JP2006237190A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 広い温度範囲で安定的な動作が可能な構造を有する半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、を備え、前記凹部の底面から前記埋め込み樹脂の裏面に至る貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、を備え、前記凹部の底面から前記埋め込み樹脂の裏面に至る貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体発光装置に関し、例えば、広い温度範囲において安定な構造を保持できる半導体装置に関する。
窒化ガリウム(GaN)系半導体発光素子の出現によって、白色光や青色光を放射する半導体発光装置が実現できた。この結果、半導体発光装置の応用分野が大幅に広がった。例えば、自動車メータのパネル照明・各種イルミネーション・携帯電話のキー照明などへの応用が飛躍的に拡大している。これらの用途においては、高密度または薄型化が要求されるので、従来のいわゆる砲弾型よりも、基板へ表面実装可能な表面実装型(SMD:Surface Mount Device)やサイド発光型が適している。
このような応用分野の拡大に伴い、新たな問題が発生している。そのうちのひとつに、使用可能な温度範囲がある。例えば、車載用途においては、半導体発光装置に対して、少なくとも摂氏マイナス40〜プラス85度の温度範囲での動作保証が求められる。ところが、表面発光型パッケージは、埋め込み樹脂、封止樹脂、金属製リードなどにより構成され、それぞれの熱膨張係数やヤング率は異なっている。また、半導体発光素子を構成する半導体材料(例えば、GaAs系、GaN系、InP系など)の熱膨張係数およびヤング率も、表面発光型パッケージ材料とは異なっている(例えば、特許文献1)。
特に、半導体発光素子およびボンディングワイヤを封止する封止樹脂は、金属製リード、埋め込み樹脂、半導体発光素子と異なる熱膨張率を有する。このために、摂氏マイナス40〜プラス85度の温度範囲での温度サイクルを繰り返すことによって、封止樹脂の膨張と収縮が繰り返されると、上述した各種の部材と封止樹脂との間で剥離が生じる。樹脂の剥離は、徐々に進行する場合が多く、最終的には半導体発光素子の剥離やクラックを生じる。これらの致命的ダメージを生じる前でも、微小ダメージにより、発光特性の変化を生じる。また、ボンディングワイヤの断線を生じることもある。
特開2002−198570号公報
本発明は、広い温度範囲で安定的な動作が可能な構造を有する半導体発光装置を提供する。
本発明の一態様によれば、
上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、
前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、
前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記凹部の底面から前記埋め込み樹脂の裏面に至る貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、
前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、
前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記凹部の底面から前記埋め込み樹脂の裏面に至る貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、
上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、
前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、
前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記凹部から前記埋め込み樹脂のいずれかの側面に至る第1の溝と、前記凹部から前記埋め込み樹脂の前記いずれかの側面に対向する側面に至る第2の溝と、が設けられ、前記第1及び第2の溝は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、
前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、
前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記凹部から前記埋め込み樹脂のいずれかの側面に至る第1の溝と、前記凹部から前記埋め込み樹脂の前記いずれかの側面に対向する側面に至る第2の溝と、が設けられ、前記第1及び第2の溝は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、
上面から裏面に至る貫通孔を有する埋め込み樹脂と、
前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1アウターリード部と、前記貫通孔の中に突出し厚みが前記第1アウターリード部より大なる第1インナーリード部と、を有する第1のリードと、
前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2アウターリード部と、前記貫通孔の中に突出した第2インナーリード部と、を有する第2のリードと、
前記第1のリードの前記第1インナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードの前記第2インナーリード部とを接続するワイヤと、
前記貫通孔に充填され前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記第1インナーリード部の裏面と、前記封止樹脂の裏面と、前記埋め込み樹脂の裏面と、が同一平面上にあることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
上面から裏面に至る貫通孔を有する埋め込み樹脂と、
前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1アウターリード部と、前記貫通孔の中に突出し厚みが前記第1アウターリード部より大なる第1インナーリード部と、を有する第1のリードと、
前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2アウターリード部と、前記貫通孔の中に突出した第2インナーリード部と、を有する第2のリードと、
前記第1のリードの前記第1インナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードの前記第2インナーリード部とを接続するワイヤと、
前記貫通孔に充填され前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記第1インナーリード部の裏面と、前記封止樹脂の裏面と、前記埋め込み樹脂の裏面と、が同一平面上にあることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
本発明によれば、広い温度範囲で安定な構造を保持できる半導体発光装置が提供できる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の第1の具体例にかかる半導体発光装置を表す模式平面図である。
また、図2は、図1のA−A線に沿った模式断面図である。
また、図3は、図1のB−B線に沿った模式断面図である。
図1は、本発明の第1の具体例にかかる半導体発光装置を表す模式平面図である。
また、図2は、図1のA−A線に沿った模式断面図である。
また、図3は、図1のB−B線に沿った模式断面図である。
本具体例においては、半導体発光素子15が、第1のリード13の上に銀ペーストや半田などの接着剤でマウントされている。半導体発光素子15の表面に設けられた第1の電極(図示せず)は、第2のリード14とボンディングワイヤ16によって接続されている。
第1のリード13及び第2のリード14は、埋め込み樹脂11により、例えばインジェクション成型されている。埋め込み樹脂11の材料としては、例えば耐熱性樹脂などを用いることが好ましい。この埋め込み樹脂11の上部には、半導体発光素子15がマウントされるリード13の表面及びワイヤボンディングされるリード14の表面が露出するように、凹部12が設けられる。
第1のリード13及び第2のリード14は、埋め込み樹脂11により、例えばインジェクション成型されている。埋め込み樹脂11の材料としては、例えば耐熱性樹脂などを用いることが好ましい。この埋め込み樹脂11の上部には、半導体発光素子15がマウントされるリード13の表面及びワイヤボンディングされるリード14の表面が露出するように、凹部12が設けられる。
そして、埋め込み樹脂11には、上下に貫通する貫通孔19(垂直方向の開口部)が設けられている。この貫通孔19は、例えば、埋め込み樹脂11をインジェクション成型する際に形成することができる。そして、貫通孔19には、封止樹脂17が充填されている。すなわち、半導体発光素子15及びボンディングワイヤ16を封止する際に、この貫通孔19内にも封止樹脂17が導入される。例えば、封止樹脂17として、液状透明樹脂を注入し、熱硬化させる。後に詳述するように、貫通孔19(垂直方向の開口部)を設けて封止樹脂17を充填することにより、封止樹脂17の膨張・収縮の繰り返しがあっても、半導体発光素子15の剥離やクラックなどを抑制できる。
また、半導体発光素子15の直下に配置される埋め込み樹脂11は、封止樹脂17に比べて、放熱性が良い材料を選ぶことができるので、高温においても安定動作が可能である。つまり、半導体発光素子15の直下には、リード13を介して埋め込み樹脂11を配置することにより、半導体発光素子15において発生した熱がリード13、埋め込み樹脂11を介してその下方に放出されやすくなる。その結果として、例えば、半導体発光素子15の直下にも封止樹脂17を配置した場合よりも高出力動作が可能となり、使用可能な温度の上限も上げることができる。
ここで、半導体発光素子15について説明をする。
半導体発光素子15としては、例えば、可視光を放射するInGaAlP系発光素子や、青色光あるいは紫外光を放射するGaN系発光素子などを用いることができる。適正な蛍光体を封止樹脂17中に分散配置することにより、半導体発光素子15から放射された光を波長変換し、白色光などの所定の色の2次光が得られる。
半導体発光素子15としては、例えば、可視光を放射するInGaAlP系発光素子や、青色光あるいは紫外光を放射するGaN系発光素子などを用いることができる。適正な蛍光体を封止樹脂17中に分散配置することにより、半導体発光素子15から放射された光を波長変換し、白色光などの所定の色の2次光が得られる。
次に、貫通孔19の作用について説明する。
図4及び図5は、温度変化に伴う封止樹脂17の膨張及び収縮の状態を例示する模式図である。
一般に、リード材として使われる銅板の場合は、約16.7×10−6/℃、鉄板の場合は11.8×10−6/℃の熱膨張率を持つ。これに対して、封止樹脂17(エポキシの場合)は、6.3×10−5/℃と大きい熱膨張率を有する。このため、高温下においては、半導体発光素子15・第1のリード13・第2のリード14・ボンディングワイヤ16・埋め込み樹脂11の表面などが膨張の大きい封止樹脂17に引っ張られる。これに対して、本具体例においては、図4に例示したように、封止樹脂17の膨張に起因する引っ張り応力Tは、凹部12の上方及び貫通孔19の下方に逃げ道がある。この結果として、半導体発光素子15・ボンディングワイヤ16・第1のリード13・第2のリード14への引っ張り応力は大幅に緩和される。
図4及び図5は、温度変化に伴う封止樹脂17の膨張及び収縮の状態を例示する模式図である。
一般に、リード材として使われる銅板の場合は、約16.7×10−6/℃、鉄板の場合は11.8×10−6/℃の熱膨張率を持つ。これに対して、封止樹脂17(エポキシの場合)は、6.3×10−5/℃と大きい熱膨張率を有する。このため、高温下においては、半導体発光素子15・第1のリード13・第2のリード14・ボンディングワイヤ16・埋め込み樹脂11の表面などが膨張の大きい封止樹脂17に引っ張られる。これに対して、本具体例においては、図4に例示したように、封止樹脂17の膨張に起因する引っ張り応力Tは、凹部12の上方及び貫通孔19の下方に逃げ道がある。この結果として、半導体発光素子15・ボンディングワイヤ16・第1のリード13・第2のリード14への引っ張り応力は大幅に緩和される。
一方、低温下においては、各部材は、封止樹脂17により圧縮される。これに対して、本具体例によれば、図5に例示したように、封止樹脂17の収縮に起因する圧縮応力Cは、凹部12の下方及び貫通孔19の上方に向かう逃げ道がある。この結果として、半導体発光素子15.ボンディングワイヤ16・第1のリード13・第2のリード14への圧縮応力は大幅に緩和される。
以上説明した作用により、半導体発光素子15やボンディングワイヤ16に対する引っ張り応力T及び圧縮応力Cが緩和できるので、熱サイクルに伴う封止樹脂17の膨張・収縮の繰り返しがあっても、半導体発光素子15の剥離やクラックが防止できるとともに、ボンディングワイヤ16の断線が防止できる。この結果、要求される動作温度範囲が摂氏マイナス40〜プラス85度のように広い場合においても、安定的に動作できる構造を提供できる。つまり、温度変化に対して致命不良を排除できて、高信頼性が確保できる。
ここで、本発明者が本発明に至る過程で検討した比較例について説明する。
図6は、本比較例の模式平面図である。
また、図7は、図6のE−E線に沿った模式断面図であり、高温時の状態を表す。
また、図8も、図6のE−E線に沿った模式断面図であり、低温時の状態を表す。
これらの図面については、図1乃至図5に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図6は、本比較例の模式平面図である。
また、図7は、図6のE−E線に沿った模式断面図であり、高温時の状態を表す。
また、図8も、図6のE−E線に沿った模式断面図であり、低温時の状態を表す。
これらの図面については、図1乃至図5に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本比較例の場合、図1乃至図5に関して前述したような貫通孔19は設けられていない。その結果として、高温下においては、図7に表したように、封止樹脂17が膨張するので、凹部12内で膨張した封止樹脂17は、凹部上方に向けてはみ出すことになる。凹部底面では、封止樹脂17の膨張により、膨張率の低いリード表面や半導体発光素子15の表面には矢印で表したように引っ張り応力Tが働く。
一方、低温下においては、図8に表したように、封止樹脂17が収縮するので、凹部12内で収縮した封止樹脂17が凹部底面から剥離が促進されるよう圧縮応力Cが働く。
このような膨張・収縮を繰り返すことで、封止樹脂17は、凹部12の底面から剥離が促進される。このサイクルの繰り返しの結果、半導体発光素子15に加わる応力歪みが蓄積され、半導体発光素子15の内部クラック発生やリードとの銀ペースト接着面の劣化を引き起こすことがある。また、封止樹脂17の膨張・収縮の繰り返しによりボンディングワイヤ16の断線も生じやすい。特に、ワイヤボンディングにおいては、第2ボンディング箇所においていわゆる「ネック切れ」を引き起こしやすい。
このような膨張・収縮を繰り返すことで、封止樹脂17は、凹部12の底面から剥離が促進される。このサイクルの繰り返しの結果、半導体発光素子15に加わる応力歪みが蓄積され、半導体発光素子15の内部クラック発生やリードとの銀ペースト接着面の劣化を引き起こすことがある。また、封止樹脂17の膨張・収縮の繰り返しによりボンディングワイヤ16の断線も生じやすい。特に、ワイヤボンディングにおいては、第2ボンディング箇所においていわゆる「ネック切れ」を引き起こしやすい。
これに対して、本発明の第1の具体例によれば、埋め込み樹脂11の底面に貫通孔19を設け、封止樹脂17を裏面側に連通させることによって、熱膨張や収縮にともなう応力を裏面側に開放し緩和できる。その結果として、車載用途などの幅広い温度範囲で温度サイクルが負荷された場合でも、封止樹脂17の剥離や、半導体発光素子15のダメージなどを防ぐことができる。
次に、本発明の第2の具体例について説明する。
図9は、本具体例の半導体発光装置の模式平面図である。
また、図10は、図9におけるC−C線に沿った模式断面図である。
また、図11は、本具体例の半導体発光装置を左側から見た模式側面図である。
これらの図面については、図1乃至図8に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図9は、本具体例の半導体発光装置の模式平面図である。
また、図10は、図9におけるC−C線に沿った模式断面図である。
また、図11は、本具体例の半導体発光装置を左側から見た模式側面図である。
これらの図面については、図1乃至図8に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においては、リード13、14の延伸方向に沿って、埋め込み樹脂11に溝部20(水平開口部)が設けられている。この溝部20は、半導体発光素子15がマウントされている平面と平行な水平軸に沿って互いに反対方向に延在している。すなわち、溝部20は、第1のリード13及び第2のリード14上に設けられており、封止樹脂17が充填されている。本具体例における溝部20も、図1乃至図5に関して前述した貫通孔19と同様に、封止樹脂17に生ずる引っ張り応力Tや圧縮応力Cを開放する逃げ道であり、応力を逃がす作用を有する。半導体発光素子15がマウントされている平面と、封止樹脂17と、の間に生じる水平方向の応力は、この溝部20に沿って緩和される。その結果として、封止樹脂17の剥離や、半導体発光素子15の剥離・クラック、ボンディングワイヤ16の断線などを防止できる。
次に、本発明の第3の具体例について説明する。
図12は、本具体例の半導体発光装置の模式平面図である。
また、図13は、図12のD−D線に沿う模式断面図である。これらの図面についても、図1乃至図11に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図12は、本具体例の半導体発光装置の模式平面図である。
また、図13は、図12のD−D線に沿う模式断面図である。これらの図面についても、図1乃至図11に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においては、半導体発光素子15がマウントされている平面上で、溝部20とはほぼ直角をなす水平軸に沿って互いに逆方向に向かってそれぞれ溝部21(水平開口部)がさらに設けられている。この結果、半導体発光素子15に対する引っ張り応力T及び圧縮応力Cはより一層緩和される。さらに、本具体例においては、第1具体例に関して前述した貫通孔19も設けられている。
つまり、本具体例においては、貫通孔19を設けて封止樹脂17を充填することにより、封止樹脂17に生ずる引っ張り応力や圧縮応力を上下方向に開放させ逃がすことができる。そしてさらに、水平方向に見て互いに略直交する溝20、21を設けることにより、封止樹脂17に生ずる引っ張り応力や圧縮応力を水平面内で略直交する4方向に開放させ逃がすことができる。その結果として、封止樹脂17の剥離や、半導体発光素子の剥離・クラック、ボンディングワイヤの断線などを防止できる。
次に、本発明の第4の具体例について説明する。
図14は、本具体例の半導体発光装置の模式平面図である。
また、図15は、図14のF−F線に沿った断面図である。
また、図16は、図14のG−G線に沿った断面図である。
さらに、図17は、封止樹脂17を注入する前の状態でのG−G線における断面図である。これらの図面についても、図1乃至図13に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図14は、本具体例の半導体発光装置の模式平面図である。
また、図15は、図14のF−F線に沿った断面図である。
また、図16は、図14のG−G線に沿った断面図である。
さらに、図17は、封止樹脂17を注入する前の状態でのG−G線における断面図である。これらの図面についても、図1乃至図13に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例は、高輝度(すなわち、高出力)型の半導体発光装置に適用して好適なものである。すなわち、第1のリード33は、高熱伝導金属からなり、第1のアウターリード42より厚みの大きい第1のインナーリード部37にカップ部36が設けられている。半導体発光素子15は、このカップ部36の底面に、例えば金すず(AuSn)のような共晶半田(図示せず)を用いて接着される。半導体発光素子15は、大電流駆動も可能であり、リード部33及び34は放熱性が良い金属で構成されている。さらに、図示しない外部ヒートシンクへ直接接続できるように、リード部33及び34の底面が金属面を露出させた構造となっているため、安定して高出力が得られる。なお、カップ部36は必ずしも必要ではないが、カップ部36側面での反射による光出力増加や埋め込み樹脂成型工程における半導体発光素子保護が可能となるなどのメリットがある。
第1のリード33及び第2のリード34は、熱可塑性の埋め込み樹脂31でインジェクション成型される。第1のリードのアウターリード部42及び第2のリードのアウターリード部44は、互いに逆方向に向かって埋め込み樹脂から外側に突出している。また、埋め込み樹脂31には、凹部12が設けられている。さらに、貫通孔39が第1のリード33の両側に設けられており、この部分は、封止樹脂17により上下に充填される。なお、第1リード33と第2のリード34との間の領域40は、本具体例においては埋め込み樹脂31と同じ材料により充填されているが、封止樹脂17により充填しても良い。
高温時の封止樹脂17の膨張に起因する引っ張り応力T及び低温時の封止樹脂17の収縮に起因する圧縮応力Cは、上下軸に沿った凹部12(上方に向かう開口部)及び貫通孔39(下方に向かう開口部)を逃げ道として、緩和される。この結果、半導体発光素子15のクラック・剥離を防止できて、かつボンディングワイヤの断線が防止できる。この結果、高信頼性を有する高輝度半導体発光装置が実現できる。
また、本具体例においては、半導体発光素子15の直下はインナーリード部37であり、封止樹脂17は介在しないので、放熱性に極めて優れる。すなわち、放熱性の良好な材料により形成されたインナーリード部37の裏面は、半導体発光装置の裏面に露出している。こうすることにより、半導体発光素子15において発生した熱がインナーリード部37をを介してその下方に高効率に放出されやすくなる。その結果として、例えば、半導体発光素子15の直下にも封止樹脂17を配置した場合よりもはるかに高出力動作が可能となり、使用可能な温度の上限も上げることができる。
なお、本具体例においても、図12及び図13に関して前述した第3具体例のように、半導体発光素子15のマウント面と平行な軸方向に沿って、互いに逆方向に向かう開口を有する溝部を設けると、応力をより一層緩和できる。
以上、第1から第4の具体例を参照して説明したように、一軸方向(垂直方向でも水平方向でも斜め方向でも良い)に沿って互いに逆方向に向かう開口部(貫通孔19や、溝部20、21など)を設けることによって、封止樹脂の熱膨張・収縮に起因する半導体発光素子15やボンディングワイヤ16に対する引っ張り応力T及び圧縮応力Cを緩和できる。その結果として、熱サイクルに伴う封止樹脂17の膨張・収縮の繰り返しがあっても、半導体発光素子15の剥離やクラックが防止できるとともに、ボンディングワイヤ16の断線が防止できる。すなわち、要求される動作温度範囲が摂氏マイナス40〜プラス85度のように広い場合においても、安定して動作可能な構造を提供できる。つまり、広い温度範囲にわたって高い信頼性を確保できる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
例えば、半導体発光素子15として用いることができるものは、InGaAlP系やGaN系に限定されず、その他、GaAlAs系、InP系をはじめとする各種のIII−V族化合物半導体や、その他、II−VI族化合物半導体あるいはそれ以外の各種の半導体を用いたものであっても良い。
また、半導体発光素子からの放射光を蛍光体に照射することにより、波長変換を行い例えば白色光を得るものも含まれる。これは、蛍光体を封止樹脂に分散配置することで実現できる。
その他、半導体発光装置を構成する半導体発光素子、リード、埋め込み樹脂、封止樹脂などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
また、半導体発光素子からの放射光を蛍光体に照射することにより、波長変換を行い例えば白色光を得るものも含まれる。これは、蛍光体を封止樹脂に分散配置することで実現できる。
その他、半導体発光装置を構成する半導体発光素子、リード、埋め込み樹脂、封止樹脂などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
11 埋め込み樹脂
12 凹部
13 第1のリード
14 第2のリード
15 半導体発光素子(LEDチップ)
16 ボンディングワイヤ
17 封止樹脂
19 貫通孔(垂直開口部)
20 溝部(水平開口部)
21 溝部(水平開口部)
31 埋め込み樹脂
33 第1のリード
34 第2のリード
36 カップ部
37 第1のリードのインナーリード部
38 第2のリードのインナーリード部
39 貫通孔(垂直開口部)
40 インナーリード間の領域
42 第1のリードのアウターリード部
44 第2のリードのアウターリード部
12 凹部
13 第1のリード
14 第2のリード
15 半導体発光素子(LEDチップ)
16 ボンディングワイヤ
17 封止樹脂
19 貫通孔(垂直開口部)
20 溝部(水平開口部)
21 溝部(水平開口部)
31 埋め込み樹脂
33 第1のリード
34 第2のリード
36 カップ部
37 第1のリードのインナーリード部
38 第2のリードのインナーリード部
39 貫通孔(垂直開口部)
40 インナーリード間の領域
42 第1のリードのアウターリード部
44 第2のリードのアウターリード部
Claims (5)
- 上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、
前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、
前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記凹部の底面から前記埋め込み樹脂の裏面に至る貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 上面に凹部を有する埋め込み樹脂と、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1のリードと、
一端が前記凹部内に露出し、他端が前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2のリードと、
前記凹部の中において前記第1のリードにマウントされた半導体発光素子と、
前記凹部の中において前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記凹部から前記埋め込み樹脂のいずれかの側面に至る第1の溝と、前記凹部から前記埋め込み樹脂の前記いずれかの側面に対向する側面に至る第2の溝と、が設けられ、前記第1及び第2の溝は前記封止樹脂により充填されてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1及び第2の溝の底面と、前記半導体発光素子のマウント面と、が同一平面上にあることを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置。
- 上面から裏面に至る貫通孔を有する埋め込み樹脂と、
前記埋め込み樹脂の第1の側面から突出した第1アウターリード部と、前記貫通孔の中に突出し厚みが前記第1アウターリード部より大なる第1インナーリード部と、を有する第1のリードと、
前記埋め込み樹脂の前記第1の側面に対向する第2の側面から突出した第2アウターリード部と、前記貫通孔の中に突出した第2インナーリード部と、を有する第2のリードと、
前記第1のリードの前記第1インナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードの前記第2インナーリード部とを接続するワイヤと、
前記貫通孔に充填され前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記第1インナーリード部の裏面と、前記封止樹脂の裏面と、前記埋め込み樹脂の裏面と、が同一平面上にあることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1リードの前記インナーリード部には凹部が設けられ、前記半導体発光素子は前記凹部の中にマウントされてなることを特徴とする請求項4記載の半導体発光装置。
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