JP2015065470A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、発光素子から素子載置面等の発光装置の表面に到達した光を発光装置の外部に向けて効率よく反射させるために、反射率の高い樹脂を用いる。このため、多くの発光装置で、樹脂より成る樹脂部と、この樹脂部内部に配置され、発光素子を載置する面がこの樹脂部より露出しているリードフレームとを含むパッケージが用いられている。
しかし、金属と樹脂との熱膨張率の違いに起因し、発光素子からの熱による熱膨張時に生じる応力等の影響により、樹脂と金属とが剥離する場合があるという問題があった。
また、従来の加工法を用いた場合と異なり、エッチングを用いると該凸部の側面が凸部に向かって膨らんだ形状となり、樹脂と凸部側面との間に強い結合力を作用させることができることもエッチング法を用いる利点である。
図1は本願発明に係る製造方法で得られる発光装置100の平面図であり、図2は図1のII−II断面を示す断面図である。また、図3は、理解を容易にするために、図1に示す発光装置100のうち発光素子50とワイヤ40、42の記載を省略した平面図であり、すなわち発光装置100のパッケージ30の平面図を示す。図4は図3のIV−IV断面を示す断面図であり、図5は図3のV−V断面を示す断面図である。
凹部12は、好ましくは図2、4、5に示すように詳細を後述する封止材が充填されている。
このような構成および効果を有する発光装置の100について以下に詳述する。
本願発明に係る発光装置100は、少なくとも1つのリードフレーム(図ではリードフレーム20)を有する。
樹脂部10の内部に配置されているリードフレーム20の上面には、少なくとも1つの凸部20aが設けられ、凸部20aの上面(「頂面」ともいう)は樹脂部10の凹部12の底面14において、樹脂部10より露出しており、かつ発光素子50が配置されている。すなわち、凸部20aの上面は、発光素子50を載置するための載置部(発光素子実装パターン)である。
凸部20の側面は樹脂部10の樹脂と接着(結合)している。
図1〜図5に示す実施形態では、更に2つの凸部20b(第2凸部)および20c(第3凸部)を有している。
凸部20bの上面(「頂面」ともいう)も、樹脂部10の樹脂に覆われておらず、すなわち凹部12の底面14において、樹脂部10より露出している。
なお、底面14とは、樹脂部の10を構成する樹脂より成る部分に加えて、樹脂部10(樹脂10を構成する樹脂)から露出した凸部の上面(図3および図4の実施形態では、リードフレーム20の凸部20aの上面と凸部20bの上面に加えて、詳細を後述するリードフレーム22の凸部22aの上面)を含む。
底面14は、発光素子50を配置する素子載置面に相当する。
また、凸部20a、20b、20cは、それぞれ最も近接する凸部(同じリードフレームの凸部)間の距離を、加工方法によるが、例えばエッチングを用いる場合であれば、0.1mm程度まで小さくすることができる。好ましくは0.1mm以上とする。
特に、発光素子50の直下においてリードフレーム20の底面(下面)が樹脂部10から露出していることで、さらに効率的に放熱できる。図2に示すように、発光素子50が載置された凸部20aは、発光素子50の載置部と対向する面(裏面)が、樹脂部10から露出されていること(すなわち、リードフレーム20の下面において、凸部20aの直下部分が樹脂部10から露出していること)が好ましい。
図2および図4に示すように、パッケージ30の側面および/または底面において、樹脂部10よりリードフレーム20を露出させることが好ましい。これにより発光素子50からの発熱をより効率的に発光装置の外に放熱できるからである。この好ましい実施形態の詳細は後述する。
このような効果を有する凸部20a、20bは、エッチングにより作製する。
その形成方法およびエッチングを用いることによる効果については、好適に配置されるリードフレーム22について以下に説明した後に、リードフレーム22の凸部22aの形成方法およびその形成方法を用いる効果と併せて説明する。
発光装置100は、図示するようにリードフレーム(第2のリードフレーム)22を有してよい。リードフレーム22を用いる場合、リードフレーム22もリードフレーム(第1のリードフレーム)20と同様に、樹脂部10内に配置され、少なくとも一部が底面14の下に位置している。リードフレーム22は上面に2つの凸部22a、22bを有しており、凸部22aは、凹部12の底面14の下に位置している。そして、凸部22aの上面(「頂面」ともいう)は、樹脂部10の樹脂に覆われておらず、底面14において樹脂部10より露出している。
応力が集中し、剥離の起点となりやすい、底面14と側面16との接続部分に、リードフレーム22が存在しない状態を確実に実現できることから、樹脂部10とリードフレーム22との剥離をより確実に防止できる。
これによりリードフレーム20についても同様の効果を得ることができる。
リードフレーム20は、好ましくは、図2、図4および図5に示すように、その側面(図2および図4では右側の側面)および/または底面(図2および図4では下面、図5では上面として示されている)が樹脂部10から露出している。これにより、発光素子50の発熱をより容易に発光装置100の外部に放熱できる。
この場合、リードフレームの底面において、例えば図2およぶ図4に示すように、発光素子50が載置されている凸部20aの直下部分が、樹脂部10より露出していることがより好ましい。
さらに、このようにリードフレーム20の表面の一部が外部に露出することで、リードフレーム20と、例えば発光装置100を実装する実装基板の電極等の電気接点とを容易に電気的に接続できる。
リードフレーム20およびリードフレーム22の底面を、ハンダを用いて実装基板の電極に固定する際に、切り欠き27aおよび切り欠き27bの内部にハンダが入り込む。これにより、より安定して、リードフレーム20およびリードフレーム22をそれぞれ、電極に固定でき、この結果、リードフレーム20およびリードフレーム22をそれぞれ、より安定して電気的に接続できる。
図11は、リードフレーム20およびリードフレーム22を製造する方法を示す断面図である。図11(a)は、リードフレーム作製用の母材60の断面図であり、図11(b)は図11(a)のA−A断面を示す断面図であり、図11(c)は図11(a)のB−B断面を示す断面図である。図11(d)は、母材60から作製したリードフレーム20とリードフレーム22とを示す断面図であり、図11(e)は図11(d)のA−A断面を示す断面図であり、図11(f)は図11(d)のB−B断面を示す断面図である。
エッチングの条件は用いる金属の種類等によって変わるが、例えばリードフレームに銅を用いる場合は、エッチャントとして、過硫酸塩又は過酸化水素と無機酸、塩化鉄又は塩化銅と無機酸、アンモニア銅錯塩とアンモニウム塩等からなる一般的な銅ソフトエッチング液を用いることが適している。
例えば、凸部20aの場合、凸部20aとなる部分(載置部として用いる部分)の右側を図の上から下(−z方向)にエッチングし、隙間25aを作ると共に、凸部20aとなる部分の左側を、上から下(−z方向)および下から上(+z方向)にエッチングして、貫通させ、母材60をリードフレーム20とリードフレーム22に分離することにより形成する。
次に、凹部10の底面14と凸部20aの上面(載置部)の位置関係について詳細を説明する。
底面14の好ましい実施形態の1つでは、図2および図4に示すように、底面14は平面となっている。すなわち、リードフレーム20の凸部20a、20bのぞれぞれの上面と、リードフレーム22の凸部22aの上面と、底面14のそれ以外の部分(すなわち樹脂より成る部分)とが、同一平面内に存在する(面一になっている)状態である。このような状態は、金型のキャビティー内にリードフレーム20および22を配置して、トランスファーモールド法により、樹脂を流し込んでパッケージ30を形成する際に、凹部12形成する金型の部分(凸部20a(載置部)より大きい平坦な面)を凸部20a、20b、22aのそれぞれの上面を接触させることで容易に形成することができる。
図7は、樹脂部10の凹部12の底面14と凸部上面との位置関係の別の実施形態を示す断面図である。図7に示す実施形態では、リードフレーム20の凸部20aは底面14において、樹脂部10の表面(底面14のうち、凸部20aの上面、凸部20bの上面および凸部22aの上面以外の部分)から突出している(すなわち、載置部が素子載置面において、樹脂部10より突出している)。この場合、好ましくは、図7に示すように、リードフレーム20の凸部20bおよびリードフレーム22の凸部22aも同様に突出している。
このようなリードフレームの凸部の突出は、例えば、リードフレーム20とリードフレーム22とを金型のキャビティーに配置し、トランスファーモールド法により、樹脂を流し込んでパッケージ30を形成する際に、金型形状を調整して、樹脂部10の底面14と成る面を凸部20a、20b、22aそれぞれの上面よりよりも低くなるようすることで得ることができる。
この場合、いうまでもないがめっき層20aは載置部として、めっき層20b、20cは接続面として機能する。
図12(a)は本発明の変形例1に係る発光装置100Cを示す平面図であり、図12(b)は本発明の変形例2に係る発光装置100Dを示す平面図である。
図12(a)および図12(b)では、発光素子50の下に位置する、凸部20aの上面(載置部)を点線で示してある。
図12(a)に示すように、発光装置100Cでは、凸部20aの上面(載置部)は、円形である。そして、発光素子50は凸部20aの上面(載置部)を越えて配置されている。
すなわち、発光素子50の底面の方が、凸部20aの上面よりも大きい。
発光装置100Cでは、発光素子50の底面が凸部20aの上面より大きいことから、上述のように凸部20aの上面はめっき層21aを有することが好ましい。
図12(b)に示すように、発光装置100Dは、複数の凸部20aの上面(複数の載置部)を有し、そのそれぞれが円形である。そして、1つの発光素子50が、これら複数の載置部(凸部20aの上面)に亘って配置されている。
発光装置100Dでは、発光素子50の底面が個々の凸部20aの上面より大きいことから、上述のように凸部20aの上面はめっき層21aを有することが好ましい。また、複数の凸部20aは、発光素子50を固定しやすいように発光素子50のコーナー付近に配置することが好ましい。
なお、変形例2では、凸部20aの上面の形状は、円形以外に楕円形状、四角形形状、多角形形状のような形状にしてもよい。上述のようにエッチングで形成するとコーナーが丸みを帯びるため、図12(b)に示すようなサイズの小さい凸部20aを形成する場合は、略円形とすることで容易に形成できる(円形の凸部20a上面を容易に形成できる)。
(8)変形例3
図8(a)は、本発明の変形例3に係るパッケージ30Aの平面図であり、図8(b)は、本発明の変形例3に係る発光装置100Aの平面図である。
発光装置100Aでは、複数の発光素子50(図8(b)の実施形態では3個)が、それぞれ異なるリードフレームの凸部20a1、20a2、20a3の上に載置されている。凸部20a1、20a2、20a3は、上述の凸部20aと同じ構成を有してよい。
発光装置100と同様に、発光素子50が配置されていない、リードフレームの凸部22b1、20b1、20b2および凸部22aが配置されている。凸部20b1、20b2、22bは、特に断らない限り、上述の凸部20bと同じ構成を有してよい。凸部20b1、20b2、20b3および凸部22a、22bの上面に、ワイヤ40および/またはワイヤ42を接続してもよい。
そして、これらの凸部を有する複数のリードフレームがパッケージ30Aの樹脂部内でかつ樹脂部の底面14の下に配置されていること、および凸部同士の間の隙間に底面14を形成する樹脂が存在することも発光装置100と同様である。
図9は、本発明の変形例4に係る発光装置100Bの断面図である。
発光装置100Bの樹脂部10Bは、発光装置100の樹脂部10と異なり凹部を有していない。従って、本変形例におけるパッケージは、樹脂部10Bとリードフレーム20、22より成り、本明細書におけるパッケージとは、樹脂部が凹部を含まないものも包含する概念である。
このような、パッケージの樹脂部が凹部有せず、従って、発光素子50が樹脂部10Bの上面14Bに配置されている発光装置も本願に含まれる。
発光装置100では凹部12の底面14と側面16が、発光素子50の光を反射するリフレクタとして機能するのに対して、発光装置100Bでは、凹部12がないことから、側面16の相当する部分がない。そして、発光装置100の底面14に相当するのが発光装置100Bの樹脂部10Bの上面14Bである。換言すれば、上面14Bが本変形例における素子載置面である。
すなわち、発光素子50から樹脂部10Bの上面14Bに達した光は、上面14Bで所望の方向に反射される。
従って、発光装置100と同様に、より高い発光効率を有することになる。
また、図9に示すように、樹脂部10Bの底面において、リードフレーム20が露出している。これにより発光素子50からの発熱をより効率的に発光装置100Bの外に放熱できる。特に、発光素子50の直下においてリードフレーム20の底面(下面)が樹脂部10から露出していることで、さらに効率的に放熱できる。
次に、以上説明してきた発光装置100、100A、100B、100C、100Dの各要素の詳細を説明する。
発光素子50は、基板上にGaAlN、ZnS、SnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成したものが好適に用いられるが、これに特に限定されない。発光ピーク波長が360nm〜520nmにあるものが好ましいが、350nm〜800nmのものも使用することができる。特に、発光素子50は420nm〜480nmの可視光の短波長領域に発光ピーク波長を有するものが好ましい。
また、発光素子50は、p電極とn電極が対向する2つの主面にそれぞれ形成された両面電極構造のものを使用することもできる。この場合は、発光素子50の裏面側の電極を導電性の接着剤を介してリードフレーム20に電気的に接続し、発光素子50の表面側の電極をワイヤを介して他方のリードフレーム22に電気的に接続することができる。このとき、リードフレーム20に設けられた複数の凸部20a、20bには、複数の発光素子50をそれぞれ載置することが好ましい。発光素子50の大きさは特に限定されず、1辺が350μm、500μm、1mmの正方形状や長方形状のものなども使用することができる。また発光素子は複数個使用することができる。複数の発光素子50を使用する場合、全て同種類のものでもよく、光の三原色となる赤・緑・青の発光色を示す異種類のものでもよい。
図13は、発光素子50として、底面側にp電極とn電極を備えるフェイスダウン構造を有する発光素子を用いた、発光装置100Eの断面図である。エッチングにより凸部20a、22aを形成することで、発光素子50の形状に沿った形状の凸部20a、22aを精度良く形成できる。また、発光素子50の電極形状に沿った凸部20a、22aを形成することもできる。
パッケージ30、30Aは、樹脂からなる樹脂部とリードフレームとを有し、一体成形している。
樹脂部10は底面14と側面16とを有する凹部12を形成している。凹部12は外上面側から見て、略円形形状、略楕円形状、略四角形形状、略多角形形状及びこれらの組合せなど種々の形状を採ることができる。凹部12は開口方向に拡がる形状となっていることが好ましいが、筒状を含む他の形状であってもよい。凹部12の表面は滑らかでよいが、表面に細かい凹凸を設け、光を散乱させる表面形状としてもよい。
樹脂部10、10Bの材質は熱硬化性樹脂であるトリアジン誘導体エポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、熱硬化性樹脂は、酸無水物、酸化防止剤、離型材、光反射部材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、滑剤を含有できる。光反射部材は二酸化チタンを用いてよく、10〜60wt%充填されている。
樹脂部10、10Bは、上述の形態に限らず、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましい。特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。例えば、トリグリシジルイソシアヌレート、水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテル他よりなるエポキシ樹脂と、ヘキサヒドロ無水フタル酸、3−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸他よりなる酸無水物とを、エポキシ樹脂へ当量となるよう溶解混合した無色透明な混合物100重量部へ、硬化促進剤としてDBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0) undecene-7)を0.5重量部、助触媒としてエチレングリコールを1重量部、酸化チタン顔料を10重量部、ガラス繊維を50重量部添加し、加熱により部分的に硬化反応させBステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物を使用することができる。
また、樹脂部10、10Bは、耐熱性及び適度な強度を有し、発光素子50の出射光や外光などが透過しにくい絶縁性の材料によって構成される。このような材料としては、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される少なくとも1種の樹脂を用いることができる。特に、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂は、樹脂部10の材料として好適である。また、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いてもよい。樹脂には、光反射部材等が含有されていてもよい。光反射部材としては、0.1〜90wt%、好ましくは10〜60wt%充填される二酸化チタンを用いることができる。
樹脂部10、10Bは、350nm〜800nmにおける光反射率が70%以上であるが、420nm〜520nmの光反射率が80%以上であることが特に好ましい。また、発光素子50の発光領域と蛍光物質(用いる場合は)の発光領域とにおいて高い反射率を有していることが好ましい。
リードフレーム20、22は、例えば、鉄、リン青銅、銅合金などの電気良導体を用いて形成される。また、必要に応じて、例えば反射率向上を目的に銀、アルミニウム、銅及び金などの金属メッキを施すことができる。
ワイヤ40、42は、電気伝導性を有する、金属等の各種材料であってよい。好ましは、金、銅、アルミ、または金合金、銀合金などからなる。
発光装置100、100Aの樹脂部10の凹部12は好ましくは封止材により満たされている。また発光装置100Bは、発光素子50が配置されている樹脂部10Bの上面14B上に発光素子50を取り囲むように封止材より成る封止部材18(図9参照)が配置されてよい。
封止材の材質は熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。封止部材は、発光素子を保護するため硬質のものが好ましい。また、封止部材は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。封止材は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質からなる群から選択される少なくとも1種を混合してもよい。封止材には拡散剤を含有させてもよい。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、封止材は、発光素子からの光を吸収し、波長変換する蛍光物質を含有してもよい。
蛍光物質は、発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
は、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
色、黄色、赤色などの他、これらの中間色である青緑色、黄緑色、橙色などの色味を実現
することができる。
発光装置100の製造方法を以下に説明する。
図10(a)は、本発明に係る発光装置100の第1の製造方法を示す工程概略図であり、図10(b)は、本発明に係る発光装置100の第2の製造方法を示す工程概略図である。
最初に、図10(a)を参照して、第1の製造方法を説明する。
上述の「(4)リードフレーム20およびリードフレーム22の製造方法」に基づき、エッチングによリードフレーム20と必要に応じリードフレーム22を作る。
次に、金型のキャビティー内に上述のS1工程で得た、リードフレーム20および22を配置して、トランスファーモールド法により、樹脂を流し込んでパッケージ30を形成する。金型は、例えば上型と下型とから成る分離可能な金型を用いることが作業性向上のために好ましい。
樹脂部10の凹部12を形成する金型の部分(少なくとも凸部20a(載置部)より大きい平坦な面)に凸部20a、20b、22aのそれぞれの上面を接触させることで、底面14と凸部20a、20b、22aのそれぞれの上面とを同一平面とし、凸部20a、20b、22aの上面を樹脂部より露出させることができる。
この樹脂成形工程において、凸部20a、20b、22aの周囲に流し込まれた樹脂(樹脂部10を形成する樹脂)が凸部20a、20b、22aを包囲(凸部20a、20b、22aの上面を除く周囲を包囲)することとなる。
必要に応じて、例えば、凸部20a、20b、22aの上面を覆う樹脂のような、パッケージ30に生じたバリをブラスト処理もしくは電解溶液法(アルカリなど)、またはこれらの組合せなどにより除去する。
例えば反射率の向上等必要に応じて、リードフレーム20および/またはリードフレーム22にメッキを施す。
とりわけ、図7に示す実施形態のように、凸部20a、20b、22bを凹部12の底面14において、樹脂部10の表面から突出させるためには、めっき処理は好ましい処理である。
特に本製造方法では、S2工程で樹脂成形を行うことで、凸部20a、20b、22bの上面と樹脂部10の底面14とを同一平面にした後、本めっき処理を施すことから、より確実に凸部20a、20b、22bを底面14において樹脂部10の表面から突出させることができる。
好ましい、めっき方法は、電解めっき、無電解めっきを用いることができる。電解めっきにより形成することで、樹脂部10から露出した凸部20a、20b、22aのみに選択的に金属層を形成することができる。
次に、凸部20aの上面に発光素子50を実装する。Au−Sn合金を用いて共晶接合するのが好ましい。また樹脂ペースト、シリコンペーストまたは銀ペーストを用いて発光素子50を固定してもよい。
発光素子50を固定した後、ワイヤ40、42を用いて、ワイヤボンディングにより、発光素子50とリードフレーム20およびリードフレーム22とを電気的に接続する。
必要に応じて、凹部12に上述の封止材を挿入し、硬化させて封止する。
これにより発光装置100を得ることができる。
第1の製造方法では、S2:樹脂成形→S3:バリ取り→S4:リードフレームのめっき処理の順で加工を行ったが、本第2の製造法補では、S2A:リードフレーム→S3A:樹脂成形→S4A:バリ取りの順に加工を行う。工程の順序は異なるが、各工程の内容は実質的に同じである。
より詳細には、発光装置100Aについては、リードフレームの数や、発光素子の数が増えること、さらにS5:発光素子実装工程で、発光素子50に加えて、必要に応じてツェナーダイオード55等の素子を実装することで製造可能である。
一方、発光装置100Bは、樹脂成形工程で樹脂部10Bに凹部を整形しないこと、また、必要に応じて実施する封止工程で、凹部に封止材を挿入する代わりに、封止材で封止部材18を形成することで製造可能である。
発光装置100C、100Dについては、上述のようにエッチングにより所望の形状の凸部20aの形状を得ることで製造可能である。
製造装置100Eについては、発光素子50として、フェイスダウン構造を有する発光素子を用いることで製造可能である。
12 凹部(キャビティー)
14、14B 底面
16 側面
20、22 リードフレーム
20a、20b、20c、22a、22b 凸部
21a、21b、21c めっき層
25a、25b、25c 隙間(凹部)
27a、27b 切り欠き(窪み)
30、30A パッケージ
40、42 ワイヤ
50 発光素子
60 リードフレーム作製用の母材
100、100A、100B、100C、100D 発光装置
Claims (15)
- 上面に凸部を有する2つのリードフレームと、樹脂及び光反射部材を含んでなる樹脂部と、を一体成形したパッケージと、
前記パッケージの素子載置面に配置された発光素子と、を含み、
前記発光素子は、底面側にp電極とn電極を備えるフェイスダウン構造を有し、前記p電極が前記2つのリードフレームの一方の凸部の頂面に接着され、前記n電極が前記2つのリードフレームの他方の凸部の頂面に接着されており、
前記樹脂部は、前記2つのリードフレームの凸部のそれぞれの頂面と共に前記素子載置面をなす表面を有する発光装置。 - 前記素子載置面において、前記2つのリードフレームの凸部の頂面は、前記樹脂部の表面と同一平面にある請求項1に記載の発光装置。
- 前記素子載置面において、前記2つのリードフレームの凸部の頂面は、前記樹脂部の表面から突出している請求項1に記載の発光装置。
- 前記2つのリードフレームの凸部の頂面は、前記発光素子に完全に被覆されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記2つのリードフレームの凸部の側面は、樽型形状である請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記2つのリードフレームの凸部の頂面は、角が丸められた形状である請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記2つのリードフレームの凸部は、前記発光素子の電極形状に沿って形成されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記2つのリードフレームの凸部の高さは、其々のリードフレームの厚みの半分もしくはそれよりも小さい請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記パッケージの下面において、前記2つのリードフレームは、前記樹脂部から露出している請求項1〜8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記2つのリードフレームの下面における前記凸部の直下部分は、前記樹脂部から露出している請求項9に記載の発光装置。
- 前記樹脂部は、前記素子載置面が底面となる凹部を有する請求項1〜10のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記樹脂部の樹脂は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される少なくとも1種の樹脂である請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光反射部材は、二酸化チタンであって、前記樹脂部に10〜60wt%含有されている請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子は420nm〜480nmに発光ピーク波長を有する請求項1〜13のいずれか1項に記載の発光装置。
- 蛍光物質を含有し且つ前記発光素子を封止する封止材を含む請求項1〜14のいずれか1項に記載の発光装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170082887A (ko) * | 2016-01-07 | 2017-07-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR20180003042U (ko) * | 2016-08-09 | 2018-10-22 | 창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 리드 프레임 디바이스 |
KR200491550Y1 (ko) * | 2017-12-11 | 2020-04-27 | 창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 사전-성형된 리드 프레임 장치 |
KR20200001240U (ko) * | 2017-12-11 | 2020-06-15 | 창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 패키지 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006173605A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Agilent Technol Inc | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
JP2007243076A (ja) * | 2006-03-11 | 2007-09-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
WO2009143789A1 (de) * | 2008-04-17 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
JP2012039109A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法 |
-
2014
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006173605A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Agilent Technol Inc | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
JP2007243076A (ja) * | 2006-03-11 | 2007-09-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
WO2009143789A1 (de) * | 2008-04-17 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils |
JP2012039109A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170082887A (ko) * | 2016-01-07 | 2017-07-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR102562090B1 (ko) | 2016-01-07 | 2023-08-02 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
KR20180003042U (ko) * | 2016-08-09 | 2018-10-22 | 창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 리드 프레임 디바이스 |
KR200489288Y1 (ko) * | 2016-08-09 | 2019-05-27 | 창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 리드 프레임 디바이스 및 이 리드 프레임 디바이스를 포함하는 리드 프레임 디바이스 조립체 |
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