CN104716131B - 发光装置的制造方法以及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够廉价地制造发光装置的制造方法。包括:在基板上沿一个方向以规定的间隔安装多个发光元件的安装工序;形成直接覆盖被安装的多个发光元件并沿一个方向连续的第一树脂层的第一树脂形成工序;在多个发光元件之间沿与一个方向交叉的方向形成槽的槽形成工序;以及分别在槽填充第二树脂的第二树脂填充工序。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置的制造方法以及使用它制造的发光装置。
背景技术
使用以发光二极管(LED)为代表的半导体发光元件构成的发光装置与现有的光源相比,节能效果非常优越并且能够半永久性地使用,因此背光灯用、汽车用、采光板用、交通信号灯用、其它一般照明灯用等的应用市场在一般行业中正广泛普及开来。
作为使用LED的发光装置的一个例子,提出了为确保高的正面亮度而具有发光元件和反射部件的发光装置,其中该反射部件覆盖在该发光元件的上方配置的透光性部件的侧面(例如专利文献1)。
具体而言,在专利文献1的发光装置中,在安装于基板上的发光元件的上表面形成有波长变换层,在波长变换层上搭载有透光性板状部件,在发光元件、波长变换层、以及透光性板状部件的周围形成有光反射性部件。
如下地制造专利文献1的发光装置。
首先,在基板的上表面安装倒装芯片型的发光元件。
接下来,向发光元件的上表面供给规定量的波长变换层形成用的未固化树脂。接着,搭载比发光元件的上表面稍大的透光性板状部件并对树脂进行固化。
之后,形成覆盖波长变换层的侧面、透光性板状部件的侧面的光反射性部件。
专利文献1:日本特开2013-197450号公报
然而,在专利文献1的发光装置的制造方法中,对被安装的各发光元件分别涂覆波长变换层形成用的未固化树脂并搭载透光性板状部件,因此存在工时变多、无法廉价地制造之类的问题。
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供能够廉价地制造发光装置的制造方法以及廉价且亮度高的发光装置。
为了实现以上的目的,本发明所涉及的发光装置的第一制造方法的特征在于,包括:
安装工序,在该工序中,在基板上沿一个方向以规定的间隔安装多个发光元件;
第一树脂形成工序,在该工序中,形成直接覆盖上述被安装的多个发光元件并沿上述一个方向连续的第一树脂层;
槽形成工序,在该工序中,在上述多个发光元件之间沿与上述一个方向交叉的方向形成槽;以及
第二树脂填充工序,在该工序中,分别向上述槽填充第二树脂。
另外,本发明所涉及的发光装置的第二制造方法的特征在于,包括:
安装工序,在该工序中,在基板上沿一个方向以规定的间隔安装多个发光元件;
第一树脂形成工序,在该工序中,通过丝网印刷形成直接覆盖上述被安装的多个发光元件的第一树脂层;
槽形成工序,在该工序中,在上述多个发光元件之间沿与上述一个方向交叉的方向形成槽;以及
第二树脂填充工序,在该工序中,分别向上述槽填充第二树脂。
本发明所涉及的第一发光装置包括:基板;发光元件,其设置在基板上;第一树脂层,其设置在上述基板上并直接覆盖上述发光元件;以及第二树脂层,其在该第一树脂的周围设置于第一树脂的侧面,
所述发光装置的特征在于,
上述第一树脂层的侧面具有第一侧面与第二侧面,上述第一侧面与上述第二侧面相对于基板的倾斜角不同。
本发明所涉及的第二发光装置包括:基板;发光元件,其设置在基板上;第一树脂层,其设置在上述基板上并直接覆盖上述发光元件;以及第二树脂层,其在该第一树脂的周围设置于第一树脂的侧面,
所述发光装置的特征在于,
上述第一树脂层的侧面具有第一侧面与第二侧面,上述第一侧面以及上述第二侧面的至少一方的上述基板侧的倾斜角比远离上述基板的位置的倾斜角小。
根据如上构成的本发明所涉及的发光装置的制造方法,能够廉价地制造发光装置。
另外,根据本发明所涉及的发光装置,能够提供廉价且亮度高的发光装置。
附图说明
图1A是本发明所涉及的实施方式的制造方法的集合基板的俯视图。
图1B是在实施方式的制造方法中,安装了发光元件和半导体元件的俯视图。
图1C是在实施方式的制造方法中,形成了第一树脂层的俯视图。
图1D是在实施方式的制造方法中,形成了第一槽的俯视图。
图1E是在实施方式的制造方法中,形成了树脂框的俯视图。
图1F是在实施方式的制造方法中,形成了第二树脂层的俯视图。
图1G是在实施方式的制造方法中,形成第一分离槽和第二分离槽43来进行分离时的俯视图。
图2A~图2C是示意地表示本发明所涉及的实施方式的发光装置的结构的图,图2A是俯视图,图2B是侧视图,图2C是沿图2A的俯视图的A-A′线的剖视图。
图3A、图3B是示意地表示本发明所涉及的变形例的发光装置的结构的图,图3A是俯视图,图3B是沿图3A的俯视图的B-B′线的剖视图。
图4是示意地表示本发明所涉及的其它变形例的发光装置的结构的侧视图。
图5是表示在本发明所涉及的实施方式中,分别在各发光元件上形成第一树脂层来进行制造时的第一侧面的形状的剖视图。
附图标记的说明:
2...发光元件;3...半导体元件;5...基板;10...集合基板;20...第一树脂层;20a...第一侧面;20b...第二侧面;30...第二树脂层;41...槽(第一槽);42...第一分离槽;43...第二分离槽;100...发光装置。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明所涉及的实施方式进行说明。
如图2A~图2C所示,本实施方式的发光装置100具备在基板5上覆盖发光元件2的透光性的第一树脂层20、以及设置于第一树脂层20的周围的第二树脂层30。第二树脂层30覆盖除第一树脂层20的上表面以外的基板5的上表面整体。在发光装置100中,由被第二树脂层30包围并露出的第一树脂层20的上表面构成发光面。对于如上构成的发光装置100而言,由于发光面被第二树脂层30包围,所以能够使由发光元件发出的光高效地从发光面射出,从而得到高正面亮度。这里,优选以直接覆盖(与发光元件2接触)发光元件2的方式形成第一树脂层20。
另外,本实施方式的发光装置100能够通过以下那样的制造方法来制造,通过该制造方法来进行制造,从而能够廉价地提供亮度高、透光性优良的发光装置。
本实施方式的发光装置的制造方法是在集合基板上一并制成多个发光装置后,分离为单个发光装置的制造方法,其如下地构成。
1.基板制造工序
如图1A所示,在与每个发光装置对应的单位区域1准备分别形成有负电极13与正电极16的集合基板10。集合基板10包含多个配置为矩阵状的单位区域1。各单位区域1分别由长方形的区域构成,在各单位区域1中,沿长度方向并列设置有发光元件2和半导体元件3。以下,在各单位区域1中,如图1A~图1G所示,将设置有发光元件2的区域称为第一区域1a,将设置有半导体元件3的区域称为第二区域1b。这里,呈矩阵状地配置有多个单位区域1是指,在与单位区域1的长度方向正交的方向(第一方向)上配置有多个单位区域1,并且在单位区域1的长度方向(第二方向)上也配置有多个单位区域1。
负电极13由位于第一区域1a的第一负电极11与位于第二区域1b的第二负电极12构成,第一负电极11具有沿与单位区域1的长度方向正交的方向延伸的第一延伸电极11a、以及从第一延伸电极11a向单位区域1的长度方向延伸的两个第二延伸电极11b。
并且,第二延伸电极11b具有多个宽度变宽的凸块连接部。
正电极16由位于第一区域1a的第一正电极14与位于第二区域1b的第二正电极15构成,第一正电极14在第一区域1a中与第一负电极11空开规定间隔地形成于未形成有第一负电极11的区域整体。
第二负电极12与第二正电极15形成为相对于单位区域1的长度方向的中心线而线对称。
以上,在集合基板10的单位区域1中,除了将负电极13与正电极16分离的规定宽度的分离部外,形成有负电极13或者正电极16的其中一个电极。
2.发光元件安装工序
在集合基板10的各单位区域1分别安装发光元件2。
这里首先,如图1B所示,以使发光元件2的n电极与单位区域1的第一负电极11连接且发光元件2的p电极与单位区域1的第一正电极14连接的方式,将发光元件2安装于各单位区域1的第一区域1a。
具体而言,例如在两个第二延伸电极11b的凸块连接部与第一正电极14的凸块连接部分别形成凸块,利用该凸块将第二延伸电极11b的凸块连接部与发光元件2的n电极连接,并将第一正电极14的凸块连接部与发光元件2的p电极连接。在各第二延伸电极11b分别在三个位置(圆形形状的部分)设置有第二延伸电极11b的凸块连接部,并且例如,在两个第二延伸电极11b之间以及第二延伸电极11b的外侧分别在多个位置设置有第一正电极14的凸块连接部。
3.第一树脂层形成工序
接下来,如图1C所示,使一并覆盖在沿第一方向排列的单位区域1中安装的多个发光元件2的第一树脂层20沿一个方向连续而形成为(例如带状)形状。第一树脂层的材料能够使用含有YAG系荧光体的有机硅树脂。该第一树脂层20例如通过丝网印刷而形成。通过这样的形成方法形成第一树脂层20,从而基本上没有阶梯差,但是会在第一树脂层20的上表面形成微小凹凸。即,在发光元件2上形成的第一树脂层20的表面变高(凸部),发光元件2之间的表面变低(凹部)。在通过丝网印刷形成第一树脂层20的情况下,例如,印刷时所用的树脂浆料(固化前的树脂)的粘度例如调整为200~600Pa·s,优选调整为400Pa·s左右。通过调整为这样的粘度,从而在第一树脂层20的上表面上,凹凸、特别是凹部与凸部的阶梯差变得明确,并且高精度地规定凸部上表面的形状。由于该凸部上表面的形状为发光装置的发光面的形状,所以能够对发光面的形状一致的发光装置进行量产。
之后,对第一树脂层进行加热固化。
在本实施方式中,将第一树脂层20形成为了带状,但是本发明并不限定于此,例如,可以在各发光元件2上分别形成第一树脂层,另外也可以形成多个对排列为一列的多个发光元件2进行密封的第一树脂层(即,将多个第一树脂层形成为一列)。
在第一树脂层20,也可以包含吸收来自发光元件2的光的至少一部分并发出不同波长的光的荧光体。这样,能够实现与发光元件的发光颜色不同的各种发光颜色的发光装置。
在本实施方式中,通过丝网印刷形成了第一树脂层,但是本发明只要能够沿一个方向连续地形成覆盖发光元件的第一树脂层就不限定于此,例如,也能够通过使用了金属模的传递模塑、压缩模塑、喷雾等形成。除此之外,还能够使用另外形成的片状树脂。
4.半导体元件安装工序
接下来,将半导体元件3分别安装于单位区域1的第二区域1b。
半导体元件3例如通过凸块而分别与位于第二区域1b的第二负电极12和位于第二区域1b的第二正电极15连接。
也可以在第一树脂层形成工序前安装半导体元件3。在该情况下,第一树脂层20形成为不覆盖半导体元件3。
5.第一槽形成工序
接下来,如图1D所示,以与单位区域1的长边平行的方式形成有沿着单位区域1的长边从集合基板10的第一侧面10a到达第二侧面10b并从第一树脂层20的表面到达集合基板10的槽41(以下称为第一槽41)。
形成该第一槽41的位置在最终分离为单个发光装置时,规定该发光装置的形成于发光元件2的侧面的第一树脂层20的厚度。因此,根据发光装置的形成于发光元件2的侧面的第一树脂层20的厚度来设定形成第一槽41的位置。
另外,根据在分离为单个发光装置时在形成于发光元件2的侧面的第一树脂层20的外侧形成的第二树脂所需的厚度来设定第一槽41的宽度。
另外,优选在接下来的工序中第一槽41通过毛细现象使第二树脂浸透,因此优选第一槽41的宽度设定为通过毛细现象能够浸透第二树脂的宽度。
并且,也可以在沿第一方向相邻的单位区域1之间形成有多个第一槽41,优选,如图1D所示,形成沿着在第一方向上相邻的一方的单位区域1的长边形成的第一槽41、以及与该第一槽分离并沿着一方的单位区域1的长边形成的不同的第一槽41这两个第一槽。由此,能够调整第一槽的宽度,因此即使在第二树脂层的宽度较厚的情况下,也能够高效地形成。
另外,第一槽41至少形成为到达集合基板10的表面的深度,但是优选形成为以使第一树脂层的侧面可靠地覆盖第二树脂层的方式超过集合基板10的表面并达到厚度方向的中途的深度。另外,通过这样地在基板上形成槽,能够提高填充于槽中的第二树脂与集合基板10的紧贴力,从而能够形成可靠性高的发光装置。
6.第二树脂层形成工序
如图1E、图1F所示,形成第二树脂层30。
第二树脂的材料能够使用含有氧化钛的有机硅树脂。
这里,首先,如图1E所示,以包含分别安装有发光元件2以及半导体元件3的整个单位区域1的方式,由第二树脂形成树脂框31(树脂框形成工序)。树脂框31能够通过例如分配而形成。
树脂框形成工序中的固化前的第二树脂的粘度例如设定为200~600Pa·s,优选设定为400Pa·s左右。
接下来,如图1F所示,在由树脂框31围成的区域中,使第二树脂流入除了发光元件2上的凸部的上表面外的部分(凹部),并在第一槽41内保持一定时间,直至利用毛细现象浸透第二树脂,之后,使第二树脂加热固化(第二树脂填充工序)。此时,由第二树脂覆盖半导体元件3。
第二树脂填充工序中的固化前的第二树脂的粘度例如设定为10Pa·s以下,优选设定为4.5Pa·s左右。
这样,在树脂框31内部形成第二树脂层32,并形成树脂框31与第二树脂层32一体化而成的第二树脂层30。第二树脂层30也可以直接覆盖半导体元件3。
优选该第二树脂层包含反射部件,由于包含反射部件,从而能够使光从第一树脂层的上表面(发光面)高效地射出,实现高亮度的发光装置。另外,由于第二树脂层包含反射部件,从而第一树脂层亦即发光面的端部变得明确,能够实现高亮度、透光性优良的发光装置。
在以上的实施方式中,以相同的树脂形成了树脂框31与第二树脂层32,但是本发明并不限定于此,也能够以不同的树脂或者材料形成树脂框31与第二树脂层32。
另外,在以上的实施方式中,在形成树脂框后使第二树脂流入树脂框内,从而形成第二树脂层,但是本发明并不限定于此,也能够不使用树脂框地形成第二树脂层。
7.分离工序
将集合状态下制成的多个发光装置分离为单个发光装置。
分离的方法虽没有特别地限定,但是具体而言,如图1G所示,在第一方向上相邻的单位区域1之间,并在上述单位区域1之间的中央部形成第一分离槽42,在第二方向上相邻的单位区域1之间,并在上述单位区域1之间的中央部形成第二分离槽43从而进行分离。例如,在形成两个第一槽41的本实施方式的结构中,第一分离槽42在第一槽41之间例如以不与第一槽41接触的方式形成。
以上那样,制成以第一树脂层20的上表面为发光面,并且发光面的周围埋设于第二树脂层30的图2A~图2C所示的实施方式的发光装置100。
根据以上说明的本发明所涉及的实施方式的发光装置的制造方法,能够一并形成第一树脂层,因此例如与对应于各发光元件而分别搭载板状的透光性板状部件的方法相比,能够减少工序数,从而能够廉价地制造发光装置。
另外,在本发明所涉及的实施方式的发光装置的制造方法中,在使第一树脂层20含有荧光体而制造与发光元件的发光颜色不同的发光颜色的发光装置的情况下,与希望的发光颜色对应地从各种荧光体中选择使第一树脂层20含有的荧光体,从而能够利用相同的制造方法实现多种多样的发光颜色的发光装置。
并且,能够根据所需规格适时适度地选择沿一个方向连续而形成的带状的第一树脂层20的形成宽度、第一树脂层20的形状以及第一槽的形成位置,因此能够根据所需规格制造各种尺寸的发光装置。
因此,根据本发明所涉及的实施方式的发光装置的制造方法,能够与应对需求的多种多用的发光装置的制造对应,因此即使对于多品种少量生产的需求也能够提供廉价的发光装置。
该发光装置100通过上述的制造方法来制造,因此第一树脂层20的形状具有由制造方法所带来的特征。
具体而言,如图2B、图2C所示,沿着发光装置100的长边的第一树脂层20的第一侧面20a与沿着发光装置100的短边的第一树脂层20的第二侧面20b相对于基板5的倾斜角不同。具体而言,第一树脂层20的第一侧面20a具有与槽41的切断面(侧壁)对应的倾斜角,并相对于基板5的上表面几乎垂直。与此相对,第二侧面20b具有与形成第二树脂层30时的形成方法对应的倾斜角,例如相对于基板5的上表面具有内角0为锐角那样的倾斜度。这里,内角θ是指第二侧面20b相对第一树脂层20的内部的基板5的上表面所成的角度。另外,在通过丝网印刷形成第一树脂层20的情况下,对于第一侧面20a而言,不论距基板的距离是多少,实际上倾斜角都恒定,与此相对,对于第二侧面20b而言,基板5侧的倾斜角比远离基板的位置的倾斜角小(内角小)。
即,在分割为单个发光装置后,各发光装置的第一树脂层20成为上表面比基板侧的底面小的四棱锥台形状。此外,在本说明书中,假定仅第二侧面20b倾斜的形状也包含在四棱锥台形状内。另外,在不将第一树脂层20形成为带状,而例如在各发光元件2上分别形成第一树脂层的情况下,例如图5所示,第一侧面20a也与第二侧面20b相同地倾斜。这样,第一树脂层具有以使第一树脂层的上表面侧变小的方式倾斜的侧面,从而能够进一步缩小发光部,能够实现透视性优良的发光装置。此外,图5是图4所示的发光装置的剖视图,是与图2C对应的剖视图。
另外,在上述实施方式中,将第一树脂层20形成为带状,并在与该带状的长度方向正交的方向上形成第一槽41,因此在分割为单个发光装置后的发光装置100中,第一树脂层在俯视观察时为矩形,第一侧面20a与第二侧面20b分别设置为与矩形的对置的两边对应。
在以上的实施方式的发光装置的制造方法中,如图1G所示,在第一方向上相邻的单位区域1之间,且远离第一槽41的位置形成第一分离槽42来进行分离。结果,在分离后的发光装置100中,如图2A~图2C所示,沿着与其长度方向平行的侧面形成具有第一槽41与第一分离槽42的分离距离的厚度的第一树脂层20。
然而,本发明并不限定于此,也可以形成具有比第一槽41之间的间隔宽的宽度的第一分离槽,从而分离为单个发光装置100。在该情况下,在分割后的发光装置中,如图3A、图3B所示,在与长度方向平行的侧面未形成第一树脂层20,从而使第二树脂层露出。
此外,在实施方式的发光装置的制造方法以及变形例的制造方法中的任一种情况下,都以在覆盖发光元件2的第一树脂层20的周围形成所需厚度的第二树脂层30的方式,设定第一槽41的宽度与第一分离槽42的宽度以及位置,这是不言而喻的。
在以上的实施方式中,示出了用一个发光元件2构成的发光装置。然而,本发明并不限定于此,也能够应用于使用两个发光元件或者两个以上的发光元件的发光装置及其制造方法。例如,在图4以及图5中示出了用两个发光元件2构成发光装置的例子。在图4所示的例子中,在各单位区域设置有两个发光元件2。在该图4所示的例子中,例如,使一并覆盖安装于单位区域的两个发光元件2的第一树脂层20沿一个方向连续而形成为带状,从而能够以与实施方式相同的方法进行制造。另外,在这种情况下,在两个以上的发光元件之间,第一树脂层的上表面也会形成凹形状。此外,多个发光元件的连接方法可以是串联连接,也可以是并联连接。
以下,对本实施方式的各构成要素、所使用的优选结构以及材料进行说明。
(基板5(集合基板10))
作为基板的材料为绝缘性材料,优选为来自发光元件的光、外部光难以透过的材料。例如,能够举出氧化铝、氮化铝等陶瓷、酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、BT树脂、聚苯二甲酰胺等树脂。此外,在使用树脂的情况下,也可以根据需要,将玻璃纤维、氧化硅、氧化钛、氧化铝等无机填充剂与树脂混合。由此,能够实现机械强度的提高、热膨胀率的减少、光反射率的提高。另外,由于低温烧结陶瓷(LTCC)的光反射率较高,所以能够适用于本发明的发光装置。
(发光元件2)
作为发光元件2优选发光二极管,并能够根据用途选择任意的波长的发光元件。例如,能够举出可发出能够高效地激励荧光体的短波长的光的氮化物半导体(lnXAlYGa1-X-YN,0≤X,0≤Y,X+Y≤1)。该氮化物半导体发光元件例如通过在蓝宝石基板等透光性基板上形成氮化物半导体层来制造,并能够根据半导体层的材料、其混晶度来选择各种发光波长。
(第一树脂层)
作为第一树脂层的材料优选透光性高的材料,例如能够使用环氧树脂、有机硅树脂等热固化树脂。优选第一树脂层含有荧光体,也可以根据需要添加扩散剂、填充剂等。
(第一树脂层所含有的荧光体)
根据所选定的发光元件2选择荧光体。
作为能够与蓝色发光元件适当地组合而发出白色系的混色光的代表性的荧光体,例如,能够举出钇·铝·石榴石系荧光体(YAG系荧光体)。在为能够发出白色光的发光装置的情况下,对荧光体层所包含的荧光体的浓度进行调整使该荧光体成为白色。荧光体的浓度例如为5~50%左右。
另外,通过对发光元件使用蓝色发光元件、对荧光体使用YAG系荧光体以及红色成分多的氮化物系荧光体,能够发出红棕色的光。红棕色是指,相当于由JIS规格Z8110的黄色中的长波长区域和黄红短波长区域构成的区域、或基于安全色彩的JIS规格Z9101的黄色区域与黄红短波长区域所夹的区域的色度范围,例如,对于主波长而言,是处于580nm~600nm的范围的区域。
YAG系荧光体是包含Y与Al的石榴石构造的统称,且是由从稀土类元素选择的至少一种元素活化后的萤光体,其由从发光元件发出的蓝色光激发而发光。作为YAG系荧光体,例如能够举出(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ce(0≤X<1,0≤y≤1,其中,Re是从由Y、Gd、La、Lu构成的群中选择的至少一种元素。)等。
另外,氮化物系荧光体是被从由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu构成的群中选择的至少一种以上的稀土类元素活化的,是包含从由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn构成的群中选择的至少一种以上的第II族元素、从由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf构成的群中选择的至少一种以上的第IV族元素、以及N的荧光体。在该氮化物荧光体的组成中也可以含有O。
作为氮化物系荧光体的具体例,一般能够举出以LXMYN((2/3)X+(4/3)Y):R或者LXMYOzN((2/3)X+(4/3)Y-(2/3)z):R(L是从由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn构成的群中选择的至少一种以上的第II族元素。M是从由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf构成的群中选择的至少一种以上的第IV族元素。R是从由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Lu构成的群中选择的至少一种以上的稀土类元素。对X、Y、Z而言,0.5≤X≤3,1.5≤Y≤8,0<Z≤3。)表示的氮化物系荧光体。
另外,作为吸收蓝色光而发出红色光的荧光体,也可以使用KSF荧光体。
(半导体元件3)
半导体元件3相对于发光元件2单独设置,其是根据需要而与发光元件2相邻地配置在基板5上的元件。半导体元件3例如被倒装安装。作为这样的半导体元件,能够举出用于控制发光元件的晶体管、以下说明的保护元件。保护元件是用于保护发光元件2从而使其不会由于过大的施加电压而引起元件破坏、性能变差的元件。具体而言,保护元件由当被施加规定电压以上的电压时成为通电状态的齐纳二极管(Zener Diode)构成。保护元件是与发光元件2同样地具有p电极和n电极的半导体元件,其以反并联地方式与发光元件2的p电极和n电极电连接。在保护元件的情况下,也与发光元件的情况相同地使保护元件的各电极与各导电部件的上方对置,并施加热、超声波以及负载,从而将导电部件与保护元件接合。
由此,即使对发光元件2的pn两电极之间施加过大的电压而使其电压超过齐纳二极管的齐纳电压,发光元件2的pn两电极之间也能够保持在齐纳电压下,不会变为该齐纳电压以上。因此,通过具备保护元件,能够防止pn两电极间的电压变为齐纳电压以上,从而能够适当地防止施加过大的电压所引起的发光元件2的元件破坏、性能变差的产生。
(第二树脂层30)
作为第二树脂层30的材料,例如能够使用热固化性树脂、热塑性树脂等。更具体而言,能够举出酚醛树脂、环氧树脂、BT树脂、PPA或有机硅树脂等。另外,在构成它们的母体的树脂中,使难以吸收来自发光元件2的光并且相对于构成母体的树脂的折射率差较大的反射部件(例如TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO)等粉末分散,从而能够高效地反射光。
对于第二树脂层30的填充而言,例如,在固定了的集合基板10的上侧,使用能够相对于集合基板10沿上下方向或者水平方向等移动(可动)的树脂排出装置来进行第二树脂层30的填充。即,通过使填充了树脂的树脂排出装置边从其前端的喷嘴排出液体树脂边移动,从而向发光元件2与半导体元件3的附近注入第二树脂。能够根据所用的树脂的粘度、温度等来适当地调整树脂排出装置的移动速度。通过使排出时受到的压力等恒定等,能够进行排出量的调整。
Claims (29)
1.一种发光装置的制造方法,其特征在于,包括:
安装工序,在该工序中,在基板上沿一个方向以规定的间隔安装多个发光元件;
第一树脂形成工序,在该工序中,形成直接覆盖所述被安装的多个发光元件并沿所述一个方向连续的第一树脂层;
槽形成工序,在该工序中,在所述多个发光元件中的每两个相邻的发光元件之间沿与所述一个方向交叉的方向形成至少两个槽;以及
第二树脂填充工序,在该工序中,分别向所述槽填充第二树脂。
2.一种发光装置的制造方法,其特征在于,包括:
安装工序,在该工序中,在基板上沿一个方向以规定的间隔安装多个发光元件;
第一树脂形成工序,在该工序中,通过丝网印刷形成直接覆盖所述被安装的多个发光元件的第一树脂层;
槽形成工序,在该工序中,在所述多个发光元件中的每两个相邻的发光元件之间沿与所述一个方向交叉的方向形成至少两个槽;以及
第二树脂填充工序,在该工序中,分别向所述槽填充第二树脂。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在所述槽形成工序中,将所述槽形成为到达所述基板的厚度方向的中途的深度。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
包括在所述第二树脂填充工序前将半导体元件与各发光元件对应地安装在所述基板上的工序,
在所述第二树脂填充工序中,以使发光元件上的第一树脂的上表面露出的方式在所述基板上形成所述第二树脂,并且利用所述第二树脂直接覆盖所述半导体元件。
5.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
包括在所述第二树脂填充工序前将半导体元件与各发光元件对应地安装在所述基板上的工序,
在所述第二树脂填充工序中,以使发光元件上的第一树脂的上表面露出的方式在所述基板上形成所述第二树脂,并且利用所述第二树脂直接覆盖所述半导体元件。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
还包括分离槽形成工序,在该工序中,在所述发光元件之间沿与所述一个方向交叉的方向形成分离槽。
7.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
还包括分离槽形成工序,在该工序中,在所述发光元件之间沿与所述一个方向交叉的方向形成分离槽。
8.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
还包括分离槽形成工序,在该工序中,在所述发光元件之间沿与所述一个方向交叉的方向形成分离槽。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在所述分离槽形成工序中,以由所述第二树脂构成的第二树脂层沿所述第一树脂层形成所需厚度的方式形成所述分离槽。
10.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在所述安装工序之前,还包括基板准备工序,在该工序中,准备所述基板,该基板具备供分别包含正电极和负电极的单位区域沿所述一个方向和与该一个方向正交的方向配置为矩阵状的上表面。
11.根据权利要求10所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在所述安装工序中,将所述发光元件设置于各单位区域,分别将所述发光元件的n电极与所述负电极连接,将所述发光元件的p电极与所述正电极连接。
12.一种发光装置,其包括:基板;发光元件,其设置在基板上;第一树脂层,其设置在所述基板上并直接覆盖所述发光元件;以及第二树脂层,其在该第一树脂层周围设置于第一树脂层的侧面,
所述发光装置的特征在于,
所述第一树脂层的侧面具有第一侧面与第二侧面,在设置于所述第一树脂层的第一侧面的第二树脂层的外侧,具有由与所述第一树脂层相同的树脂材料构成的树脂层,所述第一侧面与所述第二侧面相对于基板的倾斜角不同。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于,
所述第一侧面不论与所述基板的距离如何,实际上倾斜角都恒定,所述第二侧面的所述基板侧的倾斜角比远离所述基板的位置的倾斜角小。
14.一种发光装置,其包括:基板;发光元件,其设置在基板上;第一树脂层,其设置在所述基板上并直接覆盖所述发光元件;以及第二树脂层,其在该第一树脂层的周围设置于第一树脂层的侧面,
所述发光装置的特征在于,
所述第一树脂层的侧面具有第一侧面与第二侧面,在设置于所述第一树脂层的第一侧面的第二树脂层的外侧,具有由与所述第一树脂层相同的树脂材料构成的树脂层,所述第一侧面以及所述第二侧面的至少一方的所述基板侧的倾斜角比远离所述基板的位置的倾斜角小。
15.根据权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第一树脂层在俯视观察时为矩形,所述第一侧面与所述第二侧面分别设置于矩形的对置的两边。
16.根据权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第一树脂层为上表面比基板侧的底面小的四棱锥台形状。
17.根据权利要求15所述的发光装置,其特征在于,
所述第一树脂层为上表面比基板侧的底面小的四棱锥台形状。
18.根据权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第一树脂层包含荧光体。
19.根据权利要求15所述的发光装置,其特征在于,
所述第一树脂层包含荧光体。
20.根据权利要求16所述的发光装置,其特征在于,
所述第一树脂层包含荧光体。
21.根据权利要求17所述的发光装置,其特征在于,
所述第一树脂层包含荧光体。
22.根据权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其特征在于,
在所述基板上具有设置于远离所述第一树脂层的位置的半导体元件,并且该半导体元件被所述第二树脂覆盖。
23.根据权利要求18所述的发光装置,其特征在于,
在所述基板上具有设置于远离所述第一树脂层的位置的半导体元件,并且该半导体元件被所述第二树脂覆盖。
24.根据权利要求19所述的发光装置,其特征在于,
在所述基板上具有设置于远离所述第一树脂层的位置的半导体元件,并且该半导体元件被所述第二树脂覆盖。
25.根据权利要求20所述的发光装置,其特征在于,
在所述基板上具有设置于远离所述第一树脂层的位置的半导体元件,并且该半导体元件被所述第二树脂覆盖。
26.根据权利要求12~14中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第二树脂层包含反射部件。
27.根据权利要求18所述的发光装置,其特征在于,
所述第二树脂层包含反射部件。
28.根据权利要求19所述的发光装置,其特征在于,
所述第二树脂层包含反射部件。
29.根据权利要求20所述的发光装置,其特征在于,
所述第二树脂层包含反射部件。
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WO2015156175A1 (ja) * | 2014-04-08 | 2015-10-15 | シャープ株式会社 | Led駆動回路及びバックライト装置 |
KR20170051004A (ko) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
JP6784542B2 (ja) * | 2016-09-01 | 2020-11-11 | ヒロセ電機株式会社 | 光電気変換コネクタの製造方法、及び、光電気変換コネクタとそれを用いた光電気変換コネクタ装置 |
JP6760321B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2020-09-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR102660614B1 (ko) * | 2018-09-10 | 2024-04-26 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP6992137B2 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-01-13 | ヒロセ電機株式会社 | 光電気変換コネクタの製造方法、及び、光電気変換コネクタとそれを用いた光電気変換コネクタ装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2444715A2 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-25 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co., Ltd | Multichip package structure for directly electrically connecting to an AC power source |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677540A (ja) | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
JPH1093132A (ja) | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Sharp Corp | 光結合装置 |
JP2000208822A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
JP3399440B2 (ja) * | 1999-04-26 | 2003-04-21 | 松下電器産業株式会社 | 複合発光素子と発光装置及びその製造方法 |
JP3546812B2 (ja) | 1999-10-07 | 2004-07-28 | 株式会社デンソー | 表面実装型発光ダイオード |
JP3291278B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2002-06-10 | サンユレック株式会社 | 光電子部品の製造方法 |
JP3844196B2 (ja) | 2001-06-12 | 2006-11-08 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
EP1693904B1 (en) * | 2005-02-18 | 2020-03-25 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
EP1858086B1 (en) | 2005-03-09 | 2016-11-23 | Asahi Kasei EMD Corporation | Optical device and manufacturing method of optical device |
US8552444B2 (en) | 2007-11-19 | 2013-10-08 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same |
JP5189835B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2013-04-24 | シチズン電子株式会社 | 反射枠付表面実装型led |
JP2010199547A (ja) | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2012069577A (ja) | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
EP2448028B1 (en) * | 2010-10-29 | 2017-05-31 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
JP5886584B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US9490235B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-11-08 | Cree, Inc. | Light emitting devices, systems, and methods |
JP5753446B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2015-07-22 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2013062416A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2013120821A (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光デバイス |
JP5970215B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-08-17 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP6149487B2 (ja) | 2012-11-09 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
-
2013
- 2013-12-17 JP JP2013260313A patent/JP6331376B2/ja active Active
-
2014
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2017
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2444715A2 (en) * | 2010-10-22 | 2012-04-25 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co., Ltd | Multichip package structure for directly electrically connecting to an AC power source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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