CN111223975A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种发光装置及其制造方法。发光装置包括基板、发光元件、波长转换层、黏胶及反射层。发光元件设于基板上。波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。黏胶形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的侧面、黏胶的侧面及波长转换层的侧面。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种发光装置及其制造方法，且特别是有关于一种具有反射层的发光装置及其制造方法。
背景技术
传统的发光装置包含荧光胶及发光元件，其中荧光胶包覆发光元件的上表面及侧面。发光元件在发光时会产生高温，此高温会影响荧光胶，加速荧光胶老化，而改变发光装置的出光光色。
因此，亟需提出一种可减缓荧光胶老化的方案。
发明内容
因此，本发明提出一种发光装置及其制造方法，可减缓荧光胶老化的方案。
根据本发明的一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一基板、一发光元件、一波长转换层、一黏胶及一反射层。发光元件设于该基板上。波长转换层包括一高密度转换层及一低密度转换层。黏胶形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的一侧面、黏胶的一侧面及波长转换层的一侧面。
根据本发明的另一实施例，提出一种发光装置的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板及一发光元件，发光元件设于基板上；提供一波长转换层，其中波长转换层包括一高密度转换层及一低密度转换层；以一黏胶，黏合高密度转换层与发光元件；以及，形成一反射层于基板上方，其中反射层覆盖发光元件的一侧面、黏胶的一侧面及波长转换层的一侧面。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：
附图说明
图1示出依照本发明一实施例的发光装置的剖视图。
图2示出依照本发明另一实施例的发光装置的剖视图。
图3示出依照本发明另一实施例的发光装置的剖视图。
图4示出依照本发明另一实施例的发光装置的剖视图。
图5A至图5H示出图1的发光装置的制造过程图。
图6A至图6C示出图1的发光装置的另一种制造过程图。
图7A至图7C示出图2的发光装置的制造过程图。
图8A至图8C示出图3的发光装置的制造过程图。
图9A至图9F示出图4的发光装置的制造过程图。
符号说明
10、10’：载体
100、200、300、400：发光装置
110：基板
111：基材
111u：第一表面
111b：第二表面
112：第三电极
113：第四电极
114：第一接垫
115：第二接垫
116：第一导电柱
117：第二导电柱
120：发光元件
120u：上表面
121：第一电极
122：第二电极
110s、120s、130s、141s、142s、150s：侧面
130：波长转换层
130’：波长转换层材料
130b、143s：下表面
131：高密度转换层
132：低密度转换层
133：荧光粒子
140：黏胶
141：第一侧部
142：热阻层
143：第二侧部
150：反射层
151：第一反射部
151s：第一反射面
152：填充部
153：第二反射部
153s：第二反射面
G1：第一间隔
G2：第二间隔
L1：光线
P1：路径
T1、T2：厚度
W1：第一切割道
W2：第二切割道
具体实施方式
图1示出依照本发明一实施例的发光装置100的剖视图。发光装置100包括基板110、发光元件120、波长转换层130、黏胶140及反射层150。
基板110例如是陶瓷基板。在本实施例中，基板110包括基材111、第三电极112、第四电极113、第一接垫114、第二接垫115、第一导电柱116及第二导电柱117。
基材111例如是硅基材料所形成。基材111具有相对的第一表面111u与第二表面111b。第三电极112及第四电极113形成于基材111的第一表面111u，而第一接垫114及第二接垫115形成于基材111的第二表面111b。第一导电柱116及第二导电柱117贯穿基材111，其中第一导电柱116连接第三电极112与第一接垫114，以电连接第三电极112与第一接垫114，而第二导电柱117连接第四电极113与第二接垫115，以电连接第四电极113与第二接垫115。
发光装置100可设于一电路板(未示出)上，其中基板110的第一接垫114及第二接垫115电性连接于电路板的二电极(未示出)，使发光元件120通过第一接垫114及第二接垫115电性连接于电路板。
发光元件120设于基板110上。发光元件120包括第一电极121及第二电极122，其中第一电极121及第二电极122分别电性连接于第三电极112及第四电极113。
发光元件120例如是发光二极管。虽然图未示出，发光元件120可更包含第一型半导体层、第二型半导体层及发光层。发光层设于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一型半导体层例如是N型半导体层，而第二型半导体层则为P型半导体层；或是，第一型半导体层是P型半导体层，而第二型半导体层则为N型半导体层。以材料来说，P型半导体层例如是掺杂铍(Be)、锌(Zn)、锰(Mn)、铬(Cr)、镁(Mg)、钙(Ca)等的氮化镓基半导体层，而N型半导体层例如是掺杂硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硫(S)、氧(O)、钛(Ti)及或锆(Zr)等的氮化镓基半导体层。发光层122可以是InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)结构，亦可混杂硼(B)或磷(P)或砷(As)，可为单一层或多层构造。
第一电极121可由金、铝、银、铜、铑(Rh)、钌(Ru)、钯(Pd)、铱(Ir)、铂(Pt)、铬、锡、镍、钛、钨(W)、铬合金、钛钨合金、镍合金、铜硅合金、铝铜硅合金、铝硅合金、金锡合金及其组合的至少一者所构成的单层或多层结构，但不以此为限。第二电极122的材料可类似第一电极121，容此不再赘述。
波长转换层130包括高密度转换层131及低密度转换层132。波长转换层130内包含数个荧光粒子，其中荧光粒子密度较高的区域界定为高密度转换层131，而荧光粒子密度较低的区域界定为低密度转换层132。在一实施例中，高密度转换层131的荧光粒子密度与低密度转换层132的荧光粒子密度的比值可介于1与1015之间，其中的数值可包含或不包含1及1015。
在本实施例中，高密度转换层131位于发光元件120与低密度转换层132之间。也就是说，发光元件120的光线L1会先经过高密度转换层131，再通过低密度转换层132出光。由于高密度转换层131的设计，可让数个发光装置100的出光光色于色度坐标上集中地分布，如此可增加此些发光装置100的产品良率。低密度转换层132可增加自发光元件120的光线L1的混光机率。详细来说，对于在高密度转换层131内未接触到荧光粒子的光线L1来说，低密度转换层132增加其接触荧光粒子的机会。在本实施例中，低密度转换层132的厚度T2大于高密度转换层131的厚度T1，因此更可增加发光元件120的光线L1的混光机率。在一实施例中，厚度T2与厚度T1的比值可介于1至100之间，其中的数值可包含或不包含1及100。
波长转换层130覆盖整个发光元件120的上表面120u，亦即，在本实施例中，波长转换层130的俯视面积大于发光元件120的俯视面积。在一实施例中，波长转换层130的俯视面积与发光元件120的俯视面积的比值可介于1与1.35之间，然亦可小于1或大于1.35。
在一实施例中，波长转换层130例如是由硫化物(Sulfide)、钇铝石榴石(YAG)、LuAG、硅酸盐(Silicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物(Oxynitride)、氟化物(Fluoride)、TAG、KSF、KTF等材料制成。
黏胶140例如是透光胶。黏胶140包括第一侧部141及热阻层142。第一侧部141覆盖发光元件120的侧面120s的一部分，而侧面120s的另一部分或其余部分则受到反射层150覆盖。从图1的俯视方向看去，第一侧部141呈封闭环状，其环绕发光元件120的整个侧面120s。在另一实施例中，第一侧部141可呈开放环状。
如图1的放大图所示，黏胶140的热阻层142形成于高密度转换层131与发光元件120之间，可提高发光元件120与波长转换层130之间的热阻，以减缓波长转换层130的老化速率。进一步来说，发光元件120在运作时会发出热量，若此热量轻易传递至波长转换层130，容易导致其内的荧光粒子老化。反观本发明实施例，由于热阻层142的形成，可减少传递至波长转换层130的热量，减缓波长转换层130的老化速率。在一实施例中，热阻层142的厚度可介于1与1000之间，其中的数值可包含或不包含1及1000。
反射层150形成于基板110上方且覆盖发光元件120的侧面120s、黏胶140的第一侧部141的侧面141s及波长转换层130的侧面130s，可有效保护发光元件120及波长转换层130，避免其外露而容易毁损。反射层150可将自发光元件120的侧面120s发出的光线L1反射至波长转换层130，以增加发光装置100的出光效率。
如图1所示，反射层150更覆盖第一电极121的侧面、第二电极122的侧面、第三电极112的侧面及第四电极113的侧面，可更完整地保护第一电极121、第二电极122、第三电极112及第四电极113，避免其受到环境的侵害，如氧化、潮化等。
第一电极121与第二电极122之间具有第一间隔G1，而第三电极112与第四电极113之间具有第二间隔G2。反射层150包括一填充部152，其填满第一间隔G1和/或第二间隔G2。
反射层150包括第一反射部151，其环绕发光元件120的侧面120s。第一反射部151具有第一反射面151s，其朝向发光元件120的侧面120s和/或波长转换层130，以将自发光元件120的侧面120s发出的光线L1反射至波长转换层130。在本实施例中，第一反射面151s是朝向发光元件120的侧面120s和/或波长转换层130的凸面，然亦可为凹面。
如图1所示，凸出的第一反射面151s连接波长转换层130的下表面130b与发光元件120的侧面120s。如此，可增加发光元件120的光线L1与凸出面的接触机率，使自发光元件120的侧面120s的光线L1几乎或全部被反射层150反射至波长转换层130而出光，以增加发光装置100的出光效率。
在一实施例中，反射层150的反射率可大于90％。反射层150的材料可由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚酰胺(PA)、聚对苯二甲酸丙二酯(PTT)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯(PCT)、环氧胶化合物(EMC)、硅胶化合物(SMC)或其它高反射率树脂/陶瓷材料所组成。另外，反射层150可以是白胶。
综上所述，相较于传统发光装置，由于本发明实施例的发光装置100的设计，其发光面积可增加约40％，亮度可提升约15％。
图2示出依照本发明另一实施例的发光装置200的剖视图。发光装置200包括基板110、发光元件120、波长转换层130、黏胶140及反射层150。
与上述发光装置100不同的是，本实施例的发光装置200的波长转换层130的俯视面积大致上等于发光元件120的俯视面积，即，波长转换层130的俯视面积与发光元件120的俯视面积的比值约为1。此外，由于黏胶140的第一侧部141被移除，因此发光元件120的整个侧面120s及黏胶140的热阻层142的整个侧面142s系露出，使反射层150可覆盖发光元件120的整个侧面120s及热阻层142的整个侧面142s。再者，由于发光元件120的侧面120s、波长转换层130的侧面130s及黏胶140的热阻层142的侧面142s可于同一切割工艺中形成，因此侧面120s、侧面130s与侧面142s大致上对齐或齐平。
图3示出依照本发明另一实施例的发光装置300的剖视图。发光装置300包括基板110、发光元件120、波长转换层130、黏胶140及反射层150。
与上述发光装置100不同的是，本实施例的发光装置300的反射层150更覆盖基板110的侧面110s，如此可避免或减少外界环境因子(如空气、水气等)通过侧面110s对基板110的侵害。进一步来说，由于反射层150覆盖基板110的侧面110s，因此可增加外界环境与发光元件120的电极(如第一电极121和/或第二电极122)的路径P1的长度(相较于图1的路径P1，本实施例的路径P1的长度较长)，进而降低环境因子侵害发光元件120的电极的机率，以提升发光装置300的可靠度及寿命。
在另一实施例中，发光装置300的波长转换层130的俯视面积可大致上等于发光元件120的俯视面积，此类似上述发光装置200的结构，于此不再赘述。
图4示出依照本发明另一实施例的发光装置400的剖视图。发光装置400包括基板110、数个发光元件120、波长转换层130、黏胶140及反射层150。此些发光元件120设于基板110上。黏胶140覆盖各发光元件120的侧面120s的至少一部分。
与前述实施例的发光装置不同的是，本实施例的发光装置400的部分黏胶140形成于相邻二发光元件120之间。例如，黏胶140更包括第二侧部143，其位于相邻二发光元件120之间，且第二侧部143具有下表面143s，其中下表面143s是凸面，然亦可为凹面。反射层150形成于相邻二发光元件120之间。例如，反射层150更包括第二反射部153，其中第二反射面153s位于相邻二发光元件120之间。第二反射部153具有一顺应下表面143s的第二反射面153s，因此第二反射面153s为凹面。在另一实施例中，下表面143s可以是凹面，而第二反射面153s为凸面。第二反射面153s可将发光元件120的光线L2反射至波长转换层130，以增加发光装置400的出光效率。
在另一实施例中，发光装置400的反射层150更可覆盖基板110的侧面110s，此类似上述发光装置300的结构，于此不再赘述。
在另一实施例中，发光装置400的波长转换层130的俯视面积可大致上等于发光元件120的俯视面积，此类似上述发光装置200的结构，容此不再赘述。
图5A至图5H示出图1的发光装置100的制造过程图。
如图5A所示，可采用例如是点胶技术，形成波长转换层材料130’于一载体10上。波长转换层材料130’包含数个荧光粒子133。载体10的极性与波长转换层材料130’的极性相异，因此在后续工艺中波长转换层材料130’与载体10可轻易分离。此外，虽然图未示出，然载体10可包括双面胶及载板，其中双面胶设于载板上，以承接波长转换层材料130’。
如图5B所示，在静置波长转换层材料130’一段时间，如24小时后，一些或大部分荧光粒子133沉淀于波长转换层材料130’的底部，而形成一高密度转换层131，其余的荧光粒子133散布于波长转换层材料130’的其余部分，而形成一低密度转换层132。至此，形成包含高密度转换层131及低密度转换层132的波长转换层130。
然后，可加热波长转换层130，以固化波长转换层130，进而固定荧光粒子133的位置，避免荧光粒子133于波长转换层130内的密度分布随意改变。
然后，可分离载体10与波长转换层130，以露出波长转换层130的高密度转换层131。
如图5C所示，提供基板110及至少一发光元件120，其中发光元件120设于基板110上。此外，基板110可设于另一载体10’上，其中载体10’的结构类似上述载体10，于此不再赘述。
接着，以黏胶140黏合波长转换层130的高密度转换层131与发光元件120。以下以附图进一步举例说明。
如图5D所示，可采用例如是涂布或点胶技术，形成黏胶140于发光元件120的上表面120u上。
如图5E所示，设置波长转换层130于黏胶140上，使黏胶140黏合发光元件120与波长转换层130的高密度转换层131。由于波长转换层130挤压黏胶140，使黏胶140往发光元件120二侧流动，而形成第一侧部141。由于表面张力因素，第一侧部141的侧面141s形成一凹面，然视黏胶140的胶量和/或胶特性而定，侧面141s亦可为凸面。此外，视黏胶140的胶量和/或胶特性而定，第一侧部141可覆盖发光元件120的侧面120s的至少一部分。
如图5E的放大图所示，保留于波长转换层130与发光元件120之间的黏胶140形成热阻层142。热阻层142可减少发光元件120传递到波长转换层130的热量，进而减缓波长转换层130的老化速率。
如图5F所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第一切割道W1经过波长转换层130，以切断波长转换层130。本实施例中，第一切割道W1未经过黏胶140的第一侧部141，然亦可经过部分第一侧部141。第一切割道W1于波长转换层130形成侧面130s，其可为平面或曲面。
形成第一切割道W1所使用的刀具宽度可大致等于第一切割道W1的宽度。或者，在形成第一切割道W1后，可适当拉伸载体10’的双面胶(未示出)，以拉开相邻二发光元件120的间距；在此设计下，可采用薄刀具形成第一切割道W1。
如图5G所示，可采用例如是模压技术，形成呈流动态的反射层150于基板110上方，其中反射层150经由第一切割道W1(示出于图5F))覆盖发光元件120的部分侧面120s、波长转换层130的侧面130s及黏胶140的第一侧部141的侧面141s、基板110的第三电极112的侧面及第四电极113的侧面以及发光元件120的第一电极121的侧面及第二电极122的侧面。
此外，反射层150包括第一反射部151，其围绕发光元件120的整个侧面120s。第一反射部151具有第一反射面151s。由于黏胶140的侧面141s是凹面，使覆盖侧面141s的第一反射面151s形成朝向波长转换层130及发光元件120的凸面。凸出的第一反射面151s可将自侧面120s发出的光线反射至波长转换层130，以增加发光装置100的出光效率。
由于图5F的步骤中第一切割道W1未经过黏胶140的第一侧部141，使反射层150的第一反射面151s可接触到波长转换层130的下表面130b。如此一来，凸出的第一反射面151s连接高密度转换层131的下表面130b与发光元件120的侧面120s的，进而增加自发光元件120发出的光线L1与凸面(第一反射面151s)的接触面积。
然后，可采用加热方式，固化反射层150。
如图5H所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第二切割道W2经过反射层150及基板110。第二切割道W2于反射层150及基板110分别形成侧面150s及侧面110s，其中侧面150s与侧面110s大致上对齐或齐平。至此，形成如图1所示的发光装置100。
在另一实施例中，第二切割道W2可经过波长转换层130、反射层150及基板110，使波长转换层130、反射层150及基板110分别形成侧面130s、侧面150s及侧面110s，其中侧面130s、侧面150s与侧面110s大致上对齐或齐平。
此外，形成第二切割道W2所使用的刀具宽度可以大致等于第二切割道W2的宽度。或者，在形成第二切割道W2后，可适当拉伸载体10’的双面胶(未示出)，以拉开相邻二发光元件120的间距；在此设计下，可采用薄刀具形成第二切割道W2。
图6A至图6C示出图1的发光装置100的另一种制造过程图。
如图6A所示，可采用例如是涂布或点胶技术，形成黏胶140于波长转换层130的高密度转换层131上。
如图6B所示，设置如图5C所示的基板110及发光元件120于黏胶140上，其中发光元件120接触黏胶140，以使黏胶140黏合发光元件120与波长转换层130的高密度转换层131。
由于发光元件120挤压黏胶140，使黏胶140往各发光元件120二侧流动，而形成第一侧部141。由于表面张力因素，第一侧部141的侧面141s形成一凹面。视黏胶140的胶量和/或特性而定，第一侧部141可覆盖发光元件120的侧面120s的至少一部分。此外，如图6B的放大图所示，保留于波长转换层130与发光元件120之间的黏胶140形成热阻层142。热阻层142可减少发光元件120传递到波长转换层130的热量，进而减缓波长转换层130的老化速率。
如图6C所示，倒置发光元件120、波长转换层130与基板110，使波长转换层130朝上。
接下来的步骤类似图5A至图5H的发光装置100的制造过程的对应步骤，于此不再赘述。
图7A至图7C示出图2的发光装置200的制造过程图。
首先，可采用类似上述图5A至图5E的步骤先形成图5E的结构，或采用上述图6A至图6C的步骤先形成图6C的结构。
然后，如图7A所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第一切割道W1经过波长转换层130及覆盖发光元件120的侧面120s的第一侧部141，以切断波长转换层130且切除第一侧部141。由于第一切割道W1切除第一侧部141，使发光元件120的整个侧面120s及黏胶140的热阻层142的整个侧面142s系露出。
如图7B所示，可采用例如是模压技术，形成呈流动态的反射层150于基板110上方，其中反射层150经由第一切割道W1(示出于图7A)覆盖发光元件120的整个侧面120s、热阻层142的整个侧面142s、波长转换层130的整个侧面130s、基板110的第三电极112的侧面及第四电极113的侧面以及发光元件120的第一电极121的侧面及第二电极122的侧面。
然后，可采用加热方式，固化反射层150。
如图7C所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第二切割道W2经过反射层150及基板110。第二切割道W2于反射层150及基板110分别形成侧面150s及侧面110s，其中侧面150s与侧面110s大致上对齐或齐平。至此，形成如图2所示的发光装置200。
图8A至图8C示出图3的发光装置300的制造过程图。
首先，可采用类似上述图5A至图5E的步骤先形成图5E的结构，或采用上述图6A至图6C的步骤先形成图6C的结构。
然后，如图8A所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第一切割道W1经过波长转换层130及基板110，以切断波长转换层130及基板110。第一切割道W1于波长转换层130及基板110分别形成侧面130s及侧面110s，其中侧面130s及侧面110s大致上对齐或齐平。
如图8B所示，可采用例如是点胶技术，形成呈流动态的反射层150于基板110上方，其中反射层150经由第一切割道W1(示出于图8A)覆盖发光元件120的部分侧面120s、波长转换层130的侧面130s、黏胶140的第一侧部141的侧面141s、基板110的侧面110s、基板110的第三电极112的侧面及第四电极113的侧面以及发光元件120的第一电极121的侧面及第二电极122的侧面。
然后，可采用加热方式，固化反射层150。
如图8C所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第二切割道W2经过反射层150，其中第二切割道W2于反射层150形成侧面150s。至此，形成如图3所示的发光装置300。
在另一实施例中，第二切割道W2可经过波长转换层130、反射层150及基板110，使波长转换层130、反射层150及基板110分别形成侧面130s、侧面150s及侧面110s，其中侧面130s、侧面150s与侧面110s大致上对齐或齐平。
图9A至图9F示出图4的发光装置400的制造过程图。
如图9A所示，提供基板110及数个发光元件120，其中此些发光元件120设于基板110上。
如图9A所示，设置基板110及此些发光元件120于载板10’上。
如图9B所示，可采用例如是涂布或点胶技术，形成黏胶140于发光元件120的上表面120u上。
如图9C所示，设置波长转换层130于黏胶140上，使黏胶140黏合发光元件120与波长转换层130的高密度转换层131。由于波长转换层130挤压黏胶140，使黏胶140往发光元件120二侧流动，而形成第一侧部141。第一侧部141具有侧面141s。由于表面张力的因素，侧面141s是凹面。然，视黏胶140的胶量和/或特性而定，侧面141s亦可为朝向基板110的凸面。此外，视黏胶140的胶量而定，第一侧部141可覆盖发光元件120的侧面120s的至少一部分。
如图9C的放大图所示，保留于波长转换层130与发光元件120之间的黏胶140形成热阻层142。热阻层142可减少发光元件120传递到波长转换层130的热量，进而减缓波长转换层130的老化速率。
此外，黏胶140更包括第二侧部143，其形成于相邻二发光元件120之间。第二侧部143具有下表面143s。由于表面张力的因素，下表面143s是朝向基板110的凸面。然，视黏胶140的胶量及/特性而定，下表面143s亦可为朝向基板110的凹面。
如图9D所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第一切割道W1经过波长转换层130，以切断波长转换层130。本实施例中，第一切割道W1未经过黏胶140的第一侧部141，然亦可经过部分第一侧部141或整个第一侧部141。
如图9E所示，可采用例如是点胶技术，形成呈流动态的反射层150于基板110上方，其中反射层150经由第一切割道W1(示出于图9D)覆盖发光元件120的部分侧面120s、波长转换层130的侧面130s、黏胶140的第一侧部141的侧面141s、第二侧部143的下表面143s、波长转换层130的侧面130s、基板110的第三电极112的侧面及第四电极113的侧面以及各发光元件120的第一电极121的侧面及第二电极122的侧面。
此外，反射层150包括第一反射部151及第二反射部153，其中第一反射部151覆盖第一侧部141，而第二反射部153覆盖第二侧部143。第一反射部151具有一顺应侧面141s的第一反射面151s，由于侧面141s是凹面，因此第一反射面151s是一凸面。第二反射部153具有一顺应下表面143s的第二反射面153s，由于下表面143s是凸面，因此第二反射面153s是一凹面。
然后，可采用加热方式，固化反射层150。
如图9F所示，可采用例如是刀具切割技术，形成至少一第二切割道W2经过反射层150及基板110。第二切割道W2于反射层150及基板110分别形成侧面150s及侧面110s，其中侧面150s与侧面110s大致上对齐或齐平。至此，形成如图4所示的发光装置400。
在另一实施例中，第二切割道W2可经过波长转换层130、反射层150及基板110，使波长转换层130、反射层150及基板110分别形成侧面130s、侧面150s及侧面110s，其中侧面130s、侧面150s与侧面110s大致上对齐或齐平。
在又一实施例中，发光装置400可采用类似图7A至图7B的制造过程，使反射层150覆盖至少一发光元件120的侧面120s、热阻层142的侧面142s及波长转换层130的侧面130s。
在其它实施例中，发光装置400可采用类似图8A至图8B的制造过程，使反射层150覆盖基板110的侧面110s。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更改与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (9)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
基板；
发光元件，设置在所述基板上并与所述基板电性连接；
波长转换层，设置在所述发光元件上；
黏胶层，位于所述发光元件与所述波长转换层之间，其中所述黏胶层覆盖所述发光元件的上表面及至少部分侧表面；以及
反射层，设置于所述基板上并至少环绕所述发光元件及所述黏胶层，其中所述反射层具有倾斜的反射面，所述反射面接触部分所述发光元件并由所述基板朝所述波长转换层的方向逐渐远离所述发光元件。
2.一种发光装置，其特征在于，包括：
基板；
发光元件，设置在所述基板上并与所述基板电性连接；
波长转换层，设置在所述发光元件上，所述波长转换层具有实质均匀的厚度且至少覆盖所述发光元件的上表面；以及
反射层，设置于所述基板上并环绕所述发光元件及所述波长转换层，其中所述反射层具有倾斜的反射面，所述反射面接触至少部分所述发光元件的侧表面及部分所述波长转换层，且所述反射面由所述基板朝所述波长转换层的方向逐渐远离所述发光元件。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。
4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述高密度转换层位于所述低密度转换层与所述发光元件之间。
5.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述反射面为朝向所述波长转换层的凸面或凹面。
6.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述反射层覆盖所述波长转换层的侧表面。
7.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换层的面积等于或大于所述发光元件的面积。
8.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置具有平的侧表面，所述侧表面包括所述反射层。
9.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置具有平的侧表面，所述侧表面包括所述反射层及所述基板。
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