CN102290500A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102290500A
CN102290500A CN2011101622412A CN201110162241A CN102290500A CN 102290500 A CN102290500 A CN 102290500A CN 2011101622412 A CN2011101622412 A CN 2011101622412A CN 201110162241 A CN201110162241 A CN 201110162241A CN 102290500 A CN102290500 A CN 102290500A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
mentioned
emitting component
layer
transparent material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101622412A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102290500B (zh
Inventor
伊藤功三郎
世古利裕
上野一彦
大和田聪二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Publication of CN102290500A publication Critical patent/CN102290500A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102290500B publication Critical patent/CN102290500B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光装置及其制造方法,该发光装置的发光面积小而且光的取出效率高。作为解决手段,将能保持表面张力的量的未硬化的透明材料(13’)滴落于发光元件(11)和板状光学层(14)中的任一方或双方的表面上,在保持未硬化的透明材料(13’)的表面张力的同时,隔着未硬化的透明材料(13’)将发光元件(11)与板状光学层(14)重合起来,从而形成具有倾斜的侧面(130)的未硬化的透明材料层(13’),然后使透明材料层(13)硬化。在透明材料层(13)的周围填充非导电性的反射材料(15)并使其硬化,从而形成具有沿着透明材料层的倾斜的侧面而倾斜的侧面的反射材料层(15)。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及通过波长转换层来转换发光元件发出的光的发光装置及其制造方法。
背景技术
已知的发光装置中,通过荧光体将发光元件发出的光的一部分转换为不同波长的光,将其与发光元件发出的光混合射出。作为这种使用含荧光体层的发光元件的构成,如专利文献1所述,已知有在杯体内配置发光元件,利用含荧光体树脂填充杯体内的结构和利用含荧光体树脂层仅覆盖杯体开口部的结构。另外,还公开了利用含荧光体树脂层覆盖发光元件周围的结构。
在通过透镜和反射镜等光学系统来控制发光装置(光源)发出的出射光的光学装置中,为了通过小型光学系统有效使用光,优选使用发光面积较小的发光装置(光源)。
在专利文献2中公开的是在发光元件的上表面搭载波长转换层,由反射部件覆盖发光元件和波长转换层的侧面的结构。通过由反射部件覆盖发光元件和波长转换层的侧面,从而由侧面反射欲向发光元件和波长转换层的侧面方向放射的光并使其从上表面射出,因此能提高正面方向的亮度。
【专利文献1】日本特开2004-31989号公报
【专利文献2】日本特开2009-218274号公报
如专利文献1所述,将发光元件配置于杯体或凹部等腔体内,将腔体的倾斜的内壁面作为反射面,来反射发光元件的出射光的结构能提高来自上方的光的外部效率,而发光面为腔体的开口部。开口的大小是由腔体的内壁面的倾斜度来确定的,然而能够将杯体和凹部等腔体加工为期望的内壁面形状的大小是存在限制的,因而开口(发光面)的大小必然要大幅度大于发光元件的上表面。另外,在从发光元件到腔体的内壁面为止的范围内,由于光通过含荧光体树脂层或密封材料内部,因而存在光衰减的问题。
另一方面,在专利文献2所述的在发光元件和波长转换层的侧面将反射部件配置为垂直壁的构成中,通过反射部件来反射从元件或波长转换层的侧面射出的光,从而能减小发光面,提高正面亮度。然而,在发光元件的侧面被反射部件反射的光会返回到发光元件内部。发光元件的吸收频带包含反射光的波长,因此从侧面射出的横向传播的光的反射和吸收的比例变大,存在整体光束量下降的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光面积小且光的取出效率高的发光装置的制造方法。
为了达成上述目的,根据本发明的第一方面,提供如下的发光装置的制造方法。即,该发光装置的制造方法具有:第1工序,将能保持表面张力的量的未硬化的透明材料滴落于发光元件和板状光学层中的任一方或双方的表面上,在保持未硬化的透明材料的表面张力的情况下,隔着未硬化的透明材料将发光元件与板状光学层重合起来,从而在发光元件与板状光学层之间形成具有倾斜侧面的未硬化的透明材料层,然后使透明材料层硬化;以及第2工序,在透明材料层的周围填充反射材料并使其硬化,从而形成具有沿着透明材料层的倾斜侧面而倾斜的侧面的非导电性的反射材料层。
当在发光元件的底面与基板上表面之间的一部分配置有导电性部件的情况下,优选在第2工序中,在发光元件的底面与基板上表面之间的导电部件的周围空间也填充反射材料。
优选在第2工序中,以使反射材料紧贴于板状光学层的侧面的方式,在板状光学层的周围也填充反射材料。
在第1工序中,优选通过未硬化的透明材料的表面张力,将倾斜的侧面形成为朝向发光元件的中心突出的曲面形状。
在第1工序中,优选透明材料层通过表面张力形成为覆盖发光元件的侧面的至少一部分。由此,在第2工序中,反射材料层沿着透明材料层形成,反射材料层的倾斜的侧面形成为从发光元件的侧面的至少一部分离开的形状。
当在基板上以预定间隔安装有多个发光元件的情况下,在第1工序中,优选在各个发光元件以及板状光学层与发光元件分别重合的各个区域中的任一方或双方上滴落透明材料,隔着未硬化的透明材料将发光元件与板状光学层重合起来时,在多个发光元件之间的区域中,使未硬化的透明材料的表面与板状光学层接触,形成未硬化的透明材料的倾斜的侧面,或者使相邻的发光元件上的未硬化的透明材料彼此连结起来,在多个上述发光元件之间的区域中,形成透明材料的表面朝向板状部件突出的曲面。在第2工序中,优选将反射材料填充到多个发光元件之间的空间的至少一部分中。
另外,根据本发明,提供如下的发光装置。即,具有:基板;安装于基板上的发光元件;配置于发光元件上,对于发光元件发出的光透明的透明材料层;搭载于透明材料层上的板状光学层;以及配置于发光元件以及透明材料层的周围的反射材料层,板状光学层的下表面大于发光元件的上表面,反射材料层具有倾斜面,该倾斜面将发光元件的侧面的下端与板状光学层的侧面连接起来。
反射材料层优选与板状光学层的侧面紧贴。
优选反射材料层的倾斜面是朝向发光元件的中央突出的曲面,该曲面的曲率小于等于5。
当构成为在发光元件的底面与上述基板上表面之间的一部分区域中配置有导电性部件的情况下,优选反射材料层还配置于发光元件的底面与基板上表面之间的导电部件的周围的空间。
另外,根据本发明的另一方面,提供如下的安装了多个发光元件的发光装置。即,具有:基板;以预定间隔安装于该基板上的多个发光元件;配置于发光元件上,对于发光元件发出的光透明的透明材料层;搭载于透明材料层上的板状光学层;以及配置于多个发光元件的外周的反射材料层,板状光学层的下表面大于多个发光元件的上表面的总和,反射材料层具有倾斜面,该倾斜面将多个发光元件的外周侧侧面的下端与板状光学层的侧面连接起来。
优选反射材料层呈突起状配置于多个发光元件之间的区域。
根据本发明,能够使从发光元件的侧面射出的光不返回到发光元件内部,而是由反射材料层的倾斜面反射,因而光的取出效率得以提高。发光面为板状光学层的上表面,因而能实现小型化。
附图说明
图1是实施方式1的发光装置的剖面图。
图2是当实施方式1的发光装置的反射材料层15的倾斜面130为(a)直线状的情况、(b)朝外侧突出的曲面的情况、(c)朝内侧突出的曲面的情况下的各剖面图。
图3(a)~(e)是表示实施方式1的发光装置的制造工序的说明图。
图4(a)和(b)是表示在图3(b)的工序中,透明材料13’的涂敷位置的变动的剖面图。
图5(a)~(c)是表示在图3(b)的工序中,将发光元件11的朝向设为下方向,透明材料13’的涂敷位置的变动的剖面图。
图6是表示通过实施方式1的模拟求出光线数的检测面的说明图。
图7是表示通过实施方式1的模拟求出的(a)内侧检测面的光线到达数和检测面整体的总光线到达数的图表、(b)外侧检测面的光线到达数的图表。
图8(a)~(c)是表示搭载了实施方式2的多个发光元件的发光装置的各种形状的剖面图。
图9(a)和(b)是表示搭载了比较例的多个发光元件的发光装置的形状的剖面图。
图10是表示图8(b)的实施方式以及图9(a)和(b)的比较例的发光装置的上表面亮度分布的图表(其中,发光元件的数量为4个)。
标号说明
10子安装基板;11发光元件;12凸块;13透明材料层;14波长转换层;15反射材料层;16外框;81凸形状;130倾斜面。
具体实施方式
下面说明本发明一个实施方式的发光装置。
(第1实施方式)
图1表示第1实施方式的发光装置的剖面图。该发光装置在接近发光元件侧面的位置处具备用于取出光的反射面。
具体而言,通过多个凸块12将倒装片式发光元件11接合在上表面形成有布线的子安装基板10上来进行安装。发光元件11的上表面搭载有对发光元件11发出的光透明的透明材料层13,在透明材料层13之上搭载有板状的波长转换层14。
在发光元件11的外侧配置有框体16,利用反射材料层15填充发光元件11与框体16之间的空间。反射材料层15使用非导电性且反射率高的材料。反射材料层15覆盖发光元件11、透明材料层13和波长转换层14的外周侧面。另外,反射材料层15还以填埋凸块12之间的方式,填充发光元件11的底面与基板10的上表面之间的空间。
如上,以包围凸块12的方式用反射材料层15填充发光元件11的底面与基板10的上表面之间的空隙,从而能由反射材料层15对向发光元件11的下表面侧射出的光进行反射,使其朝上方射出。因而能够防止光在发光元件11的底面与基板10的上表面之间重复反射而导致衰减,因此能提高向上方的光的取出效率。
波长转换层14在主平面方向的大小比发光元件11大一些,在反射材料层15与透明材料层13的边界处形成的倾斜面130成为对朝向发光元件11和波长转换层14的侧面方向的出射光进行反射的反射面。反射材料层15与波长转换层14的侧面接触,因而反射材料层15的开口(发光面)与波长转换层14的面积相等,能提供发光面积小的光源。
反射材料层15与透明材料层13的边界的倾斜面130能形成为如图2(a)所示将发光元件11的底面与波长转换层14的下表面直线地连结起来的倾斜面、如图2(b)所示朝外侧(框体16侧)突出的曲面、如图2(c)所示朝内侧(朝向发光元件11的中心的那侧)突出的曲面。在本实施方式中,为了提高向上表面的光的射出效率,优选图2(a)所示直线状的倾斜面的情况和图2(b)的朝内侧突出的曲面的情况。更为优选的是图2(b)的朝内侧突出的曲面且曲率小于等于5的情况。
另外,倾斜面130在发光元件11侧的一端不一定如图2(a)~(c)所示那样处于与底面相同的高度,只要至少位于发光元件11的侧面即可。如果倾斜面130在发光元件11侧的一端至少比发光元件11的上表面更位于基板10侧,就能成为对来自发光元件11的侧面的光进行反射的倾斜面130。另外,发光元件11优选倒装安装于基板10。其原因在于,倒装安装的情况下,由于发光面处于接近发光元件底面的位置,因而最能够充分使用倾斜面130的反射。
作为子安装基板10,例如使用形成有Au等的布线图案的AIN陶瓷制的基板。作为凸块12,例如使用Au凸块。透明材料层13能够通过硅树脂等透明树脂形成。
作为发光元件11,准备射出期望的波长光的元件。例如使用发出蓝色光的元件。
波长转换层14具有将发光元件11发出的光转换为期望的波长光的功能,例如由含有将发光元件11发出的光作为激励光而发出期望的波长的荧光的荧光体的材料构成。作为一个例子,能够使用将荧光体分散到透明树脂中的层、含有荧光体成分的荧光玻璃板、烧结荧光体原料制作的荧光陶瓷板(例如YAG板)。具体而言,例如使用包含由发出蓝色光的发光元件11的发光激励,从而发出黄色荧光的荧光体(例如YAG荧光体等)的波长转换层14。由此就能够提供发出混合有蓝色光和黄色光的白色光的发光装置。
透明材料层13使用对发光元件11发出的光以及由波长转换层14转换后的光透明的材料。例如使用硅树脂、环氧树脂等透明树脂、对这些树脂添加了颗粒直径为0.001μm~50μm的填料的树脂、玻璃等无机材料。
作为反射材料层15,例如使用使氧化钛或氧化锌等反射性的填料分散的树脂。框体16例如使用陶瓷环。
在这种构成的发光装置中,如图1所示,发光元件11所放射的光中从上方射出的光透过透明材料层13后射入波长转换层14。向下方射出的光在发光元件11的底面被反射材料层15反射后朝向上方。
从发光元件11的侧面射出的光从侧面射入到透明材料层13,通过反射材料层15与透明材料层13的边界的倾斜面130被反射到上方。由此,从发光元件11的侧面射出的大多数光不会返回到发光元件11的内部,因而不会被发光元件11吸收。另外,由于发光元件11的侧面与反射材料层15间的距离短,因而几乎不会受到透明材料层13的吸收导致的影响。
如上,发光元件11的出射光直接射入波长转换层14,或者被反射材料层15反射后射入波长转换层14。射入波长转换层14的光的一部分或者全部被转换为预定波长的光,从波长转换层14的上表面射出。从波长转换层14的内侧沿横向行进的光在侧面被反射材料层15反射,返回到波长转换层14内,从上表面射出。
因而,本实施方式的发光装置的发光面是波长转换层14的上表面(反射材料层15的开口),能提供一种发光面积小的小型发光装置。另外,虽然直径小,然而由于通过反射材料层13形成腔体,因而从发光元件11的侧面射出的大部分光都不会返回到发光元件11的内部,而是在透明材料层13中通过较短距离后被反射材料层13朝上方反射,因此光的取出效率提高。
接着,使用图3(a)~(e)说明本实施方式的发光装置的制造方法。首先如图3(a)所示,使用凸块12将倒装片式发光元件11的元件电极接合并安装于子安装基板10的上表面的布线图案。如图3(b)所示,将硅树脂等透明材料(未硬化)13’涂敷(滴落)于发光元件11的上表面,搭载比发光元件11的上表面略大的板状的波长转换层14。由此,如图3(c)所示,未硬化的透明材料13’覆盖发光元件的侧面的至少一部分,同时还保持了表面张力,从而形成了将发光元件11的侧面与波长转换层14的下表面连接起来的倾斜面130。
此时,若透明材料13’的量少,则如图2(c)所示,形成朝发光元件11侧突出的曲面的倾斜面130,若透明材料13’的量增加,则如图2(a)、图3(c)所示,形成直线状的倾斜面130,若进一步增加透明材料13’的量,则如图2(b)所示,形成朝外侧突出的曲面的倾斜面130。
通过预定硬化处理使透明材料13’硬化,形成透明材料层13。并且,在此后的工序中,若透明材料层13的形状没有发生变化,则能够以不使其完全硬化,而使其半硬化的条件进行硬化。
接着,如图3(d)所示,利用树脂等将框体16粘结于发光元件11的外侧的基板10的上表面。如图3(e)所示,在发光元件11、透明材料层13和波长转换层14与框体16之间,通过调合器等注入反射材料(未硬化)。此时,向发光元件11的下部的凸块12的周围也以充分填充的方式注入反射材料。另外,以没有间隙地紧贴的方式将反射材料(未硬化)填充到透明材料层13的倾斜面130和波长转换层的侧面。这样就能够形成具有沿着透明材料层13的倾斜面130的形状的倾斜面的反射材料层15。最后,通过预定的硬化处理使反射材料硬化,形成反射材料层15。由此制造出本实施方式的发光装置。
在本实施方式中,使用未硬化的透明材料的表面张力事先形成了透明材料层13的倾斜面130,从而仅通过在透明材料层13的周围和波长转换层的周围填充反射材料层15,就能够形成期望形状的反射材料层15的倾斜面130,还能使反射材料层15紧贴于波长转换层14的侧面。由此无需机械加工,就能制造出开口小且为期望形状的倾斜面(腔体)。
另外,在该制造方法中,填充反射材料时也可以在发光元件11的底面与子安装基板10之间的空间填充反射材料。因而能防止发光元件11的下部的光的衰减,防止发光元件吸收在发光元件11的侧面的返回光而导致的衰减,能提高光的取出效率。另外,由于发光面(开口)小,因而能通过小型光学系统以较少的损失来控制光。
进而,通过调整所涂敷的透明材料13’的量,能够改变反射材料层15的倾斜面130的形状。
并且,在上述制造方法中,在图3(b)的工序中,在发光元件11的上表面涂敷未硬化的透明材料13’,然而本实施方式的制造方法不限于此。例如图4(a)所示,既可以在波长转换层14的下表面涂敷透明材料13’,也可以如图4(b)所示,在发光元件11的上表面与波长转换层14的下表面双方涂敷透明材料13’。另外,如图5(a)~(c)所示,使安装于子安装基板10的发光元件11朝下,可分别构成为如图5(a)所示在发光元件11的下表面、如图5(b)所示在波长转换层14的上表面、如图5(c)所示在发光元件11的下表面与波长转换层14的上表面双方分别涂敷透明材料13’。
接着,说明本实施方式的反射材料层15的倾斜面130的曲率的优选范围。倾斜面130优选朝向发光元件11侧突出,而为了求出凸形状的曲率的优选范围,需要改变突出的形状,通过模拟求出发光元件11发出的光到达波长转换层14的光线数。在模拟中,发光元件11中位于上表面侧的元件基板是折射率为1.8且厚度为90μm的蓝宝石基板,其下方的半导体层是折射率为2.54且厚度为10μm的氮化镓类,元件整体的厚度为0.1mm。发光元件11的吸收是将反射率置换为0.71加以考察的。透明材料层13的折射率为1.54,其位于发光元件11的正上部的厚度为0.01mm。反射材料层15的倾斜面130的反射率为0.98。
将波长转换层14作为检测面,如图6所示将发光元件11的正上方区域作为内侧检测面50,将其外侧区域作为外侧检测面51,求出到达各检测面50、51的光线数。图7(a)、(b)表示其结果。
如图7(a)、(b)所示,当倾斜面130的曲率小于等于5时,到达外侧检测面50的光线数会急剧增加,而当曲率小于等于2时,虽然到达内侧检测面50的光线数会减少,然而可知内侧和外侧检测面50、51的总到达数在曲率小于等于5时会显著增加。由此,优选反射材料层15的倾斜面130朝发光元件11侧突出且曲率小于等于5。
并且,曲率大于5时无法获得总到达数增加的效果的原因被认为是当曲率过大时,接近发光元件11的侧面的倾斜面会成为接近垂直壁的形状,因此光不会朝正上方向反射,因而无法获得到达外侧检测面50的光线数增加的效果。
(第2实施方式)
接着,作为第2实施方式,说明将多个发光元件11搭载于1个子安装基板10的发光装置。图8(a)、(b)、(c)表示第2实施方式的发光装置的剖面图。
由1个波长转换层14覆盖多个发光元件11。具有一体地包围多个发光元件11的倾斜面130的反射材料层15配置于多个发光元件11的周围。反射材料层15与透明材料层13的边界的倾斜面130优选是直线地连接发光元件11的底面与波长转换层14的下表面的倾斜面或如图8(a)~(c)所示朝发光元件11侧突出的曲面。更优选是突出的曲面且曲率小于等于5。
反射材料层15优选如图8(a)、(b)所示,在多个发光元件11之间的区域配置凸形状81。其原因在于,通过使反射材料层15在多个发光元件11间的区域也隆起凸形状81,从而能在多个发光元件11之间的区域防止产生亮度不均。
如图8(a)所示,凸形状81的上部可以到达波长转换层14,然而优选为图8(b)所示未到达波长转换层14的形状。
凸形状81的侧面形状优选与倾斜面130同样朝发光元件11侧突出,且其曲率小于等于5。
另外,反射材料层15优选填充各发光元件11的下表面与子安装基板10的上表面之间的间隙。
其他构成都与第1实施方式相同,因而省略说明。
图8(a)~(c)的发光装置的制造方法与第1实施方式的图3(a)~(e)相同,在图8(a)的构成的情况下,将透明材料13’等量涂敷于如下两类区域中的任一方中或两方上:(a)各发光元件11上;(b)波长转换层14的与各发光元件11重合的各区域上,使各发光元件11上的透明材料层13的倾斜面130形成为期望形状。其中,当如图8(b)、(c)所示将相邻的发光元件11上部的透明材料层13连结起来的情况下,可以按照使透明材料13’的总涂敷量成为预定量的方式,改变涂敷于各发光元件11上的透明材料13’的量。
具体而言,当如图8(a)所示形成透明材料13’的情况下,当隔着透明材料13’将发光元件11与波长转换层14重合时,在多个发光元件11之间的区域中使透明材料13’的表面接触波长转换层14,形成透明材料13’倾斜的侧面。图8(b)的情况下,将相邻的发光元件11上的透明材料13’彼此连结起来,在多个发光元件11之间的区域中使透明材料13’的表面形成朝波长转换层14突出的曲面。由此就能够在相邻的发光元件11之间形成未被透明材料13’填充的空间。此后使透明材料13’硬化。
另外,在填充图3(e)的反射材料层15的工序中,如图8(a)、(b)所示,为了在多个发光元件11之间使反射材料层15隆起为凸形状81,预先调整未硬化的反射材料的粘度。
第2实施方式的发光装置虽然是搭载多个发光元件11的构成,然而能够在接近发光元件11的位置处以期望的曲面形状形成反射材料层15的倾斜面130,因此能提高上表面方向的光的取出效率。另外,发光面积等于波长转换层14的面积,能提供小型的发光装置。
进而,如图8(a)、(b)所示,通过使反射材料层15在多个发光元件11之间的区域隆起为凸形状81,从而能防止多个发光元件11之间亮度降低,防止产生在发光面亮度不均的情况。
具体而言,制造图8(b)的结构的发光装置与作为比较例的图9(a)、(b)的结构的发光装置,并测定上表面的亮度分布,结果可获得图10所示的结果。其中,在图8(b)、图9(a)、(b)中,发光元件11有2个,而用于测定的发光装置分别搭载4个发光元件。
根据图10可知,本实施方式的图8(b)的发光装置的多个发光元件11的间隙中的亮度降低明显小于图9(a)、(b)的发光装置,可知能减少亮度不均。
如图9(a)所示,不形成倾斜面130,由反射材料层15填充包含发光元件11的周围在内的区域直至底面,在这种结构中,在发光元件的中央部能够获得与图8(b)的本实施方式的发光装置同样的亮度,然而从发光元件11的端部到发光元件11的间隙区域,亮度大幅度降低。另一方面,如图9(b)所示,当形成在从发光元件11的侧面离开的位置上具有垂直端面的反射材料层15的情况下,在发光元件11的中央部和发光元件11的间隙亮度也较小。
如上,可确认本实施方式的发光装置中发光元件上方的亮度大,而且间隙的亮度降低也较少,亮度不均较小。
在上述第1和第2实施方式中,说明了在板状的波长转换层14中将从发光元件射出的蓝色光(短波长)转换为波长较长的光(荧光)的例子,然而不限于此,还可以采用包含多层结构和多个波长转换材料以便能够在波长转换层14转换为多个波长的构成。
另外,波长转换层14可以不以波长转换为目的,而是对发光元件的波长透明或半透明的光学层。进而,不仅限于波长转换层14的正反面为平坦的情况,还可以加工为光取出结构、作为光学透镜的结构。
【实施例】
<实施例1>
作为本发明的实施例,通过图3(a)~(e)的制造方法制造出图1所示结构的发光装置。
准备安装有1mm角且厚度为100μm的倒装片式发光元件11的子安装基板10,在发光元件11的上表面作为透明材料13’涂敷2.3×10-5ml的硅树脂。在其上表面安装1.2mm角的YAG板作为波长转换层14。以150℃加热4个小时以使硅树脂硬化。此后,通过硅树脂将陶瓷环作为框体16粘结于子安装基板10上,以150℃加热4个小时使其硬化。将分散了TiO2填料的硅树脂作为反射材料填充到环框体16内,以150℃加热4个小时使其硬化,形成反射材料层15。由此制作出图1形状的发光装置。
<实施例2>
作为实施例2,制造出图8(a)的发光装置。
准备隔开200μm的间隔安装有2个1mm角且厚度为100μm的倒装片式发光元件11的子安装基板10,在各个发光元件11的上表面分别涂敷2.3×10-5ml的硅树脂作为透明材料13’。在其上表面安装1.2mm×2.4mm的YAG板作为波长转换层14。以150℃加热4个小时以使硅树脂硬化。此后,通过硅树脂将陶瓷环作为框体16粘结于子安装基板10上,以150℃加热4个小时使其硬化。将分散了TiO2填料的硅树脂作为反射材料填充到环框体16内,以150℃加热4个小时使其硬化,形成反射材料层15。由此制作出图8(a)形状的发光装置。

Claims (14)

1.一种发光元件的制造方法,其特征在于,该发光元件的制造方法具有透明材料层形成工序,在该工序中,将未硬化的透明材料滴落到发光元件和板状光学层中的任一方或双方的表面上,在保持上述未硬化的透明材料的表面张力的情况下,隔着上述未硬化的透明材料将发光元件与板状光学层重合起来,从而在上述发光元件与上述板状光学层之间形成具有倾斜侧面的未硬化的透明材料层,然后使上述透明材料层硬化。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于,该发光元件的制造方法具有反射材料层形成工序,在该工序中,在上述透明材料层的周围填充非导电性的反射材料并使其硬化,从而形成具有倾斜侧面的反射材料层,该反射材料层的上述倾斜侧面沿着上述透明材料层的上述倾斜侧面。
3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,在上述发光元件的底面与上述基板上表面之间的一部分区域中配置导电性部件,在上述反射材料层形成工序中,在上述发光元件的底面与上述基板上表面之间的上述导电部件的周围空间也填充上述反射材料。
4.根据权利要求2或3所述的发光装置的制造方法,其特征在于,在上述反射材料层形成工序中,以紧贴上述板状光学层的侧面的方式,在上述板状光学层的周围也填充上述反射材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置的制造方法,其特征在于,在上述透明材料层形成工序中,通过上述未硬化的透明材料的表面张力,将上述倾斜侧面形成为朝向上述发光元件的中心突出的曲面形状。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的发光装置的制造方法,其特征在于,在上述透明材料层形成工序中,上述透明材料层通过表面张力形成为覆盖上述发光元件的侧面的至少一部分,在上述反射材料层形成工序中,上述反射材料层沿着上述透明材料层形成,该反射材料层的倾斜侧面形成为从上述发光元件的侧面的至少一部分离开的形状。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在上述基板上以预定间隔安装多个上述发光元件,
在上述透明材料层形成工序中,在各个上述发光元件以及上述板状光学层与各个上述发光元件分别重合的各个区域中的任一方或双方上滴落上述透明材料,
隔着上述未硬化的透明材料将发光元件与板状光学层重合起来时,在多个上述发光元件之间的区域中,使上述未硬化的透明材料的表面与上述板状光学层接触,形成上述未硬化的透明材料的倾斜侧面,或者使相邻的发光元件上的上述未硬化的透明材料彼此连结起来,在多个上述发光元件之间的区域中,形成透明材料的表面朝向上述板状部件突出的曲面,
在上述反射材料层形成工序中,将上述反射材料填充到上述多个发光元件之间的空间的至少一部分中。
8.一种发光装置,其特征在于,具有:基板;安装于该基板上的发光元件;配置于上述发光元件上,对于上述发光元件发出的光透明的透明材料层;搭载于上述透明材料层上的板状光学层;以及配置于上述发光元件以及上述透明材料层的周围的反射材料层,
上述板状光学层的下表面大于上述发光元件的上表面,
上述反射材料层具有倾斜面,该倾斜面将上述发光元件的侧面的下端与上述板状光学层的侧面连接起来。
9.根据权利要求8所述的发光装置,其特征在于,上述反射材料层紧贴上述板状光学层的侧面。
10.根据权利要求8或9所述的发光装置,其特征在于,上述反射材料层的上述倾斜面是朝向上述发光元件的中央突出的曲面,该曲面的曲率小于等于5。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的发光装置,其特征在于,
上述发光元件的底面与上述基板上表面之间的一部分区域中配置有导电性部件,
上述反射材料层还配置于上述发光元件的底面与上述基板上表面之间的上述导电部件的周围的空间。
12.一种发光装置,其特征在于,具有:基板;以预定间隔安装于该基板上的多个发光元件;配置于上述发光元件上,对于上述发光元件发出的光透明的透明材料层;以及搭载于透明材料层上的板状光学层,
上述板状光学层的下表面大于上述多个发光元件的上表面的总和,
上述反射材料层具有倾斜面,该倾斜面将上述多个发光元件的外周侧侧面的下端与上述板状光学层的侧面连接起来。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于,在上述多个发光元件的外周配置有反射材料层。
14.根据权利要求13所述的发光装置,其特征在于,上述反射材料层呈突起状配置于上述多个发光元件之间的区域。
CN201110162241.2A 2010-06-16 2011-06-16 发光装置及其制造方法 Active CN102290500B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-137365 2010-06-16
JP2010137365A JP5572013B2 (ja) 2010-06-16 2010-06-16 発光装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102290500A true CN102290500A (zh) 2011-12-21
CN102290500B CN102290500B (zh) 2015-11-25

Family

ID=45327874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110162241.2A Active CN102290500B (zh) 2010-06-16 2011-06-16 发光装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8461610B2 (zh)
JP (1) JP5572013B2 (zh)
CN (1) CN102290500B (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103840069A (zh) * 2012-11-23 2014-06-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管发光装置制作方法
CN106058006A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN106549092A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN107968142A (zh) * 2016-10-19 2018-04-27 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN108206235A (zh) * 2016-12-16 2018-06-26 三星电子株式会社 半导体发光装置
CN110094647A (zh) * 2018-01-29 2019-08-06 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 一种波长转换装置、发光组件及照明装置
US10396255B2 (en) 2014-06-12 2019-08-27 Genesis Photonics Inc. Light emitting component
CN110249437A (zh) * 2018-01-10 2019-09-17 首尔半导体株式会社 发光装置
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN110364612A (zh) * 2018-04-11 2019-10-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
WO2019210656A1 (zh) * 2018-05-03 2019-11-07 瑞识科技(深圳)有限公司 一种led发光器件及其制作方法
CN110767793A (zh) * 2015-05-05 2020-02-07 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN111081855A (zh) * 2018-10-22 2020-04-28 隆达电子股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10854780B2 (en) 2017-11-05 2020-12-01 Genesis Photonics Inc. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
US10910523B2 (en) 2014-05-14 2021-02-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting device

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011204376A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP5539849B2 (ja) * 2010-12-13 2014-07-02 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
EP2448028B1 (en) 2010-10-29 2017-05-31 Nichia Corporation Light emitting apparatus and production method thereof
JP5588368B2 (ja) * 2011-01-24 2014-09-10 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5777952B2 (ja) * 2011-06-28 2015-09-09 シチズン電子株式会社 発光装置とその製造方法
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US10334960B2 (en) 2012-01-09 2019-07-02 L&P Property Management Company Drop-in occupancy detection component for furniture
US10555615B2 (en) 2012-01-09 2020-02-11 L&P Property Management Company Calibration of detection features for automated furniture
US10197609B2 (en) 2012-01-09 2019-02-05 L&P Property Management Company Capacitive sensing for automated furniture
US9337831B2 (en) 2012-01-09 2016-05-10 L&P Property Management Company Capacitive wire sensing for furniture
JP5956167B2 (ja) * 2012-01-23 2016-07-27 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
JP5883662B2 (ja) * 2012-01-26 2016-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置
DE102012101160A1 (de) * 2012-02-14 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenmodul
US9041808B2 (en) 2012-03-08 2015-05-26 Stanley Electric Co., Ltd. Headlight controller, optical unit and vehicle headlight
US8931922B2 (en) * 2012-03-22 2015-01-13 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same
DE102012105677B4 (de) 2012-06-28 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenmodul und Kfz-Scheinwerfer
JP6282419B2 (ja) * 2012-07-27 2018-02-21 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置
KR101941450B1 (ko) * 2012-08-02 2019-01-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP6036103B2 (ja) * 2012-09-27 2016-11-30 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6134131B2 (ja) * 2012-11-26 2017-05-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置、その製造方法、および、照明装置
JP2014138046A (ja) 2013-01-16 2014-07-28 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子パッケージ固定構造
JP6097084B2 (ja) * 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP6118575B2 (ja) * 2013-02-12 2017-04-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013206133B4 (de) 2013-04-08 2021-09-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements und Konversionselement
BR112015026316B1 (pt) * 2013-04-17 2022-01-11 Koito Manufacturing Co., Ltd. Dispositivo emissor de luz
DE102013212928A1 (de) 2013-07-03 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
JP6164038B2 (ja) * 2013-10-16 2017-07-19 豊田合成株式会社 発光装置
JP6244906B2 (ja) 2013-12-27 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP6187277B2 (ja) 2014-01-21 2017-08-30 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6477001B2 (ja) 2014-03-14 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP5712313B2 (ja) * 2014-04-30 2015-05-07 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6299423B2 (ja) * 2014-05-21 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
CN111816750B (zh) 2014-06-19 2024-07-19 亮锐控股有限公司 具有小源尺寸的波长转换发光设备
JP6582382B2 (ja) * 2014-09-26 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6940784B2 (ja) * 2014-09-26 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6372664B2 (ja) 2015-03-20 2018-08-15 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
US10249802B2 (en) * 2015-04-02 2019-04-02 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
EP3098861B1 (en) 2015-05-29 2020-05-06 Nichia Corporation Light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device
JP5985015B2 (ja) * 2015-07-07 2016-09-06 シチズン電子株式会社 発光装置
JP6458671B2 (ja) * 2015-07-14 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN106356441A (zh) * 2015-07-16 2017-01-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
WO2017013869A1 (ja) 2015-07-22 2017-01-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び発光モジュール
JP2017041370A (ja) 2015-08-20 2017-02-23 スタンレー電気株式会社 導光体及びこれを用いた車両用灯具
JP6327220B2 (ja) 2015-08-31 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI677114B (zh) * 2015-10-05 2019-11-11 行家光電股份有限公司 具導角反射結構的發光裝置
US10840420B2 (en) * 2015-10-30 2020-11-17 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
EP3174110B1 (en) 2015-11-30 2020-12-23 Nichia Corporation Light emitting device
JP6332294B2 (ja) * 2015-11-30 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6387954B2 (ja) 2015-12-24 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
KR102532804B1 (ko) * 2016-03-14 2023-05-16 주식회사 루멘스 반도체 발광 소자 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
JP6729025B2 (ja) 2016-06-14 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
JP6512201B2 (ja) * 2016-09-30 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 線状発光装置の製造方法及び線状発光装置
JP6579159B2 (ja) * 2016-10-19 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6597657B2 (ja) 2017-01-24 2019-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102017104479B4 (de) * 2017-03-03 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
US10700252B2 (en) 2017-04-18 2020-06-30 Bridgelux Chongqing Co., Ltd. System and method of manufacture for LED packages
JP7111939B2 (ja) 2017-04-28 2022-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10700245B2 (en) 2017-07-04 2020-06-30 Nichia Corporation Light-emitting device
JP6699634B2 (ja) 2017-07-28 2020-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6729525B2 (ja) * 2017-09-14 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR102629894B1 (ko) * 2017-10-31 2024-01-30 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
WO2019088704A1 (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
WO2019139357A1 (ko) * 2018-01-10 2019-07-18 서울반도체주식회사 발광 장치
KR102473290B1 (ko) * 2018-04-02 2022-12-05 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
KR102519738B1 (ko) * 2018-02-27 2023-04-11 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 발광 소자 패키지 제조 방법
US10461231B2 (en) * 2018-02-27 2019-10-29 Lumens Co., Ltd. Method for fabricating LED package
US11121298B2 (en) * 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
JP6959536B2 (ja) * 2018-09-29 2021-11-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6760350B2 (ja) * 2018-10-25 2020-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7082290B2 (ja) * 2018-12-28 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
WO2021002158A1 (ja) * 2019-07-04 2021-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール
JP7189446B2 (ja) * 2019-08-08 2022-12-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20230005895A1 (en) 2019-11-22 2023-01-05 Nichia Corporation Light emitting device, and light emitting module
JP7137083B2 (ja) * 2019-11-22 2022-09-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュール、並びに、発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法
JP7054020B2 (ja) * 2020-04-28 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113641034B (zh) * 2021-03-11 2024-09-20 达亮电子(滁州)有限公司 光学模块及背光模组
WO2023136670A1 (ko) * 2022-01-13 2023-07-20 서울반도체주식회사 발광 패키지

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008043519A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Lexedis Lighting Gmbh Phosphor-converted light emitting diode
EP2031657A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-04 ILED Photoelectronics, Inc. Package structure for a high-luminance light source
CN101615642A (zh) * 2008-06-25 2009-12-30 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1534803B (zh) 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
JP3992770B2 (ja) * 1996-11-22 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその形成方法
JP4536171B2 (ja) 1998-05-22 2010-09-01 日亜化学工業株式会社 Led表示装置
JP3930710B2 (ja) 2000-09-13 2007-06-13 シチズン電子株式会社 チップ型発光ダイオード及びその製造方法
DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004036157B4 (de) 2004-07-26 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Leuchtmodul
JP4599111B2 (ja) 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ledランプ
DE102005059524A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
DE102006005299A1 (de) 2006-02-06 2007-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein Lumineszenzdioden-Bauelement und Lumineszenzdioden-Bauelement
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
JP5212777B2 (ja) 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
JP5224173B2 (ja) 2008-03-07 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2010118531A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Stanley Electric Co Ltd 白色照明装置および車輛用灯具
JP5326705B2 (ja) * 2009-03-17 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9478719B2 (en) * 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008043519A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Lexedis Lighting Gmbh Phosphor-converted light emitting diode
EP2031657A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-04 ILED Photoelectronics, Inc. Package structure for a high-luminance light source
CN101615642A (zh) * 2008-06-25 2009-12-30 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103840069A (zh) * 2012-11-23 2014-06-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管发光装置制作方法
US10910523B2 (en) 2014-05-14 2021-02-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10804444B2 (en) 2014-05-14 2020-10-13 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10396255B2 (en) 2014-06-12 2019-08-27 Genesis Photonics Inc. Light emitting component
CN106058006A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN110767793A (zh) * 2015-05-05 2020-02-07 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN111211206A (zh) * 2015-09-18 2020-05-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN111223975A (zh) * 2015-09-18 2020-06-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
US10957674B2 (en) 2015-09-18 2021-03-23 Genesis Photonics Inc Manufacturing method
US10497681B2 (en) 2015-09-18 2019-12-03 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
CN106549092A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN107968142A (zh) * 2016-10-19 2018-04-27 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN108206235A (zh) * 2016-12-16 2018-06-26 三星电子株式会社 半导体发光装置
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10854780B2 (en) 2017-11-05 2020-12-01 Genesis Photonics Inc. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
CN111029458A (zh) * 2018-01-10 2020-04-17 首尔半导体株式会社 发光装置
CN110249437A (zh) * 2018-01-10 2019-09-17 首尔半导体株式会社 发光装置
CN111029458B (zh) * 2018-01-10 2023-09-05 首尔半导体株式会社 发光装置
US11908984B2 (en) 2018-01-10 2024-02-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having a reflective member
CN110249437B (zh) * 2018-01-10 2024-06-21 首尔半导体株式会社 发光装置
CN110094647A (zh) * 2018-01-29 2019-08-06 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 一种波长转换装置、发光组件及照明装置
CN110364612A (zh) * 2018-04-11 2019-10-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
WO2019210656A1 (zh) * 2018-05-03 2019-11-07 瑞识科技(深圳)有限公司 一种led发光器件及其制作方法
CN111081855A (zh) * 2018-10-22 2020-04-28 隆达电子股份有限公司 发光二极管装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110309388A1 (en) 2011-12-22
JP5572013B2 (ja) 2014-08-13
US8461610B2 (en) 2013-06-11
CN102290500B (zh) 2015-11-25
JP2012004303A (ja) 2012-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102290500B (zh) 发光装置及其制造方法
CN107039410B (zh) 发光装置的制造方法
EP2555262B1 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
US9425367B2 (en) Light emitting device having opening for extracting light and method for manufacturing light emitting device having opening for extracting light
US9368697B2 (en) Light emitting device package
CN101800281B (zh) 半导体发光装置
EP2620989B1 (en) Semiconductor light-emitting device
JP6186904B2 (ja) 発光装置
CN100576590C (zh) 光半导体器件和光半导体器件的制造方法
CN114188460A (zh) 发光装置
CN102347427A (zh) 发光装置及其制造方法
CN102543982A (zh) 发光装置及其制造方法
CN102473819A (zh) 发光装置
KR102632553B1 (ko) 백라이트 유닛
CN102651445A (zh) 发光器件封装件
CN104716131B (zh) 发光装置的制造方法以及发光装置
CN111384039A (zh) 发光装置与其制造方法
JP2005191192A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
CN110140081B (zh) 背光单元
CN102456808A (zh) 发光二极管封装结构
CN110364608B (zh) 晶片级线型光源发光装置
CN112531095B (zh) 背光单元
KR20240016397A (ko) 백라이트 유닛
JP2013016566A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant