JP2005277227A - 半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 輝度が向上し、輝度バラツキが少ない半導体発光装置。
【解決手段】 ＳＭＤ型ＬＥＤ１５の両面プリント配線基板１１中央に貫通穴１１ａが形成されている。基板１１の上面の接続電極２ａ、３ａから下面の端子電極２ｂ、３ｂに接続された配線パターン２、３が形成されている。青色ＬＥＤ素子４が、電極面４ａを上（フェイスアップ）にして貫通穴１１ａ内に白色系樹脂７を介して固定されている。ＬＥＤ素子４の電極と接続電極２ａ及び３ａとをボンディングワイヤ５で接続してある。で、ＬＥＤ素子４の電極面４ａである出光面を蛍光体入り樹脂６が覆っている。拡散反射効果の高い白色の白色系樹脂７が、出光面を除くＬＥＤ素子４の周囲を覆っている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体発光装置に関する。
半導体発光装置である発光ダイオード（ＬＥＤ）は、ＡｌＩｎＧａＰやＧａＮなどの化合物半導体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順方向電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るものであり、近年、表示をはじめ、通信、計測、制御などの機器に広く応用されている。一方、近年の電子機器は、高性能化・多機能化と共に、小型化・軽量化を追求している。更に、特に放熱性・信頼性が重視される分野にも適用範囲が拡大している。そのために電子機器に使用される電子部品は、プリント配線基板上に表面実装できる部品（ＳＭＤ）としたものが多い。そしてこのような電子部品は、一般的に略立方体形状をしており、プリント配線基板上の配線パターンにリフロー半田付けなどの固着手段で実装される。ＬＥＤにもこうした要求に応えるものが開発されている（例えば、特許文献１参照。）。
このような従来のＬＥＤについて、図面に基づいてその概要を説明する。図２１は従来のＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図である。図２１において、１００は略立方体形状のＳＭＤ型ＬＥＤである。１０１は両面プリント配線基板である。１０２は、接続電極１０２ａから側面電極を経由して下面の端子電極１０２ｂに至る一方の配線パターンであり、１０３は同じく接続電極１０３ａから側面電極を経由して下面の端子電極１０３ｂに至る他方の配線パターンである。
１０４は基板１０１上に接合された半導体発光素子としての青色ＬＥＤ素子であり、１０５はＡｕ線などより成るワイヤであり、ワイヤ１０５を用いてＬＥＤ素子１０４の電極と接続電極１０２ａと１０３ａとがワイヤボンディング接続されている。１０６は、ＬＥＤ素子１０４の表面に塗布された蛍光体入り樹脂である。１０７はＬＥＤ素子１０４及びワイヤ１０５などの保護と、ＬＥＤ素子１０４の発光を効果的にすることのために封止している、透光性のエポキシ樹脂などから成る封止樹脂である。１０８はダイボンド用接着剤である。
図２２は他の従来のＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図である。図２２において、１１０は略立方体形状のＳＭＤ型ＬＥＤであり、１１１は両面プリント配線基板である。ＬＥＤ１００と異なるのはＬＥＤ素子１０４が基板１０４の中央部にまで延長されて形成された一方の接続電極１０３ａ上にダイボンディングされているところだけである。他の構成はＬＥＤ１００と同じであるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを用いて説明を省略する。ＬＥＤ１１０はＬＥＤ１００より放熱性が向上する効果がある。
図２３は更に他の従来のＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図である。図２３において、１２０は略立方体形状のＳＭＤ型ＬＥＤであり、ＬＥＤ１１０と異なるのは蛍光体入り樹脂１０６でＬＥＤ素子１０４が封止されているところだけであり、他の構成はＬＥＤ１１０と同じであるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを用いて説明を省略する。
図２４は更にまた他の従来のＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図である。このＬＥＤは特許文献１の図１に示されているものと同様なものである。図２４において、１３０は略立方体形状のＳＭＤ型ＬＥＤであり、１３１は両面プリント配線基板であり、中央に凹部１３１ａが形成されている。ＬＥＤ素子１０４は凹部１３１ａ内に接着剤により固定されている。１０９は基板１上に接合された反射カップである。反射カップ１０９は傾斜した内面を有する枠状樹脂成形品であり、樹脂が白色であるか、又は光沢銀メッキなどが施されている。その他の構成は他の従来例と同じであるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを用いて説明を省略する。
特開２００１−２１０８７２号公報（図１、段落番号００２３〜００２７）
しかしながら、従来のＬＥＤ１００、１１０では、ＬＥＤ素子１０４の周りを蛍光体入り樹脂１０６で覆う工程において、均一に薄く被覆することが難しく、輝度バラツキの原因になっていた。特に側面では樹脂がたれるので、蛍光体の密度は上部が薄く下部が濃くなったりして、輝度バラツキの原因になっていた。また、ＬＥＤ１２０では、蛍光体の分散バラツキや蛍光体の沈殿などがあり、輝度バラツキの原因になっていた。また、ＬＥＤ１３０では、蛍光体の沈殿などがあり、輝度バラツキの原因になっていた。更に、何れのＬＥＤの場合も発光素子１０４は周囲を蛍光体入り樹脂１０６で覆われているので、ジャンクション部分から発生した光が蛍光体に当たって励起され、励起された白色光のうち素子内部へ向かった光がもう一度別の面にある蛍光体に当たることになる。一度励起された白色光が蛍光体に当たっても殆ど励起されず、蛍光体が白色光を遮蔽することになるので、光の変換効率がよくない。
上記発明は、このような従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、輝度バラツキが少なく、輝度が向上した半導体発光装置を提供することである。
前述した目的を達成するための本発明の手段は、一面に接続電極を形成し他の一面にこの接続電極と導通する端子電極を形成した両面プリント配線基板に発光素子を搭載して、この発光素子を樹脂封止して成る半導体発光装置において、前記発光素子は光が出光面だけから出るように、前記出光面以外の全ての面を拡散反射効果のある樹脂で被覆し、前記出光面を蛍光体入り樹脂で覆ったことを特徴とする。
また、前記発光素子は前記出光面の反対面が前記両面プリント配線基板面に接着されており、前記両面プリント配線基板の接着面は拡散反射効果のある基板面であり、前記発光素子は前記接着面に透光性の接着剤で接着されたことを特徴とする。
また、前記発光素子は前記出光面の反対面が前記両面プリント配線基板面に接着されており、前記両面プリント配線基板の接着面は鏡面反射効果のある基板面であり、前記発光素子は前記接着面に透光性の接着剤で接着されたことを特徴とする。
また、前記拡散反射効果のある基板面は、白色系の樹脂基板の素地、白色系のセラミックス基板の素地、表面を粗面化したアルミニウム及び銀などの金属基板の素地、並びに表面を粗面化したメッキ面の中から選択した何れか一つであることを特徴とする。
また、前記鏡面反射効果のある基板面は、鏡面メッキされた基板又は鏡面加工された金属基板であることを特徴とする。
また、前記拡散反射効果のある樹脂は、白色系の樹脂又は酸化チタンなど白色で拡散反射効果が高くなるようなフィラーを混ぜた樹脂の何れかであることを特徴とする。
また、前記発光面の周囲を囲むように前記両面プリント配線基板に反射面を有する枠状部材を接合したことを特徴とする。
また、前記両面プリント配線基板上の前記発光素子の前記出光面を覆うように透光性樹脂で封止したことを特徴とする。
また、前記出光面はジャンクション面と平行な何れか一方の面である前記出光面はジャンクション面と平行な何れか一方の面であることを特徴とする。
以上説明したように、本発明によれば、一面に接続電極を形成し他の一面にこの接続電極と導通する端子電極を形成した両面プリント配線基板に発光素子を搭載して、この発光素子を樹脂封止して成る半導体発光装置において、前記発光素子は光が出光面だけから出るように、前記出光面以外の全ての面を拡散反射効果のある樹脂で被覆し、前記出光面を蛍光体入り樹脂で覆ったので、輝度のバラツキが少ない半導体発光装置が得られた。また、反射カップを設けることで正面輝度の大幅アップ、反射カップがない場合には、均一な指向性が得られた。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第一の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図２は同じく斜視図である。図１、図２において、１５は略立方体形状の外形をもつ半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。１１は平板状の両面プリント配線基板であり、基板１１中央に断面が四角の貫通穴１１ａが形成されている。２は基板１１の接続電極２ａから下面の端子電極２ｂにスルーホールなどで接続された配線パターンである。３は同様に接続電極３ａから端子電極３ｂにかけて形成された配線パターンである。
４は略立方体形状の半導体発光素子である青色ＬＥＤ素子であり、ＬＥＤ素子４のＰＮジャンクション面に平行な出光面である電極面４ａを上（フェイスアップ）にして貫通穴１１ａ内に後述の樹脂７を介して固定されている。５はＬＥＤ素子４の電極と接続電極２ａ及び３ａとを接続している金線などのボンディングワイヤである。６はＹＡＧ系などの蛍光体を均一に分散させた蛍光体入り樹脂であり、貫通穴１１ａを含んでＬＥＤ素子４の電極面４ａである出光面を所定の厚さで覆っている。７は拡散反射効果のある樹脂である白色系の樹脂又は酸化チタンなど白色で拡散反射効果が高くなるフィラーを混ぜた樹脂の何れかであり、出光面４ａを除くＬＥＤ素子４の周囲を覆っている。ここで拡散反射とは、光源からの光が光沢の少ないざらざらした面に当たって全ての方向に均一に乱反射することをいう。９は基板上を封止している透明樹脂である。
次に、本発明の第二の実施の形態について説明する。図３は本発明の第二の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図４は同じく斜視図である。図３、図４において、２０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。２１は拡散反射効果のある材料である白色系の樹脂基板の素地、白色系のセラミックス基板の素地、表面を粗面化したアルミニウム及び銀などの金属基板の素地、並びに表面を粗面化したメッキ面の何れかより成る両面プリント配線基板であり、基板２１中央に四角い凹部２１ａが形成されている。８は拡散反射効果のある白色系のダイボンド用接着剤である。ＬＥＤ素子４は、出光面である電極面４ａの反対面４ｂが凹部２１ａの底面に接着剤８で接合され、電極面４ａ及びその反対面４ｂを除く周囲を白色系樹脂７で覆われて凹部２１ａに埋設されている。ここで、ＬＥＤ素子４の接着面である凹部２１ｂの底面だけが鏡面反射効果のある鏡面メッキされた基板又は鏡面加工された金属基板であってもよく、その場合には接着剤に透光性の接着剤を使用する。
ここで、鏡面反射とは、光源からの光が光沢のある面に入射して入射角と反対側の反射角の方向に強く反射することをいう。鏡面反射効果のある部材は、上記のものの他例えば、光沢のあるアルミニウムや銀などの金属又は光沢銀メッキを施した材料などでもよい。その他の構成はＬＥＤ１５と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを付して詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第三の実施の形態について説明する。図７は本発明の第三の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図８は同じく斜視図である。図７、図８において、３０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。３１は両面プリント配線基板であり、基板３１の中央には貫通穴３１ａが、下面側には段部３１ｂが形成されている。配線パターン２及び３は段部３１ｂ上に形成された接続電極２ａ及び３ａから下面の端子電極２ｂ及び３ｂを経て上面にまで配設されている。ＬＥＤ素子４は貫通穴３１ａ内にワイヤ実装され、貫通穴３１ａ及び段部３１ｂ側には白色系樹脂７が充填され、ＬＥＤ素子４のジャンクション面と平行な面である電極面４ａの反対面４ｂが出光面となっており、この出光面及びその周囲の白色系樹脂７の上は蛍光体入り樹脂６により所定の厚さで覆われている。その他の構成はＬＥＤ１５と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを付して詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第四の実施の形態について説明する。図９は本発明の第四の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図１０は同じく斜視図である。図９、図１０において、４０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。１０は内壁に傾斜した反射面を有する枠状部材である反射カップである。反射カップ１０は白色系の樹脂又はセラミックスの成形品又は内面を鏡面加工した金属枠などである。ＬＥＤ４０がＬＥＤ３０と異なるのは透明樹脂９の代わりに反射カップ１０が発光素子１０４を囲むように基板３１上に接合されているところである。その他の構成はＬＥＤ３０と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを付して詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第五の実施の形態について説明する。図１１は本発明の第五の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図１２は同じく斜視図である。図１１、図１２において、５０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。４１はＬＥＤ２０と同じ基板材料から成る両面プリント配線基板であり、基板４１上面にＬＥＤ素子４が接着剤８で接合されている。なお、基板４１に拡散反射効果がある場合には、接着剤８に透明なダイボンド用接着剤を使用してもよい。ＬＥＤ素子４の出光面である電極面４ａ及び反対面４ｂを除く周囲は白色系樹脂７で覆われている。出光面及びその外側の白色系樹脂７の上は所定の厚さの蛍光体入り樹脂６で覆われている。他の構成は本発明の第二の実施の形態であるＬＥＤ２０と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを用いて詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第六の実施の形態について説明する。図１３は本発明の第六の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図１４は同じく斜視図である。図１３、図１４において、６０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。５１は両面プリント配線基板であり、１２はＬＥＤ素子４の電極面４ａに形成されたバンプであり、ＬＥＤ素子４はバンプ１２を介して接続電極２ａ及び３ａにフェースダウンボンディングされている。ＬＥＤ素子４の電極面４ａの反対面４ｂが出光面となっており、出光面を除く側面並びに基板５１との隙間には白色系樹脂７が充填されている。蛍光体入り樹脂６は出光面及びこれと同じレベルの白色系樹脂７の上をも覆っている。その他の構成はＬＥＤ５０と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを付して詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第七の実施の形態について説明する。図１５は本発明の第七の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図１６は同じく斜視図である。図１５、図１６において、７０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。ＬＥＤ７０がＬＥＤ６０と異なるところは、ＬＥＤ素子４の周囲を透明樹脂９の代わりに反射カップ１０が覆っているところである。その他の構成はＬＥＤ６０と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを用いて詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第八の実施の形態について説明する。図１７は本発明の第八の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図１８は同じく斜視図である。図１７、図１８において、８０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。６１は両面プリント配線基板であり、中央に凹部６１ａが形成されている。凹部６１ａ底面の接続電極２ａ及び３ａから基板６１の側面を経由して下面の端子電極２ｂ及び３ｂに接続するように配線パターン２及び３が形成されている。
ＬＥＤ素子４はバンプ１２を介して凹部６１ａ内の接続電極２ａ及び３ａにフェースダウンボンディングされている。ＬＥＤ素子４と凹部６１ａとの隙間には白色系樹脂７が充填されている。その他の構成はＬＥＤ６０と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを付して詳細な説明を省略する。
次に、本発明の第九の実施の形態について説明する。図１９は本発明の第九の実施の形態であるＳＭＤ型ＬＥＤの縦断面図であり、図２０は同じく斜視図である。図１９、図２０において、９０は略立方体形状の半導体発光装置としてのＳＭＤ型ＬＥＤである。ＬＥＤ９０がＬＥＤ８０と異なるところは、透明樹脂９の代わりに反射カップ１０が接合されているところである。その他の構成はＬＥＤ８０と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを付して詳細な説明を省略する。
次に、以上説明した各実施の形態の作用効果について説明する。ＬＥＤ素子４のジャンクション部分から出た光のうち、蛍光体入り樹脂６で覆われた出光面に直接届いた光はその時点で励起されるし、蛍光体のない方向に向かった光はＬＥＤ素子４の下面や側面で反射され、出光面に戻ってきた時点で励起されるので、出光面でのみ効率よく白色光に変換される。また、蛍光体入り樹脂６は、ＬＥＤ素子４の出光面となる一面にのみ平面状態で塗布されるので、蛍光体入り樹脂６の粘度を高くしても塗布でき、そのために、蛍光体の分散のバラツキや沈殿などを抑制することができる。したがって、出射光の輝度のバラツキを抑えることがでる。また、発光部分が平面であるから、ＬＥＤ４０、ＬＥＤ７０及びＬＥＤ９０のように反射カップ１０を設けたものでは正面輝度の大幅な向上が達成される。
なお、本発明は、以上説明した実施の形態に限定されるものではなく、図５、図６は透明樹脂９の他の形態例を示す斜視図であり、ＬＥＤ１５、ＬＥＤ２０、ＬＥＤ３０、ＬＥＤ５０及びＬＥＤ８０において、透明樹脂９の封止部の形状は図５にすように、基板の外形より小さな立方体形状であってもよく、図６に示すようにドーム状であってもよい。また、透明樹脂９による封止も反射カップ１０も省いて完成体とする場合もある。また、ＬＥＤ４０、ＬＥＤ７０及びＬＥＤ９０において、反射カップ１０の外形は基板外形と同じか、より小さくてもよい。反射カップ１０の内面を略多角錐形状、略円錐形状、略球面形状、若しくは略放物面形状などに形成してもよい。これらの形状を採用することで、ＬＥＤの出射光の正面輝度の向上及び指向性を調整できる。
本発明の半導体発光装置であるＬＥＤは、表示をはじめ、通信、計測、制御などの機器に広く応用される。
本発明の第一の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第一の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第二の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第二の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の他の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の他の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第三の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第三の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第四の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第四の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第五の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第五の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第六の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第六の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第七の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第七の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第八の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第八の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 本発明の第九の実施の形態であるＬＥＤの縦断面図である。 本発明の第九の実施の形態であるＬＥＤの斜視図である。 従来のＬＥＤの縦断面図である。 従来の他のＬＥＤの縦断面図である。 従来の更に他のＬＥＤの縦断面図である。 従来のまた更に他のＬＥＤの縦断面図である。
符号の説明
２ａ 接続電極
３ａ 端子電極
４ ＬＥＤ素子
４ａ 電極面
４ｂ 反対面
６ 蛍光体入り樹脂
７ 白色系樹脂
８ 接着剤
９ 透明樹脂
１０ 反射カップ
１１、２１、３１、４１、５１、６１ 基板
１５、２０、３０、４０、５０、６０、７０ ＬＥＤ

Claims (9)

  1. 一面に接続電極を形成し他の一面にこの接続電極と導通する端子電極を形成した両面プリント配線基板に発光素子を搭載して、この発光素子を樹脂封止して成る半導体発光装置において、前記発光素子は光が出光面だけから出るように、前記出光面以外の全ての面を拡散反射効果のある樹脂で被覆し、前記出光面を蛍光体入り樹脂で覆ったことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記発光素子は前記出光面の反対面が前記両面プリント配線基板面に接着されており、前記両面プリント配線基板の接着面は拡散反射効果のある基板面であり、前記発光素子は前記接着面に透光性の接着剤で接着されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 前記発光素子は前記出光面の反対面が前記両面プリント配線基板面に接着されており、前記両面プリント配線基板の接着面は鏡面反射効果のある基板面であり、前記発光素子は前記接着面に透光性の接着剤で接着されたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
  4. 前記拡散反射効果のある基板面は、白色系の樹脂基板の素地、白色系のセラミックス基板の素地、表面を粗面化したアルミニウム及び銀などの金属基板の素地、並びに表面を粗面化したメッキ面の中から選択した何れか一つであることを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置。
  5. 前記鏡面反射効果のある基板面は、鏡面メッキされた基板又は鏡面加工された金属基板であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。
  6. 前記拡散反射効果のある樹脂は、白色系の樹脂又は酸化チタンなど白色で拡散反射効果が高くなるようなフィラーを混ぜた樹脂の何れかであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体発光装置。
  7. 前記発光面の周囲を囲むように前記両面プリント配線基板に反射面を有する枠状部材を接合したことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
  8. 前記両面プリント配線基板上の前記発光素子の前記出光面を覆うように透光性樹脂で封止したことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体発光装置。
  9. 前記出光面はジャンクション面と平行な何れか一方の面であることを特徴とする請求項１、請求項３乃至請求項８のいずれかに記載の半導体発光装置。
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Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007208136A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置
US7345318B2 (en) 2004-07-05 2008-03-18 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
JP2008199000A (ja) * 2007-01-18 2008-08-28 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
JP2008251604A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2009070756A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Oki Data Corp Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置
JP2010192629A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Nichia Corp 発光装置の製造方法
JP2010272847A (ja) * 2009-04-20 2010-12-02 Nichia Corp 発光装置
JP2010541284A (ja) * 2007-10-01 2010-12-24 インテマティックス・コーポレーション 蛍光体波長変換を備える発光デバイスおよびその製造方法
KR20110033091A (ko) * 2009-09-24 2011-03-30 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치의 제조방법, 반도체 발광장치 및 액정표시장치
JP2011066193A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法
KR20110040035A (ko) * 2009-10-13 2011-04-20 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
US7942550B2 (en) 2008-07-16 2011-05-17 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting device and backlight unit including the same
JP2012009633A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US8143634B2 (en) 2007-09-17 2012-03-27 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package with a phosphor substrate
JP2012069577A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012516026A (ja) * 2008-09-02 2012-07-12 ブリッジラックス インコーポレイテッド 蛍光体変換ｌｅｄ
JP2012209291A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US8475007B2 (en) 2008-06-09 2013-07-02 Nec Lighting, Ltd Light emitting device
JP2013149711A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2014003334A (ja) * 2013-09-25 2014-01-09 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びそれを備えた灯具
JP2014067876A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2014107351A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置、その製造方法、および、照明装置
US8836208B2 (en) 2011-06-17 2014-09-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device including LED element whose upper surface is free from white resin and method of manufacturing the same
US8841684B2 (en) 2011-07-01 2014-09-23 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device
WO2014178652A1 (ko) * 2013-04-30 2014-11-06 주식회사 세미콘라이트 기판 프레임 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
JP2015109484A (ja) * 2015-03-13 2015-06-11 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2015135994A (ja) * 2015-05-07 2015-07-27 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2015181181A (ja) * 2010-05-27 2015-10-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 電子装置および電子装置の製造方法
JP2015220307A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2015225878A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 胡文松 Ｓｍｄｌｅｄの放熱構造
JP2016015527A (ja) * 2008-10-17 2016-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光装置
US9502619B2 (en) 2014-05-20 2016-11-22 Nichia Corporation Side-view light emitting device including base body having protruding component
US9608178B2 (en) 2010-06-22 2017-03-28 Nitto Denko Corporation Semiconductor light emitting device
US9786826B2 (en) 2015-08-03 2017-10-10 Citizen Electronics Co., Ltd. LED light-emitting element
JP2017533552A (ja) * 2014-10-17 2017-11-09 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド バックライトユニット及びサイドビュー発光ダイオードパッケージ
KR101845194B1 (ko) * 2008-09-09 2018-04-03 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2018174334A (ja) * 2018-06-08 2018-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2020102646A (ja) * 2020-03-18 2020-07-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11257996B2 (en) 2007-11-29 2022-02-22 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method for producing the same

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4950557B2 (ja) * 2005-05-31 2012-06-13 三洋電機株式会社 半導体発光装置
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
DE112007000773B4 (de) * 2006-03-29 2013-04-25 Kyocera Corp. Licht emittierende Vorrichtung
US9780268B2 (en) * 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
USD738832S1 (en) 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
TWI342075B (en) * 2007-01-08 2011-05-11 Ledtech Electronics Corp Ceramic package for led
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR100802393B1 (ko) * 2007-02-15 2008-02-13 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그 제조방법
JP2008218511A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2008251618A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
TW200849638A (en) * 2007-06-01 2008-12-16 Lite On Technology Corp Light emitting diode package
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP2010003743A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Toshiba Corp 発光装置
KR101046750B1 (ko) * 2008-07-15 2011-07-05 (주)아스트로 발광 다이오드 모듈 및 그 제조 방법, 상기 발광 다이오드모듈을 구비하는 등기구
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
CN101621107B (zh) * 2009-07-30 2012-09-26 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种高光效发光二极管及其封装方法
US20110057557A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Projection led module and method of making a projection led module
USD661262S1 (en) * 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
WO2011052502A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 京セラ株式会社 発光装置
DE102010024864B4 (de) 2010-06-24 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US8587011B2 (en) * 2010-12-28 2013-11-19 Panasonic Corporation Light-emitting device, light-emitting module, and lamp
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
CN102544252B (zh) * 2011-07-05 2015-10-07 中国科学院福建物质结构研究所 一种利用基板高漫反射光学设计进行高效led芯片封装方法
JP5893888B2 (ja) 2011-10-13 2016-03-23 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
TWI462347B (zh) * 2011-11-07 2014-11-21 Lextar Electronics Corp 光源結構
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
CN103591480B (zh) * 2012-08-17 2016-02-17 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管照明装置
DE102013104840A1 (de) * 2013-05-10 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen
US9920889B2 (en) 2013-10-11 2018-03-20 Citizen Electronics Co., Ltd. Lighting device including phosphor cover and method of manufacturing the same
KR102235258B1 (ko) 2014-02-04 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
CN103904195B (zh) * 2014-03-14 2016-11-09 苏州晶品光电科技有限公司 容器式led荧光封装结构
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
DE102014106791B4 (de) 2014-05-14 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI578574B (zh) * 2014-07-14 2017-04-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件結構
CN111223975A (zh) 2015-09-18 2020-06-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN105895781A (zh) * 2016-06-02 2016-08-24 深圳市晶瓷光电有限公司 一种蓝光led倒装芯片的封装结构和封装方法
CN109755220B (zh) 2017-11-05 2022-09-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
TW201919261A (zh) 2017-11-05 2019-05-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07288341A (ja) * 1994-04-18 1995-10-31 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄディスプレイ
JPH11112025A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
JPH11145519A (ja) * 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
JPH11220178A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2000150969A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2000223752A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体装置及びその形成方法
JP2001210872A (ja) * 2000-01-26 2001-08-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2002033410A (ja) * 2000-05-11 2002-01-31 Mitsutoyo Corp 機能デバイスユニット及びその製造方法
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003152225A (ja) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004055632A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Toshiba Corp 半導体発光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3704941B2 (ja) * 1998-03-30 2005-10-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2001067917A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Matsushita Electronics Industry Corp 面発光装置
JP2002050797A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP4254266B2 (ja) * 2003-02-20 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2005079329A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07288341A (ja) * 1994-04-18 1995-10-31 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄディスプレイ
JPH11145519A (ja) * 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
JPH11112025A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Rohm Co Ltd チップ型発光素子
JPH11220178A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP2000150969A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2000223752A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体装置及びその形成方法
JP2001210872A (ja) * 2000-01-26 2001-08-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2002033410A (ja) * 2000-05-11 2002-01-31 Mitsutoyo Corp 機能デバイスユニット及びその製造方法
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003152225A (ja) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004055632A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Toshiba Corp 半導体発光装置

Cited By (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7345318B2 (en) 2004-07-05 2008-03-18 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
JP2007208136A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置
JP2008199000A (ja) * 2007-01-18 2008-08-28 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
US7763905B2 (en) 2007-01-18 2010-07-27 Citizen Electronics Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
JP2008251604A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US8143634B2 (en) 2007-09-17 2012-03-27 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package with a phosphor substrate
US8563338B2 (en) 2007-09-17 2013-10-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package having an LED chip mounted on a phosphor substrate
JP2009070756A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Oki Data Corp Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置
JP2010541284A (ja) * 2007-10-01 2010-12-24 インテマティックス・コーポレーション 蛍光体波長変換を備える発光デバイスおよびその製造方法
US11257996B2 (en) 2007-11-29 2022-02-22 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method for producing the same
US11735699B2 (en) 2007-11-29 2023-08-22 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method for producing the same
US8475007B2 (en) 2008-06-09 2013-07-02 Nec Lighting, Ltd Light emitting device
US7942550B2 (en) 2008-07-16 2011-05-17 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting device and backlight unit including the same
JP2012516026A (ja) * 2008-09-02 2012-07-12 ブリッジラックス インコーポレイテッド 蛍光体変換ｌｅｄ
JP2016167626A (ja) * 2008-09-02 2016-09-15 ブリッジラックス インコーポレイテッド 蛍光体変換ｌｅｄ
JP2014212329A (ja) * 2008-09-02 2014-11-13 ブリッジラックス インコーポレイテッド 蛍光体変換ｌｅｄ
KR102117909B1 (ko) 2008-09-09 2020-06-02 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
KR20190038777A (ko) * 2008-09-09 2019-04-09 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
KR102205837B1 (ko) * 2008-09-09 2021-01-21 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
KR101845194B1 (ko) * 2008-09-09 2018-04-03 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20200062150A (ko) * 2008-09-09 2020-06-03 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
KR20180037609A (ko) * 2008-09-09 2018-04-12 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광 반도체 장치
KR101966243B1 (ko) 2008-09-09 2019-04-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광 반도체 장치
JP2016015527A (ja) * 2008-10-17 2016-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光装置
JP2010192629A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Nichia Corp 発光装置の製造方法
JP2010272847A (ja) * 2009-04-20 2010-12-02 Nichia Corp 発光装置
JP2011066193A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法
JP2011071221A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置
KR20110033091A (ko) * 2009-09-24 2011-03-30 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치의 제조방법, 반도체 발광장치 및 액정표시장치
KR101714615B1 (ko) * 2009-09-24 2017-03-09 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 반도체 발광장치의 제조방법, 반도체 발광장치 및 액정표시장치
KR20110040035A (ko) * 2009-10-13 2011-04-20 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
KR101601622B1 (ko) 2009-10-13 2016-03-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
US10026710B2 (en) 2010-05-27 2018-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electronic arrangement
JP2015181181A (ja) * 2010-05-27 2015-10-15 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 電子装置および電子装置の製造方法
US9681566B2 (en) 2010-05-27 2017-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electronic arrangement and method for producing an electronic arrangement
US9608178B2 (en) 2010-06-22 2017-03-28 Nitto Denko Corporation Semiconductor light emitting device
JP2012009633A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2012069577A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012209291A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US9117982B2 (en) 2011-06-17 2015-08-25 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device including transparent resin with curved surface arranged at side facing light-emitting diode element
US8836208B2 (en) 2011-06-17 2014-09-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device including LED element whose upper surface is free from white resin and method of manufacturing the same
US8841684B2 (en) 2011-07-01 2014-09-23 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device
JP2013149711A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2014067876A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2014107351A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置、その製造方法、および、照明装置
WO2014178652A1 (ko) * 2013-04-30 2014-11-06 주식회사 세미콘라이트 기판 프레임 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
KR101478759B1 (ko) * 2013-04-30 2015-01-05 주식회사 세미콘라이트 기판 프레임 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
JP2014003334A (ja) * 2013-09-25 2014-01-09 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びそれを備えた灯具
JP2015220307A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9502619B2 (en) 2014-05-20 2016-11-22 Nichia Corporation Side-view light emitting device including base body having protruding component
US9711691B2 (en) 2014-05-20 2017-07-18 Nichia Corporation Side-view type light emitting device including base body having protruding component
JP2015225878A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 胡文松 Ｓｍｄｌｅｄの放熱構造
JP2017533552A (ja) * 2014-10-17 2017-11-09 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド バックライトユニット及びサイドビュー発光ダイオードパッケージ
JP2015109484A (ja) * 2015-03-13 2015-06-11 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2015135994A (ja) * 2015-05-07 2015-07-27 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US9786826B2 (en) 2015-08-03 2017-10-10 Citizen Electronics Co., Ltd. LED light-emitting element
JP2018174334A (ja) * 2018-06-08 2018-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2020102646A (ja) * 2020-03-18 2020-07-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7011196B2 (ja) 2020-03-18 2022-02-10 日亜化学工業株式会社 発光装置

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Publication number Publication date
CN100448037C (zh) 2008-12-31
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