JP2015128143A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に形成された配線を用いて反射層を形成しつつ、絶縁耐圧を確保可能な発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に導電性部材を有する絶縁性の基板を準備する第１工程と、第１工程の後に導電性部材を電着又は静電塗装により反射部材で被覆する第２工程と、第２工程の後に導電性部材の少なくとも一部を絶縁化して絶縁性部材とする第３工程と、基板を切断して個片化する第４工程と、を有し、導電性部材が、個片化された基板の端部から離間して配置される発光装置の製造方法。
【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト光源等に利用可能な発光装置の製造方法に関する。

近年、様々な電子部品が提案され、また実用化されており、これらに求められる性能も高くなっている。発光ダイオード（ＬＥＤ）をはじめとする発光装置も同様で、特に、一般照明分野、車載分野等で求められる性能は日増しに高まっており、更なる高出力化、高輝度化、低抵抗化、高信頼性が要求されている。さらに、これらの特性を満たしつつ、商用電源系での駆動も要求されている。
商用電源を用いた照明器具としては、ＪＩＳ−Ｃ−８１０５−１で求められている安全性要求事項規則を満たさなければならない。特に、感電等の危険性を無くすために、発光装置の絶縁耐圧をあげる必要がある。

従来、ＬＥＤのパッケージ材料として、絶縁抵抗が高いセラミック製の基板が用いられており、特に光半導体用としては、白色系のアルミナ基板が一般的に使用されている。一方で、ＬＥＤチップ（以下、発光素子ともいう）を実装する部位には、発光素子に電力を供給するための導電性のパターンが設けられている。例えばこのパターン表面にはＡｕやＡｇ等の貴金属パターンが形成されるが、これらを電解メッキによって形成する場合、電位を与えるための導電パターンが必要となる。この導電パターンは外部から給電を行い易くするため、基板端部や裏面へ露出されている。

特開２００４−３１９９３９号公報（図１、図３参照） 国際公開第２０１１−０９９３８４号

しかしながら、従来の技術においては、以下に述べる問題がある。
近年発光装置は更なる高出力化が求められている。そして、大電流を投入し、高出力化を実現するためには、発光装置の放熱性を高めることが重要であり、例えば、ＬＥＤ（以下、発光装置ともいう）は、放熱性の高いヒートシンク等の金属体に載置される。

ところが、上記特許文献１においては、反射面に高反射性のＡｇめっきを用いるため、光の取り出し効率は向上できるものの、高反射性のＡｇめっき面を得るためには、一般的に電解めっき法を用いる必要がある。しかし、この場合、電解めっきのための配線となる導電層が絶縁部材の側面に露出しているため、絶縁部材の裏面を金属体に接触させて駆動させると、沿面放電によって短絡する虞がある。

また、上記特許文献２においても、導電部材の表面を電着法または静電塗装により反射部材で被覆するため、導電部材に電位を与えるための配線が絶縁性部材の端部に露出することは避けられない。

そのため、２００Ｖ系の商用電源を用いる場合は、ＪＩＳをはじめとする各種の規格で絶縁耐圧が求められており、例えはＬＥＤであれば、パッケージ等の基板側面に存在する導電部は、一般的に１．５ｍｍ以上、より好ましくは２ｍｍ以上ヒートシンク等の金属体から距離を離さなければならない。したがって、絶縁性の基板の厚みを厚くする必要があり、これにより材料費がかかる上に、放熱性が低下するという問題があった。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、基板に形成された配線を用いて反射層を形成しつつ、絶縁耐圧を確保可能な発光装置の製造方法を提供することを課題とする。

上記目的を達成するために、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、表面に導電性部材を有する絶縁性の基板を準備する第１工程と、前記第１工程の後に前記導電性部材を電着又は静電塗装により反射部材で被覆する第２工程と、前記第２工程の後に前記導電性部材の少なくとも一部を絶縁化して絶縁性部材とする第３工程と、前記基板を切断して個片化する第４工程と、を有し、前記導電性部材が、前記個片化された基板の端部から離間して配置されることを特徴とする。

本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、絶縁耐圧を確保しつつ、発光装置の所望の箇所に効率よく反射部材を被覆することが可能となり、発光素子からの光を効率よく外部に取り出すことができる。

本発明の実施形態に係る発光装置の工程図であって、第１工程を示している。 本発明の実施形態に係る発光装置の工程図であって、第２工程を示している。 本発明の実施形態に係る発光装置の工程図であって、第３工程を示している。 本発明の実施形態に係る発光装置の工程図であって、第４工程を示している。 本発明の実施形態に係る発光装置の斜視図である。 第１工程で準備される基板１０の集合体の正面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の工程図であって、第１工程を示している。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の工程図であって、絶縁膜形成工程を示している。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の工程図であって、導電性部材形成工程を示している。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の工程図であって、第２工程を示している。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の工程図であって、反射部材洗浄工程を示している。

本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の形成方法を例示するものであって、本発明は発光装置の形成方法を以下に限定するものではない。

また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。

本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、表面に導電性部材を有する絶縁性の基板を準備する第１工程と、導電性部材を電着又は静電塗装により反射部材で被覆する第２工程と、導電性部材の少なくとも一部を絶縁化して絶縁性部材とする第３工程と、基板を切断して個片化する第４工程と、を有し、前記導電性部材が、前記個片化された基板の端部から離間して配置されることを特徴とする。

［実施形態］
以下、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の各工程について詳述する。

（第１工程）
第１工程は、導電性部材を有する絶縁性の基板１０を準備する工程である。基板１０はその上に発光素子３０が載置される部材である。図１乃至図６では平面形状であるが、キャビティーと称されるような凹部等を有してもよい。なお、基板１０は、第４工程で分割されるまでは集合体となっており、分割することで個々の発光装置とされる。これにより、複数の基板に一括で反射部材を堆積させることが可能となる。

基板１０の材料としては、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス（ＨＴＣＣ、ＬＴＣＣ）などの絶縁性の基板が好適に利用できる。なかでも、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられ、これらのセラミックス材料に、例えば、ＢＴレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせても良い。

基板１０は、その表面に導電性部材を有する。本実施形態では、導電性部材は、端子部（２０ａ）と、実装部（２０ｂ）と、接続部（２０ｃ）とを備えており、後の第３工程では、接続部（２０ｃ）が絶縁化される。
端子部２０ａは、外部と発光素子とを電気的に接続し、発光素子３０に外部からの電流（電力）を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極、またはその一部としての役割を担うものである。本実施形態では、端子部２０ａは正負対の電極パターンを有しており、これら正負対の電極パターンが基板１０上に離間して設けられている。
実装部２０ｂは、後の工程で発光素子が実装され、その後、反射部材で被覆される部材である。本実施形態では端子部２０ａと実装部２０ｂは連続して設けられているが、端子部と実装部とは離間して設けても良い。端子部と実装部が離間して設けられる場合は、ワイヤ等を用いて電気的に接続させることができる。

本実施の形態では、後の第３工程で、接続部２０ｃが絶縁化され、端子部２０ａと実装部２０ｂは絶縁化されない。そのため、端子部２０ａと実装部２０ｂは、個々の発光装置ごとに個片化した際に、基板の端部から離間した位置に設けられる。これにより、個々の発光装置とした際に、基板の端部に導電性部材が配置されないため、発光装置の絶縁耐圧を確保することができる。
ここで、本実施形態における端子部２０ａと実装部２０ｂのように、後に絶縁化されない導電性部材を基板表面に設けられる際には、その形成位置を基板端部から離間させることが肝要である。具体的には、基板表面に設けられる、後に絶縁化されない導電性部材の位置を、基板の厚みとを合わせた値が１．５ｍｍ以上、より好ましくは２ｍｍ以上となるよう基板端部から離間させることである。これにより、ＪＩＳをはじめとする各種の規格で求められている絶縁耐圧を確保することができる。
本実施形態における発光装置１００（図５）では、基板１０の厚みが１ｍｍ、基板表面に形成されている導電性部材（端子部）が、表面端部から１ｍｍ離間して形成されている。基板１０の表面端部、側面および裏面には、導電性部材や電着のための配線が露出していないため、発光装置１００は、十分な絶縁耐圧が確保されていることになる。

端子部２０ａ及び実装部２０ｂは、基板１０として用いられる材料によって当該分野で公知のものを適宜選択することができる。例えば、基板１０の材料としてセラミックスを用いる場合は、タングステン、モリブデンのようにセラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料を用いるのが好ましい。
さらにその上に金属膜を単層又は多層で形成してもよい。例えば、銀、銅、金、アルミニウム、ロジウム等を単体又は合金で用いても良い。好ましくは、化学的に安定した金を単体で用いることである。また、金属膜の膜厚は、０．０５μｍ〜５０μｍ程度であることが好ましく、多層膜である場合は、層全体の厚さをこの範囲内とするのが好ましい。
なお、本実施形態では、実装部２０ｂは、後の工程で反射部材４０により被覆されるため、反射性に優れる材料を用いなくても、光取り出し効率の低下は抑制される。

接続部２０ｃは、実装部に反射部材を一括して形成するための部材であり、後の第３工程で絶縁化される部材である。
接続部２０ｃは、基板１０の集合体において、複数の実装部２０ｂを電気的に接続する部材である。つまり、接続部２０ｃは、基板１０の集合体において、隣接する基板の実装部まで連続して形成されるため、個々の発光装置ごとに個片化した際には、基板の端部に配置されることになる。
図６に示すように、基板１０の集合体の表面に設けられた複数の実装部２０ｂは、接続部２０ｃにより電気的に接続した状態で形成される。このような構成によれば、後の反射部材被覆工程において、反射部材を複数の基板に一括して堆積させることが可能となる。

接続部２０ｃは、金属膜であることが好ましい。一般的に金属は酸化することにより抵抗値が上がる傾向にある。接続部を薄い金属膜で形成することにより、後の工程で酸化して絶縁性部材とすることができる。

（第２工程）
第２工程は、導電性部材を電着又は静電塗装により反射部材で被覆する工程である。
反射部材は電着又は静電塗装により形成することができる。これらの方法を用いることにより、基板１０を集合体の状態のまま効率よく反射部材４０を被覆させることができる。

反射部材は絶縁性部材であることが好ましい。反射部材を絶縁性部材とすることにより、基板の端部に配置される接続部を反射部材で被覆しても、発光装置の絶縁耐圧が確保される。反射部材として金属等の導電性膜を用いる場合は、例えば接続部にマスクを配置して基板の端部に反射部材が配置されないようにすることで、発光装置の絶縁耐圧を確保することができる。

ここでは、電着法により反射部材を導電性部材に被覆させる方法について説明する。基板上の導電性部材に、反射部材の帯電と異なる極性の電圧を印加し、電気泳動により反射部材を導電性部材に堆積させる。ここで堆積された反射部材の厚みは堆積条件や時間により適宜調整することができるが、光取り出し効率のためには、少なくとも１０μｍ以上の厚みであることが好ましい。

本実施形態において、反射部材４０は、白色のフィラーであることが好ましく、また、主として無機化合物を用いることが好ましい。ここでの白色とは、フィラー自体が透明であった場合でも、フィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見えるものも含む。具体的には、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＭｇＯ、ＳｒＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴａＯ_２、ＨｆＯ、ＳｅＯ、Ｙ_２Ｏ_３等の酸化物や、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ等の窒化物、ＭｇＦ_２等のフッ化物が挙げられ、これらの材料の１種類以上を含むことが好ましい。これらは単独で用いても良いし、または混合して用いてもよい。あるいは積層させてもよい。フィラーとしては、粒径が１ｎｍ〜１０μｍ程度の範囲のものを用いることが好ましい。さらに好ましくは１００ｎｍ〜５μｍ程度である。これにより、光を良好に散乱させることができる。
また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよいが、特に電気泳動での堆積を考慮すると、ほぼ球形の粒子状とすることが好ましい。

なお、本実施形態のように、端子部と実装部が連続して形成されている場合には、端子部とされる部分にマスクを配置し、反射部材を形成した後にエッチング処理を施すなどして、端子部を反射部材から露出させることができる。

（第３工程）
第３工程は、導電性部材の少なくとも一部を絶縁化して絶縁性部材とする工程である。本実施形態では、導電性部材は、端子部２０ａと、実装部２０ｂと、接続部２０ｃとを備えており、第３工程では接続部２０ｃが絶縁化される。導電性部材を絶縁化する方法は特に限定されないが、ここでは金属膜を酸化する方法について説明する。

接続部２０ｃは、金属膜であることが好ましい。金属膜で形成された接続部は、酸化することにより絶縁性部材とすることができる。
導電性を有し、後に絶縁化が可能な材料としては、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｉｎから選択された少なくとも一種を含む金属材料を挙げることができるが、なかでもＡｌを単独で用いることが好ましい。Ａｌは高温、高湿下に一定時間晒すことで酸化でき、Ａｌ_２Ｏ_３とすることができる。Ａｌ_２Ｏ_３は電気絶縁性が高いため、Ａｌ_２Ｏ_３膜が個片化後の発光装置の基板端部に配置されたとしても、発光装置の絶縁耐圧は確保される。この場合、Ａｌ（アルミニウム）膜の膜厚は、０．１μｍ以下であることが好ましい。

なお、第３工程では、接続部２０ｃのみに限らず、実装部２０ｂを絶縁化することもできる。発光素子と端子部２０ａとの電気的接続が確保されていれば、第３工程で実装部２０ｂは絶縁化されてもよい。この場合、実装部２０ｂと接続部２０ｃとが同じ金属膜で形成されていると、第３工程にて同時に絶縁化することができる。しかし、個片化後に個々の発光装置の電極となる端子部２０ａは第３工程で絶縁化されないように、端子部２０ａと接続部２０ｃとは別の材料で形成されていることが好ましい。

（第４工程）
第４工程は、基板を個片化する工程である。本実施形態では、個片化後の発光装置の端部から導電性部材が離間するように、接続部２０ｃを含む位置で基板を切断して個片化する。基板を個片化する方法としては、ブレードによるダイシング、レーザ光によるダイシング等種々の方法を用いることができる。
ここで、第４工程は、必ずしも第３工程の後に行う必要はない。本実施形態のように接続部にアルミニウム膜を用いた場合、高温・高湿・高圧条件下にて、アルミニウムを絶縁化することができるため、基板が集合状態でも、個片状態でも、同条件にて絶縁化することができる。
しかし、第３工程の前に第４工程を行う場合、接続部が酸化されていないアルミニウム膜の状態だと、アルミニウムのような柔らかい金属は、切断時に伸びてバリとなってしまうことがある。このため、第４工程は第３工程の後に行うことが好ましい。
また、量産性の観点からも、個片化後に絶縁化するより、集合基板の状態で絶縁化することが好ましい。
個片化時に、絶縁性部材を含む位置で切断し、導電性部材が個々の発光装置の端部に配置されないようにすることで、発光装置の絶縁耐圧を確保することができる。

（発光素子載置工程）
本実施形態では、第２工程の前に、実装部に発光素子を載置する工程を含む。
本実施形態において、発光素子３０は電極形成面を実装部２０ｂに面するように位置させて、電極形成面の裏面側を主光取り出し面として、後述する接合部材を介してフリップチップ実装されている。発光素子をフリップチップ実装することにより、電極の接続にワイヤが不要となり、ワイヤによる光吸収が防止され、発光した光を効率よく取り出すことができる。ただ、この構成に限らず基体への実装面側と反対側の電極形成面側を主光取り出し面としたフェイスアップ実装型とすることもできる。

なお、発光素子の個数は、特に限定されず、単数個または複数個用いても構わない。発光素子を複数個用いた発光装置を点光源としたい場合には隣り合う発光素子同士の距離を近づけ、光源（発光素子）をなるべく一箇所に集中させて配置することが好ましい。また発光素子を複数個用いた発光装置を、面状の光源としたい場合には、隣り合う発光素子間の距離を適宜離し、均等に光が取り出せるようにすることが好ましい。

本実施形態において、発光素子３０として、発光ダイオードを用いるのが好ましく、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０ｎｍ〜４９０ｎｍの光）や緑色（波長４９０ｎｍ〜５６０ｎｍの光）の発光素子を用いる場合には、ＺｎＳｅ、窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰを用いることができる。

接合部材は、発光素子３０を導電性部材（実装部）２０ｂに電気的に接続するものであり、また、発光素子３０を基板１０に接着させる部材である。この接合部材には導電性の材料を用いる。具体的な材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、などの導電性ペースト、Ａｕ含有合金、Ａｇ含有合金、Ｐｄ含有合金、Ｉｎ含有合金、Ｐｂ−Ｐｄ含有合金、Ａｕ−Ｇａ含有合金、Ａｕ−Ｓｎ含有合金、Ｓｎ含有合金、Ａｕ−Ｇｅ含有合金、Ａｕ−Ｓｉ含有合金、Ａｌ含有合金、Ｃｕ−Ｉｎ含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。また接合部材としては、液状、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状）のものを用いることができ、組成や基板１０の形状等に応じて適宜選択することができる。またこれらの接合部材は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種類のものを組み合わせてもよい。

なお、例えば、発光素子をフェイスアップ実装して用いる場合には、ワイヤを用いて端子部と電気的に接続させることができる。この際、接合部材は導電性の材料である必要は無く、エポキシやシリコーン等の樹脂を適宜選択することができる。

本実施形態の発光装置の製造方法は、さらに以下の工程を備えることができる。

（樹脂枠形成工程）
樹脂枠形成工程は、基板１０上に樹脂枠６０を形成する工程である。樹脂枠形成工程は、第３工程の後に設けることが好ましい。
樹脂枠６０は、実装部２０ｂを囲み、その内側に発光素子３０を配置させ、発光素子３０を封止する封止部材５０を堰き止めるための枠体として用いることができる。
樹脂枠６０は、発光素子３０から出射された光を反射させることが可能である。樹脂枠６０は、実装部２０ｂに保護素子およびこれらに接続されるワイヤが配置される場合には、これらを覆うように形成される。そのため、光を吸収しやすいＡｕやＳｉ半導体を用いる場合であっても、発光素子３０から出射された光が保護素子およびワイヤには到達せずに、樹脂枠６０によって反射される。したがって、発光装置１００の光の取り出し効率を向上させることができる。

樹脂枠の材料としては、絶縁材料を用いることが好ましい。また、ある程度の強度を確保するために、例えば熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。より具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジンやＰＰＡやシリコーン樹脂などが挙げられる。また、これらの母体となる樹脂に、発光素子３０からの光を吸収しにくく、かつ、母体となる樹脂に対する屈折率差の大きい反射部材（例えばＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ）等の粉末を分散することで、効率よく光を反射させることができる。なお、樹脂枠のサイズは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。

（封止部材形成工程）
樹脂枠形成工程の後に、発光素子３０と反射部材４０の表面を封止する封止部材を形成する工程を設けることができる。封止部材は、基板１０に載置された発光素子３０や反射部材４０等を、塵芥、水分、外力等から保護する部材である。封止部材の材料は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、変性シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ガラス等を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散材、フィラー等を含有させることができる。封止部材が高い屈折率を持つことにより、発光素子３０からの光取り出し量を多くすることができる。封止部材は１種で単層に形成してもよいし、２種以上の部材が混合された単層を形成してもよいし、単層を２層以上積層してもよい。２層以上積層する場合には、樹脂枠も２段以上形成してもよい。なお、透光性部材にレンズ機能を持たせてもよい。例えば封止部材の表面を盛り上がらせて凸レンズ形状としてもよい。

封止部材の形成方法としては、樹脂を滴下して硬化させるポッティング法や、圧縮成形、射出成形、印刷など、当該分野で発光素子を封止する際に用いられる公知の方法によって形成することができる。

また本実施形態の発光装置の製造方法において、前記封止部材に蛍光体及び／又は拡散材等を含有させることができる。
蛍光体としては、当該分野で公知のものを使用することができる。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光（例えば白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。特に、青色発光素子に組み合わせて白色発光させる蛍光体としては、青色で励起されて黄色のブロードな発光を示す蛍光体を用いることが好ましい。

蛍光体は、複数の種類の蛍光体を組み合わせて用いても良い。例えば、Ｓｉ_６−ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８−Ｚ：Ｅｕ、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｚｎ：Ｃｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃ_ｌ２：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｓｒ，Ｃａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＢ_ｘＮ_３＋ｘ：Ｅｕ、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ及びＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕなどの蛍光体を所望の色調に適した組み合わせや配合比で用いて、演色性や色再現性を調整することもできる。

拡散剤としては、例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カーボンブラック、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。

（蛍光体層形成工程）
本実施形態の発光装置の製造方法において、蛍光体は封止部材に含有させるのみに限らず、蛍光体層形成工程を封止部材形成工程と別に設けることができる。
蛍光体層形成工程は、封止部材形成工程の前に、発光素子３０の表面に蛍光体を含む蛍光体層を形成する工程である。

蛍光体層を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スプレー法、電着法、静電塗装法を用いることができる。あるいは樹脂に蛍光体を分散させた材料から成る蛍光体シートを作成し、接着剤等を用いて発光素子に接着しても良い。蛍光体としては、上述したように、当該分野で公知のものを使用することができる。

（保護素子載置工程）
本実施形態の発光装置の製造方法において、必要に応じて保護素子を備える工程を設けてもよい。保護素子は、例えばツェナーダイオード等である。保護素子の載置は反射部材被覆工程の前に行い、保護素子と導電性部材とを電気的に接続することが好ましい。また保護素子と導電性部材とを接続する際に、ワイヤを用いてもよい。
（

（反射部材洗浄工程）
本実施形態の発光装置の製造方法において、封止部材形成工程の後に反射部材洗浄工程を設けることができる。反射部材洗浄工程は、封止部材から露出する反射部材を除去する工程である。例えば、第３工程の後に絶縁性部材（接続部）２０ｄを被覆する反射部材を除去する工程である。
反射部材洗浄工程は、第４工程後に設けてもよいが、第４工程前に設けることが好ましい。第４工程前に反射部材洗浄工程を設けることで、基板の切断時に反射部材を切断しないため、切断時に反射部材が剥がれて、基板の切断面等に付着することがなく好ましい。

（その他の工程）
さらに、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法において、各工程に影響を与えない範囲において、各工程の間あるいは前後に、前記した工程以外の工程を含めてもよい。例えば基板を洗浄する基板洗浄工程や、ごみ等の不要物を除去する不要物除去工程や、発光素子や保護素子の載置位置を調整する載置位置調整工程、等、他の工程を含めてもよい。

［第２実施形態］
以下、第２実施形態について説明する。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法は、第１工程と第２工程との間に、絶縁膜形成工程と、導電性部材形成工程とを備える点以外は上述した実施形態と同様にして行うことができる。具体的には以下のとおりである。

（第１工程）
表面に導電性部材を有する絶縁性の基板１１を準備する。
基板１１は、表面に導電性部材を有する。導電性部材は、端子部２１ａと実装部２１ｂを備える。端子部２１ａと実装部２１ｂは後の第３工程では絶縁化されない。
（絶縁膜形成工程）
絶縁膜形成工程は、基板１１上に絶縁膜７０を形成する工程である。絶縁膜７０は、基板１１の上面を被覆する。端子部２１ａと実装部２１ｂの少なくとも一部が絶縁膜から露出するように被覆される。少なくとも一部とは、具体的には、実装部２１ｂにおいて、発光素子と直接接合される領域、端子部２１ａにおいて、後に外部接続端子として外部から電力を供給するための領域のことである。
（導電部材形成工程）
導電性部材形成工程は、絶縁膜上に接続部２１ｃを形成する工程である。接続部２１ｃ上には、後の第２工程にて、反射部材が形成される。
（第２工程）
導電部材形成工程で形成された導電性部材（接続部２１ｃ）を電着又は静電塗装により反射部材で被覆する。
（第３工程）
第２工程の後に導電性部材（接続部２１ｃ）部を絶縁化して絶縁性部材とする。
（第４工程）
基板を切断して個片化する。

第２実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、後に絶縁化される接続部２１ｃと、端子部２１ａおよび実装部２１ｂとを離間して配置することが可能となる。つまり、絶縁膜を介することにより、接続部と端子部と、接続部と実装部と、をオーバーラップするように、立体的に重なる配置とすることが可能となる。これにより、所望の部位に反射部材を形成しやすくなる。さらに、接続部２１ｃと端子部２１ａが離間しているため、第３工程にて導電性部材を絶縁化しなくても、集合基板の状態で個々の発光装置を点灯させることが可能となる。これにより、封止部材形成工程後直ちに発光装置の輝度、色度等の正否についての試験を行うことが可能となり、発光装置の歩留まりを改善することができる。

第２実施形態に係る発光装置の製造方法においても、さらに、上述した発光素子載置工程、樹脂枠形成工程、封止部材形成工程、蛍光体層形成工程、保護素子載置工程、反射部材洗浄工程等の工程を備えることが可能である。

本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等種々の発光装置の製造方法に使用することができる。

１０ 基板
２０ａ 導電性部材（端子部）
２０ｂ 導電性部材（実装部）
２０ｃ 導電性部材（接続部）
２０ｄ 絶縁性部材（接続部）
３０ 発光素子
３１ 保護素子
４０ 反射部材
５０ 封止部材
６０ 樹脂枠
７０ 絶縁膜
１００ 発光装置

Claims (9)

1. 表面に導電性部材を有する絶縁性の基板を準備する第１工程と、
   前記第１工程の後に前記導電性部材を電着又は静電塗装により反射部材で被覆する第２工程と、
   前記第２工程の後に前記導電性部材の少なくとも一部を絶縁化して絶縁性部材とする第３工程と、
   前記基板を切断して個片化する第４工程と、を有し、
   前記導電性部材が、前記個片化された基板の端部から離間して配置されることを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記第４工程は、前記第３工程の後に行われる請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記導電性部材は、実装部と、接続部とを備え
   前記第２工程は、前記実装部を反射部材で被覆する工程である請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記第２工程の前に、前記実装部に発光素子を載置する工程を含む請求項３に記載の発
   光装置の製造方法。
5. 前記第３工程は、前記接続部を絶縁化する工程である請求項３または４に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記接続部は、金属膜で形成され、
   前記第３工程は、前記金属膜を酸化させる工程である請求項３乃至５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記実装部と前記接続部とが、絶縁膜を介して重なるように配置されている請求項３乃至６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記反射部材は絶縁性部材である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記第４工程の前に、反射部材洗浄工程を含む請求項８に記載の発光装置の製造方法。

Images