JP3546812B2 - 表面実装型発光ダイオード - Google Patents
表面実装型発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP3546812B2 JP3546812B2 JP2000178789A JP2000178789A JP3546812B2 JP 3546812 B2 JP3546812 B2 JP 3546812B2 JP 2000178789 A JP2000178789 A JP 2000178789A JP 2000178789 A JP2000178789 A JP 2000178789A JP 3546812 B2 JP3546812 B2 JP 3546812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- casing
- inner end
- lead frame
- housing portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面実装型発光ダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の発光ダイオードとしては、図9及び図10にて示すような構成を有するものがある。この発光ダイオード(以下、LEDという)は、電気絶縁樹脂(例えば、白色系のガラス入りエポキシ樹脂や高耐熱性ポリマー)からなる直方体形状のケーシング10を備えており、このケーシング10の上壁11には、収容部12が凹状に形成されている。この収容部12は、その開口部12aにてケーシング10の上壁11から外方に開口しており、この収容部12の底面12bは、上壁11に並行となっている。また、収容部12の内周面12cは、光反射効率を高めるため、開口部12aから底面12bにかけて末すぼまり状に傾斜している。
【0003】
また、当該LEDは、金属材料からなる両板状リードフレーム20、30を備えており、これら両リードフレーム20、30は、図10にて示すような構成となるように、ケーシング10にインサート成形されている。なお、上記金属材料に代えて、導電性弾性材料(例えば、導電性バネ材料)により両リードフレーム20、30を形成してもよい。
【0004】
ここで、リードフレーム20は、LEDのカソードを構成するもので、このリードフレーム20は、ケーシング10内にその一側側壁13から収容部12の底面12bに沿うように挿入されている。このリードフレーム20の内端部21は、収容部12内にその底面12bに沿って延出しており、この内端部21は、リードフレーム20のうち当該内端部21以外の部分よりも幅狭に形成されて、収容部12の底面12bの中央に位置している。
【0005】
一方、リードフレーム30は、LEDのアノードを構成するもので、このリードフレーム30は、ケーシング10内にその他側側壁15から収容部12の底面12bに沿うように挿入されている。このリードフレーム30の内端部31は、収容部12内にその底面12bに沿って延出しリードフレーム20の内端部21にケーシング10の隔壁16を介し対向しており、当該内端部31は、図9にて示すごとく、リードフレーム20の内端部21を囲うようにコ字状に形成されている。また、隔壁16は、ケーシング10の収容部12の底面12bから両内端部21、31の間に突出形成されており、この隔壁16は、両リードフレーム20、30の各内端部21、31を相互に電気絶縁する役割を果たす。
【0006】
また、リードフレーム20は、そのケーシング10の一側側壁13から外方へ延出する部分(以下、脚部22という)にて、当該一側側壁13からケーシング10の低壁14の図10にて図示左端部にかけて屈曲形成されており、このリードフレーム20は、その外端部22a(脚部22の先端部)にて、プリント基板等の配線板Pの配線部にはんだ付け22bされている。一方、リードフレーム30は、そのケーシング10の他側側壁15から外方へ延出する部分(以下、脚部32という)にて、当該他側側壁15からケーシング10の低壁14の図10にて図示右端部にかけて屈曲形成されており、このリードフレーム30は、その外端部32a(脚部32の先端部)にて、配線板Pの他の配線部にはんだ付け32bされている。これにより、当該LEDは配線板Pに表面実装されている。
【0007】
また、当該LEDは、LEDチップ40を備えており、このLEDチップ40は、収容部12内に収容されて、銀ペースト層50によりリードフレーム20の内端部21の表面に接着されている。当該LEDチップ40は、PN接合を形成する化合物半導体のチップを有しており、このLEDチップ40は、そのPN接合に順方向に電流を流すことで、収容部12の開口面側に向け発光する。なお、銀ペースト層50は、LEDチップ40の負極をリードフレーム20の内端部21に電気的に接続する役割を果たす。また、LEDチップ40は、その正極にて、金線41によりリードフレーム30の内端部31に電気的に接続されている。
【0008】
また、収容部12内には、被覆部材60が、ポッティング樹脂(例えば、透明のエポキシ樹脂)の充填でもって形成されており、この被覆部材60は、LEDチップ40、金線41及び両リードフレーム20、30の各内端部21、31を被覆する。ここで、被覆部材60を形成するポッティング樹脂の線膨張係数はケーシング10を形成する材料の線膨張係数よりも大きい。なお、被覆部材60はその表面からLEDチップ40の光を出射する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記LEDにおいて、両リードフレーム20、30の配線板Pに対するはんだ付けは、通常、リフロー処理でなされる。このリフロー処理は、高温(約250(℃))の雰囲気内で行われる。このため、ケーシング10や被覆部材60は外方へ熱膨張しようとする。ここで、上述のように、被覆部材60はケーシング10よりも大きな線膨張係数を有するため、この被覆部材60は、その熱膨張によりケーシング10をその収容部12を介し押し広げようとする。
【0010】
しかし、上述のように、収容部12の内周面12cは、底面12bから開口部12aにかけて末広がり状に傾斜しているため、被覆部材60の熱膨張は収容部12の開口部12a側へ逃げるように作用する。これに伴い、被覆部材60は開口部12a側へ熱膨張する。従って、リードフレーム20の内端部21が、図10にて二点鎖線により示すごとく、当該内端部21に弾性力に抗して被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40と共に引っ張られて収容部12の底面12bから浮き上がる。
【0011】
その後、リードフレーム20の内端部21は、被覆部材60との密着性がよくないため、その弾性力により原位置に戻ろうとするが、被覆部材60により囲まれているLEDチップ40は、被覆部材60との密着性がよいため、当該被覆部材60により引っ張られた状態を維持しようとする。その結果、LEDチップ40をリードフレーム20の内端部21に接着している銀ペースト層50において剥離が発生し、LEDチップ40とリードフレーム20との間の電気的接続が不良となり或いは遮断されてしまうという不具合が生ずる。
【0012】
そこで、本発明は、以上のようなことに対処するため、表面実装型LEDにおいて、ケーシングの収容部内にてリードフレームの内端部上のLEDチップを被覆する被覆部材がリフロー処理によるリードフレームのはんだ付けの際に熱膨張しても、リードフレームの内端部を動かないように保持することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明に係る表面実装型発光ダイオードは、
上壁(11)にて外方へ開口するように収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケーシング(10)と、
このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入されて収容部内にその底面(12b)に沿い内端部(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフレーム(20)と、
ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入されて収容部内にその底面に沿い一側リードフレームの内端部に対向するように延出する内端部(31)を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(30)と、
収容部内に収容されて両リードフレームの一方(20)の内端部上に導電性接着層(50)を介し装着したLEDチップ(40)とを備える。
【0014】
また、収容部は、その底面全体に少なくとも対向する開口部(12a)をケーシングの上壁にて有するように形成されており、収容部内には、ケーシングよりも熱膨張係数の大きい透光樹脂製被覆部材(60)がLEDチップを被覆するように設けられている。
【0015】
そして、当該表面実装型発光ダイオードにおいて、一方のリードフレームの内端部には、貫通穴部(21d)が収容部内にて形成されており、貫通穴部の周縁部を収容部の底面との間に被覆部材側へは浮き上がり不能に挟持する保持壁(17A)が、貫通穴部を通して前記収容部の底面に一体に形成されている。
【0016】
これにより、ケーシングの収容部内にて一方のリードフレームの内端部上のLEDチップを被覆する被覆部材がリフロー処理によるリードフレームのはんだ付けの際にケーシングよりも大きく熱膨張しても、リードフレームの内端部を動かないように保持する。従って、導電性接着層において剥離が生ずることがなく、LEDチップと一方のリードフレームとの間の導電性接着層を介する電気的接続は良好に確保される。
【0017】
また、請求項2に記載の発明に係る表面実装型発光ダイオードは、
上壁(11)にて外方へ開口するように収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケーシング(10)と、
このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入されて収容部内にその底面(12b)に沿い内端部(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフレーム(20)と、
ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入されて収容部内にその底面に沿い一側リードフレームの内端部に対向するように延出する内端部(31)を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(30)と、
収容部内に収容されて両リードフレームの一方(20)の内端部上に銀ペースト層(50)を介し装着したLEDチップ(40)とを備える。
【0018】
また、両リードフレームはケーシングにインサート成形されており、収容部の内周面(12c)は、当該収容部の底面からケーシングの上壁にかけて末広がり状に形成されている。また、収容部内には、ケーシングよりも熱膨張係数の大きい透光樹脂製被覆部材(60)がLEDチップを被覆するように設けられている。
【0019】
当該表面実装型発光ダイオードにおいて、一方のリードフレームの内端部には、貫通穴部(21d)が収容部内にて形成されており、貫通穴部の周縁部を収容部の底面との間に被覆部材側へは浮き上がり不能に挟持する保持壁(17A)が、貫通穴部を通して前記収容部の底面に一体に形成されている。
【0020】
これにより、ケーシングの収容部内にて一方のリードフレームの内端部上のLEDチップを被覆する被覆部材がリフロー処理によるリードフレームのはんだ付けの際に、被覆部材はケーシングよりも大きく熱膨張する。ここで、収容部の内周面は、当該収容部の底面からケーシングの上壁にかけて末広がり状に形成されているため、被覆部材は収容部の開口部に向けて熱膨張する。
【0021】
しかし、上述のようにケーシングの保持部は被覆部材側へは浮き上がり不能に一方のリードフレームの内端部を保持しているから、銀ペースト層において剥離が生ずることがなく、LEDチップと一方のリードフレームとの間の銀ペースト層を介する電気的接続は良好に確保される。
【0022】
また、請求項3に記載の発明によれば、請求項2に記載の発明において、両リードフレームは、ケーシングから延出する各脚部(22、32)にて配線板にリフロー処理にてはんだ付けされている。
【0023】
これにより、配線板に表面実装されたLEDにおいて、請求項2に記載の発明と同様の作用効果を達成できる。
【0024】
また、請求項4に記載の発明によれば、請求項2または3に記載の表面実装型発光ダイオードにおいて、保持壁(17A)は、一方のリードフレームの内端側にて収容部の内周面のうち底面側部分まで断面傾斜状に延出して当該内周面と一体となっている。
【0028】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態を図面により説明する。
(第1実施形態)
図1及び図2は本発明に係る表面実装型LEDの第1実施形態を示している。なお、このLEDの構成部材において、図9及び図10にて示すLEDの構成部材と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。
【0030】
ケーシング10は、図9及び図10にて示す隔壁16に代えて、図1及び図2にて示すごとく、隔壁17を備えており、この隔壁17は、ケーシング10に対する両リードフレーム20、30のインサート成形時にケーシング10に一体形成されている。
【0031】
隔壁17は、図2及び図3にて示すように、隔壁部17aと、保持部17bとにより構成されている。隔壁部17aは、図9及び図10にて示す隔壁16と同様に、両リードフレーム20、30の各内端部21、31の間に突出形成されており、この隔壁部17aは、隔壁16と同様の役割を果たす。
【0032】
保持部17bは、図2及び図3にて示すごとく、隔壁部17aの上端にこの隔壁部17aと共に断面T字状となるように形成されており、この保持部17bは、その幅方向一側部分aにて、リードフレーム20の内端部21の先端部分を収容部12の底面12bとの間に挟持し、その幅方向他側部分bにて、リードフレーム30の内端部31の先端部分を収容部12の底面12bとの間に挟持する。このことは、隔壁17は、その保持部17bにて、両リードフレーム20、30の各内端部21、31を収容部12の底面12b上に浮き上がり不能に押さえ込むことを意味する。
【0033】
以上のように構成した本第1実施形態において、当該LEDを配線板Pに表面実装するにあたり、このLEDの両リードフレーム20、30の各脚部22、32は、図2にて示すごとく、配線板Pの各配線部にリフロー処理でもってはんだ付け22b、32bされる。このとき、ケーシング10及び被覆部材60が高温の雰囲気にさらされる。しかも、上述のように、収容部12の内周面12cは、底面12bから開口部12aにかけて末広がり状に傾斜している。
【0034】
このため、ケーシング10よりも大きな線膨張係数を有する被覆部材60が収容部12の開口部12b側に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部21が、図10にて二点鎖線により示すごとく、弾性力に抗して被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40と共に引っ張られることとなる。
【0035】
しかし、リードフレーム20の内端部21は、上述のように、隔壁17の保持部17bの幅方向一側部aにより収容部12の底面12b上に押さえ込まれている。このため、当該内端部21は、収容部12の底面12bから浮き上がることなく、LEDチップ40と共に、原位置にそのまま保持される。従って、銀ペースト層50において剥離が生ずることがなく、LEDチップ40とリードフレーム20との間の銀ペースト層50を介する電気的接続は良好に確保される。
【0036】
この場合、隔壁17は、保持部17bの幅方向他側部bによりリードフレーム30の内端部31の先端部分を収容部12の底面12b上に押さえ込む状態となっているので、この押さえ込み状態が、リードフレーム20の内端部21に対する保持部17bの幅方向一側部aによる押さえ込みを補強することとなり、その結果、上記作用効果をより一層向上できる。
【0037】
なお、上記第1実施形態では、隔壁17の保持部17bのうち幅方向他側部bを廃止してもよい。
【0038】
図4は、上記第1実施形態の第1変形例を示している。この第1変形例では、隔壁18が、上記第1実施形態にて述べた隔壁17に代えて、採用されており、この隔壁17は、ケーシング10に対する両リードフレーム20、30のインサート成形時にケーシング10に一体形成されている。
【0039】
隔壁18は、隔壁17の隔壁部17aと同様に、両リードフレーム20、30の各内端部21、31の間に突出形成されている。また、隔壁18の両側面18a、18bは、図4にて示すように、互いに外方へ断面凸な湾曲形状になっている。また、この両側面18a、18bの彎曲形状に合わせて、両リードフレーム20、30の各内端部21、31の先端部分は、その対向端面21a、31aにて、互いに外方へ断面凹な彎曲形状にエッチング処理により形成されている。これにより、隔壁18は、その両側面18a、18bにより、両リードフレーム20、30の各内端部21、31を収容部12の底面12b上に浮き上がり不能に押さえ込んでいる。なお、隔壁18は、隔壁17の隔壁部17aと同様の役割を果たすことは勿論である。その他の構成は上記第1実施形態と同様である。
【0040】
このように構成した本第1変形例において、LEDの両リードフレーム20、30の各脚部22、32を配線板Pの各配線部にリフロー処理でもってはんだ付け22b、32bするとき、上記第1実施形態と同様に、被覆部材60が収容部12の開口部12b側に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部21が被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40と共に引っ張られることとなる。
【0041】
しかし、リードフレーム20の内端部21は、その対向端面21aにて、上述のように、隔壁18の一側側面18aにより収容部12の底面12b上に押さえ込まれている。このため、当該内端部21は、収容部12の底面12bから浮き上がることなく、LEDチップ40と共に、原位置にそのまま保持される。従って、銀ペースト層50において剥離が生ずることがなく、LEDチップ40とリードフレーム20との間の銀ペースト層50を介する電気的接続は良好に確保される。
【0042】
この場合、隔壁18は、他側側面18bによりリードフレーム30の内端部31の先端部分31aを収容部12の底面12b上に押さえ込む状態となっているので、この押さえ込み状態が、リードフレーム20の内端部21に対する隔壁18の一側側面18aによる押さえ込みを補強することとなり、その結果、本変形例における上記作用効果をより一層向上できる。
【0043】
図5は上記第1実施形態の第2変形例を示している。この第2変形例においては、隔壁19が、上記第1実施形態にて述べた隔壁17に代えて、採用されており、この隔壁19は、ケーシング10に対する両リードフレーム20、30のインサート成形時にケーシング10に一体形成されている。
【0044】
ここで、リードフレーム20の内端部21の先端部分は、図5にて示すごとく、薄肉部21b上に断面L字状の盗み部21cを有するように形成されている。一方、リードフレーム30の内端部31の先端部分は、薄肉部31b上に断面L字状の盗み部31cを有するように形成されており、薄肉部31b及び盗み部31cは、図5にて示すごとく、薄肉部21b及び盗み部21cに対向している。
【0045】
隔壁19は、図5にて示すように、隔壁部19aと、保持部19bとにより構成されている。隔壁部19aは、両薄肉部21b、31bの間に形成されており、上記第1実施形態にて述べた隔壁17の隔壁部17aと同様の役割を果たす。また、保持部19bは、両盗み部21c、31c内にて隔壁部19aの上端にこの隔壁部19aと共に断面T字状となるように形成されており、この保持部19aは、その盗み部21c内に位置する部分(以下、左側部分19cという)にて、リードフレーム20の内端部21の薄肉部21bを収容部12の底面12bとの間に挟持し、その盗み部31c内に位置する部分(以下、右側部分19dという)にて、リードフレーム30の内端部31の薄肉部31bを収容部12の底面12bとの間に挟持する。このことは、隔壁19は、その保持部19bにて、両リードフレーム20、30の各内端部21、31を収容部12の底面12b上に浮き上がり不能に押さえ込むことを意味する。
【0046】
このように構成した本第2変形例において、LEDの両リードフレーム20、30の各脚部22、32を配線板Pの各配線部にリフロー処理でもってはんだ付け22b、32bするとき、上記第1実施形態と同様に、被覆部材60が収容部12の開口部12b側に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部21が被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40と共に引っ張られることとなる。
【0047】
しかし、リードフレーム20の内端部21は、その薄肉部21bにて、上述のように、隔壁19の保持部19bの左側部分19cにより収容部12の底面12b上に押さえ込まれている。このため、当該内端部21は、収容部12の底面12bから浮き上がることなく、LEDチップ40と共に、原位置にそのまま保持される。従って、銀ペースト層50において剥離が生ずることがなく、LEDチップ40とリードフレーム20との間の銀ペースト層50を介する電気的接続は良好に確保される。
【0048】
この場合、隔壁19は、保持部19bの右側部分19dによりリードフレーム30の内端部31の薄肉部31bを収容部12の底面12b上に押さえ込む状態となっているので、この押さえ込み状態が、リードフレーム20の薄肉部21bに対する隔壁19の左側部分19cによる押さえ込みを補強することとなり、その結果、本第2変形例における上記作用効果をより一層向上できる。
(第2実施形態)
図6は、本発明に係る表面実装型LEDの第2実施形態を示している。この第2実施形態においては、上記第1実施形態と同様に、図9及び図10にて示すLEDの構成部材と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。
【0049】
この第2実施形態においては、図9及び図10にて示す隔壁16に加えて、保持壁17Aが、リードフレーム20の内端部21に形成した貫通穴部21dに形成されている。この保持壁17Aは、ケーシング10に対する両リードフレーム20、30のインサート成形時にケーシング10に一体形成されている。なお、貫通穴部21dは、収容部12内にてリードフレーム20の内端部21に形成されている。
【0050】
保持壁17Aは、貫通部17cと、保持部17dとを備えている。貫通部17cはリードフレーム20の貫通穴部21dに貫通されている。また、保持部17dは、図6にて示すごとく、貫通部17cの上端にこの貫通部17cと共に断面T字状となるように形成されており、当該保持部17dは、貫通部17cの周縁部を収容部12の底面12bとの間に挟持する。このことは、保持壁17Aは、リードフレーム20の内端部21を収容部12の底面12b上に浮き上がり不能に押さえ込むことを意味する。
【0051】
以上のように構成した本第2実施形態において、LEDの両リードフレーム20、30の各脚部22、32を配線板Pの各配線部にリフロー処理でもってはんだ付け22b、32bするとき、上記第1実施形態と同様に、被覆部材60が収容部12の開口部12b側に向けて熱膨張し、リードフレーム20の内端部21が被覆部材60によりその熱膨張方向にLEDチップ40と共に引っ張られることとなる。
【0052】
しかし、リードフレーム20の内端部21は、述のように、保持壁17Aの保持部17dにより収容部12の底面12b上に押さえ込まれている。このため、当該内端部21は、収容部12の底面12bから浮き上がることなく、LEDチップ40と共に、原位置にそのまま保持される。従って、銀ペースト層50において剥離が生ずることがなく、LEDチップ40とリードフレーム20との間の銀ペースト層50を介する電気的接続は良好に確保される。
【0053】
なお、上記第2実施形態においては、保持壁17Aを一つとした例について説明したが、これに代えて、保持壁Aを収容部12内にてリードフレーム20の内端部21に形成した複数の貫通穴部の各々に上記第2実施形態と同様に設けるようにすれば、より一層、リードフレーム20の内端部21に対する収容部12の底面12aへの押さえ込みを補強でき、その結果、上記作用効果をより一層向上できる。
(第3実施形態)
図7は、本発明に係る表面実装型LEDの第3実施形態を示している。この第3実施形態では、上記第2実施形態にて述べた保持壁17Aが、図7にて示すごとく、リードフレーム20の内端側にて収容部12の内周面12cのうち底面12b側部分まで断面傾斜状に延出して当該内周面12cと一体となっている。
【0054】
これにより、保持壁17Aの強度をさらに強固にしつつ上記第2実施形態にて述べた作用効果と同様の作用効果を達成できる。
【0055】
図8は、上記第3実施形態の変形例を示している。この変形例においては、上記第3実施形態にて述べた保持壁17Aに加え、保持壁17Bが、図8にて示すごとく、リードフレーム30の内端側にて隔壁16の上端から収容部12の内周面12cのうち底面12b側部分まで断面傾斜状に延出して当該内周面12cと一体となっている。また、保持壁17Bは、隔壁16の上端から図8にて図示左側へ内端部21上に突出する保持部17eを備えており、この保持部17eは、内端部21の先端部を底面12bとの間で挟持する。
【0056】
ここで、保持壁17Bは、収容部12内に露呈するリードフレーム30の内端部31の外面のうち銀ペースト層50に対応する部分及びその外周近傍除く部分を覆うように形成されており、上記第3実施形態にて保持壁17Aは、収容部12内に露呈するリードフレーム20の内端部21の外面のうち銀ペースト層50に対応する部分及びその外周近傍除く部分を覆うように形成されている。
【0057】
また、上記第3実施形態にて述べたLEDチップ40は、図8にて示すごとく、銀ペースト層50上に固着した基板樹脂部41と、この基板樹脂部41上に形成した半導体発光層42と、この半導体発光層42上に形成した透明樹脂部43とにより構成されている。これにより、LEDチップ40は、半導体発光層42の発光に伴い、当該半導体発光層42の外周面から横方向に収容部12内に直接光を出射するとともに、半導体発光層42の上面から透明樹脂部43を通して光を出射する。その他の構成は上記第3実施形態と同様である。
【0058】
このように構成した本変形例によれば、保持壁17Bは、保持壁17Aと同様の強度を確保しつつ、保持壁Aによるリードフレーム20の内端部21に対する収容部12の底面12aへの押さえ込みに加え、リードフレーム30の内端部31に対し収容部12の底面12aに押さえ込む。その結果、上記第2実施形態にて述べた作用効果をより一層向上できる。
【0059】
また、ケーシング10の収容部12内に延出する両リードフレーム20、30の各内端部は、銀ペースト層50に対応する部分及びその外周近傍除く部分にて、各隔壁17A、17Bにより覆われている。従って、収容部12内に延出する両リードフレーム20、30の各内端部の大部分が隔壁17A、17Bにより覆われている。
【0060】
よって、LEDチップ40の光が透明部43からだけでなく半導体発光層42の外周面から横方向へも収容部12内に出射しても、この出射光は各隔壁17A、17Bの表面により反射される。ここで、両隔壁17A、17Bの各表面は、両リードフレーム20の各内端部の外面の光に対する反射率よりもかなり高い反射率を有するので、両隔壁17A、17Bの各表面による反射効率は、両リードフレーム20の各内端部の外面による場合に比べてかなり高くなる。その結果、ケーシング10の被覆部材60の表面から出射するLEDチップ40の光量がより一層増大してEDチップ40の発光輝度をより一層高めることができる。
【0061】
なお、本発明の実施にあたり、リードフレーム20に限ることなく、リードフレーム30の内端部31上に収容部12内にてLEDチップ40を銀ペースト層50を介し接着するようにしてもよい。この場合には、リードフレーム30の内端部をリードフレーム20の内端部と同様に構成し、リードフレーム20の内端部をリードフレーム30の内端部と同様に構成するとよい。
【0062】
また、本発明の実施にあたり、銀ペースト層50に代えて、導電性接着層、例えば、接着樹脂に導電性粒子を混合してなる接着層を採用してもよい。
【0063】
また、本発明の実施にあたり、ケーシング10の収容部12の内周壁は、上記各実施形態にて述べた場合と異なり、底面12bから開口部12aにかけて、同一の断面形状を有していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態を示す平面図である。
【図2】図1にて2−2線に沿う断面図である。
【図3】図2の部分拡大断面図である。
【図4】上記第1実施形態の第1変形例を示す部分拡大断面図である。
【図5】上記第1実施形態の第2変形例を示す部分拡大断面図である。
【図6】本発明の第2実施形態を示す断面図である。
【図7】本発明の第3実施形態を示す断面図である。
【図8】上記第3実施形態の変形例を示す断面図である。
【図9】従来のLEDの平面図である。
【図10】図9にて10−10線に沿う断面図である。
【符号の説明】
10…ケーシング、11…上壁、12…収容部、12a…開口部、
12b…底面、13…一側側壁部、15…他側側壁部、
17b、17d、19b…保持部、18a、18b…側面、
20、30…リードフレーム、21、31…内端部、22、32…脚部、
40…LEDチップ、50…銀ペースト層、60…被覆部材。
Claims (4)
- 上壁(11)にて外方へ開口するように収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケーシング(10)と、
このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入されて前記収容部内にその底面(12b)に沿い内端部(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフレーム(20)と、
前記ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入されて前記収容部内にその底面に沿い前記一側リードフレームの内端部に対向するように延出する内端部(31)を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(30)と、
前記収容部内に収容されて前記両リードフレームの一方(20)の内端部上に導電性接着層(50)を介し装着したLEDチップ(40)とを備え、
前記収容部は、その底面全体に少なくとも対向する開口部(12a)を前記ケーシングの上壁にて有するように形成されており、
前記収容部内には、前記ケーシングよりも熱膨張係数の大きい透光樹脂製被覆部材(60)が前記LEDチップを被覆するように設けられている表面実装型発光ダイオードにおいて、
前記一方のリードフレームの内端部には、貫通穴部(21d)が前記収容部内にて形成されており、
前記貫通穴部の周縁部を前記収容部の底面との間に前記被覆部材側へは浮き上がり不能に挟持する保持壁(17A)が、前記貫通穴部を通して前記収容部の底面に一体に形成されていることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。 - 上壁(11)にて外方へ開口するように収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケーシング(10)と、
このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入されて前記収容部内にその底面(12b)に沿い内端部(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフレーム(20)と、
前記ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入されて前記収容部内にその底面に沿い前記一側リードフレームの内端部に対向するように延出する内端部(31)を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(30)と、
前記収容部内に収容されて前記両リードフレームの一方(20)の内端部上に銀ペースト層(50)を介し装着したLEDチップ(40)とを備え、
前記両リードフレームは前記ケーシングにインサート成形されており、
前記収容部の内周面(12c)は、当該収容部の底面から前記ケーシングの上壁にかけて末広がり状に形成されており、
前記収容部内には、前記ケーシングよりも熱膨張係数の大きい透光樹脂製被覆部材(60)が前記LEDチップを被覆するように設けられている表面実装型発光ダイオードにおいて、
前記一方のリードフレームの内端部には、貫通穴部(21d)が前記収容部内にて形成されており、
前記貫通穴部の周縁部を前記収容部の底面との間に前記被覆部材側へは浮き上がり不能に挟持する保持壁(17A)が、前記貫通穴部を通して前記収容部の底面に一体に形成されていることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。 - 上壁(11)にて外方へ開口するように収容部(12)を凹状に形成してなる電気絶縁樹脂製ケーシング(10)と、
このケーシングにその周壁の一側部(13)から挿入されて前記収容部内にその底面(12b)に沿い内端部(21)を延出してなる金属材料からなる一側リードフレーム(20)と、
前記ケーシングにその周壁の他側部(15)から挿入されて前記収容部内にその底面に沿い前記一側リードフレームの先端部に対向するように延出する内端部(31)を有してなる金属材料からなる他側リードフレーム(30)と、
前記収容部内に収容されて前記両リードフレームの一方(20)の内端部上に銀ペースト層(50)を介し装着したLEDチップ(40)とを備え、
前記両リードフレームは、前記ケーシングにインサート成形され、かつ、当該ケーシングから延出する各脚部(22、32)にて配線板にリフロー処理にてはんだ付けされており、
前記収容部の内周面(12c)は、当該収容部の底面から前記ケーシングの上壁にかけて末広がり状に形成されており、
前記収容部内には、前記ケーシングよりも熱膨張係数の大きい透光樹脂製被覆部材(60)が前記LEDチップを被覆するように設けられている表面実装型発光ダイオードにおいて、
前記一方のリードフレームの内端部には、貫通穴部(21d)が前記収容部内にて形成されており、
前記貫通穴部の周縁部を前記収容部の底面との間に前記被覆部材側へは浮き上がり不能に挟持する保持壁(17A)が、前記貫通穴部を通して前記収容部の底面に一体に形成されていることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。 - 前記保持壁は、前記一方のリードフレームの内端側にて前記収容部の内周面のうち底面側部分まで断面傾斜状に延出して当該内周面と一体となっていることを特徴とする請求項2または3に記載の表面実装型発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000178789A JP3546812B2 (ja) | 1999-10-07 | 2000-06-14 | 表面実装型発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-287206 | 1999-10-07 | ||
JP28720699 | 1999-10-07 | ||
JP2000178789A JP3546812B2 (ja) | 1999-10-07 | 2000-06-14 | 表面実装型発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001177160A JP2001177160A (ja) | 2001-06-29 |
JP3546812B2 true JP3546812B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=26556624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000178789A Expired - Fee Related JP3546812B2 (ja) | 1999-10-07 | 2000-06-14 | 表面実装型発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3546812B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3659635B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
JP2004014857A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Stanley Electric Co Ltd | チップタイプ光半導体素子 |
KR100999794B1 (ko) | 2003-11-03 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP4674487B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-04-20 | パナソニック電工株式会社 | 表面実装型発光装置 |
JP4952233B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
JP4961978B2 (ja) | 2006-11-30 | 2012-06-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2008081696A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置、パッケージ、発光装置の製造方法、パッケージの製造方法及びパッケージ製造用金型 |
JP5380774B2 (ja) | 2006-12-28 | 2014-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
WO2008081794A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009099771A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光モジュール |
JP4985416B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2012-07-25 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP5206204B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-06-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR101007131B1 (ko) | 2008-11-25 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
TW201128812A (en) | 2009-12-01 | 2011-08-16 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device |
WO2011125346A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR101145209B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-05-24 | 우리이앤엘 주식회사 | 발광장치 |
KR101049487B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2011-07-15 | 주식회사 루멘스 | 발광 다이오드 패키지 |
JP5734581B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2015-06-17 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
CN102130278B (zh) * | 2010-12-31 | 2013-04-03 | 昆山琉明光电有限公司 | 发光二极管封装 |
JP6252023B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-12-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6331376B2 (ja) | 2013-12-17 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
KR102178707B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2020-11-13 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
WO2017056841A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP6899226B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2021-07-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
2000
- 2000-06-14 JP JP2000178789A patent/JP3546812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001177160A (ja) | 2001-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3546812B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
JP4279388B2 (ja) | 光半導体装置及びその形成方法 | |
TWI253767B (en) | Light-emitting device | |
US7557384B2 (en) | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit | |
US8097937B2 (en) | Leadframe and housing for radiation-emitting component, radiation-emitting component, and a method for producing the component | |
US7642704B2 (en) | Light-emitting diode with a base | |
JP5695488B2 (ja) | 発光体パッケージ | |
JP5066333B2 (ja) | Led発光装置。 | |
JP3472450B2 (ja) | 発光装置 | |
EP2416388B1 (en) | Semiconductor light emitting device and image display unit | |
JPH11163419A (ja) | 発光装置 | |
CN1925179B (zh) | 半导体发光装置 | |
JP2006245032A (ja) | 発光装置およびledランプ | |
JP2004335740A (ja) | 発光ダイオード及びそのパッケージ構造 | |
JP2006344925A (ja) | 発光素子搭載用フレームおよび発光装置 | |
US7508129B2 (en) | Surface mount LED | |
JP2002280614A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2003008074A (ja) | 表面実装型発光装置及びその製造方法 | |
JPH1050734A (ja) | チップ型半導体 | |
JP2009088373A (ja) | Ledランプモジュール | |
JP5405602B2 (ja) | Ledパッケージ及びledパッケージ用フレーム | |
JP2006165138A (ja) | 表面実装型led | |
JP2001352102A (ja) | 光半導体装置 | |
WO2010140693A1 (ja) | 電子部品 | |
JP4525193B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |