WO2017056841A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2017056841A1
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lead frame
light emitting
emitting device
width
electrode lead
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幡　俊雄
小野　高志
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • This application claims the benefit of priority over Japanese Patent Application No. 2015-190943 filed on Sep. 29, 2015, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • Light-emitting devices using light-emitting elements as light sources are attracting attention as next-generation light-emitting devices that are expected to have low power consumption, miniaturization, high brightness, and a wide range of color reproducibility, and are actively researched and developed. Yes.
  • a light emitting device used as a backlight light source of a liquid crystal display is required to be thin.
  • a thin light-emitting device called a side view type has been developed.
  • a general side-view type light-emitting device includes a base body having a recess for housing a light-emitting element, a positive electrode lead frame and a negative electrode lead frame exposed on the bottom surface of the recess, and light emission mounted on any one of the lead frames.
  • the above-mentioned side view type light emitting device has a problem in that the light output is reduced during energization.
  • the present inventors have analyzed a light emitting device having a reduced light output, and found that the lead frame on which the light emitting element is mounted is blackened or discolored. The blackening and discoloration of the lead frame were particularly noticeable in the vicinity where the lead frame on which the light emitting element is mounted and the side wall on the concave side of the substrate intersect (boundary surface).
  • the surface of the lead frame is coated with silver in order to give high reflection performance. It is considered that the blackening and discoloration of the lead frame is caused by the fact that silver corrodes on the surface of the lead frame due to sulfur gas in the air, or ion migration occurs due to high temperature and high humidity environment or voltage application.
  • an object of the present invention is to provide a light emitting device in which a decrease in light output during energization is suppressed.
  • the present invention comprises a stage member having a lead frame provided on an upper surface thereof, a base including a side wall member provided on the upper surface of the stage member, and a light emitting element provided on a part of the upper surface of the lead frame,
  • the lead frame is a light emitting device in which a width of a region where the light emitting element is provided is narrower than a width of a region adjacent to the region where the light emitting element is provided.
  • the width direction end of the lead frame in the region where the light emitting element is provided on the bottom surface of the recess formed surrounded by the stage member and the side wall member, and the side wall member In between, the resin is exposed.
  • the lead frame includes a positive electrode lead frame and a negative electrode lead frame, and the resin faces the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame on a bottom surface of the recess. Only exposed in between.
  • the lead frame in the region where the light emitting element is provided has a width on the upper surface of the lead frame that is a certain depth from the upper surface of the lead frame when viewed in a cross section along the width direction. It is narrower than the width in height.
  • the resin forms a convex portion between the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame, and at least a part of the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame. Coating.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line IB-IB of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line IA-IA of the light emitting device shown in FIG.
  • IA-IA of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA when a mold is disposed on the lead frame of FIG.
  • FIG. 6 It is a top view which shows typically an example of the base
  • FIG. 10 is an enlarged view of a facing portion of the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame of the light emitting device shown in FIG. 9. It is a top view which shows typically the light-emitting device of Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 12 is an enlarged view of a facing portion of the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame of the light emitting device shown in FIG. 11. It is a top view which shows typically the light-emitting device of Embodiment 4 of this invention.
  • FIG. 6 is a top view schematically showing a light emitting device according to a fifth embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line IA-IA of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 10 is a top view illustrating an example of the shape of a lead frame used for manufacturing the light-emitting device of Embodiment 5.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line BB of the lead frame in FIG. 17.
  • 18 is a cross-sectional view taken along line CC and DD of the lead frame of FIG.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line BB when a mold is disposed on the lead frame of FIG.
  • FIG. 10 is a top view schematically showing a light emitting device according to a sixth embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line IB-IB of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 23A is a top view schematically showing the light-emitting device of Embodiment 7, and
  • FIG. 23B is a cross-sectional view taken along line IB-IB of the light-emitting device shown in FIG. 23 (c) is a schematic view showing a light emitting element and a bonding wire.
  • FIG. 24A is a schematic diagram of a side surface of the light emitting device of Embodiments 4, 5 and 7, and is a schematic diagram in which the gap angle ⁇ between the base and the outer lead portion is approximately 0 °.
  • Is a schematic diagram of a side surface of the light emitting device of Embodiments 4, 5 and 7, and is a schematic diagram in which the gap angle ⁇ between the base and the outer lead portion is 4 °.
  • FIG. 1 is a top view schematically showing the light-emitting device of Embodiment 1
  • FIG. 2 is a side view of the light-emitting device shown in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line IB-IB of the light emitting device shown in FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 1 taken along line IA-IA.
  • FIG. 5 is an enlarged view of a facing portion of the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame of the light emitting device shown in FIG.
  • the light emitting device 1 of the present embodiment includes a base body 10 having a stage member 10a and a side wall member 10b, a negative electrode lead frame 16a provided on the upper surface of the stage member 10a, and The positive electrode lead frame 16b and the light emitting element 20 arrange
  • a recess surrounded by the stage member 10a and the side wall member 10b is filled with a sealing resin 40.
  • the stage member 10a constituting the base body 10 has a bottom surface 101 including a groove 14 and a top surface on which a negative electrode lead frame 16a and a positive electrode lead frame 16b are provided, which face each other substantially in parallel.
  • the upper surface 102 exposed in a region between the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b facing each other constitutes the stage member 10a.
  • the side wall member 10b constituting the base body 10 is disposed on the upper surface of the stage member 10a so as to surround the light emitting element 20.
  • the top surface of the stage member 10 a preferably has a substantially rectangular shape when viewed from the top of the light emitting device 1.
  • a portion surrounded by the stage member 10a and the side wall member 10b forms a recess.
  • One open end of the side wall member 10b is closed by the stage member 10a, and the other open end of the side wall member 10b (hereinafter referred to as “opening portion of the recess”) is open. That is, the upper end of the side wall member 10b forms an extension of the opening at the upper end of the recess.
  • the axial direction of the concave portion is perpendicular to the upper surface of the stage portion.
  • the surface on the concave side of the side wall member 10b serves as a reflector. Since the stage member 10a and the side wall member 10b are formed of the same material at the same time, they are connected.
  • the material of the stage member 10a and the side wall member 10b is preferably a resin.
  • the shape and size of the opening of the recess are not particularly limited.
  • the opening of the recess preferably has a rectangular shape in plan view.
  • the long side of the opening is preferably from 1 mm to 5 mm, and the short side is preferably from 0.02 mm to 0.8 mm.
  • the sealing agent used as the sealing resin 40 can be supplied into the recess without spilling.
  • the width in the short side direction is preferably narrowed.
  • the side wall member 10b is preferably made of a heat resistant material, for example, preferably made of a heat resistant polymer.
  • an indication portion indicating the polarity of the lead frame is provided on the upper surface of the side wall member 10b and in the vicinity of one lead frame. Thereby, external power can be supplied to the light emitting device without making a mistake in the polarity of the lead frame.
  • the lead frame is for supplying external power to the light emitting element 20.
  • a negative electrode lead frame 16a and a positive electrode lead frame 16b which are inner lead portions are provided.
  • the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b are arranged so that their end portions face each other with a predetermined interval.
  • Outer lead portions 16c and 16d are provided outside the stage member 10a.
  • the negative electrode lead frame 16a and the outer lead portion 16c are connected, and the positive electrode lead frame 16b and the outer lead portion 16d are connected.
  • a light emitting element 20 is provided on the positive electrode lead frame 16b.
  • the outer lead portions 16c and 16d are connected to a substrate (not shown) on which the light emitting device 1 is mounted.
  • the light emitting element 20 is provided on the positive electrode lead frame 16b, but the position where the light emitting element 20 is provided is not particularly limited as long as it is on the inner lead portion.
  • it may be on the negative electrode lead frame 16a, or may be provided in contact with the upper surfaces of both the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b.
  • the shape of the lead frame will be described with reference to FIGS.
  • the light emitting element 20 is represented by a dotted line, and the shape of the lead frame disposed under the light emitting element 20 is shown. Further, the sealing resin 40 is omitted, and the bottom surface of the recess is shown.
  • the width Wa of the first region 16b ′ where the light emitting element 20 is provided on the upper surface is the second region 16b ′′ adjacent to the first region 16b ′ where the light emitting element 20 is provided. It is narrower than the width Wb.
  • the width Wa of the first region 16 b ′ and the width Wb of the second region 16 b ′′ indicate the width of the upper surface of the lead frame exposed on the bottom surface of the recess.
  • the top surface of the lead frame exposed at the bottom surface of the recess means the top surface of the lead frame on the same surface when the bottom surface of the recess and the top surface of the lead frame are the same surface.
  • the second region 16b '' adjacent to the first region 16b ' means a region adjacent to the outer lead portion 16d connected to the positive electrode lead frame 16b from the first region 16b'.
  • the width Wb of the second region 16 b ′′ is a value measured at a place where the distance from the boundary with the first region 16 b ′ is within 0.2 mm.
  • the width Wb of the second region 16b ′′ is, for example, between the end of the light emitting element 20 on the second region 16b ′′ side and the bonding portion of the bonding wire 15 on the second region 16b ′′ side. It can be a measured value.
  • the width Wa of the first region 16b ' may be constant in all regions of the positive electrode lead frame 16b, or may vary continuously along the longitudinal direction. When the width Wa of the first region 16b 'is changed, the maximum value of the width of the first region 16b' is narrower than the width Wb of the second region 16b ".
  • the lead frame when the light emitting element 20 is disposed on the upper surface of the first region 16b ′, the lead frame is formed in the vicinity of the light emitting element 20 and surrounded by the stage member 10a and the side wall member 10b.
  • the area of the lead frame exposed on the bottom surface of the recess can be reduced. If the area of the lead frame exposed to the bottom surface of the recess is small in the vicinity of the light emitting element 20, the lead frame in the vicinity of the light emitting element 20 may be corroded by sulfur sulfide gas in the air, Occurrence of ion migration due to a wet environment or voltage application can be suppressed.
  • the corrosion of the lead frame and the occurrence of ion migration lower the reflectivity of the surface of the lead frame, so that the light from the light emitting element 20 is absorbed and scattered in the lead frame near the light emitting device 20, and the entire light emitting device The light output is reduced. According to the present invention, since corrosion of the lead frame and occurrence of ion migration are suppressed, it is possible to suppress a decrease in light output during energization of the light emitting device.
  • the width of the lead frame in the vicinity where the light emitting element is disposed on the upper surface is almost equal to the width of the tip of the convex portion of the upper mold (the portion forming the bottom surface of the concave portion of the base). I'm doing it. For this reason, a gap is formed between the end portion in the width direction of the lead frame and the resin forming the base, or the adhesion between the lead frame and the resin is weakened. Cracks are likely to occur between the end portion of the lead frame in the width direction and the side wall member.
  • the width Wa of the first region 16b ' is set based on the overall dimensions of the light emitting device, but is preferably larger than the width Wd of the light emitting element 20. According to this, the heat from the light emitting element can be efficiently radiated during the operation of the light emitting device.
  • the width Wa of the first region 16 b ′ can be set to the width Wd + 0.2 mm of the light emitting element 20 (for example, 0.1 mm on each side of the light emitting element).
  • the difference between the width Wa of the first region 16 b ′ and the width Wb of the second region 16 b ′′ can be 0.1 mm.
  • the width Wc of the end portion of the negative electrode lead frame 16a is larger than the width Wa of the first region 16b ′ of the positive electrode lead frame 16b. Can be wide.
  • the end in the width direction of the negative electrode lead frame 16a comes into contact with the side wall member 10b, the physical strength of the side wall member 10b is increased, and cracks, chips and cracks due to external force are reduced.
  • the end portion of the negative electrode lead frame 16a becomes a wire bond surface, it is easier to recognize the bond surface when the width Wc is wider to some extent.
  • a support strength that can withstand bonding during wire bonding can be obtained when the width Wc is somewhat wide.
  • the light from the light emitting element 20 is weak in the contact region between the end portion of the negative electrode lead frame 16a and the side wall member 10b, so that the lead frame is not easily corroded or discolored in this contact region.
  • the width Wa of the first region 16 b ′ is preferably larger than the width Wd of the light emitting element 20. Furthermore, considering the alignment accuracy when mounting the light-emitting element, the width Wa of the first region 16 b ′ is preferably as large as +0.1 mm on both sides of the light-emitting element 20.
  • the lead frame is preferably made of a conductive material.
  • a conductive material For example, at least one of silver, platinum, gold, and copper is plated with at least one of silver plating, gold plating, and silver palladium plating. preferable.
  • the lead frame surface is easily blackened or discolored during energization of the light emitting device, and thus the effect of the present invention can be remarkably obtained.
  • the resin 50 is exposed between the end portion in the width direction of the first region 16b ′ of the lead frame provided with the light emitting element 20 and the side wall member 10b on the bottom surface of the recess. .
  • Blackening or discoloration of the lead frame surface during energization of the light emitting device tends to occur near the boundary between the lead frame near the light emitting element 20 and the side wall member 10b. Therefore, when the resin 50 is exposed between the width direction end of the first region 16b ′ of the lead frame and the side wall member 10b, the blackening and discoloration of the lead frame surface are effectively suppressed.
  • the resin 50 is disposed so as to fill the entire region between the end portion in the width direction of the first region 16b ′ of the lead frame and the side wall member 10b.
  • the resin 50 is preferably exposed only between the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b on the bottom surface of the recess.
  • the outer edge that is not in contact with the side wall member 10b at the front end portion of the negative electrode lead frame 16a and the side wall at the front end portion of the positive electrode lead frame 16b. It means a region surrounded by the member 10b, the outer edge, and the boundary line between the bottom surface of the recess and the side wall member 10b.
  • the outer side in the width direction of the first region 16b ′ of the positive electrode lead frame 16b and the side wall member 10b are made of resin, even if the light from the light emitting element 20 hits the metal (silver or silver plating) ) Is less susceptible to corrosion and discoloration. For this reason, it becomes possible to suppress the fall of the light output of a light-emitting device.
  • Resin 50 is preferably made of a heat resistant material, for example, preferably made of a heat resistant polymer.
  • the resin 50 is preferably the same resin as the molded body resin constituting the stage member 10a or the side wall member 10b because it can be formed at the same time as the base 10 is molded.
  • the light emitting element 20 is disposed on the positive electrode lead frame 16b.
  • the light emitting element 20 is preferably fixed on the positive electrode lead frame 16b via an adhesive made of resin.
  • the adhesive preferably covers at least a part of the resin and the side wall member exposed on the bottom surface of the concave portion of the substrate.
  • an adhesive is disposed on the resin constituting the substrate, and a sealing resin is disposed on the adhesive.
  • an adhesive is disposed on the resin constituting the substrate, and the adhesive covers a part of the side wall member.
  • the adhesive enters the separation (gap) portion generated between the lead frame and the resin constituting the base or between the lead frame and the side wall member, and the gap can be embedded. Become. For this reason, it is possible to reduce the moisture, moisture, sulfide gas, etc. entering the gap from appearing again in the recess.
  • the adhesive is preferably a phenyl silicone adhesive.
  • the light emitting element 20 is preferably connected to the inner lead portion of the wiring pattern via the bonding wire 15.
  • the bonding wire 15 is preferably made of a low resistance material, and more preferably made of metal.
  • the light emitting element 20 is preferably formed in a substantially rectangular shape in plan view.
  • the light emitting element 20 preferably emits light (primary light) having a peak wavelength in a blue region having a wavelength of 430 nm to 470 nm, more preferably 440 nm to 470 nm. If the peak wavelength of the light from the light emitting element 20 is 430 nm or more, it is possible to prevent the contribution of the blue light component in the light from the light emitting device from being reduced, and thus it is possible to prevent deterioration in color rendering. Moreover, if the peak wavelength of the light from the light emitting element 20 is 470 nm or less, the fall of the brightness of the light from a light-emitting device can be prevented.
  • the light emitting element 20 is preferably made of, for example, a gallium nitride (GaN) semiconductor.
  • the sealing resin 40 is filled in a recess surrounded by the stage member 10a and the side wall member 10b. As a result, the light emitting element 20 is sealed with the sealing resin 40.
  • the upper surface of the sealing resin 40 is preferably recessed from the periphery of the sealing resin 40 toward the center.
  • the sealing resin 40 preferably includes a red phosphor including a Mn 4+ activated halide red phosphor, a green phosphor and a translucent resin.
  • the sealing resin preferably contains a Mn 4+ activated halide red phosphor.
  • the center wavelength of the emission peak of the Mn 4+ activated halide red phosphor is 625 nm to 645 nm (for example, 635 nm), and the spectrum width of the emission peak is about 20 nm. Therefore, the Mn 4+ activated halide red phosphor exhibits light emission characteristics suitable for display applications. Therefore, the light emitting device of this embodiment can be suitably used for display applications.
  • Mn 4+ activated halide red phosphors are inferior in blue light absorption efficiency compared to conventional red phosphors (for example, CaAlSiN 3 : Eu or (Sr ⁇ Ca) AlSiN 3 : Eu). Therefore, by more than the case of using the content of Mn4 + activated halide red phosphor conventional red phosphors, the luminous intensity caused by using the Mn 4+ -activated halide red phosphor A decrease can be prevented.
  • the Mn 4+ activated halide red phosphor is preferably formed in the form of particles.
  • “Mn 4+ -activated halide red phosphor is formed in the form of particles” means that the volume-based median diameter of Mn 4+ -activated halide red phosphor is 10 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less. .
  • the volume-based median diameter of the Mn 4+ activated halide red phosphor is 20 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • “Volume-based median diameter of the red phosphor” means a median diameter when the particle size distribution of the red phosphor is measured on a volume basis, and is measured using, for example, a flow type particle image analyzer.
  • the Mn 4+ activated halide red phosphor has the following formula (1): A 2 BC 6 : Mn Formula (1) (In the formula (1), A includes at least one selected from the group consisting of potassium, lithium, sodium, rubidium and cesium, and B is at least one selected from the group consisting of silicon, titanium, germanium, zirconium and tin. And C includes at least one selected from the group consisting of fluorine, chlorine and bromine) It is preferable that it is the fluorescent substance represented by these.
  • the Mn 4+ activated halide red phosphor is, for example, K 2 SiF 6 : Mn.
  • the activation element of the Mn 4+ activated halide red phosphor is preferably such that Mn (manganese) is about 10 mol% of the element to be substituted.
  • K 2 SiF 6 : Mn part or all of K may be substituted with one or more of Li, Na, Rb, and Cs.
  • part or all of Si may be substituted with one or more of Ti, Ge, Zr, and Sn.
  • part or all of F may be substituted with one or more of Cl and Br.
  • a metal element occupying an interstitial position may be added to the base crystal.
  • the sealing resin may contain a red phosphor different from the Mn 4+ activated halide red phosphor within a range not impairing the effects of the present embodiment.
  • a red phosphor for example, CaAlSiN 3 : Eu, (Sr ⁇ Ca) AlSiN 3 : Eu, (M4) S: Eu (where M4 is a divalent value of at least one of Ca, Sr and Ba) M4 2 Si 5 N 8 : Eu (wherein M4 represents at least one divalent metal element of Ca, Sr, and Ba).
  • the red phosphor which is different from the Mn 4+ activated halide red phosphor, has high absorption efficiency of violet light, ultraviolet light and blue light because it uses an allowable transition for excitation and light emission. Further comprising a different red phosphor and Mn 4+ -activated halide red phosphor as a red phosphor, leading to reducing the total amount of expensive Mn 4+ -activated halide red phosphor. Therefore, it is possible to provide a light emitting device with excellent color reproducibility at low cost.
  • the amount of the phosphor in the sealing resin 40 can be reduced and the viscosity of the sealing resin can be lowered, when the sealing resin 40 is discharged toward the light emitting element 20, It is possible to prevent the phosphor from being clogged at the tip of the nozzle and inside the nozzle.
  • the sealing resin 40 further includes a green phosphor. Thereby, the light-emitting device which emits white light can be provided.
  • green phosphors are (Ba, Sr, Ca, Mg) 2 SiO 4 : Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba) Si 2 O 2 N 2 : Eu, (Ba, Sr) 3 Si 6 O 10.
  • N 2 Eu, Eu-activated ⁇ -sialon, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga, In) 2 S 4 : Eu, (Y, Tb) 3 (Al, Ga) 5 O 10 : Ce, Ca 3 (Sc, Mg, Na, Li) 2 Si 3 O 10 : Ce, SrGa 2 S 4 : Eu, SrAl 2 O 4 : Eu, SrAl 2 O 4 : Eu, Dy, or (Ca, Sr) Sc 2 O 4 : Ce is preferred.
  • These are merely examples of the green phosphor, and the green phosphor is not limited thereto. These green phosphors have high absorption efficiency for ultraviolet light, violet light, and blue light because they use allowable transitions for excitation and light
  • the red phosphor is preferably contained in a mass ratio of 2 to 5 times with respect to the green phosphor. Reduced red chromaticity or red light due to the use of Mn4 + activated halide red phosphor, which is not excellent in luminous efficiency, if the red phosphor is contained in a mass ratio more than twice that of the green phosphor Can be prevented. If the red phosphor is contained in a mass ratio of 5 times or less with respect to the green phosphor, the contribution of the red light component in the light from the light emitting device can be prevented from becoming too large.
  • the red phosphor is more preferably contained in a mass ratio of 2 to 4 times the green phosphor.
  • the sealing resin 40 may include at least one of SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , and Y 2 O 3 as long as the effects of the present embodiment are not impaired.
  • FIG. 6 is a top view showing an example of the shape of the lead frame.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA when a mold is disposed on the lead frame of FIG.
  • FIG. 8 is a top view schematically showing an example of a substrate provided with a lead frame manufactured by this manufacturing method.
  • the manufacturing method of the light emitting device is not particularly limited, and can be manufactured using a general injection molding method.
  • the manufacturing method of the light emitting device includes, for example, a step of producing a lead frame, a step of installing the lead frame in an injection mold and injecting a molded body resin into the mold to obtain a base, and a light emission on the lead frame Providing an element.
  • the lead frame 16 can be manufactured by press punching a thin plate made of a conductive material.
  • the lead frame can be punched from the lead frame surface (light emitting element mounting side) with a press, or thereafter punched from the back surface of the lead frame.
  • a necessary lead frame shape may be produced using wet etching.
  • the hatched portion is the lead frame portion sandwiched between the molds.
  • the lead frame is finally cut along a dotted line D, and after being cut, is bent toward the base to form an outer lead portion (a portion corresponding to the outer lead portions 16c and 16d).
  • a light emitting device is formed. Portions corresponding to the negative electrode lead frame 16a, the positive electrode lead frame 16b, and the outer lead portions 16c and 16d constitute a light emitting device.
  • a light emitting element is provided at a position indicated by a dotted line on the upper surface of the positive electrode lead frame 16b.
  • the width Wa of the first region 16 b ′ in which the light emitting element 20 is provided on the top surface is provided on the bottom surface of the concave portion of the base.
  • an injection mold having a lower mold 72 having a recess 75 corresponding to the stage member 10a of the base 10 and an upper mold 70 having a recess 76 corresponding to the side wall member 10b is prepared.
  • the upper mold 70 is disposed on the upper surface side of the lead frame
  • the lower mold 72 is disposed on the lower surface side of the lead frame
  • the lead frame 16 is sandwiched between the upper mold 70 and the lower mold 72.
  • a cavity including the upper mold recess 76 and the lower mold recess 75 surrounded by the upper mold 70 and the lower mold 72 is formed.
  • the base body 10 is configured from the resin injection port (not shown) provided for injecting resin from the outside of the lower mold 72 into the recess 75 of the lower mold 72 into the cavity. Inject resin.
  • the width Wa of the first region 16 b ′ of the positive electrode lead frame 16 b is narrower than the width of the bottom surface of the recess 76 of the upper mold 70. Therefore, on the bottom surface of the obtained substrate 10, the resin is exposed between the end portion in the width direction of the lead frame in the region where the light emitting element is provided and the side wall member.
  • the upper mold 70 is moved upward, the lower mold 72 is moved downward, and the base 10 obtained by curing the resin from the mold. Remove.
  • the light emitting element 20 is fixed to the base 10. For example, after the light emitting element 20 is disposed on the positive electrode lead frame 16b with an adhesive made of resin, the adhesive is cured.
  • the light emitting element 20 and the base 10 are electrically connected.
  • the light emitting element 20 is electrically connected to the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b using the bonding wires 15.
  • the light emitting element 20 is sealed with the sealing resin 40.
  • a sealing resin 40 including a translucent resin, a red phosphor, and a green phosphor is prepared.
  • the discharge device is disposed above the opening of the recess, and the sealing resin 40 is put into the liquid chamber of the discharge device.
  • the sealing resin 40 in the liquid chamber is pushed by the piston in this state, the sealing resin 40 is discharged from the nozzle of the discharge device and supplied to the periphery of the light emitting element 20 from the opening of the recess.
  • the light emitting element 20 is covered with the sealing resin 40.
  • the light emitting device of this embodiment is obtained by curing the sealing resin 40.
  • the light emitting device of this embodiment is particularly suitable for a side light emitting type light emitting device (having a short side) that is mounted perpendicular to the light emitting surface when mounted on a mounting substrate having an electric circuit such as a drive circuit. .
  • a side light emitting type light emitting device having a short side
  • an electric circuit such as a drive circuit.
  • FIG. 9 is a top view schematically showing the light emitting device 21 of the second embodiment
  • FIG. 10 is an enlarged view of the facing portion of the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame of the light emitting device shown in FIG. .
  • the light emitting device 21 of the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that the shape of the negative electrode lead frame 16a and the light emitting element 20 are flip-chip connected to the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b.
  • the configuration is the same as that of the light emitting device 1. Below, the shape of a lead frame and the mounting method of the light emitting element 20 are demonstrated.
  • the shape of the positive electrode lead frame 16b is the same as that of the first embodiment. That is, the width Wa of the first region 16b ′ provided with the light emitting element 20 on the upper surface is narrower than the width Wb of the second region 16b ′′ adjacent to the first region 16b ′.
  • the light emitting element 20 is also provided on the upper surface of the negative electrode lead frame 16a. Therefore, also in the negative electrode lead frame 16a, the width We of the first region 16a ′ in which the light emitting element 20 is provided on the upper surface is larger than the width Wc of the second region 16a ′′ adjacent to the first region 16a ′. Is too narrow.
  • the second region 16 a ′′ adjacent to the first region 16 a ′ is a region adjacent to the outer lead portion 16 c connected to the negative electrode lead frame 16 a from the first region 16 a ′.
  • the width Wc of the second region 16a ′′ is a value measured at a place where the distance from the boundary with the first region 16a ′ is within 0.2 mm.
  • the lead frame when the light emitting element 20 is arranged on the upper surface of the first region 16a ′, the lead frame is formed in the vicinity of the light emitting element 20 and surrounded by the stage member 10a and the side wall member 10b. The area of the lead frame exposed on the bottom surface of the recess can be reduced.
  • the gap between the lead frame and the resin constituting the base in the lead frame near the light emitting element during energization of the light emitting device It is possible to suppress the occurrence of corrosion due to the sulfide gas that has entered the crack between the lead frame and the side wall member, or the occurrence of ion migration due to a high-temperature and high-humidity environment or voltage application. Therefore, according to the present invention, it is possible to suppress a decrease in light output during energization of the light emitting device.
  • the light-emitting element 20 may be mounted only in the first region 16b 'as in the configuration of the light-emitting device 1 of the first embodiment.
  • FIG. 11 is a top view schematically showing the light emitting device 31 according to the third embodiment
  • FIG. 12 is an enlarged view of a facing portion of the positive electrode lead frame and the negative electrode lead frame of the light emitting device shown in FIG. .
  • the light emitting device 31 of the third embodiment is the same as the configuration of the light emitting device 1 of the first embodiment except for the shape of the negative electrode lead frame 16a.
  • the shape of the lead frame will be described.
  • the shape of the positive electrode lead frame 16b is the same as that of the first embodiment. That is, the width Wa of the first region 16b ′ where the light emitting element 20 is provided on the upper surface is larger than the width Wb of the second region 16b ′′ adjacent to the first region 16b ′ where the light emitting element 20 is provided. narrow.
  • the width Wf of the tip portion of the negative electrode lead frame 16a facing the positive electrode lead frame 16b is narrower than the width Wb of the positive electrode lead frame 16b. Therefore, the resin 50 is exposed between the negative electrode lead frame 16a and the side wall member 10b at the tip of the negative electrode lead frame 16a on the bottom surface of the concave portion of the base. This prevents the lead frame near the light emitting device from being corroded by sulfur gas in the air or ion migration due to high temperature and high humidity environment or voltage application while the light emitting device is energized. Can do. Therefore, according to the present invention, it is possible to suppress a decrease in light output during energization of the light emitting device.
  • FIG. 13 is a top view schematically showing the light emitting device 41 of the fourth embodiment
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 13 taken along line IA-IA.
  • the light emitting device 41 of the fourth embodiment is the same as the configuration of the light emitting device 1 of the first embodiment except for the shape of the positive electrode lead frame 16b. Specifically, in the present embodiment, a cross-sectional view along the width direction in the first region 16b 'of the positive electrode lead frame 16b is different from the first embodiment. Hereinafter, the shape of the lead frame will be described.
  • the first region 16b ′ of the positive electrode lead frame 16b has a width Wa on the top surface of the lead frame when viewed in a cross section along the width direction. It is narrower than the width Wg at a certain depth d1 from the upper surface.
  • the resin holds the lead frame, and the lead frame width Wg provides an anchor effect, so that the lead frame can be prevented from floating from the resin.
  • the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the base, if the lead frame floats from the resin, air and moisture enter the floating portion, and silver corrosion on the lead frame surface occurs. According to the light emitting device of this embodiment, since the floating of the lead frame is suppressed, corrosion of the lead frame can be prevented and the reliability of the light emitting device is improved.
  • the lead frame and the base body in the lead frame near the light emitting element during energization of the light emitting device. Corrosion due to the gap between the resin and the sulfide gas that has entered the cracks between the lead frame and the side wall member occurs, and ion migration due to high temperature and high humidity environment or voltage application occurs. Can be suppressed. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to suppress a decrease in light output while the light emitting device is energized.
  • the constant depth d1 from the top surface of the lead frame is smaller than the thickness d2 from the top surface to the bottom surface of the lead frame.
  • the width Wa is constant from the upper surface of the lead frame to a certain depth d1, and the width is large at the certain depth d1, but the change in the width is not limited to this.
  • the width of the lead frame may continuously increase as the distance in the depth direction increases from the top surface of the lead frame.
  • the width of the lead frame only needs to change at least at one location.
  • the cross-sectional shape of the first region 16b ′ of the positive electrode lead frame 16b is the shape shown in FIG. 14, but other portions of the lead frame are also seen in the cross-section along the width direction.
  • the width on the upper surface of the lead frame is preferably narrower than the width at a certain depth from the upper surface of the lead frame.
  • the width on the upper surface of the lead frame is preferably narrower than the width at a certain depth from the upper surface of the lead frame.
  • FIG. 24 is a schematic side view of the light emitting device showing the relationship between the base 10 and the outer lead portions 16c and 16d.
  • FIG. 24A shows a schematic diagram in which the gap angle is approximately 0 °
  • FIG. 24B shows a schematic view in which the gap angle is 4 °.
  • the dotted line in the figure is based on this along the outer surface of the substrate 10.
  • a solid line indicates a line along the outer lead portion 16d after being bent.
  • ⁇ represents the gap angle.
  • the anchor frame portion of the lead frame having the width Wg is effective in reducing the prevention of floating of the lead frame when the outer lead portions 16c and 16d are bent to the base side. Therefore, the outer lead portions 16c and 16d are bent to the base side. It was possible to apply sufficient force.
  • the light emitting device has a positive gap angle ⁇ between the outer lead portions 16c and 16d.
  • Such a light emitting device is difficult to mount on a mounting substrate constituting a liquid crystal display device, and tilts when mounted, causing problems such as a reduction in optical coupling efficiency between the light emitting device and the light guide plate.
  • FIG. 15 is a top view schematically showing the light emitting device 51 of the fifth embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line IA-IA of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 17 is a top view illustrating an example of the shape of a lead frame used for manufacturing the light-emitting device of this embodiment.
  • 18 is a cross-sectional view taken along line BB of the lead frame of FIG.
  • 19 is a cross-sectional view taken along line CC and DD of the lead frame of FIG.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line BB in the case where a mold is disposed on the lead frame of FIG.
  • the light emitting device 51 of the fifth embodiment is the same as the light emitting device of the first embodiment except that the light emitting element 20 is provided on the upper surface of the negative electrode lead frame 16a and the shape of the negative electrode lead frame 16a. It is the same. Specifically, in the present embodiment, the cross-sectional view along the width direction in the first region 16a 'of the negative electrode lead frame 16a is different from that of the first embodiment. Hereinafter, the shape of the lead frame will be described.
  • the first region 16a ′ of the negative electrode lead frame 16a has a width of the lead frame from the top surface of the lead frame when viewed in a cross section along the width direction.
  • the width continuously increases up to a certain depth d1 (in FIG. 16, the width continuously increases from the width We on the upper surface of the lead frame to the width Wg at the depth d1), and leads from the certain depth d1. It continuously decreases to the bottom of the frame.
  • the constant depth d1 from the top surface of the lead frame is smaller than the thickness d2 from the top surface to the bottom surface of the lead frame.
  • a lead frame having the shape shown in FIGS. 17 to 19 is used.
  • the first region 16a ′ of the negative electrode lead frame 16a has a constant width from the top surface of the lead frame as shown in FIG. 18 when viewed in a cross section along the line BB along the width direction.
  • the depth continuously increases and decreases continuously from the certain depth to the bottom surface of the lead frame.
  • the second region 16a '' and the positive electrode lead frame 16b of the negative electrode lead frame 16a are shown in FIG. 19 when viewed in a cross section along the line CC or DD along the width direction.
  • the width is constant from the top surface to the bottom surface of the lead frame.
  • the cross-sectional shape of the first region 16a ′ of the negative electrode lead frame 16a is the shape shown in FIG. 18, but other portions of the lead frame are also seen in the cross-section along the width direction.
  • the width of the lead frame continuously increases at a certain depth from the top surface of the lead frame and continuously decreases from the certain depth to the bottom surface of the lead frame.
  • the width of the lead frame continuously increases at a certain depth from the top surface of the lead frame, and the constant It is preferable to continuously decrease from the depth to the bottom surface of the lead frame.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line BB when 16 is sandwiched. Resin is injected into a cavity surrounded by the upper mold 70 and the lower mold 72 from a resin injection port provided on the bottom surface of the lower mold 72.
  • the arrows in FIG. 20 indicate the resin flow at this time.
  • the first region 16a ′ of the negative electrode lead frame 16a increases in width from the bottom surface toward the depth d1 from the top surface, and the width Wg at the depth d1.
  • the first region 16a ′ of the negative electrode lead frame 16a is viewed in a cross section along the width direction.
  • the lead frame bites into the resin.
  • the lead frame can be prevented from floating from the resin. Since the lead frame easily floats when the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the base, it is prevented that the lead frame bites into the resin. When the lead frame floats from the resin, air and moisture enter the floating part, and silver corrosion on the lead frame surface occurs.
  • the light emitting device of this embodiment since the floating of the lead frame is suppressed, corrosion of the lead frame can be prevented and the reliability of the light emitting device is improved.
  • the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the base after the light emitting element is mounted on the lead frame, the light emitting element is liable to be displaced due to the lead frame floating, or the wire of the light emitting element is broken.
  • the width of the lead frame only needs to change at least at one location.
  • FIG. 24 is a schematic side view of the light emitting device for showing the relationship between the base 10 and the outer lead portions 16c and 16d.
  • FIG. 24A shows a schematic diagram in which the gap angle is approximately 0 °
  • FIG. 24B shows a gap angle of 4 °.
  • the dotted line in the figure is based on this along the outer surface of the substrate 10.
  • a solid line indicates a line along the outer lead portion 16d after being bent.
  • ⁇ represents the gap angle.
  • the anchor frame portion of the lead frame having the width Wg is effective in reducing the prevention of floating of the lead frame when the outer lead portions 16c and 16d are bent to the base side. Therefore, the outer lead portions 16c and 16d are bent to the base side. It was possible to apply sufficient force.
  • the light emitting device has a positive gap angle ⁇ between the outer lead portions 16c and 16d.
  • Such a light emitting device is difficult to mount on a mounting substrate constituting a liquid crystal display device, and tilts when mounted, causing problems such as a reduction in optical coupling efficiency between the light emitting device and the light guide plate.
  • FIG. 21 is a top view schematically showing the light emitting device 61 of the sixth embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view taken along line IB-IB of the light emitting device shown in FIG.
  • the light emitting device 61 of the sixth embodiment is the same as the configuration of the light emitting device of the first embodiment except that the light emitting element 20 is provided on the upper surface of the negative electrode lead frame 16a and the shape of the resin 50. .
  • the upper surface 102 of the resin 50 exposed in the region between the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b is higher than the upper surfaces of the lead frames 16a and 16b.
  • a convex portion is formed on the bottom surface of the concave portion of the base.
  • the resin 50 covers the tip region of the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b. When the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the base, the lead frame is likely to float.
  • Covering the tip of the lead frame with resin is effective in reducing the prevention of floating.
  • the lead frame corresponding to the first region 16a 'of the negative electrode lead frame 16a can be prevented from being lifted, it is possible to prevent air and moisture from entering the floated portion and causing silver corrosion on the surface of the lead frame. Therefore, according to the light emitting device of the present embodiment, the reliability of the light emitting device is improved.
  • the light emitting element is mounted on the lead frame and then the outer lead portions 16c and 16d are bent to the substrate side after wire bonding to the light emitting element, the light emitting element is displaced due to the floating lead frame, the wire of the light emitting element is Disconnection is likely to occur. According to the light emitting device of this embodiment, the occurrence of these problems can also be suppressed.
  • the resin 50 covers the regions of the tips of the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b. However, the resin 50 covers at least a part or at least one side of any one of the lead frames. It only has to be covered. The resin 50 preferably covers at least a part or at least one side of the lead frame corresponding to the place where the light emitting element is provided.
  • the convex portion made of the resin 50 is formed by applying the resin 50 to a region between the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b after the light emitting device is manufactured by the method described in the first embodiment. can do.
  • the resin 50 is preferably formed before the outer lead portions 16c and 16d are bent or before the light emitting element is mounted.
  • the convex portion made of the resin 50 can also be formed when the base is injection-molded using the upper and lower molds. In this case, it is preferable to use a mold in which a concave portion corresponding to the convex portion is formed as the upper mold.
  • FIG. 23A is a top view schematically showing the light emitting device 71 of the seventh embodiment.
  • FIG. 23B is a cross-sectional view taken along line IB-IB of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 23C shows the light emitting element 20 and the bonding wire 15 (here, the translucent resin and the phosphor are omitted).
  • FIG. 24 is a schematic side view of the light emitting device 71 (FIG. 23A) for showing the relationship between the base 10 and the outer lead portions 16c and 16d.
  • the light emitting device 71 of the seventh embodiment is the same as the configuration of the light emitting device of the sixth embodiment except for the shape of the convex portion 102b of the resin 50.
  • the convex portion 102b of the resin 50 exposed in the area between the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b is more than the upper surfaces of the lead frames 16a and 16b.
  • the height is about 100 ⁇ m, and a convex portion is formed on the bottom surface of the concave portion of the substrate 10.
  • the convex portion 102b of the resin 50 covers the tip region of the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b.
  • the height Lc of the convex portion 102b of the resin 50 is 100 ⁇ m
  • the width La is 280 ⁇ m
  • the width Lw covering the lead frame is 75 ⁇ m.
  • both shoulders of the convex part were rounded.
  • the reliability of the light emitting device is improved.
  • the light emitting element 20 is mounted on the lead frame and then the outer lead portions 16c and 16d are bent to the substrate side after wire bonding to the light emitting element 20, the light emitting element is displaced due to the float of the lead frame.
  • the bonding wire 15 is likely to break. According to the light emitting device 71 of the present embodiment, the occurrence of these problems can also be suppressed.
  • FIG. 24 is a schematic side view of the light emitting device 71 for showing the relationship between the base 10 and the outer lead portions 16c and 16d.
  • FIG. 24A shows a schematic diagram in which the gap angle is approximately 0 °, and FIG. 24B shows 4 °.
  • the dotted line in the figure is based on this along the outer surface of the substrate 10.
  • a solid line indicates a line along the outer lead portion 16d after being bent.
  • ⁇ represents the gap angle.
  • Covering with the convex portion 102b of the resin 50 is effective in reducing prevention of floating of the lead frame when the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the substrate side. Therefore, when the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the substrate side. It was possible to apply sufficient force to For this reason, there is no gap between the outer lead portions 16c, 16d and the outer surface of the base body 10, and the gap is almost eliminated. However, if sufficient force cannot be applied when the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the base, the light emitting device has a positive gap angle ⁇ between the outer lead portions 16c and 16d.
  • Such a light emitting device is difficult to mount on the mounting substrate constituting the liquid crystal display device, and tilts when mounted, causing problems such as a reduction in optical coupling efficiency between the light emitting device and the light guide plate.
  • the convex portion 102b of the resin 50 for preventing the lead frame from floating the outer lead can be sufficiently bent, and the above problem can be reduced.
  • the convex portion 102b of the resin 50 covers the tip region of the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b, but the convex portion 102b of the resin 50 is one of the lead frames. What is necessary is just to coat
  • the height of the convex portion 102b of the resin 50 is lower than that of the light emitting element 20, and at least one bonding wire 15 is formed so as to straddle the convex portion 102b.
  • the convex portion 102b made of the resin 50 is formed on at least a part of a region between the negative electrode lead frame 16a and the positive electrode lead frame 16b facing each other after the light emitting device is manufactured by the method described in the first embodiment. Can be formed by coating.
  • the convex portion 102b of the resin 50 is preferably formed before the outer lead portions 16c and 16d are bent or before the light emitting element is mounted. Furthermore, the convex portion 102b made of resin is preferably in contact with or integrally formed with the side wall member 10b.
  • the convex portion 102b made of resin is configured to be in contact with or integrally formed with the side wall member 10b.
  • the mechanical strength of the side wall member 10b is substantially increased, thereby preventing cracks when the outer lead portions 16c and 16d are bent toward the base.
  • PCT polycyclohexylene terephthalate
  • PCT polycyclohexylene terephthalate
  • the convex portion 102b made of resin is preferably in contact with or integrally formed with the side wall member 10b.
  • the convex portion made of the resin 50 can also be formed when the base is injection-molded using the upper and lower molds. In this case, it is preferable to use a mold in which a concave portion corresponding to the convex portion is formed as the upper mold.
  • Example 1 a light-emitting device having the configuration of Embodiment 1 was manufactured.
  • the lead frame is formed by silver-plating a copper alloy.
  • the width Wa of the first region of the positive electrode lead frame is 0.22 mm, the length Lb is 0.85 mm, the width Wb of the second region is 0.26 mm, and the width Wc of the negative electrode lead frame is 0.26 mm.
  • the distance La between the negative electrode lead frame and the positive electrode lead frame is 0.1 mm.
  • the width Wd of the light emitting element is 0.2 mm.
  • the light-emitting device of Example 1 was energized in an environment with a temperature of 60 ° C. and a humidity of 90%. Even after 500 hours, no decrease in light output was observed. Analysis of the light emitting device after energization revealed no blackening or discoloration of the lead frame.
  • Comparative Example 1 a light emitting device having a configuration basically similar to that of Embodiment 1 except for the shape of the positive electrode lead frame was manufactured.
  • the width (exposed width) of the first region and the second region of the positive electrode lead frame is the same 0.26 mm, the length Lb of the first region is 0.85 mm, and the width of the negative electrode lead frame Wc is 0.26 mm.
  • the distance La between the negative electrode lead frame and the positive electrode lead frame is 0.1 mm.
  • the width Wd of the light emitting element is 0.2 mm.
  • the light emitting device of the comparative example was energized in an environment with a temperature of 60 ° C. and a humidity of 90%. The light output decreased after 250 hours. Analysis of the light emitting device after energization revealed that the lead frame was blackened or discolored.
  • Example 2 a light-emitting device having the configuration of Embodiment 2 was manufactured.
  • the width Wa of the first region of the positive electrode lead frame is 0.22 mm
  • the length Lb is 0.85 mm
  • the width Wb of the second region is 0.26 mm
  • the width We of the first region of the negative electrode lead frame is
  • the width Wc of the second region is 0.26 mm
  • the length Lc is 0.2 mm.
  • the distance La between the negative electrode lead frame and the positive electrode lead frame is 0.1 mm.
  • the width Wd of the light emitting element is 0.2 mm.
  • the light emitting device of Example 2 was energized in an environment with a temperature of 60 ° C. and a humidity of 90%. Even after 1000 hours, no decrease in light output was observed. Analysis of the light emitting device after energization revealed no blackening or discoloration of the lead frame.
  • the light-emitting device of this embodiment can be used for a side light-emitting device having light emission characteristics suitable for display applications.

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Abstract

リードフレームが上面に設けられたステージ部材及びステージ部材の上面に設けられた側壁部材を含む基体と、リードフレームの一部の上面に設けられた発光素子と、を備え、リードフレームは、発光素子が設けられた領域の幅が、発光素子が設けられた領域に隣接する領域の幅よりも狭い、発光装置が供給される。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。本出願は、２０１５年９月２９日出願の日本出願第２０１５－１９０９４３号に対して、優先権の利益を主張するものであり、それを参照することにより、その内容のすべてを本書に含める。
　光源として発光素子を用いた発光装置は、低消費電力、小型化、高輝度、さらには広範囲な色再現性が期待される次世代の発光装置として注目され、活発に研究、開発が行われている。中でも、液晶ディスプレイのバックライト光源として用いられる発光装置は、薄型化が求められている。このような液晶ディスプレイとして、サイドビュータイプとよばれる薄型の発光装置が開発されている。
　一般的なサイドビュータイプの発光装置は、発光素子を収納する凹部を有する基体と、凹部の底面に露出する正電極リードフレーム及び負電極リードフレームと、いずれかのリードフレーム上に搭載された発光素子とを備えている（特許文献１及び２）。
特開２００２－２２３００４号公報 特開２００６－２１０９０９号公報
　上記のサイドビュータイプの発光装置は、通電中に光出力が低下するという問題がある。本発明者らが光出力の低下した発光装置を解析したところ、発光素子が搭載されたリードフレームが黒色化や変色していることを見出した。リードフレームの黒色化や変色は、特に発光素子を搭載したリードフレームと基体の凹部側の側壁が交差（境界面）する周辺で顕著に見られた。
　一般的に、リードフレームは、高い反射性能を付与するために、表面が銀で被覆されている。リードフレームの黒色化や変色は、リードフレームの表面において、銀が空気中の硫化ガスにより腐食したり、高温高湿環境や電圧印加によりイオンマイグレーションが生じることが原因と考えられている。
　そこで、本発明は、通電中の光出力の低下が抑制された発光装置を提供することを目的とする。
　本発明は、リードフレームが上面に設けられたステージ部材及び前記ステージ部材の上面に設けられた側壁部材を含む基体と、前記リードフレームの一部の上面に設けられた発光素子と、を備え、前記リードフレームは、前記発光素子が設けられた領域の幅が、前記発光素子が設けられた領域に隣接する領域の幅よりも狭い、発光装置である。
　本発明の発光装置において好ましくは、前記ステージ部材及び前記側壁部材に囲まれて形成された凹部の底面において、前記発光素子が設けられた領域のリードフレームの幅方向端部と、前記側壁部材との間に、樹脂が露出している。
　本発明の発光装置において好ましくは、前記リードフレームは、正電極リードフレーム及び負電極リードフレームを含み、前記樹脂は、前記凹部の底面において、前記正電極リードフレーム及び前記負電極リードフレームの対向する間にのみ露出している。
　本発明の発光装置において好ましくは、前記発光素子が設けられた領域のリードフレームは、幅方向に沿った断面で見た場合に、前記リードフレーム上面における幅が、前記リードフレーム上面から一定の深さにおける幅よりも狭い。
　本発明の発光装置において好ましくは、前記樹脂は、前記正電極リードフレーム及び前記負電極リードフレームの対向する間において凸部を形成し、前記正電極リードフレーム及び前記負電極リードフレームの少なくとも一部を被覆する。
　本発明によれば、通電中の光出力の低下が抑制された発光装置を提供することができる。
本発明の実施の形態１の発光装置を模式的に示す上面図である。 図１に示す発光装置をＡ方向から見た側面図である。 図１に示す発光装置のＩＢ－ＩＢ線における断面図である。 図１に示す発光装置のＩＡ－ＩＡ線における断面図である。 図１に示す発光装置の正電極リードフレーム及び負電極リードフレームの対向部分の拡大図である。 リードフレームの形状の一例を示す上面図である。 図６のリードフレームに金型を配置した場合の、Ａ－Ａ線における断面図である。 リードフレームが設けられた基体の一例を模式的に示す上面図である。 本発明の実施の形態２の発光装置を模式的に示す上面図である。 図９に示す発光装置の正電極リードフレーム及び負電極リードフレームの対向部分の拡大図である。 本発明の実施の形態３の発光装置を模式的に示す上面図である。 図１１に示す発光装置の正電極リードフレーム及び負電極リードフレームの対向部分の拡大図である。 本発明の実施の形態４の発光装置を模式的に示す上面図である。 図１３に示す発光装置のＩＡ－ＩＡ線における断面図である。 実施の形態５の発光装置を模式的に示す上面図である。 図１５に示す発光装置のＩＡ－ＩＡ線における断面図である。 実施の形態５の発光装置の作製に用いるリードフレームの形状の一例を示す上面図である。 図１７のリードフレームのＢ－Ｂ線における断面図である。 図１７のリードフレームのＣ－Ｃ線及びＤ－Ｄ線における断面図である。 図１７のリードフレームに金型を配置した場合の、Ｂ－Ｂ線における断面図である。 実施の形態６の発光装置を模式的に示す上面図である。 図２１に示す発光装置のＩＢ－ＩＢ線における断面図である。 図２３（ａ）は実施の形態７の発光装置を模式的に示す上面図であり、図２３（ｂ）は図２３（ａ）に示す発光装置のＩＢ－ＩＢ線における断面図であり、図２３（ｃ）は発光素子とボンディングワイヤを示す模式図である。 図２４（a）は実施の形態４、５および７の発光装置の側面の概略図であって、基体とアウターリード部との隙間角度θがほぼ０°の模式図であり、図２４（ｂ）は実施の形態４、５および７の発光装置の側面の概略図であって、基体とアウターリード部との隙間角度θが４°の模式図である。
　本発明の一実施の形態における発光装置について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。
　［実施の形態１］
　＜発光装置の構成＞
　図１は、実施の形態１の発光装置を模式的に示す上面図であり、図２は、図１に示す発光装置をＡ方向から見た側面図である。図３は、図１に示す発光装置のＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図４は、図１に示す発光装置のＩＡ－ＩＡ線における断面図である。図５は、図１に示す発光装置の正電極リードフレーム及び負電極リードフレームの対向部分の拡大図である。
　図１～図５に示されるように、本実施形態の発光装置１は、ステージ部材１０ａと側壁部材１０ｂとを有する基体１０と、前記ステージ部材１０ａの上面に設けられた負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂと、正電極リードフレーム１６ｂの上面に配置された発光素子２０と、を備える。前記ステージ部材１０ａと前記側壁部材１０ｂとに囲まれた凹部には、封止樹脂４０が充填されている。
　＜基体＞
　基体１０を構成するステージ部材１０ａは、互いに略平行に対向する、溝１４を含む底面１０１と、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂが設けられた上面とを有する。ここで、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの対向する間の領域に露出している上面１０２は、ステージ部材１０ａを構成するものとする。
　基体１０を構成する側壁部材１０ｂは、発光素子２０を囲むようにステージ部材１０ａの上面に配置される。ステージ部材１０ａの上面は、発光装置１の上部から見た場合、略矩形の形状を有することが好ましい。ステージ部材１０ａと側壁部材１０ｂとに囲まれた部分は凹部を形成している。側壁部材１０ｂの一方の開放端はステージ部材１０ａで塞がれ、側壁部材１０ｂの他方の開放端（以下、「凹部の開口部」と記す）は開放されている。すなわち、側壁部材１０ｂの上端は、凹部の上端の開口部の外延を形成している。凹部の軸方向は、ステージ部の上面に対して垂直である。側壁部材１０ｂの凹部側の面はリフレクタとしての役割を果たす。ステージ部材１０ａと側壁部材１０ｂとは同じ材料で同時に形成されるため、繋がっている。ステージ部材１０ａ及び側壁部材１０ｂの材料は、樹脂が好ましい。
　凹部の開口部の形状及び大きさなどは特に限定されない。凹部の開口部は平面視矩形の形状を有することが好ましい。開口部が矩形の場合、開口部の長辺は１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましく、短辺は０．０２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であることが好ましい。これにより、封止樹脂４０となる封止剤をこぼすことなく凹部内へ供給することができる。なお、薄型のサイド発光型発光装置を実現するためには、短辺方向の幅を狭くすることが好ましい。
　側壁部材１０ｂは、耐熱性材料からなることが好ましく、たとえば耐熱性ポリマーからなることが好ましい。また、側壁部材１０ｂの上面であって一方のリードフレームの近傍には、当該リードフレームの極性を示す指示部が設けられていることが好ましい。これにより、リードフレームの極性を間違えることなく発光装置に外部電力を供給することができる。
　＜リードフレーム＞
　リードフレームは発光素子２０に外部電力を供給するためのものである。ステージ部材１０ａの上面には、インナーリード部である負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂが設けられている。負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂは、それぞれの端部が所定の間隔を空けて対向して配置されている。ステージ部材１０ａの外部には、アウターリード部１６ｃ及び１６ｄとが設けられている。負電極リードフレーム１６ａとアウターリード部１６ｃとは接続され、正電極リードフレーム１６ｂとアウターリード部１６ｄとは接続されている。正電極リードフレーム１６ｂ上には、発光素子２０が設けられる。アウターリード部１６ｃ、１６ｄは、発光装置１が搭載される基板（図示せず）に接続される。なお、本実施の形態では、発光素子２０は正電極リードフレーム１６ｂ上に設けられているが、発光素子２０の設けられる位置は、インナーリード部上であれば特に限定されない。例えば、負電極リードフレーム１６ａ上であってもよいし、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの両方の上面に接するように設けられていてもよい。
　リードフレームの形状について図１及び図５を用いて説明する。なお、図５では、発光素子２０は点線で表され、発光素子２０の下に配置されるリードフレームの形状が示されている。また、封止樹脂４０は省略され、凹部の底面が示されている。
　正電極リードフレーム１６ｂは、上面に発光素子２０が設けられた第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａが、発光素子２０の設けられた第１の領域１６ｂ’に隣接する第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂよりも狭い。第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａ及び第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂは、凹部の底面に露出したリードフレームの上面の幅を示す。なお、凹部の底面に露出したリードフレームの上面とは、凹部の底面とリードフレームの上面とが同一面上の場合は、該同一面上におけるリードフレームの上面を意味し、リードフレームが凹部の底面から突出している場合は、リードフレームの突出している部分の最表面を示す。第１の領域１６ｂ’に隣接する第２の領域１６ｂ’’とは、第１の領域１６ｂ’から、正電極リードフレーム１６ｂと接続されるアウターリード部１６ｄ側に隣接した領域を意味する。第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂは、第１の領域１６ｂ’との境界からの距離が０．２ｍｍ以内の場所において測定した値である。第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂは、例えば、発光素子２０の第２の領域１６ｂ’’側の端部から、ボンディングワイヤ１５の第２の領域１６ｂ’’側のボンディング部までの間で測定した値とすることができる。
　第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａは、正電極リードフレーム１６ｂの全ての領域において一定であってもよいし、長手方向に沿って連続的に変化していても構わない。第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａが変化している場合は、第１の領域１６ｂ’の幅の最大値が、第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂよりも狭い。
　リードフレームの形状を上記の通りとすることにより、第１の領域１６ｂ’の上面に発光素子２０を配置した時に、発光素子２０近傍において、ステージ部材１０ａ及び側壁部材１０ｂに囲まれて形成された凹部の底面に露出するリードフレームの面積を小さくすることができる。発光素子２０近傍において、凹部の底面に露出するリードフレームの面積が小さいと、発光装置の通電中に、発光素子２０近傍のリードフレームにおいて、空気中の硫化ガスによる腐食が発生したり、高温高湿環境や電圧印加に起因するイオンマイグレーションが発生することを抑制することができる。リードフレームの腐食や、イオンマイグレーションの発生は、リードフレーム表面の反射率を低下させるため、発光装置２０近傍のリードフレームにおいて、発光素子２０からの光が吸収・散乱されてしまい、発光装置全体の光出力が低下してしまう。本発明によれば、リードフレームの腐食や、イオンマイグレーションの発生が抑制されているため、発光装置の通電中の光出力の低下を抑制することができる。
　一方、従来のリードフレーム構造では、発光素子が上面に配置される近傍のリードフレームの幅が、上金型の凸部の先端部（基体の凹部の底面を形成する部分）の幅とほぼ一致している。このため、リードフレームの幅方向端部と基体を形成する樹脂との間に隙間が生じたり、リードフレームと樹脂との接着性が弱くなったりするため、上金型を抜く際に、凹部底面のリードフレームの幅方向端部と側壁部材との間に亀裂が生じやすい。前記隙間や亀裂に空気中の湿気、硫化ガスが入り込むことにより、リードフレーム表面の銀メッキ層においては、前記隙間や亀裂に入り込んだ硫化ガスとの反応により腐食が発生したり、高温高湿環境や電圧印加に起因するイオンマイグレーションが発生していた。
　第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａの大きさは、発光装置全体の寸法に基づき設定されるものであるが、発光素子２０の幅Ｗｄより大きいことが好ましい。これによると、発光装置の動作中に、発光素子からの熱を効率的に放熱することができる。例えば、第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａは、発光素子２０の幅Ｗｄ＋０．２ｍｍ（例えば、発光素子の両側に各０．１ｍｍずつ）とすることができる。例えば、第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａと第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂとの差は、０．１ｍｍとすることができる。
　発光素子２０が、正電極リードフレーム１６ｂの上面のみに設けられている場合、負電極リードフレーム１６ａの端部の幅Ｗｃは、正電極リードフレーム１６ｂの第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａよりも広くすることができる。これにより、負電極リードフレーム１６ａの幅方向端部が、側壁部材１０ｂと接触し、側壁部材１０ｂの物理的強度が増し、外力による割れ、欠け、ひび割れが低減する。また、負電極リードフレーム１６ａの端部はワイヤボンド面となるため、幅Ｗｃはある程度広い方が、ボンド面を認識し易い。さらに、幅Ｗｃはある程度広い方が、ワイヤボンド時のボンディングに耐えられる支え強度が得られる。また、発光素子２０からの光は、負電極リードフレーム１６ａの端部と側壁部材１０ｂとの接触領域では弱いため、この接触領域でのリードフレームの腐食、変色劣化は生じにくい。
　第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａと発光素子２０の幅Ｗｄとの差は、小さいほど、発光素子２０近傍において、ステージ部材の上面に露出するリードフレームの面積が小さくなるため好ましい。ただし、発光素子２０からの熱を放熱させるためには、第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａは、発光素子２０の幅Ｗｄより大きい方がよい。さらに、発光素子を搭載する際の位置合わせ精度を考えれば、第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａは、発光素子２０の両側に＋０．１ｍｍほど大きいことが好ましい。
　リードフレームは、導電性材料からなることが好ましく、たとえば、銀、白金、金及び銅の少なくとも１つが銀メッキ、金メッキ及び銀パラジウムメッキのうちの少なくとも１つでメッキされて構成されていることが好ましい。中でも、リードフレームが銀メッキされて構成されていると、発光装置の通電中に、リードフレーム表面が黒色化や変色しやすいため、本発明の効果を顕著に得ることができる。
　＜樹脂＞
　発光装置は、凹部の底面において、発光素子２０が設けられたリードフレームの第１の領域１６ｂ’の幅方向端部と、側壁部材１０ｂとの間に、樹脂５０が露出していることが好ましい。発光装置の通電中のリードフレーム表面の黒色化や変色は、発光素子２０近傍のリードフレームと側壁部材１０ｂとの境界付近に発生しやすい。したがって、リードフレームの第１の領域１６ｂ’の幅方向端部と、側壁部材１０ｂとの間に、樹脂５０が露出していると、リードフレーム表面の黒色化や変色を効果的に抑制することができる。樹脂５０は、リードフレームの第１の領域１６ｂ’の幅方向端部と、側壁部材１０ｂとの間の領域を全て埋めるように配置されていることがさらに好ましい。
　樹脂５０は、凹部の底面において、負電極リードフレーム１６ａと正電極リードフレーム１６ｂの対向する間にのみ露出していることが好ましい。ここで、負電極リードフレーム１６ａと正電極リードフレーム１６ｂの対向する間とは、負電極リードフレーム１６ａの先端部の側壁部材１０ｂと接していない外縁と、正電極リードフレーム１６ｂの先端部の側壁部材１０ｂと外縁と、凹部の底面と側壁部材１０ｂとの境界線と、に囲まれた領域を意味する。これによると、正電極リードフレーム１６ｂの第１の領域１６ｂ’の幅方向外側と側壁部材１０ｂとは樹脂から形成されるため、発光素子２０からの光が当たっても、金属（銀あるいは銀メッキ）よりも腐食、変色劣化が生じにくい。このため、発光装置の光出力の低下を抑えることが可能となる。
　なお、正電極リードフレーム１６ｂの第１の領域１６ｂ’の幅方向端部と側壁部材１０ｂとの間に樹脂が存在しない場合は、基体１０の金型を用いた成型時に、上金型を抜く際に、凹部底面のリードフレームの幅方向端部と側壁部材との間に亀裂が生じやすく、前記亀裂に空気中の湿気、硫化ガスが入り込むことにより、リードフレーム表面の銀メッキ層においては、前記亀裂に入り込んだ硫化ガスとの反応により腐食が発生したり、高温高湿環境や電圧印加に起因するイオンマイグレーションが発生するという問題がある。凹部の底面において、樹脂が、負電極リードフレーム１６ａと正電極リードフレーム１６ｂの対向する間にのみ露出していることにより、これらの不具合の発生を抑制することができる。
　樹脂５０は、耐熱性材料からなることが好ましく、たとえば耐熱性ポリマーからなることが好ましい。樹脂５０は、ステージ部材１０ａあるいは側壁部材１０ｂを構成する成形体樹脂と同一の樹脂であると、基体１０の成型時に同時に形成することができるため好ましい。
　＜発光素子＞
　発光素子２０は、正電極リードフレーム１６ｂ上に配置されている。発光素子２０は、樹脂からなる接着剤を介して正電極リードフレーム１６ｂ上に固定されていることが好ましい。接着剤は、基体の凹部の底面に露出した樹脂及び側壁部材の少なくとも一部を被覆していることが好ましい。例えば、基体を構成する樹脂の上に接着剤が配置され、前記接着剤の上に封止樹脂が配置されていることが好ましい。また、基体を構成する樹脂の上に接着剤が配置され、該接着剤が側壁部材の一部を被覆していることが好ましい。これによると、リードフレームと基体を構成する樹脂との間、又はリードフレームと側壁部材との間に生じた剥離（隙間）箇所に接着剤（樹脂系）が入り込み、隙間を埋め込むことが可能となる。このため、隙間に入っている水分、湿気、硫化ガスなどが再び凹部に出てくることを低減できる。接着剤は、フェニルシリコーン系接着剤であることが好ましい。これにより、耐候性に優れた発光装置を提供することができる。発光素子２０は、ボンディングワイヤ１５を介して配線パターンのインナーリード部に接続されていることが好ましい。ボンディングワイヤ１５は、低抵抗な材料からなることが好ましく、金属からなることがより好ましい。
　発光素子２０は、平面視略矩形に形成されていることが好ましい。発光素子２０は、波長が４３０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下、より好適には４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下である青色領域にピーク波長を有する光（一次光）を発することが好ましい。発光素子２０からの光のピーク波長が４３０ｎｍ以上であれば、発光装置からの光における青色光成分の寄与が小さくなることを防止できるので、演色性の悪化を防止できる。また、発光素子２０からの光のピーク波長が４７０ｎｍ以下であれば、発光装置からの光の明るさの低下を防止できる。以上のことから、発光素子２０からの光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であれば、実用的な発光装置を得ることができる。発光素子２０は、たとえば、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体からなることが好ましい。
　＜封止樹脂＞
　封止樹脂４０は、ステージ部材１０ａと側壁部材１０ｂとに囲まれた凹部に充填されている。これにより、発光素子２０は封止樹脂４０で封止されることとなる。封止樹脂４０の上面は、当該封止樹脂４０の周縁から中央へ向かって窪むことが好ましい。
　封止樹脂４０は、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体を含む赤色蛍光体、緑色蛍光体及び透光性樹脂を含むことが好ましい。
　＜赤色蛍光体＞
　封止樹脂は、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体を含むことが好ましい。Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体は発光ピークの中心波長が６２５ｎｍ～６４５ｎｍ（たとえば６３５ｎｍ）であり、その発光ピークのスペクトル幅は２０ｎｍ程度である。よって、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体はディスプレイ用途に好適な発光特性を示す。したがって、本実施形態の発光装置は、ディスプレイ用途として好適に用いることができる。
　しかし、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体は、従来の赤色蛍光体（たとえば、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕまたは（Ｓｒ・Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）などに比べて青色光の吸収効率に劣る。そのため、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体の含有量を従来の赤色蛍光体を用いた場合よりも多くすることにより、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体を用いたことに起因する発光強度の低下を防止することができる。
　Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体は、粒子状に形成されていることが好ましい。「Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体が粒子状に形成されている」とは、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体の体積基準のメジアン径が１０μｍ以上９０μｍ以下であることを意味する。好ましくは、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体の体積基準のメジアン径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。「赤色蛍光体の体積基準のメジアン径」は、赤色蛍光体の粒度分布を体積基準で測定したときのメジアン径を意味し、たとえばフロー式粒子像分析装置などを用いて測定される。
　Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体は、下記式（１）：
　Ａ２ＢＣ６：Ｍｎ　　式（１）
　（式（１）中、Ａはカリウム、リチウム、ナトリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、Ｂはケイ素、チタン、ゲルマニウム、ジルコニウム及びスズからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、Ｃはフッ素、塩素及び臭素からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む）
で表される蛍光体であることが好ましい。
　Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体は、たとえば、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎである。Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体の付活元素はＭｎ（マンガン）が被置換元素の１０モル％程度であることが好ましい。Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎにおいて、Ｋの一部または全部がＬｉ、Ｎａ、Ｒｂ及びＣｓのうちの１つ以上で置換されていても良い。また、Ｓｉの一部または全部がＴｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎのうち１つ以上で置換されていてもよい。加えて、Ｆの一部または全部がＣｌ、Ｂｒのうち１つ以上で置換されていても良い。格子間位置を占める金属元素が母体結晶に添加されていても良い。
　封止樹脂は、本実施形態の効果を阻害しない範囲で、Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体とは異なる赤色蛍光体を含んでいてもよい。このような赤色蛍光体としては、たとえば、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ、（Ｓｒ・Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ、（Ｍ４）Ｓ：Ｅｕ（ここでＭ４はＣａ、Ｓｒ及びＢａのうちの少なくとも１つの２価の金属元素を表す）、Ｍ４２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ（ここでＭ４はＣａ、Ｓｒ及びＢａのうちの少なくとも１つの２価の金属元素を表す）をさらに含んでも良い。
　Ｍｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体とは異なる前記の赤色蛍光体は、励起や発光に許容遷移を利用しているため紫色光、紫外光や青色光の吸収効率が高い。赤色蛍光体としてＭｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体とは異なる赤色蛍光体をさらに含むことは、高価なＭｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体の総使用量を減らすことにつながる。したがって、低コストで色再現性の優れた発光装置を提供することができる。また、封止樹脂４０中の蛍光体量を少なくすることができ、封止樹脂の粘度を低くすることができるため、封止樹脂４０を発光素子２０へ向かって吐出させるときに、吐出装置のノズルの先端及びノズルの内部で蛍光体が詰まることを防止できる。
　＜緑色蛍光体＞
　封止樹脂４０は、緑色蛍光体をさらに含むことが好ましい。これにより、白色光を発する発光装置を提供できる。
　たとえば、緑色蛍光体は、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ、(Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、(Ｂａ，Ｓｒ)3Ｓｉ6Ｏ１０Ｎ2：Ｅｕ、Ｅｕ付活β－サイアロン、(Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ)(Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ)2Ｓ4：Ｅｕ、(Ｙ，Ｔｂ)3(Ａｌ，Ｇａ)5Ｏ１０：Ｃｅ、Ｃａ3(Ｓｃ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｌｉ)2Ｓｉ3Ｏ１０：Ｃｅ、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ、ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ、ＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ，Ｄｙ、または、(Ｃａ，Ｓｒ)Ｓｃ2Ｏ4：Ｃｅなどであることが好ましい。これらは緑色蛍光体の一例に過ぎず、緑色蛍光体はこれらに限定されない。これらの緑色蛍光体は、励起、発光に許容遷移を利用しているため紫外光、紫色光、青色光の吸収効率が高い。
　＜蛍光体の含有量＞
　赤色蛍光体は、緑色蛍光体に対して、質量比で、２倍以上５倍以下含まれていることが好ましい。赤色蛍光体が緑色蛍光体に対して質量比で２倍以上含まれていと、発光効率に優れないＭｎ4+付活ハロゲン化物赤色蛍光体を用いたことに起因する赤色の色度の低下または赤色光の発光強度の低下を防止することができる。赤色蛍光体が緑色蛍光体に対して質量比で５倍以下含まれていれば、発光装置からの光における赤色光の成分の寄与が大きくなりすぎることを防止できる。赤色蛍光体は緑色蛍光体に対して質量比で２倍以上４倍以下含まれていることがより好ましい。
　＜その他の配合剤＞
　封止樹脂４０は、本実施形態の効果を阻害しない範囲で、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、及び、Ｙ2Ｏ3のうちの少なくとも１つを含んでいても良い。
　＜発光装置の製造方法＞
　本実施の形態の発光装置の製造方法について、図６～図８を用いて説明する。図６は、リードフレームの形状の一例を示す上面図である。図７は、図６のリードフレームに金型を配置した場合の、Ａ－Ａ線における断面図である。図８は、本製造方法で作製されるリードフレームが設けられた基体の一例を模式的に示す上面図である。
　発光装置の製造方法は特に限定されず、一般的な射出成形法を用いて作製することができる。発光装置の製造方法は、例えば、リードフレームを作製する工程と、リードフレームを射出成形用金型に設置して金型に成形体樹脂を注入して基体を得る工程と、リードフレーム上に発光素子を設ける工程とを含むことができる。
　リードフレーム１６は、導電性材料からなる薄板を、プレス打ち抜きをして作製することができる。リードフレームの打ち抜きは、リードフレーム表面（発光素子の搭載側）からプレスで打ち抜いてもよいし、又はその後リードフレーム裏面から打ち抜いてもよい。あるいはウエットエッチングを用いて必要なリードフレーム形状を作製してもよい。図６において、斜線にて示される部分が金型に挟み込まれるリードフレーム部分である。リードフレームは最終的に点線Ｄで切断され、切断されたのちに基体側に折り曲げられて、アウターリード部の形状とされる（アウターリード部１６ｃ、１６ｄに該当する部分である）。ハンガーリード１６ｅから基体１０が外されることにより、個片化され、発光装置が形成される。負電極リードフレーム１６ａ、正電極リードフレーム１６ｂ、アウターリード部１６ｃ及び１６ｄに該当する部分が発光装置を構成する。
　正電極リードフレーム１６ｂの上面には、点線で示される位置に発光素子が設けられる。リードフレームの形状は、例えば、発光装置１に組み込まれたときに、基体の凹部の底面において、上面に発光素子２０が設けられる第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａが、発光素子２０の設けられた第１の領域１６ｂ’に隣接する第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂよりも狭くなるような形状とすることが好ましい。
　次に、基体１０のステージ部材１０ａに対応する凹部７５を有する下金型７２と、側壁部材１０ｂに対応する凹部７６を有する上金型７０とを備える射出成形用金型を準備する。
　次に、リードフレームの上面側に上金型７０を配置し、リードフレームの下面側に下金型７２を配置し、上金型７０及び下金型７２でリードフレーム１６を挟み込む。これにより、上金型７０及び下金型７２に囲まれた、上金型の凹部７６及び下金型の凹部７５を含む空洞部が形成される。
　次に、下金型７２の外部から下金型７２の凹部７５の内部に樹脂を注入するために設けられた樹脂注入口（図示せず）から、空洞部の内部へ、基体１０を構成する樹脂を注入する。正電極リードフレーム１６ｂの第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａは、上金型７０の凹部７６の底面の幅よりも狭い。したがって、得られた基体１０の底面では、発光素子が設けられた領域のリードフレームの幅方向端部と、側壁部材との間に、樹脂が露出している。
　次に、金型内に注入した樹脂が硬化した後に、上金型７０を上方向に、下金型７２を下方向に移動して、金型から、樹脂が硬化して得られた基体１０を外す。
　次に、基体１０に発光素子２０を固定する。たとえば、樹脂からなる接着剤を挟んで発光素子２０を正電極リードフレーム１６ｂ上に配置してから、接着剤を硬化させる。
　次に、発光素子２０と基体１０とを電気的に接続する。たとえば、ボンディングワイヤ１５を用いて発光素子２０と、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂとを電気的に接続する。
　続いて、発光素子２０を封止樹脂４０で封止する。たとえば、透光性樹脂と赤色蛍光体と緑色蛍光体とを含む封止樹脂４０を調製する。その後、吐出装置を凹部の開口部の上方に配置し、その吐出装置の液室に封止樹脂４０を入れる。この状態で液室内の封止樹脂４０をピストンで押すと、封止樹脂４０は、吐出装置のノズルから吐出され、凹部の開口部から発光素子２０の周辺へ供給される。これにより、発光素子２０は封止樹脂４０で被覆される。その後、封止樹脂４０を硬化させることにより、本実施形態の発光装置が得られる。
　本実施形態の発光装置は、駆動回路などの電気回路を備えた実装基板に実装するときに発光面に対して垂直に実装するサイド発光型の発光装置（短辺が薄い）に特に好適である。本実施形態の発光装置を搭載することにより、光出力の低下が抑制され、信頼性の優れたディスプレイ装置などを製造できる。
　［実施の形態２］
　＜発光装置の構成＞
　図９は、実施の形態２の発光装置２１を模式的に示す上面図であり、図１０は、図９に示す発光装置の正電極リードフレーム及び負電極リードフレームの対向部分の拡大図である。
　実施の形態２の発光装置２１は、負電極リードフレーム１６ａの形状と、発光素子２０が負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂにフリップチップ接続されている点以外は、実施の形態１の発光装置１の構成と同様である。以下では、リードフレームの形状及び発光素子２０の実装方法について説明する。
　＜リードフレーム＞
　正電極リードフレーム１６ｂの形状は、実施の形態１と同様である。すなわち、上面に発光素子２０が設けられた第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａが、第１の領域１６ｂ’に隣接する第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂよりも狭い。
　本実施の形態では、負電極リードフレーム１６ａの上面にも発光素子２０が設けられる。したがって、負電極リードフレーム１６ａにおいても、上面に発光素子２０が設けられた第１の領域１６ａ’の幅Ｗｅが、第１の領域１６ａ’に隣接する第２の領域１６ａ’’の幅Ｗｃよりも狭い。第１の領域１６ａ’に隣接する第２の領域１６ａ’’とは、第１の領域１６ａ’から、負電極リードフレーム１６ａと接続されるアウターリード部１６ｃ側に隣接した領域を示す。第２の領域１６ａ’’の幅Ｗｃは、第１の領域１６ａ’との境界からの距離が０．２ｍｍ以内の場所において測定した値である。
　リードフレームの形状を上記の通りとすることにより、第１の領域１６ａ’の上面に発光素子２０を配置した時に、発光素子２０近傍において、ステージ部材１０ａ及び側壁部材１０ｂに囲まれて形成された凹部の底面に露出するリードフレームの面積を小さくすることができる。発光素子２０近傍において、凹部の底面に露出するリードフレームの面積が小さいと、発光装置の通電中に、発光素子近傍のリードフレームにおいて、リードフレームと基体を構成する樹脂との間の隙間や、リードフレームと側壁部材との間の亀裂に入り込んだ硫化ガスによる腐食が発生したり、高温高湿環境や電圧印加に起因するイオンマイグレーションが発生することを抑制することができる。したがって、本発明によれば、発光装置の通電中の光出力の低下を抑制することができる。
　＜発光素子の実装方法＞
　まず、ワイヤーに相当する配線と電極ランドとを、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの上面に形成する。次に、発光素子２０の表面に設けられた電極パッドをリードフレーム１６の上面に対向させ、バンプを介してフリップチップ接続により発光素子２０とリードフレームとを接続する。このようにして、発光素子２０を、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの上面に実装させることができる。
　発光素子２０とリードフレームとをフリップチップ接続することにより、ワイヤ・ボンディングよりも実装面積を小さくできる。さらに、配線が短いために電気的特性が良好となる。実施の形態１の発光装置１の構成と同様に第１の領域１６ｂ’のみに発光素子２０を実装させてもよいことは言うまでもない。
　［実施の形態３］
　＜発光装置の構成＞
　図１１は、実施の形態３の発光装置３１を模式的に示す上面図であり、図１２は、図１１に示す発光装置の正電極リードフレーム及び負電極リードフレームの対向部分の拡大図である。
　実施の形態３の発光装置３１は、負電極リードフレーム１６ａの形状以外は、実施の形態１の発光装置１の構成と同様である。以下では、リードフレームの形状について説明する。
　＜リードフレーム＞
　正電極リードフレーム１６ｂの形状は、実施の形態１と同様である。すなわち、上面に発光素子２０が設けられた第１の領域１６ｂ’の幅Ｗａが、発光素子２０の設けられた第１の領域１６ｂ’に隣接する第２の領域１６ｂ’’の幅Ｗｂよりも狭い。
　本実施の形態では、負電極リードフレーム１６ａの正電極リードフレーム１６ｂと対向する先端部の幅Ｗｆが、正電極リードフレーム１６ｂの幅Ｗｂよりも狭くなっている。このため、基体の凹部の底面において、負電極リードフレーム１６ａの先端部では、負電極リードフレーム１６ａと側壁部材１０ｂとの間に、樹脂５０が露出している。これにより、発光装置の通電中に、発光素子近傍のリードフレームにおいて、空気中の硫化ガスによる腐食が発生したり、高温高湿環境や電圧印加に起因するイオンマイグレーションが発生することを抑制することができる。したがって、本発明によれば、発光装置の通電中の光出力の低下を抑制することができる。
　［実施の形態４］
　＜発光装置の構成＞
　図１３は、実施の形態４の発光装置４１を模式的に示す上面図であり、図１４は、図１３に示す発光装置のＩＡ－ＩＡ線における断面図である。
　実施の形態４の発光装置４１は、正電極リードフレーム１６ｂの形状以外は、実施の形態１の発光装置１の構成と同様である。具体的には、本実施の形態では、正電極リードフレーム１６ｂの第１の領域１６ｂ’における、幅方向に沿った断面図が、実施の形態１と異なっている。以下では、リードフレームの形状について説明する。
　＜リードフレーム＞
　図１４に示されるように、本実施の形態では、正電極リードフレーム１６ｂの第１の領域１６ｂ’は、幅方向に沿った断面で見た場合に、リードフレーム上面における幅Ｗａが、リードフレーム上面から一定の深さｄ１における幅Ｗｇよりも狭い。これにより、樹脂がリードフレームを押さえ、さらにリードフレームの幅Ｗｇの部分がアンカー効果をもたらすため、リードフレームが樹脂から浮くことを抑制することができる。アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に、リードフレームが樹脂から浮くと、浮いた部部に空気や湿気が入り込み、リードフレーム表面の銀の腐食が発生する。本実施の形態の発光装置によれば、リードフレームの浮きが抑制されているため、リードフレームの腐食を防止でき、発光装置の信頼性が向上する。
　さらに、基体の凹部の底面において、リードフレームの幅Ｗａの部分の幅方向端部近傍で樹脂が露出しているので、発光装置の通電中に、発光素子近傍のリードフレームにおいて、リードフレームと基体を構成する樹脂との間の隙間や、リードフレームと側壁部材との間の亀裂に入り込んだ硫化ガスによる腐食が発生したり、高温高湿環境や電圧印加に起因するイオンマイグレーションが発生することを抑制することができる。したがって、本実施の形態によれば、発光装置の通電中の光出力の低下を抑制することができる。
　リードフレーム上面から一定の深さｄ１は、リードフレームの上面から底面までの厚みｄ２よりも小さい。図１４では、リードフレーム上面から一定の深さｄ１までは、幅Ｗａが一定であり、一定の深さｄ１において、幅が大きくなっているが、幅の変化はこれに限定されない。例えば、リードフレームの幅は、リードフレーム上面から深さ方向の距離の増加に伴い、連続的に増加していてもよい。さらにまた、リードフレームの幅は、少なくとも一箇所の幅の変化があればよい。
　本実施の形態では、正電極リードフレーム１６ｂの第１の領域１６ｂ’の断面形状が図１４に示される形状となっているが、リードフレームの他の部分も、幅方向に沿った断面で見た場合に、リードフレーム上面における幅が、リードフレーム上面から一定の深さにおける幅よりも狭いことが好ましい。特に、発光素子が設けられる箇所に対応するリードフレームが、幅方向に沿った断面で見た場合に、リードフレーム上面における幅が、リードフレーム上面から一定の深さにおける幅よりも狭いことが好ましい。
　図２４は、基体１０とアウターリード部１６ｃ、１６ｄの関係を示す発光装置の側面の概略図である。図２４（a）は隙間角度がほぼ０°、図２４（ｂ）は隙間角度が４°の模式図を示す。図中の点線は基体１０外側面に沿ってこれを基準とする。実線は折り曲げた後のアウターリード部１６ｄに沿った線を示している。θは隙間角度を表す。リードフレームの幅Ｗｇの部分がアンカー効果は、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際にリードフレームの浮きが防止の低減に有効であるため、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に十分な力を加えることが可能となった。このためアウターリード部１６ｃ、１６ｄと基体１０外面との間に隙間が生じなくなり、隙間はほぼ無くなった。しかしながら、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に十分な力を加えることができない場合、アウターリード部１６ｃ、１６ｄの隙間角度θがプラスになった発光装置となってしまう。このような発光装置は液晶表示装置を構成する搭載基板に搭載しづらく、搭載時に傾くために、発光装置と導光板との光結合効率が低減するなどの問題が発生していた。リードフレームの浮き防止用のリードフレームの幅Ｗｇを備えることにより、十分にアウターリードを曲げることが可能となり上記問題を低減することが可能となった。
　［実施の形態５］
　＜発光装置の構成＞
　図１５は、実施の形態５の発光装置５１を模式的に示す上面図である。図１６は、図１５に示す発光装置のＩＡ－ＩＡ線における断面図である。図１７は、本実施の形態の発光装置の作製に用いるリードフレームの形状の一例を示す上面図である。図１８は、図１７のリードフレームのＢ－Ｂ線における断面図である。図１９は、図１７のリードフレームのＣ－Ｃ線及びＤ－Ｄ線における断面図である。図２０は、図１７のリードフレームに金型を配置した場合の、Ｂ－Ｂ線における断面図である。
　実施の形態５の発光装置５１は、発光素子２０が負電極リードフレーム１６ａの上面に設けられていること、及び、負電極リードフレーム１６ａの形状以外は、実施の形態１の発光装置の構成と同様である。具体的には、本実施の形態では、負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’における、幅方向に沿った断面図が、実施の形態１と異なっている。以下では、リードフレームの形状について説明する。
　図１６に示されるように、本実施の形態では、負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’は、幅方向に沿った断面で見た場合に、リードフレームの幅が、リードフレーム上面から一定の深さｄ１までは連続的に増加し（図１６では、リードフレーム上面における幅Ｗｅから、深さｄ１における幅Ｗｇまで、幅が連続的に増加する）、前記一定の深さｄ１からリードフレーム底面までは連続的に減少する。ここで、リードフレーム上面から一定の深さｄ１は、リードフレームの上面から底面までの厚みｄ２よりも小さい。負電極リードフレーム１６ａの上記の形状とすることにより得られる効果について、以下に説明する。
　本実施の形態の発光装置の作製では、図１７～図１９に示される形状のリードフレームを用いる。負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’は、幅方向に沿ったＢ－Ｂ線における断面で見た場合に、図１８に示される通り、リードフレームの幅が、リードフレーム上面から一定の深さまでは連続的に増加し、前記一定の深さからリードフレーム底面までは連続的に減少する。一方、負電極リードフレーム１６ａの第２の領域１６ａ’’及び正電極リードフレーム１６ｂは、幅方向に沿ったＣ－Ｃ線又はＤ－Ｄ線における断面で見た場合に、図１９に示される通り、リードフレームの上面から底面まで、幅が一定である。
　本実施の形態では、負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’の断面形状が図１８に示される形状となっているが、リードフレームの他の部分も、幅方向に沿った断面で見た場合に、リードフレームの幅が、リードフレーム上面から一定の深さまでは連続的に増加し、前記一定の深さからリードフレーム底面までは連続的に減少することが好ましい。特に、発光素子が設けられる箇所に対応するリードフレームが、幅方向に沿った断面で見た場合に、リードフレームの幅が、リードフレーム上面から一定の深さまでは連続的に増加し、前記一定の深さからリードフレーム底面までは連続的に減少することが好ましい。
　図２０は、図１７の形状を有するリードフレームの上面側に上金型７０を配置し、リードフレームの下面側に下金型７２を配置し、上金型７０及び下金型７２でリードフレーム１６を挟み込んだ時のＢ－Ｂ線における断面図である。上金型７０と下金型７２とに囲まれた空洞部には、下金型７２の底面に設けられた樹脂注入口から樹脂が注入される。図２０の矢印は、この時の樹脂の流れを示している。負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’は、幅方向に沿った断面で見た場合に、底面から、上面からの深さｄ１に向けて幅が広がっており、深さｄ１における幅Ｗｇが最大幅である。このため、リードフレームの底面から上面に向けて幅が広がっている領域（点線Ｘで囲まれた領域）において、下方からの樹脂の流れが良好となり、ショートショットの発生を抑制することができる。
　上記の形状を有するリードフレームを用いて得られた発光装置では、図１６に示される通り、負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’は、幅方向に沿った断面で見た場合に、リードフレームの上面から、幅が連続的に増加している領域（点線Ｙで囲まれた領域、リードフレーム上面からの深さｄ１における最大幅はＷｇ）において、リードフレームが樹脂に食い込んでいるため、リードフレームが樹脂から浮くことを抑制することができる。アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際にリードフレームの浮きが生じやすいので、リードフレームを樹脂に食い込ますことは浮き防止になる。リードフレームが樹脂から浮くと、浮いた部分に空気や湿気が入り込み、リードフレーム表面の銀の腐食が発生する。本実施の形態の発光装置によれば、リードフレームの浮きが抑制されているため、リードフレームの腐食を防止でき、発光装置の信頼性が向上する。また、発光素子をリードフレーム上に搭載した後にアウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際は、リードフレームの浮きによる発光素子のずれ、発光素子のワイヤの断線などが生じ易い。上記の断面形状を有するリードフレームを用いることにより、これらの不具合の発生を抑制することができる。さらに、リードフレームの幅は、少なくとも一箇所で幅の変化があればよい。
　図２４は、基体１０とアウターリード部１６ｃ、１６ｄの関係を示すための発光装置の側面の概略図である。図２４（a）は隙間角度がほぼ０°、図２４（ｂ）は隙間角度４°の模式図を示す。図中の点線は基体１０外側面に沿ってこれを基準とする。実線は折り曲げた後のアウターリード部１６ｄに沿った線を示している。θは隙間角度を表す。リードフレームの幅Ｗｇの部分がアンカー効果は、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際にリードフレームの浮きが防止の低減に有効であるため、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に十分な力を加えることが可能となった。このためアウターリード部１６ｃ、１６ｄと基体１０外面との間に隙間が生じなくなり、隙間はほぼ無くなった。しかしながら、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に十分な力を加えることができない場合、アウターリード部１６ｃ、１６ｄの隙間角度θがプラスになった発光装置となってしまう。このような発光装置は液晶表示装置を構成する搭載基板に搭載しづらく、搭載時に傾くために、発光装置と導光板との光結合効率が低減するなどの問題が発生していた。リードフレームの浮き防止用のリードフレームの幅Ｗｇを備えることにより、十分にアウターリードを曲げることが可能となり上記問題を低減することが可能となった。
　［実施の形態６］
　＜発光装置の構成＞
　図２１は、実施の形態６の発光装置６１を模式的に示す上面図である。図２２は、図２１に示す発光装置のＩＢ－ＩＢ線における断面図である。
　実施の形態６の発光装置６１は、発光素子２０が負電極リードフレーム１６ａの上面に設けられていること、及び、樹脂５０の形状以外は、実施の形態１の発光装置の構成と同様である。具体的には、本実施の形態では、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの対向する間の領域に露出している樹脂５０の上面１０２が、リードフレーム１６ａ，１６ｂの上面よりも高く、基体の凹部の底面に凸部が形成されている。さらに、樹脂５０は、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの先端の領域を被覆している。アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際にリードフレームの浮きが生じやすい。リードフレームの先端部を樹脂で覆うことは、浮き防止の低減に有効である。特に負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’に対応するリードフレームの浮きを防止できるため、浮いた部分に空気や湿気が入り込み、リードフレーム表面に銀の腐食が発生することを抑制できる。したがって、本実施の形態の発光装置によれば、発光装置の信頼性が向上する。また、発光素子をリードフレーム上に搭載し、その後、発光素子にワイヤボンディングした後にアウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際は、リードフレームの浮きによる発光素子のずれ、発光素子のワイヤの断線などが生じ易い。本実施の形態の発光装置によれば、これらの不具合の発生を抑制することもできる。
　本実施の形態では、樹脂５０は、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの先端の領域を被覆しているが、樹脂５０は、いずれか一方のリードフレームの少なくとも一部又は少なくとも片側を被覆していればよい。樹脂５０は、発光素子が設けられる箇所に対応するリードフレームの少なくとも一部又は少なくとも片側を被覆していることが好ましい。
　樹脂５０からなる凸部は、実施の形態１に記載の方法で発光装置を作製した後に、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの対向する間の領域に、樹脂５０を塗布して形成することができる。樹脂５０は、アウターリード部１６ｃ，１６ｄを折り曲げる前、又は発光素子の搭載前に形成しておくことが好ましい。
　樹脂５０からなる凸部は、上下金型を用いて基体を射出成形する際に形成することもできる。この場合は、上金型として、凸部に該当する凹部が形成された金型を用いることが好ましい。
　［実施の形態７］
　＜発光装置の構成＞
　図２３（ａ）は、実施の形態７の発光装置７１を模式的に示す上面図である。図２３（ｂ）は、図２３（ａ）に示す発光装置のＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図２３（ｃ）は、発光素子２０とボンディングワイヤ１５を示している（ここで透光性樹脂、蛍光体などは省略している）。図２４は、基体１０とアウターリード部１６ｃ、１６ｄの関係を示すための発光装置７１（図２３（ａ））の側面の概略図である。
　実施の形態７の発光装置７１は、樹脂５０の凸部１０２ｂの形状以外は、実施の形態６の発光装置の構成と同様である。具体的には、本実施の形態では、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの対向する間の領域に露出している樹脂５０の凸部１０２ｂが、リードフレーム１６ａ，１６ｂの上面よりも１００μｍほど高く、基体１０の凹部の底面に凸部が形成されている。さらに、樹脂５０の凸部１０２ｂは、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの先端の領域を被覆している。より詳細には樹脂５０の凸部１０２ｂの高さＬｃは１００μｍ、幅Ｌａは２８０μｍ、リードフレームを被覆する幅Ｌｗは７５μｍとした。また、凸部の両肩は丸みを持たせた。アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際にリードフレームの浮きが生じやすい。リードフレームの先端部を樹脂で覆うことは、浮き防止の低減に有効である。負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの浮き防止が低減できるが、特に負電極リードフレーム１６ａの第１の領域１６ａ’に対応するリードフレームの浮きを防止できる。浮いた部分に空気や湿気が入り込み、リードフレーム表面に銀の腐食が発生することを抑制できる。したがって、本実施の形態７の発光装置によれば、発光装置の信頼性が向上する。あるいは、発光素子２０をリードフレーム上に搭載し、その後、発光素子２０にワイヤボンディングした後にアウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際は、リードフレームの浮きによる発光素子のずれ、発光素子のボンディングワイヤ１５の断線などが生じ易い。本実施の形態の発光装置７１によれば、これらの不具合の発生を抑制することもできる。
　さらにまた、図２４は基体１０とアウターリード部１６ｃ、１６ｄの関係を示すための発光装置７１の側面の概略図である。図２４（a）は隙間角度がほぼ０°、図２４（ｂ）は４°の模式図を示す。図中の点線は基体１０外側面に沿ってこれを基準とする。実線は折り曲げた後のアウターリード部１６ｄに沿った線を示している。θは隙間角度を表す。
　樹脂５０の凸部１０２ｂで覆うことは、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際にリードフレームの浮きが防止の低減に有効であるため、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に十分な力を加えることが可能となった。このためアウターリード部１６ｃ、１６ｄと基体１０外面との間に隙間が生じなくなり、隙間はほぼ無くなった。しかしながら、アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に十分な力を加えることができない場合、アウターリード部１６ｃ、１６ｄの隙間角度Θがプラスになった発光装置となってしまう。このような発光装置は液晶表示装置を構成する搭載基板に搭載しずらく、搭載時に傾くために、発光装置と導光板との光結合効率が低減するなどの問題が発生していた。リードフレームの浮き防止用の樹脂５０の凸部１０２ｂを備えることにより、十分にアウターリードを曲げることが可能となり上記問題を低減することが可能となった。
　本実施の形態では、樹脂５０の凸部１０２ｂは、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの先端の領域を被覆しているが、樹脂５０の凸部１０２ｂは、いずれか一方のリードフレームの少なくとも一部又は少なくとも片側を被覆していればよい。樹脂５０の凸部１０２ｂの高さは発光素子２０より低く、凸部１０２ｂ上を跨ぐ様に少なくとも一つのボンディングワイヤ１５が形成されている。
　樹脂５０からなる凸部１０２ｂは、実施の形態１に記載の方法で発光装置を作製した後に、負電極リードフレーム１６ａ及び正電極リードフレーム１６ｂの対向する間の領域の少なくとも一部に、樹脂５０を塗布して形成することができる。樹脂５０の凸部１０２ｂは、アウターリード部１６ｃ，１６ｄを折り曲げる前、又は発光素子の搭載前に形成しておくことが好ましい。さらにまた、樹脂からなる凸部１０２ｂは側壁部材１０ｂと接触、あるいは一体形成されていることが好ましい。
　アウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際に基体１０からアウターリード部１６ｃ、１６ｄが出っ張っている部分にクラックが発生していた。このため、樹脂からなる凸部１０２ｂは側壁部材１０ｂと接触、あるいは一体形成する構成とした。これにより実質的に側壁部材１０ｂの機械的強度が増すことによりアウターリード部１６ｃ、１６ｄを基体側に折り曲げる際のクラック防止となっている。
　基体１０に高い光熱安定性を維持するＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンテレフタレート）を樹脂材として用いた場合、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンテレフタレート）は機械的強度（引っ張り強さ伸び率などの機械的特性）に劣っており、この場合、樹脂からなる凸部１０２ｂは側壁部材１０ｂと接触、あるいは一体形成されていることが好ましい。
　このことから、上記本構成によれば高い光熱安定性を維持し、機械的強度も強いパッケージを提供できる。
　樹脂５０からなる凸部は、上下金型を用いて基体を射出成形する際に形成することもできる。この場合は、上金型として、凸部に該当する凹部が形成された金型を用いることが好ましい。
　本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
　＜実施例１＞
　実施例１では、実施の形態１の構成の発光装置を作製した。実施例１の発光装置において、リードフレームは、銅合金が銀メッキされて形成されている。正電極リードフレームの第１の領域の幅Ｗａは０．２２ｍｍ、長さＬｂは０．８５ｍｍ、第２の領域の幅Ｗｂは０．２６ｍｍ、負電極リードフレームの幅Ｗｃは０．２６ｍｍである。負電極リードフレームと正電極リードフレームとの間の距離Ｌａは０．１ｍｍである。発光素子の幅Ｗｄは０．２ｍｍである。
　実施例１の発光装置に、温度６０℃、湿度９０％の環境下で通電した。５００時間後においても、光出力の低下は見られなかった。通電後の発光装置を解析したところ、リードフレームの黒色化や変色は見られなかった。
　＜比較例１＞
　比較例１では、正電極リードフレームの形状以外は、実施の形態１と基本的に同様の構成の発光装置を作製した。正電極リードフレームの第１の領域及び第２の領域の幅（露出している幅）は同じであり０．２６ｍｍ、第１の領域の長さＬｂは０．８５ｍｍ、負電極リードフレームの幅Ｗｃは０．２６ｍｍである。負電極リードフレームと正電極リードフレームとの間の距離Ｌａは０．１ｍｍである。発光素子の幅Ｗｄは０．２ｍｍである。
　比較例の発光装置に、温度６０℃、湿度９０％の環境下で通電した。２５０時間後において、光出力が低下した。通電後の発光装置を解析したところ、リードフレームに黒色化や変色が発生していた。
　＜実施例２＞
　実施例２では、実施の形態２の構成の発光装置を作製した。正電極リードフレームの第１の領域の幅Ｗａは０．２２ｍｍ、長さＬｂは０．８５ｍｍ、第２の領域の幅Ｗｂは０．２６ｍｍ、負電極リードフレームの第１の領域の幅Ｗｅは０．２２ｍｍ（ワイヤボンディングのボール部はφ０．１ｍｍあるので幅Ｗｅは０．１ｍｍ以上が好ましい）、第２の領域の幅Ｗｃは０．２６ｍｍ、長さＬｃは０．２ｍｍである。負電極リードフレームと正電極リードフレームとの間の距離Ｌａは０．１ｍｍである。発光素子の幅Ｗｄは０．２ｍｍである。
　実施例２の発光装置に、温度６０℃、湿度９０％の環境下で通電した。１０００時間後においても、光出力の低下は見られなかった。通電後の発光装置を解析したところ、リードフレームの黒色化や変色は見られなかった。
　今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本実施の形態の発光装置は、ディスプレイ用途に好適な発光特性を有するサイド発光型装置に利用することができる。
　１，２１，３１，４１　発光装置、１０　基体、１０ａ　ステージ部材、１０ｂ　側壁部材、１５　ボンディングワイヤ、１６　リードフレーム、１６ａ　負電極リードフレーム、１６ｂ　正電極リードフレーム、２０　発光素子、４０　封止樹脂、５０　樹脂、７０　上金型、７２　下金型。

Claims (5)

  1. 　リードフレームが上面に設けられたステージ部材及び前記ステージ部材の上面に設けられた側壁部材を含む基体と、
    　前記リードフレームの一部の上面に設けられた発光素子と、を備え、
    　前記リードフレームは、前記発光素子が設けられた領域の幅が、前記発光素子が設けられた領域に隣接する領域の幅よりも狭い、
    　発光装置。
  2. 　前記ステージ部材及び前記側壁部材に囲まれて形成された凹部の底面において、前記発光素子が設けられた領域のリードフレームの幅方向端部と、前記側壁部材との間に、樹脂が露出している、
    　請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記リードフレームは、正電極リードフレーム及び負電極リードフレームを含み、
    　前記樹脂は、前記凹部の底面において、前記正電極リードフレーム及び前記負電極リードフレームの対向する間にのみ露出している、
    　請求項２に記載の発光装置。
  4. 　前記発光素子が設けられた領域のリードフレームは、幅方向に沿った断面で見た場合に、前記リードフレーム上面における幅が、前記リードフレーム上面から一定の深さにおける幅よりも狭い、
    　請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 　前記樹脂は、前記正電極リードフレーム及び前記負電極リードフレームの対向する間において凸部を形成し、前記正電極リードフレーム及び前記負電極リードフレームの少なくとも一部を被覆する、
    　請求項３又は請求項４に記載の発光装置。
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