JP2006229007A - サイドビュー型発光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/099—Coating over pads, e.g. solder resist partly over pads
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09909—Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10439—Position of a single component
- H05K2201/10454—Vertically mounted
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
小型化が容易で、また、基板の表面に生じた熱を基板の裏面に効果的に逃がすことができるサイドビュー型発光装置を提供する。
【解決手段】
サイドビュー型発光装置1である。基板1−1と、正極性の表面電極1−2と、負極性の表面電極1−3と、発光素子1−4と、発光素子1−4を封止する封止部材1−5と、正極性の裏面電極1−6と、負極性の裏面電極1−7と、短絡防止用部材1−8と、を備えている。正極性の表面電極1−2と正極性の裏面電極1−6とは、第1のスルーホール1−9を介して電気的に接続されており、負極性の表面電極1−3と負極性の裏面電極1−7とは、第2のスルーホール1−10を介して電気的に接続されている。
【選択図】 図1
Description
この従来のサイドビュー型発光装置においては、「LED素子(37)のアノードとアノード用端子電極(42)とが電気的に接続されており、同様にLED素子(38)のアノードとアノード用端子電極(43)とが、およびLED素子(39)のアノードとアノード用端子電極(45)とが電気的に接続されている」。
これによれば、この従来のサイドビュー型発光装置を用いることにより、LED素子の熱による劣化を低減化することができる、と記載されている。
このため、従来のサイドビュー型発光装置では、コモン端子電極(41a、41b)とアノード用端子電極(43)との間隔を余裕を持って設定しなければならず、その結果、従来のサイドビュー型発光装置には、その小型化が容易でないという問題、また、スルーホールに接続されたコモン端子電極(41a、41b)の面積を広げることができず、基板の表面に生じた熱を基板の裏面に効果的に逃がすことができないという問題があった。
そこで、本発明は、小型化が容易で、また、基板の表面に生じた熱を基板の裏面に効果的に逃がすことができるサイドビュー型発光装置を提供することを目的とする。
また、本発明においては、発光素子が、正極性の表面電極及び負極性の表面電極のいずれか一方に載置されている。したがって、本発明によれば、発光素子と表面電極とが直接的に接触することとなるため、発光素子から生じた熱をスルーホールおよび裏面電極を介して基板の裏面に効果的に逃がすことができる。
なお、ハンダなどの接続部材が封止部材に付着するのを防止するためには、ハンダなどの接続部材によって実装基板に電気的に接続される電極を基板の裏面に形成するのが効果的であるが、上述したように、従来は、このようにして電極を基板の裏面に形成した場合、短絡のおそれが生じていた。このため、従来は、封止部材へのハンダなどの不着防止と、サイドビュー型発光装置の小型化や放熱性の向上と、をともに向上させることが困難であった。しかしながら、本発明においては、短絡防止用部材が設けられるため、電極の短絡を効果的に防止できる。よって、本発明によれば、ハンダなどの接続部材が封止部材に付着するのを効果的に防止しつつ、サイドビュー型発光装置の小型化や放熱をも図り得ることが可能となる。
ここで、正極性の表面電極1−2と正極性の裏面電極1−6とは、第1のスルーホール1−9を介して電気的に接続されており、負極性の表面電極1−3と負極性の裏面電極1−7とは、第2のスルーホール1−10を介して電気的に接続されている。
また、第1の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置1においては、ハンダ1−11とハンダ1−11との間に、短絡防止用部材1−8という障壁が存在している。したがって、第1の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置1によれば、正極性の裏面電極1−6と負極性の裏面電極1−7との間隔を従来のサイドビュー型発光装置よりも縮めることができる。よって、第1の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置1によれば、サイドビュー型発光装置1の小型化を図ることができる。
また、第1の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置1においては、ハンダ1−11とハンダ1−11との間に短絡防止用部材1−8という障壁が存在するため、裏面電極1−6、1−7と実装用電極1−14との接続に際して、従来のサイドビュー型発光装置1よりも、ハンダ1−11を多量に使用することができる。したがって、第1の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置1によれば、従来のサイドビュー型発光装置よりも放熱性を向上させることができる。ハンダ1−11は、導電性材料であるが、熱伝導率のよい材料でもあるので、ハンダ1−11を多量に使用すれば、それだけ多くの熱を、基板1−1の表面から基板1−1の裏面へ逃がすことができるからである。
また、放熱性が向上すれば、動作の安定性が向上するため、第1の実施の形態によれば、サイドビュー型発光装置1において、動作の安定性を向上させることができる。
なお、ハンダなどの接続部材が封止部材に付着するのを防止するためには、ハンダなどの接続部材によって実装基板に電気的に接続される電極を基板の裏面に形成するのが効果的であるが、上述したように、従来は、このようにして電極を基板の裏面に形成した場合、短絡のおそれが生じていた。このため、従来は、封止部材へのハンダなどの不着防止と、サイドビュー型発光装置の小型化や放熱性の向上と、をともに向上させることが困難であった。しかしながら、本発明においては、短絡防止用部材1−8が設けられるため、裏面電極1−6の短絡を効果的に防止できる。よって、本発明によれば、ハンダ1−11などの接続部材が封止部材1−5に付着するのを効果的に防止しつつ、サイドビュー型発光装置1の小型化や放熱をも図り得ることが可能となる。
また、図示しないが、基板の側面にも電極が形成されるサイドビュー型発光装置では、側面の電極を伝ってハンダなどの接続部材が回り込み封止部材に付着するという問題を有していた。接続部材が封止部材に付着することにより発光素子からの光が遮られ、発光出力を低下していた。本発明に係る発光装置は基板の側面に電極を有していないため、接続部材の回り込みがなく、封止部材に接続部材が付着することもない。よって、発光出力の低下を生じることはない。
基板1−1は、加工が容易で耐久性の有る材料で有れば任意のものを用いることができる。このような基板1−1の材料としては、硝子エポキシ樹脂や、銅、アルミニウムや各種合金、セラミックなど種々のものが挙げられるが、本発明が基板1−1の材料を限定するものでないことは、いうまでもない。
正極性の表面電極1−2、負極性の表面電極1−3、正極性の裏面電極1−6、および負極性の裏面電極1−7は、発光素子1−4からの熱を効率よく外部に取り出すために高熱伝導性材料が好ましく、Au、Cu、Alやこれら合金などを好適に利用することができる。特に、銅やアルミニウムは加工のしやすさなどから好適に利用することができる。また、反射率の高い金属や合金などでメッキなどすることもできる。このような金属として金、銀、銅やニッケルや各種合金を好適に利用することができる。もっとも、本発明が、正極性の表面電極1−2、負極性の表面電極1−3、正極性の裏面電極1−6、および負極性の裏面電極1−7の材料を限定するものでないことはいうまでもない。
第1のスルーホール1−9、および第2のスルーホール1−10は、発光素子1−4からの熱を効率よく外部に取り出すために高熱伝導性材料が好ましく、基板1−1に貫通孔を設けて、この貫通孔を反射率の高い金属や合金などでメッキなどすることにより形成される。このような金属として金、銀、銅やニッケルや各種合金を好適に利用することができる。もっとも、本発明が、第1のスルーホール1−9および第2のスルーホール1−10の材料を限定するものでないことは、いうまでもない。
第1の実施の形態においては、説明の便宜のため、第1のスルーホール1−9の数および第2のスルーホール1−10の数をそれぞれ1つとしたが、本発明は、第1のスルーホール1−9の数および第2のスルーホール1−10の数を限定するものではない。
なお、第1のスルーホール1−9および第2のスルーホール1−10は、発光素子1−4の直下や直下近傍に設けることも可能である。このようにすれば、サイドビュー型発光装置1の放熱性が向上し、動作の安定性も向上する。もっとも、本発明は、スルーホール1−9、1−10を設ける位置を限定するものではないが、スルーホール1−9、1−10を設ける位置が発光素子1−4に近ければ近いほど、放熱性を向上させることができる。
発光素子1−4には、各種の半導体発光素子を利用することができ、たとえば、サファイヤ、SiC、スピネル、GaNなどの基板上に、MOCVD法などを利用してn型窒化物半導体及びp型窒化物半導体を積層させたものを好適に利用することができる。GaN、GaAlN、InGaN、AlN、InN、InGaAlN、GaInBNなどの窒化物半導体だけでなくInGaP、GaP、GaAs、GaAlAs、AlP、AlAs、ZnS、ZnSe、SiCなど各種半導体を発光層に用いた発光素子1−4を好適に利用することができる。
なお、本発明は、発光素子1−4の取り付け位置を限定するものではないが、第1の実施の形態におけるように発光素子1−4を負極性の表面電極1−3に載置したり、あるいは正極性の表面電極1−2に載置したりすれば、発光素子1−4から生じる熱をより効率的に基板1−1の裏面に逃がすことができる。
封止部材1−5は、発光素子1−4の少なくとも一部を被覆していれば足り、発光素子1−4を保護すると共に、基板1−1と発光素子1−4とを固着させる。ダイボンド剤だけでも発光素子1−4と基板1−1を接着させることは出来るが、より強力な接着性が必要な場合は、封止部材1−5を発光素子1−4とその周辺を覆うように設けることで、接着性を向上させることができる。
封止部材1−5には、所望の波長の光を透過させる透光性樹脂が用いられ、たとえば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂やアクリル樹脂などが適している。
なお、封止部材1−5には、光を拡散させる光拡散材を混入させてもよい。これにより、光の分散性が向上し、均一なサイドビュー型発光装置1とすることができる。
また、封止部材1−5には、発光素子1−4からの光によって励起されてその波長よりも長波長の光が発光可能な蛍光物質を混入させてもよい。これにより、発光素子からの光と蛍光物質からの光との混色光を発することができるので、様々な発光波長を有するサイドビュー型発光装置1とすることができる。
なお、第1の実施の形態においては、封止部材1−5の形状を半円柱状としたが、本発明が封止部材1−5の形状を限定するものでないことは、いうまでもない。したがって、本発明においては、封止部材1−5の形状を任意に設計でき、たとえば直線状などに設計することも可能である。
短絡防止用部材1−8には、加工が容易で耐久性の有る材料で有れば任意のものを用いることができる。このような短絡防止用部材1−8の材料としては、たとえば、硝子エポキシ樹脂や、銅、アルミニウムや各種合金、セラミックなど種々のものが挙げられる。
径の異なるスルーホールを備えた基板1−1、1−8を裏面電極1−6、1−7を挟んで張り合わせる工程と、
径の小さなスルーホールを備えた基板1−1の表面に正極性の表面電極1−2および負極性の表面電極1−3を形成する工程と、
発光素子1−4をボンディングする工程と、
発光素子1−4を封止部材1−5により封止する工程と、
を有するサイドビュー型発光装置1の製造方法である。
この製造方法により製造すれば、径の比較的小さなスルーホールを備えた基板1−1の方が、上記した第1の実施の形態における「基板1−1」となり、径の比較的大きなスルーホールを備えた基板1−8の方が、上記した第1の実施の形態における「短絡防止用部材1−8」となる。
図2に示すように、第2の実施の形態においては、短絡防止用部材2−8の側面にも、裏面電極2−6、2−7が形成されている。よって、第2の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置2によれば、裏面電極2−6、2−7の面積をより一層広げることができるため、基板2−1の表面に生じた熱を基板2−1の裏面に、より一層効果的に逃がすことが可能となる。
図3に示すように、第3の実施の形態においては、第2の実施の形態においては1つであった短絡防止用部材3−8が2つ設けられており、それぞれの短絡防止用部材3−8の側面にも裏面電極が形成されている。したがって、第3の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置3によれば、第2の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置2よりも裏面電極の面積を広げることができるとともに、第2の実施の形態よりも多量のハンダを付けることができるため、基板3−1の表面に生じた熱を基板3−1の裏面に、第2の実施の形態に係るサイドビュー型発光装置2よりも一層効果的に逃がすことが可能となる。
1−1 基板
1−2 正極性の表面電極
1−3 負極性の表面電極
1−4 発光素子
1−5 封止部材
1−6 正極性の裏面電極
1−7 負極性の裏面電極
1−8 短絡防止用部材
1−9 第1のスルーホール
1−10 第2のスルーホール
1−11 ハンダ
1−12 発光面
1−13 実装基板
1−14 実装用電極
2 サイドビュー型発光装置
2−1 基板
2−2 正極性の表面電極
2−3 負極性の表面電極
2−4 発光素子
2−5 封止部材
2−6 正極性の裏面電極
2−7 負極性の裏面電極
2−8 短絡防止用部材
2−9 第1のスルーホール
2−10 第2のスルーホール
2−11 ハンダ
2−12 発光面
2−13 実装基板
2−14 実装用電極
3 サイドビュー型発光装置
3−1 基板
3−2 正極性の表面電極
3−3 負極性の表面電極
3−4 発光素子
3−5 封止部材
3−6 正極性の裏面電極
3−7 負極性の裏面電極
3−8 短絡防止用部材
3−9 第1のスルーホール
3−10 第2のスルーホール
3−11 ハンダ
3−12 発光面
3−13 実装基板
3−14 実装用電極
Claims (4)
- 基板と、
前記基板の表面に形成された正極性の表面電極と、
前記基板の表面に形成された負極性の表面電極と、
前記基板の裏面に形成された正極性の裏面電極と、
前記基板の裏面に形成された負極性の裏面電極と、
前記正極性の表面電極と前記正極性の裏面電極とを電気的に接続する、前記基板に設けられた少なくとも1つの第1のスルーホールと、
前記負極性の表面電極と前記負極性の裏面電極とを電気的に接続する、前記基板に設けられた少なくとも1つの第2のスルーホールと、
前記正極性の表面電極及び前記負極性の表面電極のいずれか一方に載置され、前記正極性の表面電極および前記負極性の表面電極に電気的に接続される発光素子と、
前記発光素子を封止する封止部材と、
前記正極性の裏面電極の反基板側および前記負極性の裏面電極の反基板側の少なくとも一方に設けられる少なくとも1つの短絡防止用部材と、
を備えることを特徴とするサイドビュー型発光装置。 - 請求項1に記載にサイドビュー型発光装置において、さらに、前記短絡防止用部材の側面に形成された裏面電極、を備えることを特徴とするサイドビュー型発光装置。
- 前記第1のスルーホールおよび前記第2のスルーホールの少なくとも一方が、前記発光素子の直下近傍に設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサイドビュー型発光装置。
- 前記第1のスルーホールおよび前記第2のスルーホールの少なくとも一方が、前記発光素子の直下に設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のサイドビュー型発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005041636A JP4706825B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | サイドビュー型発光装置 |
US11/356,039 US7479665B2 (en) | 2005-02-18 | 2006-02-17 | Side-view type light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005041636A JP4706825B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | サイドビュー型発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006229007A true JP2006229007A (ja) | 2006-08-31 |
JP4706825B2 JP4706825B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=36911751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005041636A Active JP4706825B2 (ja) | 2005-02-18 | 2005-02-18 | サイドビュー型発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7479665B2 (ja) |
JP (1) | JP4706825B2 (ja) |
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US11506361B2 (en) | 2020-08-21 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light emitting device and light source device |
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US9922963B2 (en) | 2015-09-18 | 2018-03-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device |
US10388838B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-08-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
TW201919261A (zh) | 2017-11-05 | 2019-05-16 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光裝置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060186427A1 (en) | 2006-08-24 |
US7479665B2 (en) | 2009-01-20 |
JP4706825B2 (ja) | 2011-06-22 |
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Legal Events
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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