JP2006093672A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 樹脂から受ける応力を低減し、さらに放熱性を改善することにより、より信頼性の高い半導体発光装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体素子をリードや支持体の凹部に収容することにより封止樹脂からの収縮・膨張応力を大幅に低減すると共に、発光素子の側面に隣接して熱伝導性の良い樹脂を設けることにより放熱性を改善し、信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体素子をリードや支持体の凹部に収容することにより封止樹脂からの収縮・膨張応力を大幅に低減すると共に、発光素子の側面に隣接して熱伝導性の良い樹脂を設けることにより放熱性を改善し、信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は発光ダイオード(LED)等の半導体発光装置に関連し、特に放熱性の向上および樹脂からの応力を緩和することにより高輝度かつ高信頼性を可能にする半導体発光装置に関連する。
近年、半導体発光装置は照明やディスプレイなどの各種光源に幅広く用いられるようになって来ている。 特に緑色や青色LEDの実現により携帯電話などの液晶ディスプレイに使用されるバックライトへの用途も飛躍的に拡大している。携帯機器用途では回路基板上へ高密度実装を行うために「SMD(Surface Mount Device)」と呼ばれる表面実装型のパッケージが不可欠である。このような要求に応えるために多様な表面実装型半導体発光装置が開発されている(例えば、特許文献1)。
表面実装型発光装置は、一対のリードと樹脂から形成されるため、全体をきわめて薄くできる。このような小型の表面実装型発光装置は量産性もよく、幅広い用途に使用されるようになった。
特開2003−8077号公報
しかしながら 半導体発光装置に要求される光出力はますます高くなっている。この結果、大電流駆動が必要になり、発光素子からの放熱性のさらなる改善が必要になった。さらにより厳しい環境条件での使用も増加している。具体的には、例えば、環境温度変化に伴う封止樹脂の膨張・収縮が引き起こす発光素子チップへの応力の問題を挙げることができる。この応力に耐えきれず チップがリードフレームから剥離したり、チップにクラックが生じることがある。
本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、LEDからの放熱特性を改善し、封止樹脂からの応力を緩和しつつ、大電流駆動により高出力を得ることができ、且つ組み立ても容易で信頼性も高い半導体発光装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、
凹部を有する第1のリードと、
第2のリードと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
凹部を有する第1のリードと、
第2のリードと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、
第1のリードと、
前記第1のリードの上に設けられ、凹部を有する支持体と、
第2のリードと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
第1のリードと、
前記第1のリードの上に設けられ、凹部を有する支持体と、
第2のリードと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、
絶縁性材料からなり、凹部を有する支持体と、
前記支持体の表面に設けられた第1の導電性パターンと、
前記支持体の表面に設けられた第2の導電性パターンと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と、前記第1及び第2の導電性パターンのいずれかと、を接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
絶縁性材料からなり、凹部を有する支持体と、
前記支持体の表面に設けられた第1の導電性パターンと、
前記支持体の表面に設けられた第2の導電性パターンと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と、前記第1及び第2の導電性パターンのいずれかと、を接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
本発明によれば、半導体発光素子をリードや支持体の凹部に収容し凹部の内壁と半導体発光素子との間に実質的に封止樹脂を介在させないことにより、封止樹脂からの収縮・膨張応力を低減すると共に、放熱特性を改善した半導体発光装置を提供できる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1(a)は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の断面構造を例示する模式図である。
また、図1(b)は、その封止樹脂40を取り除いた状態を表す上面図である。
図1(a)は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の断面構造を例示する模式図である。
また、図1(b)は、その封止樹脂40を取り除いた状態を表す上面図である。
第1のリード10及び第2のリード11の少なくとも一部は、高熱伝導性樹脂20(例えば、エポキシ系材料により形成される)に埋め込まれている。リード10及び11は、製造工程途中では例えばリードフレームとして連結されており、高熱伝導性樹脂20への埋め込みは半導体発光素子50の接着工程の前でも後でも良い。リード10、1 1の材料
としては、銅、銅系合金、鉄系合金などが好ましい。
としては、銅、銅系合金、鉄系合金などが好ましい。
リード10の上面には凹部18が形成され、半導体発光素子50がその中に収容されている。半導体発光素子50は、凹部18と略同一の大きさを有する。すなわち、本具体例の場合には、凹部18は上方開口に向けて拡開する四角錐状の形状を有する。そして、半導体発光素子50も、これと略同一の大きさを有し、上方に向けて各辺が拡大する四角錐状の形状を有する。
半導体発光素子50の上面には、第1の電極70が形成されており、第2のリード11とAu(金)線などのワイヤ35によりボンディングされている。リード10及び11が埋め込まれた高熱伝導性樹脂20の外周部には、光反射性樹脂30が光を反射するように傾斜面をもって成形されている。この光反射性樹脂30の一例としては、酸化チタンなどを含有したポリマー樹脂などを挙げることができる。そして、半導体発光素子50およびボンディングワイヤ35を保護するため、これらが封止樹脂40により封止されている。光透過性の封止樹脂40の例としては、エポキシ系樹脂やシリコーンなどを挙げることができる。また、封止樹脂40に蛍光体を分散させることにより、半導体発光素子50からの1次光を波長変換して所望の波長を有する2次光を取り出すことができる。
本実施形態によれば、このように半導体発光素子50をリード10の凹部18の中に収容することにより、封止樹脂40から負荷される応力を軽減し、半導体発光素子50の剥離やクラックなどの問題を解消できる。
また、図1(b)に表した具体例においては、ワイヤ35は、半導体発光素子50からみて真横方向(リード10、11の延在方向)ではなく、斜め方向に延ばしてリード11にボンディングされている。このようにすると、ワイア35を長くすることができ、ワイア35の断線を抑制できる。例えば、樹脂20が膨張すると、リード10、11が上方に傾斜し、リード10と11の間隔が拡大する。このような場合でも、ワイア35を図1(b)に表したように斜めに配線することにより、切断しにくくなるという効果が得られる。
また、図1(b)に表した具体例においては、ワイヤ35は、半導体発光素子50からみて真横方向(リード10、11の延在方向)ではなく、斜め方向に延ばしてリード11にボンディングされている。このようにすると、ワイア35を長くすることができ、ワイア35の断線を抑制できる。例えば、樹脂20が膨張すると、リード10、11が上方に傾斜し、リード10と11の間隔が拡大する。このような場合でも、ワイア35を図1(b)に表したように斜めに配線することにより、切断しにくくなるという効果が得られる。
図2は、本発明者が本発明に至る過程で検討した比較例の半導体発光装置の断面構造を表す模式図である。
このパッケージは、一対のリード16及び17を有しており、リード16上に発光素子50が導電性銀ペースト(図示せず)などで接着されている。発光素子50上に設けられた電極70はワイヤボンディング35により他方のリード17に接続されている。リード16及び17は熱伝導のよい樹脂20に固定されており、さらに反射率の高い樹脂30が設けられ光反射板を形成する。発光素子50はワイヤボンディング後 封止樹脂40により封止される。
しかし、この比較例の場合、半導体発光素子50は、リード16の上にマウントされその周囲を封止樹脂40により封止されるため、樹脂40の膨張や収縮に伴う応力を直接的に受けることとなる。その結果として、半導体発光素子50の剥落やクラックなどが生ずる場合があり得る。また、半導体発光素子50からの放熱性にも改善の余地がある。
これに対して、本実施形態によれば、半導体発光素子50をリード10の凹部18の中に収容することにより、封止樹脂40からの応力を緩和し、放熱性も改善できる。以下、この点について、さらに詳細な構造を例示しつつ説明する。
これに対して、本実施形態によれば、半導体発光素子50をリード10の凹部18の中に収容することにより、封止樹脂40からの応力を緩和し、放熱性も改善できる。以下、この点について、さらに詳細な構造を例示しつつ説明する。
図3(a)は、本実施形態の半導体発光装置の第1のリード10の一部拡大断面図である。
リード10には、発光素子50の形状にあわせてプレス加工またはエッチング加工などによる凹部18が形成されている。凹部18の形状としては、直方体、四角錐台または両者の組み合わせ形状などを挙げることができる。
リード10には、発光素子50の形状にあわせてプレス加工またはエッチング加工などによる凹部18が形成されている。凹部18の形状としては、直方体、四角錐台または両者の組み合わせ形状などを挙げることができる。
図3(b)は、凹部18の底面に半導体発光素子50が接着された状態の模式断面図である。
同図に表したように、凹部18の側壁19と、発光素子50の側面と、を近接させると良い。また、発光素子50をダイボンディング工程で接着する必要から、凹部18は上方に向けて拡開する形状か、または垂直の側壁を有するものとすることが好ましい。凹部18の深さは、発光素子50の厚みと金属共晶半田または銀ペースト37の厚みの和程度とすることが好ましい。
同図に表したように、凹部18の側壁19と、発光素子50の側面と、を近接させると良い。また、発光素子50をダイボンディング工程で接着する必要から、凹部18は上方に向けて拡開する形状か、または垂直の側壁を有するものとすることが好ましい。凹部18の深さは、発光素子50の厚みと金属共晶半田または銀ペースト37の厚みの和程度とすることが好ましい。
半導体発光素子50は、その第1の電極70が設けられた表面を含む垂直面で切断した縦断面の形状が、凹部18の縦断面の形状と近似することが望ましい。つまり、半導体発光素子50と凹部18の側壁19との間隔が小さいことが望ましい。
図4は、封止樹脂40の厚みと半導体発光素子50への応力との関係を表すグラフ図である。すなわち、同図は、半導体発光素子50と凹部18の側壁19との間に介在する封止樹脂40の厚みに対する、チップ(半導体発光素子50)への応力の影響を表す。また、表1は、図4に表した関係をまとめた一覧表である。ここでは、封止樹脂40としてエポキシ樹脂を用いた場合を表す。
図4及び表1から分かるように、半導体発光素子50と凹部18の側壁19との間に介在する封止樹脂40の厚みが0.1ミリメータを下回ると、チップへの応力が急激に低下する。本明細書において「略同一の大きさ」とは、半導体発光素子50と側壁19との辺の長さの差異、高さの差異、間隙などが、チップへの応力が急激に低下する封止樹脂厚み範囲内にあることを意味する。つまり、半導体発光素子50と、凹部18の側壁19との間に介在する封止樹脂40の厚みは、0.1ミリメータ以下とすることが望ましい。
このようにすると半導体発光素子50の側面に近接して凹部の側壁19が存在するために、封止樹脂40の膨張・収縮による応力が直接的に半導体発光素子50に及ばない。この結果、半導体発光素子50の剥落やクラックを防止でき、発光特性の劣化も防止できる。
また、半導体発光素子50において生じた熱を凹部の側壁19に向けて放散させることができ、大電流駆動によっても安定した発光特性を維持できる。
またさらに、半導体発光素子50を凹部18の略同一の大きさとすることにより、半導体発光素子50のマウント位置を精密に規定することができる。つまり、凹部18の位置がそのまま半導体発光素子50のマウント位置に対応する。従って、レンズや光ファイバなどに対して光学的に結合する場合などにおいて、半導体発光素子50のマウント位置ズレによる損失が生ずることはなく、常に設計通りの光学的な結合が得られるという利点もある。
さらにまた、本実施形態によれば、半導体発光素子50から横方向または下方向に放出された光を反射させ、上方に取り出すことができる。例えば、図3(b)に表した具体例の場合、半導体発光素子50に含まれる発光層(図示せず)から放出される光のうちで、上方に放出される光は、そのまま外部に取り出すことができる。一方、半導体発光素子50の発光層から横方向あるいは斜め横方向に放出された光は、凹部18の側壁19により反射させて上方に取り出すことができる。つまり、凹部18の側壁19を反射板として用いることにより、光の取り出し効率を上げることができる。この効果は、半導体発光素子50に用いる基板材料が発光波長に対して不透明な場合よりも、透明な場合に、特に顕著である。例えば、発光波長が可視光の場合、半導体発光素子50の基板としてGaAsを用いると、発光波長に対して不透明となる。これに対して、基板としてGaPやGaNを用いた場合には、発光波長に対して透明となるため、側壁19の反射による光取り出し効率の改善効果がより顕著に得られる。
またさらに、半導体発光素子50を凹部18の略同一の大きさとすることにより、半導体発光素子50のマウント位置を精密に規定することができる。つまり、凹部18の位置がそのまま半導体発光素子50のマウント位置に対応する。従って、レンズや光ファイバなどに対して光学的に結合する場合などにおいて、半導体発光素子50のマウント位置ズレによる損失が生ずることはなく、常に設計通りの光学的な結合が得られるという利点もある。
さらにまた、本実施形態によれば、半導体発光素子50から横方向または下方向に放出された光を反射させ、上方に取り出すことができる。例えば、図3(b)に表した具体例の場合、半導体発光素子50に含まれる発光層(図示せず)から放出される光のうちで、上方に放出される光は、そのまま外部に取り出すことができる。一方、半導体発光素子50の発光層から横方向あるいは斜め横方向に放出された光は、凹部18の側壁19により反射させて上方に取り出すことができる。つまり、凹部18の側壁19を反射板として用いることにより、光の取り出し効率を上げることができる。この効果は、半導体発光素子50に用いる基板材料が発光波長に対して不透明な場合よりも、透明な場合に、特に顕著である。例えば、発光波長が可視光の場合、半導体発光素子50の基板としてGaAsを用いると、発光波長に対して不透明となる。これに対して、基板としてGaPやGaNを用いた場合には、発光波長に対して透明となるため、側壁19の反射による光取り出し効率の改善効果がより顕著に得られる。
なお、半導体素子50を凹部18内にダイボンディングする工程に際して、半導体発光素子50と凹部18の側壁19との間に所定の「すきま」が必要な場合には、これを考慮して最適な間隔を決定することができる。
また、図3(b)に表したように、半導体発光素子50と凹部側壁19との間隙に高熱伝導性樹脂140を充填してもよい。このようにすると、半導体発光素子50における発熱が高熱伝導性樹脂140を通して凹部側壁19に向けて放散できるので、温度特性の改善も可能となる。この結果、例えば、図2に表した比較例の構造では約180℃/Wであった熱抵抗を、約80℃/W程度にまで改善できる。
ボンディングワイヤ35は、封止樹脂40に封止されているが、ループ長を十分に長くすることにより、樹脂の膨張・収縮による応力を吸収できる。
これらにより、図2に表した比較例の発光素子では、260℃の半田リフロー工程において生じていた10%程度の点灯不良を1%以下にまで低減できる。
図5は、本実施形態の半導体発光装置に搭載可能な半導体発光素子の断面構造を例示する模式図である。
本具体例の場合、半導体発光素子の形状は、図1及び図3に例示したような拡開状の凹部18の形状に合わせて、略台形錐状とされている。その内部構造について説明すると、透明基板90の一主面に発光層80が形成されており、その下側には高反射膜を兼ねた第2の電極60が形成されている。また、透明基板90の上面には第1の電極70が形成されている。透明基板90の側面には、誘電体膜等からなる高反射膜100が形成されている。
本具体例の場合、半導体発光素子の形状は、図1及び図3に例示したような拡開状の凹部18の形状に合わせて、略台形錐状とされている。その内部構造について説明すると、透明基板90の一主面に発光層80が形成されており、その下側には高反射膜を兼ねた第2の電極60が形成されている。また、透明基板90の上面には第1の電極70が形成されている。透明基板90の側面には、誘電体膜等からなる高反射膜100が形成されている。
図3(b)に例示したように、リード10と第2の電極60とは銀ペーストあるいはAuSnなどの共晶半田37等でダイボンディングされる。凹部側壁19と発光素子50の側面との間隙には薄い高熱伝導性の樹脂140が充填される。第1の電極70はボンディングワイヤ35でリード第2の11に接続される。半導体発光層80から放出された光は、透明基板90を通過して発光素子の外部へ出る成分と、側面反射層100で反射後外部へ出る成分と、下方の第2の電極60により反射されて外部へ出る成分などに分かれる。なお、発光素子の側面に反射層100がなくとも、凹部の側壁19が高反射性を有する場合には同等の効果が得られる。
図6は、本発明の実施形態の第2の具体例を表す模式断面図である。同図については、図1乃至図5に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においても、リード10の上面に凹部18が設けられ、半導体発光素子50はその中に収容されている。ただし、半導体発光素子50の上面には、2つの電極(図示せず)が設けられ、これら2つの電極とリード11、10とが、ワイヤ35、36によりそれぞれ接続されている。これは例えば、半導体発光素子50が絶縁性の基板の上に形成された構造を有する場合などに有効な構造である。
そして、本具体例においても、凹部18の中に半導体発光素子50を収容し、凹部18の内壁面と半導体発光素子50との間隙に封止樹脂40があまり入り込まないようにすることにより、封止樹脂40の膨張や収縮のストレスから半導体発光素子50を保護できる。また同時に、半導体発光素子50からリード10への熱の放散を促進させることにより安定した大電流駆動が可能となる。
図7は、本発明の実施形態の第3の具体例を表す模式断面図である。同図については、図1乃至図5に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においても、リード10に凹部18が設けられ、半導体発光素子50はその中に収容されている。半導体発光素子50は、凹部18と略同一の大きさを有するが、両者の形状は厳密に同一ではない。すなわち、半導体発光素子50の側面には凹凸120が設けられ、素子内部における光の全反射を減少させて素子外部へ取り出せる光が増大するようにされている。外部への光取り出し効率を上げるため、リード10の凹部側面19の反射率は銀メッキなどにより高くすることが望ましい。本実施例においても、半導体発光素子50の側面を凹部側面19に近接させることにより、側面19を介した熱の放散を促進できる。その結果として、放熱性に優れ信頼性も改善された半導体発光装置を実現できる。
図8は、本発明の実施形態の第4の具体例を表す模式図である。すなわち、同図(a)はその断面図であり、同図(b)は、その一部拡大断面図である。
本具体例においては、発光素子50と凹部側壁19との間隙に、二層構造の樹脂が充填されている。この樹脂層は、フィラーを分散させた光反射性樹脂130と高熱伝導性樹脂140とから構成される。フィラーとしては、母材となる樹脂の表面の反射率を高めるために酸化チタンやチタン酸カリウムなど光反射率の高い材料が選択される。これらフィラーは、粉末あるいは粒子状などの形態で樹脂に混入される。なお、図8には、光反射性樹脂130が半導体発光素子50に接し、また高熱伝導性樹脂140が凹部の側壁19に接している例を表したがこの逆であってもよく、また3層以上の多層膜としてもよい。本具体例によれば、光取り出し効率と放熱性とを同時に向上できる。
またさらに、フィラーを分散させることにより、応力緩和効果も得られる。
またさらに、フィラーを分散させることにより、応力緩和効果も得られる。
図9は、本発明の実施形態の第5の具体例を表す模式断面図である。
本具体例においても凹部18の中に半導体発光素子50が収容され、両者は略同一の大きさを有する。但し、これらの形状は厳密には同一ではない。すなわち、凹部側壁19からの反射による光取り出し効率の低下を抑えるため、凹部側壁19は垂直または上部に向かって拡開するように傾斜させて形成されている。この時、凹部18の側壁は、反射板機能を有するといっそう好ましい。具体的には、側壁19の表面は例えば銀メッキなどを施し高反射とすることができる。このようにすれば、光取り出し効率の改善が図れる。
本具体例においても凹部18の中に半導体発光素子50が収容され、両者は略同一の大きさを有する。但し、これらの形状は厳密には同一ではない。すなわち、凹部側壁19からの反射による光取り出し効率の低下を抑えるため、凹部側壁19は垂直または上部に向かって拡開するように傾斜させて形成されている。この時、凹部18の側壁は、反射板機能を有するといっそう好ましい。具体的には、側壁19の表面は例えば銀メッキなどを施し高反射とすることができる。このようにすれば、光取り出し効率の改善が図れる。
一方、半導体発光素子50の形状は、下方に向けてやや拡開する四角錐状である。半導体発光素子50は、これ以外にも、例えば、四角柱状や、四角柱と四角錐との組合せなどの形状であってもよい。
本具体例の場合、凹部18の側壁と半導体発光素子50との間には隙間が生ずる。この隙間に多量の封止樹脂40が介在すると、図2に関して前述した如く、樹脂40からの応力や熱伝導の点で不利になる。例えば、熱伝導について考えると、樹脂40の熱伝導率は一般的に0.2W/m℃であるのに対して、金(Au)の熱伝導率は315W/m℃である。金なみの熱伝導率を確保するためには、凹部18の側壁と半導体発光素子50との間の隙間は630マイクロメータ程度を上限とすることが望ましい。
本具体例の場合、凹部18の側壁と半導体発光素子50との間には隙間が生ずる。この隙間に多量の封止樹脂40が介在すると、図2に関して前述した如く、樹脂40からの応力や熱伝導の点で不利になる。例えば、熱伝導について考えると、樹脂40の熱伝導率は一般的に0.2W/m℃であるのに対して、金(Au)の熱伝導率は315W/m℃である。金なみの熱伝導率を確保するためには、凹部18の側壁と半導体発光素子50との間の隙間は630マイクロメータ程度を上限とすることが望ましい。
また、凹部側壁19と発光素子50との間隙には、図8に関して前述したような高熱伝導性樹脂/光反射性樹脂などの単層あるいは積層構造を充填することが好ましい。
図10は、本発明の実施形態の第6の具体例を表す模式断面図である。
発光素子50がダイボンディングされるリード凹部18の構造は、図1などに表したものとほぼ同様である。そして、凹部18を有する第1のリード12は凹部の直下(特に発光素子がマウントされる部分)において、熱伝導性絶縁樹脂150を介して第2のリード13と積層されている。この熱伝導性絶縁樹脂150としては、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを用いることができる。
発光素子50がダイボンディングされるリード凹部18の構造は、図1などに表したものとほぼ同様である。そして、凹部18を有する第1のリード12は凹部の直下(特に発光素子がマウントされる部分)において、熱伝導性絶縁樹脂150を介して第2のリード13と積層されている。この熱伝導性絶縁樹脂150としては、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを用いることができる。
図11は、本具体例の半導体発光装置における熱の放散を説明するための模式図である。半導体発光素子50で発生した熱は、矢印Aで表したように第1のリード12を通してのみならず、矢印Bで表したように第2のリード13を通しても伝導して、外部に放散される。またさらに、矢印Cで表したように、高熱伝導性樹脂20を介した放熱も促進される。
従ってこの構造は、大電流駆動により発熱が大きい高出力発光装置に適している。
従ってこの構造は、大電流駆動により発熱が大きい高出力発光装置に適している。
図12は、本発明の第7の具体例を表す模式断面図である。すなわち、同図(a)はその全体を表す模式断面図であり、同図(b)はその一部拡大断面図である。
本具体例においては、リード14の上にサブマウント(またはチップキャリア)110が設けられている。発光素子50は、リード凹部でなくサブマウント(チップキャリア)110に設けられた凹部18の底面にダイボンディングされている。このサブマント110は、予め発光素子50をダイボンディングした後、リード14に銀ペーストや共晶半田37などで接着することができる。こうするとサブマント110に発光素子50を組み込み後に特性判定ができるので、不良が生じた場合など、その後の工程での無駄を排除できる。サブマウント110は、セラミック、ダイアモンド、窒化物、サファイヤ、Si、GaP、SiCなどで加工形成できる。
本具体例においては、リード14の上にサブマウント(またはチップキャリア)110が設けられている。発光素子50は、リード凹部でなくサブマウント(チップキャリア)110に設けられた凹部18の底面にダイボンディングされている。このサブマント110は、予め発光素子50をダイボンディングした後、リード14に銀ペーストや共晶半田37などで接着することができる。こうするとサブマント110に発光素子50を組み込み後に特性判定ができるので、不良が生じた場合など、その後の工程での無駄を排除できる。サブマウント110は、セラミック、ダイアモンド、窒化物、サファイヤ、Si、GaP、SiCなどで加工形成できる。
図12(b)に表したように、発光素子50のダイボンディング側の電極と導通を取るため、例えばサブマント凹部18の底面と、リード14と接着されるサブマント面とはメタライズ112などで被覆されている。このメタライズ112は、Mo−Mn系の厚膜焼成、Niメッキ、金メッキなどにより形成される。なお、サブマント110をリード14に接着後、発光素子50をダイボンディングしてもよい。また、発光素子50とサブマウント110との接着力は、発光素子50とリード14との接着力より強い。接触面積の大きいサブマント110をリード14に接着すれば、発光素子50を直接リードに接着するよりも高い接着強度が得られる。また、サブマント110の凹部の内壁表面を平滑にしてメタライズを施すことにより、高い光反射率が得られる。
図13は、本発明の第8の具体例を表す模式図である。すなわち、同図(a)は、その全体を表す模式断面図であり、同図(b)はその側面図である。
また、図14は、本具体例の半導体発光装置の模式斜視図である。
また、図14は、本具体例の半導体発光装置の模式斜視図である。
本具体例においては、絶縁基板160が用いられている。絶縁基板160には、凹部18が設けられている。凹部18の底面から絶縁基板の下面(図示しない実装基板上に形成されている電極と電気的に接続される)まで絶縁基板160の側面を介してメタライズ170が設けられている。凹部18の底面には、半導体発光素子50が銀ペーストやAuSnなどの共晶半田などにより接着されている。また、発光素子50の上面の電極は、ボンディングワイヤ35でもう一方のメタライズ180に接続されている。このメタライズ180も、図示しない実装基板との電気的接続のため絶縁基板160の下面まで延在している。
絶縁基板160の上面には、凹部18を囲むように傾斜した反射面を有する光反射性樹脂30が形成されている。発光素子50から放射された光の一部は、この光反射性樹脂30で反射され、より高い取り出し効率が得られる。ボンディングワイヤ35と発光素子50は、封止樹脂40により封止されている。光反射性樹脂30は必ずしもなくとも良いが、集光性を高めたい場合などは有効に作用する。
本具体例においても、凹部18の側面と半導体発光素子50とを近接させることにより、封止樹脂の膨張・収縮などによる発光素子50への応力を緩和する効果が得られる。また、凹部18の側面と発光素子50との間隔が小さいほど、応力低減効果および放熱効果が大きい。
またさらに、凹部18と発光素子50との間隙に、光反射性樹脂や高熱伝導性樹脂を充填することの効果は図8などに関して前述した通りである。絶縁基板160の材料としては、セラミック、ダイアモンド、窒化物、サファイヤ、SiC,GaP,Siなどを用いることができる。セラミックの中でも、例えばAlNは熱伝導率が高く加工性にも優れるので、AlN基板を用いると、大電流動作に適した小型の表面実装型発光装置が実現できる。
図15は、本発明の実施形態の第9の具体例を表す模式断面図である。同図については、図1乃至図14に関して前述したものと同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具具体例においても凹部18の中に半導体発光素子50が収容され、両者は略同一の大きさを有する。また、半導体素子50の形状は図1に例示される第1の具体例と同様であり、上方に向けて拡開する四角錐状である。半導体発光素子50は、これ以外にも、例えば、四角柱状や、四角柱と四角錐との組み合わせなどの形状であってもよい。
本具体例の場合、半導体発光素子50の上方周辺に、蛍光体152を混合させた封止樹脂40が配置されている。半導体発光素子50からの放射光が蛍光体152に吸収され、励起され、波長変換されて、より長い波長光を放射する。半導体発光素子50の波長としては、紫外光〜青色光の波長帯であることが望ましく、この波長帯の1次光を吸収して、例えば、赤色、青色、黄色などの2次光を放出する蛍光体を選ぶことができる。例えば、半導体発光素子50として、青色光を放出する窒化ガリウム系半導体発光素子を選び、この青色光を吸収して黄色光を放出する蛍光体として珪酸塩からなる蛍光体を選ぶことにより、青色光と黄色光とを混合させた白色光を得ることができる。本具体例においても、半導体発光素子50が略同一の大きさを有する凹部18内に配置されるために、半導体発光素子50への応力を緩和することができる。
この場合、半導体素子50の周りに蛍光体を塗布または堆積したのち、凹部18に配置することも出来る。
この場合、半導体素子50の周りに蛍光体を塗布または堆積したのち、凹部18に配置することも出来る。
図16は、本発明の実施形態の第10の具体例を表す模式断面図である。同図について
も、図1乃至図15に関して前述したものと同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においては、半導体発光素子50が配置された凹部18の上部が、封止樹脂40より屈折率の高い透光性材料154で覆われている。また、この透光性材料154は、封止樹脂40よりも線膨張係数がより小さい樹脂や、フィラーを混合して応力が緩和された樹脂、シリコーンのように低硬度(「やわらかい」)樹脂などであることが望ましい。さらに、この透光性材料154の形状を略半球状とすることにより、集光レンズとして作用させることができる。この結果、外部に放射される光の配光角をより小さくでき、高収束性を有する指向特性を得ることができる。
また、透光性材料154に蛍光体を混合することにより波長変換を行い、例えば白色光などを得ることもできる。この時、透光性材料154の材料としてシリコーンを用いると、紫外線に対しても劣化が生じない点で有利である。すなわち、エポキシ樹脂などの場合、紫外線に晒されると、次第に変色して透光性が低下するなどの問題が生ずることがある。これに対して、本実施形態においては、透光性材料154の材料としてシリコーンなどを用い、この中に蛍光体を分散させて、半導体発光素子50から放出される紫外線を可視光に波長変換させることができる。このようにすれば、封止樹脂40の材料としてエポキシ樹脂などを用いた場合でも、その劣化を防止できる。
も、図1乃至図15に関して前述したものと同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においては、半導体発光素子50が配置された凹部18の上部が、封止樹脂40より屈折率の高い透光性材料154で覆われている。また、この透光性材料154は、封止樹脂40よりも線膨張係数がより小さい樹脂や、フィラーを混合して応力が緩和された樹脂、シリコーンのように低硬度(「やわらかい」)樹脂などであることが望ましい。さらに、この透光性材料154の形状を略半球状とすることにより、集光レンズとして作用させることができる。この結果、外部に放射される光の配光角をより小さくでき、高収束性を有する指向特性を得ることができる。
また、透光性材料154に蛍光体を混合することにより波長変換を行い、例えば白色光などを得ることもできる。この時、透光性材料154の材料としてシリコーンを用いると、紫外線に対しても劣化が生じない点で有利である。すなわち、エポキシ樹脂などの場合、紫外線に晒されると、次第に変色して透光性が低下するなどの問題が生ずることがある。これに対して、本実施形態においては、透光性材料154の材料としてシリコーンなどを用い、この中に蛍光体を分散させて、半導体発光素子50から放出される紫外線を可視光に波長変換させることができる。このようにすれば、封止樹脂40の材料としてエポキシ樹脂などを用いた場合でも、その劣化を防止できる。
またさらに、透光性材料154にフィラーを分散させて反射率を高めることもできる。さらに、他の具体例と同様に、半導体発光素子50と凹部18とは略同一の大きさであるために、半導体発光素子50への応力を緩和することができることはもちろんである。
図17は、本発明の実施形態の第11の具体例を表す模式断面図である。同図についても、図1乃至図16に関して前述したものと同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においては、半導体発光素子50が配置された凹部18の上部を含みさらにその周囲の広い範囲が、封止樹脂40よりも屈折率の高い透光性材料156で覆われている。この透光性材料156の形状は、半球状、あるいは上に凸な曲面を有する構造体などであることが好ましい。この透光性材料156には、第10の具体例と同様に、蛍光体を混合させることにより、白色光などを得ることができ、また封止樹脂40の紫外線による劣化なども防ぐことが可能となる。またさらに、透光性材料156にフィラーを分散させることにより、光を散乱させて均一な白色光を得ることができる。
さらに本具体例においても、透光性材料156を集光レンズとして作用させることができ、かつ光反射性樹脂30の反射面31をも利用することができる。この結果、配光角の制御がより容易となり、指向性をより制御できる。なお、他の具体例と同様に、半導体発光素子50と凹部18とは略同一の大きさであるために、半導体素子50への応力を緩和することができることはもちろんである。
本具体例においては、半導体発光素子50が配置された凹部18の上部を含みさらにその周囲の広い範囲が、封止樹脂40よりも屈折率の高い透光性材料156で覆われている。この透光性材料156の形状は、半球状、あるいは上に凸な曲面を有する構造体などであることが好ましい。この透光性材料156には、第10の具体例と同様に、蛍光体を混合させることにより、白色光などを得ることができ、また封止樹脂40の紫外線による劣化なども防ぐことが可能となる。またさらに、透光性材料156にフィラーを分散させることにより、光を散乱させて均一な白色光を得ることができる。
さらに本具体例においても、透光性材料156を集光レンズとして作用させることができ、かつ光反射性樹脂30の反射面31をも利用することができる。この結果、配光角の制御がより容易となり、指向性をより制御できる。なお、他の具体例と同様に、半導体発光素子50と凹部18とは略同一の大きさであるために、半導体素子50への応力を緩和することができることはもちろんである。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
例えば、半導体発光素子チップとして用いることができるものは、InGaAlP系やGaN系に限定されず、その他、GaAlAs系、InP系をはじめとする各種のIII−
V族化合物半導体や、その他、II−VI族化合物半導体あるいはそれ以外の各種の半導体を用いたものであってもよい。
その他、半導体発光装置を構成する半導体発光素子チップ、リード、埋め込み樹脂、封止樹脂などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
例えば、半導体発光素子チップとして用いることができるものは、InGaAlP系やGaN系に限定されず、その他、GaAlAs系、InP系をはじめとする各種のIII−
V族化合物半導体や、その他、II−VI族化合物半導体あるいはそれ以外の各種の半導体を用いたものであってもよい。
その他、半導体発光装置を構成する半導体発光素子チップ、リード、埋め込み樹脂、封止樹脂などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
例えば、図18に表した具体例の場合、図1に例示したような光反射性樹脂30を設けず、リード10、11の上面を封止樹脂40により覆っている。このようにすると、上面の全方向に向けて光を放出でき、広角の配光特性が得られる。
また、図19に表した具体例の場合、リード10、11はそれぞれストレート状に形成され、その対向部分が封止樹脂40により封止されている。このような構造としてもよい。
さらに、図20は、以上の具体例に共通する補足説明のための模式断面図である。
すなわち、半導体発光素子50の上面が第1のリードに設けられた凹部18の開口端より上部にはみ出している場合も、本明細書における「収容する」に含まれるものとする。半導体発光素子50が封止樹脂40の膨張・収縮により生じる応力の直接的影響を受けない範囲であれば、半導体発光素子50が凹部18の開口端から垂直距離Dだけはみ出すことは構わない。この場合にも、図4に例示される半導体発光素子50と封止樹脂40との間で生じる応力の関係が適用できる。従って、垂直距離Dとしては、0.1ミリメータ以下とすることが好ましい。
すなわち、半導体発光素子50の上面が第1のリードに設けられた凹部18の開口端より上部にはみ出している場合も、本明細書における「収容する」に含まれるものとする。半導体発光素子50が封止樹脂40の膨張・収縮により生じる応力の直接的影響を受けない範囲であれば、半導体発光素子50が凹部18の開口端から垂直距離Dだけはみ出すことは構わない。この場合にも、図4に例示される半導体発光素子50と封止樹脂40との間で生じる応力の関係が適用できる。従って、垂直距離Dとしては、0.1ミリメータ以下とすることが好ましい。
また、図1乃至図20に関して前述した具体例の二つ以上の可能な組合せも、本発明の範囲に包含される。
10 第1のリード
11 第2のリード
12 第1のリード
13 第2のリード
14 第1のリード
16 第1のリード
17 第2のリード
18 凹部
19 凹部側壁
20 高熱伝導性樹脂
30 光反射性樹脂
31 反射面
35 ボンディングワイヤ
37 金属共晶半田または銀ペースト
40 封止樹脂
50 半導体発光素子
60 第2の電極
70 第1の電極
80 半導体発光層
90 透明基板
100 高反射膜
110 サブマント
112 サブマウントメタライズ
120 発光素子側面凹凸
130 光反射性樹脂
140 高熱伝導性樹脂
150 高熱伝導性絶縁樹脂
152 蛍光体
154、156 透光性材料
160 絶縁基板
170 第1のメタライズ
171、181 絶縁基板側面
180 第2のメタライズ
11 第2のリード
12 第1のリード
13 第2のリード
14 第1のリード
16 第1のリード
17 第2のリード
18 凹部
19 凹部側壁
20 高熱伝導性樹脂
30 光反射性樹脂
31 反射面
35 ボンディングワイヤ
37 金属共晶半田または銀ペースト
40 封止樹脂
50 半導体発光素子
60 第2の電極
70 第1の電極
80 半導体発光層
90 透明基板
100 高反射膜
110 サブマント
112 サブマウントメタライズ
120 発光素子側面凹凸
130 光反射性樹脂
140 高熱伝導性樹脂
150 高熱伝導性絶縁樹脂
152 蛍光体
154、156 透光性材料
160 絶縁基板
170 第1のメタライズ
171、181 絶縁基板側面
180 第2のメタライズ
Claims (6)
- 凹部を有する第1のリードと、
第2のリードと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 第1のリードと、
前記第1のリードの上に設けられ、凹部を有する支持体と、
第2のリードと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第2のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 絶縁性材料からなり、凹部を有する支持体と、
前記支持体の表面に設けられた第1の導電性パターンと、
前記支持体の表面に設けられた第2の導電性パターンと、
前記凹部に収容され前記凹部と略同一の大きさを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と、前記第1及び第2の導電性パターンのいずれかと、を接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記凹部の内側壁と前記半導体発光素子との間隙に前記封止樹脂が実質的に介在しないことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記凹部の内側壁と前記半導体発光素子との間に反射膜が設けられたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記凹部の内側壁と前記半導体発光素子との間に、前記封止樹脂よりも高い熱伝導率を有する材料からなる層が設けられたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
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