JP2007080863A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007080863A
JP2007080863A JP2005262918A JP2005262918A JP2007080863A JP 2007080863 A JP2007080863 A JP 2007080863A JP 2005262918 A JP2005262918 A JP 2005262918A JP 2005262918 A JP2005262918 A JP 2005262918A JP 2007080863 A JP2007080863 A JP 2007080863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
lens
light
sealing portion
conversion member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005262918A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4742761B2 (ja
Inventor
Kenichiro Tanaka
健一郎 田中
Yoji Urano
洋二 浦野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP2005262918A priority Critical patent/JP4742761B2/ja
Publication of JP2007080863A publication Critical patent/JP2007080863A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4742761B2 publication Critical patent/JP4742761B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】指向性および信頼性を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】青色光を放射するLEDチップ10と、LEDチップ10が実装された実装基板たる金属基板20と、当該金属基板20におけるLEDチップ10の実装面側でLEDチップ10および当該LEDチップ10に接続されたボンディングワイヤ14,14を封止した封止部50と、当該封止部50に重ねて配置されたレンズ60とを備える。封止部50が弾性を有する透明樹脂であるシリコーン樹脂により形成されるとともにレンズ60が両凸レンズからなり、レンズ60の光入射面60aの全域が封止部50と密着している。
【選択図】 図1

Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置に関するものである。
従来から、LEDチップと、LEDチップが実装された実装基板と、当該回路基板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップおよび当該LEDチップに接続されたボンディングワイヤを封止したエポキシ樹脂からなる封止部とを備え、封止部の一部を凸レンズ状の形状とすることで指向性を高めた発光装置が提案されている(例えば、特許文献1)。なお、上記特許文献1には、青色光ないし紫外光を放射するLEDチップと当該LEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体とを組み合わせることにより、白色を含めLEDチップの発光色とは異なる色合いの混色光を得る技術が開示されている。
特開2003−243724号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の発光装置のように封止部の材料としてエポキシ樹脂を用いたものでは、封止部の耐候性が低く、しかも、LEDチップが青色光を放射する青色LEDチップの場合には封止部が青色光により劣化しやすいという不具合があった。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、指向性および信頼性を高めることができる発光装置を提供することにある。
請求項1の発明は、LEDチップと、LEDチップが実装された実装基板と、当該実装基板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップおよび当該LEDチップに接続されたボンディングワイヤを封止した封止部と、当該封止部に重ねて配置されたレンズとを備え、封止部が弾性を有する透明樹脂により形成されるとともにレンズが両凸レンズからなり、当該両凸レンズの光入射面の全域が封止部と密着していることを特徴とする。
この発明によれば、封止部が弾性を有する透明樹脂により形成されるとともにレンズが両凸レンズからなり、当該両凸レンズの光入射面の全域が封止部と密着しているので、指向性および信頼性を高めることができる。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記LEDチップから放射された光によって励起されて前記LEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であって前記実装基板の前記実装面側で前記両凸レンズおよび前記封止部を覆い前記両凸レンズの光出射面および前記封止部との間に空気層が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材とを備えてなることを特徴とする。
この発明によれば、色変換部材と前記両凸レンズの光出射面および前記封止部との間に空気層が形成される形で配設される色変換部材を備えていることにより、前記LEDチップから放射される光と色変換部材の蛍光体から放射される光との混色光を得ることができるだけでなく前記両凸レンズおよび前記封止部を保護することができ、しかも、色変換部材に外力が作用したときに色変換部材に発生した応力が前記平凸レンズおよび前記封止部を通して前記LEDチップに伝達されるのを抑制でき、上記外力に起因した前記LEDチップの発光特性の変動を抑制できるから、信頼性をより高めることができる。
請求項1の発明では、指向性および信頼性を高めることができるという効果がある。
本実施形態の発光装置は、図1に示すように、LEDチップ10と、LEDチップ10が実装された実装基板たる金属基板20と、金属基板20におけるLEDチップ10の実装面側でLEDチップ10および当該LEDチップ10に接続されたボンディングワイヤ14,14を封止した封止部50と、当該封止部50に重ねて配置されたレンズ60と、LEDチップ10から放射された光によって励起されてLEDチップ10の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であってレンズ60の光出射面60b側にレンズ60を覆い光出射面60bおよび封止部50との間に空気層80が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材70とを備えている。
金属基板20は、金属板21上に絶縁層22を介して対となる導体パターン23,23が形成されており、LEDチップ10で発生した熱が金属板21に伝熱されるようになっている。なお、金属板21の材料としてはCuを採用しているが、熱伝導率の比較的高い金属材料であればよく、Cuに限らず、Alなどを採用してもよい。
LEDチップ10は、青色光を放射するGaN系青色LEDチップであり、結晶成長用基板としてサファイア基板に比べて格子定数や結晶構造がGaNに近く且つ導電性を有するn形のSiC基板からなる導電性基板11を用いており、導電性基板11の主表面側にGaN系化合物半導体材料により形成されて例えばダブルへテロ構造を有する積層構造部からなる発光部12がエピタキシャル成長法(例えば、MOVPE法など)により成長され、導電性基板11の裏面に図示しないカソード側の電極であるカソード電極(n電極)が形成され、発光部12の表面(導電性基板11の主表面側の最表面)に図示しないアノード側の電極であるアノード電極(p電極)が形成されている。要するに、LEDチップ10は、一表面側にアノード電極が形成されるとともに他表面側にカソード電極が形成されている。上記カソード電極および上記アノード電極は、Ni膜とAu膜との積層膜により構成してあるが、上記カソード電極および上記アノード電極の材料は特に限定するものではなく、良好なオーミック特性が得られる材料であればよく、例えば、Alなどを採用してもよい。なお、本実施形態では、LEDチップ10の発光部12が導電性基板11よりも金属板21から離れた側となるように金属板21に実装されているが、LEDチップ10の発光部12が導電性基板11よりも金属板21に近い側となるように金属板21に実装するようにしてもよい。光取り出し効率を考えた場合には、発光部12を金属板21から離れた側に配置することが望ましいが、本実施形態では導電性基板11と発光部12とが同程度の屈折率を有しているので、発光部12を金属板21に近い側に配置しても光の取り出し損失が大きくなりすぎることはない。
また、LEDチップ10は、上述の金属板21に、LEDチップ10のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されLEDチップ10と金属板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和するサブマウント部材30を介して実装されている。サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能だけでなく、LEDチップ10で発生した熱を金属板21においてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。本実施形態では、サブマウント部材30の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNを採用しており、LEDチップ10は、上記カソード電極がサブマウント部材30におけるLEDチップ10側の表面に設けられ上記カソード電極と接続される電極パターン(図示せず)および金属細線(例えば、金細線、アルミニウム細線など)からなるボンディングワイヤ14を介して一方の導体パターン23と電気的に接続され、上記アノード電極がボンディングワイヤ14を介して他方の導体パターン23と電気的に接続されている。なお、LEDチップ10とサブマウント部材30とは、AuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田を用いて接合されている。
サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、線膨張率が導電性基板11の材料である6H−SiCに比較的近く且つ熱伝導率が比較的高い材料であればよく、例えば、複合SiC、Siなどを採用してもよい。
上述の封止部50は、弾性を有する透明樹脂により形成されている。ここで、本実施形態では、封止部50を形成する透明樹脂として、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、アクリル樹脂などを用いてもよい。なお、封止部50は、ゲル状ないしゴム状の性状のもので弾性を有していればよい。
レンズ60は、封止部50側の光入射面60aおよび光出射面60bそれぞれが凸曲面状に形成された両凸レンズにより構成されている。ここにおいて、レンズ60は、シリコーン樹脂の成形品により構成してあり、封止部50と屈折率が同じ値となっているが、レンズ60は、シリコーン樹脂の成形品に限らず、例えば、アクリル樹脂の成形品により構成してもよい。
ところで、レンズ60は、光出射面60bが、光入射面60aから入射した光を光出射面60bと上述の空気層80との境界で全反射させない凸曲面状に形成されている。ここで、レンズ60は、光出射面60bが球面の一部により形成されており、当該球面の中心がLEDチップ10の厚み方向に沿った発光部12の中心線上に位置するように配置されている。したがって、LEDチップ10において金属基板20側とは反対側の表面(本実施形態では、発光部12の表面)から放射された光が光出射面60bと空気層80との境界で全反射されることなく色変換部材70まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。なお、LEDチップ10の側面から放射された光は封止部50および空気層80を伝搬して色変換部材70まで到達し色変換部材70の蛍光体を励起したり蛍光体には衝突せずに色変換部材70を透過したりする。
色変換部材70は、シリコーン樹脂のような透明材料とLEDチップ10から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体とを混合した混合物の成形品により構成されている。したがって、本実施形態の発光装置は、LEDチップ10から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部材70の外面70bを通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。なお、色変換部材70の材料として用いる透明材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ガラスなどを採用してもよい。また、色変換部材70の材料として用いる透明材料に混合する蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができる。
ここで、色変換部材70は、内面70aのうちレンズ60に対向する部位の形状がレンズ60の光出射面60bに沿った形状(つまり、レンズ60の光出射面60bに対応した上記球面よりも直径が大きな球面の一部からなる形状)に形成されている。したがって、レンズ60の光出射面60bの位置によらず法線方向における光出射面60bと色変換部材70の内面70aとの間の距離が略一定値となっている。なお、色変換部材70は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。また、色変換部材70は、開口部の周縁を金属基板20に対して、接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着されている。
ところで、本実施形態の発光装置の製造にあたっては、まず、金属基板20の金属板21にサブマント部材30を介してLEDチップ10を実装してボンディングワイヤ14,14のボンディングを行うことで図2(a)に示す構造を得る(なお、図2(a)では各導体パターン23および各ボンディングワイヤ14の図示を省略してある)。その後、図2(b)に示すように金属基板20におけるLEDチップ10の上記実装面側にLEDチップ10およびボンディングワイヤ14,14を囲むように封止部50の成形用の一対の半円筒状の成形金型91,92を両成形金型91,92で円筒状の枠体をなすように配置して、上記枠体の内側に液状の透明樹脂材料(シリコーン樹脂)101を入れた容器100から上記透明樹脂材料101の注入を開始する。そして、図2(c)に示すように上記透明樹脂材料101が上記枠体の内側に充填された状態でレンズ60を用意し、図2(d)に示すようにレンズ60を上記枠体に充填された上記透明樹脂材料101上に載置してから、上記透明樹脂材料101を熱硬化させることにより封止部50を形成するとともに封止部50とレンズ60とを固着する。続いて、成形金型91,92を離型することにより、図2(e)に示す構造を得てから、色変換部材70を上記接着剤などを用いて金属基板20に固着すればよい。
以上説明した本実施形態の発光装置では、封止部50が弾性を有する透明樹脂により形成されるとともにレンズ60が両凸レンズからなり、レンズ60の光入射面60aの全域が封止部50と密着しているので、指向性および信頼性を高めることができる。
また、本実施形態の発光装置では、色変換部材70とレンズ60の光出射面60bおよび封止部50との間に空気層80が形成される形で配設される色変換部材70を備えていることにより、LEDチップ10から放射される光と色変換部材70の蛍光体から放射される光との混色光を得ることができるだけでなくレンズ60および封止部50を保護することができ、しかも、色変換部材70に外力が作用したときに色変換部材70に発生した応力がレンズ60および封止部50を通してLEDチップ10に伝達されるのを抑制でき、上記外力によるLEDチップ10の発光特性の変動が起こりにくくなるから、信頼性が向上するという利点がある。また、色変換部材70とレンズ60との間に上記空気層80が形成されていることにより、外部雰囲気中の水分がLEDチップ10に到達しにくくなるという利点がある。
また、本実施形態の発光装置では、色変換部材70はレンズ60の光出射面60bおよび封止部50との間に空気層80が形成される形で配設すればよく、色変換部材70をレンズ60および封止部50に密着させる必要がないので、色変換部材70の寸法精度や位置決め精度に起因した歩留まりの低下を抑制できる。また、本実施形態の発光装置では、組立時に色変換部材70の組付けが最終工程となるので、LEDチップ10の発光波長に応じて透明材料に対する蛍光体の配合を調整した色変換部材70を用いることで色ばらつきを低減することもできる。
また、色変換部材70とレンズ60との間に上記空気層80が形成されていることにより、LEDチップ10から放射され封止部50およびレンズ60を通して色変換部材70に入射し当該色変換部材70中の黄色蛍光体の粒子により散乱された光のうちレンズ60側へ散乱されてレンズ60を透過する光の光量を低減できて装置全体としての外部への光取り出し効率を向上できるという利点がある。
ここで、図3(a),(b)に示すように、色変換部材70の光軸とLEDチップ10の光軸とが一致しており、色変換部材70における光軸方向の中央の位置PでLEDチップ10からの青色光が全方位に散乱されたとし、色変換部材70と空気層80との界面での全反射角をφa、色変換部材70と当該色変換部材70の外側の媒質である空気との界面での全反射角をφb、位置Pで散乱された光に関して色変換部材70の内面70a側のエスケープコーンECaの広がり角を2θa、位置Pで散乱された光に関して色変換部材70の外面70b側のエスケープコーンECbの広がり角を2θbとすれば、図3(a)に示すように全反射角φa,φbが40°のときには2θa=60°、2θb=98°となり、図3(b)に示すように全反射角φa,φbが50°のときには2θa=76°、2θb=134°となる。
ここにおいて、色変換部材70に用いている透明材料の屈折率をn、位置Pで散乱され内面70a側のエスケープコーンECaを通して放出される青色光の最大放出効率をηとすれば、η=(1/4n2)×100〔%〕で表されるので、上述のように透明材料としてシリコーン樹脂を用いている場合には、n=1.4として、η≒13%となる。したがって、色変換部材70とレンズ60との間に空気層80が形成されていない場合には、位置Pで散乱された青色光の50%がレンズ60に戻ってしまうのに対して、空気層80を形成したことにより、位置Pで散乱された青色光の13%しかレンズ60に戻らなくなるので、青色光による封止部50の劣化を抑制できる。なお、エスケープコーンECaを通して放出される青色光を少なくするには、色変換部材70の厚みを大きくすることが望ましい。
ところで、上述の実施形態では、実装基板たる金属基板20に1つのLEDチップ10を実装してあるが、金属基板20に実装するLEDチップ10の数は1つに限らず、複数でもよく、LEDチップ10ごとに、封止部50、レンズ60および色変換部材70を設ければよい。
また、上述の実施形態では、LEDチップ10として、発光色が青色の青色LEDチップを採用しており、導電性基板11としてSiC基板を採用しているが、SiC基板の代わりにGaN基板を用いてもよく、SiC基板やGaN基板を用いた場合には上記特許文献1のように結晶成長用基板として絶縁体であるサファイア基板を用いている場合に比べて、結晶成長用基板の熱伝導率が高く結晶成長用基板の熱抵抗を小さくできる。また、LEDチップ10の発光色は青色に限らず、例えば、赤色、緑色などでもよい。すなわち、LEDチップ10の発光部12の材料はGaN系化合物半導体材料に限らず、LEDチップ10の発光色に応じて、GaAs系化合物半導体材料やGaP系化合物半導体材料などを採用してもよい。また、導電性基板11もSiC基板に限らず、発光部12の材料に応じて、例えば、GaAs基板、GsP基板などから適宜選択すればよい。
実施形態を示す概略断面図である。 同上の製造方法の説明図である。 同上の要部説明図である。
符号の説明
10 LEDチップ
14 ボンディングワイヤ
20 金属基板
21 金属板
22 絶縁層
23 導体パターン
30 サブマウント部材
50 封止部
60 レンズ
60a 光入射面
60b 光出射面
70 色変換部材

Claims (2)

  1. LEDチップと、LEDチップが実装された実装基板と、当該実装基板におけるLEDチップの実装面側でLEDチップおよび当該LEDチップに接続されたボンディングワイヤを封止した封止部と、当該封止部に重ねて配置されたレンズとを備え、封止部が弾性を有する透明樹脂により形成されるとともにレンズが両凸レンズからなり、当該両凸レンズの光入射面の全域が封止部と密着していることを特徴とする発光装置。
  2. 前記LEDチップから放射された光によって励起されて前記LEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を透明材料とともに成形した成形品であって前記実装基板の前記実装面側で前記両凸レンズおよび前記封止部を覆い前記両凸レンズの光出射面および前記封止部との間に空気層が形成される形で配設されるドーム状の色変換部材とを備えてなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
JP2005262918A 2005-09-09 2005-09-09 発光装置 Active JP4742761B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005262918A JP4742761B2 (ja) 2005-09-09 2005-09-09 発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005262918A JP4742761B2 (ja) 2005-09-09 2005-09-09 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007080863A true JP2007080863A (ja) 2007-03-29
JP4742761B2 JP4742761B2 (ja) 2011-08-10

Family

ID=37940895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005262918A Active JP4742761B2 (ja) 2005-09-09 2005-09-09 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4742761B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101429911B1 (ko) * 2007-12-07 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 광원과 이를 이용한 백라이트 유닛
US8952396B2 (en) 2011-05-18 2015-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module, backlight unit including the LED module, and method for manufacturing the LED module
CN104360537A (zh) * 2014-11-05 2015-02-18 创维液晶器件(深圳)有限公司 直下式背光模组及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208818A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Asahi Rubber:Kk 発光装置
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2003234008A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Nichia Chem Ind Ltd 面発光装置
JP2004276383A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Asahi Rubber:Kk 半導体光学素子用樹脂レンズの製造方法
JP2005158949A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208818A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Asahi Rubber:Kk 発光装置
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2003234008A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Nichia Chem Ind Ltd 面発光装置
JP2004276383A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Asahi Rubber:Kk 半導体光学素子用樹脂レンズの製造方法
JP2005158949A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101429911B1 (ko) * 2007-12-07 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 광원과 이를 이용한 백라이트 유닛
US8952396B2 (en) 2011-05-18 2015-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module, backlight unit including the LED module, and method for manufacturing the LED module
CN104360537A (zh) * 2014-11-05 2015-02-18 创维液晶器件(深圳)有限公司 直下式背光模组及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4742761B2 (ja) 2011-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4013077B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP3948488B2 (ja) 発光装置
JP3992059B2 (ja) 発光装置の製造方法
WO2007034575A1 (ja) 発光装置
JP4742761B2 (ja) 発光装置
JP4820133B2 (ja) 発光装置
JP4925346B2 (ja) 発光装置
JP4483771B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2007088093A (ja) 発光装置
JP5155539B2 (ja) 発光装置
JP4678392B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP4765507B2 (ja) 発光装置
JP3952075B2 (ja) 発光装置
JP2007088082A (ja) 発光装置
JP3963187B2 (ja) 発光装置
JP3963188B2 (ja) 発光装置
JP4483772B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP4820135B2 (ja) 発光装置
JP2007116128A (ja) 発光装置
JP4556815B2 (ja) 発光装置
JP2007088072A (ja) 発光装置
JP2007088073A (ja) 発光装置
JP2007088097A (ja) 発光装置
JP2007088074A (ja) 発光装置
JP2007088098A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080610

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100223

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101012

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110425

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4742761

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3