JP2021013025A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021013025A JP2021013025A JP2020159462A JP2020159462A JP2021013025A JP 2021013025 A JP2021013025 A JP 2021013025A JP 2020159462 A JP2020159462 A JP 2020159462A JP 2020159462 A JP2020159462 A JP 2020159462A JP 2021013025 A JP2021013025 A JP 2021013025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- substrate
- emitting device
- connection terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 183
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- -1 pulps Substances 0.000 description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007610 electrostatic coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical class C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100025490 Slit homolog 1 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710123186 Slit homolog 1 protein Proteins 0.000 description 1
- 229920002600 TPX™ Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012765 fibrous filler Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
提案されている(例えば、特許文献1)。この発光装置は、トップビュー型の実装形態で
の発光装置であり、その用途によっては、発光装置自体の厚みが薄く、非常に有効に利用
することができる。また、この発光装置は、パッケージに利用されているリード電極上に
突起部を形成することにより、量産効率を向上させて、より一層の薄型化を実現している
。
一方、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、サイドビュー型の発光装置
が使用されている。
サイドビュー型の発光装置は、その実装形態が、上述したトップビュー型とは異なるた
めに、実装の安定性、配光状態などにおいて、トップビュー型をそのまま適用することが
できない種々の制約がある。
パッケージ自体の占有空間を最小限にするために、基体の平坦化及び縮小化が進められて
いる。そのために、端子として利用される金属部材が、板状のリード電極から基体自体に
直接極薄膜状に成膜された金属膜に移行している。このような金属膜をパッケージに利用
してもなお、特にサイドビュー型の発光装置において、発光素子のパッケージへの搭載、
発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定的かつ高精度
に搭載又は実装し得るものが求められている。
また、より小型のチップによって、さらなる高出力又は高輝度等が求められる状況下、
より一層の光取り出し効率の向上を実現する必要がある。
、発光素子のパッケージへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発
生することなく、安定的かつ高精度に搭載又は実装し得る発光装置を提供することを目的
とする。
少なくとも第1主面上に一対の接続端子を備える基体と、
前記接続端子と溶融性部材によって接続された発光素子と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置であって、
前記接続端子は、前記第1主面上において、前記発光素子と接続される部位が前記接続
端子から突出した凸部を備えており、
該凸部及び前記溶融性部材は、前記光反射性部材に埋め込まれている発光装置である。
また、本発明は、
少なくとも第1主面上に凸部を有する一対の接続端子を備える基体を準備し、
基板上に半導体積層体を有し、かつ半導体積層体の同一面側に一対の電極を有する発光
素子を、前記基体の第1主面上の凸部に載置し、溶融性部材によって前記発光素子の一対
の電極と一対の接続端子とをそれぞれ接続し、
該接続端子の凸部及び前記溶融性部材の表面ならびに前記基体と前記発光素子との間を
光反射性部材で埋め込む工程を備える発光装置の製造方法である。
ジへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定
的かつ高精度に搭載又は実装が実現される。
本発明の発光装置の製造方法によれば、上述した発光装置を簡便かつ確実に製造するこ
とができる。
る発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない
限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明す
る内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していること
がある。
備える。この発光装置は、どのような実装形態に利用されるものでもよいが、サイドビュ
ー型、いわゆる側面発光型と称される実装形態で実装される発光装置、つまり、光取り出
し面に隣接する面を実装面とするものであることが好ましい。
る面を側面と称し、側面のうちの1つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光
装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第
1主面(つまり、上面)と、第1主面の反対側の面を第2主面(つまり、下面)と、第1
主面と第2主面に隣接又は交差する面(つまり、発光装置の側面に対応する面)を端面と
称することがある。
基体は、少なくとも第1主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。これら接続端
子は、通常、母材の少なくとも第1主面に形成されている。ここでの第1主面とは、基体
又は母材の一方の表面を指す。
基体の形状は特に限定されないが、通常、後述する母材の形状に相当する形状となる。
例えば、少なくとも第1主面が、長手方向に長いことが好ましく、さらに、長手方向に直
交する短手方向を備えることがより好ましい。
母材は、どのような材料によって形成されていてもよい。例えば、金属、セラミック、
樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料、あるいはこれら材料と導電材
料(例えば、金属、カーボン等)との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、
ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げら
れる。樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂、ポリイミ
ド樹脂等が挙げられる。樹脂には、酸化チタンなどの白色顔料が含有されていてもよい。
なかでも、セラミック、複合樹脂であることが好ましい。
母材がこのような材料によって形成される場合には、公知の製造技術を適用することで
安価に調達することができる。
ニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられ、放熱性の高
い窒化アルミ等を用いることが好ましい。複合樹脂は、ガラスエポキシ樹脂を用いること
が好ましい。なお、母材は適度の強度を確保したものであってもよいし、いわゆるフレキ
シブル性を有するものであってもよい。
適宜設定することができる。その第1主面の(平面)形状は、例えば、円形、四角形等の
多角形又はこれらに近い形状が挙げられ、なかでも長方形が好ましい。大きさは、後述す
る発光素子よりも大きい平面積であることが好ましく、特に、発光素子の一辺の2〜5倍
程度の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、50〜300μm程度が挙げられる。
一対の接続端子は、基体の少なくとも第1主面上に形成されていればよい。
例えば、接続端子は、第1主面から、第1主面と第2主面との間に存在する面(つまり
、端面)の上に延長して設けられているか、第1主面から、第1主面と第2主面との間に
存在する端面の上を通って、さらに、第2主面上に延長して(例えば、断面視、U字状に
)設けられていることが好ましい(図2の接続端子3、図8Cの接続端子43等参照)。
ここで端面とは、第1主面と第2主面との間に存在する1つの端面の一部又は全部を意味
するが、第1主面と第2主面との間に存在する特定の端面の一部又は全部に加えて、この
特定の端面に隣接する1つ又は2つの端面の一部を含んでいてもよい。
面から突出した凸部を備えている。以下、この部位を「素子接続部」ということがある。
凸部の形状、高さ、大きさ等は特に限定されるものではなく、基体の大きさ、接続端子
の厚み、発光素子の大きさ等によって適宜調整することができる。
凸部は、例えば、後述する発光素子に形成されている一対の電極のそれぞれに対応する
形状、大きさ及び位置に配置されていることが好ましい。また、凸部の平面形状は、円、
楕円又は環、三角形又は四角形等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状、X、L
、E、V字状等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状等が挙げられる。なかでも
、凸部の平面視における外形の少なくとも一部が発光素子の電極の外形と一致する形状で
あることが好ましい。これによって、後述するように、セルフアライメント効果で実装性
を向上させることができる。また、X形状等のように多角形の辺の一部(例えば、中央部
)が内側に凹んだ形状が好ましい。凹んだ部分において溶融性部材を貯めやすく、発光素
子の実装を安定させることができる。
凸部の側面における傾斜は垂直に近いほうが好ましい。これにより、その上に載置する
発光素子が移動しにくくなり、発光素子の実装を安定させることができる。
、互いに離間している。従って、凸部は、接続端子の縁部に隣接して又は縁部から離間し
て、一部隣接して又は一部離間して配置することができる。なかでも、凸部の全縁部が、
接続端子の縁部から離間してその内側に配置されていることが好ましい(例えば、図3の
凸部3a、図5Aの凸部13a、図8E及び図9Eの凸部43a参照)。このような凸部
の配置により、発光素子の実装時において、後述する溶融状態の溶融性部材が凸部上から
流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の接続端子の短絡、意図しない領域へ
の溶融性部材の浸入を防止することができる。よって、意図する部位に正確に発光素子を
固定することができる。また、発光素子の実装のための溶融性部材等又はこれらに含まれ
るフラックスなどが、接続端子表面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子
下にまで浸入することを抑制することができる。
出していればよく、最も薄膜の部位の厚みの10%以上、20%以上、30%以上、40
%以上、50%以上、100%以上であることが好ましい。言い換えると、接続端子は、
通常、第1主面における最も薄膜部分の厚みが10〜40μm程度である場合、凸部の厚
みは1〜40μm程度が挙げられる。
Cu、Al、Ag等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することが
できる。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、発光装置の実装に用
いられる半田との接合性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点にお
いては銅又は銅合金が好ましい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジ
ウム又はこれらの合金などの光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、
具体的には、W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Auなどの
積層構造が挙げられる。
接続端子は、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい(図8B及び図9Bの接続
端子43、図8C及び図9Cの凸部43a参照)。
ッタリング法、メッキ等によって形成することができる。なかでも、メッキを利用するこ
とが好ましい。特に、凸部は、少なくとも第1主面上に、上述した金属又は合金の単層膜
又は積層膜を形成した後、マスクを利用して、その単層膜又は積層膜の上に金属又は合金
の単層膜又は積層膜をさらに積層することにより形成することができる。また、凸部は、
基体表面メッキ等で厚膜を形成した後、エッチングで凸部以外の部分を除去して形成する
ことができる。この方法によれば、凸部の側面の傾斜を垂直に近づけ易い。また、複合基
板を用いる場合でも、メッキの厚み(凸部の高さ)のばらつきを少なくすることができる
ため、量産性を向上させることができる。接続端子の厚みは、数μmから数百μmが挙げ
られる。
が好ましい。言い換えると、接続端子の端面の一部と基体の端面の一部とが同一面を形成
するように形成することが好ましい。これにより、発光装置の実装性を向上させることが
できる。ここで同一面とは、段差がない又はほとんどないことを意味し、数μmから数十
μm程度の凹凸は許容されることを意味する。本願明細書において以下同じである。
発光装置の外部と接続される外部接続部とを有することが好ましい。特に、外部接続部は
、基体の第1主面に加えて、さらに基体の第2主面上に延長していることがより好ましい
。通常、素子接続部は第1主面上に配置され、外部接続部は、第1主面上、第1主面及び
端面上又は第1主面、端面及び第2主面上に配置される。
例えば、基体の短手方向の長さ)でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されてい
てもよい。あるいは、基体の第1主面及び/又は第2主面において、幅狭となるように、
接続端子の一部が絶縁材料(例えば、母材等)により被覆されていてもよい。このような
幅狭部位は、基体の少なくとも第1主面上に配置されることが好ましく(図3の接続端子
3参照)、第1主面及び第2主面上の双方に配置されていてもよい(図8D及び図8Fの
接続端子43参照)。特に、幅狭部位は、基体の第1主面上では、後述する光反射性部材
の近傍において配置されることがより好ましい。幅狭部位を配置することにより、接続端
子に接続される、後述するような半田等又はこれらに含まれるフラックスなどが、端子表
面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子下にまで浸入することを抑制する
ことができる。
かに幅狭になることが好ましい(例えば、図8Eの接続端子43参照)。
通らず、母材に設けられたスルーホールを経て延長していてもよい。
シンク、補強部材等を有していてもよい(例えば、図8B及び図9Bの補強端子43c参
照)。これらは、第1主面、第2主面、端面のいずれに配置されていてもよく、特に、発
光素子及び/又は光反射性部材の下方に配置されていることが好ましい。これにより、発
光装置の強度を高め、信頼性を高めることができる。また、光反射性部材が金型を用いて
成形される場合には、基体のゆがみが低減され、光反射性部材の成形性を向上させること
ができる。
放熱用の端子又は補強端子が接続端子の間に設けられる場合、ソルダーレジスト等の絶
縁性の膜で被覆されていること又はそれぞれの端子の間に絶縁性の膜が設けられているこ
とが好ましい。これにより、接続端子間と放熱用の端子または補強端子との溶融性部材の
ブリッジを防止することができる。
接続するさらなる接続端子を1以上備えていてもよい。この場合、1つの基体に実装され
る発光素子の数、その配列、接続形態(並列及び直列)等によって、接続端子の形状及び
位置等を適宜設定することができる(図6の端子25参照)。この接続端子は、発光素子
と接続する部位において、上述した凸部を備える。
1主面及び凸部の表面は、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置する
ことができるように、基体の第1主面に水平であることが好ましい。
等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一
部に備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途
部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧
等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第1主面において、第1主面上の接続端
子と接続されている。
1つの発光装置に搭載される発光素子は1つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大
きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、
その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。また、複数
の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。
n型半導体層)、発光層、第2半導体層(例えば、p型半導体層)がこの順に積層され、
同一面側(例えば、第2半導体層側の面)に、第1半導体層に電気的に接続される第1電
極と、第2半導体層に電気的に接続される第2電極との双方を有する。半導体積層体は、
通常、半導体層の成長用の基板上に積層されるが、発光素子としては、成長用の基板を伴
っていてもよいし、基板が除去されたものでもよい。
例えば、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体が挙げ
られる。具体的には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等
の窒化物系の半導体材料が挙げられ、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN
、InGaAlN等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知の
ものを利用することができる。
ものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア(Al2O3)、スピネ
ル(MgA12O4)のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられ
る。半導体層の成長用の基板として、サファイア基板のような透光性を有する基板を用い
ることにより、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。
基板は、表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、C面、A面等
の所定の結晶面に対して0〜10°程度のオフ角を有するものであってもよい。
基板は、第1半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層
等を有していてもよい。
ザ光(例えば、KrFエキシマレーザ)を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を
生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリフトオフ法等を利用して除去すること
ができる。ただし、成長用の基板は、半導体層から完全に除去されたものに加えて、半導
体層の端部又は隅部に若干の基板が残存したものであってもよい。成長用の基板の除去は
、発光素子が基体に実装された前後のいずれに行ってもよい。
小型化を実現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層を除去す
ることにより、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することができる。
よって、より発光効率を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可
能となる。
に近似する形状が好ましい。半導体積層体の大きさは、発光装置の大きさによって、その
上限を適宜調整することができる。具体的には、半導体積層体の一辺の長さが、数百μm
から10mm程度が挙げられる。
第1電極及び第2電極は、半導体積層体の同一面側(基板が存在する場合にはその反対
側の面)に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素
子の第1電極と第2電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。
Ti等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体
的には、半導体層側からTi/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/P
t/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等のように積層された積層膜が挙げられる。膜
厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。
発光層から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら
電極の一部として配置されることが好ましい。
反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムを有する層が挙げられる。銀
合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いてもよい。この材料層の厚みは、特
に限定されるものではなく、発光素子から出射される光を効果的に反射することができる
厚み、例えば、20nm〜1μm程度が挙げられる。この材料層の第1半導体層又は第2
半導体層との接触面積は大きいほど好ましい。
表面(好ましくは、上面及び端面)を被覆する被覆層を形成することが好ましい。
このような被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によっ
て形成されるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属を含有す
る単層又は積層層が挙げられる。なかでも、AlCuを用いることが好ましい。被覆層の
厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百nm〜数μm程度が挙げ
られる。
ている限り、電極の全面が半導体層に接触されていなくてもよいし、第1電極の一部が第
1半導体層の上に及び/又は第2電極の一部が第2半導体層の上に位置していなくてもよ
い。つまり、例えば、絶縁膜等を介して、第1電極が第2半導体層上に配置されていても
よいし、第2電極が第1半導体層上に配置されていてもよい。これにより、第1電極また
は第2電極の形状を容易に変更することができるため、一対の接続端子に容易に実装する
ことができる。
単層膜及び積層膜のいずれでもよい。絶縁膜等を用いることにより、第1電極及び第2電
極は、第1半導体層及び/又は第2半導体層の平面積にかかわらず、任意の大きさ及び位
置に設定することができる。
の形状等によって設定することができる。第1電極、第2電極及び接続端子(特に、凸部
)は、それぞれが平面視四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい。これにより、
セルフアライメント効果により、半導体積層体と基体との接合及び位置合わせを容易に行
うことができる。この場合、少なくとも、基体と接続される半導体積層体の最表面におい
て、第1電極及び第2電極の平面形状が略同じであることが好ましい。また、半導体積層
体の中央部分を挟んで、第1電極及び第2電極がそれぞれ対向するように配置されている
ことが好ましい。
よいが、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体の第2主面(第
1主面と反対側の面)から第1電極の第1主面までの高さと、半導体積層体の第2主面か
ら第2電極の第1主面までの高さとが略同じであることを意味する。ここでの略同じとは
、半導体積層体の高さの±10%程度の変動は許容される。
面に配置することにより、発光素子を基体に水平に実装することが容易となる。このよう
な第1電極及び第2電極を形成するためには、例えば、電極上にメッキ等で金属膜を設け
、その後、平坦となるよう研磨又は切削を行うことで実現することができる。
気的な接続を阻害しない範囲で、DBR(分布ブラッグ反射器)層等を配置してもよい。
DBRは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層と
を積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異
なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させ
ることができる。材料として、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択
された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。
発光素子は、通常、第1電極及び第2電極が、溶融性部材によって上述した基体の接続
端子、特に、凸部の上、場合によってはさらに凸部側面に接合されている。このような溶
融性部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができる。溶融性部材として
は、加熱によって溶融し得る材料、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系
などの半田、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることによ
り、セルフアライメント効果によって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量
産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。
溶融性部材は、少なくとも凸部の上面を被覆している。溶融性部材は、凸部の側面の一
部又は全部、さらに凸部周辺の接続端子の第1主面を被覆してもよい。
光反射性部材は、光反射性を有し、少なくとも発光素子を被覆、固定又は封止する機能
を有する部材である。また、上述した接続端子の凸部及び溶融性部材を埋め込む部材であ
る。さらに、接続端子の凸部のうち、溶融性部材で被覆されていない部位、溶融性部材の
うち発光素子の電極と接触していない部位、発光素子のうち、基体と対向する部位であっ
て、溶融性部材と接触していない部位及びその端面の全てが、光反射性部材に接触し、被
覆されていることが好ましい。このような配置によって、発光素子から出射される光を、
基体、接続端子及び溶融性部材等によって吸収されることなく、光取り出し面側に効率的
に取り出すことが可能となる。
プ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に容易に成形す
ることができるという観点から、樹脂が好ましい。
樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹
脂組成物;エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物;ポリイミド樹
脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物;ポリフタルアミド(PPA);ポリカーボネート
樹脂;ポリフェニレンサルファイド(PPS);液晶ポリマー(LCP);ABS樹脂;
フェノール樹脂;アクリル樹脂;PBT樹脂等の樹脂が挙げられる。
しくは70%、80%又は90%以上の材料によって形成されているものが好ましい。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジ
ルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、
酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物(例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリ
ニウム)などの光反射材、光散乱材又はカーボンブラック等の着色剤等を含有させること
が好ましい。
光反射性部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン
等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料(例えば、窒化アルミ等
)を含有させてもよい。さらに、光反射性部材には、後述する蛍光体を含有させてもよい
。
これらの添加物は、例えば、光反射性部材の全重量に対して、10〜40重量%程度含
有させることが好ましい。
光反射率の高い材料を用いる(例えば、基体に窒化アルミを用いた場合に、光反射性部材
として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる)ことにより、ハンドリング性
を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率をより高めることがで
きる。
を向上させることができ、ひいては、発光装置においても強度を確保することができる。
さらに、放熱性の高い材料によって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上
させることができる。
形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台等が挙げられる。なかでも基
体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短手方向に沿った
面を有することが好ましい。
光反射性部材は、発光素子の全周囲を取り囲むよう設けられることが好ましい。また、
フリップチップ実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好まし
い。これにより、発光装置の強度を高めることができる。また、光反射性部材が発光素子
の全周囲を取り囲むように設けられる場合には、光反射性部材は、発光装置の長手方向側
において厚く、短手方向側において薄く設けられることが好ましい。これにより、発光装
置の薄型化を図ることができる。
い。光反射性部材が長手方向に細長い形状である場合、その長手方向に沿う1つの縁部は
、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。つまり、光反射性部材の長
手方向に沿った端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った端面の一方と同一面を
形成することが好ましく、長手方向に沿った端面の双方が同一面を形成することがより好
ましい。これにより、発光装置の厚みを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きく
することができ、光取出し効率を高めることができる。短手方向の縁部は、基体の短手方
向に沿う縁部よりも外側に配置されていてもよいが、通常、内側に配置されている。
発光装置がサイドビュータイプとして実装される場合には、基体及び光反射性部材の短
手方向の幅は、0.2mm〜0.4mmであることが好ましい。
発光素子の一辺の2〜5倍程度の一辺の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、例えば
、50〜300μm程度が挙げられる。
光反射性部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレ
ッションモールド等により形成することができる。
るように設けてもよいが、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等
を封止又は被覆するために、発光素子が基体に実装された後に形成することが好ましい。
発光装置の光取り出し面上には、透光性部材が設けられていることが好ましい。
透光性部材の端面は光反射性部材の端面と一致していてもよいし、透光性部材の端面は
光反射性部材で被覆されていてもよい。このような透光性部材の配置により、発光素子か
ら取り出される光を効率的に発光面に導くことができる。
、80%又は90%以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、例えば、
シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーン変成樹脂、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又は
これらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかで
もシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン
樹脂がより好ましい。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活さ
れたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系蛍光体、セリウムで賦活され
たルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)系蛍光体、ユウロピウム及び/又は
クロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al2O3−SiO2)
系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)2SiO4)系蛍光体
、βサイアロン蛍光体、KSF系蛍光体(K2SiF6:Mn)、量子ドット蛍光体等と
呼ばれる半導体の微粒子などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の
混色光(例えば白色系)を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二
次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライ
ト等に用いられる場合、発光素子から発せられた青色光によって励起され、赤色発光する
蛍光体(例えばKSF系蛍光体)と、緑色発光する蛍光体(例えばβサイアロン蛍光体)を
用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げ
ることができる。
なお、蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置及
び部材中に設けることができる。例えば、発光素子を被覆するように形成されてもよく、
蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍光体層として設けられてもよ
い。
えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、
水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、
チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カ
ーボンブラック、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げ
られる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、1.8以上が挙げられ、光
を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るために、2以上であることが好ましく、2.
5以上であることがより好ましい。なかでも、酸化チタンは、水分などに対して比較的安
定で且つ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため、好ましい。
均粒径(メジアン径)は、高い効率で光散乱効果を得られる、0.08〜10μm程度が
好ましい。
充填材は、例えば、透光性部材の重量に対して10〜60重量%程度が好ましい。
は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静
電塗布法、印刷法等が挙げられる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ(
アエロジル)などを添加してもよい。
げられる。このような厚みに設定することにより、透光性部材の端面が光反射性部材の端
面と一致していても、また光反射性部材で被覆されていても、発光素子から取り出される
光を効率的に発光面に導くことができる。
透光性部材は、配光を制御するために、その第1主面及び/又は第2主面を凸面、凹面
等の凹凸面にしてもよい。
透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着されて、発光装
置に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体
積層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材
に接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子
の実装の信頼性等を高めることができる。
本発明の発光装置には、絶縁部材が、接続端子の一部を被覆するように配置されていて
もよい。
絶縁部材は、接続端子の素子接続部と外部接続部との間に配置されていることが好まし
い。また、絶縁部材は、素子接続部から外部接続部の間で連結した領域を配置しないよう
に、素子接続部と外部接続部との間の表面領域を完全に分離するよう配置されていること
が好ましい。さらに、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の
上に配置されていることが好ましい。
これにより、後述するように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に
、溶融性部材が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを
回避することができる。溶融性部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、凸部及
びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止することができる。光反射性部
材と基体との密着性を高め、光反射性部材が剥離するおそれを低減することができる。
特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に長い形状を有する場合、光反射性
部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置され
ていることがより好ましい。これにより、基体が反る又は捩じれる場合にも、光反射性部
材の剥離するおそれを低減することができる。光反射性部材が金型を用いて成形させる場
合に、その金型と接続端子とが接触することに起因する、接続端子の損傷を防止すること
ができる。
上述したように、接続端子は、第1主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことが
あるため、絶縁部材は、その一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場
合もある。
絶縁部材は、一対の接続端子のそれぞれを被覆するよう一対設けられてもよいし、一対
の接続端子を連続して被覆してもよい。
置されていていることが好ましい。特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に
長い形状を有する場合、光反射性部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置され
るように接続端子の上に配置されていることがより好ましい。上述したように、接続端子
は、第1主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことがあるため、絶縁部材は、その
一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場合もある。
上述した光反射性部材、後述する透光性部材で例示した材料を用いることができる。なか
でも、耐熱性が高い白色のシリコーン樹脂が好ましい。
性部材の外側、つまり外部接続部にまで連続した帯状に形成されていることが好ましい。
具体的には、長手方向における絶縁部材の長さは、光反射性部材の1/10〜1/5程
度の長さが挙げられる。
接続部材の幅は、基体及び/又は光反射性部材の幅と同じであるか、それ以下であるこ
とが好ましい。
このような幅とすることにより、基体及び/又は光反射性部材の一端面と同一面を形成
でき、さらに、基体及び光反射性部材の対向する端面の双方と同一面を形成することがで
きる。
特に、接続端子に幅狭となる部位が存在する場合には、その幅狭となる部位を完全に被
覆することが好ましい。これによって、後述するように、サイドビュー型で実装基板に実
装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させる
ことを回避することができる。
法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静電塗布法等によって形成することができる。
絶縁部材の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば、10〜300μm程度が挙げ
られる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。
本実施形態の発光装置1は、図1〜図3に示すように、接続端子3を有する基体4と、
発光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
基体4は、ガラスエポキシ樹脂の直方体状の母材2の表面(第1主面である上面2a、
短手方向に延びる端面2b及び第2主面である下面2c)に、母材2側からCu/Ni/
Auが積層されて構成された一対の接続端子3が形成されて構成される。基体4は、長手
方向の長さが2.2mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.3mmの配線基板とし
て機能する。
続部として凸部3aを有する。凸部3aは、母材2側からCu/Ni/Auが積層されて
形成されている。一対の接続端子3は、それぞれ、素子接続部である凸部3aから長手方
向に延びて、母材2の上面2aから端面2bを経て下面2cに連続して形成されている。
接続端子3は、素子接続部である凸部3aから延長して母材2の下面2cに連続する部位
(断面視U字状の部位)が外部接続部3bとなる(図2参照)。
接続端子3の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致しており
、接続端子3の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一面を形成
している。
狭となる部位を有する(図3参照)。また、図示しないが、基体4の第2主面上の外部接
続部3bの一部が幅狭となる部位を有する。
発光素子5は、サファイア基板上に窒化物半導体の積層体が形成され、積層体のサファ
イア基板と反対側の表面に正負一対の電極を有する。発光素子5は、その正負一対の電極
が、基体4の一対の接続端子3の凸部3aに、それぞれ、Au−Sn共晶半田である溶融
性部材6によって接続されている。
このような接続端子の凸部3aを利用することによって、発光素子の実装時において、
溶融状態の溶融性部材が凸部上から流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の
接続端子の短絡、意図しない領域への溶融性部材の浸入を防止して、意図する部位にのみ
正確に発光素子を固定することができる。
発光素子5は、長手方向の長さが0.8mm、短手方向の幅が0.3mm、厚さが0.
1mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップである。
0.3mmの略直方体状に成形されている。つまり、光反射性部材7の長手方向に沿った
縁部は、それぞれ、基体4の長手方向に沿った縁部と一致している。
光反射性部材7は、発光素子5に接し、その端面の全周を被覆するように、基体4の第
1主面に設けられている。また、光反射性部材7は、発光素子5の基体4と対向する面側
にも設けられている。つまり、凸部3aを略完全に被覆した溶融性部材6との間に配置さ
れ、溶融性部材6の表面を略完全に被覆している。
これによって、発光素子5から上面に、効率良く光を取り出すことができる。
〜0.3μmの酸化チタンとを、それぞれ、光反射性部材7の全重量に対して、2〜2.
5wt%及び40〜50wt%で含有したシリコーン樹脂によって形成されている。
基体4上の光反射性部材7の両側では、接続端子3の幅狭の部位の一部と外部接続部が
光反射性部材7から露出されている。
光反射性部材7の長手方向に沿った縁部は、基体4の長手方向に沿った縁部に一致して
おり、光反射性部材7の長手方向に沿った端面は、基体4の長手方向に沿った端面と同一
面を形成している。
有するシリコーン樹脂のシート(厚さ0.1mm)である透光性部材10が配置されてい
る。
透光性部材10の端面は、光反射性部材7によって被覆されている。透光性部材10の
上面と、光反射性部材7の上面とは同一面を形成している。
、光反射性部材7の長手方向に沿った一対の端面とが、それぞれ同一面を形成するように
配置されている。これらの同一面を形成する一方の端面を、発光装置1の実装面として、
表面に配線パターン52を有する実装基板51上において、サイドビュー型で実装される
。
実装は、発光装置1の一対の外部接続部3bが、それぞれ、実装基板51の正極及び負
極に対応する配線パターン52上に載置され、半田54により接続される。半田54は、
U字状に屈曲した外部接続部3bにおいて、基体4の第1主面のみならず、端面及び第2
主面にわたって、小型の接続端子3との接触面積を広げて、接続されている。これによっ
て、発光装置の側面にフィレットを形成することができ、発光装置の放熱性及び実装安定
性を向上させることができる。
することにより、外部接続部3bに接続される、後述するような半田等又はこれに含まれ
るフラックスなどが、光反射性部材7下に浸入するのを抑制することができる。
方が実装基板11の表面に接している。
とにより、発光装置の十分な小型化を図ることができる。さらに、光反射性部材を発光素
子の周辺に接触して配置することにより、発光素子から放射される光のうち、横方向に出
射する光を、光反射性部材によって上方に反射させて取り出すことができ、光の利用効率
を向上させることが可能となる。
3が形成された複合基体14を用いて製造することができる。この複合基体14は、個片
化工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。
この複合基体14は、母材12において、上面から裏面に及ぶスリット15を有してい
る。複合接続端子13は、このスリット15の内壁を通って、複合基体14の母材12の
上面から下面に連続して設けられている。
図5では、18個の発光装置を得る複合基体14を表しているが、生産効率を考慮して
、より多数(数百〜数千個)の発光装置を得る複合基体14とすることができる。
平面視において略同じ形状の透光性部材10を接着し、発光素子と透光性部材の端面を被
覆するよう、複数の光反射性部材17を一括で圧縮成型により成形し、複合基体14と光
反射性部材17とを分割予定線Lに沿って一方向に切断する。これによって、スリット1
5の配置により、スリットの延長方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光
装置を得ることができる。
切断には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。
本実施形態の発光装置20は、図6に示すように、接続端子23を有する基体24と、
複数の発光素子5と、光反射性部材27とを含んで構成されている。
接続端子23は、母材22の長手方向の両側において、上面、端面及び下面に延長して
配置されている。また、母材22の上面においては、複数の発光素子5を、例えば、直列
接続し得る端子25がさらに配置されている。
基体24の一面上において、接続端子23及び端子25は、素子接続部として凸部23
aをそれぞれ有しており、この凸部23a上において発光素子5が溶融性部材6によって
接続されている。
向に配置されていてもよい。
27の長手方向に沿った端面は、基体24の長手方向に沿った端面と同一面を形成してい
る。光反射性部材27の短手方向に対向する縁部は、基体24の内側に配置されている。
その凹部又は貫通孔に光反射性部材27の一部が充填されて、光反射性部材27が基体2
4に係止されていることが好ましい。これにより、光反射性部材27と基体24との密着
性を高めて、光反射性部材27の基体24からの剥離を防止することができる。
1と同様の効果を示す。
さらに、この発光装置は、線状又はマトリクス状のサイドビュー型の発光装置として利
用することができる。従って、この発光装置は、個々のサイドビュー型の発光装置を、そ
れぞれ実装基板に実装することと比較して、実装精度を向上させることができる。また、
例えば、バックライト光源として、導光板とのアライメント性を向上させることができる
。
この実施の形態の発光装置30は、図7に示すように、実施の形態1の発光装置、つま
り、接続端子33において、素子接続部として凸部33aを備える発光装置が、そのまま
、隣接する接続端子33、特に外部接続部33bを共有する形態で結合させたように、複
数列方向又は行列方向に配列されている。つまり、隣接する発光素子5の間において、母
材32にスルーホールを設け、このスルーホールを介して、基体34の接続端子33を基
体34の下面側に引き出している。
このような構成以外は、実質的に実施の形態1の発光装置と同様の構成を有する。よっ
て、実施の形態1と同様の効果を有する。さらに、実施の形態2と同様の効果を有する。
この実施の形態の発光装置40は、図8A〜図8Gに示すように、母材42の第1主面
から端面を経て第2主面に連続して形成された接続端子43が、Cu/Ni/Auによっ
て形成されており(厚み20μm)、第1主面及び第2主面においては、さらにCuによ
る層(厚み20μm)を有しており、接続端子部としてさらにCuによる凸部43a(厚
み40μm)を有している。
なお、接続端子43は、まず、母材42の凸部43aに相当する部位にCuをメッキに
よって所定の形状に成膜し、その後、端面をマスクし、Cuによる凸部を含む第1主面及
び第2主面にCuをメッキによって形成する。さらに、端面のマスクを除去して、第1主
面、端面及び第2主面にNi/Auをメッキによって形成することにより、接続端子43
を形成することができる。
。
基体の第2主面は、一対の接続端子43の基体の中央部に近い部分から、母材42及び
補強端子43c上にわたって、絶縁性の膜8によって被覆されている。
れている。また、図8Gに示すように、接続端子43は、第2主面においても、一部が幅
狭に形成されている。
おり、半導体層の成長用の基板が除去されている。
成長用の基板の除去は、例えば、成長用の基板を有する発光素子5を一対の接続端子に
実装し、光反射性部材7を配置した後に、成長用の基板であるサファイア基板を、このサ
ファイア基板側から半導体層に、レーザ光(例えば、KrFエキシマレーザ)を照射し、
半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリ
フトオフ法を利用して行われる。
この際に、光反射性部材7によって発光素子の半導体層を被覆し、さらに、接続端子4
3の凸部43a及び溶融性部材6をともに被覆することによって、発光素子を確実に固定
することができ、レーザ光の照射による応力を吸収し、サファイア基板を半導体層から効
率的に除去することができる。
なる溶融性部材6によって接合されている。
発光素子5aの第1主面上には、透光性部材10aとして、蛍光体を含有したセラミッ
クス板が、透光性のシリコーン樹脂の接着材によって固定されている。透光性部材10a
の端面は光反射性部材7によって被覆されている。
が配置されている。絶縁部材9は、長手方向の長さが0.5mm、短手方向の幅が0.4
mm、厚さが0.02mmの略直方体状に成形されている。絶縁部材9は、光反射性部材
7の端面から長手方向に0.3mm露出している。絶縁部材9は、接続端子3の幅狭とな
る部位とその周辺を被覆している。
光反射性部材7の長手方向に対向する縁部は、絶縁部材9の上に配置されており、光反
射性部材7の長手方向に沿った縁部は、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部と一致してい
る。また、絶縁部材9の長手方向に沿った縁部は、基体の長手方向に沿った縁部に一致し
ており、絶縁部材9の長手方向に沿った端面は、基体の長手方向に沿った端面と同一面を
形成している。
絶縁部材9は、二酸化チタンを含有する白色のシリコーン樹脂によって、形成されてい
る。
このように絶縁部材を配置することにより、後述するように、発光装置をサイドビュー
型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信
頼性を低下させることを回避することができる。また、溶融性部材によって発光素子を接
続端子に接続する際に、凸部及びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止
することができる。
て、実施の形態1と同様の効果を有する。
この実施の形態の発光装置50は、図9A〜図9Eに示すように、発光素子5の上に、
透光性部材10bとして、透明のガラス板と、その表面にスプレーによって塗布された蛍
光体層10cとが配置されている。
これらの構成以外は、実質的に実施の形態4の発光装置と同様の構成を有する。よって
、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
この実施の形態の発光装置は、図10に示すように、接続端子53における凸部53a
の平面形状がX字状に形成されている以外、実質的に実施の形態4及び5の発光装置と同
様の構成を有する。よって、実施の形態1、4及び5と同様の効果を有する。
加えて、凸部形状をX字状とすることにより、平面視において凹んだ部位へ溶融性部材
が貯まりやすく、発光素子の接続をより確実かつ強固とすることができる。
この実施の形態の発光装置60は、図11に示すように、母材62の長手方向の両端近
傍にスルーホール62aを有し、接続部材63は、上面からスルーホール62aを通って
下面に延長しており、端面を被覆しないこと以外は実質的に実施形態1及び4の発光装置
と同様の構成を有する。よって、実施の形態1及び4と同様の効果を有する。
本実施形態の発光装置70は、図12A〜図12Gに示すように、母材72と、母材7
2の表面に設けられた接続端子73とを有する基体と、1つの発光素子5と、光反射性部
材7とを含んで構成されている。発光素子5は、接続端子73に設けられた2つの凸部7
3aに溶融性部材6によって接続されている。また、図12Cに示すように、基体の裏面
において、一対の接続端子73の間に絶縁性の膜78を有している。さらに、発光素子5
と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材10dを備える
。
母材72に配置される接続端子73のパターンの形状及び接続端子73の表面に形成さ
れた凸部73aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が光反射性部材7の4
つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同様の構成を有する。
よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
ここで用いた発光素子5は、長手方向の長さが1.1mm、短手方向の幅が0.2mm
、厚さが0.2mmの直方体状の青色発光(発光中心波長455nm)のLEDチップで
ある。
基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mm
の略直方体形状である。光反射性部材7は、長手方向の長さが1.2mm、短手方向の幅
が0.4mm、厚さが0.3mmの略直方体状に成形されている。
された複合基体を用いて、実施形態1と同様に製造することができる。この複合基体は、
個片化工程後に、図12D及び図12Eに示すような各発光装置の基体となるものが複数
個連なって構成されている。2つの発光素子5は接続端子83と第2の接続端子83eに
設けられた4つの凸部83aに溶融性部材6によって接合されている。
本実施形態の発光装置80は、図13A〜図13Gに示すように、母材82と、母材8
2の表面に設けられた接続端子83、第2の接続端子83eとを有する基体と、2つの発
光素子5と、光反射性部材7とを含んで構成されている。
発光素子5の数と、母材82に配置される接続端子83のパターンの形状及び接続端子
83の表面に形成された凸部83aの大きさが異なり、透光性部材10dの4つの端面が
光反射性部材7の4つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態1の発光装置と同
様の構成を有する。よって、実施の形態1と同様の効果を有する。
2つの発光素子5は、長手方向の幅が1.1mm、短手方向の幅が0.2mm、厚みが
0.2mmの略直方体であり、0.4mmの間隔で基体の長手方向に並んで実装されてい
る。基体は、長手方向の長さが3.5mm、短手方向の幅が0.4mm、厚みが0.15
mmの略直方体形状に成形されている。光反射性部材7は、基体の第1主面の中央に、長
手方向の長さが3.0mm、短手方向の幅が0.4mm、厚さが0.2mmの略直方体状
に成形されている。
母材82は、2つの発光素子5の間にスルーホール82dを有しており、そのスルーホ
ール82dを埋め込んで第2の接続端子83eが裏面に及んでいる。つまり、第2の接続
端子83eは、基体の裏面側において、2つの発光素子5の間に設けられている。より詳
細には、2つの発光素子の直下にそれぞれ設けられた2つの絶縁性の膜88bの間に設け
られている。なお、2つの絶縁性の膜84は、母材82と接し、それぞれ接続端子83と
第2の接続端子83eと離間して設けられている。第2の接続端子83eは、基体の裏面
側において絶縁性の膜に被覆されることなく露出しており、発光装置が実装された場合に
は、半田等の接合部材が接続されることで、放熱用の端子としても機能する。
そして、2つの発光素子5と封止部材7の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有す
る透光性部材10dを備える。
複合基体を用いて、実施形態1と同様に製造することができる。この複合基体は、個片化
工程後に、図13D及び図13Eに示すような各発光装置の基体となるものが複数個連な
って構成されている。
スプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファ
クシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用す
ることができる。
2、12、22、32、42、62、72、82 母材
2a 上面
2b 端面
2c 下面
3、23、33、43、53、63、73、83 接続端子
3a、13a、23a、43a、53a、63a、73a、83a 凸部
3b、33b 外部接続部
4、24 基体
5、5a 発光素子
6 溶融性部材
7、17、27 光反射性部材
8、78、84 絶縁性の膜
9 絶縁部材
10、10a、10b、10d 透光性部材
10c 蛍光体層
13、73c、83c 複合接続端子
14、72c、82c 複合基体
15、75、85 スリット
25 端子
43c、63b 補強端子
51 実装基板
52 配線パターン
54 半田
62a、82d スルーホール
83e 第2の接続端子
Claims (7)
- 薄膜部分と凸部とを有する接続端子を備える基体であって、前記凸部が前記接続端子の縁部から離間している基体と、
前記接続端子の前記凸部上に、溶融性部材によって接続された発光素子と、
前記発光素子上に接着剤によって接着され、第1主面が凸面又は凹面である透光性部材と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、
を備える発光装置。 - サイドビュー型の発光装置である請求項1に記載の発光装置。
- 前記基体と前記発光素子との間は、前記光反射性部材で埋め込まれている請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記発光素子の第1主面は、前記光反射性部材の第1主面と同一面を形成するか、前記光反射性部材の第1主面よりも低い位置にある請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記透光性部材の端面及び前記発光素子の端面が前記光反射性部材に被覆されている請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記接続端子は、前記基体の第1主面上から該第1主面とは反対側の面である第2主面に延長して設けられている請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記接続端子は、前記第1主面上において、前記凸部と、前記発光装置の外部と接続される外部接続部とを有し、
前記凸部と前記外部接続部との間に前記接続端子の一部を被覆する絶縁部材を備える請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013150462 | 2013-07-19 | ||
JP2013150462 | 2013-07-19 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018004886A Division JP6773056B2 (ja) | 2013-07-19 | 2018-01-16 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021013025A true JP2021013025A (ja) | 2021-02-04 |
JP7054025B2 JP7054025B2 (ja) | 2022-04-13 |
Family
ID=52631878
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014104074A Active JP6277860B2 (ja) | 2013-07-19 | 2014-05-20 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2018004886A Active JP6773056B2 (ja) | 2013-07-19 | 2018-01-16 | 発光装置 |
JP2020159462A Active JP7054025B2 (ja) | 2013-07-19 | 2020-09-24 | 発光装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014104074A Active JP6277860B2 (ja) | 2013-07-19 | 2014-05-20 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2018004886A Active JP6773056B2 (ja) | 2013-07-19 | 2018-01-16 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6277860B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015106444A1 (de) * | 2015-04-27 | 2016-10-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementanordnungen |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN109844970B (zh) * | 2016-07-28 | 2023-04-04 | 亮锐有限责任公司 | 具有反射侧覆层的发光器件封装 |
JP6579159B2 (ja) | 2016-10-19 | 2019-09-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10330852B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-06-25 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP6699580B2 (ja) | 2017-02-09 | 2020-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7189413B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2022-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10707384B2 (en) | 2017-07-06 | 2020-07-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP6838528B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-03-03 | 日亜化学工業株式会社 | 基板の製造方法と発光装置の製造方法 |
WO2019045506A1 (ko) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
KR102388285B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2022-04-19 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
KR102401964B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2022-05-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 |
JP2017224867A (ja) * | 2017-09-28 | 2017-12-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6658808B2 (ja) | 2017-12-25 | 2020-03-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP7259216B2 (ja) * | 2018-06-04 | 2023-04-18 | 三菱ケミカル株式会社 | 偏光子保護フィルム |
CN110957410A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
JP7421056B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2024-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP7444537B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2024-03-06 | デンカ株式会社 | 蛍光体基板の製造方法、発光基板の製造方法及び照明装置の製造方法 |
EP3905349B1 (en) * | 2018-12-27 | 2024-02-07 | Denka Company Limited | Light-emitting substrate, and lighting device |
JP7057508B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-04-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7307874B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-07-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5979588A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
JPH11330318A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の実装体の製造方法 |
JP2000315855A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Canon Inc | フェイスダウン実装基板及びフェイスダウン実装方法 |
JP2001223391A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
JP2001223243A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003347650A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2006229007A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nichia Chem Ind Ltd | サイドビュー型発光装置 |
JP2007324608A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 波長変換部材の変更による色管理 |
JP2008027933A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Sony Corp | 素子、素子の製造方法、基板、基板の製造方法、実装構造体、実装方法、発光ダイオードディスプレイ、発光ダイオードバックライトおよび電子機器 |
JP2009218274A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2010192629A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2013004802A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0563242A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-12 | Nippon Steel Corp | 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ |
JP2003101121A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP4091926B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2008-05-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP4486451B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2010-06-23 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
JP4673610B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-04-20 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型発光ダイオード |
TWI313943B (en) * | 2006-10-24 | 2009-08-21 | Chipmos Technologies Inc | Light emitting chip package and manufacturing thereof |
JP4966810B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2012-07-04 | シャープ株式会社 | 素子搭載基板、電子部品、発光装置、液晶バックライト装置、電子部品の実装方法 |
JP5251038B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-07-31 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
CN102403306B (zh) * | 2010-09-10 | 2015-09-02 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
JP5666962B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-02-12 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
JP2012243822A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
JP5874233B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2016-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
-
2014
- 2014-05-20 JP JP2014104074A patent/JP6277860B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-16 JP JP2018004886A patent/JP6773056B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-24 JP JP2020159462A patent/JP7054025B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5979588A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
JPH11330318A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の実装体の製造方法 |
JP2000315855A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Canon Inc | フェイスダウン実装基板及びフェイスダウン実装方法 |
JP2001223391A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
JP2001223243A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2003347650A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2006229007A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nichia Chem Ind Ltd | サイドビュー型発光装置 |
JP2007324608A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 波長変換部材の変更による色管理 |
JP2008027933A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Sony Corp | 素子、素子の製造方法、基板、基板の製造方法、実装構造体、実装方法、発光ダイオードディスプレイ、発光ダイオードバックライトおよび電子機器 |
JP2009218274A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2010192629A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2013004802A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置とその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015038963A (ja) | 2015-02-26 |
JP2018085533A (ja) | 2018-05-31 |
JP6277860B2 (ja) | 2018-02-14 |
JP6773056B2 (ja) | 2020-10-21 |
JP7054025B2 (ja) | 2022-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7054025B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102254989B1 (ko) | 발광 장치 | |
US10522729B2 (en) | Light emitting device | |
JP6175952B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI593074B (zh) | 半導體裝置之安裝構造、背光裝置及安裝基板 | |
KR102236796B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP7148826B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7054025 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |