で第１の白色基板上にダイ
ボンデングされる半導体発光素子と、半導体発光素子を
封止する光透過性合成樹脂モールド部とを備えてなる半
導体発光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10055661A JPH11220178A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体発光装置 |
| US09/221,837 US6184544B1 (en) | 1998-01-29 | 1998-12-29 | Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer |
| DE19901916A DE19901916B4 (de) | 1998-01-29 | 1999-01-19 | Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10055661A JPH11220178A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220178A true JPH11220178A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=13005041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10055661A Pending JPH11220178A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-30 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220178A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
| JP2005057265A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 半導体発光デバイス用の実装 |
| WO2005020338A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体発光素子搭載部材、それを用いた発光ダイオード構成部材、およびそれを用いた発光ダイオード |
| JP2005277227A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
| WO2006035913A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Tokuyama Corporation | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 |
| JP2006093711A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 半導体発光素子ユニット |
| WO2006112039A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 表面実装型光半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007116165A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 半導体照明装置のためのパッケージ構造体およびその製造方法 |
| JP2007266647A (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| KR101155693B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-06-12 | 가부시끼가이샤 엘리먼트 덴시 | 리플렉터 부착 실장 기판의 제조 방법 |
| US9666772B2 (en) * | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10055661A patent/JPH11220178A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197972A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-07-11 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高輝度発光ダイオード |
| US9666772B2 (en) * | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
| JP2005057265A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 半導体発光デバイス用の実装 |
| US7491980B2 (en) | 2003-08-26 | 2009-02-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light-emitting device mounting member, light-emitting diode constituting member using same, and light-emitting diode using same |
| WO2005020338A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体発光素子搭載部材、それを用いた発光ダイオード構成部材、およびそれを用いた発光ダイオード |
| JP4817845B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-11-16 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
| JP2007266647A (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2005277227A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP4516337B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-08-04 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2006093711A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 半導体発光素子ユニット |
| WO2006035913A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Tokuyama Corporation | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 |
| US7718456B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-05-18 | Tokuyama Corporation | Package for housing light-emitting element and method for manufacturing package for housing light-emitting element |
| JP4659421B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-03-30 | 株式会社トクヤマ | 発光素子収納用パッケージの製造方法 |
| JP2006100688A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Tokuyama Corp | 発光素子収納用パッケージの製造方法 |
| WO2006112039A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 表面実装型光半導体装置およびその製造方法 |
| KR101155693B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-06-12 | 가부시끼가이샤 엘리먼트 덴시 | 리플렉터 부착 실장 기판의 제조 방법 |
| JP2007116165A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 半導体照明装置のためのパッケージ構造体およびその製造方法 |
| JP4658897B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-03-23 | アドヴァンスト オプトエレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド | 半導体照明装置のためのパッケージ構造体およびその製造方法 |
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